JP2014007388A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (3)

1. ゲート電極層を形成し、
   前記ゲート電極層上に、プラズマＣＶＤ法によって、シランと窒素を含むガスを用いて、窒化シリコン膜でなる第１のゲート絶縁層を形成し、
   前記第１のゲート絶縁層上に、プラズマＣＶＤ法によって、シランと窒素とアンモニアを含むガスを用いて、窒化シリコン膜でなる第２のゲート絶縁層を形成し、
   前記第２のゲート絶縁層上に、プラズマＣＶＤ法によって、シランと窒素を含むガスを用いて、窒化シリコン膜でなる第３のゲート絶縁層を形成し、
   前記第３のゲート絶縁層上に、酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を形成する半導体装置の作製方法であって、
   前記第１のゲート絶縁層を成膜する雰囲気におけるアンモニアの量は、前記第２のゲート絶縁層を成膜する雰囲気におけるアンモニアの量よりも少なく、
   前記第３のゲート絶縁層を成膜する雰囲気におけるアンモニアの量は、前記第２のゲート絶縁層を成膜する雰囲気におけるアンモニアの量よりも少ないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. ゲート電極層を形成し、
   前記ゲート電極層上に、プラズマＣＶＤ法によって、シランと窒素を含むガスを用いて、窒化シリコン膜でなる第１のゲート絶縁層を形成し、
   前記第１のゲート絶縁層上に、プラズマＣＶＤ法によって、シランと窒素とアンモニアを含むガスを用いて、窒化シリコン膜でなる第２のゲート絶縁層を形成し、
   前記第２のゲート絶縁層上に、プラズマＣＶＤ法によって、シランと窒素を含むガスを用いて、窒化シリコン膜でなる第３のゲート絶縁層を形成し、
   前記第３のゲート絶縁層上に、酸素を含む絶縁層でなる第４のゲート絶縁層を形成し、
   前記第４のゲート絶縁層上に、酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を形成する半導体装置の作製方法であって、
   前記第１のゲート絶縁層を成膜する雰囲気におけるアンモニアの量は、前記第２のゲート絶縁層を成膜する雰囲気におけるアンモニアの量よりも少なく、
   前記第３のゲート絶縁層を成膜する雰囲気におけるアンモニアの量は、前記第２のゲート絶縁層を成膜する雰囲気におけるアンモニアの量よりも少ないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記ゲート電極層は、銅を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。