KR20060063188A - 화학기상증착장치 및 그를 이용한 화학기상증착방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 생산 수율을 높일 수 있는 화학기상증착장치 및 그를 이용한 화학기상증착방법을 개시한다. 그의 방법은, 소스 가스 공급부에서 소정의 진공압을 갖는 챔버 내부에 소정 유량의 제 1 소스 가스를 공급하는 단계; 상기 소스 가스 공급부에서 상기 챔버 내부의 공기를 펌핑하여 배기하는 배기부에 상기 제 1 소스 가스와 혼합된 제 2 소스 가스를 바이 패스시키는 단계; 및 상기 제 1 소스 가스와 제 2 소스 가스를 상기 챔버에 공급하면서 플라즈마 반응을 유도하여 상기 챔버 내부에 위치된 웨이퍼 상에 소정의 박막을 형성하는 단계를 포함함에 의해 초기 증착 공정 시 플라즈마 반응이 유도되지 않은 상태에서 상기 박막이 불규칙하게 형성되는 것을 방지하고, 상기 제 1 소스 가스 또는 상기 제 2 소스 가스가 상기 웨이퍼 표면에 응결되는 증착불량을 방지할 수 있기 때문에 생산 수율을 향상시킬 수 있다.
화학기상증착(CVD), 덤프(dump), 바이 패스(by-pass), 펌핑(pumping), 실리콘 산화막(SiO2 layer)
Description
도 1은 종래 기술에 따른 화학기상증착장치의 구조를 개략적으로 나타낸 도면.
도 2는 종래 기술에 따른 화학기상증착방법을 설명하기 위해 나타낸 흐름도.
도 3는 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착장치의 구조를 개략적으로 나타낸 도면.
도 4는 본 발명에 따른 화학기상증착방법을 설명하기 위해 나타낸 흐름도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 소스 가스 공급부 102 : 공급 라인
104 : 제 1 밸브 105a : 산소 가스 탱크
105b : TEOS 가스 탱크 105c : 퍼지 가스 탱크
106a : 제 1 유량 조절 밸브 106b : 제 2 유량 조절 밸브
106c : 제 3 유량 조절 밸브 108a : 제 1 유동 차단 밸브
108b : 제 2 유동 차단 밸브 108c : 제 3 유동 차단 밸브
200 : 공정 챔버 202 : 웨이퍼
204 : 척 206a : 상부 전극
206b : 하부 전극 206 : 플라즈마 전극
300 : 배기부 302a : 더미 배기 라인
302 : 배기 라인 304a : 고진공 펌프
304b : 저진공 펌프 304 : 진공 펌프
306 : 압력 조절 밸브 308a : 러핑 밸브
308b : 포라인 밸브 400 : 퍼지 가스 공급부
500 : 덤프 라인 502 : 제 2 밸브
본 발명은 반도체 제조설비 및 그를 이용한 반도체 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 화학기상증착장치 및 그를 이용한 화학기상증착방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 제조 업계에서는 반도체 칩의 동작 속도를 증대시키고 단위 면적당 정보 저장 능력을 증가시키기 위하여 반도체 집적 회로 공정에 적용되는 최소 선폭이 꾸준히 줄어드는 추세에 있다. 또한, 반도체 웨이퍼 상에 집적화 되는 트랜지스터와 같은 반도체 소자의 크기가 서브 하프 마이크론 이하로 축소되고 있다.
이와 같은 반도체 소자는 증착 공정, 포토공정, 식각공정, 확산공정을 통하 여 제조될 수 있으며, 이러한 공정들이 수차례에서 수십차례 반복되어야 적어도 하나의 반도체 장치가 탄생될 수 있다. 특히, 상기 증착 공정은 반도체 소자 제조의 재현성 및 신뢰성에 있어서 개선이 요구되는 필수적인 공정으로 졸겔(sol-gel)방법, 스퍼터링(sputtering)방법, 전기도금(electro-plating)방법, 증기(evaporation)방법, 화학기상증착(chemical vapor deposition)방법, 분자 빔 에피탁시(molecule beam eptaxy)방법, 원자층 증착방법 등에 의하여 웨이퍼 상에 상기 가공막을 형성하는 공정이다.
그중 상기 화학기상증착방법은 다른 증착방법보다 웨이퍼 상에 형성되는 증착 특성과, 가공막의 균일성이 우수하기 때문에 가장 보편적으로 사용되고 있다. 이와 같은 화학기상증착방법에는 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition), APCVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition), LTCVD(Low Temperature Chemical Vapor Deposition), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등으로 나눌 수 있다.
예컨대, 상기 PECVD는 전기적 방전을 통해 기체 내에 화학반응을 일으켜 형성된 물을 웨이퍼 상에 증착함으로서 유전막을 형성하는 공정이다. 그리고, 종래의 상기 PECVD공정은 다수의 웨이퍼를 플라즈마 화학기상증착설비 내부에 투입한 후, 일괄적으로 PECVD공정을 수행함으로서 다수의 웨이퍼 상에 특정막을 형성하였으나, 최근에 반도체장치가 고집적화되고 웨이퍼가 대구경화됨에 따라 플라즈마 화학기상증착설비 내부에 한 장의 웨이퍼를 투입한 후 PECVD공정을 진행하고, 상기 한 장의 웨이퍼에 대한 PECVD공정이 수행된 이후에는 상기 플라즈마 화학기상증착설비 내부 에 존재하는 잔류가스 및 반응생성물을 제거하는 세정 및 퍼지공정을 수행하고 있다.
이와 같은 화학기상증착방법으로 실리콘 산화막과 같은 층간 절연막을 증착하는 화학기상증착장치는 미국특허 제 6,009,827호에 개시되어 있다.
이하, 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 화학기상증착장치 및 그를 이용한 화학기상증착방법을 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래 기술에 따른 화학기상증착장치의 구성을 상세히 나타낸 도면이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 종래 기술에 따른 화학기상증착장치는, 크게 소스 가스를 생성하는 소스 가스 공급부(10)와, 상기 소스 가스 공급부(10)에 연결되는 공급 라인(12)을 통해 공급되는 소스 가스를 이용하여 웨이퍼 상에 소정의 박막이 형성되도록 소정의 밀페된 공간을 제공하는 공정 챔버(20)와, 상기 공정 챔버(20)와 연통되는 배기 라인(32)을 통해 상기 공정 챔버(20) 내부의 공기를 펌핑하는 배기부(30)를 포함하여 구성된다. 또한, 상기 공정 챔버(20) 내부에 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급부(40)를 더 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 소스 가스 공급부(10)는 상기 공정 챔버(20) 내에서 화학반응되어 상기 박막이 형성될 복수개의 소스 가스를 생성하여 소정의 유량으로 상기 공정 챔버(20)에 공급한다. 예컨대, 상기 소스 가스는 산소 가스와 TEOS가스가 사용될 수 있다.
또한, 상기 공정 챔버(20)는 상기 공정 챔버(20)의 하부에 형성되어 상기 박 막이 형성될 웨이퍼(22)를 지지하여 고정하는 척(24)과, 상기 척(24)에 대향하는 상기 공정 챔버(20)의 상부에 형성되어 상기 웨이퍼(22)의 상부에 산소 가스와 TEOS 가스를 분사하는 샤워 헤드(26)와, 상기 샤워 헤드(26)의 상부 또는 상기 척(24)의 하부에 형성되어 상기 산소 가스와 TEOS 가스를 혼합하여 균일성이 높은 실리콘 산화막을 형성하기 위해 고온의 이온 상태의 플라즈마 반응을 유도하는 적어도 하나 이상의 플라즈마 전극(26)을 포함하여 이루어진다. 이때, 상기 플라즈마 전극(26)은 플라즈마 반응을 유도하기 위해 외부에서 RF 파워를 인가 받는다.
그리고, 상기 배기부(30)는 상기 공정 챔버(20)와 연통되는 상기 배기 라인(32)과 연결되어 상기 공정 챔버(20) 내부의 공기를 펌핑하는 진공 펌프(34)와, 상기 배기 라인(32)의 중간에 형성되어 상기 공정 챔버(20) 내부의 진공압을 유지하기 위해 상기 진공 펌프(34)로 펌핑되는 상기 공기의 양을 조절하는 압력 조절 밸브(36)를 포함하여 이루어진다. 도시되지는 않았지만, 상기 배기부(30)는 상기 진공 펌프(34)를 통해 배기되는 공기로부터 상기 소스 가스의 배기 가스를 정화하여 대기중으로 배출시키는 스크러버(scruber)를 더 포함하여 이루어진다.
이와 같이 구성된 종래 기술에 따른 화학기상증착장치를 이용한 화학기상증착방법을 설명하면 다음과 같다.
도 2는 종래 기술에 따른 화학기상증착방법을 설명하기 위해 나타낸 흐름도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 종래의 화학기상증착방법은, 상기 공정 챔버(20) 내부에 웨이퍼(22)가 로딩되면 상기 공정 챔버(20) 내부의 공기를 펌핑한다(S10). 여기서, 상기 공정 챔버(20) 내부의 펌핑은 후속의 화학기상증착방법을 이용한 증착 공정에서보다 고진공 상태로 펌핑된다. 즉, 상기 웨이퍼(22)의 로딩 시 외부의 오염물질을 포함하는 공기를 상기 공정 챔버(20) 내부에서 제거시키기 위해 상기 공정 챔버(20) 내부의 공기를 고진공 상태로 펌핑한다.
다음, 상기 공정 챔버(20) 내부에 소정 유량의 산소 가스를 공급한다(S20). 여기서, 상기 산소 가스가 상기 공정 챔버(20) 내부에 공급되어 상기 공정 챔버(20)는 고진공 상태에서 후속의 증착 공정이 이루어질 수 있는 저진공 상태를 갖는다.
이후, 상기 산소 가스와 함께 TEOS 가스를 상기 공정 챔버(20) 내부에 소정의 유량으로 공급한다(S30). 여기서, 상기 산소 가스와 상기 TEOS는 혼합되어 상기 웨이퍼(22)의 상부에서 유동된다. 이때, 상기 산소 가스와 TEOS 가스는 상온에서 결합반응이 균일하게 일어나지 않기 때문에 후속에서 이루어지는 고온의 플라즈마 반응으로 결합 반응되어 실리콘 산화막을 형성할 수 있다.
그러나, 플라즈마 반응이 유도되기 전에 상기 웨이퍼(22) 상으로 유동되는 상기 산소 가스와 TEOS 가스는 서로의 결합반응이 균일하게 일어나지 않아 상기 웨이퍼(22) 상에 실리콘 산화막이 불규칙적으로 형성될 뿐만 아니라, 상기 산소 가스와 미반응된 TEOS 가스가 상기 웨이퍼(22)의 표면에서 응결되어 증착불량이 발생될 수 있다.
그 후, 상기 공정 챔버(20) 내부에 산소 가스와 TEOS 가스가 유동되는 상태에서 상기 공정 챔버(20)의 플라즈마 전극(26)에 RF 파워를 인가하고 플라즈마 반 응을 유도하여 상기 웨이퍼(22) 상에 소정 두께의 실리콘 산화막을 형성한다(S40). 여기서, 상기 산소 가스와 TEOS 가스는 고온의 상기 플라즈마 반응에 의해 균일하게 혼합되고, 이들의 결합반응으로부터 상기 웨이퍼(22)의 표면에 상기 실리콘 산화막을 형성시킬 수 있다.
그 다음, 상기 실리콘 산화막이 소정 두께로 형성되면 상기 공정 챔버(20) 내부로 공급되는 상기 산소 가스와 TEOS 가스의 공급을 중단하고, 상기 플라즈마 전극(26)에 공급되는 RF 파워를 차단하여 플라즈마 반응을 중지시키고, 상기 공정 챔버(20) 내부의 공기를 펌핑하여 상기 공정 챔버(20) 내부의 산소 가스 및 TEOS 가스를 제거한다(S50).
그리고, 상기 공정 챔버(20) 내부에 잔존하는 상기 산소 가스 및 TEOS 가스를 완전히 제거하기 위해 퍼지 가스를 공급함과 동시에 상기 공정 챔버(20) 내부의 공기를 계속적으로 펌핑한다(S60).
마지막으로, 상기 퍼지 가스의 공급을 중단하고, 상기 공정 챔버(20) 내부의 퍼지 가스를 펌핑한다(S70). 물론, 이와 같은 상기 퍼지 가스의 공급과 펌핑은 복수번에 걸쳐 주기적으로 계속 수행될 수 있다.
따라서, 종래 기술에 따른 화학기상증착방법은, 공정 챔버(20) 내부에 소정 유량의 상기 TEOS 가스와 산소 가스를 공급하고, 플라즈마 반응을 유도하여 웨이퍼(22) 상에 소정 두께의 실리콘 산화막을 형성토록 할 수 있다.
상술한 바와 같이, 종래 기술의 화학기상증착방법은 다음과 같은 문제점이 있었다.
종래 기술의 화학기상증착방법은 플라즈마 반응이 유도되기 전에 웨이퍼(22) 상으로 산소 가스와 TEOS 가스가 유동될 경우, 상기 산소 가스와 TEOS 가스의 결합반응이 균일하게 일어나지 않아 상기 웨이퍼(22) 상에 실리콘 산화막이 불규칙적으로 형성되고, 동시에 미반응된 TEOS 가스가 응결되어 증착불량이 발생될 수 있기 때문에 생산 수율이 떨어지는 단점이 있었다.
상술한 종래 기술에 따른 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 플라즈마 반응이 유도되기 전에 웨이퍼 상으로 산소 가스와 TEOS 가스가 유동되지 못하도록 하고, 증착불량을 방지하여 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 화학기상증착장치 및 그를 이용한 화학기상증착방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양태(aspect)에 따라, 화학기상증착장치는, 소스 가스를 생성하는 소스 가스 공급부; 상기 소스 가스 공급부에 연결되는 공급 라인을 통해 공급되는 소스 가스를 이용하여 웨이퍼 상에 박막이 형성되도록 소정의 밀페된 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버와 연통되는 배기 라인을 통해 상기 챔버 내부의 공기를 펌핑하는 배기부; 및 상기 공급 라인과 상기 배기 라인을 연결시키도록 형성되어 소정의 조건으로 상기 웨이퍼에 상기 박막이 형성되기 전에 상기 챔버에 공급되는 소스 가스를 상기 소스 가스 공급부에서 상기 배기부로 바이패스시키는 덤프 라인을 포함함을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 양태는, 소스 가스 공급부에서 소정의 진공압을 갖는 챔버 내부에 소정 유량의 제 1 소스 가스를 공급하는 단계; 상기 소스 가스 공급부에서 상기 챔버 내부의 공기를 펌핑하여 배기하는 배기부에 상기 제 1 소스 가스와 혼합된 제 2 소스 가스를 바이 패스시키는 단계; 및 상기 제 1 소스 가스와 제 2 소스 가스를 상기 챔버에 공급하면서 플라즈마 반응을 유도하여 상기 챔버 내부에 위치된 웨이퍼 상에 소정의 박막을 형성하는 단계를 포함하는 화학기상증착방법이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착장치 및 그를 이용한 화학기상증착방법을 설명하면 다음과 같다. 본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 화학기상증착장치는, 소스 가스를 생성하는 소스 가스 공급부(100)와, 상기 소스 가스 공급부(100)에 연결되는 공급 라인(102)을 통해 공급되는 소스 가스를 이용하여 플라즈마 반응을 유도하고, 웨이퍼(202) 상에 박막이 형성되도록 소정의 밀페된 공간을 제공하는 공정 챔버(200) 와, 상기 공정 챔버(200)와 연통되는 배기 라인(302)을 통해 상기 공정 챔버(200) 내부의 공기를 펌핑하는 배기부(300)와, 상기 공급 라인(102)과 상기 배기 라인(302)을 연결시키도록 형성되어 상기 플라즈마 반응이 유도되기 전에 상기 공정 챔버(200)에 공급되는 소스 가스를 상기 소스 가스 공급부(100)에서 상기 배기부(300)로 바이 패스(by pass)시키는 덤프 라인(500)을 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 덤프 라인(500)은 상기 소스 가스 공급부(100)에서 상기 공정 챔버(200)로 소스 가스가 공급되는 공급 라인(102)의 말단과, 상기 공정 챔버(200)에서 상기 배기부(300)로 배기 가스가 배출되는 배기 라인(302)의 말단 즉, 이하에서 설명될 저진공 펌프(304b)의 전단 상기 배기 라인(302)에 연결되어 있다. 이때, 상기 덤프 라인(500)이 연결되는 상기 공급 라인(102)의 후단에는 상기 공정 챔버(200) 내부에 공급되는 상기 소스 가스를 제어하기 위한 제 1 밸브(104)가 형성되어 있고, 상기 공정 챔버(200)에 공급되는 상기 소스 가스가 상기 플라즈마 반응이 유도되기 전에 상기 덤프 라인(500)으로 바이 패스되도록 제어하기 위한 덤프 라인(500)에 제 2 밸브(102)가 형성되어 있다.
따라서, 상기 제 1 밸브(104) 및 제 2 밸브(102)는 각각 서로 배타적으로 개폐동작된다. 즉, 상기 제 1 밸브(104)가 오픈될 경우, 제 2 밸브(102)는 닫혀지고 상기 소스 가스 공급부(100)에서 공급되는 소스 가스가 상기 공정 챔버(200)의 내부에 공급되거나, 상기 제 1 밸브(104)가 닫혀질 경우, 상기 제 2 밸브(102)는 열려지고 상기 소스 가스 공급부(100)에서 배기부(300)로 상기 소스 가스가 바이 패스된다.
또한, 상기 소스 가스 공급부(100)는 상기 공정 챔버(200) 내에서 화학반응되어 상기 박막이 형성될 복수개의 소스 가스를 생성하여 소정의 유량으로 상기 공정 챔버(200)에 공급한다. 예컨대, 상기 소스 가스는 산소 가스(예를 들어, 제 1 소스 가스) 와 TEOS 가스(예를 들어, 제 2 소스 가스)가 사용될 수 있다. 따라서, 상기 소스 가스 공급부(100)는 상기 소스 가스를 생성 공급하는 산소 탱크 가스 및 TEOS 가스 탱크(105a, 105b)와, 상기 산소 가스 및 TEOS 가스 탱크(105a, 105b)에서 공급되는 상기 산소 가스 및 TEOS 가스의 공급 유량을 제어하는 제 1 및 제 2 유량 조절 밸브(106a, 106b)와, 상기 제 1 및 제 2 유량 조절 밸브(106a, 106b)를 통해 유동 공급되는 상기 산소 가스 및 TEOS 가스를 소정 조건에 따라 상기 공급 라인(102)을 통해 선택적으로 공급되도록 개폐동작되는 제 1 및 제 2 유동 차단 밸브(108a, 108b)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 상기 산소 가스 및 TEOS 가스 탱크(105a, 105b)에 각각 연결된 상기 공급 라인(102)은 상기 덤프 라인(500)이 분기되기 전에 하나로 연결되어진다.
또한, 본 발명의 화학기상증착장치는 상기 덤프 라인이 분기되기 전에 상기 상기 공급 라인(102)을 통해 상기 공정 챔버(200) 내부에 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급부(400)와, 상기 소스 가스가 공급되는 공급 라인(102)을 통해 상기 공정 챔버(200) 내부로 세정 가스를 공급하는 세정 가스 공급부(도시되지 않음)를 더 포함하여 구성된다. 여기서, 상기 퍼지 가스 공급부(400) 또한 마찬가지로, 퍼지 가스를 생성 공급하는 퍼지 가스 탱크(105c)와, 상기 퍼지 가스 탱크(105c)에서 유동 공급되는 퍼지 가스의 유량을 제어하는 제 3 유량 조절밸브(106c)와, 상기 제 3 유량 조절 밸브(106c)를 통해 유동 공급되는 상기 퍼지 가스를 소정 조건에 따라 상기 공급 라인(102)을 통해 선택적으로 공급되도록 개폐동작되는 제 3 유동 차단 밸브(108c)를 포함하여 이루어진다
따라서, 본 발명에 따른 화학기상증착장치는 세정 공정 시에 상기 공급 라인(102)으로 공급되는 세정 가스가 상기 공급 라인(102)에 남아 있을 경우, 후속의 증착 공정 시 상기 공정 챔버(200) 내부로 상기 세정 가스를 유입시키지 않고, 상기 덤프 라인(500)으로 바이 패스시킬 수도 있다.
또한, 상기 공정 챔버(200)는 상기 공정 챔버(200)의 상부에 형성되어 상기 소스 가스 공급부(100)에서 공급된 산소 가스와 TEOS 가스와 같은 소스 가스를 균일하게 분사하는 샤워 헤드(206)와, 상기 샤워 헤드(206)에 대응되는 상기 공정 챔버(200)의 하부에 형성되어 상기 웨이퍼(202)를 지지하고 고정하는 척(204)과, 상기 척(204)의 하부 또는 상기 샤워 헤드(202)의 상부에 형성되어 상기 산소 가스와 TEOS 가스를 혼합하여 균일성이 높은 실리콘 산화막을 형성하기 위해 외부로부터 인가되는 RF 파워에 의해 고온 상태의 플라즈마 반응을 유도하는 적어도 하나 이상의 플라즈마 전극(206)을 포함하여 이루어진다.
도시하지는 않았지만, 상기 척(204)에 고정되는 상기 웨이퍼(202)를 소정의 온도로 가열하는 히터와, 상기 공정 챔버(200) 내부의 진공압을 측정하는 압력 게이지를 더 포함하여 이루어진다.
여기서, 상기 플라즈마 전극(206)은 상기 샤워 헤드(202)의 상부에 상부 전극(206a)과, 상기 상부 전극(206a)에 대향하여 상기 웨이퍼(202)가 지지되는 상기 척(204)의 내부에 형성된 하부 전극(206b)으로 이루어지고, 상기 상부 전극(206a)과 상기 하부 전극(206b) 중에 적어도 하나 이상에 RF 파워를 인가하여 상기 공정 챔버(200) 내부에 플라즈마 반응을 유도할 수 있다.
예컨대, 상기 압력 게이지는 상기 공정 챔버(200) 내부의 압력을 두 단계로 나누어 측정하기 위해 저압을 측정하는 1Torr 바라트론 센서(도시하지 않음)와, 고압을 측정하는 100Torr 바라트론 센서(도시하지 않음)가 주로 사용된다. 이때, 상기 압력 게이지는 상기 공정 챔버(200) 내부에 직접 설치되거나, 상기 배기 라인(302)에 설치되어 진공 펌프(304)의 펌핑에 의한 상기 공정 챔버(200) 내부의 압력을 계측한다.
여기서, 상기 공정 챔버(200)는 클러스터(cluster) 방식의 공정 장비의 일부로 구성되어 있으며, 상기 박막 형성 공정을 요하는 웨이퍼(202)를 상기 공정 챔버(200) 내부에 로딩/언로딩하기 위해 상기 공정 챔버(200)와 연통되는 트랜스퍼 챔버(도시하지 않음)에 비해 상대적으로 높은 압력을 갖는다.
또한, 상기 플라즈마 전극(206)은 상부 전극과 하부 전극으로 이루어져 고주파 또는 저주파 중 적어도 하나이상을 출력하여 플라즈마 반응을 유도하고, 상기 샤워헤드와 상기 척(204) 사이에 공급되는 상기 산소 가스와 TEOS 가스를 혼합하여 균일한 실리콘 산화막을 형성토록 할 수 있다. 이때, 상기 산소 가스와 TEOS 가스는 플라즈마 반응이 유도되고, 상기 웨이퍼(202)의 전면에서 균일하게 분사되어 상기 웨이퍼(202)의 중심에서 분사되는 상기 산소 가스와 상기 TEOS 가스는 상기 웨이퍼(202)의 가장자리로 유동되어 상기 배기 라인(302)을 통해 상기 배기부(300)로 배기된다. 예컨대, 상기 샤워헤드와, 상기 웨이퍼(202)간에는 약 1.5㎝정도 거리를 갖는다.
따라서, 본 발명에 따른 화학기상증착장치는 플라즈마 전극(206)에 RF 파워가 인가되지 않을 경우, 소스 가스 공급부(100)에서 공급되는 산소 가스와 TEOS 가스를 덤프 라인(500)을 통해 배기부(300)로 바이 패스시키고, 상기 플라즈마 전극(206)에 RF 파워가 인가되어 상기 공정 챔버(200)에 플라즈마 반응이 유도될 경우, 상기 산소 가스와 TEOS 가스를 상기 공정 챔버(200)로 공급하여 상기 플라즈마 반응으로부터 상기 산소 가스와 TEOS 가스를 균일하게 혼합하고 반응시켜 증착 초기에 실리콘 산화막을 균일하게 형성하고, 상기 웨이퍼(202)의 표면에서 상기 TEOS 가스의 응결을 방지할 수 있기 때문에 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.
그리고, 상기 배기부(300)는 상기 공정 챔버(200)와 연통되는 상기 배기 라인(302)과 연결되어 상기 공정 챔버(200) 내부의 공기를 펌핑하는 진공 펌프(304)와, 상기 진공 펌프(304)의 전단 상기 배기 라인(302)에 형성되어 상기 공정 챔버(200) 내부의 진공압을 유지하기 위해 상기 진공 펌프(304)로 펌핑되는 상기 공기의 양을 조절하는 압력 조절 밸브(306)를 포함하여 이루어진다.
여기서, 상기 공정 챔버(200) 내부의 공기를 점진적으로 펌핑하기 위한 상기 진공 펌프(304)는 상기 압력 조절 밸브(306)가 형성된 배기 라인(302)의 후단에서부터 터보 펌프(turbo pump) 또는 확산 펌프(diffusion pump)와 같은 고진공 펌프(304a)와, 드라이 펌프와 같은 저진공 펌프(304b)가 각각 직렬로 구성된다.
예컨대, 상기 공정 챔버(200)에 연결된 배기 라인(302)은 상기 고진공 펌프 (304a)에 연결되고, 상기 고진공 펌프(304a)와 상기 공정 챔버(200)사이의 배기 라인(302)에서 분기되어 상기 고진공 펌프(304a)의 후단 상기 배기 라인(302)에 연결되는 더미 배기 라인(302a)에는 러핑 밸브(308a)가 형성되고, 상기 저진공 펌프(304b)와 연결되는 상기 배기 라인(302)에서 상기 러핑 밸브(308a)가 형성된 상기 더미 배기 라인(302a)에 연결되는 전단과 상기 고진공 펌프(304a) 사이에 포라인 밸브(308)가 형성되어 있다. 상기 제 1 밸브(104)와 상기 제 2 밸브(102)와 마찬가지로, 상기 러핑 밸브(308a)와 상기 포라인 밸브(308)는 서로 배타적으로 개폐동작된다.
또한, 상기 배기부(300)는 상기 저진공 펌프(304b)를 통해 배기되는 공기 또는 상기 소스 가스를 정화하여 대기중으로 배출시키는 스크러버를 더 포함하여 이루어진다.
그리고, 상기 소스 가스 공급부(100)의 말단에서 분기된 상기 덤프 라인(500)은 상기 러핑 밸브(308a)와 상기 포라인 밸브(308)의 후단과 상기 저진공 펌프(304b)의 전단에 연결되어 상기 공정 챔버(200) 내부에서 플라즈마 반응이 유도되기 전에 상기 소스 가스를 상기 소스 가스 공급부(100)에서 상기 배기부(300)로 바이 패스시킨다.
따라서, 본 발명에 따른 화학기상증착장치는 고온의 플라즈마 반응이 유도되기전에 공정 챔버(200) 내부로 유동되는 TEOS 가스 및 산소 가스를 소스 가스 공급부(100)에서 덤프 라인(500)을 통해 배기부(300)로 바이 패스시켜 초기 증착 공정 시 불균일한 실리콘 산화막의 형성을 방지하고, 상기 TEOS 가스의 응결에 의한 증 착불량을 방지할 수 있고, 상기 플라즈마 반응이 유도됨과 동시에 상기 TEOS 가스 및 산소 가스를 상기 공정 챔버(200) 내에 공급하여 균일한 실리콘 산화막을 형성할 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 화학기상증착장치를 이용한 화학기상증착방법을 설명하면 다음과 같다.
도 4는 본 발명에 따른 화학기상증착방법을 설명하기 위해 나타낸 흐름도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 화학기상증착방법은, 상기 배기부(300)의 저진공 펌프(304b) 및 고진공 펌프(304a)를 이용하여 공정 챔버(200) 내부에 공기를 펌핑한다(S100). 도시하지는 않았지만, 상기 트랜스퍼 챔버에서 상기 공정 챔버(200)로 상기 웨이퍼(202)가 로딩되면 상기 공정 챔버(200)와 상기 트랜스퍼 챔버 사이에 형성된 도어가 닫혀짐으로서 각 챔버는 서로 독립된 공간이 형성되어진다. 여기서, 상기 공정 챔버(200)와 배기 라인(302)으로 연결되는 상기 진공 펌프(304)의 펌핑에 의해 상기 공정 챔버(200)는 소정의 진공 상태가 이루어질 수 있다. 이때, 상기 공정 챔버(200) 내부의 진공상태는 상기 저진공 펌프(304b) 및 고진공 펌프(304a)의 펌핑에 이루어질 수 있다. 예컨대, 상기 러핑 밸브(308a)가 오픈된 상태에서 상기 저진공 펌프(304b)를 이용하여 상기 공정 챔버(200) 내부의 공기를 약 10-3Torr 정도의 저진공 상태로 펌핑한다. 그리고, 상기 러핑 밸브(308a)를 닫고, 상기 포라인 밸브(308)를 오픈시킨 상태에서 상기 고진공 펌프(304a)와 상기 저진공 펌프(304b)를 이용하여 상기 공정 챔버(200) 내부의 공기를 약 10-6Torr 정도의 고진공 상태로 펌핑한다.
이후, 상기 공정 챔버(200) 내부에 상기 산소 가스를 소정 유량으로 유동시킨다(S200). 여기서, 상기 공정 챔버(200) 내부에 공급되는 상기 산소 가스에 의해 상기 공정 챔버(200)는 다시 저진공 상태가 된다.
예컨대, 상기 공정 챔버(200) 내에 공급되는 산소 가스는 약 8000SCCM정도의 유량을 갖고 약 20초간 공급된다. 이때, 상기 산소 가스의 유량은 상기 제 1 유량 조절 밸브에 의해 제어되고, 상기 제 1 밸브(104)가 열린 상태에서 상기 공정 챔버(200)에 공급된다. 또한, 상기 산소 가스가 상기 공정 챔버(200) 내에 유동되는 동안 상기 공정 챔버(200)는 약 2.5Torr정도의 진공압을 갖도록 상기 배기 라인(302)의 상기 러핑 밸브(308a)가 닫히고, 포라인 밸브(308)가 오픈된 상태에서 상기 저진공 펌프(304b)와 상기 고진공 펌프(304a)가 상기 공정 챔버(200) 내부의 공기를 펌핑시킨다. 물론, 상기 러핑 밸브(308a)가 상기 포라인 밸브(308)가 닫히고, 오픈된 상태에서 상기 저진공 펌프(304b)가 상기 공정 챔버(200) 내부의 공기를 펌핑시키면서 상기 산소 가스가 공급될 수도 있다. 이때, 상기 공정 챔버(200) 내부의 진공압은 상기 압력 조절 밸브(306)에 개폐동작에 의해 제어된다.
다음, 상기 공정 챔버(200) 내부로 공급되는 상기 산소 가스를 상기 덤프 라인(500)을 통해 배기부(300)로 바이 패스시키고, 상기 TEOS 가스를 상기 덤프 라인(500)을 통해 상기 배기부(300)로 바이 패스시킨다(S300). 여기서, 상기 덤프 라인(500)을 통해 바이 패스되는 상기 산소 가스와 TEOS 가스는 후속의 플라즈마 반응 에 의한 상기 산소 가스와 TEOS 가스의 결합반응으로 실리콘 산화막을 형성하고자 할 때 안정된 상태로 상기 공정 챔버(200)에 공급되어야 하기 때문에 상기 공정 챔버(200) 내부에 공급되는 상기 산소 가스와 TEOS 가스의 유량이 동일 또는 유사하게 바이 패스된다.
예컨대, 상기 산소 가스는 약 8000SCCM정도의 유량을 갖고, 상기 TEOS 가스는 약 350SCCM정도의 유량을 갖고 상기 덤프 라인(500)을 통해 약 15초간 바이 패스된다. 이때, 상기 공정 챔버(200)의 내부는 약 2.5Torr 정도의 진공압을 갖도록 상기 진공 펌프(304)에 의해 펌핑된다. 또한, 상기 공정 챔버(200) 내부의 척(204) 상에 고정되는 상기 웨이퍼(202)는 상기 히터에 의해 소정의 온도로 가열될 수도 있다.
따라서, 본 발명에 따른 화학기상증착방법은, 플라즈마 반응이 유도되기 전에 종래에 소스 가스 공급부(100)에서 공정 챔버(200)에 공급되는 TEOS 가스를 상기 소스 가스 공급부(100)에서 덤프 라인(500)을 통해 배기부(300)로 바이 패스시킴으로서 초기 증착공정 시 실리콘 산화막이 불규칙적으로 형성되거나 상기 TEOS 가스의 응결에 의한 증착불량을 방지할 수 있다.
그 다음, 상기 TEOS 가스와 상기 산소 가스를 상기 공정 챔버(200) 내부에 공급함과 동시에 상기 플라즈마 전극(206)에 RF 파워를 인가하고 플라즈마 반응을 유도하여 상기 척(204) 상에 고정된 웨이퍼(202) 상에 실리콘 산화막을 형성한다(S400).
여기서, 상기 공정 챔버(200) 내부에 공급되는 상기 TEOS 가스와 상기 산소 가스의 유량은 상기 덤프 라인(500)을 통해 바이 패스되는 유량과 동일 또는 유사한 유량으로 공급된다.
예컨대, 상기 산소 가스는 8000SCCM 정도의 유량을 갖고, 상기 TEOS 가스는 약 350SCCM 정도의 유량을 갖고 약 9.4초 정도 상기 공정 챔버(200) 내부에 공급된다. 이때, 상기 플라즈마 전극(206)을 통해 RF 파워가 약 300W 내지 약 600W정도로 인가되어 플라즈마 반응을 유도할 수 있다. 또한, 상기 공정 챔버(200) 내부의 온도는 약 400℃정도를 갖고, 상기 웨이퍼(202) 또한 상기 공정 챔버(200)의 온도와 동일 또는 유사한 온도를 갖도록 상기 히터에 의해 가열된다. 상기 공정 챔버(200)의 내부는 약 2.5Torr 정도의 진공압을 갖도록 상기 진공 펌프(304)에 의해 펌핑되고, 상기 압력 조절 밸브(306)에 의해 제어된다.
이때, 상기 덤프 라인(500)을 통해 바이 패스되는 상기 산소 가스와, 상기 TEOS 가스가 곧바로 상기 공정 챔버(200) 내부로 공급될 수도 있지만, 소정의 지연 시간을 갖고 상기 공정 챔버(200) 내부에 공급될 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 화학기상증착방법은 플라즈마 반응이 유도되기 전에 산소 가스와 TEOS 가스가 공정 챔버(200) 내부의 웨이퍼(202) 상으로 유동되지 못하도록 소스 가스공급부에서 덤프 라인(500)을 통해 배기부(300)로 바이 패스시켜 초기 증착 시 실리콘 산화막이 불규칙하게 형성되는 것을 방지하고, 상기 TEOS 가스가 상기 웨이퍼(202) 표면에서 응결되는 증착불량을 방지할 수 있기 때문에 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.
그 후, 상기 공정 챔버(200) 내부로 공급되는 상기 TEOS 가스와 상기 산소 가스의 공급을 중단하고, 상기 플라즈마 반응을 순차적으로 정지시킨다(S500). 또한, 상기 공정 챔버(200) 내부에 잔존하는 상기 TEOS 가스와 산소 가스를 펌핑하여 배기시킨다(S500). 예컨대, 상기 챔버 내부의 상기 산소 가스와 TEOS 가스와 같은 공기는 약 10초간 펌핑된다. 이때, 상기 챔버는 약 0Torr 이하의 진공도를 갖도록 펌핑된다.
다음, 상기 공정 챔버(200) 내부에 퍼지 가스를 공급한다(S600). 여기서, 상기 퍼지 가스는 상기 소스 가스공급부와 상기 공정 챔버(200)사이에 연결되는 공급 라인(102)을 통해 상기 공정 챔버(200) 내부에 공급되고, 상기 공정 챔버(200) 내부에 잔존하는 상기 TEOS 가스와 상기 산소 가스를 희석시킬 수 있다. 예컨대, 상기 퍼지 가스는 주로 질소 가스가 사용되고, 상기 공정 챔버(200) 내벽에 형성된 폴리머 성분과 실리콘 산화막이 상기 퍼지 가스의 유동에 의해 떨어지지 않을 정도의 작은 유량으로 약 20초간 공급된다. 이때, 상기 챔버 내부에 공급되는 상기 퍼지 가스는 약 10초간격으로 복수에 걸쳐 유동될 수 있으며, 상기 챔버는 약 2.5Torr 정도의 진공도를 갖도록 펌핑된다.
그리고, 상기 공정 챔버(200) 내부의 퍼지 가스를 포함하는 공기를 펌핑하여 소정의 진공 상태를 만든다(S700). 이때, 이와 같은 상기 퍼지 가스의 공급과 펌핑은 복수번에 걸쳐 주기적으로 계속 수행될 수 있다.
도시되지는 않았지만, 상기 공정 챔버(200)와 상기 트랜스퍼 챔버 간의 도어가 오픈되고, 상기 트랜스퍼 챔버에 설치된 로봇이 상기 공정 챔버(200) 내부의 상기 척(204) 상에 위치된 웨이퍼(202)를 상기 트랜스퍼 챔버로 언로딩함으로서 화학 기상증착을 완료한다.
전술한 내용은 후술할 발명의 특허 청구 범위를 보다 잘 이해할 수 있도록 본 발명의 특징과 기술적 장점을 다소 폭넓게 개설하였다. 본 발명의 특허 청구 범위를 구성하는 부가적인 특징과 장점들이 이하에서 상술될 것이다. 개시된 본 발명의 개념과 특정 실시예는 본 발명과 유사 목적을 수행하기 위한 다른 구조의 설계나 수정의 기본으로서 즉시 사용될 수 있음이 당해 기술 분야의 숙련된 사람들에 의해 인식되어야 한다.
또한, 본 발명에서 개시된 발명 개념과 실시예가 본 발명의 동일 목적을 수행하기 위하여 다른 구조로 수정하거나 설계하기 위한 기초로서 당해 기술 분야의 숙련된 사람들에 의해 사용되어질 수 있을 것이다. 또한, 당해 기술 분야의 숙련된 사람에 의한 그와 같은 수정 또는 변경된 등가 구조는 특허 청구 범위에서 기술한 발명의 사상이나 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변화, 치환 및 변경이 가능하다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 플라즈마 반응이 유도되기 전에 산소 가스와 TEOS 가스가 공정 챔버 내부의 웨이퍼 상으로 유동되지 못하도록 소스 가스공급부에서 덤프 라인을 통해 배기부로 바이 패스시켜 초기 증착 시 실리콘 산화막이 불규칙하게 형성되는 것을 방지하고, 상기 TEOS 가스가 상기 웨이퍼 표면에서 응결되는 증착불량을 방지할 수 있기 때문에 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 효과가 있다.
Claims (31)
- 소스 가스를 생성하는 소스 가스 공급부;상기 소스 가스 공급부에 연결되는 공급 라인을 통해 공급되는 소스 가스를 이용하여 웨이퍼 상에 박막이 형성되도록 소정의 밀페된 공간을 제공하는 챔버;상기 챔버와 연통되는 배기 라인을 통해 상기 챔버 내부의 공기를 펌핑하는 배기부; 및상기 공급 라인과 상기 배기 라인을 연결시키도록 형성되어 소정의 조건으로 상기 웨이퍼에 상기 박막이 형성되기 전에 상기 챔버에 공급되는 소스 가스를 상기 소스 가스 공급부에서 상기 배기부로 바이패스시키는 덤프 라인을 포함함을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 챔버는 상기 챔버의 상단에 형성되어 상기 소스 가스를 분사하는 샤워헤드와,상기 샤워 헤드 상기 챔버의 하단에 형성되어 상기 웨이퍼를 지지하는 척과,상기 샤워 헤드 또는 상기 척 사이에 공급되는 상기 소스 가스를 플라즈마 반응을 유도하는 적어도 하나 이상의 전극을 포함함을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 소스 가스는 상기 플라즈마 반응이 유도되기 전에 상기 덤프 라인을 통해 바이패스되고, 상기 플라즈마 반응이 유도될 경우 상기 챔버 내부로 공급됨을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 배기부는 상기 공정 챔버와 연통되는 상기 배기 라인과 연결되어 상기 공정 챔버 내부의 공기를 펌핑하는 진공 펌프와,상기 진공 펌프 전단의 상기 배기 라인에 형성되어 상기 공정 챔버 내부의 진공압을 유지하기 위해 상기 진공 펌프로 펌핑되는 상기 공기의 양을 조절하는 압력 조절 밸브를 포함함을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 진공 펌프는 상기 챔버 내부의 공기를 점진적으로 펌핑하기 위해 상기 배기 라인에 순차적으로 형성된 고진공 펌프와 저진공 펌프를 포함함을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 고진공 펌프는 터보 펌프 또는 확산 펌프를 포함함을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 저진공 펌프는 드라이 펌프를 포함함을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제 5 항에 있어서상기 배기부는, 상기 고진공 펌프와 상기 저진공 펌프사이의 상기 배기 라인에 형성된 포라인 밸브와,상기 압력 조절 밸브와 고진공 펌프사이의 상기 배기 라인에서 분기되어 상기 포라인 밸브와 상기 저진공 펌프사이의 상기 배기 라인에 연결되는 더미 배기 라인과,상기 더미 배기 라인을 통해 배기되는 상기 공기를 차단하기 위해 상기 더미 배기 라인에 형성된 러핑 밸브를 포함함을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 덤프 라인은 상기 공급 라인의 말단에서 분기되어 상기 배기부의 상기 포라인 밸브와 저진공 펌프사이의 상기 배기 라인, 또는 상기 러핑 밸브와 상기 저진공 펌프 사이의 상기 더미 배기 라인에 연결함을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 덤프 라인과 상기 챔버 사이의 공급 라인에 형성되어 상기 소스 가스 공급부에서 공급된 상기 소스 가스가 상기 덤프 라인으로 바이 패스 되도록 상기 공급 라인에서 개폐동작되는 제 1 밸브와,상기 덤프 라인에 형성되어 상기 제 1 밸브와 배타적으로 동작하며, 상기 소스 가스 공급부에서 공급된 상기 소스 가스가 상기 챔버의 내부로 공급되도록 상기 덤프 라인에서 개폐동작되는 제 2 밸브를 더 포함함을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 소스 가스 공급부는소스 가스를 생성 공급하는 복수개의 소스 가스 탱크와,상기 소스 가스 탱크에서 공급되는 상기 소스 가스의 공급 유량을 제어하는 복수개의 유량 조절 밸브와,상기 유량 조절 밸브를 통해 유동 공급되는 상기 소스 가스를 소정 조건에 따라 상기 공급 라인을 통해 선택적으로 공급되도록 개폐동작되는 복수개의 소스 차단 밸브를 포함함을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 복수개의 소스 가스 탱크에서 상기 복수개의 소스 차단 밸브로 연결되는 각 공급 라인은 상기 덤프 라인이 연결되기 전에 하나의 공급 라인으로 연결됨을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 덤프 라인이 연결되기 전에 상기 공급 라인으로 퍼지 가스를 공급하는 상기 퍼지 가스 공급부를 더 포함함을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 소스 가스 공급부에서 소정의 진공압을 갖는 챔버 내부에 소정 유량의 제 1 소스 가스를 공급하는 단계;상기 소스 가스 공급부에서 상기 챔버 내부의 공기를 펌핑하여 배기하는 배기부에 상기 제 1 소스 가스와 혼합된 제 2 소스 가스를 바이 패스시키는 단계; 및상기 제 1 소스 가스와 제 2 소스 가스를 상기 챔버에 공급하면서 플라즈마 반응을 유도하여 상기 챔버 내부에 위치된 웨이퍼 상에 소정의 박막을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 화학기상증착방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 챔버 내부에 상기 제 1 소스 가스를 공급하기 전에 상기 챔버 내부의 공기를 펌핑하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 화학기상증착방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 챔버는 약 10-6Torr 정도의 진공도를 갖도록 펌핑함을 특징으로 하는 화학기상증착방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 제 1 소스 가스는 약 20초간 상기 챔버 내부에 공급함을 특징으로 하는 화학기상증착방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 제 1 소스 가스와 상기 제 2 소스 가스가 상기 덤프 라인을 통해 배기되는 동안 상기 챔버는 약 2.5Torr 정도의 진공도를 갖도록 펌핑됨을 특징으로 하는 화학기상증착방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 제 1 소스 가스와 상기 제 2 소스 가스는 약 15초간 바이 패스됨을 특징으로 하는 화학기상증착방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 제 1 소스 가스와 상기 제 2 소스 가스가 바이 패스된 후, 소정의 지연 시간을 갖고 상기 챔버 내부에 공급되는 단계를 포함함을 특징으로 하는 화학기상증착방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 챔버 내부에 상기 제 1 소스 가스가 단독으로 공급되거나, 상기 제 1 소스 가스와 상기 제 2 소스 가스가 공급될 경우, 상기 챔버는 약 2.5Torr 정도의 진공도를 갖도록 펌핑됨을 특징으로 하는 화학기상증착방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 플라즈마 반응은 약 300W 내지 약 600W 정도의 RF 파워를 인가하여 형성됨을 특징으로 하는 화학기상증착방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 제 1 소스 가스와 상기 제 2 소스 가스는 상기 챔버 내부에 약 9.4초간 공급됨을 특징으로 하는 화학기상증착방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 제 1 소스 가스와 상기 제 2 소스 가스가 상기 챔버 내부에 공급된 후, 상기 챔버 내부의 공기를 펌핑하는 단계와,,상기 챔버 내부에 퍼지 가스를 공급하여 상기 챔버 내에 잔존하는 상기 소스 가스와 상기 제 2 소스 가스를 제거하는 단계와,상기 퍼지 가스의 공급을 중단하고 상기 챔버 내의 공기를 펌핑하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 화학기상증착방법.
- 제 24 항에 있어서,상기 챔버 내부의 공기를 펌핑하는 단계는 약 10초간 이루어짐을 특징으로 하는 화학기상증착방법.
- 제 24 항에 있어서,상기 챔버 내부의 공기를 펌핑하는 단계에서 상기 챔버는 약 0Torr 이하의 진공도를 갖도록 펌핑됨을 특징으로 하는 화학기상증착방법.
- 제 24 항에 있어서,상기 퍼지 가스는 상기 챔버 내부에 약 20초간 공급됨을 특징으로 하는 화학기상증착방법.
- 제 24 항에 있어서,상기 퍼지 가스를 상기 챔버 내부에 소정 시간동안 공급하고, 상기 챔버를 소정 시간동안 펌핑하는 단계는 복수에 걸쳐 순차적으로 반복됨을 특징으로 하는 화학기상증착방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 제 1 소스 가스는 상기 소스 가스 공급부에서 약 8000SCCM정도의 유량을 갖도록 공급됨을 특징으로 하는 화학기상증착방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 제 2 소스 가스는 상기 소스 가스 공급부에서 약 350SCCM정도의 유량을 갖도록 공급됨을 특징으로 하는 화학기상증착방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 챔버는 상기 박막이 형성되는 동안 약 400℃정도의 온도를 갖는 것을 특징으로 하는 화하기상증착방법.
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