JP2005180279A - 真空薄膜作成装置、及び真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 真空ポンプの一部に故障が発生したときでも、真空ポンプシステムを安全に保つ一方、真空槽内のプロセスガスの排気を安全に行い得る真空薄膜作成装置、及び真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法を提供する。
【解決手段】 真空薄膜作成装置1には、真空チャンバ10と、真空チャンバ10の真空及び排気を行うべく真空チャンバ10側から順にブースターポンプA・B・CとスクリューポンプDとの少なくとも2段の真空ポンプが設けられている。真空ポンプ駆動制御部は、スクリューポンプD及びブースターポンプA・B・Cの稼動中に、ブースターポンプA・の異常を真空ポンプ異常検出部が検出したときには、ブースターポンプA・B・C及びスクリューポンプDとの全ての真空ポンプを停止させるように制御する。
【選択図】 図1
【解決手段】 真空薄膜作成装置1には、真空チャンバ10と、真空チャンバ10の真空及び排気を行うべく真空チャンバ10側から順にブースターポンプA・B・CとスクリューポンプDとの少なくとも2段の真空ポンプが設けられている。真空ポンプ駆動制御部は、スクリューポンプD及びブースターポンプA・B・Cの稼動中に、ブースターポンプA・の異常を真空ポンプ異常検出部が検出したときには、ブースターポンプA・B・C及びスクリューポンプDとの全ての真空ポンプを停止させるように制御する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、例えば、真空ポンプを用いたCVD(Chemical Vapor Deposition)や真空蒸着等による液晶表示パネル等の薄膜形成工程に使用される真空薄膜作成装置、及び真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法に関するものである。
従来から、液晶表示パネル等の薄膜形成工程においては、真空薄膜作成装置を用いて、真空ポンプにより、CVD(Chemical Vapor Deposition)や真空蒸着等による薄膜形成が行われる。
そして、この種の真空薄膜作成装置における従来技術として、例えば、特許文献1に開示された低圧化学気相成長装置がある。
上記特許文献1では、図6に示すように、支持ボード101上のウエハ102…に膜成長を行う低圧化学気相成長装置100の炉心管103の排気側に接続した排気系配管104に圧力調整弁106とメカニカルブースターポンプ107とを配置し、その排気側で2つの並列な排気系配管105・105に分岐する。その分岐箇所には弁機構としての三方弁108を設け、さらに、分岐された並列な各排気系配管105・105にロータリーポンプ109・109を備える。これにより、成長中にいずれかのロータリーポンプ109・109の劣化が著しい場合は、劣化していない排気系統に切り替えることにより、炉心管103内の圧力を一定に保ちつつ成長を継続することができるようになっている。
したがって、炉心管103内での成長を継続しながらロータリーポンプ109のオーバーホールをすることができ、装置の稼働率を向上することができるとしている。
特開平4−103767号公報(1992年4月6日公開)
しかしながら、従来の真空薄膜作成装置、及び真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法において、ブースターポンプが異常で停止した時に機械式ドライポンプも停止してしまうという制御を行う場合がある。この場合、ブースターポンプが動作不能時に機械式ドライポンプも動作継続できないという問題点を有している。
この問題を解決するために、前記特許文献1の低圧化学気相成長装置100では、並列にロータリーポンプ109・109を組むため、片方のロータリーポンプ109は直接処理に関わらず遊んでいる。つまりポンプシステムとして2倍のコストがかかるため投資額も2倍になってしまう。CVD装置は生産の量産工場においては多くの台数の装置が必要になってくるので、たかがポンプといえども装置台数が多くなりかつ表示装置の大型化に伴なうポンプの大型化になればおのずとポンプ費用は膨らむ。
また、前記特許文献1の低圧化学気相成長装置100では、「炉心管103内での成長を継続しながらロータリーポンプ109のオーバーホールをすることができ、装置の稼働率を向上することができるとしている。」としているが、並列に組まれたポンプの片方を、成長を継続しながらオーバーホールするのには大きな危険が伴う。例えば、三方弁108がリークしていない保障をとることはできない。すなわち、CVD装置は反応生成物が発生するので、排気系統のバルブのシートリークはよく起こるものである。もしリークしていれば非常に危険な可燃性のガスに空気が触れて爆発を起こす危険性がある。したがって、結局のところは、十分にN2置換を行い、ポンプシステムを停止させ、配管内の残ガス濃度を安全な濃度にした後、オーバーホールする必要がある。
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、真空ポンプの一部に故障が発生したときでも、真空ポンプシステムを安全に保つ一方、真空槽内のプロセスガスの排気を安全に行い得る真空薄膜作成装置、及び真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法を提供することにある。
本発明の真空薄膜作成装置は、上記課題を解決するために、真空槽と、この真空槽の真空及び排気を行うべく真空槽側から順に第2次側真空ポンプと第1次側真空ポンプとの少なくとも2段の真空ポンプが設けられた真空薄膜作成装置において、上記第1次側真空ポンプ及び第2次側真空ポンプの異常を検出する真空ポンプ異常検出手段と、上記第1次側真空ポンプ及び第2次側真空ポンプの動作を制御するポンプ制御手段とが設けられていると共に、上記ポンプ制御手段は、第1次側真空ポンプ及び第2次側真空ポンプの稼動中に、第2次側真空ポンプの異常を上記真空ポンプ異常検出手段が検出したときには、該第2次側真空ポンプと第1次側真空ポンプとの全ての真空ポンプを停止させるように制御することを特徴としている。
また、本発明の真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法は、上記課題を解決するために、真空槽と、この真空槽の真空及び排気を行うべく真空槽側から順に第2次側真空ポンプと第1次側真空ポンプとの少なくとも2段の真空ポンプが設けられた真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法において、第1次側真空ポンプ及び第2次側真空ポンプの稼動中に、第2次側真空ポンプの異常を上記真空ポンプ異常検出手段が検出したときには、該第2次側真空ポンプと第1次側真空ポンプとの全ての真空ポンプを停止することを特徴としている。
上記の発明によれば、ポンプ制御手段は、第1次側真空ポンプ及び第2次側真空ポンプの稼動中に、第2次側真空ポンプの異常を上記真空ポンプ異常検出手段が検出したときには、該第2次側真空ポンプと第1次側真空ポンプとの全ての真空ポンプを停止させるように制御する。
このため、第2次側真空ポンプに異常があったときには、第2次側真空ポンプと第1次側真空ポンプとの全ての真空ポンプが停止するので、第2次側真空ポンプに異常が存在する状態で薄膜作成を継続するのに比べて、二次的なトラブルを防止することができる。
したがって、真空ポンプの一部に故障が発生したときでも、真空ポンプシステムを安全に保つことができる真空薄膜作成装置、及び真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法を提供することができる。
また、本発明の真空薄膜作成装置は、上記記載の真空薄膜作成装置において、前記ポンプ制御手段は、前記第2次側真空ポンプと第1次側真空ポンプとの両方を停止させた後、少なくとも第1次側真空ポンプを稼動可能になっていることを特徴としている。
また、本発明の真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法は、上記記載の真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法において、前記第2次側真空ポンプと第1次側真空ポンプとの両方を停止させた後、さらに、少なくとも第1次側真空ポンプを稼動することを特徴としている。
上記の発明によれば、ポンプ制御手段は、第2次側真空ポンプと第1次側真空ポンプとの両方を停止させた後、少なくとも第1次側真空ポンプを稼動させることができる。
このため、第2次側真空ポンプに異常があり、第2次側真空ポンプと第1次側真空ポンプとの両方が停止すると、真空槽や配管内にプロセスガスが溜まっているので、それを排出する必要がある。このとき、本発明では、少なくとも第1次側真空ポンプすなわち大気圧側の真空ポンプを稼動することができるので、これによって、第2次側真空ポンプが停止していても、プロセスガスの排出だけはできる。
したがって、真空槽内のプロセスガスの排気を安全に行い得る真空薄膜作成装置、及び真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法を提供することができる。
また、本発明の真空薄膜作成装置は、上記課題を解決するために、真空槽と、この真空槽の真空及び排気を行うべく真空槽側から順に第2次側真空ポンプと第1次側真空ポンプとの少なくとも2段の真空ポンプが設けられた真空薄膜作成装置において、上記第1次側真空ポンプ及び第2次側真空ポンプの異常を検出する真空ポンプ異常検出手段と、上記第1次側真空ポンプ及び第2次側真空ポンプの動作を制御するポンプ制御手段とが設けられていると共に、上記ポンプ制御手段は、第1次側真空ポンプ及び第2次側真空ポンプの稼動中に、第2次側真空ポンプの異常を真空ポンプ異常検出手段が検出したときには、第2次側真空ポンプを停止する一方、他の真空ポンプは稼動を継続させるように制御することを特徴としている。
また、本発明の真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法は、上記課題を解決するために、真空槽と、この真空槽の真空及び排気を行うべく真空槽側から順に第2次側真空ポンプと第1次側真空ポンプとの少なくとも2段の真空ポンプが設けられた真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法において、上記第1次側真空ポンプ及び第2次側真空ポンプの稼動中に、第2次側真空ポンプの異常を検出したときには、第2次側真空ポンプを停止する一方、他の真空ポンプは稼動を継続させることを特徴としている。
上記の発明によれば、ポンプ制御手段は、第1次側真空ポンプ及び第2次側真空ポンプの稼動中に、第2次側真空ポンプの異常を真空ポンプ異常検出手段が検出したときには、第2次側真空ポンプを停止する一方、他の真空ポンプは稼動を継続させるように制御する。
このため、第2次側真空ポンプに異常があり、第2次側真空ポンプが停止すると、真空槽や配管内にプロセスガスが溜まっているので、それを排出する必要がある。このとき、本発明では、第1次側真空ポンプを含む他の真空ポンプは稼動を継続させるので、これによって、該第2次側真空ポンプが停止していても、プロセスガスの排出だけはできる。また、該第2次側真空ポンプは停止しているので、システム的には安全である。
したがって、真空ポンプの一部に故障が発生したときでも、真空ポンプシステムを安全に保つ一方、真空槽内のプロセスガスの排気を安全に行い得る真空薄膜作成装置、及び真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法を提供することができる。
また、本発明の真空薄膜作成装置は、上記記載の真空薄膜作成装置において、前記第2次側真空ポンプは、並列に複数設けられていることを特徴としている。
また、本発明の真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法は、上記記載の真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法において、前記第2次側真空ポンプは、並列に複数設けられていることを特徴としている。
上記の発明によれば、第2次側真空ポンプは、並列に複数設けられている。したがって、真空槽の容量が大きい場合においても高速排気を達成することができる。また、1個の第2次側真空ポンプが故障しても他の第2次側真空ポンプにて真空槽の減圧及びプロセスガスの排気ができるので安全である。
また、本発明の真空薄膜作成装置は、上記記載の真空薄膜作成装置において、前記第2次側真空ポンプは、複数段に設けられていることを特徴としている。
また、本発明の真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法は、上記記載の真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法において、前記第2次側真空ポンプは、複数段に設けられていることを特徴としている。
上記の発明によれば、第2次側真空ポンプは複数段に設けられているので、真空槽の容量が大きい場合においても高速減圧、高速排気を達成することができる。
また、本発明の真空薄膜作成装置は、上記記載の真空薄膜作成装置において、前記第2次側真空ポンプは、ブースターポンプにてなっていることを特徴としている。
上記の発明によれば、第2次側真空ポンプはブースターポンプにてなっているので、第1次側真空ポンプにて大気圧から所定の圧力になったものを、さらに、真空近くまで減圧するのに適している。
また、本発明の真空薄膜作成装置は、上記記載の真空薄膜作成装置において、前記第1次側真空ポンプは、大気圧からの減圧ができるポンプにてなっていることを特徴としている。
上記の発明によれば、第1次側真空ポンプは、大気圧からの減圧ができるポンプにてなっているので、大気圧から減圧する場合に適している。なお、このような真空ポンプとして、例えば、機械式ドライポンプ(ルーツ、クロー、スクリュー型)からなる真空ポンプが好ましい。
本発明の真空薄膜作成装置、及び真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法では、ポンプ制御手段は、第1次側真空ポンプ及び第2次側真空ポンプの稼動中に、第2次側真空ポンプの異常を上記真空ポンプ異常検出手段が検出したときには、第2次側真空ポンプと第1次側真空ポンプとの全ての真空ポンプを停止させるように制御する。
したがって、第2次側真空ポンプに異常があったときには、第2次側真空ポンプと第1次側真空ポンプとの全ての真空ポンプが停止するので、第2次側真空ポンプに異常が存在する状態で薄膜作成を継続するのに比べて、二次的なトラブルを防止することができる。
それゆえ、真空ポンプの一部に故障が発生したときでも、真空ポンプシステムを安全に保つことができる真空薄膜作成装置、及び真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法を提供することができるという効果を奏する。
本発明の一実施形態について図1ないし図5に基づいて説明すれば、以下の通りである。
本実施の形態の真空ポンプ制御方法が適用される真空薄膜作成装置1は、例えば、液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の形成工程において、ウエハ等にゲート電極やTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)をCVD(Chemical Vapor Deposition)や真空蒸着等により薄膜形成する場合に使用されるものである。
上記真空薄膜作成装置1は、図1に示すように、プラズマCVD装置であり、外気と遮断される真空槽としての真空チャンバ10と、この真空チャンバ10を略真空状態に吸引するブースターポンプA・BとブースターポンプC及びスクリューポンプDとを有している。
真空チャンバ10の内部には、例えば半導体ウエハ等の基板11を載置するためのサセプタ12が設けられている。サセプタ12はヒータ13によって支持され、該ヒータ13は基板11を所定の温度(350〜450℃)に維持する。サセプタ12はプラズマ放電のための一方の電極を兼ねており、真空チャンバ10を通じて接地14されている。また、真空チャンバ10の内部にはサセプタ12と平行に対向して、シャワーヘッド15が設けられている。シャワーヘッド15は底面に多くの細孔を有しており、そこから材料ガスが基板11に向かって均一に噴出される。シャワーヘッド15の中央部には材料ガス導入口16が設けられ、材料ガスは図示しないガスラインを通じてシャワーヘッド15に導入される。材料ガス導入口16は、真空チャンバ10から電気的に絶縁されている。シャワーヘッド15はプラズマ放電のためのもう一方の電極を兼ねており、材料ガス導入口16を通じて外部の高周波電源17に接続されている。これによって、基板11の近傍にプラズマ反応場が生成される。真空チャンバ10の底部には排気口18が設けられ、外部の真空ポンプシステム2と連結されている。基板11の表面上に形成される膜の種類及び膜質は、材料ガスの種類及び流量、温度、RF周波数の種類並びにプラズマの空間分布により変化する。
ここで、本実施の形態における真空チャンバ10の重要な特徴は、真空機構としての真空ポンプシステム2にある。本実施の形態においては、2種類のポンプが真空チャンバ10に取り付けられている。
すなわち、真空チャンバ10に近いほうから順に、第1種類目である第2次側真空ポンプとしてのブースターポンプA・B及びブースターポンプCと、第2種類目である第1次側真空ポンプとしてのスクリューポンプDとが設けられている。
上記スクリューポンプDは、大気圧からの減圧ができるポンプにてなっていると共に、真空チャンバ10内のプロセスガスを排気するために使用される。したがって、この目的のためには、必ずしもスクリューポンプDに限らず、例えば、ルーツポンプやクローポンプ等の真空ポンプを使用することが可能である。なお、上記スクリューポンプDから出る配管は、図示しない排ガス処理装置に繋がっている。
また、上記ブースターポンプA・B及びブースターポンプCは、上記スクリューポンプDにて大気圧から所定圧力に減圧したものをさらに減圧すると共に、真空チャンバ10内のプロセスガスを排気するために使用される。
本実施の形態では、ブースターポンプA・BとブースターポンプCとを直列の2段にすることによって、真空に近い減圧及び真空チャンバ10内の排ガスの高速排気が達成できるようになっている。また、本実施の形態では、真空チャンバ10に近い方のブースターポンプA・Bは、並列に2つ設けられている。ただし、必ずしもこれに限らず、より多くの複数が並列になっていても良い。
このように、ブースターポンプA・B・Cを複合化し、ブースターポンプA・Bを並列にするのは、基板11の大きさが拡大化する今日においては、真空チャンバ10の内容積も大きくなり使用するガス量も多くなる、これに伴って、ブースターポンプA・B・Cのように複数段にし、或いはブースターポンプA・Bのように複数のものを並列にして、真空チャンバ10の所定の真空度を確保すると共に、真空チャンバ10内の排ガスの高速排気を達成するためである。また、ブースターポンプA・Bのいずれかが故障しても、他方は稼動できるので、フェイルセーフ、フェイルソフトの観点から安全である。
なお、上記の構成では、このようにブースターポンプA・Bを並列にすると共に、ブースターポンプA・BとブースターポンプCとを直列の2段にしているが、本発明においては必ずしもこれに限らず、例えば、ブースターポンプA・Bを省略することも可能である。すなわち、本発明の真空ポンプ制御方法は、少なくともブースターポンプCとスクリューポンプDとの2段のポンプにてその効果を発揮できるものである。
ここで、本実施の形態の真空ポンプシステム2の制御系は、図2示すように、ポンプ制御手段としての真空ポンプ駆動制御部30は、ブースターポンプA・B・C及びスクリューポンプDの駆動動作を制御するようになっている。すなわち、真空ポンプ駆動制御部30は、真空チャンバ制御部31からの指示に基いて、上記ブースターポンプA・B・C及びスクリューポンプDの駆動して真空チャンバ10内の減圧及び排気を制御するようになっている。また、真空チャンバ制御部31は、真空チャンバ10内のプロセス制御全般を行っている。
また、同図に示すように、各真空ポンプの異常を検出する真空ポンプ異常検出手段としての真空ポンプ異常検出部32が設けられており、この真空ポンプ異常検出部32は、各ブースターポンプA・B・C及びスクリューポンプDに異常があったときには、それを検出して真空ポンプ駆動制御部30に異常検出信号を送る。その異常検出信号を受けた真空ポンプ駆動制御部30は、後述する、各ブースターポンプA・B・C及びスクリューポンプDに対する各種の駆動方法を行うようになっている。
本実施の形態の真空薄膜作成装置1の真空ポンプ制御方法について、図3に示すフローチャートに基いて説明する。
まず、本実施の形態では、真空ポンプ異常検出部32がブースターポンプAの異常を検出した場合には(S1)、真空ポンプ異常検出部32は真空ポンプ駆動制御部30にその旨の信号を送り、これにより、真空ポンプ駆動制御部30は、ブースターポンプAを含む全てのブースターポンプB・C及びスクリューポンプDを停止させる(S2)。
これにより、真空ポンプ駆動制御部30から真空チャンバ制御部31に、ブースターポンプAに異常があり、全てのブースターポンプA・B・C及びスクリューポンプDが停止したことが伝達され(S3)、真空チャンバも排気系の異常に伴う安全な制御を行うことができる。また、モニタ33には、故障の旨が表示される(S4)。例えば、赤の点滅表示がモニタ33のブースターポンプAの箇所に点灯されるとともに、警告音等が発せられる。
本例では、これにより、一旦、全てのブースターポンプA・B・C及びスクリューポンプDが停止されるので、一つのブースターポンプAの異常により他のブースターポンプB・C及びスクリューポンプDが異常を起こすという2次的な故障が発生するのを防止することができる。すなわち、ブースターポンプAの故障モードには、単なるブースターポンプAのロータの噛み込み、摺動による回転不能、及び温度過上昇等のように、ブースターポンプA自体の理由によりブースターポンプAが動かなくなった場合の外、他の機器の故障の影響でブースターポンプAに過電流が流れた場合や排気が詰まって排気圧力が高くなった場合等がある。後者の場合には、真空ポンプシステム2の全体に係わることであるので、全てのブースターポンプA・B・C及びスクリューポンプDを一旦停止するのが好ましい。
次いで、本実施の形態では、上述のように、全てのブースターポンプA・B・C及びスクリューポンプDが停止された後、操作者がモニタ33を確認することにより、真空チャンバ10内での薄膜作成工程を続行できると判断した場合、又は薄膜作成工程を続行することはできないが真空チャンバ10内のガスを排気する必要がある場合には、ブースターポンプAのみを停止した状態で、他のブースターポンプB・C及びスクリューポンプDを再起動できるようになっている(S5)。そのためには、モニタ33の図示しないマンマシーンインターフェースから、その旨を入力することによって、真空チャンバ制御部31を介して真空ポンプ駆動制御部30に命令を送り、その結果、真空ポンプ駆動制御部30が、ブースターポンプAのみを停止した状態で、他のブースターポンプB・C及びスクリューポンプDを駆動する。
これにより、真空チャンバ10内での応急的な薄膜作成工程の続行、又は真空チャンバ10内及び配管内のガスの排気が可能となる。
なお、本実施の形態では、ブースターポンプA・Bが並列に設けられているので、ブースターポンプAが停止しても、ブースターポンプB・C及びスクリューポンプDを駆動すれば、問題なく、応急的に薄膜作成工程が続行できる。しかし、例えば、ブースターポンプA・Bがなく、ブースターポンプC及びスクリューポンプDのみで構成されていても、本実施の形態では、スクリューポンプDのみを個別に駆動するようになっている。これにより、ブースターポンプCが故障しても、このスクリューポンプDが駆動できれば、ブースターポンプCは排気だけはできるので、このブースターポンプCを通して、徐々にではあるが、真空チャンバ10内のガスを排気することができる。
そこで、本実施の形態では、S5の後、薄膜作成工程を継続できるかを判断する(S6)。これは、操作員が判断し、モニタ33にて命令を入力する。S6で薄膜作成工程を継続できると判断したときには、そのまま、ブースターポンプB・C及びスクリューポンプDを駆動して、薄膜作成工程を継続して(S7)、終了する。すなわち、この場合には、ブースターポンプA自体が故障して停止している状態であるので、取りあえず応急的に、現在の薄膜作成工程の1バッチを終えるまで、継続する。そして、現在の薄膜作成工程の1バッチが終了した後は、後に詳述するように、真空チャンバ10内及び配管内排ガスを抜いた後、故障したブースターポンプAを交換する。
一方、S6で薄膜作成工程が継続できない判断したときには、図4に示すように、真空チャンバ10内等のプロセスガスを排気できるかを判断する(S8)。これも、ポンプの稼動状況を判断しながら、最終的には、操作者が判断する。
S8で、真空チャンバ10内等のプロセスガスを排気できないと判断したときには、真空薄膜作成装置1の全システムを停止する(S14)。これにて、真空薄膜作成装置1の全システムの安全を図ることができる。
一方、S8で、真空チャンバ10内等のプロセスガスを排気できると判断したときには、動作可能なブースターポンプB・C及びスクリューポンプDの駆動を継続する(S9)。そして、真空チャンバ10内及び配管内のプロセスガスの排気を行った後(S10)、真空チャンバ10を窒素(N2)ガスにて置換し(S11)、その後、ブースターポンプB・C及びスクリューポンプDを停止する(S12)。その後、故障したブースターポンプAを交換する。
なお、本実施の形態においては、図3に示すように、S1でブースターポンプAが停止したときに、S2において、全てのブースターポンプA・B・C及びスクリューポンプDを停止したが、必ずしもこれに限らず、図3のS1〜S5を、全てのブースターポンプA・B・C及びスクリューポンプDを停止させないフローである、図4に示すS21〜S24に置き換えることができる。
すなわち、図4に示すように、真空ポンプ異常検出部32がブースターポンプAの異常を検出した場合には(S21)、真空ポンプ異常検出部32は真空ポンプ駆動制御部30にその旨の信号を送り(S22)、モニタ33には、その旨が表示される(S4)。
次いで、操作者がモニタ33を確認することにより、故障がブースターポンプA自体の故障であり他には問題がなく、真空チャンバ10内での薄膜作成工程を続行できると判断した場合、又は薄膜作成工程を続行することはできないが真空チャンバ10内のガスを排気する必要がある場合には、他のブースターポンプB・C及びスクリューポンプDの稼動を継続する(S24)。
その後、S6に移行してそのままプロセスの稼動を続けるか(S7)、又はS6に移行し後、他のブースターポンプB・C及びスクリューポンプDの稼動を継続して真空チャンバ10や配管内のプロセスガスの排気等を行う(S8〜S13、S14)
これにより、真空チャンバ10内でシステムを停止させることなく薄膜作成工程の続行、又は真空チャンバ10内及び配管内のガスの排気が可能となる。
これにより、真空チャンバ10内でシステムを停止させることなく薄膜作成工程の続行、又は真空チャンバ10内及び配管内のガスの排気が可能となる。
このように、本実施の形態の真空薄膜作成装置1、及びその真空ポンプ制御方法では、真空ポンプ駆動制御部30は、スクリューポンプD及びブースターポンプA・B・Cの稼動中に、例えばブースターポンプAの異常を真空ポンプ異常検出部32が検出したときには、スクリューポンプD及びブースターポンプA・B・Cとの全ての真空ポンプを停止させるように制御する。
このため、ブースターポンプAに異常があったときには、スクリューポンプD及びブースターポンプA・B・Cとの全ての真空ポンプが停止するので、ブースターポンプAに異常が存在する状態で薄膜作成を継続するのに比べて、二次的なトラブルを防止することができる。
したがって、真空ポンプの一部に故障が発生したときでも、真空ポンプシステム2を安全に保つことができる真空薄膜作成装置1、及びその真空ポンプ制御方法を提供することができる。
また、本実施の形態の真空薄膜作成装置1、及びその真空ポンプ制御方法では、真空ポンプ駆動制御部30は、スクリューポンプD及びブースターポンプA・B・Cとの全ての真空ポンプを停止させた後、少なくともスクリューポンプDを稼動させることができる。
このため、ブースターポンプAに異常があり、スクリューポンプD及びブースターポンプA・B・Cとの全ての真空ポンプが停止すると、真空チャンバ10や配管内にプロセスガスが溜まっているので、それを排出する必要がある。
このとき、本実施の形態では、少なくともスクリューポンプDすなわち大気圧側の真空ポンプを稼動することができるので、これによって、ブースターポンプAのみ又はブースターポンプA・B・Cの全てが停止していても、プロセスガスの排出だけはできる。
したがって、真空チャンバ10内のプロセスガスの排気を安全に行い得る真空薄膜作成装置1、及びその真空ポンプ制御方法を提供することができる。
また、本実施の形態の真空薄膜作成装置1、及びその真空ポンプ制御方法では、真空ポンプ駆動制御部30は、スクリューポンプD及びブースターポンプA・B・Cの稼動中に、ブースターポンプAの異常を真空ポンプ異常検出部32が検出したときには、ブースターポンプAを停止する一方、スクリューポンプDを含む他のブースターポンプB・Cは稼動を継続させるように制御することが可能である。
このため、ブースターポンプAに異常があり、ブースターポンプAが停止すると、真空チャンバ10や配管内にプロセスガスが溜まっているので、それを排出する必要がある。このとき、本実施の形態では、スクリューポンプDを含む他のブースターポンプB・Cはは稼動を継続させるので、これによって、ブースターポンプAが停止していても、プロセスガスの排出だけはできる。また、ブースターポンプAは停止しているので、システム的には安全である。
したがって、真空ポンプの一部に故障が発生したときでも、真空ポンプシステム2を安全に保つ一方、真空チャンバ10内のプロセスガスの排気を安全に行い得る真空薄膜作成装置1、及びその真空ポンプ制御方法を提供することができる。
また、本実施の形態の真空薄膜作成装置1、及びその真空ポンプ制御方法では、ブースターポンプA・Bは、並列に2個設けられている。したがって、真空チャンバ10の容量が大きい場合においても高速排気を達成することができる。また、1個のブースターポンプAが故障しても他のブースターポンプBにて真空チャンバ10の減圧及びプロセスガスの排気ができるので安全である。
また、本実施の形態の真空薄膜作成装置1、及びその真空ポンプ制御方法では、ブースターポンプA・BとブースターポンプCとは例えば2段等の複数段に設けられているので、真空チャンバ10の容量が大きい場合においても高速減圧、高速排気を達成することができる。
また、本実施の形態の真空薄膜作成装置1では、第2次側真空ポンプはブースターポンプにてなっているので、スクリューポンプDにて大気圧から所定の圧力になったものを、さらに、真空近くまで減圧するのに適している。
また、本実施の形態の真空薄膜作成装置1では、第1次側真空ポンプは、大気圧からの減圧ができるスクリューポンプDにてなっているので、大気圧から減圧する場合に適している。
また、本実施の形態の真空薄膜作成装置1では、第1次側真空ポンプであるスクリューポンプDは予備として供するための並列とはなっていない。
本発明は、真空ポンプを用いたCVDや真空蒸着等による液晶表示パネル、半導体装置等の薄膜形成工程に使用される真空薄膜作成装置に適用できる。
1 真空薄膜作成装置
2 真空ポンプシステム
10 真空チャンバ(真空槽)
11 基板
20 スパッタリングガス供給系
30 真空ポンプ駆動制御部(ポンプ制御手段)
31 真空チャンバ制御部
32 真空ポンプ異常検出部(真空ポンプ異常検出手段)
33 モニタ
A ブースターポンプ(第2次側真空ポンプ)
B ブースターポンプ(第2次側真空ポンプ)
C ブースターポンプ(第2次側真空ポンプ)
D スクリューポンプ(第1次側真空ポンプ)
2 真空ポンプシステム
10 真空チャンバ(真空槽)
11 基板
20 スパッタリングガス供給系
30 真空ポンプ駆動制御部(ポンプ制御手段)
31 真空チャンバ制御部
32 真空ポンプ異常検出部(真空ポンプ異常検出手段)
33 モニタ
A ブースターポンプ(第2次側真空ポンプ)
B ブースターポンプ(第2次側真空ポンプ)
C ブースターポンプ(第2次側真空ポンプ)
D スクリューポンプ(第1次側真空ポンプ)
Claims (12)
- 真空槽と、この真空槽の真空及び排気を行うべく真空槽側から順に第2次側真空ポンプと第1次側真空ポンプとの少なくとも2段の真空ポンプが設けられた真空薄膜作成装置において、
上記第1次側真空ポンプ及び第2次側真空ポンプの異常を検出する真空ポンプ異常検出手段と、
上記第1次側真空ポンプ及び第2次側真空ポンプの動作を制御するポンプ制御手段とが設けられていると共に、
上記ポンプ制御手段は、第1次側真空ポンプ及び第2次側真空ポンプの稼動中に、第2次側真空ポンプの異常を上記真空ポンプ異常検出手段が検出したときには、該第2次側真空ポンプと第1次側真空ポンプとの全ての真空ポンプを停止させるように制御することを特徴とする真空薄膜作成装置。 - 前記ポンプ制御手段は、前記第2次側真空ポンプと第1次側真空ポンプとの全ての真空ポンプを停止させた後、少なくとも第1次側真空ポンプを稼動可能になっていることを特徴とする請求項1記載の真空薄膜作成装置。
- 真空槽と、この真空槽の真空及び排気を行うべく真空槽側から順に第2次側真空ポンプと第1次側真空ポンプとの少なくとも2段の真空ポンプが設けられた真空薄膜作成装置において、
上記第1次側真空ポンプ及び第2次側真空ポンプの異常を検出する真空ポンプ異常検出手段と、
上記第1次側真空ポンプ及び第2次側真空ポンプの動作を制御するポンプ制御手段とが設けられていると共に、
上記ポンプ制御手段は、第1次側真空ポンプ及び第2次側真空ポンプの稼動中に、第2次側真空ポンプの異常を真空ポンプ異常検出手段が検出したときには、該第2次側真空ポンプを停止する一方、他の真空ポンプは稼動を継続させるように制御することを特徴とする真空薄膜作成装置。 - 前記第2次側真空ポンプは、並列に複数設けられていることを特徴とする請求項1、2又は3記載の真空薄膜作成装置。
- 前記第2次側真空ポンプは、複数段に設けられていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の真空薄膜作成装置。
- 前記第2次側真空ポンプは、ブースターポンプにてなっていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の真空薄膜作成装置。
- 前記第1次側真空ポンプは、大気圧からの減圧ができるポンプにてなっていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の真空薄膜作成装置。
- 真空槽と、この真空槽の真空及び排気を行うべく真空槽側から順に第2次側真空ポンプと第1次側真空ポンプとの少なくとも2段の真空ポンプが設けられた真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法において、
第1次側真空ポンプ及び第2次側真空ポンプの稼動中に、第2次側真空ポンプの異常を上記真空ポンプ異常検出手段が検出したときには、該第2次側真空ポンプと第1次側真空ポンプとの全ての真空ポンプを停止することを特徴とする真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法。 - 前記第2次側真空ポンプと第1次側真空ポンプとの全ての真空ポンプを停止させた後、さらに、少なくとも第1次側真空ポンプを稼動することを特徴とする請求項8記載の真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法。
- 真空槽と、この真空槽の真空及び排気を行うべく真空槽側から順に第2次側真空ポンプと第1次側真空ポンプとの少なくとも2段の真空ポンプが設けられた真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法において、
上記第1次側真空ポンプ及び第2次側真空ポンプの稼動中に、第2次側真空ポンプの異常を検出したときには、該第2次側真空ポンプを停止する一方、他の真空ポンプは稼動を継続させることを特徴とする真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法。 - 前記第2次側真空ポンプは、並列に複数設けられていることを特徴とする請求項8、9又は10記載の真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法。
- 前記第2次側真空ポンプは、複数段に設けられていることを特徴とする請求項8〜11のいずれか1項に記載の真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003421060A JP2005180279A (ja) | 2003-12-18 | 2003-12-18 | 真空薄膜作成装置、及び真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2003421060A JP2005180279A (ja) | 2003-12-18 | 2003-12-18 | 真空薄膜作成装置、及び真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法 |
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JP2005180279A true JP2005180279A (ja) | 2005-07-07 |
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ID=34782398
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JP2003421060A Withdrawn JP2005180279A (ja) | 2003-12-18 | 2003-12-18 | 真空薄膜作成装置、及び真空薄膜作成装置の真空ポンプ制御方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2003
- 2003-12-18 JP JP2003421060A patent/JP2005180279A/ja not_active Withdrawn
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