JPH083749A - プラズマ励起ｃｖｄによるシリコンオキシナイトライド膜の堆積方法 - Google Patents

プラズマ励起ｃｖｄによるシリコンオキシナイトライド膜の堆積方法

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JPH083749A
JPH083749A JP6319916A JP31991694A JPH083749A JP H083749 A JPH083749 A JP H083749A JP 6319916 A JP6319916 A JP 6319916A JP 31991694 A JP31991694 A JP 31991694A JP H083749 A JPH083749 A JP H083749A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、アンモニアを基礎とする化学を用
いずに、低い処理温度にてシリコンオキシナイトライド
膜を生成する方法を提供することを目的とする。 【構成】 シリコンオキシナイトライドを形成する改良
方法は、２５０℃より低い堆積温度で、シラン、亜酸化
窒素及び窒素の反応体ガス混合物を利用し、これらをガ
ス流入マニホールドを介して流す。多くの場合は、ガス
流入マニホールドもプラズマ励起ＣＶＤチャンバ内の電
極である。ガス流入マニホールドは、反応体ガスをチャ
ンバ内に流通させるための、平行板プラズマチャンバの
１枚の板である。この板は複数の開口を有し、各開口は
チャンバ側ないし板の処理側に出口と、処理側から離れ
た入口とを備え、ガスの解離度と反応性とを高めるため
に、この出口は入口よりも大きくなっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ励起化学気相
堆積（ＰＥＣＶＤ；プラズマ励起ＣＶＤ）プロセスにお
いてシリコンオキシナイトライド(silicon oxy-nitride
)膜を形成する改良された方法に関し、特に、反応物ガ
スにアンモニアを実質的に用いないＰＥＣＶＤプロセス
においてシリコンオキシナイトライド膜を形成する改良
された方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＰＥＣＶＤは、絶縁性のガラス製の基板
を含む基板上に電子材料の層を堆積させる半導体デバイ
ス製造に、広く用いられている。ＰＥＣＶＤでは、平行
板電極その他の電気的ソースが備えられた真空堆積チャ
ンバ内に基板体が置かれる。一般に基板体は、下側の電
極としても作用するサセプタ上に配置される。堆積チャ
ンバ内には反応体ガスの流れが、上側の電極としても作
用するガス流入マニホールドを介して与えられる。反応
体ガス内に形成されるプラズマを生じるに充分なＲＦ出
力を発生させるこれら２つの電極の間で、高周波（Ｒ
Ｆ）電圧が印加される。プラズマは、反応体ガスを分解
し、基板体の表面上に所望の材料の層を堆積させる。更
に他の材料の層を、最初の層の上に堆積させることがで
き、それは堆積させようとする層の材料を含む反応体ガ
スを堆積チャンバ内に流すことにより行われる。各反応
体ガスはプラズマに暴露されて、所望の材料の層を堆積
させる。
【０００３】シリコンオキシナイトライド膜の形成に用
いられる従来のＰＥＣＶＤ法では、アンモニアを基礎と
する化学が用いられ、それはシラン、亜酸化窒素(nitro
us oxide）、アンモニア及び窒素を必要とする。このよ
うなアンモニアを基礎とする化学では、シランが係る膜
の珪素含有分を供給し、亜酸化窒素が係る膜の酸素含有
分を供給し、アンモニアが係る膜の窒素含有分を供給
し、そして窒素が希釈剤の役割を果たす。窒素ガスの中
では三重結合を分解することが困難であるため、ＰＥＣ
ＶＤ技術によりシリコンオキシナイトライドを堆積させ
るプロセスにおいては、窒素のソース(source)としてア
ンモニアが通常用いられる。
【０００４】近年において、半導体デバイスの最終のパ
ッシベーション層(passivation layer )としてのシリコ
ンオキシナイトライドの堆積が、薄膜トランジスタ（Th
in Film Transistor；ＴＦＴ）の製造の中の重要なステ
ップになっている。ＴＦＴのこのタイプのものは、２つ
のガラスプレート間の液晶セルのエリアを、非常に高い
速度で個々にアドレスするために用いられてきた。これ
らは、ＴＶやコンピュータモニタに用いられるようなア
クティブマトリクスディスプレイに有用である。
【０００５】シリコンオキシナイトライド膜がＴＦＴの
最後のパッシベーション層として堆積される場合、トラ
ンジスタの上に既に堆積されている層の存在及びこれら
が高温において敏感であるため、堆積操作の温度が大き
く制限される。最後のシリコンオキシナイトライド層を
堆積するプロセスのための温度の限度は、しばしば２５
０℃未満の温度に制限される。この処理の温度は、ＰＥ
ＣＶＤによりＳｉ基板上にシリコンオキシナイトライド
を堆積させる通常の温度、即ち３５０℃から４５０℃の
間の温度に較べて著しく低い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】２５０℃未満の低い処
理温度においては、シリコンオキシナイトライド膜を形
成するためのアンモニアを基礎とする化学は、生成され
る膜の品質上多くの問題を生じる。多孔質となることや
密度が低くなることといった問題は、水素リッチなアン
モニアに起因して膜内の水素原子含有量が高くなること
により生じると考えられてきた。アンモニアを基礎とす
る化学によりこのような低い処理温度で形成されるシリ
コンオキシナイトライド膜は、パッシベーション層とし
ての膜の機能に対して有害な空孔を非常に多く含んでい
る。多孔質のパッシベーション層は、物理的な侵食や汚
染物の浸透に対しての保護機能を既に有していない。従
って、ＴＦＴ上へのシリコンオキシナイトライド膜の生
成にアンモニアを基礎とする化学を用いる従来の方法
は、ＴＦＴ産業には容認されないものである。
【０００７】従って本発明は、アンモニアを基礎とする
化学を用いずに、低い処理温度にてシリコンオキシナイ
トライド膜を生成する方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】また、本発明は、実質的にアンモニアを基
礎とする化学を用いずに、２５０℃未満の処理温度にお
けるＰＥＣＶＤプロセスによって、ＴＦＴ上にシリコン
オキシナイトライド膜を生成する方法を提供することを
目的とする。
【０００９】更に、本発明は、低い処理温度において２
００ｎｍ／ｍｉｎ．よりも高い堆積速度を実現できるＰ
ＥＣＶＤプロセスによって、ＴＦＴ基板上にシリコンオ
キシナイトライド膜を生成する改良された方法を提供す
ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、低い
処理温度のプラズマ励起ＣＶＤチャンバ内で基板上にシ
リコンオキシナイトライド膜を形成する改良された方法
を提供する。
【００１１】好適な実施例では、シリコンオキシナイト
ライドを形成する改良方法は、２５０℃より低い堆積温
度で、シラン、亜酸化窒素及び窒素の反応体ガス混合物
を利用し、これらをガス流入マニホールドを介して流
す。多くの場合は、ガス流入マニホールドもプラズマ励
起ＣＶＤチャンバ内の電極である。ガス流入マニホール
ドは、反応体ガスをチャンバ内に流通させるための、平
行板プラズマチャンバの１枚の板である。この板は複数
の開口を有し、各開口はチャンバ側ないし板の処理側に
出口と、処理側から離れた入口とを備え、ガスの解離度
と反応性とを高めるために、この出口は入口よりも大き
くなっている。
【００１２】ガス流入マニホールドは、反応体ガス混合
物中に含有される窒素ガスの解離を高め、シリコンオキ
シナイトライド膜に必要な窒素を提供する。この反応
は、２５０℃より低い処理温度においても充分高い堆積
速度、即ち約２００ｎｍ／ｍｉｎ．で進行する。
【００１３】本発明は、アンモニアを基礎とする化学を
用いず、製造プロセスに適した充分高い堆積速度でシリ
コンオキシナイトライド膜の形成を可能にする。この方
法は、アンモニアを基礎とする化学を含むプロセスが低
い処理温度で行われた場合にアンモニアを基礎とする化
学に関係する全ての欠点を実質的に取り除く。空孔の問
題のない高品質のシリコンオキシナイトライド膜が生成
される。
【００１４】更に本発明は、シラン、亜酸化窒素及び窒
素の反応体ガス混合物を用いて、アンモニアを含まない
化学により生成されるシリコンオキシナイトライド膜に
向いている。この様な膜は、２５０℃よりも低い処理温
度で且つ充分高い堆積速度で実施される製造プロセスに
おいて生成が可能である。
【００１５】
【実施例】本発明は、比較的低い処理温度且つ充分高い
堆積速度で、アンモニアを含まないプロセスにより、プ
ラズマ励起ＣＶＤチャンバ内でシリコンオキシナイトラ
イド膜を形成する改良方法を含む。
【００１６】図１は、本発明に従った方法の実施に使用
可能なプラズマ励起ＣＶＤ装置１０の断面図である。Tu
rnerらは、米国特許第０８／０１０, ６８３号（１９９
３年１月２８日に提出、これを原出願として日本国に特
願平６−８６８１号を出願）にこのような装置を開示し
ている。堆積チャンバ１２は、上壁１４に通じる開口
と、この開口内部のガス流入マニホールド１６に結合さ
れた第１の電極とを包含する。あるいは、上壁１４は、
内部の内表面附近にある電極１６と一体であってもよ
い。チャンバ１２内部にはサセプタ１８が、第１の電極
１６と平行に伸びる板の形態で存在する。サセプタ１８
は通常は、アルミニウム製であり酸化アルミニウムの層
でコーティングされている。サセプタ１８は接地され、
第２の電極として作用する。サセプタ１８は、堆積チャ
ンバ１２の底壁２２を通って垂直に伸びるシャフト２０
の一端に配置される。サセプタ１８が第１の電極に対し
て垂直方向に近付いたり離れたりできるよう、シャフト
２０は垂直方向に可動である。リフトオフ板２４は、サ
セプタ１８とサセプタ１８に対して実質的に平行な底壁
２２との間で水平方向に伸び、垂直方向に可動である。
リフトオフピン２６は、リフトオフ板２４から垂直方向
上向きに突き出ている。リフトオフピン２６は、サセプ
タ１８のリフトホール２８の中を通って延長するように
位置し、サセプタ１８の厚さよりも少しだけ長い長さを
有する。図にはリフトピン２６が２つしか表されていな
いが、これよりも多くのリフトオフピン２６がリフトオ
フ板の周回に配置されていてもよい。ガス排出口３０
は、堆積チャンバ１２の側壁３２を通って延長し、堆積
チャンバ１２の排気のための手段（図示せず）に接続さ
れる。ガス流入管４２は、堆積チャンバ１２の第１の電
極ないしガス流入マニホールド１６の中に延長し、ガス
スイッチ回路網（図示せず）を介して種々のガスのソー
ス（図示せず）に接続される。第１の電極１６は、ＲＦ
出力ソース３６に接続される。通常は、移動パドル（図
示せず）が具備されて、基板をロードロックドア（図示
せず）を介して堆積チャンバ１２内に運搬してサセプタ
１８上に載せ、また、堆積チャンバ１２からコーティン
グの済んだ基板を除去する。本発明の堆積操作が行われ
る前に、ガラス製の大きなＴＦＴシートである基板３８
は、周知のＴＦＴ技術によって処理される。
【００１７】堆積装置１０の操作においては、まず基板
３８が、堆積チャンバ１２内に導入され移動パドル（図
示せず）によりサセプタ１８上に置かれる。基板３８
は、サセプタ１８のリフトホール２８の上へ達するサイ
ズを有している。通常用いられるＴＦＴ基板のサイズ
は、約３６０ｍｍ〜４６５ｍｍである。サセプタ１８
は、リフトピン２６がホール２８まで達しないようにシ
ャフト２０を上向きに移動させることによって、リフト
ピン２６の上方に位置しており、サセプタ１８と基板３
８とは、第１の電極１６に比較的近くなっている。電極
間隔ないし基板表面とガス流入口１６の放電面との距離
は、約０．５インチ〜約２インチ（約１２．７ｍｍ〜約
５１．４ｍｍ）である。この電極間隔は、更に好適に
は、約０．８インチ〜約１．４インチ（約２０．３ｍｍ
〜約３５．６ｍｍ）である。
【００１８】堆積チャンバ１２がガス流入口３０を介し
て排気された後、シラン、亜酸化窒素及び窒素から構成
された反応体ガス混合物がガス流入口４２を介して供給
され、ガス流入マニホールド１６の開口４０を介してチ
ャンバ１２内へ供給される。ガス流入マニホールド１６
のフェースプレート４４は、特に細密充填に配置された
多数の空孔ないし開口４０を有している。各開口４０
は、ガス流入マニホールドのガス流入側（ないし比較的
高圧側）に断面の寸法が比較的小さい流入口と、ガス排
出側（ないし真空チャンバ側）に断面の寸法が比較的大
きい排出口とを有する。このガスの流れる方向に大きく
なる空孔の直径が、窒素等の反応体ガスの解離度及び反
応性を増加させ、よって、この解離速度を増加させ、こ
れと対応してシリコンオキシナイトライド膜の堆積を増
加させる。このようなガス流入マニホールドは、米国特
許第４, ８５４, ２６３号に詳細が記載されている。
【００１９】図２は、本実施例に好適に使用されるフェ
ースプレートの開口１３１の態様を表す断面図であり、
図３は、フェースプレート１３０の下から見た平面図で
ある。米国特許第４, ８５４, ２６３号に詳細が記載さ
れているフェースプレートには、好適には、放物線状、
双曲線状あるいは好適には円錐状を含む凹型状の断面を
有する任意の数の開口が形成されてもよい。このような
開口１３１は、典型的には、図２（ａ）あるいは図２
（ｂ）に示されるように、比較的小さい断面の寸法ｄ1
をもつ長さｌ1 のガス流入側部分（ないし比較的高圧側
部分）１３３と、比較的大きい断面の寸法ｄ2 をもつ長
さｌ2 のガス排出側部分（ないし真空チャンバ側部分）
１３４とを有する凹型の断面形状を有する。ガス排気側
部分１３４は、角度αをもって傾斜する側壁１３６を有
する。このような開口１３１の好適なサイズの一例を挙
げれば、フェースプレートの厚さｔ＝４００ｍｉｌｓ
（約１０．１６ｍｍ）に対して、ｌ1 ＝５０ｍｉｌｓ
（約１．２７ｍｍ）；ｌ2 ＝３５０ｍｉｌｓ（約８．８
９ｍｍ）；角度α＝３０゜；ｄ1 ＝１６ｍｉｌｓ（約
０．４１ｍｍ）；ｄ2 ＝１９０ｍｉｌｓ（約４．８２６
ｍｍ）であってもよい。また、好ましくは、図３（ａ）
及び図３（ｂ）に示されるように、フェースプレート１
３０には、開口１３１が六方面心（一点鎖線１４１で示
されている）にオーバーラップし咬み合って配置されて
いてもよい。
【００２０】従って、この直径が広がる開口４０及びフ
ェースプレート４４を用いることにより、窒素を充分に
解離させ、その結果、従来技術のシリコンオキシナイト
ライド膜の堆積プロセスのようにアンモニアを基礎とす
る化学を用いずに、高いシリコンオキシナイトライド膜
の堆積速度が与えられる。
【００２１】本発明の実施に当たり、堆積チャンバ内の
圧力は約０．５〜約３．５トールに設定される。ＲＦ出
力ソース３６のスイッチを入れ、第１の電極１６と反応
体ガスを介してサセプタ１８との間にＲＦ出力を与え
る。出力は、反応体ガス混合物中にプラズマを発生させ
るに充分な基板３８の面積に基づく全出力必要量をもっ
て、好適には約５００〜約２０００ワットの間である。
基板３８は、反応体ガス混合物のプラズマに、少なくと
も１秒間、好適には約２〜５秒間さらされる。プラズマ
は、反応体ガスを解離せしめ、基板３８の表面上にシリ
コンオキシナイトライド材料の層を堆積せしめる。
【００２２】堆積操作中の基板３８は、約１５０℃から
約２５０℃の間の温度に維持され、更に好適には約１８
０℃から約２１０℃の間の温度に維持される。この温度
は、比較的低い処理温度であり、この基板３８ではシリ
コンオキシナイトライド層が最終のパッシベーション層
となる場合がしばしばであるので、基板３８上に前もっ
て堆積された層を損ねないために必要となっている。チ
ャンバ内に種々の反応体ガス成分が適切な流量で流入さ
れることにより、反応体ガス混合物は維持されている。
例えば、前述した基板領域においては、通常はシランが
１５０〜５００ｓｃｃｍで流され、亜酸化窒素が１００
〜２０００ｓｃｃｍでチャンバに流入され、窒素が５０
０〜５０００ｓｃｃｍでチャンバに流入される。一般に
は、パッシベーションの目的で堆積されるシリコンオキ
シナイトライド膜の層の厚さは、約４００ｎｍから約８
００ｎｍの間で変動する。
【００２３】満足なシリコンオキシナイトライド膜を生
成するためには、膜中の窒素の含有率は所定の範囲内に
維持される必要がある。この窒素含有量における最適な
範囲は、係る膜の屈折率の測定値が約１．５から約１．
９の間にあることで与えられる。膜のサンプルに関する
屈折率の測定は、簡易であり且つ信頼性の高い膜の窒素
含有量の決定方法である。例えば、窒素が含まれない二
酸化珪素膜では、屈折率の測定値はおよそ１．４６であ
る。他方、酸素が含まれない窒化珪素膜では、屈折率の
測定値はおよそ１．９５である。従って、シリコンオキ
シナイトライド膜中の窒素の含有量を検出するには、そ
の屈折率を測定することが簡易で害の無い方法である。
また、この方法は、製造プロセスにおいて信頼性の高い
品質管理の方法でもある。
【００２４】本発明は、以下の実施例１〜４において更
に詳細に例示される。ここで、実施例１及び実施例２
は、従来よりのアンモニアを基礎とする化学プロセスを
用いたシリコンオキシナイトライド膜の堆積である。実
施例１及び実施例２は、本発明により得られる利点を示
すための比較として表され、この利点は実施例３及び実
施例４において例示される。
【００２５】
【表１】
【００２６】ここで、ウェットエッチング速度は膜の品
質を測定するために用いられるが、この膜の品質とは即
ち、生成されたシリコンオキシナイトライド膜の空孔が
無いことである。この測定は、６：１のバッファＨＦ溶
液内で実施される。得られた数値が高いほど、膜におけ
る空孔やボイドの数が多い。ウェットエッチング速度が
３０００オングストローム／分未満であれば、パッシベ
ーション層としてのシリコンオキシナイトライド膜の製
造における膜の品質は満足なレベルであると考えられ
る。
【００２７】
【表２】
【００２８】比較例的な実施例２は、従来よりのアンモ
ニアを基礎とする化学プロセスを用いた別の例である。
ウェットエッチング速度で示された様に膜の性質が改善
されなかった結果に終わった比較例的実施例１に対し
て、Ｎ2 の流量が２倍となっている。
【００２９】
【表３】
【００３０】創作的な実施例３は、アンモニアガスを必
要としない本発明を例示している。屈折率の測定値は、
膜内に充分な量の窒素が含まれたことを示している。ウ
ェットエッチング速度のデータは、膜の品質が良好な事
と生成された膜にはボイドや空孔が少ない事とを示して
いる。
【００３１】
【表４】
【００３２】創作的な実施例４も、アンモニアガスを必
要としない本発明を例示している。実施例３で示された
値に較べて実施例４では、ＳｉＨ4 、Ｎ2 Ｏ及びＮ2 の
ガス流量と、ＲＦ出力とが高い値となっている。実施例
４の反応チャンバ内の圧力は、実施例３での圧力に較べ
て僅かに小さくなっている。ここでも、屈折率で示され
たように、適切な窒素含有量を有するシリコンオキシナ
イトライド膜が得られた。１９４０というウェットエッ
チング速度の値は、空孔がほとんどない良質な膜が得ら
れたことを示している。
【００３３】実施例３及び実施例４ではアンモニアを使
用していなかったが、少量のアンモニア、実質的に従来
技術のアンモニア含有量よりも少ない量が存在しても、
本発明の利点たる結果をひどく損ねることはないであろ
うと考えられる。例えば、実質的にアンモニアを含まな
い反応体ガス混合物を用いるということは、アンモニア
を流量で５０ｓｃｃｍ未満含む反応体ガス混合物を意味
する。
【００３４】以上の様に、例示された態様によって本発
明を説明してきたが、ここで用いられた用語は説明の言
葉と同種のものを意図し、制限する意図はない。
【００３５】更に、本発明は好適な具体例に関して説明
されてきたが、ここでの教示を当業者が直ちに本発明の
変形に応用するであろうことが理解されよう。例えば、
実施例において示された窒素ガスの代りに、他の窒素ソ
ースを適切に用いて膜の窒素含有分を供給してもよい。
シラン以外の珪素ソースを膜の珪素含有分のソースガス
として用いてもよい。同様に、亜酸化窒素以外の酸素ソ
ースを用いてシリコンオキシナイトライド膜の酸素含有
分を供給してもよい。
【００３６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、アンモニアを基礎とする化学を用いずに、低い処
理温度であっても製造プロセスに適した充分高い堆積速
度でシリコンオキシナイトライド膜を生成する方法が提
供される。
【００３７】更に、本発明によれば、実質的にアンモニ
アを基礎とする化学を用いずに、２５０℃未満の処理温
度におけるＰＥＣＶＤプロセスによって、ＴＦＴ上にシ
リコンオキシナイトライド膜を生成する方法が提供され
る。
【００３８】従って、ＴＦＴ上の最終のパッシベーショ
ン層としての膜の機能に対して有害である空孔を含まな
い高品質のシリコンオキシナイトライド膜を、高い製造
速度で形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に用いられたプラズマ励起ＣＶ
Ｄチャンバの断面図である。
【図２】本発明に好適なプラズマ励起ＣＶＤチャンバの
フェースプレートに具備される開口の断面図であり、米
国特許第４, ８５４, ２６３号に記載されている。
【図３】本発明に好適なプラズマ励起ＣＶＤチャンバの
フェースプレートの上面図であり、図３（ｂ）は図３
（ａ）の更に詳細な図である。尚、これらは米国特許第
４, ８５４, ２６３号に記載されている。
【符号の説明】
１０…プラズマ励起ＣＶＤ装置、１２…堆積チャンバ、
１４…上壁、１６…ガス流入マニホールド、１８…サセ
プタ、２０…シャフト、２２…底壁、２４…リフトオフ
板、２６…リフトオフピン、２８…リフトホール、３０
…ガス排出口、３２…側壁、３６…ＲＦ出力ソース、３
８…基板、４０…開口、４４…フェースプレート、１３
１…フェースプレート、１３１…開口、１３３…ガス流
入側部分、１３４…ガス排出側部分、１３６…側壁、１
４１…一点鎖線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェフ オルセン アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95070， サラトガ， キャンヨン ヴュ ウ ドライヴ 20880

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 実質的にアンモニア非含有である反応体
    ガス混合物を用いて、２５０℃未満の堆積温度でシリコ
    ンオキシナイトライド膜を基板上に堆積する堆積方法。
  2. 【請求項２】 前記反応体ガス混合物が、珪素ソースガ
    スと、酸素ソースガスと、窒素ソースガスとを備える請
    求項１に記載の堆積方法。
  3. 【請求項３】 前記基板が薄膜トランジスタである請求
    項１に記載の堆積方法。
  4. 【請求項４】 前記基板が、ガラス支持体上の薄膜トラ
    ンジスタである請求項１に記載の堆積方法。
  5. 【請求項５】 前記堆積のプロセスが、プラズマ励起Ｃ
    ＶＤ装置内で実施される請求項１に記載の堆積方法。
  6. 【請求項６】 実質的にアンモニア非含有である反応体
    ガス混合物により、２５０℃未満の堆積温度で堆積され
    たシリコンオキシナイトライド膜を有する基板。
  7. 【請求項７】 プラズマ励起ＣＶＤチャンバ内で実施さ
    れる基板上へのシリコンオキシナイトライド膜の堆積方
    法であって、 基板温度を２５０℃未満の温度に維持するステップと、 前記チャンバ内に実質的にアンモニア非含有の反応体ガ
    ス混合物を流入させるステップと、 前記反応体ガス混合物に充分長時間プラズマを発生さ
    せ、前記基板上にシリコンオキシナイトライド膜を堆積
    させるステップとを含む堆積方法。
  8. 【請求項８】 前記反応体ガス混合物が、シランと、亜
    酸化窒素と、窒素とを含む請求項７に記載の堆積方法。
  9. 【請求項９】 前記基板が、薄膜トランジスタが形成さ
    れた部分を有する請求項７に記載の堆積方法。
  10. 【請求項１０】 前記シリコンオキシナイトライド膜が
    約４００〜約８００ｎｍの厚さで形成される請求項７に
    記載の堆積方法。
  11. 【請求項１１】 基板であって、 プラズマ励起ＣＶＤチャンバ内で前記基板の温度を２５
    ０℃未満の温度に維持し、前記チャンバ内に実質的にア
    ンモニア非含有の反応体ガス混合物を流入させ、前記反
    応体ガス混合物に充分長時間プラズマを発生させて前記
    基板上に堆積されたシリコンオキシナイトライド膜を有
    する基板。
  12. 【請求項１２】 ガス流入マニホールドを備えたプラズ
    マ励起ＣＶＤチャンバ内で実施される基板上へのシリコ
    ンオキシナイトライド膜の堆積方法であって、 前記プラズマ励起ＣＶＤチャンバ内に基板を搬入するス
    テップと、 基板温度を２５０℃より高くない温度に維持するステッ
    プと、 実質的にアンモニア非含有の反応体ガス混合物を、前記
    ガス流入マニホールドを介して前記チャンバに流入させ
    るステップと、 前記反応体ガス混合物のプラズマを前記チャンバ内に発
    生させるステップと、 前記反応体ガス混合物からシリコンオキシナイトライド
    膜を前記基板上に堆積させるステップであって、堆積さ
    れた前記シリコンオキシナイトライド膜が実質的にボイ
    ドを含まないステップとを含む堆積方法。
  13. 【請求項１３】 前記反応体ガス混合物が、シランと、
    亜酸化窒素と、窒素とを含む請求項１２に記載の堆積方
    法。
  14. 【請求項１４】 形成された前記シリコンオキシナイト
    ライド膜が、前記基板上の最終のパッシベーション層で
    ある請求項１２に記載の堆積方法。
  15. 【請求項１５】 形成された前記シリコンオキシナイト
    ライド膜が、約１．５〜約１．９の屈折率を有する請求
    項１２に記載の堆積方法。
  16. 【請求項１６】 前記シリコンオキシナイトライド膜
    が、６：１バッファＨＦ溶液内で測定されるウェットエ
    ッチング速度において３０００オングストローム／分未
    満のウェットエッチング速度を有して形成される請求項
    １２に記載の堆積方法。
  17. 【請求項１７】 前記ガス流入マニホールドが更に複数
    の開口を有し、前記各開口が、前記マニホールドのチャ
    ンバ側ないし処理操作側の出口と該処理操作側と離れた
    入口とであって、該ガスの解離度及び反応性を高めるた
    めに前記出口が前記入口よりも大きい、出口と入口とを
    備える請求項１２に記載の堆積方法。
  18. 【請求項１８】 前記基板の温度が１８０〜２１０℃に
    維持される請求項１２に記載の堆積方法。
  19. 【請求項１９】 該堆積のプロセス中の前記ＣＶＤチャ
    ンバ内の圧力が、０．５〜３．５トールに維持される請
    求項１２に記載の堆積方法。
  20. 【請求項２０】 シリコンオキシナイトライド膜であっ
    て、 ガス流入マニホールドを備えたプラズマ励起ＣＶＤチャ
    ンバ内で、前記プラズマ励起ＣＶＤチャンバ内に基板を
    搬入し、基板温度を２５０℃未満の温度に維持し、実質
    的にアンモニア非含有の反応体ガス混合物を、前記ガス
    流入マニホールドを介して前記チャンバに前記流入さ
    せ、前記反応体ガス混合物のプラズマを前記チャンバ内
    に発生させ、前記反応体ガス混合物から前記基板上に形
    成された実質的にボイドを含まないシリコンオキシナイ
    トライド膜。
  21. 【請求項２１】 薄膜トランジスタであって、 ガス流入マニホールドを備えたプラズマ励起ＣＶＤチャ
    ンバ内で、前記プラズマ励起ＣＶＤチャンバ内に基板を
    搬入し、基板温度を２５０℃未満の温度に維持し、実質
    的にアンモニア非含有の反応体ガス混合物を、前記ガス
    流入マニホールドを介して前記チャンバに前記流入さ
    せ、前記反応体ガス混合物のプラズマを前記チャンバ内
    に発生させ、前記反応体ガス混合物から前記基板上に形
    成された実質的にボイドを含まないシリコンオキシナイ
    トライド膜を備える、基板に含まれる薄膜トランジス
    タ。
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