JP2015122525A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 基板、バッファ層、ｎ型窒化物半導体層、活性層及びｐ型窒化物半導体層をこの順に備えるとともに正電極と負電極を備えた窒化物半導体発光ダイオード素子において、
   前記素子内の前記基板は、サファイア基板の表面に凹部及び複数の凸部が加工された加工構造基板であり、
   前記凸部の全周囲は、前記凹部に囲まれたものであることを特徴とする、窒化物半導体発光ダイオード素子。
2. 前記凸部は、前記サファイア基板表面内の少なくとも２種の方向に沿って形成されていることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体発光ダイオード素子。
3. 前記凸部は、前記サファイア基板表面の３種の方向に沿って形成されていることを特徴とする請求項２記載の窒化物半導体発光ダイオード素子。
4. 前記基板は、サファイア基板のＣ面上に凹部及び凸部が形成された加工基板であり、
   前記方向は、サファイア基板の［１１−２０］、［−２１１０］、［１−２１０］方向のいずれかである、請求項２又は３に記載の窒化物半導体発光ダイオード素子。