JPS6362325A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS6362325A JPS6362325A JP20817886A JP20817886A JPS6362325A JP S6362325 A JPS6362325 A JP S6362325A JP 20817886 A JP20817886 A JP 20817886A JP 20817886 A JP20817886 A JP 20817886A JP S6362325 A JPS6362325 A JP S6362325A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching chamber
- reacting gas
- etching
- reservoir
- valve
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラズマやイオンを利用するドライエツチング
装置に関し、特に真空予備室としてのロードロック、ア
ンロードロック、および反応ガス導入手段を備えたドラ
イエツチング装置に関する。
装置に関し、特に真空予備室としてのロードロック、ア
ンロードロック、および反応ガス導入手段を備えたドラ
イエツチング装置に関する。
第３図は従来のドライエツチング装置の一例の構成図で
ある。同図に示すように、ドライエツチング装置はエツ
チングチャンバー２の内部に対向する平行平板電極４ａ
、４ｂを備えており、エツチングチャンバー２内を常に
真空に保つためにそれに隣接したロードロック１および
アンロードロック３を備えている。
ある。同図に示すように、ドライエツチング装置はエツ
チングチャンバー２の内部に対向する平行平板電極４ａ
、４ｂを備えており、エツチングチャンバー２内を常に
真空に保つためにそれに隣接したロードロック１および
アンロードロック３を備えている。
エツチングは次のシーケンスで行なわれる。エツチング
チャンバー２内にウェハ１１をロードした後、反応ガス
６ａ、〜６ｎがそれぞれバルブ９ａ、〜９ｎ、フローコ
ントローラ８ａ、〜８ｎを通して一定流量に制御されて
エツチングチャンバー２に導入される。導入されたエツ
チングチャンバー２内の反応ガスはポンプ５ｂにより排
気され、バルブ７ｂの開口度を調節することによりエツ
チングチャンバー２内は所定のガス圧に保たれる。反応
ガスが所定の圧力に到達した後、高周波電源（図示しな
い）により平行平板電極４ａ、４ｂにパワーが印加され
て放電が開始されエッチングが行なわれる。エツチング
終了後はバルブ９ａ、〜９ｎが閉じられて反応ガス６ａ
、〜６ｎが遮断され、エツチングチャンバー２内は再び
真空に保たれる。
チャンバー２内にウェハ１１をロードした後、反応ガス
６ａ、〜６ｎがそれぞれバルブ９ａ、〜９ｎ、フローコ
ントローラ８ａ、〜８ｎを通して一定流量に制御されて
エツチングチャンバー２に導入される。導入されたエツ
チングチャンバー２内の反応ガスはポンプ５ｂにより排
気され、バルブ７ｂの開口度を調節することによりエツ
チングチャンバー２内は所定のガス圧に保たれる。反応
ガスが所定の圧力に到達した後、高周波電源（図示しな
い）により平行平板電極４ａ、４ｂにパワーが印加され
て放電が開始されエッチングが行なわれる。エツチング
終了後はバルブ９ａ、〜９ｎが閉じられて反応ガス６ａ
、〜６ｎが遮断され、エツチングチャンバー２内は再び
真空に保たれる。
上述した従来のドライエツチング装置では、エツチング
チャンバーが真空の状態から反応ガスが導入され所定の
ガス圧に到達するまでにフローコントローラを通して流
れる反応ガスの流量は、−般に数１０〜数１００ｃｃ／
分と少ないため、エツチング開始までに長時間を要して
いた。このためウェハ処理に多くの時間がかかり生産性
が悪いという欠点があり、特にウェハを１枚１枚処理す
る枚葉処理装置においては、各ウェハについて真空から
所定のガス圧に到達するまで反応ガスを導入する必要が
あるので、−層深刻な問題となる。
チャンバーが真空の状態から反応ガスが導入され所定の
ガス圧に到達するまでにフローコントローラを通して流
れる反応ガスの流量は、−般に数１０〜数１００ｃｃ／
分と少ないため、エツチング開始までに長時間を要して
いた。このためウェハ処理に多くの時間がかかり生産性
が悪いという欠点があり、特にウェハを１枚１枚処理す
る枚葉処理装置においては、各ウェハについて真空から
所定のガス圧に到達するまで反応ガスを導入する必要が
あるので、−層深刻な問題となる。
本発明の目的は、エツチングチャンバーに隣接して一定
容積の反応ガスのりザーバーを設けることにより、エツ
チングチャンバー内を真空状態から速やかに所定の反応
ガス圧に達せしめ、この状態を保つことができるドライ
エツチング装置を提供することにある。
容積の反応ガスのりザーバーを設けることにより、エツ
チングチャンバー内を真空状態から速やかに所定の反応
ガス圧に達せしめ、この状態を保つことができるドライ
エツチング装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のドライエツチング装置は、ロードロック、アン
ロードロックおよび反応ガス導入手段と、エツチングチ
ャンバーと前記反応ガス導入手段との間に配設された一
定容積の反応ガス保有手段とを備えている。
ロードロックおよび反応ガス導入手段と、エツチングチ
ャンバーと前記反応ガス導入手段との間に配設された一
定容積の反応ガス保有手段とを備えている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図、第２図はそれぞれ本発明のドライエツチング装
置の第１．第２の実施例の構成図である。同図において
、従来例と同じ構成要件には第３図と同じ符号を付しで
ある。
置の第１．第２の実施例の構成図である。同図において
、従来例と同じ構成要件には第３図と同じ符号を付しで
ある。
第１図に示すように、第１の実施例は複数種の反応ガス
６ａ、〜６ｎをそれぞれバルブ９ａ、〜９ｎおよびフロ
ーコントローラ８ａ、〜８ｎを介して供給されるリザー
バー１０と、バルブ７ｄを介してリザーバー１０から反
応ガスを導入されるエツチングチャンバー２と、エツチ
ングチャンバー２内に配設された平行平板電極ｊａ、４
ｂと、エツチングチャンバー２に隣接して設置されたロ
ードロック１．アンロードロック３と、ロードロック１
．エツチングチャンバー２．アンロードロック３とそれ
ぞれバルブ７ａ、７ｂ、７ｃを介して接続されたポンプ
５ａ、５ｂ、５ｃを含んでなる平行平板電極を備えるド
ライエツチング装置である。
６ａ、〜６ｎをそれぞれバルブ９ａ、〜９ｎおよびフロ
ーコントローラ８ａ、〜８ｎを介して供給されるリザー
バー１０と、バルブ７ｄを介してリザーバー１０から反
応ガスを導入されるエツチングチャンバー２と、エツチ
ングチャンバー２内に配設された平行平板電極ｊａ、４
ｂと、エツチングチャンバー２に隣接して設置されたロ
ードロック１．アンロードロック３と、ロードロック１
．エツチングチャンバー２．アンロードロック３とそれ
ぞれバルブ７ａ、７ｂ、７ｃを介して接続されたポンプ
５ａ、５ｂ、５ｃを含んでなる平行平板電極を備えるド
ライエツチング装置である。
第１の実施例において、エツチングは次のシーケンスで
行なわれる。ポンプ５ａにより排気されて真空状態にあ
るロードロック１から送られたウェハ１１はエツチング
チャンバー２に入る０次に、バルブ７ｄが開放されると
、リザーバー１０から反応ガスがエツチングチャンバー
２内に導入され、バルブ７ｂの開口度の調節が行なわれ
てエツチングチャンバー２内の反応ガスは所定のガス圧
に到達する。この場合、リザーバー１０は一定の容積を
有しているので、大量の反応ガスがバルブ７ｄを通して
エツチングチャンバー２に流れる。従って短時間でエツ
チングチャンバー２内は所定のガス圧になる。一方、反
応ガス６ａ、〜６ｎはそれぞれバルブ９ａ、〜９ｎを通
してフローコントローラ８ａ、〜８ｎにより一定流量に
制御されてリザーバー１０．バルブ７ｄを通ってエツチ
ングチャンバー２に送り続けられる０次に平行平板電極
４ａ、４ｂにパワーが印加されると、放電が開始されて
エツチングが行なわれる。エツチング終了後、バルブ７
ｄは閉じられ、エツチングチャンバー２は排気されて真
空になる。
行なわれる。ポンプ５ａにより排気されて真空状態にあ
るロードロック１から送られたウェハ１１はエツチング
チャンバー２に入る０次に、バルブ７ｄが開放されると
、リザーバー１０から反応ガスがエツチングチャンバー
２内に導入され、バルブ７ｂの開口度の調節が行なわれ
てエツチングチャンバー２内の反応ガスは所定のガス圧
に到達する。この場合、リザーバー１０は一定の容積を
有しているので、大量の反応ガスがバルブ７ｄを通して
エツチングチャンバー２に流れる。従って短時間でエツ
チングチャンバー２内は所定のガス圧になる。一方、反
応ガス６ａ、〜６ｎはそれぞれバルブ９ａ、〜９ｎを通
してフローコントローラ８ａ、〜８ｎにより一定流量に
制御されてリザーバー１０．バルブ７ｄを通ってエツチ
ングチャンバー２に送り続けられる０次に平行平板電極
４ａ、４ｂにパワーが印加されると、放電が開始されて
エツチングが行なわれる。エツチング終了後、バルブ７
ｄは閉じられ、エツチングチャンバー２は排気されて真
空になる。
ウェハ１１はポンプ５ｃによって排気されて真空状態に
なったアンロードロック３に送られ、続いてエツチング
されるべき次のウェハがロードロック１からエツチング
チャンバー２に搬送ロードされる。この間の真空排気中
およびウェハ搬送中にバルブ９ａ、〜９ｎを開けておけ
ば、反応ガスがリザーバー１０に蓄えられることになる
。再びバルブ７ｄが開放されると、リザーバー１０から
エツチングチャンバー２に反応ガスが導入される。
なったアンロードロック３に送られ、続いてエツチング
されるべき次のウェハがロードロック１からエツチング
チャンバー２に搬送ロードされる。この間の真空排気中
およびウェハ搬送中にバルブ９ａ、〜９ｎを開けておけ
ば、反応ガスがリザーバー１０に蓄えられることになる
。再びバルブ７ｄが開放されると、リザーバー１０から
エツチングチャンバー２に反応ガスが導入される。
以上のシーケンスを繰り返すことによりウェハのエツチ
ング処理が行なわれる。
ング処理が行なわれる。
次に、第２図に示す第２の実施例は同軸型電極を備える
ドライエツチング装置であり、エツチングチャンバー２
内には、第１の実施例における平行平板電極４ａ、４ｂ
（第１図に図示）の代わりに同軸型電極１２が配設され
ている。第２図において、その他の構成は第１図に示し
た第１の実施例と同じであり動作シーケンスも第１の実
施例と同様のものとなる。第２の実施例は同軸型電極１
２を使用しているので、ホトレジストのプラズマ剥離処
理にも使用可能となる利点がある。
ドライエツチング装置であり、エツチングチャンバー２
内には、第１の実施例における平行平板電極４ａ、４ｂ
（第１図に図示）の代わりに同軸型電極１２が配設され
ている。第２図において、その他の構成は第１図に示し
た第１の実施例と同じであり動作シーケンスも第１の実
施例と同様のものとなる。第２の実施例は同軸型電極１
２を使用しているので、ホトレジストのプラズマ剥離処
理にも使用可能となる利点がある。
以上説明したように本発明は、エツチングチャンバーと
反応ガス導入手段との間に反応ガス保有手段を設けるこ
とにより、短時間でエンチングチャンバー内の反応ガス
圧を所定値に保つことができるので、ウェハ処理時間が
短縮され、生産性が大幅に向上する効果がある。特にド
ライエツチング装置として枚葉処理装置を使用する場合
には、各ウェハについてエツチングチャンバー内を真空
状態から所定ガス圧に保つ必要があるため生産性は著し
く向上する。
反応ガス導入手段との間に反応ガス保有手段を設けるこ
とにより、短時間でエンチングチャンバー内の反応ガス
圧を所定値に保つことができるので、ウェハ処理時間が
短縮され、生産性が大幅に向上する効果がある。特にド
ライエツチング装置として枚葉処理装置を使用する場合
には、各ウェハについてエツチングチャンバー内を真空
状態から所定ガス圧に保つ必要があるため生産性は著し
く向上する。
第１図、第２図はそれぞれ本発明のドライエツチング装
置の第１．第２の実施例の構成図、第３図は従来のドラ
イエツチング装置の一例の構成図である。 １・・・ロードロック、２・・・エツチングチャンバー
、３・・・アンロードロック、４ａ、４ｂ・・・平行平
板電極、５ａ、〜５ｃ・・・ポンプ、６ａ、〜６ｎ・・
・反応ガス、７ａ、〜７ｎ、９ａ、〜９ｎ・・・バルブ
、８ａ、〜８ｎ・・・フローコントローラ、１０・・・
リザーバー、１１・・・ウェハ、１２・・・同軸型電極
。 ＄ ２ 図
置の第１．第２の実施例の構成図、第３図は従来のドラ
イエツチング装置の一例の構成図である。 １・・・ロードロック、２・・・エツチングチャンバー
、３・・・アンロードロック、４ａ、４ｂ・・・平行平
板電極、５ａ、〜５ｃ・・・ポンプ、６ａ、〜６ｎ・・
・反応ガス、７ａ、〜７ｎ、９ａ、〜９ｎ・・・バルブ
、８ａ、〜８ｎ・・・フローコントローラ、１０・・・
リザーバー、１１・・・ウェハ、１２・・・同軸型電極
。 ＄ ２ 図
Claims (1)
- ロードロック、アンロードロックおよび反応ガス導入手
段を含んで成るドライエッチング装置において、エッチ
ングチャンバーと前記反応ガス導入手段との間に一定容
積の反応ガスを保有する反応ガス保有手段を備えること
を特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20817886A JPS6362325A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20817886A JPS6362325A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6362325A true JPS6362325A (ja) | 1988-03-18 |
Family
ID=16551951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20817886A Pending JPS6362325A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6362325A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002194552A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-10 | Sharp Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2003071270A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-11 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
| US7305275B2 (en) * | 2002-03-27 | 2007-12-04 | Ebara Corporation | Material supply system in semiconductor device manufacturing plant |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57145321A (en) * | 1981-03-03 | 1982-09-08 | Nec Corp | Dry etching device |
| JPS59208836A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
| JPS6139519A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-25 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS62106627A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-05-18 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
| JPS6318834B2 (ja) * | 1980-02-22 | 1988-04-20 | Okaya Electric Industry Co |
-
1986
- 1986-09-03 JP JP20817886A patent/JPS6362325A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6318834B2 (ja) * | 1980-02-22 | 1988-04-20 | Okaya Electric Industry Co | |
| JPS57145321A (en) * | 1981-03-03 | 1982-09-08 | Nec Corp | Dry etching device |
| JPS59208836A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
| JPS6139519A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-25 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS62106627A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-05-18 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002194552A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-10 | Sharp Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2003071270A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-11 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
| JP4490008B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2010-06-23 | 株式会社アルバック | 真空処理装置及び真空処理方法 |
| US7305275B2 (en) * | 2002-03-27 | 2007-12-04 | Ebara Corporation | Material supply system in semiconductor device manufacturing plant |
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