JP2015188079A5 - - Google Patents

Claims (3)

1. 酸化物半導体膜上に絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜上に緩衝膜を形成し、
   前記緩衝膜及び前記絶縁膜に酸素を添加し、
   前記酸素が添加された緩衝膜上に導電膜を形成し、
   前記導電膜をマスクとして、前記酸化物半導体膜に不純物元素を添加する、ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 酸化物半導体膜上に絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜上に緩衝膜を形成し、
   前記緩衝膜及び前記絶縁膜に酸素を添加し、
   前記酸素が添加された緩衝膜上に導電膜を形成し、
   前記導電膜をマスクとして、前記酸化物半導体膜に不純物元素を添加し、
   前記酸化物半導体膜と重なる絶縁膜を形成する、ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 酸化物半導体膜上に絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜上に緩衝膜を形成し、
   前記緩衝膜及び前記絶縁膜に酸素を添加し、
   前記酸素が添加された緩衝膜上に導電膜を形成し、
   前記酸素が添加された絶縁膜及び前記酸素が添加された緩衝膜をエッチングして、前記酸化物半導体膜の一部を露出させ、
   前記導電膜をマスクとして、前記酸化物半導体膜に不純物元素を添加し、
   前記酸化物半導体膜と重なる絶縁膜を形成する、ことを特徴とする半導体装置の作製方法。