JP2017045949A5 - - Google Patents
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Description
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、第１導電型のドリフト層（１１）と、ドリフト層の表層部に形成された第２導電型のベース層（１２）と、ドリフト層のうちのベース層側と反対側に形成された第２導電型のコレクタ層（２１）および第１導電型のカソード層（２２）と、を有する半導体基板（１０）を備え、半導体基板のうちのＩＧＢＴ素子として動作する領域をＩＧＢＴ領域（１ａ）とすると共にダイオード素子として動作する領域をダイオード領域（１ｂ）として、ＩＧＢＴ領域とダイオード領域とが交互に繰り返し形成されており、ＩＧＢＴ領域とダイオード領域とは、コレクタ層とカソード層との境界によって区画され、コレクタ層とカソード層とが半導体基板の一面の一方向に沿って延設され、該一方向に対して直交する方向に交互に繰り返し形成されており、前記コレクタ層を第１コレクタ層として、半導体基板のうちの第１コレクタ層およびカソード層が形成された側の面に、第１コレクタ層よりも第２導電型不純物濃度が高くされた第２コレクタ層が備えられている。
Claims (1)
- 第１導電型のドリフト層（１１）と、
前記ドリフト層の表層部に形成された第２導電型のベース層（１２）と、
前記ドリフト層のうちの前記ベース層側と反対側に形成された第２導電型のコレクタ層（２１）および第１導電型のカソード層（２２）と、を有する半導体基板（１０）を備え、
前記半導体基板のうちのＩＧＢＴ素子として動作する領域をＩＧＢＴ領域（１ａ）とすると共にダイオード素子として動作する領域をダイオード領域（１ｂ）として、前記ＩＧＢＴ領域と前記ダイオード領域とが交互に繰り返し形成されており、
前記ＩＧＢＴ領域と前記ダイオード領域とは、前記コレクタ層と前記カソード層との境界によって区画され、
前記コレクタ層と前記カソード層とが前記半導体基板の一面の一方向に沿って延設され、該一方向に対して直交する方向に交互に繰り返し形成されており、
前記コレクタ層を第１コレクタ層として、前記半導体基板のうちの前記第１コレクタ層および前記カソード層が形成された側の面に、前記第１コレクタ層よりも第２導電型不純物濃度が高くされた第２コレクタ層が備えられている半導体装置。
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