JP2000332012A - シリコン窒化膜の成膜方法 - Google Patents
シリコン窒化膜の成膜方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 膜質の均一性、ステップカバレージに優れ、
最表面を疎水化してレジストとの密着性を向上させたシ
リコン窒化膜を提供すること。 【解決手段】 プラズマ化学気相成長法により、反応室
２内のウェーハ１６上にＳｉＨ4 とＮＨ3 とＮ2 とによ
って成膜されたシリコン窒化膜の上に、ＮＨ3 の供給を
停止することによって、ＳｉＨ4 とＮ2 によるシリコン
窒化膜を成膜させる。
最表面を疎水化してレジストとの密着性を向上させたシ
リコン窒化膜を提供すること。 【解決手段】 プラズマ化学気相成長法により、反応室
２内のウェーハ１６上にＳｉＨ4 とＮＨ3 とＮ2 とによ
って成膜されたシリコン窒化膜の上に、ＮＨ3 の供給を
停止することによって、ＳｉＨ4 とＮ2 によるシリコン
窒化膜を成膜させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素子
の保護膜として用いられるシリコン窒化膜の成膜方法に
関する。
の保護膜として用いられるシリコン窒化膜の成膜方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマＣＶＤ法（プラズマ化学気相成
長法）によるシリコン窒化膜（シリコンナイトライド
膜）は、半導体素子の最終保護膜、製造途中における保
護膜、メタル層間絶縁膜、緩衝材等の多くの用途で使用
されている。
長法）によるシリコン窒化膜（シリコンナイトライド
膜）は、半導体素子の最終保護膜、製造途中における保
護膜、メタル層間絶縁膜、緩衝材等の多くの用途で使用
されている。
【０００３】原料ガスとしては、Ｓｉの供給源であるＳ
ｉＨ4 とＮの供給源であるＮＨ3 やＮ2 が用いられる。
ここで、シリコン窒化膜の上にレジストを形成する場
合、その密着性は、下地のシリコン窒化膜の最表面の影
響を強く受け、この最表面が疎水性である方がよりレジ
ストとの密着性は向上する。上記の原料ガスのうち、Ｓ
ｉＨ4 とＮＨ3 によって成膜されたシリコン窒化膜より
も、ＳｉＨ4 とＮによって成膜されたシリコン窒化膜の
方が、レジストとの密着性は優れている。しかし、Ｓｉ
Ｈ4 ＋Ｎによるシリコン窒化膜は、疎水性、低水素含有
量、シリコンリッチという特長を有しているが、膜質の
均一性、ステップカバレージ（段差被覆性）という点
で、ＳｉＨ4 ＋ＮＨ3 によるシリコン窒化膜よりも劣
る。
ｉＨ4 とＮの供給源であるＮＨ3 やＮ2 が用いられる。
ここで、シリコン窒化膜の上にレジストを形成する場
合、その密着性は、下地のシリコン窒化膜の最表面の影
響を強く受け、この最表面が疎水性である方がよりレジ
ストとの密着性は向上する。上記の原料ガスのうち、Ｓ
ｉＨ4 とＮＨ3 によって成膜されたシリコン窒化膜より
も、ＳｉＨ4 とＮによって成膜されたシリコン窒化膜の
方が、レジストとの密着性は優れている。しかし、Ｓｉ
Ｈ4 ＋Ｎによるシリコン窒化膜は、疎水性、低水素含有
量、シリコンリッチという特長を有しているが、膜質の
均一性、ステップカバレージ（段差被覆性）という点
で、ＳｉＨ4 ＋ＮＨ3 によるシリコン窒化膜よりも劣
る。
【０００４】また、ＳｉＨ4 とＮＨ3 とＮ2 の３つのガ
スを使用した方法があるが、図２にそのプラズマＣＶＤ
装置１を示し、これについて説明する。
スを使用した方法があるが、図２にそのプラズマＣＶＤ
装置１を示し、これについて説明する。
【０００５】プラズマＣＶＤ装置１における電極構造は
平行平板型であり、反応室２内には上部電極としてのシ
ャワーヘッド１２と、下部電極としてのサセプタ１５
（ヒータを備えている）が対向して配設されている。シ
ャワーヘッド１２には高周波電源１３が接続され、サセ
プタ１５は接地されている。サセプタ１５の上にはウェ
ーハ１６が載置されている。
平行平板型であり、反応室２内には上部電極としてのシ
ャワーヘッド１２と、下部電極としてのサセプタ１５
（ヒータを備えている）が対向して配設されている。シ
ャワーヘッド１２には高周波電源１３が接続され、サセ
プタ１５は接地されている。サセプタ１５の上にはウェ
ーハ１６が載置されている。
【０００６】また、反応室２はバルブ１７、圧力コント
ローラ１８、真空ポンプ１９を介して排ガス処理系（図
示省略）に接続している。更に、反応室２には真空計１
４が取り付けられている。
ローラ１８、真空ポンプ１９を介して排ガス処理系（図
示省略）に接続している。更に、反応室２には真空計１
４が取り付けられている。
【０００７】シャワーヘッド１２にはガス導入管２０が
接続され、ガス導入管２０は、ＳｉＨ4 ガスシリンダ
３、ＮＨ3 ガスシリンダ４、Ｎ2 ガスシリンダ５とそれ
ぞれ、バルブ６、７、８及びマスフローコントローラ
（質量流量計）９、１０、１１を介して接続している。
マスフローコントローラ９、１０、１１により、安定な
ガス流量制御の自動化を可能としている。
接続され、ガス導入管２０は、ＳｉＨ4 ガスシリンダ
３、ＮＨ3 ガスシリンダ４、Ｎ2 ガスシリンダ５とそれ
ぞれ、バルブ６、７、８及びマスフローコントローラ
（質量流量計）９、１０、１１を介して接続している。
マスフローコントローラ９、１０、１１により、安定な
ガス流量制御の自動化を可能としている。
【０００８】プラズマＣＶＤ装置１は以上のように構成
されるが、次にこの装置を用いての従来のウェーハ１６
上へのシリコン窒化膜の成膜について説明する。
されるが、次にこの装置を用いての従来のウェーハ１６
上へのシリコン窒化膜の成膜について説明する。
【０００９】図３は、従来の成膜ステップの流れを示し
たチャートであるが、まず、反応室２内が真空ポンプ１
９により減圧され、ウェーハ１６はサセプタ１５に備え
られたヒータにより約３８０℃に加熱される。そして、
時刻ｔ１で、ガスシリンダ３、４、５からＳｉＨ4 、Ｎ
Ｈ3 、Ｎ2 が、ガス導入管２０を介してほぼ同時にシャ
ワーヘッド１２に送られ反応室２内に導入される。それ
ぞれの供給流量はＳｉＨ4 が１４０ｓｃｃｍ、ＮＨ3 が
６０ｓｃｃｍ、Ｎ2 が１５００ｓｃｃｍであり、ガス流
量及び反応室２内の圧力が安定したら（約５Ｔｏｒ
ｒ）、時刻ｔ２で、高周波電源１３より４００ＷのＲＦ
（高周波）電力を印加し、成膜が開始される。この時刻
ｔ１〜ｔ２の段階をステップＡとする。
たチャートであるが、まず、反応室２内が真空ポンプ１
９により減圧され、ウェーハ１６はサセプタ１５に備え
られたヒータにより約３８０℃に加熱される。そして、
時刻ｔ１で、ガスシリンダ３、４、５からＳｉＨ4 、Ｎ
Ｈ3 、Ｎ2 が、ガス導入管２０を介してほぼ同時にシャ
ワーヘッド１２に送られ反応室２内に導入される。それ
ぞれの供給流量はＳｉＨ4 が１４０ｓｃｃｍ、ＮＨ3 が
６０ｓｃｃｍ、Ｎ2 が１５００ｓｃｃｍであり、ガス流
量及び反応室２内の圧力が安定したら（約５Ｔｏｒ
ｒ）、時刻ｔ２で、高周波電源１３より４００ＷのＲＦ
（高周波）電力を印加し、成膜が開始される。この時刻
ｔ１〜ｔ２の段階をステップＡとする。
【００１０】このＲＦ電力の印加により、プラズマのエ
ネルギーによってＳｉＨ4 、ＮＨ3、Ｎ2 ガスが分解、
相互反応し反応生成物としてのシリコン窒化膜がウェー
ハ１６上に堆積していくが、所定の膜厚が得られると、
時刻ｔ３でＳｉＨ4 の供給を停止する。これは、未反応
ＳｉＨ4 によるＳｉダストやヘイズの発生を抑制するた
めに、先ずＳｉＨ4 の供給を停止してから、次いで時刻
ｔ４でＮＨ3 とＮ2 の供給とＲＦ電力の供給を停止する
ようにしており、時刻ｔ４で成膜が終了する。ｔ２〜ｔ
３の段階のステップＢの時間は、成膜するシリコン窒化
膜の膜厚によって決まり、ｔ３〜ｔ４の段階のステップ
Ｃの時間は、Ｓｉダストやヘイズが発生しない時間に設
定される。なお、この図３のチャートにおいては、反応
室２内へのウェーハ１６のロード、アンロード及びウェ
ーハ加熱時間は省略してある。
ネルギーによってＳｉＨ4 、ＮＨ3、Ｎ2 ガスが分解、
相互反応し反応生成物としてのシリコン窒化膜がウェー
ハ１６上に堆積していくが、所定の膜厚が得られると、
時刻ｔ３でＳｉＨ4 の供給を停止する。これは、未反応
ＳｉＨ4 によるＳｉダストやヘイズの発生を抑制するた
めに、先ずＳｉＨ4 の供給を停止してから、次いで時刻
ｔ４でＮＨ3 とＮ2 の供給とＲＦ電力の供給を停止する
ようにしており、時刻ｔ４で成膜が終了する。ｔ２〜ｔ
３の段階のステップＢの時間は、成膜するシリコン窒化
膜の膜厚によって決まり、ｔ３〜ｔ４の段階のステップ
Ｃの時間は、Ｓｉダストやヘイズが発生しない時間に設
定される。なお、この図３のチャートにおいては、反応
室２内へのウェーハ１６のロード、アンロード及びウェ
ーハ加熱時間は省略してある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】この従来のシリコン窒
化膜の成膜方法では、Ｓｉダストやヘイズの発生を抑制
するために、先にＳｉＨ4 の供給を停止してから（時刻
ｔ３）、ＲＦ電力とＮＨ3 とＮ2 の供給を停止している
（時刻ｔ４）。この結果、瞬間的にＮＨ3 、Ｎ2がプラ
ズマにおかれることによりシリコン窒化膜の最表面は親
水面となり、レジストの密着性を低下させることにな
る。レジストの密着性の低下は、例えばエッチングガス
がレジストとシリコン窒化膜との間に入り込むなどし
て、鮮明なパターンの形成を妨げる。
化膜の成膜方法では、Ｓｉダストやヘイズの発生を抑制
するために、先にＳｉＨ4 の供給を停止してから（時刻
ｔ３）、ＲＦ電力とＮＨ3 とＮ2 の供給を停止している
（時刻ｔ４）。この結果、瞬間的にＮＨ3 、Ｎ2がプラ
ズマにおかれることによりシリコン窒化膜の最表面は親
水面となり、レジストの密着性を低下させることにな
る。レジストの密着性の低下は、例えばエッチングガス
がレジストとシリコン窒化膜との間に入り込むなどし
て、鮮明なパターンの形成を妨げる。
【００１２】本発明は上述の問題に鑑みてなされ、膜質
の均一性、ステップカバレージに優れ、最表面が疎水性
を示すシリコン窒化膜の成膜方法を提供することを課題
とする。
の均一性、ステップカバレージに優れ、最表面が疎水性
を示すシリコン窒化膜の成膜方法を提供することを課題
とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するに
あたり、本発明では、プラズマ化学気相成長法により、
反応室内のウェーハ上にＳｉＨ4 とＮＨ3 とＮ2 とによ
って成膜されたシリコン窒化膜の上に、ＮＨ3 の供給を
停止してＳｉＨ4 とＮ2 によるシリコン窒化膜の成膜を
行うようにしている。これにより、最表面に疎水性の膜
を成膜することができ、レジストとの密着性が向上す
る。
あたり、本発明では、プラズマ化学気相成長法により、
反応室内のウェーハ上にＳｉＨ4 とＮＨ3 とＮ2 とによ
って成膜されたシリコン窒化膜の上に、ＮＨ3 の供給を
停止してＳｉＨ4 とＮ2 によるシリコン窒化膜の成膜を
行うようにしている。これにより、最表面に疎水性の膜
を成膜することができ、レジストとの密着性が向上す
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１５】本実施の形態においても、シリコン窒化膜
は、従来例と同じプラズマＣＶＤ装置１によって成膜さ
れる。成膜条件も、従来例と同様であり、反応室２内の
圧力は５Ｔｏｒｒ、ウェーハ１６の温度は３８０℃、Ｓ
ｉＨ4 の供給流量１４０ｓｃｃｍ、ＮＨ3 の供給流量６
０ｓｃｃｍ、Ｎ2 の供給流量１５００ｓｃｃｍ、印加す
るＲＦ電力は４００Ｗである。
は、従来例と同じプラズマＣＶＤ装置１によって成膜さ
れる。成膜条件も、従来例と同様であり、反応室２内の
圧力は５Ｔｏｒｒ、ウェーハ１６の温度は３８０℃、Ｓ
ｉＨ4 の供給流量１４０ｓｃｃｍ、ＮＨ3 の供給流量６
０ｓｃｃｍ、Ｎ2 の供給流量１５００ｓｃｃｍ、印加す
るＲＦ電力は４００Ｗである。
【００１６】次に、図１を参照して本実施の形態による
シリコン窒化膜の成膜方法について述べる。図１は、本
実施の形態によるシリコン窒化膜の成膜ステップの流れ
を示すチャートである。なお、反応室２内へのウェーハ
１６のロード、アンロード、ウェーハ加熱時間は省略し
てある。
シリコン窒化膜の成膜方法について述べる。図１は、本
実施の形態によるシリコン窒化膜の成膜ステップの流れ
を示すチャートである。なお、反応室２内へのウェーハ
１６のロード、アンロード、ウェーハ加熱時間は省略し
てある。
【００１７】まず、時刻ｔ１でシリコン窒化膜の原料ガ
スであるＳｉＨ4 とＮＨ3 とＮ2 を反応室２内にほぼ同
時に導入する。次に、時刻ｔ２でＲＦ電力を印加する。
ここまでのステップは従来と同じであり、ｔ１〜ｔ２間
のステップＡの時間は、ガス流量及び圧力が安定するの
に必要な時間である。
スであるＳｉＨ4 とＮＨ3 とＮ2 を反応室２内にほぼ同
時に導入する。次に、時刻ｔ２でＲＦ電力を印加する。
ここまでのステップは従来と同じであり、ｔ１〜ｔ２間
のステップＡの時間は、ガス流量及び圧力が安定するの
に必要な時間である。
【００１８】ＲＦ電力が印加された時刻ｔ２からＳｉＨ
4 ＋ＮＨ3 ＋Ｎ2 による成膜が開始され、時刻ｔ３でＮ
Ｈ3 の供給が停止される。ｔ２〜ｔ３間のステップＢの
時間は、ＳｉＨ4 ＋ＮＨ3 ＋Ｎ2 によるシリコン窒化膜
の膜厚に応じて決定される。
4 ＋ＮＨ3 ＋Ｎ2 による成膜が開始され、時刻ｔ３でＮ
Ｈ3 の供給が停止される。ｔ２〜ｔ３間のステップＢの
時間は、ＳｉＨ4 ＋ＮＨ3 ＋Ｎ2 によるシリコン窒化膜
の膜厚に応じて決定される。
【００１９】次に、時刻ｔ４’でＳｉＨ4 の供給が停止
される。すなわち、ｔ３〜ｔ４’間のステップＣ’で
は、ＳｉＨ4 とＮ2 のみによって、また放電を中断する
ことなくそのまま連続してステップＢで成膜された膜の
上にＳｉＨ4 ＋Ｎ2 による成膜が行われる。このステッ
プＣ’によって、シリコンリッチで疎水性のシリコン窒
化膜、つまりレジストとの密着性が向上したシリコン窒
化膜が成膜される。ステップＣ’の時間（ｔ３〜ｔ
４’）は、レジストとの密着性が向上するのに必要な最
低限の膜厚を成膜するのに必要な時間であり、この膜厚
は、成膜条件にもよるが概ね０．１ｎｍ〜２０ｎｍ程度
でその疎水性の作用は得られる。必要以上に厚膜化する
ことは、逆にＳｉＨ4 とＮ2 によって成膜されるシリコ
ン窒化膜の特性（膜質の均一性やステップカバレージに
優れていない）が明確に現れ出すため好ましくない。
される。すなわち、ｔ３〜ｔ４’間のステップＣ’で
は、ＳｉＨ4 とＮ2 のみによって、また放電を中断する
ことなくそのまま連続してステップＢで成膜された膜の
上にＳｉＨ4 ＋Ｎ2 による成膜が行われる。このステッ
プＣ’によって、シリコンリッチで疎水性のシリコン窒
化膜、つまりレジストとの密着性が向上したシリコン窒
化膜が成膜される。ステップＣ’の時間（ｔ３〜ｔ
４’）は、レジストとの密着性が向上するのに必要な最
低限の膜厚を成膜するのに必要な時間であり、この膜厚
は、成膜条件にもよるが概ね０．１ｎｍ〜２０ｎｍ程度
でその疎水性の作用は得られる。必要以上に厚膜化する
ことは、逆にＳｉＨ4 とＮ2 によって成膜されるシリコ
ン窒化膜の特性（膜質の均一性やステップカバレージに
優れていない）が明確に現れ出すため好ましくない。
【００２０】次に、時刻ｔ５でＮ2 の供給とＲＦ電力の
印加を停止して成膜が終了する。これは、ＲＦ電力の停
止と同時にＳｉＨ4 とＮ2 を停止してしまうと、従来例
でも述べたが、Ｓｉダストやヘイズが発生してしまうの
で、先にＳｉＨ4 の供給を停止させた後、Ｎ2 の供給と
ＲＦ電力を停止させている。すでに時刻ｔ３でＮＨ3の
供給は停止されているのでＮＨ3 がプラズマにさらされ
ることなく最表面は親水面にはならない。ステップＤの
時間（ｔ４’〜ｔ５）は、上述のダストやヘイズが発生
しない時間に設定される。
印加を停止して成膜が終了する。これは、ＲＦ電力の停
止と同時にＳｉＨ4 とＮ2 を停止してしまうと、従来例
でも述べたが、Ｓｉダストやヘイズが発生してしまうの
で、先にＳｉＨ4 の供給を停止させた後、Ｎ2 の供給と
ＲＦ電力を停止させている。すでに時刻ｔ３でＮＨ3の
供給は停止されているのでＮＨ3 がプラズマにさらされ
ることなく最表面は親水面にはならない。ステップＤの
時間（ｔ４’〜ｔ５）は、上述のダストやヘイズが発生
しない時間に設定される。
【００２１】以上述べたように、通常のＳｉＨ4 ＋ＮＨ
3 ＋Ｎ2 によるシリコン窒化膜の上にＳｉＨ4 ＋Ｎ2 に
よるシリコン窒化膜がわずかに堆積される。その結果、
ＳｉＨ4 ＋ＮＨ3 ＋Ｎ2 によるシリコン窒化膜の諸特性
（膜質の均一性やステップカバレージに優れている）を
兼ね備え、且つ最表面が疎水性を示すことでレジストと
の密着性が向上した、つまりレジストとの密着性が向上
することで鮮明な薄膜パターンが得られるシリコン窒化
膜が得られ、様々なプロセスへの適用範囲が拡大する。
3 ＋Ｎ2 によるシリコン窒化膜の上にＳｉＨ4 ＋Ｎ2 に
よるシリコン窒化膜がわずかに堆積される。その結果、
ＳｉＨ4 ＋ＮＨ3 ＋Ｎ2 によるシリコン窒化膜の諸特性
（膜質の均一性やステップカバレージに優れている）を
兼ね備え、且つ最表面が疎水性を示すことでレジストと
の密着性が向上した、つまりレジストとの密着性が向上
することで鮮明な薄膜パターンが得られるシリコン窒化
膜が得られ、様々なプロセスへの適用範囲が拡大する。
【００２２】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
たが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００２３】以上の実施の形態では、成膜終了時に、先
にＳｉＨ4 の供給を停止させてからＮ2 の供給とＲＦ電
力を停止させているが、これらを同時に停止させても、
最表面が疎水性のシリコン窒化膜が得られるが、先にＳ
ｉＨ4 の供給を停止させた方がＳｉダストの発生を抑制
でき、良質な膜が得られる。
にＳｉＨ4 の供給を停止させてからＮ2 の供給とＲＦ電
力を停止させているが、これらを同時に停止させても、
最表面が疎水性のシリコン窒化膜が得られるが、先にＳ
ｉＨ4 の供給を停止させた方がＳｉダストの発生を抑制
でき、良質な膜が得られる。
【００２４】また、上記実施の形態では、上部電極（シ
ャワーヘッド１２）からＲＦを入力し、サセプタ１５側
を接地させたが、上部電極からＲＦ入力、サセプタ１５
側から低周波入力をする二重周波数励起方式でも良い。
また、ＲＦ法に限らず直流法でも良い。
ャワーヘッド１２）からＲＦを入力し、サセプタ１５側
を接地させたが、上部電極からＲＦ入力、サセプタ１５
側から低周波入力をする二重周波数励起方式でも良い。
また、ＲＦ法に限らず直流法でも良い。
【００２５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の請求項１に
よるシリコン窒化膜の成膜方法によれば、膜質の均一性
やステップカバレージに優れ、且つレジストとの密着性
にも優れたシリコン窒化膜が得られる。
よるシリコン窒化膜の成膜方法によれば、膜質の均一性
やステップカバレージに優れ、且つレジストとの密着性
にも優れたシリコン窒化膜が得られる。
【００２６】本発明の請求項２によれば、Ｓｉダストや
ヘイズの発生を防ぐことができる。
ヘイズの発生を防ぐことができる。
【００２７】本発明の請求項３によれば、最表面のＳｉ
Ｈ4 ＋Ｎ2 によるシリコン窒化膜は、下地のＳｉＨ4 ＋
ＮＨ3 ＋Ｎ2 によるシリコン窒化膜の特性を失わせるこ
となく疎水性のみの作用をもたらす。
Ｈ4 ＋Ｎ2 によるシリコン窒化膜は、下地のＳｉＨ4 ＋
ＮＨ3 ＋Ｎ2 によるシリコン窒化膜の特性を失わせるこ
となく疎水性のみの作用をもたらす。
【図１】本発明の実施の形態によるシリコン窒化膜の成
膜ステップの流れを示すチャート図である。
膜ステップの流れを示すチャート図である。
【図２】プラズマＣＶＤ装置の概略図である。
【図３】従来例のシリコン窒化膜の成膜ステップの流れ
を示すチャート図である。
を示すチャート図である。
１……プラズマＣＶＤ装置、２……反応室、３……Ｓｉ
Ｈ4 ガスシリンダ、４……ＮＨ3 ガスシリンダ、５……
Ｎ2 ガスシリンダ、９……マスフローコントローラ、１
０……マスフローコントローラ、１１……マスフローコ
ントローラ、１２……シャワーヘッド（上部電極）、１
３……高周波電源、１５……サセプター、１６……ウェ
ハー、１９……真空ポンプ。
Ｈ4 ガスシリンダ、４……ＮＨ3 ガスシリンダ、５……
Ｎ2 ガスシリンダ、９……マスフローコントローラ、１
０……マスフローコントローラ、１１……マスフローコ
ントローラ、１２……シャワーヘッド（上部電極）、１
３……高周波電源、１５……サセプター、１６……ウェ
ハー、１９……真空ポンプ。
Claims (3)
- 【請求項１】 ＳｉＨ4 とＮＨ3 とＮ2 を反応室内に導
入し、プラズマ化学気相成長法により、ウェーハ上にシ
リコン窒化膜を成膜させるシリコン窒化膜の成膜方法に
おいて、 前記ＳｉＨ4 と前記ＮＨ3 と前記Ｎ2 による成膜の後、
この膜の上に、前記ＮＨ3 の供給を停止して前記ＳｉＨ
4 と前記Ｎ2 による成膜を行うようにしたことを特徴と
するシリコン窒化膜の成膜方法。 - 【請求項２】 前記ＳｉＨ4 と前記Ｎ2 による成膜の
後、前記ＳｉＨ4 の供給を停止してから、前記Ｎ2 の供
給と放電を停止するようにしたことを特徴とする請求項
１に記載のシリコン窒化膜の成膜方法。 - 【請求項３】 前記ＳｉＨ4 と前記Ｎ2 によって成膜さ
れる膜の膜厚は、０．１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であるこ
とを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のシリコン
窒化膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11138129A JP2000332012A (ja) | 1999-05-19 | 1999-05-19 | シリコン窒化膜の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11138129A JP2000332012A (ja) | 1999-05-19 | 1999-05-19 | シリコン窒化膜の成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000332012A true JP2000332012A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=15214669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11138129A Pending JP2000332012A (ja) | 1999-05-19 | 1999-05-19 | シリコン窒化膜の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000332012A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020044209A (ko) * | 2000-12-05 | 2002-06-15 | 윤종용 | ＰＥ-ＳｉＯＮ 박막 제조방법 |
| JP2017098448A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体装置の製造方法 |
| JP2017126794A (ja) * | 2012-05-10 | 2017-07-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2017228800A (ja) * | 2012-05-10 | 2017-12-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| WO2022055936A1 (en) * | 2020-09-11 | 2022-03-17 | Applied Materials, Inc. | Deposition of silicon boron nitride films |
-
1999
- 1999-05-19 JP JP11138129A patent/JP2000332012A/ja active Pending
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