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  1. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、フォトダイオードと、絶縁層と、を有し、
    前記第１のトランジスタは、前記フォトダイオードによって生成された電気信号を転送する機能を有し、
    前記第２のトランジスタは、前記転送された電気信号を増幅する機能を有し、
    前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとの間、及び、前記第１のトランジスタと前記フォトダイオードとの間には、前記絶縁層が設けられ、
    前記第１のトランジスタのチャネルは、酸化物半導体に形成され、
    前記第２のトランジスタのチャネルは、シリコンに形成されることを特徴とする半導体装置。
  2. 請求項１において、
    前記フォトダイオードが有する半導体層は、前記第１のトランジスタと重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
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