JP2015213164A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. 第１の領域及び第２の領域を有する素子層を有し、
   前記第１の領域は、
   第１の膜と、
   前記第１の膜上の複数の第１のトランジスタと、
   前記複数の第１のトランジスタ上の第２の膜と、を有し、
   前記第２の領域は、前記第１の膜と前記第２の膜とが接する領域であり、
   上面形状において、前記第２の領域は、前記第１の領域を囲むように設けられ、
   前記第１の膜及び前記第２の膜は、水素もしくは水の拡散を抑制する機能を有することを特徴とする半導体装置。
2. 第１の領域及び第２の領域を有する素子層を有し、
   前記第１の領域は、
   複数の第２のトランジスタと、
   前記複数の第２のトランジスタ上の第１の膜と、
   前記第１の膜上の複数の第１のトランジスタと、
   前記複数の第１のトランジスタ上の第２の膜と、を有し、
   前記第２の領域は、前記第１の膜と前記第２の膜とが接する領域であり、
   上面形状において、前記第２の領域は、前記第１の領域を囲むように設けられ、
   前記第１の膜及び前記第２の膜は、水素もしくは水の拡散を抑制する機能を有することを特徴とする半導体装置。
3. 第１の領域及び第２の領域を有する素子層を有しし、
   前記第１の領域は、
   第１の膜と、
   前記第１の膜上の複数の第２のトランジスタと、
   前記複数の第２のトランジスタ上の複数の第１のトランジスタと、
   前記複数の第１のトランジスタ上の第２の膜と、を有し、
   前記第２の領域は、前記第１の膜と前記第２の膜とが接する領域であり、
   上面形状において、前記第２の領域は、前記第１の領域を囲むように設けられ、
   前記第１の膜及び前記第２の膜は、水素もしくは水の拡散を抑制する機能を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項２において、
   前記複数の第１のトランジスタは、第１のゲート電極と、酸化物半導体膜と、前記第１のゲート電極および前記酸化物半導体膜の間の第１のゲート絶縁膜とを有し、
   前記複数の第２のトランジスタは、第２のゲート電極と、半導体基板に形成された半導体領域と、前記第２のゲート電極および前記半導体領域の間の第２のゲート絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記第１の膜及び前記第２の膜は、酸化アルミニウム膜を有することを特徴とする半導体装置。