JP2014199905A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (6)

1. 第１の酸化物層と、酸化物半導体層と、第２の酸化物層と、を有する酸化物積層を形成し、
   前記第１の酸化物層は、インジウムを有し、
   前記酸化物半導体層は、前記第１の酸化物層の上に位置し、且つインジウムを有し、
   前記第２の酸化物層は、前記酸化物半導体層の上に位置し、且つインジウムを有し、
   １００Ｐａ以上３００Ｐａ以下の圧力で、前記酸化物積層上に第１の絶縁層を形成し、
   前記第１の絶縁層上にゲート電極層を形成する半導体装置の作製方法。
2. 第１の酸化物層と、酸化物半導体層と、第２の酸化物層と、を有する酸化物積層を形成し、
   前記第１の酸化物層はインジウムを有し、
   前記酸化物半導体層は、前記第１の酸化物層の上に位置し、且つインジウムを有し、
   前記第２の酸化物層は、前記酸化物半導体層の上に位置し、且つインジウムを有し、
   前記酸化物半導体層の電子親和力は、前記第１の酸化物層及び前記第２の酸化物層の電子親和力よりも大きく、
   １００Ｐａ以上３００Ｐａ以下の圧力で、前記酸化物積層上に、酸素を有する第１の絶縁層を形成し、
   前記第１の絶縁層上にゲート電極層を形成する半導体装置の作製方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の絶縁層は、酸化窒化シリコンである半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１の酸化物層、前記酸化物半導体層、または前記第２の酸化物層は、ガリウムを有する半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第１の酸化物層、前記酸化物半導体層、または前記第２の酸化物層は、亜鉛を有する半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記第１の絶縁層をプラズマＣＶＤ法により形成する半導体装置の作製方法。