JP5226438B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 Download PDF

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Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。
エピタキシャルシリコン膜(Epi−Si膜)やエピタキシャルシリコンゲルマニウム膜(Epi−SiGe膜)等の膜は、基板を収容した処理室内に処理ガス(プロセスガス)を供給することにより成長させることができる。なお、エピタキシャル膜の成長に際しては、処理室内への処理ガスの供給流量を安定させることが必要となる場合がある。かかる場合、処理室内に処理ガスを供給する前に、ガス供給系に設けられたバイパス配管から処理ガスを排気することにより、ガス供給系からの処理ガスの供給流量を安定させていた。
従来の基板処理装置においては、バイパス配管の下流側は、処理室内を排気するガス排気系に設けられた真空ポンプの上流側に接続されていた。ガス排気系の真空ポンプは、例えば上流から順に設けられたメカニカルブースタポンプとドライポンプとから構成されており、例えば3万slmでの排気が可能なように構成されていた。
しかしながら、処理ガスをバイパス配管から排気させると、バイパス配管からガス排気系へと流れた処理ガスが、処理室内へと瞬間的に逆拡散(逆流)してしまう場合があった。その結果、ガス排気系内に残留していた異物等が処理ガスと共に処理室内に侵入してしまい、基板処理の品質低下や歩留り悪化を招いてしまう場合があった。処理室内への逆拡散を回避するには、バイパス配管の下流側をガス排気系に接続せず、バイパス配管の下流側に専用の真空ポンプを設ける構成も考えられる。しかしながら、かかる場合には基板処理装置の構成が複雑化してしまい、基板処理装置のコストや設置スペース(フットプリント)が増大してしまう場合があった。
そこで本発明は、バイパス配管の下流側に専用の真空ポンプを設けることなく、バイパス配管からガス排気系へと排気された処理ガスの処理室内への逆拡散を抑制することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様によれば、基板を収容する処理室と、前記基板を処理する処理ガスを処理ガス源から前記処理室内へ供給するガス供給系と、前記処理室内の雰囲気を排気するガス排気系と、前記ガス排気系に直列に設けられた少なくとも2つの真空ポンプと、前記ガス供給系と前記ガス排気系とを前記処理室を介さずに接続するバイパス配管と、を含み、前記真空ポンプの内、前記ガス排気系を流れるガスの最上流側に位置する真空ポンプはメカニカルブースタポンプであって、前記バイパス配管は、前記メカニカルブースタポンプとその下流に位置する真空ポンプとの間の位置に接続される基板処理装置が提供される。
本発明にかかる基板処理装置によれば、バイパス配管の下流側に専用の真空ポンプを設けることなく、バイパス配管からガス排気系へと排気された処理ガスの処理室内への逆拡散を抑制することが可能となる。
上述したように、Epi−Si膜やEpi−SiGe膜は、基板を収容した処理室内に処理ガスを供給することにより成長させることができる。エピタキシャル膜を成長させる際には、Poly−Si膜等の多結晶膜を成長させるときに比べて、処理ガスの供給流量について高い安定性が求められる場合がある。
例えば、シリコン基板上にEpi−SiGe膜を成長させるには、処理室内に例えばSiHガスやSiガス等のシラン系ガス、GeHガス等のゲルマン系ガス、あるいはClガス等の塩素系ガスを順次あるいは同時に供給するが、SiとGeの比率を正確に制御するには処理室201内に供給する各種ガスの流量を安定させる必要がある。また、Epi−SiGe膜に所定量のホウ素(B)元素をドープするには、処理室内に例えばHガスで希釈したBガスをさらに供給するが、Bのドープ量を正確に制御するには処理室内に供給する各種ガスの流量を同様に安定させる必要がある。また、Epi−Si膜を成長させるには、処理室内にSiHガスやSiガス等のシラン系ガスを供給した後、処理室201内にClガスを短時間(例えば30秒)供給する工程を繰り返すが、かかる方法においても処理室内へのClガスの供給流量を安定させる必要がある。
処理ガスの供給流量を安定させるには、処理室内への処理ガスの供給を開始する前に、ガス供給系に設けられたバイパス配管から処理ガスを排気してやることが有効である。バイパス配管から処理ガスを排気することにより、ガス供給系からの処理ガスの供給流量が供給開始直後に一時的に過大になってしまうオーバーシュート(over shoot)現象等を収束させることができる。オーバーシュート収束後に処理室内への処理ガスの供給を開始することにより、処理室内への処理ガスの供給流量を安定させることができる。
しかしながら、発明者等の鋭意研究によれば、従来の基板処理装置の構成では、処理ガスをバイパス配管から排気させようとすると、バイパス配管からガス排気系へ流れた処理ガスが、ガス排気系の下流側に流れずに処理室内へと瞬間的に逆拡散(逆流)してしまう場合があることが判明した。発明者等は、処理ガスの逆拡散を抑制する方法について鋭意研究を行った結果、バイパス配管の下流側の接続先を工夫することにより、上述の課題を解決可能であるとの知見を得た。
<本発明の一実施形態>
以下に、上述の知見を基になされた本発明の一実施形態について説明する。
(1)基板処理装置の構成
まず、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図1を参照しながら説明する。
図1に示すように、本実施形態にかかる基板処理装置101は、筐体111を有している。筐体111の内部の前面側(図1の右側)には、カセットステージ114が設けられている。カセットステージ114は、図示しない外部搬送装置との間で、基板収納容器としてのカセット(ポッド)110の授受を行うように構成されている。また、カセットステージ114の後側には、カセット110を昇降移動させる昇降手段としてのカセットエレベータ118が設けられている。カセットエレベータ118には、カセット110を水平移動させる搬送手段としてのカセット移載機118bが設けられている。さらに、カセットエレベータ118の後側には、カセット110の載置手段としてのカセット棚118aが設けられている。カセット棚118aには、移載棚123が設けられている。移載棚123には、処理対象の基板や処理後の基板を収容したカセット110が一時的に載置されている。また、カセットステージ114の上方には、カセット110の載置手段としての予備カセット棚107が設けられている。そして、予備カセット棚107の上方には、
クリーンエアを筐体111の内部に流通させるクリーンユニット134aが設けられている。
筐体111の後部(図1の左側)の上方には、下端部が開放した円筒形状の処理炉202が垂直に設けられている。処理炉202の詳細な構成については後述する。
処理炉202の下方には、昇降手段としてのボートエレベータ115が設けられている。ボートエレベータ115の下端部には、昇降基板252が設けられている。昇降基板252上には、基板保持手段としてのボート130が、蓋体としてのシールキャップ219を介して垂直に取り付けられている。ボートエレベータ115及びボート130の構成については後述する。ボートエレベータ115が上昇すると、処理炉202の内部にボート130が搬入されると共に、処理炉202の下端部がシールキャップ219により気密に封止されるように構成されている。また、処理炉202の下端部の横には、閉塞手段としての炉口シャッタ147が設けられている。炉口シャッタ147は、ボートエレベータ115が下降している間、処理炉202の下端部を気密に閉塞するように構成されている。
処理炉202とカセット棚118aとの間には、ウエハ200を昇降移動させる昇降手段としての移載エレベータ125bが設けられている。移載エレベータ125bには、ウエハ200を水平移動させる搬送手段としてのウエハ移載機112が取り付けられている。
(2)基板処理装置の動作
続いて、本実施形態にかかる基板処理装置の動作について、図1を参照しながら説明する。
まず、ウエハ200が装填されたカセット110が、図示しない外部搬送装置により搬送されて、カセットステージ114上に載置される。この際、ウエハ200が縦向きの姿勢になるように載置される。その後、カセットステージ114が90°回転することにより、ウエハ200の表面は基板処理装置の上方(すなわち図1の上方)を向き、ウエハ200は水平姿勢となる。
その後、カセットエレベータ118の昇降動作および水平動作と、カセット移載機118bの進退動作および回転動作との協調動作により、カセット110が、カセットステージ114上からカセット棚118a上または予備カセット棚107上へと搬送される。その後、ウエハ200の移載に供されるカセット110が、カセットエレベータ118およびカセット移載機118bの協調動作により、移載棚123上へと移載される。
その後、ウエハ移載機112の進退動作および回転動作と、移載エレベータ125bの昇降動作との協調動作により、移載棚123上のカセット110内に装填されていたウエハ200が、下降状態のボート130内に移載(装填)される。
その後、ボートエレベータ115が上昇することにより、処理炉202の内部にボート130が搬入されると共に、シールキャップ219により処理炉202の内部が気密に封止される。そして、気密に閉塞され減圧された処理炉202内でウエハ200が加熱され、処理炉202内に処理ガスが供給されることにより、ウエハ200の表面に所定の処理がなされる。かかる処理の詳細については後述する。
ウエハ200への処理が完了すると、上述の手順とは逆の手順により、処理後のウエハ200が、ボート130内から移載棚123上のカセット110内へと移載される。そして、処理後のウエハ200を格納したカセット110が、カセット移載機118bにより
、移載棚123上からカセットステージ114上へと移載され、図示しない外部搬送装置により筐体111の外部へと搬送される。なお、ボートエレベータ115が下降した後は、炉口シャッタ147が処理炉202の下端部を気密に閉塞して、処理炉202内へ外気が侵入することを防止している。
(3)処理炉の構成
続いて、本実施形態にかかる基板処理装置が備える処理炉202及びその周辺の構成について、図2〜図4を参照しながら説明する。図2は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備える処理炉の概略構成図である。図3は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備えるガス供給系、バイパス配管、ガス排気系の概略構成図である。図4は、図3に示すバイパス配管、ガス排気系の他の構成例を示す概略構成図である。
(処理室)
図2に示すように、本実施形態にかかる処理炉202は、反応管としてのアウターチューブ205を有している。アウターチューブ205は、石英(SiO)または炭化シリコン(SiC)等の耐熱材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウターチューブ205の内側の筒中空部には、減圧下で基板としてのウエハ200を処理する処理室201が形成されている。処理室201は、基板としてのウエハ200を、後述するボート130によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。なお、本発明は、処理室201内に複数枚のウエハ200が収容される場合に限定されず、処理室201内に1枚のウエハ200が収容される場合であっても好適に適用可能である。
アウターチューブ205の外側には、アウターチューブ205と同心円状に、加熱機構としてのヒータ206が設けられている。ヒータ206は円筒形状であり、ヒータ素線とその周囲に設けられた断熱部材とにより構成され、図示しない保持体に支持されることにより垂直に据え付けられている。なお、ヒータ206の近傍には、処理室201内の温度を検出する温度検出体としての温度センサ(図示せず)が設けられている。ヒータ206及び温度センサには、温度制御部302が電気的に接続されている。温度制御部302は、温度センサにより検出された温度情報に基づきヒータ206への通電具合を調節し、処理室201内の温度が所望のタイミングにて所望の温度分布となるよう制御する。
アウターチューブ205の下方には、アウターチューブ205と同心円状に、マニホールド209が配設されている。マニホールド209は、例えば、ステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。このマニホールド209は、アウターチューブ205を支持するように設けられている。なお、マニホールド209とアウターチューブ205との間には、シール部材としてのOリングが設けられている。また、マニホールド209の下方には、予備室としてのロードロック室140が設けられている。ロードロック室140の天板251とマニホールド209との間には、シール部材としてのOリングが設けられている。このマニホールド209が天板251により支持されることにより、アウターチューブ205は垂直に据え付けられた状態となっている。このアウターチューブ205とマニホールド209とにより反応容器が形成される。なお、天板251には、処理炉202の開口部である炉口261が設けられている。
(ガス供給系)
図2に示すように、マニホールド209の側壁には、ウエハ200を処理する第1処理ガスを処理室201内へ供給する第1ガス供給系としての第1ガス供給管150と、ウエハ200を処理する第2処理ガスを処理室201内へ供給する第2ガス供給系としての第2ガス供給管160と、ウエハ200を処理する第3処理ガスを処理室201内へ供給する第3ガス供給系としての第3ガス供給管170とが合流するように一本化して接続され
ている。第1ガス供給管150、第2ガス供給管160、第3ガス供給管170が合流するように一本化した下流側には、処理室201内に処理ガスを供給するガス供給ノズル220が接続されている。ガス供給ノズル220は、処理室の内壁に沿うように鉛直方向に配設されている。ガス供給ノズルには、積層されたウエハ200間の空間に処理ガスを供給するように、図示しないガス供給孔がそれぞれ設けられている。また、ガス供給ノズルは、かかる形態に限定されず、高さの異なる複数の支流ノズルに下流側が分岐されていてもよく、かかる場合、各支流ノズルには上述のガス供給孔を設けられず、各支流ノズルの下流端部から上方へ向けて処理ガスが供給されることとしてもよい。
第1ガス供給管150には、上流から順に、第1処理ガスを供給する第1処理ガス供給源153、流量制御手段としてのマスフローコントローラ(MFC)152、バルブ151が直列に設けられている。第2ガス供給管160には、上流から順に、第2処理ガスを供給する第2処理ガス供給源163、流量制御手段としてのマスフローコントローラ(MFC)162、バルブ161が直列に設けられている。第3ガス供給管170には、上流から順に、第3処理ガスを供給する第3処理ガス供給源173、流量制御手段としてのマスフローコントローラ(MFC)172、バルブ171が直列に設けられている。第1処理ガス供給源153は、第1処理ガスとして例えば可燃性ガスであるSiHガスやSiガス等のシラン系ガスやGeHガス等のゲルマン系ガスを供給するように構成され、第2処理ガス供給源163は第2処理ガスとして例えば支燃性ガスであるClガスを供給するように構成され、第3処理ガス供給源173は第3処理ガスとして例えばHガスを供給するように構成されている。
なお、本発明にかかるガス供給系は、合流するように1本化されてマニホールド209の側面に接続される上述の場合に限らず、第1ガス供給管150、第2ガス供給管160、第3ガス供給管170がそれぞれ個別にマニホールド209の側面に接続されていてもよい。かかる場合には、第1ガス供給管150、第2ガス供給管160、第3ガス供給管170のそれぞれの下流側にガス供給ノズルが接続されることとなる。なお、ガス供給系の数は、上述のように3つである場合に限らず、基板処理の内容に応じて、4つ以上であってもよく、2つ以下であってもよい。
(ガス排気系)
図2に示すように、マニホールド209の側壁には、処理室201内の雰囲気を排気するガス排気系としてのガス排気管231が接続されている。ガス排気管231には、少なくとも2つの真空ポンプが直列に設けられている。ガス排気管231を流れるガスの最上流側に位置する真空ポンプは、メカニカルブースタポンプであるように構成されている。
具体的には図3に示すように、ガス排気管231には、APCバルブ232、真空ポンプとしての第1メカニカルブースタポンプ(ルーツポンプ)233、第2メカニカルブースタポンプ234、ドライポンプ235が、上流から順に直列に設けられている。
第1メカニカルブースタポンプ233及び第2メカニカルブースタポンプ234は、例えば、ケーシング内にある2個のマユ型ロータが、その軸端の駆動ギアにより互いに反対方向に同期回転するように構成されている。ケーシングの一端に設けられた吸気口からケーシング内部へと吸引されたガスは、2つのロータとケーシングとの間の空間に閉じ込められつつロータの回転により移動させられ、ケーシングの他端に設けられた排気口から排出されるように構成されている。ロータ同士およびロータとケーシングとの間は、わずかな隙間(例えば0.1mm〜0.3mm)を保って回転するように構成されており、ケーシング内には、潤滑油を必要としないように構成されている。したがってオイルフリーな真空排気が可能なように構成されている。
ドライポンプ235は、処理室201内の汚染の原因となるポンプ油を使わない構成であれば、ルーツ型、クロー型、スクリュー型、ターボ型、スクロール型等のさまざまな方式による機械式真空ポンプ、あるいはソープションポンプ等の物理化学的な方式による真空ポンプを用いることが可能である。
ガス排気管231に、第1メカニカルブースタポンプ233、第2メカニカルブースタポンプ234、ドライポンプ235を直列に設けることにより、例えば6万slmの排気速度が実現されるように構成されている。なお、全体の排気速度は、主に第1メカニカルブースタポンプ233の排気性能により定まる。すなわち、第1メカニカルブースタポンプ233の排気速度が全体の排気速度を定める律速となり、主に第1メカニカルブースタポンプ233の排気性能により処理室201内の圧力が決定されるように構成されている。
ガス排気管231には、APCバルブ232の上流側と下流側(第1メカニカルブースタポンプ233とAPCバルブ232との間)とを結ぶように、スロー排気管236が設けられている。スロー排気管236には開閉バルブ237が設けられている。また、APCバルブ232の上流側におけるガス排気管231内には、図示しないが、処理室201内の圧力を検知する圧力検知手段としての圧力センサが設けられている。なお、圧力センサは、ガス排気管231内に限らず処理室201内に設けられていてもよい。圧力センサ及びAPCバルブ232には、圧力制御部304が電気的に接続されている。圧力制御部304は、圧力センサにより検出された圧力に基づいてAPCバルブ232の開度を調節し、処理室201内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように制御するよう構成されている。
なお、本発明は、図3のように第1メカニカルブースタポンプ233、第2メカニカルブースタポンプ234、ドライポンプ235の3つの真空ポンプが設けられる場合に限定されない。すなわち、図4のように、第1メカニカルブースタポンプ233とドライポンプ235との2つの真空ポンプのみが設けられる場合(第2メカニカルブースタポンプ234が設けられていない場合)であっても好適に適用可能である。
(バイパス配管)
図3に示すように、本実施形態にかかる基板処理装置101は、第1ガス供給管150とガス排気管231とを処理室201を介さずに接続する第1バイパス配管155と、第2ガス供給管160とガス排気管231とを処理室201を介さずに接続する第2バイパス配管165と、第3ガス供給管170とガス排気管231とを処理室201を介さずに接続する第3バイパス配管175と、を備えている。
第1バイパス配管155の上流側は、第1ガス供給管150のバルブ151とマスフローコントローラ152との間に接続されており、第2バイパス配管165の上流側は、第2ガス供給管160のバルブ161とマスフローコントローラ162との間に接続されており、第3バイパス配管175の上流側は、第3ガス供給管170のバルブ171とマスフローコントローラ172との間に接続されている。また、第1バイパス配管155、第2バイパス配管165、第3バイパス配管175の下流側は、ガス排気管231の第1メカニカルブースタポンプ233と、その下流に位置する真空ポンプ(図3の形態で有れば第2メカニカルブースタポンプ234、図4の形態で有ればドライポンプ235)と、の間に接続されている。第1バイパス配管155、第2バイパス配管165、第3バイパス配管175の下流側の構成が、本実施形態にかかる基板処理装置の特徴の一つである。
第1バイパス配管155、第2バイパス配管165、第3バイパス配管175には、それぞれバルブ156,166,176が設けられている。なお、第1バイパス配管155
、第2バイパス配管165、第3バイパス配管175を流れるガスの流量は、それぞれ例えば1slm程度である。
なお、本実施形態においては、バイパス配管は全ての処理ガス源に対応する本数(つまり3本)が設けられることとしているが、本発明はかかる形態に限定されない。すなわち、一部の処理ガス源にのみ設けられることとしても本発明は適用可能である。例えば、第1ガス供給管150及び第2ガス供給管160の両方あるいはいずれか一方にバイパス配管が設けられ、その他のガス供給管にはバイパス配管が設けられなくてもよい。
(ボートエレベータ)
ロードロック室140を構成する側壁の外面には、ボートエレベータ115が設けられている。ボートエレベータ115は、下基板245、ガイドシャフト264、ボール螺子244、上基板247、昇降モータ248、昇降基板252、及びベローズ265を備えている。下基板245は、ロードロック室140を構成する側壁の外面に水平姿勢で固定されている。下基板245には、昇降台249と嵌合するガイドシャフト264、及び昇降台249と螺合するボール螺子244がそれぞれ鉛直姿勢で設けられている。ガイドシャフト264及びボール螺子244の上端には、上基板247が水平姿勢で固定されている。ボール螺子244は、上基板247に設けられた昇降モータ248により回転させられるように構成されている。また、ガイドシャフト264は、昇降台249の上下動を許容しつつ水平方向の回転を抑制するように構成されている。そして、ボール螺子244を回転させることにより、昇降台249が昇降するように構成されている。
昇降台249には、中空の昇降シャフト250が垂直姿勢で固定されている。昇降台249と昇降シャフト250との連結部は、気密に構成されている。昇降シャフト250は、昇降台249と共に昇降するように構成されている。昇降シャフト250の下方側端部は、ロードロック室140を構成する天板251を貫通している。天板251に設けられる貫通穴の内径は、昇降シャフト250と天板251とが接触することのない様に、昇降シャフト250の外径よりも大きく構成されている。ロードロック室140と昇降台249との間には、昇降シャフト250の周囲を覆うように、伸縮性を有する中空伸縮体としてのベローズ265が設けられている。昇降台249とベローズ265との連結部、及び天板251とベローズ265との連結部はそれぞれ気密に構成されており、ロードロック室140内の気密が保持されるように構成されている。ベローズ265は、昇降台249の昇降量に対応できる充分な伸縮量を有している。ベローズ265の内径は、昇降シャフト250とベローズ265とが接触することのない様に、昇降シャフト250の外径よりも充分に大きく構成されている。
ロードロック室140内に突出した昇降シャフト250の下端には、昇降基板252が水平姿勢で固定されている。昇降シャフト250と昇降基板252との連結部は、気密に構成されている。昇降基板252の上面には、Oリング等のシール部材を介してシールキャップ219が気密に取付けられている。シールキャップ219は、例えばステンレス等の金属よりなり、円盤状に形成されている。昇降モータ248を駆動してボール螺子244を回転させ、昇降台249、昇降シャフト250、昇降基板252、及びシールキャップ219を上昇させることにより、処理炉202内にボート130が搬入(ボートローディング)されると共に、処理炉202の開口部である炉口261がシールキャップ219により閉塞されるよう構成されている。また、昇降モータ248を駆動してボール螺子244を回転させ、昇降台249、昇降シャフト250、昇降基板252、及びシールキャップ219を下降させることにより、処理室201内からボート130が搬出(ボートアンローディング)されるよう構成されている。昇降モータ248には、駆動制御部305が電気的に接続されている。駆動制御部305は、ボートエレベータ115が所望のタイミングにて所望の動作をするよう制御する。
昇降基板252の下面には、Oリング等のシール部材を介して駆動部カバー253が気密に取付けられている。昇降基板252と駆動部カバー253とにより駆動部収納ケース256が構成されている。駆動部収納ケース256の内部は、ロードロック室140内の雰囲気と隔離されている。駆動部収納ケース256の内部には、回転機構254が設けられている。回転機構254には電力供給ケーブル258が接続されている。電力供給ケーブル258は、昇降シャフト250の上端から昇降シャフト250内を通って回転機構254まで導かれており、回転機構254に電力を供給するように構成されている。回転機構254が備える回転軸255の上端部は、シールキャップ219を貫通して、基板保持具としてのボート130を下方から支持するように構成されている。回転機構254を作動させることにより、ボート130に保持されたウエハ200を処理室201内で回転させることが可能なように構成されている。回転機構254には、駆動制御部305が電気的に接続されている。駆動制御部305は、回転機構254が所望のタイミングにて所望の動作をするよう制御する。
また、駆動部収納ケース256の内部であって回転機構254の周囲には、冷却機構257が設けられている。冷却機構257及びシールキャップ219には冷却流路259が形成されている。冷却流路259には冷却水を供給する冷却水配管260が接続されている。冷却水配管260は、昇降シャフト250の上端から昇降シャフト250内を通って冷却流路259まで導かれ、冷却流路259にそれぞれ冷却水を供給するように構成されている。
(ボート)
基板保持具としてのボート130は、例えば石英(SiO)や炭化珪素(SiC)等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ200を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。なお、ボート130の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板216が、水平姿勢で多段に複数枚配置されている。断熱板216は、ヒータ206からの熱をマニホールド209側に伝えにくくするように機能する。
(コントローラ)
また、本実施形態にかかる基板処理装置は、制御手段としてのコントローラ300を有している。コントローラ300は、CPU、メモリ、HDDなどの記憶装置、操作部、入出力部を備えた主制御部301を備えている。主制御部301は、上述の温度制御部302、ガス流量制御部303、圧力制御部304、駆動制御部305、ボートエレベータ115の昇降モータ248、及び回転機構254に電気的に接続されており、基板処理装置全体を制御するように構成されている。
(4)基板処理工程
以下に、本実施形態にかかる半導体装置の製造工程の一工程として、ウエハ200上にエピタキシャルシリコン膜(Epi−Si膜)をサイクル成長させる基板処理工程について、図9を参照しながら説明する。図9は、本発明の一実施形態にかかる基板処理工程のフロー図である。なお、基板処理装置101を構成する各部の動作は、コントローラ300により制御される。なお、第1処理ガス供給源153、第2処理ガス供給源163、及び第3処理ガス供給源173には、第1処理ガスとしての可燃性ガスであるSiHガス、第2処理ガスとしての支燃性ガスであるClガス、及び第3処理ガスとしてのHガスがそれぞれ封入されていることとする。また、処理対象のウエハ200の表面のすくなくとも一部には、シリコンが露出しているものとする。
(基板搬入工程(S10))
まず、ウエハ移載機112により、降下状態のボート130に複数枚の処理対象のウエハ200を装填する。所定枚数のウエハ200の装填が完了したら、昇降モータ248を駆動して、所定枚数のウエハ200を保持したボート130を処理室201内に搬入(ボートローディング)すると共に、処理炉202の開口部である炉口261をシールキャップ219により閉塞する。
(減圧・昇温工程(S20))
次に、処理室201内が所望の圧力(真空度)となるように、第1メカニカルブースタポンプ233、第2メカニカルブースタポンプ234、ドライポンプ235により処理室201内を真空排気する。この際、バルブ151,156,161,166,171,176は閉めておく。
そして、処理室201内の圧力を圧力センサにより測定し、この測定した圧力に基づきAPCバルブ232をフィードバック制御する。本実施形態においては、処理室201内は例えば40Pa以下に減圧される。また、第1メカニカルブースタポンプ233と第2メカニカルブースタポンプ234との間のガス排気管231内は、例えば100Pa程度に減圧される。なお、第1バイパス配管155のバルブ156の下流側、第2バイパス配管165のバルブ166の下流側、第3バイパス配管175のバルブ176の下流側も、第1メカニカルブースタポンプ233と第2メカニカルブースタポンプ234との間のガス排気管231内と連通していることから、同様に例えば100Pa程度に減圧される。
なお、ガス排気管231に設けられた第1メカニカルブースタポンプ233、第2メカニカルブースタポンプ234、ドライポンプ235は、いずれもポンプ油を用いない構成であることから、処理室201内、ガス排気管231、第1バイパス配管155内、第2バイパス配管165内、第3バイパス配管175内はクリーン(オールフリー)に保たれる。
また、処理室201内が所望の温度分布となるように、ヒータ206により処理室201内を加熱する。この際、温度センサにより温度を検出し、検出した温度情報に基づきヒータ206への通電具合をフィードバック制御する。続いて、回転機構254により、ボート130及びウエハ200を回転させる。
(SiHガス供給工程(S30))
次に、第1処理ガスとしてのSiHガスを、第1処理ガス供給源153(第1ガス供給管150)より処理室201内へと供給する。具体的には、バルブ156を閉めたままバルブ151を開け、マスフローコントローラ152により流量制御しながら、処理室201内へのSiHガスの供給を開始する。処理室201内に供給されたSiHガスは、ウエハ200表面と接触した後、ガス排気管231から処理室201外へと排気される。SiHガスの供給を所定時間継続した後、バルブ151を閉め、処理室201内へのSiHガスの供給を停止する。
なお、SiHガス供給工程(S30)においては、バルブ176を閉めたままバルブ171を開け、マスフローコントローラ172により流量制御しながら、SiHガスと同時にHガスを処理室201内へ供給することが好ましい。これにより、薄膜成長させる下地の表面等に存在する酸素(O)元素を還元させ、Epi−Si膜中の酸素濃度を低下させることができる。
(Clガスバイパス排出工程(S31))
SiHガス供給工程(S30)の実施が完了するまで、Clガスバイパス排出工程(S31)を並行して実施し、第2処理ガス供給源163(第2ガス供給管160)から
のClガスの流量を安定させておく。Clガスバイパス排出工程(S31)では、第2バイパス配管165にClガスを流してガス排気管231に排気しておく。すなわち、バルブ161を閉めたままバルブ166を開け、Clガスを処理室201内に供給することなく第2バイパス配管165からガス排気管231へと排気することにより、第2処理ガス供給源163(第2ガス供給管160)からのClガスの供給流量が供給開始直後に一時的に過大になってしまうオーバーシュート現象を収束させておく。
なお、上述したように、第1メカニカルブースタポンプ233と第2メカニカルブースタポンプ234との間のガス排気管231内は例えば100Pa程度に減圧され、処理室201内の圧力は例えば40Pa以下に減圧されている。すなわち、Clガスが排出されるガス排気管231内の圧力の方が、処理室201内の圧力の方よりも高いことになる。このような圧力状態であっても、本実施形態では、第2バイパス配管165の下流側は第1メカニカルブースタポンプ233と第2メカニカルブースタポンプ234との間に接続されているため、処理室201内へClガスが逆拡散(逆流)してしまうことが抑制される。すなわち、ガス排気管231の第2バイパス配管165との接続箇所の上流側には、第1メカニカルブースタポンプ233が設けられているため、第2バイパス配管165からガス排気管231へと排気されたClガスが、ガス排気管231の下流側へ流れずに上流側(処理室201側)へと逆拡散(逆流)してしまうことが抑制される。
(Clガス供給工程(S40))
第2処理ガス供給源163(第2ガス供給管160)からのClガスの流量が安定したら、第2ガス供給管160より処理室201内へとClガスを供給する。具体的には、バルブ166を閉め、バルブ161を開け、マスフローコントローラ162により流量制御しながら、処理室201内へのClガスの供給を開始する。処理室201内に供給されたClガスは、ウエハ200表面と接触した後、ガス排気管231から処理室201外へと排気される。
なお、Clガスバイパス排出工程(S31)における第2ガス供給管160からのClガスの供給先(第2バイパス配管165内)は例えば100Pa程度に減圧されており、Clガス供給工程(S40)における第2ガス供給管160からのClガスの供給先(処理室201内)は例えば40Pa以下に減圧されている。すなわち、Clガスバイパス排出工程(S31)とClガス供給工程(S40)とでは、Clガスの供給先に若干の圧力差が存在することとなる。しかしながら、この程度の圧力差は、基板処理の品質や歩留まりにほとんど影響しない。つまり、バイパス排出工程(S31)からClガス供給工程(S40)へと切り替えたとしても、第2ガス供給管160からのClガスの供給流量の乱れは少なく、基板処理の品質や歩留まりにほとんど影響しない。
なお、Clガス供給工程(S40)においては、バルブ176を閉めたままバルブ171を開け、マスフローコントローラ172により流量制御しながら、Clガスと同時にHガスを処理室201内へ供給することが好ましい。これにより、薄膜成長させる下地の表面等に存在する酸素(O)元素を還元させ、Epi−Si膜中の酸素濃度を低下させることができる。
このように、SiHガス供給工程(S30)とClガス供給工程(S40)とを実施してウエハ200の表面にSiHガスとClガスとを供給することにより、ウエハ200上のシリコン露出面上にEpi−Si膜を選択的に成長させることができる。
(Clガスバイパス排出工程(S51))
Clガス供給工程(S40)を所定時間(例えば30秒)実施したら、バルブ161を閉め、バルブ166を開け、Clガスを処理室201内に供給することなく第2バイ
パス配管165からガス排気管231へと排気する。かかる場合においても、第2バイパス配管165の下流側は、第1メカニカルブースタポンプ233と第2メカニカルブースタポンプ234との間に接続されているため、処理室201内へClガスが逆拡散(逆流)してしまうことが抑制される。
なお、Clガスバイパス排出工程(S51)においては、バルブ166を閉めたままバルブ161を閉めることとし、第2バイパス配管165へClガスを流すことなくClガスの処理室201内への供給を停止してもよい。かかる場合であっても、後工程でClガスバイパス排出工程(S31)を再び実施することにより、処理室201内へ供給するClガスの供給流量を安定させることができる。
(Hガス供給工程(S50))
Clガスバイパス排出工程(S51)と並行して、Hガス供給工程(S50)を実施する。すなわち、具体的には、バルブ176を閉め、バルブ171を開け、マスフローコントローラ162により流量制御しながら、処理室201内へのHガスの供給を開始する。これによりウエハ200やEpi−Si膜の表面に存在する酸素(O)元素を還元させ、Epi−Si膜中の酸素濃度を低下させることができる。Hガスの供給を所定時間継続した後、バルブ176を閉め、処理室201内へのHガスの供給を停止する。
(繰り返し工程)
以下、SiHガス供給工程(S30)〜Hガスバイパス排出工程(S51)を1サイクルとして、このサイクルを繰り返すことにより、ウエハ200上のシリコン露出面上に所望の厚さのEpi−Si膜を選択的に成長させる。なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、SiHガス供給工程(S30)、Clガス供給工程(S40)、Hガス供給工程(S50)を同時に行うこととしてもよい。かかる場合であっても、Clガス供給工程(S40)の実施前後には、Clガスバイパス排出工程(S31)とClガスバイパス排出工程(S51)とをそれぞれ実施する。また、Hガス供給工程(S50)は必ずしも実施しなくてもよく、SiHガス供給工程(S30)〜Hガスバイパス排出工程(S51)を1サイクルとして、このサイクルを繰り返すこととしてもよい。
(処理ガス排気工程(S60))
所望の厚さのEpi−Si膜を成長させてウエハ200を処理した後、ガス排気管231を介して処理室201内に残留している処理ガスを排気する。この際、バルブ151,161,171は閉めたままとする。なお、図示しない不活性ガス供給ラインからNガス等の不活性ガスを処理室201内に供給することにより、処理室201内からの処理ガスの排気を促すことができる。処理室201内から処理ガスを排気した後、処理室201内に不活性ガスを供給しつつAPCバルブ232の開度を調整させ、処理室201内の圧力を大気圧にまで復帰させる。続いて、回転機構254の動作を停止させる。なお、APCバルブ232を閉める場合には、開閉バルブ237を開けて、スロー排気管236により処理室201内を低速で排気することとしてもよい。
(基板搬出工程(S70))
その後、昇降モータ248を作動させてシールキャップ219を下降させ、処理炉202の開口部である炉口261を開口させると共に、成膜済のウエハ200を保持したボート130を処理室201外へと搬出(ボートアンローディング)する。その後、ウエハ移載機112により、処理済のウエハ200をボート130より取り出し(ウエハディスチャージ)て、本実施形態にかかる基板処理工程を完了する。
なお、ウエハ200を処理する際の処理条件としては、例えば、Epi−Si膜の成膜において、処理温度400℃〜700℃、処理圧力1Pa〜200Paが例示される。ま
た、SiHガス供給工程(S30)においては、SiHガスの供給流量:100sccm、Hガスの供給流量:1slmが例示され、Clガス供給工程(S40)においては、Clガスの供給流量:50sccm、Hガスの供給流量:1slmが例示される。
(5)効果
本実施形態によれば、以下に示す(a)〜(e)のうち1つまたは複数の効果を奏する。
(a)本実施形態によれば、SiHガス供給工程(S30)と並行してClガスバイパス排出工程(S31)を実施する。Clガスバイパス排出工程(S31)では、バルブ161を閉めたままバルブ166を開け、Clガスを処理室201内に供給することなく第2バイパス配管165からガス排気管231へと排気することにより、第2処理ガス供給源163(第2ガス供給管160)からのClガスの供給流量が供給開始直後に一時的に過大になってしまうオーバーシュート現象を収束させておく。これにより、Clガスバイパス排出工程(S31)の後に実施するClガス供給工程(S40)において、処理室201内に供給するClガスの供給流量を安定させることができ、基板処理の品質を向上させ、歩留りを改善させることができる。
(b)本実施形態によれば、第2バイパス配管165の下流側は、第1メカニカルブースタポンプ233と第2メカニカルブースタポンプ234との間に接続されている。このため、処理室201内へClガスが逆拡散(逆流)してしまうことを抑制できる。例えば、Clガスバイパス排出工程(S31)やClガスバイパス排出工程(S51)においては、第1メカニカルブースタポンプ233と第2メカニカルブースタポンプ234との間のガス排気管231内は例えば100Pa程度に減圧され、処理室201内の圧力は例えば40Pa以下に減圧されている。すなわち、Clガスが排出されるガス排気管231内の圧力の方が、処理室201内の圧力の方よりも高いことになる。このような圧力状態であっても、本実施形態では、ガス排気管231の第2バイパス配管165との接続箇所の上流側に第1メカニカルブースタポンプ233が設けられているため、第2バイパス配管165からガス排気管231へと排気されたClガスが、ガス排気管231の下流側へ流れずに上流側(処理室201側)へと逆拡散(逆流)してしまうことを抑制できる。その結果、ガス排気管231内に残留していた異物等がClガスと共に処理室201内に侵入してしまうことが抑制され、基板処理の品質を向上させ、歩留りを改善させることができる。
参考までに、従来の基板処理装置が備えるガス供給系、バイパス配管、ガス排気系の概略構成を図5及び図6に示す。図5に示す従来の基板処理装置では、ガス排気管231に第1メカニカルブースタポンプ233、第2メカニカルブースタポンプ234、ドライポンプ235の3つの真空ポンプが直列に設けられており、図6に示す従来の基板処理装置では、ガス排気管231に第1メカニカルブースタポンプ233、ドライポンプ235の2つの真空ポンプが直列に設けられている。いずれの場合においても、第1バイパス配管155、第2バイパス配管165、第3バイパス配管175の下流側は、ガス排気管231の第1メカニカルブースタポンプ233の上流側に接続されている。発明者等の鋭意研究によれば、かかる構成では、Clガスを第2バイパス配管165から排気させようとすると、ガス排気管231へと排気されたClガスが処理室201内へ逆拡散(逆流)してしまう場合がある。すなわち、従来の基板処理装置では、ガス排気管231の第2バイパス配管165との接続箇所の上流側には本実施形態のように真空ポンプ(第1メカニカルブースタポンプ233)が設けられていないため、Clガスが排出されるガス排気管231内の圧力の方が処理室201内の圧力の方よりも高い(あるいは同程度である)と、ガス排気管231へと排気されたClガスが処理室201内へ逆拡散(逆流)して
しまう場合がある。
(c)本実施形態によれば、第1バイパス配管155、第2バイパス配管165、第3バイパス配管175の下流側を、ガス排気管231の第1メカニカルブースタポンプ233と、その下流に位置する真空ポンプ(図3の形態で有れば第2メカニカルブースタポンプ234、図4の形態で有ればドライポンプ235)と、の間に接続することとにより、Clガスの処理室201内への逆拡散(逆流)を抑制できる。すなわち、第1バイパス配管155、第2バイパス配管165、第3バイパス配管175の下流側に専用の真空ポンプを新たに設ける必要がない。そのため、基板処理装置101の構成を単純化させることができ、基板処理装置101のコストや設置スペース(フットプリント)の増大を抑制することができる。
参考までに、バイパス配管に専用ポンプを設けた従来の基板処理装置が備えるガス供給系、バイパス配管、ガス排気系の概略構成を図7及び図8に示す。図7に示す従来の基板処理装置では、ガス排気管231に第1メカニカルブースタポンプ233、第2メカニカルブースタポンプ234、ドライポンプ235の3つの真空ポンプが直列に設けられており、図8に示す従来の基板処理装置では、ガス排気管231に第1メカニカルブースタポンプ233、ドライポンプ235の2つの真空ポンプが直列に設けられている。いずれの場合においても、第1バイパス配管155、第2バイパス配管165、第3バイパス配管175はガス排気管231に接続されておらず、また、第1バイパス配管155、第2バイパス配管165、第3バイパス配管175の下流側には専用ポンプ238が新たに設けられている。発明者等の鋭意検討によれば、かかる構成では、基板処理装置101の構成が複雑化し、基板処理装置101のコストや設置スペース(フットプリント)が増大してしまう場合がある。
(d)本実施形態によれば、ガス排気管231に設けられた第1メカニカルブースタポンプ233、第2メカニカルブースタポンプ234、ドライポンプ235は、いずれもポンプ油を用いない構成であることから、処理室201内、ガス排気管231内、第1バイパス配管155内、第2バイパス配管165内、第3バイパス配管175内をクリーンに保つ(オールフリーに保つ)ことが可能となる。
(e)本実施形態によれば、ガス排気管231には、真空ポンプとして、ターボ分子ポンプ(TMP)ではなく、メカニカルブースタポンプ(MBP)とドライポンプ(DP)とを設けることとしている。ターボ分子ポンプとは、機械式真空ポンプの一種であり、金属製のタービン翼を持った回転体であるロータを高速回転させ、ガス分子を弾き飛ばす(ガス分子を押しやり圧縮する)ことにより排気するポンプである。ターボ分子ポンプでは大気圧まで圧縮することは困難であるため、ターボ分子ポンプの後に他の粗引きポンプを下流側に接続して使用する必要がある。発明者等の鋭意検討によれば、1度に多数枚の基板を処理するバッチ式基板処理(バッチ式エピタキシャル膜成長)においては、処理室201内に大流量の処理ガスを供給する必要があるため、有効作動領域が狭く大流量の処理ガスを排気することが困難なターボ分子ポンプよりも、有効作動領域が広く大流量の処理ガスを排気することが容易なメカニカルブースタポンプとドライポンプとの組み合わせの方が好適であるものと考えられる。また、ガス排気管231とのメタルシールやボルト締めによる固定が必要なターボ分子ポンプ(TMP)よりも、メカニカルブースタポンプやドライポンプの方が容易に設置できるものと考えられる。一般的には、ターボ分子ポンプは、メカニカルブースタポンプと比較して有効作動領域が狭い場合が多いため、仮にガス排気管231にターボ分子ポンプ(TMP)を設ける場合には、ガス排気管231の最上流側(処理室201に最も近い位置)に設けることで、ターボ分子ポンプ(TMP)の排気効率を最適化させ、処理室201内への処理ガスの逆拡散(逆流)を抑制するようにしなければならない。
<本発明の他の実施形態>
上述の実施形態において、バルブ151とバルブ156、バルブ161とバルブ166、バルブ171とバルブ176は、それぞれインターロックとして構成してもよい。例えば、バルブ151とバルブ156のうちいずれかの一方のバルブを閉める場合には、他方のバルブを自動的に開放するように構成し、バルブ151とバルブ156のうちいずれか一方のバルブを開ける場合には、他方のバルブを自動的に閉めるように構成してもよい。かかる開閉動作はコントローラ300により自動的に制御される。このように構成することにより、バルブの開閉操作の誤りによる処理ガスの供給流量の乱れを抑制でき、基板処理の品質を向上させ、歩留りを改善させることができる。
上述の実施形態では、Clガスの供給流量を安定させるようにClガスについてのみ第2バイパス配管165を用いて排気する例について説明したが、本発明はかかる構成に限定されない。すなわち、SiHガスについても、Clガスの場合と同様に、第1バイパス配管155を用いて供給流量を安定させてもよい。また、Hガスについても、Clガスの場合と同様に、第3バイパス配管175を用いて供給流量を安定させてもよい。
上述の実施形態では、処理室201内にSiHガス、Clガス、Hガスを供給してEpi−Si膜を成長させる場合について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されない。すなわち、第1処理ガス供給源153にSiガス等のSiHガス以外のシラン系ガスが封入されており、処理室201内にかかるSiガス等のシラン系ガス、Clガス、Hガスを順次あるいは同時に供給することによりEpi−Si膜を成長させる場合にも、本発明は好適に適用可能である。
また、第1処理ガス供給源153、第2処理ガス供給源163、及び第3処理ガス供給源173に、SiHガスやSiガス等のシラン系ガス、GeHガス等のゲルマン系ガス、及びClガスがそれぞれ封入されており、処理室201内にこれら各種ガスを順次あるいは同時に供給することによりEpi−SiGe膜を成長させる場合にも、本発明は好適に適用可能である。このとき、第1バイパス配管155、第2バイパス配管165、第3バイパス配管175を用い上述の実施形態と同様にSiとGeの比率を調整して各種ガスの流量を安定させることが可能であるとともに、各種ガスの処理室201内への逆拡散(逆流)を抑制することが可能である。又、Bドープを行う場合も、B含有ガスを供給する前にバイパス配管を用い、上述の実施形態と同様にB含有ガスの流量を安定させることが可能である。
<本発明の好ましい態様>
以下に、本発明の好ましい態様を付記する。
本発明の第1の態様によれば、
基板を収容する処理室と、
前記基板を処理する処理ガスを処理ガス源から前記処理室内へ供給するガス供給系と、
前記処理室内の雰囲気を排気するガス排気系と、
前記ガス排気系に直列に設けられた少なくとも2つの真空ポンプと、
前記ガス供給系と前記ガス排気系とを前記処理室を介さずに接続するバイパス配管と、を含み、
前記真空ポンプの内、前記ガス排気系を流れるガスの最上流側に位置する真空ポンプはメカニカルブースタポンプであって、前記バイパス配管は、前記メカニカルブースタポンプとその下流に位置する真空ポンプとの間の位置に接続される基板処理装置が提供される。
本発明の第2の態様によれば、
前記ガス排気系の前記バイパス配管との接続部よりもガスの下流側の真空ポンプは、ドライポンプである第1の態様に記載の基板処理装置が提供される。
本発明の第3の態様によれば、
前記ガス排気系の前記バイパス配管との接続部よりもガスの下流側の真空ポンプは、メカニカルブースタポンプである第1の態様に記載の基板処理装置が提供される。
本発明の第4の態様によれば、
前記ガス排気系の前記バイパス配管との接続部よりもガス下流側の真空ポンプは、上流側から順にメカニカルブースタポンプとドライポンプである第1の態様に記載の基板処理装置が提供される。
本発明の第5の態様によれば、
前記処理ガス源が複数設けられ、前記バイパス配管は前記処理ガス源に対応する数を有し、それぞれの前記バイパス配管が前記メカニカルブースタポンプとその下流に位置する真空ポンプとの間の位置に接続される第1の態様に記載の基板処理装置が提供される。
本発明の第6の態様によれば、
前記処理室は複数の基板を収容する請求項1に記載の基板処理装置が提供される。
本発明の第7の態様によれば、
基板を処理するガスを供給するガス供給系と、
基板を処理する処理室と、
前記供給系より供給されたガスを排気するガス排気系と、
前記ガス供給系と前記ガス排気系を直接接続するバイパス配管と、を含み、
前記ガス排気系にメカニカルブースタポンプとドライポンプを設け、前記バイパス配管は前記メカニカルブースタポンプと前記ドライポンプとの間に接続される基板処理装置が提供される。
本発明の第8の態様によれば、
基板を処理するガスを供給するガス供給系と、
基板を処理する処理室と、
前記供給系より供給されたガスを排気するガス排気系と、
前記ガス供給系と前記ガス排気系を直接接続するバイパス配管と、を含み、
前記ガス排気系にターボ分子ポンプを含まない3つの真空ポンプを設け、前記バイパス配管はガスの最上流側に位置する真空ポンプと他の真空ポンプとの間に接続される基板処理装置が提供される。
本発明の第9の態様によれば、
前記3つのポンプは、2つのメカニカルブースタポンプと1つのドライポンプであって、前記最上流側の真空ポンプはメカニカルブースタポンプである第8の態様に記載の基板処理装置が提供される。
本発明の第10の態様によれば、
基板を収容する処理室と、前記基板を処理する処理ガスを処理ガス源から前記処理室内へ供給するガス供給系と、前記処理室内の雰囲気を排気するガス排気系と、前記ガス排気系に直列に設けられた少なくとも2つの真空ポンプと、前記ガス供給系と前記ガス排気系とを前記処理室を介さずに接続するバイパス配管と、を含み、前記真空ポンプの内、前記
ガス排気系を流れるガスの最上流側に位置する真空ポンプはメカニカルブースタポンプであって、前記バイパス配管は、前記メカニカルブースタポンプとその下流に位置する真空ポンプとの間の位置に接続される基板処理装置により実施され、
前記基板を処理する前に前記処理ガス源からの前記処理ガスの流量を安定させるよう前記バイパス配管に前記処理ガスを流して前記ガス排気系に排気する工程と、
前記処理室内に前記処理ガス源から前記処理ガスを供給して前記基板を処理する工程と、
前記基板を処理した後、前記ガス排気系を介して前記処理室内の前記処理ガスを排気する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の概略構成図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備える処理炉の概略構成図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備えるガス供給系、バイパス配管、ガス排気系の概略構成図である。 図3に示すバイパス配管、ガス排気系の他の構成例を示す概略構成図である。 従来の基板処理装置が備えるガス供給系、バイパス配管、ガス排気系の概略構成図である。 図5に示すバイパス配管、ガス排気系の他の構成例を示す概略構成図である。 バイパス配管に専用ポンプを設けた従来の基板処理装置が備えるガス供給系、バイパス配管、ガス排気系の概略構成図である。 図7に示すバイパス配管、ガス排気の他の構成例を示す概略構成図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理工程のフロー図である。
符号の説明
101 基板処理装置
150 第1ガス供給管(ガス供給系)
153 第1処理ガス供給源
155 第1バイパス配管
160 第2ガス供給管(ガス供給系)
163 第2処理ガス供給源
165 第2バイパス配管
170 第3ガス供給管(ガス供給系)
173 第3処理ガス供給源
175 第3バイパス配管
200 ウエハ(基板)
201 処理室
202 処理炉
231 ガス排気管(排気系)
233 第1メカニカルブースタポンプ(真空ポンプ)
234 第2メカニカルブースタポンプ(真空ポンプ)
235 ドライポンプ(真空ポンプ)
300 コントローラ

Claims (5)

  1. 基板を収容する処理室と、
    前記基板を処理する処理ガスを処理ガス源から前記処理室内へ供給するガス供給系と、
    前記処理室内の雰囲気を排気するガス排気系と、
    前記ガス排気系に直列に設けられた少なくとも3つの真空ポンプと、
    前記ガス供給系と前記ガス排気系とを前記処理室を介さずに接続するバイパス配管と、を含み、
    前記3つの真空ポンプは、上流側から順に、それぞれ第1メカニカルブースタポンプ、第2メカニカルブースタポンプ、ドライポンプとして構成され、
    前記バイパス配管は、前記第1メカニカルブースタポンプとその下流に位置する前記第2メカニカルブースタポンプとの間の位置に接続される基板処理装置。
  2. 基板を収容する処理室と、
    前記基板を処理する処理ガスを処理ガス源から前記処理室内へ供給するガス供給系と、
    前記処理室内の雰囲気を排気するガス排気系と、
    前記ガス排気系に直列に設けられた少なくとも3つの真空ポンプと、
    前記ガス供給系と前記ガス排気系とを前記処理室を介さずに接続するバイパス配管と、
    前記ガス供給系と前記ガス排気系とを制御する制御部と、
    を含み、
    前記3つの真空ポンプは、上流側から順に、それぞれ第1メカニカルブースタポンプ、第2メカニカルブースタポンプ、ドライポンプとして構成されており、
    前記バイパス配管は、前記第1メカニカルブースタポンプとその下流に位置する前記第2メカニカルブースタポンプとの間の位置に接続され、
    前記制御部は、
    前記処理ガス源からの処理ガスの流量を安定させるように前記基板を処理する前に前記バイパス配管に処理ガスを流して前記ガス排気系に排気させた後、
    前記処理室内に前記処理ガス源から前記処理ガスを供給して前記基板を処理し、
    前記基板を処理した後、前記ガス排気系を介して前記処理室内の前記処理ガスを排気させるように、前記ガス供給系と前記ガス排気系とを制御する基板処理装置。
  3. 前記処理ガス源が複数設けられ、前記バイパス配管は前記処理ガス源に対応する数を有
    し、それぞれの前記バイパス配管が前記第1メカニカルブースタポンプと前記第2メカニカルブースタポンプとの間の位置に接続される請求項1又は2に記載の基板処理装置。
  4. 基板を収容する処理室と、前記基板を処理する処理ガスを処理ガス源から前記処理室内へ供給するガス供給系と、前記処理室内の雰囲気を排気するガス排気系と、前記ガス排気系に直列に設けられた少なくとも3つの真空ポンプと、前記ガス供給系と前記ガス排気系とを前記処理室を介さずに接続するバイパス配管と、を含み、前記3つの真空ポンプは、上流側から順に、それぞれ第1メカニカルブースタポンプ、第2メカニカルブースタポンプ、ドライポンプとして構成され、前記バイパス配管は、前記第1メカニカルブースタポンプとその下流に位置する前記第2メカニカルブースタポンプとの間の位置に接続される基板処理装置により実施され、
    前記処理ガス源からの処理ガスの流量を安定させるように前記基板を処理する前に前記バイパス配管に処理ガスを流して前記ガス排気系に排気する工程と、
    前記処理室内に前記処理ガス源から前記処理ガスを供給して前記基板を処理する工程と、
    前記基板を処理した後、前記ガス排気系を介して前記処理室内の前記処理ガスを排気する工程と、
    を有する半導体装置の製造方法
  5. 基板を収容する処理室と、前記基板を処理する処理ガスを処理ガス源から前記処理室内へ供給するガス供給系と、前記処理室内の雰囲気を排気するガス排気系と、前記ガス排気系に直列に設けられた少なくとも3つの真空ポンプと、前記ガス供給系と前記ガス排気系とを前記処理室を介さずに接続するバイパス配管と、を含み、前記3つの真空ポンプは、上流側から順に、それぞれ第1メカニカルブースタポンプ、第2メカニカルブースタポンプ、ドライポンプとして構成され、前記バイパス配管は、前記第1メカニカルブースタポンプとその下流に位置する前記第2メカニカルブースタポンプとの間の位置に接続される基板処理装置により実施され、
    前記処理ガス源からの処理ガスの流量を安定させるように前記基板を処理する前に前記バイパス配管に処理ガスを流して前記ガス排気系に排気する工程と、
    前記処理室内に前記処理ガス源から前記処理ガスを供給して前記基板を処理する工程と、
    前記基板を処理した後、前記ガス排気系を介して前記処理室内の前記処理ガスを排気する工程と、
    を有する基板処理方法。
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Families Citing this family (329)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5304749B2 (ja) * 2010-08-05 2013-10-02 株式会社島津製作所 真空分析装置
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) * 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
KR101427726B1 (ko) * 2011-12-27 2014-08-07 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP5937385B2 (ja) * 2012-03-16 2016-06-22 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置のガス供給方法、ガス供給システム及び半導体製造装置
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
JP6560924B2 (ja) * 2015-07-29 2019-08-14 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
JPWO2021156934A1 (ja) 2020-02-04 2021-08-12
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0686661B2 (ja) * 1989-10-30 1994-11-02 株式会社東芝 気相成長装置
JPH08139041A (ja) * 1994-11-10 1996-05-31 Kokusai Electric Co Ltd 減圧処理装置のガス給排装置及びガス導入方法
JP3847928B2 (ja) * 1997-12-17 2006-11-22 株式会社日立国際電気 半導体製造装置及び半導体製造方法
JP3973605B2 (ja) * 2002-07-10 2007-09-12 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及びこれに使用する原料供給装置、成膜方法
JP2004288703A (ja) * 2003-03-19 2004-10-14 Hitachi Ltd 成膜装置及び成膜方法
JP4423914B2 (ja) * 2003-05-13 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びその使用方法
JP2005056931A (ja) * 2003-08-06 2005-03-03 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2005180279A (ja) * 2003-12-18 2005-07-07 Sharp Corp 真空薄膜作成装置、及び真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法
JP4543848B2 (ja) * 2004-09-17 2010-09-15 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置及びそのメンテナンス方法
KR20060063188A (ko) * 2004-12-07 2006-06-12 삼성전자주식회사 화학기상증착장치 및 그를 이용한 화학기상증착방법

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