KR20000019936A - 반도체소자 제조용 화학기상증착장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 케미컬의 유입량을 제어할 수 있는 엘에프씨(LFC)가 구비되는 반도체소자 제조용 화학기상증착장치에 관한 것이다.
본 발명은, 케미컬의 유입량을 제어할 수 있는 엘에프씨가 구비되는 반도체소자 제조용 화학기상증착장치에 있어서, 상기 엘에프씨가 구비되는 전단에 공정수행에 따른 개폐동작을 수행할 수 있는 밸브가 더 구비되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 엘에프씨 및 엘에프씨의 전단에 구비되는 라인 내에 정체되어 있는 케미컬을 용이하게 제거시킴으로써 전술한 결함 등의 발생을 최소화시켜 반도체소자의 제조에 따른 생산성이 향상되는 효과가 있다.
Description
본 발명은 반도체소자 제조용 화학기상증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 케미컬(Chemical)의 유입량을 제어할 수 있는 엘에프씨(LFC : Liquid Flow Controller)가 구비되는 반도체소자 제조용 화학기상증착장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자는 상기 반도체소자로 제조할 수 있는 웨이퍼(Wafer)를 대상으로 하는 다양한 단위공정 등을 수행함으로써 제조된다.
여기서 상기 웨이퍼를 대상으로 하는 단위공정 중에서 상기 웨이퍼 상에 절연막 또는 금속막 등과 같은 막(Film)을 형성시키는 공정은 주로 화학반응을 이용하여 상기 웨이퍼 상에 막을 형성시키는 화학기상증착(CVD)공정을 수행함으로써 이루어진다.
이러한 화학기상증착공정을 수행하는 제조장치에는 공정수행시 케미컬의 유입량을 제어할 수 있는 엘에프씨가 필수적인 구성요소로 구비되는 것이 일반적이다.
여기서 상기 엘에프씨가 구비되는 제조장치를 이용한 공정수행시 상기 공정을 일시적으로 수행하지 않을 경우에는 디버트밸브(Divert Vavle)를 개방시켜 펌핑(Pumping)을 수행함으로써 상기 엘에프씨 후단의 라인(Line) 내에 정체되어 있는 케미컬을 제거시킨다.
그러나 상기 엘에프씨가 구비되는 전단에는 별도의 밸브 등이 구비되어 있지 않음에 따라 상기 제조장치를 이용한 공정을 장시간 수행하지 않을 경우에는 상기 엘에프씨 및 그 전단의 라인 내에는 케미컬이 지속해서 정체되어 있게 된다.
이러한 케미컬의 정체는 상기 엘에프씨를 열화시키는 원인으로 작용하였고, 또한 공정수행시 불량을 발생시키는 원인으로 작용하였다.
따라서 종래의 엘에프씨가 구비되는 화학기상증착장치를 장시간 수행하지 않을 경우에는 전술한 결함 등이 발생함으로써 반도체소자의 제조에 따른 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 엘에프씨 및 엘에프씨의 전단에 구비되는 라인 내에 정체되어 있는 케미컬을 용이하게 제거시킴으로써 전술한 결함 등의 발생을 최소화시켜 반도체소자의 제조에 따른 생산성을 향상시키기 위한 반도체소자 제조용 화학기상증착장치을 제공하는 데 있다.
도1은 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 화학기상증착장치의 일 실시예를 나타내는 구성도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 엘에프씨 12 : 에어밸브
13 : 도프드밸브 14 : 언도프드밸브
16 : 디버트밸브 18 : 펌프
20 : 밸브
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 화학기상증착장치는, 케미컬의 유입량을 제어할 수 있는 엘에프씨가 구비되는 반도체소자 제조용 화학기상증착장치에 있어서, 상기 엘에프씨가 구비되는 전단에 공정수행에 따른 개폐동작을 수행할 수 있는 밸브가 더 구비되는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도1은 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 화학기상증착장치의 일 실시예를 나타내는 구성도이다.
먼저, 화학기상증착공정을 수행할 수 있는 화학기상증착장치의 케미컬의 유입량을 제어할 수 있는 엘에프씨(10)가 구비되어 있다.
그리고 상기 엘에프씨(10)의 후단에는 에어밸브(Air Valve)(12) 및 도프드밸브(Doped Valve)(13)/언도프드밸브(Undoped Vavle)(14)가 구비되어 있다.
여기서 상기 도프드밸브(13)/언도프드밸브(14)가 구비되는 라인은 챔버(Chamber)(도시되지 않음)로 연결된다.
그리고 상기와 같은 화학기상증착장치를 이용한 공정수행시 상기 공정을 수행하지 않을 경우 상기 엘에프씨(10)에 정체되는 케미컬을 제거시키기 위하여 개방되는 디버트밸브(16) 및 펌핑을 수행하는 펌프(18)가 구비되어 있다.
또한 본 발명은 상기 엘에프씨(10)의 전단에도 밸브(20)를 구비시킴으로써, 상기 엘에프씨(10) 및 상기 엘에프씨(10) 및 그 전단의 라인에 정체되어 있는 케미컬을 제거시킬 수 있다.
즉, 상기 화학기상증착장치를 장시간 사용하지 않을 경우 지속해서 정체되어 있는 케미컬을 상기 디버트밸브(16)를 개방시켜 엘에프씨(10) 후단의 라인에 정체되어 있는 케미컬을 제거시킬 때 상기 엘에프씨(10) 전단에 구비되는 밸브(20) 또한 같이 개방시킴으로써 상기 엘에프씨(10) 및 그 전단의 라인에 정체되어 있는 케미컬을 제거시킬 수 있는 것이다.
이에 따라 본 발명은 상기 화학기상증착장치를 장시간에 걸쳐 사용하지 않을 경우 상기 엘에프씨(10) 및 그 전/후단의 라인 내에 정체되어 있는 케미컬을 완전히 제거시킴에 따라 상기 엘에프씨(10)가 열화되는 것을 방지할 수 있고, 또한 공정수행시 불량의 발생을 최소화시킬 수 있다.
따라서, 본 발명에 의하면 엘에프씨 및 엘에프씨의 전단에 구비되는 라인 내에 정체되어 있는 케미컬을 용이하게 제거시킴으로써 전술한 결함 등의 발생을 최소화시켜 반도체소자의 제조에 따른 생산성이 향상되는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
Claims (1)
- 케미컬(Chemical)의 유입량을 제어할 수 있는 엘에프씨(LFC)가 구비되는 반도체소자 제조용 화학기상증착장치에 있어서,상기 엘에프씨가 구비되는 전단에 공정수행에 따른 개폐동작을 수행할 수 있는 밸브(Valve)가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 화학기상증착장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980038294A KR20000019936A (ko) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | 반도체소자 제조용 화학기상증착장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980038294A KR20000019936A (ko) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | 반도체소자 제조용 화학기상증착장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000019936A true KR20000019936A (ko) | 2000-04-15 |
Family
ID=19550830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980038294A KR20000019936A (ko) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | 반도체소자 제조용 화학기상증착장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20000019936A (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100904460B1 (ko) * | 2007-12-07 | 2009-06-24 | 세메스 주식회사 | 오존수 혼합액 공급 장치 및 방법과, 이를 이용한 기판처리 설비 |
| US11709155B2 (en) | 2017-09-18 | 2023-07-25 | Waters Technologies Corporation | Use of vapor deposition coated flow paths for improved chromatography of metal interacting analytes |
| US11709156B2 (en) | 2017-09-18 | 2023-07-25 | Waters Technologies Corporation | Use of vapor deposition coated flow paths for improved analytical analysis |
| US11918936B2 (en) | 2020-01-17 | 2024-03-05 | Waters Technologies Corporation | Performance and dynamic range for oligonucleotide bioanalysis through reduction of non specific binding |
-
1998
- 1998-09-16 KR KR1019980038294A patent/KR20000019936A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100904460B1 (ko) * | 2007-12-07 | 2009-06-24 | 세메스 주식회사 | 오존수 혼합액 공급 장치 및 방법과, 이를 이용한 기판처리 설비 |
| US11709155B2 (en) | 2017-09-18 | 2023-07-25 | Waters Technologies Corporation | Use of vapor deposition coated flow paths for improved chromatography of metal interacting analytes |
| US11709156B2 (en) | 2017-09-18 | 2023-07-25 | Waters Technologies Corporation | Use of vapor deposition coated flow paths for improved analytical analysis |
| US11918936B2 (en) | 2020-01-17 | 2024-03-05 | Waters Technologies Corporation | Performance and dynamic range for oligonucleotide bioanalysis through reduction of non specific binding |
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