KR20070033114A - 반도체 제조설비 및 그 제어방법 - Google Patents

반도체 제조설비 및 그 제어방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 제조 설비 및 그 제어 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 제조 설비는 챔버, 상기 챔버와 연결되는 포라인 및 진공라인, 상기 포라인 상에 설치된 드라이 펌프, 상기 포라인 상에 설치되며, 상기 챔버와 상기 드라이 펌프 사이에 위치하는 러핑 밸브, 상기 포라인 상에 설치되며, 상기 러핑 밸브와 상기 드라이 펌프 사이에 위치하는 밸브, 상기 진공 라인 상에 설치된 터보 펌프, 상기 진공라인 상에 설치되며, 상기 포라인으로부터 분기하여 상기 터보 펌프와 상기 챔버 사이에 위치하는 고진공 밸브 및 상기 드라이 펌프의 이상유무를 감지하는 콘트롤러를 포함한다. 본 발명에 따르면, 콘트롤러는 드라이 펌프의 전류량 정보를 수신하여 설정 전류량의 범위를 벗어난 경우 밸브를 닫음과 동시에 터보 펌프의 동작도 중지 시킨다. 그 결과, 드라이 펌프의 고장을 미리 예방할 뿐만 아니라 터보 펌프에 부하가 편중되는 방지하여 챔버 오염 및 웨이퍼 로스(LOSS)를 감소 시킬 수 있다.
반도체 제조 설비, 챔버, 드라이 펌프, 터보 펌프

Description

반도체 제조설비 및 그 제어방법{SEMICONDUCTOR FABRICATING APPARATUS AND METHOD THEREOF}
도 1은 종래의 반도체 제조 설비를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 진공 시스템의 콘트롤러의 동작 수순을 나타내는 순서도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
10 : 챔버 70 : 밸브
20 : 드라이 펌프 80 : 콘트롤러
30 : 터보 펌프 90 : 측정기
본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 반도체 제조 설비의 진공 시스템에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치는 웨이퍼 상에 사진, 식각, 확산, 화학기상증착, 금속 증착등의 공정들이 선택적이고 반복적으로 수행된다. 이들 각 공정을 수행하는 반도체 제조 설비는 반도체 장치의 제품 성능과 제조수율 향상을 위하여 파티클 등의 불순물로부터 웨이퍼를 격리시키는 것이 요구된다. 이러한 청정 관리 요구에 따른 종래의 반도체 제조 설비의 구성관계에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 1은 종래의 반도체 제조 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 반도체 제조 설비는 챔버(1), 포라인(FL), 진공라인(VL), 러핑 밸브(Roughing Valve)(6), 및 포라인 밸브(4), 고진공 밸브(High Vacuum Valve)(5), 드라이 펌프(Dry Pump)(2), 및 터보 펌프(Turbo Pump)(3)로 구성된다.
반도체 제조 설비에서, 챔버(1)를 높은 진공도로 유지하기 위해서는 드라이 펌프(2)와 터보 펌프(3)가 사용된다. 드라이 펌프(2)의 노화 및 자체 결함으로 인하여 작동이 중단되면, 포라인(FL)의 진공압이 증가하여 챔버(1)와의 차이로 인하여 역류(BACKSTREAM)가 발생하여 챔버(1)가 오염되어 웨이퍼가 파티클등의 오염원에 의하여 손상된다. 또한, 드라이 펌프(2)의 동작이 중단되므로서, 터보 펌프(3)에 부하가 편중되어 터보 펌프의 성능이 저하될 뿐만 아니라 터보 펌프를 자주 교체해야하는 문제점들이 발생한다.
이에 본 발명은 상기한 종래 기술상의 문제점을 해결하기 위한 것으로,본 발 명의 목적은 드라이 펌프 고장시 챔버 내부로 오염원이 역류되는 것을 방지할 수 있는 반도체 제조설비를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 드라이 펌프 고장시 터보 펌프에 부하가 편중하는 것을 방지하고 미리 드라이 펌프의 고장을 감지하여 제조 수율과 생산성을 향상 시킬 수 있는 반도체 제조 설비를 제공하는 것이다.
상기 목적들을 달성하기 위한 반도체 제조 설비는 챔버와; 상기 챔버와 연결되는 포라인 및 진공라인과; 상기 포라인 상에 설치된 드라이 펌프와; 상기 포라인 상에 설치되며, 상기 챔버와 상기 드라이 펌프 사이에 위치하는 러핑 밸브와; 상기 포라인 상에 설치되며, 상기 러핑 밸브와 상기 드라이 펌프 사이에 위치하는 밸브와; 상기 진공 라인 상에 설치된 터보 펌프와; 상기 진공라인 상에 설치되며, 상기 포라인으로부터 분기하여 상기 터보 펌프와 상기 챔버 사이에 위치하는 고진공 밸브; 및 상기 드라이 펌프의 이상유무를 감지하는 콘트롤러를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 콘트롤러는 상기 드라이 펌프의 전류량을 측정하여 상기 밸브와 상기 터보 펌프의 동작을 제어한다.
다른 실시예에 있어서, 상기 콘트롤러는 상기 드라이 펌프의 전류량이 설정 전류량의 범위을 벗어나는 경우 상기 밸브를 닫고, 상기 터보 펌프의 동작을 중지 시킨다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 드라이 펌프의 전류량 정보를 수신하는 단계; 드라이 펌프의 전류량이 설정 전류량의 범위를 벗어난 경우 밸브를 닫는 단계; 및 상기 밸브를 닫음과 동시에 터보 펌프의 동작을 중지 시키는 단계를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 드라이 펌프의 전류량 정보를 출력하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
이하 첨부된 도 2 및 3을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 진공 시스템은 챔버(10), 포라인(FL1), 진공라인(VL1), 러핑 밸브(Roughing Valve)(60), 및 고진공 밸브(High Vacuum Valve)(50), 드라이 펌프(Dry Pump)(20), 터보 펌프(Turbo Pump)(30), 러핑 밸브(60)와 드라이 펌프(20) 사이에 설치된 밸브(70), 포라인 밸브(40), 측정기(90), 및 드라이 펌프(20) 및 밸브(70)와 연결되어 있는 콘트롤러(80)로 구성된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 챔버(10)가 제공된다. 챔버로 분기한 포라인(FL1)상에 드라이 펌프(20)가 위치한다. 포라인(FL1)은 상기 챔버(10) 내부의 불순물, 즉, 잔류반응 가스 및 부산물들은 드라이 펌프(20)로 배출시키기 위한 관이다. 또 한, 포라인(FL1)은 챔버(10)내의 부산물을 용이하게 배출시킬 수 있을 정도의 직경을 갖는다. 이러한 포라인(FL1) 내부에는 선택적으로 포라인을 개폐 시키는 밸브(미도시)가 구비된다.
또한, 포라인(FL1)상에 러핑 밸브(60)와 밸브(70)가 더 구비된다. 밸브(70)는 포라인(FL1)상에 설치되며, 러핑 밸브(60)와 드라이 펌프(20)사이에 위치된다.
고진공 밸브(50)는 진공라인(VL1)상에 설치되며, 터보 펌프(30)와 상기 챔버(10)사이에 위치한다. 고진공 밸브(30)의 일단은 챔버(10)와 연결되고, 타단은 터보 펌프(30)와 연결된다. 진공라인(VL1)상에 터보 펌프(30)의 일단과 연결된 포라인 밸브(40)가 배치된다. 포라인 밸브(40)는 러핑 밸브(60)과 밸브(70)사이의 포라인(FL1)과 연결된다. 고진공 밸브(50)는 챔버(10)내의 진공도를 제어하도록 개폐 구동된다. 터보 펌프(30)는 챔버(10)로부터 부산물등을 흡입 및 배출하도록 진공라인(VL1)상에 배치된다.
상술한 반도체 제조 설비의 동작은 다음과 같이 동작한다.
챔버(10)내부에서 소정의 공정이 진행된 후, 상기 챔버(10)내에 잔류하는 공정 가스 및 공정 부산물을 제거하기 위하여 터보 펌프(30)가 작동한다. 챔버(10)는 터보 펌프(30)에 의하여 높은 진공도를 유지하게 되고, 이때, 챔버(10)내의 가스 분자들은 터보 펌프(30)로 이동하며, 이는 다시 드라이 펌프(20)로 펌핑된다. 그러나, 드라이 펌프(20)가 고장난 경우 펌프쪽 진공도는 순간적으로 높아지고 챔버와의 진공압 차이로 인하여 가스, 파티클등의 오염물이 역류하여 챔버가 오염되고, 웨이퍼에 손상을 입힌다. 물론, 드라이 펌프(20)가 고장 또는 전원이 끊어진 경우 러핑 밸브(60)가 차단되지만, 그 차단되는 속도가 느리므로 러필밸브(60)가 차단되기 전에 역류가 발생하여 챔버가 오염되고, 웨이퍼가 손상된다.
따라서, 본 발명은 추가적으로 밸브(70)를 설치하고, 이를 측정 및 제어할 수 있는 측정기(90) 및 콘트롤러(80)를 구비한다. 측정기(90)는 상기 드라이 펌프(20)의 전류량을 측정하여 상기 콘트롤러(80)로 전송한다. 콘트롤러(80)는 상기 드라이 펌프(20)의 전류량이 설정 전류량의 범위를 벗어난 경우 밸브(70)를 차단시킴과 동시에 터보 펌프(30)의 동작을 중지 시킨다. 또한, 드라이 펌프(20)의 전류량 정보를 측정기(90)를 통하여 사전에 수신하여 작업자에게 알려주므로써, 드라이 펌프(20)의 고장의 빈도를 줄일 수 있으며, 터보 펌프(30)에 부하가 편중되는 것을 방지할 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 진공 시스템의 콘트롤러의 동작 수순을 나타내는 순서도이다. 이 수순은 진공 시스템의 콘트롤러(80)가 처리하는 프로그램으로, 이 프로그램은 상기 콘트롤러(80)의 메모리(미도시)에 저장된다.
도 3을 참조하면, 단계 S1에서 콘트롤러(80)는 드라이 펌프(20)의 전류량을 수신한다. 단계 S2에서 콘트롤러(80)는 드라이 펌프(20)의 전류량이 설정 전류과 다른 경우 밸브(70)를 차단하고, 동시에 터보 펌프(30)의 동작을 중단 시킨다(단계 S3). 이러한 동작들이 완료되면 단계 S4에서 작업자가 인식할 수 있도록 드라이 펌프(20)의 전류량을 출력한다.
이러한 본 발명에 따른 구성과 방법에 의하면, 측정기(90)를 통하여 드라이 펌프(20)의 전류량을 측정한다. 콘트롤러(80)가 측정된 드라이 펌프(20)의 전류량 과 설정 전류량을 비교하여 확인한다. 측정된 전류량이 설정 전류량의 범위를 벗어나는 경우, 콘트롤러(80)는 포라인(FL1) 상의 밸브(70)을 차단함과 동시에 터보 펌프(30)의 동작을 중지한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조 설비는 별도의 밸브, 측정기, 및 콘트롤러를 더 포함한다. 콘트롤러는 측정기를 통하여 드라이 펌프의 전류량이 설정 전류량의 범위를 벗어나는 경우 추가 밸브를 닫는다. 그 결과, 챔버로 부터 미반응 가스 또는 반응 부산물 및 각종 파티클등의 오염원이 다시 역류하여 챔버 및 웨이퍼의 오염을 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 콘트롤러는 추가 밸브를 차단시킴과 동시에 터보 펌프의 동작을 중지시키므로서 드라이 펌프 고장시 터보 펌프에 부하가 편중되는 것을 방지한다. 따라서, 드라이 펌프 및 터보 펌프의 점검 및 유지 보수 주기가 연장되고, 이를 통해 제조수율, 설비의 가동율, 및 생산성을 향상 시킬수 있다.
결론적으로, 포라인 및 드라이 펌프의 압력을 안정적으로 유지할 수 있게 되어, 드라이 펌프가 다운(DOWN)될 염려와 오염된 공정 부산물이 역류하게 되어 공정 진행중인 웨이퍼의 품질이 저하되는 것을 방지할 수 있는 반도체 제조 설비를 구현할 수 있다.
본 발명은 구체적인 실시예에 대해서만 설명하였지만, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 변형이나 변경할 수 있음은 본 발명이 속하는 당업자에게는 명백한 것이며, 그러한 변형이나 변경은 본 발명의 특허청구 범위에 속한다 할 것이다.

Claims (5)

  1. 챔버와;
    상기 챔버와 연결되는 포라인 및 진공라인과;
    상기 포라인 상에 설치된 드라이 펌프와;
    상기 포라인 상에 설치되며, 상기 챔버와 상기 드라이 펌프 사이에 위치하는 러핑 밸브와;
    상기 포라인 상에 설치되며, 상기 러핑 밸브와 상기 드라이 펌프 사이에 위치하는 밸브와;
    상기 진공 라인 상에 설치된 터보 펌프와;
    상기 진공라인 상에 설치되며, 상기 포라인으로부터 분기하여 상기 터보 펌프와 상기 챔버 사이에 위치하는 고진공 밸브; 및
    상기 드라이 펌프의 이상유무를 감지하는 콘트롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 콘트롤러는 상기 드라이 펌프의 전류량을 측정하여 상기 밸브와 상기 터보 펌프의 동작을 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 콘트롤러는 상기 드라이 펌프의 전류량이 설정 전류량의 범위를 벗어난 경우 상기 밸브를 닫고, 상기 터보 펌프의 동작을 중지 시키는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  4. 제 1항의 설비를 제어하는 방법에 있어서,
    드라이 펌프의 전류량 정보를 수신하는 단계;
    드라이 펌프의 전류량이 설정 전류량의 범위를 벗어난 경우 밸브를 닫는 단계; 및
    상기 밸브를 닫음과 동시에 터보 펌프의 동작을 중지 시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 제어방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 드라이 펌프의 전류량 정보를 출력하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 제어방법.
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