JPH07211880A

JPH07211880A - 一次元カラーイメージセンサ

Info

Publication number: JPH07211880A
Application number: JP6022193A
Authority: JP
Inventors: Yasumitsu Ota; 泰光太田; Shusuke Mimura; 秀典三村
Original assignee: Nippon Steel Corp
Current assignee: Nippon Steel Corp
Priority date: 1994-01-20
Filing date: 1994-01-20
Publication date: 1995-08-11

Abstract

(57)【要約】【目的】主走査方向に隣合うセンサ素子間の距離を狭
めることができるとともに、高速な動作が可能な一次元
カラーイメージセンサを提供する。【構成】一画素分の三つのホトダイオード２０ａ〜２
０ｂのカソードからの出力線２４は共通に接続され、更
に各ブロックの対応するチャンネルの出力線は共通とさ
れて四つの出力線２ａ〜２ｄにそれぞれ接続されてい
る。出力線は透明導電膜で形成することにより、ホトダ
イオードの受光面を有効に利用することができる。セン
サ素子は、ホトダイオードとＴＦＴ２２ａ〜２２ｃから
構成することにより、カラー化する場合に特に必要な高
速な動作が可能となる。また、センサ素子のＴＦＴの入
力側には切り換え手段として別のＴＦＴ３０を設け、こ
のゲート電極に加える信号によって三つの色のいずれか
を選択して出力することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、カラーディジタルコピ
ー機、カラーファクシミリ、カラーイメージスキャナな
どに使用される一次元カラーイメージセンサに関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】図５は従来の一次元イメージセンサのセ
ンサ素子の部分を拡大して示した図である。同図におい
て、一画素分の光を感知する三つのホトダイオード１０
ａ，１０ｂ，１０ｃは縦方向に配列されており、それぞ
れには別々に出力線１６ａ，１６ｂ，１６ｃが設けられ
ている。また、ブロッキングダイオード１２ａ，１２
ｂ，１２ｃは、配線１４ａ，１４ｂ，１４ｃによって対
応するホトダイオード１０ａ，１０ｂ，１０ｃとフロン
ト・トゥ・フロント（カソード同士を接続する）又はバ
ック・トゥ・バック（アノード同士を接続する）に接続
されている。この一つのホトダイオードと一つのブロッ
キングダイオードによって一つのセンサ素子が構成さ
れ、かかるセンサ素子の組が横方向（主走査方向）に多
数配列されて、一次元カラーイメージセンサが構成され
ている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図５のホト
ダイオード１０ａ〜１０ｃには、それぞれ別々に出力線
１６ａ〜１６ｃが設けられている。このため、隣合うホ
トダイオードとの間に出力線を確保するための領域が必
要となる。しかも配線を形成する際のアラインメントの
精度によって線と線の間にある程度の余裕を確保する必
要がある。しかし高密度の密着型イメージセンサでは、
できるだけセンサ素子同士が接近していることが望まし
く、図５のように出力線を形成するためにホトダイオー
ド同士の距離を離すとそれだけイメージセンサとしての
性能（解像度）が低下するという問題がある。

【０００４】また、イメージセンサをカラー化する場合
には、一つの画素について三つのセンサ素子が必要とな
るため、それだけセンサ素子の高速な動作が要求され
る。周知のようにダイオードの電圧−電流特性は指数関
数的に変化するため、両端に加わる電圧が低くなると流
れる電流の量は著しく低下する。このためイメージセン
サをカラー化した場合にセンサ素子にブロッキングダイ
オードを使用すると、短時間の間にホトダイオードに蓄
積された電荷をすべて読み出すことができず、残像特性
やγ特性が劣化するという問題がある。

【０００５】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、主走査方向に隣合うセンサ素子間の距離を狭め
ることができるとともに、高速な動作が可能な一次元カ
ラーイメージセンサを提供することを目的とするもので
ある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めの請求項１記載の発明は、カラー画像を感知するため
に一の画素検出手段が複数のセンサ素子によって構成さ
れ、且つ主走査方向に前記画素検出手段が多数配列され
た一次元カラーイメージセンサにおいて、前記センサ素
子をホトダイオードとトランジスタにより構成し、前記
各画素検出手段のホトダイオードの出力配線を共通に形
成し、かつ前記共通にした出力配線を前記ホトダイオー
ドの上部に形成したことを特徴とするものである。

【０００７】請求項２記載の発明は、前記各画素検出手
段の、複数のホトダイオードを形成する領域と複数のト
ランジスタを形成する領域とが別々に設けられているも
のである。

【０００８】請求項３記載の発明は、前記共通にしたホ
トダイオードの出力配線が透明導電膜により形成されて
いるものである。

【０００９】前記の課題を解決するための請求項４記載
の発明は、カラー画像を感知するために一の画素検出手
段が複数のセンサ素子によって構成され、且つ主走査方
向に前記画素検出手段が多数配列された一次元カラーイ
メージセンサにおいて、前記センサ素子をホトダイオー
ドと第１のトランジスタにより構成し、前記多数配列さ
れた画素検出手段を出力回路のチャンネル数と同数のチ
ャンネルからなる複数のブロックに分割し、前記一の画
素検出手段を構成する複数のセンサ素子の出力を共通に
接続するとともに、前記各ブロックについて前記一の画
素検出手段を構成する複数のセンサ素子の数と同数の入
力を設けこれらの入力を各画素検出手段のセンサ素子の
うち同一色を感知するセンサ素子の入力に共通に接続し
たことを特徴とするものである。

【００１０】請求項５記載の発明は、前記各ブロックの
複数の入力を対応する第２のトランジスタを介して互い
に接続し、各ブロックの対応する第２のトランジスタの
ゲートを共通に接続し、前記ゲートへ供給する信号によ
り各ブロックの前記複数の入力のうちのいずれか一つを
選択して各ブロックから同一色の画像信号を出力するよ
うに構成したものである。

【００１１】請求項６記載の発明は、前記第２のトラン
ジスタのゲートに所定のタイミングで信号を供給するた
めのシフトレジスタを設けたものである。

【００１２】請求項７記載の発明は、前記第２のトラン
ジスタを、前記ホトダイオード及び前記第１のトランジ
スタと同一基板上に形成したものである。

【００１３】

【作用】請求項１記載の発明は前記の構成によって、セ
ンサ素子をホトダイオードとトランジスタによって構成
したことにより、低い電圧で少ない電流しか流せないブ
ロッキングダイオードを用いた場合に比べて低い電圧で
多くの電流が流せるので、短時間でホトダイオードに蓄
積された電荷を読み出すことができ、また各画素検出手
段のホトダイオードの出力配線を共通に形成し、かつ前
記共通にした出力配線を前記ホトダイオードの上部に形
成したことにより、主走査方向に隣合うホトダイオード
とホトダイオードとの間の距離を狭めることができる。

【００１４】請求項２記載の発明は、トランジスタをホ
トダイオードとは別の領域に形成したことにより、ホト
ダイオードの受光面の面積を広げることができる。

【００１５】請求項３記載の発明は、共通の出力配線を
ＩＴＯなどの透明導伝膜によって形成することにより、
この共通の出力線によってホトダイオードに照射される
光が遮られることはなく、したがってホトダイオードの
受光面を有効に使用することができる。

【００１６】請求項４記載の発明は前記の構成によっ
て、各ブロックについて一の画素検出手段を構成する複
数のセンサ素子の数と同数の入力を設け、これらの入力
を各画素検出手段のセンサ素子のうち同一色を感知する
センサ素子の入力に共通に接続したことにより、ホトダ
イオードに蓄積された電荷を読み出すための信号をトラ
ンジスタに供給するという動作を、この複数の入力につ
いて順番に行うことができ、これにより各画素検出手段
の複数のホトダイオードの出力配線が共通に形成されて
いても、この共通の出力配線から順次各色のカラー画像
信号を取り出すことができる。

【００１７】請求項５記載の発明は、前記複数の入力に
ついては、三つの第２のトランジスタを介して互いに接
続することにより、この接続された入力に供給された信
号を第２のトランジスタで切り換えて所望の第１のトラ
ンジスタだけに信号を供給できる。これにより、各ブロ
ックの前記複数の入力のうちのいずれか一つを選択して
各チャンネルから同一の色の画像信号を出力するように
できる。

【００１８】請求項６記載の発明は、前記第２のトラン
ジスタのゲートに所定のタイミングで信号を供給するた
めのシフトレジスタを設けたことにより、簡易な構成で
前記第２のトランジスタを順次駆動することができる。

【００１９】請求項７記載の発明は、前記第２のトラン
ジスタを前記ホトダイオード及び前記第１のトランジス
タと同一基板上に形成したことにより、省スペース化を
図ることができる。

【００２０】

【実施例】以下に図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図１は本発明の一実施例である一次元カラ
ーイメージセンサ回路の一部を示した回路図、図２は本
発明の一実施例である一次元イメージセンサのセンサ素
子の部分を拡大して示した平面図、図３は別の実施例に
ついての図２と同様の平面図、図４は図１の回路の入力
部にスイッチ手段としてトランジスタを接続した実施例
の回路図である。

【００２１】図１には第１ブロックから第５ブロックま
で示されており、各ブロックは説明の都合上４チャンネ
ルから構成されているものとする。なお、実際の回路で
は１６チャンネルもしくは３２チャンネルなどとするの
が一般的である。そして各ブロックの一つのチャンネル
には三つのホトダイオード２０ａ，２０ｂ，２０ｃと三
つの薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴという）２２ａ，２
２ｂ，２２ｃが含まれており、これらによって三つのセ
ンサ素子が構成されている。この三つのセンサ素子によ
り一の画素検出手段が構成され、一画素分の三原色の光
を感知する。なお後述のように、原稿から反射した光
は、プリズムにより波長に依存する屈折率で屈折し、又
はフィルターにより所定の波長のみが透過して、三原色
のそれぞれの色を感知するホトダイオードに入射する。

【００２２】図１を見ると分かるように、一画素分の三
つのホトダイオード２０ａ〜２０ｃのカソードからの出
力線は共通に接続され、更に各ブロックの対応するチャ
ンネルの出力線は共通とされて四つの出力線２ａ，２
ｂ，２ｃ，２ｄにそれぞれ接続されている。一方、ＴＦ
Ｔ２２ａ〜２２ｃのゲートＧにつながる入力線は、同一
ブロック内にある各チャンネルの対応するもの同士が共
通に接続されている。そして、例えば第１ブロックでは
入力Ａ１，Ｂ１，Ｃ１にそれぞれ接続されている。した
がって入力線は各ブロックについて三つずつ、合計１５
個設けられ、出力は全体で四つ設けられている。なお、
ＴＦＴの各ドレインＤは共通とされ、配線２８を介して
一定電圧の電圧源（図示せず）に接続されている。

【００２３】図１の回路において、四つの出力線２ａ〜
２ｄはそれぞれ増幅用のアンプ（図示せず）に接続され
ている。そしてこのアンプ入力はイマジナリー・ショー
トにより仮想的に接地された状態とされ、四つの出力線
は常に接地電位に維持される。これにより、出力線が互
いに交差する部分において他の出力線との間のクロスト
ークを有効に防止することができる。

【００２４】図１の回路は以下のように動作する。ま
ず、第１ブロックの入力Ａ１に駆動入力パルスを供給す
ると、第１ブロックに含まれる四つのチャンネルのそれ
ぞれ一番左側の四つのＴＦＴ２２ａがオンとなる。これ
により、対応する四つのホトダイオード２０ａに蓄積さ
れた電荷が電流として取り出され、第１チャンネルの信
号は出力線２ａから、第２チャンネルの信号は出力線２
ｂから、第３チャンネルの信号は出力線２ｃから、第４
チャンネルの信号は出力線２ｄから、それぞれ同時に取
り出される。次に、第２ブロックの入力Ａ２に駆動入力
パルスを供給すると、第１ブロックと同様に各チャンネ
ルの四つのホトダイオード２０ａに蓄積された信号が出
力線２ａ〜２ｄから同時に取り出される。以下、同様の
動作を第５ブロックまで順次行うことにより、各ブロッ
クの各チャンネルからホトダイオード２０ａの信号が取
り出される。次にまた第１ブロックから順番に、今度は
入力Ｂ１，Ｂ２，・・・，Ｂ５に駆動入力パルスを供給
して、各ブロックの各チャンネルからホトダイオード２
０ｂの信号を取り出す。更に第１ブロックから順番に入
力Ｃ１，Ｃ２，・・・，Ｃ５に駆動入力パルスを供給し
て、各ブロックの各チャンネルからホトダイオード２０
ｃの信号を取り出す。このようにして１ライン分のカラ
ー画像信号すべてが取り出される。

【００２５】イメージセンサをカラー化した場合には、
図１に示すように一画素についてセンサ素子が三つ必要
となるので、各センサ素子の動作を高速化することが特
に望まれる。このような状況の下で従来のようにブロッ
キングダイオードを用いてセンサ素子を構成すると所定
の短い時間の間に全ての電荷を読み出すことが難しい
が、図１に示しすようにＴＦＴを用いてセンサ素子を構
成すると、短時間の間にホトダイオードに蓄積された電
荷を読み出すことが可能となる。

【００２６】図２は実際の２００ＤＰＩ用の半導体構造
の一部を示した図で、従来の構造を示した図５に対応す
る。同図に示すように、三つのホトダイオード２０ａ〜
２０ｃは縦方向（副走査方向）に並べられて配置され、
ＴＦＴ２２ａ〜２２ｃはその下に形成されて、図１に示
すように入力線Ａ１等に接続されている。このようにホ
トダイオード２０ａ〜２０ｃを形成する領域とは別の領
域にＴＦＴ２２ａ〜２２ｃを形成することにより、ホト
ダイオード２０ａ〜２０ｃの受光面をより広く確保でき
る。

【００２７】図２に示すように、三つのホトダイオード
２０ａ〜２０ｃのうち２０ａの面積が最も大きくなるよ
う形成されており、これを青（Ｂ）の光を感知するホト
ダイオードとしている。ホトダイオードは本来三つとも
等しい面積とするのが自然であるが、ＴＦＴ２２ａ〜２
２ｃとの配線接続のため、このように異なる面積とな
る。しかしながら、ホトダイオードを最も一般的なアモ
ルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）で構成した場合におい
て、光の三原色である赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の
それぞれに対する感度は異なるので、必ずしも三つのホ
トダイオードの面積を同じにする必要はない。むしろ、
感度が最も低い青（Ｂ）の光を受光するためのホトダイ
オードの面積を大きくすることが望ましい。したがって
図２において最も面積の大きいホトダイオード２０ａを
青（Ｂ）用とすれば、感度の弱さを補償することができ
るという利点がある。そして、入射光をプリズムで屈折
させて赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色に分光する
場合には、残りのホトダイオード２０ｂ，２０ｃの順番
は光の波長で決まるので、２０ｂが緑（Ｇ）用のホトダ
イオード、２０ｃが赤（Ｒ）用のホトダイオードとな
る。

【００２８】また、図２には、図１で説明したように、
三つのホトダイオード２０ａ〜２０ｃの出力線２４が共
通とされている状態が明瞭に示されている。このため各
ホトダイオードに別々に出力線を設ける場合に比べて隣
合うセンサ素子同士の間隔を大幅に狭めることが可能と
なる。このように三つの出力線２４を共通にできるの
は、図１のような構成のマトリックス接続を採用したこ
とによるものである。

【００２９】更に、図２に示すように、各出力線２４は
ホトダイオード２０ａ〜２０ｃの上を通過するよう形成
されている。従来の一次元カラーイメージセンサでは、
出力線を隣合うホトダイオードの間に形成していたが、
このようにすると、出力線自体の幅１０μｍの他に、ア
ラインメントの精度による余裕を考慮して出力線の両側
に更に１０μｍずつのスペースをとる必要があり、この
結果隣合うホトダイオード同士の間隔は最低３０μｍ程
度としなければならなかった。このようにホトダイオー
ド同士の間隔が開くと、高密度の画像信号を得ることが
できないという問題があった。

【００３０】かかる問題を解決するために本実施例で
は、上記のように出力線をホトダイオードの上に形成し
たものである。このようにすると、ホトダイオードの受
光面は出力線の幅だけ狭くなるが、出力線の幅はせいぜ
い１０μｍ程度なので、これによる感度の低下はそれほ
ど影響はない。それ以上に、隣合うホトダイオード同士
の間隔を狭めることができるので、高密度の画像信号を
得られるという利点がある。なお、上記の出力線２４は
他の部分に形成する電極線と同時に形成することができ
るので、この出力線２４を形成するための特別の工程は
不要である。なお、このように出力線２４をホトダイオ
ードの上に形成しても、各出力線は各ホトダイオードの
透明電極と電気的に接続されているので、余分な容量を
発生するという問題は生じない。

【００３１】もしも出力線をホトダイオードの上に形成
することによる受光面の減少が問題となる場合には、出
力線をＩＴＯなどの透明導電膜によって形成することが
できる。このようにすれば光は透明導電膜を透過できる
ので、ホトダイオードに達する光を遮ることはない。但
し、この場合にはＩＴＯなどを形成するための工程が別
に必要となる。

【００３２】図３は、図２とは異なる構造の２００ＤＰ
Ｉ用のイメージセンサの一部を拡大したものである。す
なわち、カラーフィルターを用いて入射光を三原色に分
離する場合の構造であり、三つのホトダイオードは一辺
が１２５μｍの正方形１６の中に収まるよう構成されて
いる。そして入射光の分光には、所定の色のみを透過す
るカラーフィルター（図示せず）を用い、これを各ホト
ダイオードの上部に配置する。カラーフィルターは、プ
リズムの場合のように波長の順序を考慮する必要がな
く、本実施例では各色のホトダイオードを上から赤
（Ｒ）、青（Ｂ）、緑（Ｇ）の順番で配置してある。Ｔ
ＦＴ２２ａ〜２２ｃの構成は、図２の場合と同様であ
る。

【００３３】図４は図１の回路の各ブロックの入力側に
切り換え手段として別のＴＦＴ３０ａ，３０ｂ，３０ｃ
を設けた実施例の回路図である。このＴＦＴ３０ａ〜３
０ｃはホトダイオード２０ａ〜２０ｃ及びＴＦＴ２２ａ
〜２２ｃと同一の基板上に設けるのが望ましい。図４に
おいて、入力Ａ１，Ｂ１，Ｃ１，・・・，Ａ５，Ｂ５，
Ｃ５は、ＴＦＴ３０ａ〜３０ｃを介して各ブロック毎に
接続され、これによってそれぞれのブロックの入力を単
一入力３６−１〜３６−５としてある。そして、各ブロ
ックの対応するＴＦＴ３０のゲートを共通とした３本の
ゲート線３２ａ，３２ｂ，３２ｃをシフトレジスタ３４
に接続してある。シフトレジスタ３４を設ければ、シフ
トレジスタ３４の一の入力にパルスを所定の時間間隔で
供給することにより、ゲート線３２ａ，３２ｂ，３２ｃ
に対して所定の順序で信号を送り出すことができるの
で、切り換え動作が容易となる。

【００３４】図４において、入力３６−１〜３６−５に
供給された信号は、ゲート線３２ａ〜３２ｃのうちゲー
ト信号が供給されたＴＦＴだけを通過することができ
る。したがって、ゲート線３２ａ〜３２ｃに所定の順序
で信号を供給することにより、出力線から所定の色の画
像信号を得ることができる。しかも、上で説明したよう
に１ライン分の画像信号は、まず最初にある色について
１ライン分の読み出しを行った後で次の色を１ライン分
読み出し、そして最後の色について１ライン分読み出す
という順序で行うので、ゲート線３２ａ〜３２ｃの切り
換えは１ライン毎に行えばよく、したがって５ミリ秒程
度の間隔での切り換えとなる。この程度の比較的ゆっく
りとした切り換え動作であれば、シフトレジスタ３４を
用いて行うことが十分に可能である。そしてシフトレジ
スタ３４についても、薄膜トランジスタによって同一の
基板上に作り込むことにすれば、イメージセンサ全体の
寸法を縮小する妨げにはならない。

【００３５】図４のような回路構成とすれば、図４に示
した部分以外の回路については従来から用いられていた
回路を使用できるので、既存の装置を有効に活用するこ
とができる。また、図４の実施例のようにスイッチング
素子としてＴＦＴ３０ａ〜３０ｃを設ければ、回路全体
のボンディング数を削減でき、組立工程が簡単化すると
いう利点がある。

【００３６】なお、本発明は上記の実施例に限定される
ものではなく、その要旨の範囲内において、種々の変形
が可能である。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように請求項１記載の発明
によれば、ホトダイオードの出力配線を共通に形成し、
更にこの共通にした出力配線をホトダイオードの上部に
形成したことにより、隣合うホトダイオード同士の間に
出力配線を形成している従来のものに比べて隣合うホト
ダイオード同士の間隔を大幅に狭めて高密度化を図るこ
とができ、またセンサ素子をホトダイオードとトランジ
スタによって構成したことにより、低い電圧で少ない電
流しか流せないブロッキングダイオードを用いた場合に
比べて低い電圧で多くの電流が流せるため、短時間でホ
トダイオードに蓄積された電荷を読み出すことができ、
したがってカラーの場合に特に望まれる回路動作の高速
化を図ることができる一次元カラーイメージセンサを提
供することができる。

【００３８】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載の発明の効果に加えて、トランジスタをホトダイオー
ドとは別の領域に形成したことにより、ホトダイオード
の受光面の面積を広げることができ、したがって感度の
向上を図ることができる一次元カラーイメージセンサを
提供することができる。

【００３９】請求項３記載の発明によれば、さらに共通
の出力配線をＩＴＯなどの透明導伝膜によって形成する
ことにより、この共通の出力線によってホトダイオード
に照射される光が遮られることはなく、したがってホト
ダイオードの受光面を有効に使用して感度の向上を図る
ことができる一次元カラーイメージセンサを提供するこ
とができる。

【００４０】請求項４記載の発明によれば、前記のよう
に構成したことにより、出力配線の数を減らし、ホトダ
イオードとホトダイオードの間の距離を狭まくして高密
度化を図ることができ、また短時間でホトダイオードに
蓄積された電荷を読み出すことができ、したがってカラ
ーの場合に特に望まれる回路動作の高速化を図ることが
できる一次元カラーイメージセンサを提供することがで
きる。

【００４１】請求項５記載の発明によれば、請求項４記
載の発明の効果に加えて、各ブロックの複数の入力を対
応する第２のトランジスタを介して互いに接続すること
により、この接続された入力に供給される一の信号を前
記第２のトランジスタで切り換えて所望の第１のトラン
ジスタだけに信号を供給でき、これにより各ブロックの
前記複数の入力のうちのいずれか一つを選択して各チャ
ンネルから同一の色の画像信号を出力するようにでき、
したがって入力の数を減らすことができる一次元カラー
イメージセンサを提供することができる。

【００４２】請求項６記載の発明によれば、さらに前記
第２のトランジスタのゲートに所定のタイミングで信号
を供給するためのシフトレジスタを設けたことにより、
簡易な構成で前記第２のトランジスタを順次駆動するこ
とができる一次元カラーイメージセンサを提供すること
ができる。

【００４３】請求項７記載の発明によれば、さらに前記
第２のトランジスタを前記ホトダイオード及び前記第１
のトランジスタと同一基板上に形成したことにより、省
スペース化を図ることができる一次元カラーイメージセ
ンサを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である一次元カラーイメージ
センサの回路図である。

【図２】図１の一次元カラーイメージセンサの一部を拡
大して示した平面図である。

【図３】別の実施例の一次元カラーイメージセンサの一
部を拡大して示した平面図である。

【図４】本発明の他の実施例の一次元カラーイメージセ
ンサの回路図である。

【図５】従来の一次元カラーイメージセンサの一部を拡
大して示した平面図である。

【符号の説明】

１０ａ〜１０ｃ、２０ａ〜２０ｃホトダイオード１２ａ〜１２ｃブロッキングダイオード２２ａ〜２２ｃ薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１４ａ〜１４ｃ配線２ａ〜２ｄ、１６ａ〜１６ｃ、２４出力配線３０ａ〜３０ｃ薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３４シフトレジスタ３６−１〜３６−５入力端子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】カラー画像を感知するために一の画素検
出手段が複数のセンサ素子によって構成され、且つ主走
査方向に前記画素検出手段が多数配列された一次元カラ
ーイメージセンサにおいて、前記センサ素子をホトダイ
オードとトランジスタにより構成し、前記各画素検出手
段のホトダイオードの出力配線を共通に形成し、かつ前
記共通にした出力配線を前記ホトダイオードの上部に形
成したことを特徴とする一次元カラーイメージセンサ。
【請求項２】前記各画素検出手段は、複数のホトダイ
オードを形成する領域と複数のトランジスタを形成する
領域とが別々に設けられているものである請求項１記載
の一次元カラーイメージセンサ。
【請求項３】前記共通にしたホトダイオードの出力配
線は透明導電膜により形成されているものである請求項
１又は２記載の一次元イメージセンサ。
【請求項４】カラー画像を感知するために一の画素検
出手段が複数のセンサ素子によって構成され、且つ主走
査方向に前記画素検出手段が多数配列された一次元カラ
ーイメージセンサにおいて、前記センサ素子をホトダイ
オードと第１のトランジスタにより構成し、前記多数配
列された画素検出手段を出力回路のチャンネル数と同数
のチャンネルからなる複数のブロックに分割し、前記一
の画素検出手段を構成する複数のセンサ素子の出力を共
通に接続するとともに、前記各ブロックについて前記一
の画素検出手段を構成する複数のセンサ素子の数と同数
の入力を設けこれらの入力を各画素検出手段のセンサ素
子のうち同一色を感知するセンサ素子の入力に共通に接
続したことを特徴とする一次元カラーイメージセンサ。
【請求項５】前記各ブロックの複数の入力を対応する
第２のトランジスタを介して互いに接続し、各ブロック
の対応する第２のトランジスタのゲートを共通に接続
し、前記ゲートへ供給する信号により各ブロックの前記
複数の入力のうちのいずれか一つを選択して各ブロック
から同一色の画像信号を出力するように構成した請求項
４記載の一次元カラーイメージセンサ。
【請求項６】前記第２のトランジスタのゲートに所定
のタイミングで信号を供給するためのシフトレジスタを
設けた請求項５記載の一次元カラーイメージセンサ。
【請求項７】前記第２のトランジスタは、前記ホトダ
イオード及び前記第１のトランジスタと同一基板上に形
成したものである請求項５又は６記載の一次元カラーイ
メージセンサ。