JPS6139519A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS6139519A JPS6139519A JP15871784A JP15871784A JPS6139519A JP S6139519 A JPS6139519 A JP S6139519A JP 15871784 A JP15871784 A JP 15871784A JP 15871784 A JP15871784 A JP 15871784A JP S6139519 A JPS6139519 A JP S6139519A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat transfer
- transfer gas
- plasma processing
- sample
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、プラズマ処理装置に係り、特にガスプラズマ
を利用して試料をプラズマエツチング処理するのに好適
なプラズマ処理装置に関するものである。
を利用して試料をプラズマエツチング処理するのに好適
なプラズマ処理装置に関するものである。
ガスプラズマを利用して試料をプラズマエツチング処理
する技術としては、例えば、Ｅ、 Ｊ、 Ｅｇｅｒｔｏ
ｎ他、５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
、、 Ｖｏｌ。２５．／１６８゜Ｐ８４〜８７（−１９
８２二８）で論じら１てパるよう。
する技術としては、例えば、Ｅ、 Ｊ、 Ｅｇｅｒｔｏ
ｎ他、５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
、、 Ｖｏｌ。２５．／１６８゜Ｐ８４〜８７（−１９
８２二８）で論じら１てパるよう。
な技術が知られている。
この技術は、水冷された電極と、この電極にクランプさ
れた試料の裏面との間に圧力が６ Ｔｏｒｒ程度のヘリ
ウムガス（以下、ＧＨｅと略）を流通させて電極と試料
の裏面との間の熱抵抗を減少させ、これにより試料を効
果的に冷却しつつガスプラズマを利用して試料をプラズ
マエツチング処理しようとするものである。 。
れた試料の裏面との間に圧力が６ Ｔｏｒｒ程度のヘリ
ウムガス（以下、ＧＨｅと略）を流通させて電極と試料
の裏面との間の熱抵抗を減少させ、これにより試料を効
果的に冷却しつつガスプラズマを利用して試料をプラズ
マエツチング処理しようとするものである。 。
この技術では、試料は効果的に冷却されるものの、ＧＨ
ｅのプラズマ処理室内への流出は避けられず、また、こ
の流出量は試料のプラズマ処理毎に変動する。プラズマ
処理室内へのＯＨｅの流出量の変動は、試料のプラズマ
処理に不都合な影響を及ぼすようになるが、しかし、こ
の技術では、この点が認識されていない。
ｅのプラズマ処理室内への流出は避けられず、また、こ
の流出量は試料のプラズマ処理毎に変動する。プラズマ
処理室内へのＯＨｅの流出量の変動は、試料のプラズマ
処理に不都合な影響を及ぼすようになるが、しかし、こ
の技術では、この点が認識されていない。
本発明の目的は、プラズマ処理室内への伝熱ガスの流出
量を一定化することで、試料のプラズマ処理を良好に行
うことができるプラズマ処理装置を提供することにある
。
量を一定化することで、試料のプラズマ処理を良好に行
うことができるプラズマ処理装置を提供することにある
。
本発明は、バッファタンクをマスフローコントローラの
後流側で伝熱ガス供給ラインに設け、バッファタンクの
後流側で伝熱ガス供給ラインより分岐した伝熱ガス分岐
ラインを処理ガス導入ラインに連結し、バッファタンク
内の伝熱ガス圧力を検知する圧力針と伝熱ガス分岐ライ
ンに設けた流ｐ＊−１ ｆｔ制御バルブとを接続したことを特徴とするもので、
プラズマ処理室内への伝熱ガスの流出量を一定化しよう
としたものである。
後流側で伝熱ガス供給ラインに設け、バッファタンクの
後流側で伝熱ガス供給ラインより分岐した伝熱ガス分岐
ラインを処理ガス導入ラインに連結し、バッファタンク
内の伝熱ガス圧力を検知する圧力針と伝熱ガス分岐ライ
ンに設けた流ｐ＊−１ ｆｔ制御バルブとを接続したことを特徴とするもので、
プラズマ処理室内への伝熱ガスの流出量を一定化しよう
としたものである。
本発明の一実施例を図面により説明する。
図面で、プラズマ処理室１ｏには、この場合、対向電極
１１と電極校とが設けられている。対向電極１１は、電
極軸１３とｙｔｔｍ板１４とで構成されると共に。
１１と電極校とが設けられている。対向電極１１は、電
極軸１３とｙｔｔｍ板１４とで構成されると共に。
対向電極１１には、ガス供給路１５とガス供給路１５に
連通し電極板１４の一面（図面では、下面）に開口した
ガス放出孔１６とが形成されている。電ｆ！稔は、電極
軸１７とｔｔｔＭｉ８板１８とで横１８れると共に、電
極丘には、伝熱ガス供給路１９が形成されている。また
、’ｉｔ！極板１８の二面（図面では、上面）には、伝
熱ガス分散用の四囲が形成され四ｍは伝熱ガス供給路１
９に連通している。即ち、対向１！極１１とｉｌｔ［ｉ
丘とは、ｉｔ［！板１４のガス放出孔１６がＤＦＪ口し
た面と１！極板１８の凹ｍが形成された面とを上下に対
向させ、かつ、電極板１４と電極板１８とをプラズマ処
理室１０に内股させた状態でプラズマ処理室１ｏに設け
られている。また、プラズマ処理室１ｏには、プラズマ
処理室１０内を減圧排気する真空排気装５１ｊ２１が連
結され、プラズマ処理室１０はアースされている。
連通し電極板１４の一面（図面では、下面）に開口した
ガス放出孔１６とが形成されている。電ｆ！稔は、電極
軸１７とｔｔｔＭｉ８板１８とで横１８れると共に、電
極丘には、伝熱ガス供給路１９が形成されている。また
、’ｉｔ！極板１８の二面（図面では、上面）には、伝
熱ガス分散用の四囲が形成され四ｍは伝熱ガス供給路１
９に連通している。即ち、対向１！極１１とｉｌｔ［ｉ
丘とは、ｉｔ［！板１４のガス放出孔１６がＤＦＪ口し
た面と１！極板１８の凹ｍが形成された面とを上下に対
向させ、かつ、電極板１４と電極板１８とをプラズマ処
理室１０に内股させた状態でプラズマ処理室１ｏに設け
られている。また、プラズマ処理室１ｏには、プラズマ
処理室１０内を減圧排気する真空排気装５１ｊ２１が連
結され、プラズマ処理室１０はアースされている。
電極丘には電源（図示省略）が接続されている。
図面で、プラズマ処理室１０の外側にある電極軸１７に
は、伝熱ガス供給ライン四が伝熱ガス供給路１９と連通
して連結されている。伝熱ガス供給ライン四には、マス
フａ−コントローラ刀の後流側でパフファタンク冴が設
けられ、バッファタンクスには、パフファタンクＵ内の
伝熱ガスの圧力を検知する圧力計５が設けられている。
は、伝熱ガス供給ライン四が伝熱ガス供給路１９と連通
して連結されている。伝熱ガス供給ライン四には、マス
フａ−コントローラ刀の後流側でパフファタンク冴が設
けられ、バッファタンクスには、パフファタンクＵ内の
伝熱ガスの圧力を検知する圧力計５が設けられている。
バッファタンクあの後流側で伝熱ガス供給ラインｎより
伝熱ガス分岐ライン墓が分岐し伝熱ガス分岐ライン％は
、減圧排気されるプラズマ処理室１０に処理ガスを導入
する処理ガス導入ラインｎに連結されている。
伝熱ガス分岐ライン墓が分岐し伝熱ガス分岐ライン％は
、減圧排気されるプラズマ処理室１０に処理ガスを導入
する処理ガス導入ラインｎに連結されている。
処理ガス導入ラインｎは、プラズマ処理室ｌＯの外側に
ある電極軸１３にガス供給路１５と連通して連結されて
いる。伝熱ガス分岐ライン々の連結か所より前流側で処
理ガス導入ライン２７Ｉこは、マスフローコントローラ
囚が設けられている。伝熱ガス分岐ライン笈には、流量
制御バルブ四が設けられ。
ある電極軸１３にガス供給路１５と連通して連結されて
いる。伝熱ガス分岐ライン々の連結か所より前流側で処
理ガス導入ライン２７Ｉこは、マスフローコントローラ
囚が設けられている。伝熱ガス分岐ライン笈には、流量
制御バルブ四が設けられ。
流量制御バルブ四と圧力計５とは接続されている。
図面で、＠極１２のＩＴｔ極板１Ｂには試料Ｊが、この
場合、１枚載置され、試料間は押え具３１によりクラン
プされる。この状態で減圧〃１気されたプラズマ処理室
１０内には１例えば、１１００５ＣＣの流量で処理ガス
が導入される。これと共に真空排気装Ｗ！Ｌ２１を作動
させてプラズマ処理室ｌｏ内の圧力は、例えば、約０．
１ ’Ｉ’ｏｒｒ にコントロールされる。一方、パ
ブファタンク為内には、伝熱ガス、例えば、ＧＨｅが、
例えば、２８ＣＣＭの流量で併給される。
場合、１枚載置され、試料間は押え具３１によりクラン
プされる。この状態で減圧〃１気されたプラズマ処理室
１０内には１例えば、１１００５ＣＣの流量で処理ガス
が導入される。これと共に真空排気装Ｗ！Ｌ２１を作動
させてプラズマ処理室ｌｏ内の圧力は、例えば、約０．
１ ’Ｉ’ｏｒｒ にコントロールされる。一方、パ
ブファタンク為内には、伝熱ガス、例えば、ＧＨｅが、
例えば、２８ＣＣＭの流量で併給される。
パブファタンクＭ内のＧＨｅの圧力は、圧力計５と流星
制御バルブ四とにより、例えば、約２ Ｔｏｒｒの圧力
にコントロールされる。即ち、圧力を約２Ｔｏｒｔの圧
力にコントロールされたＧＨｅは、伝熱ガス供給ライン
ｎ、伝熱ガス供給路１９を経て凹（９）に至り、ここで
分散された後に電極板１８と試料薗の裏面との間に供給
され、その後、この一部はプラズマ処理室１０内へ流出
する。一方、パブファタンク冴内のＧＨｅの圧力コント
ロールにより余分となったＧＨｅは、伝熱ガス供給ライ
ンｎより伝熱ガス分岐ラインかに分流され、伝熱ガス分
岐ライン３を流通した後に処理ガス導入ライン４を流通
している処理ガス薯こ合流される。０１］ｅが合流され
た処環ガスは、この状態で、ガス供給路１５を流通しガ
ス放出孔１６より試料加に向って放出され、その後、プ
ラズマ化される。
制御バルブ四とにより、例えば、約２ Ｔｏｒｒの圧力
にコントロールされる。即ち、圧力を約２Ｔｏｒｔの圧
力にコントロールされたＧＨｅは、伝熱ガス供給ライン
ｎ、伝熱ガス供給路１９を経て凹（９）に至り、ここで
分散された後に電極板１８と試料薗の裏面との間に供給
され、その後、この一部はプラズマ処理室１０内へ流出
する。一方、パブファタンク冴内のＧＨｅの圧力コント
ロールにより余分となったＧＨｅは、伝熱ガス供給ライ
ンｎより伝熱ガス分岐ラインかに分流され、伝熱ガス分
岐ライン３を流通した後に処理ガス導入ライン４を流通
している処理ガス薯こ合流される。０１］ｅが合流され
た処環ガスは、この状態で、ガス供給路１５を流通しガ
ス放出孔１６より試料加に向って放出され、その後、プ
ラズマ化される。
本実施例では次のような効果を得ることができる。
（１）試料の裏面からのＧＨｅの流出量は、試料毎に変
動するが、しかし、プラズマ処理室内に流出するＧＨｅ
の全体量を常に一定化させるので、試料のプラズマ処理
を良好に行うことができる。
動するが、しかし、プラズマ処理室内に流出するＧＨｅ
の全体量を常に一定化させるので、試料のプラズマ処理
を良好に行うことができる。
（２）試料の裏面のＧＨｅの圧力を一定化できるので、
試料をプラズマ処理中に充分有効に冷却することができ
る。
試料をプラズマ処理中に充分有効に冷却することができ
る。
本発明によれば、プラズマ処理室内への伝熱ガスの流出
量を一定化できるため、試料のプラズマ処理を良好に行
うことができるという効果がある。
量を一定化できるため、試料のプラズマ処理を良好に行
うことができるという効果がある。
図面は１本発明によるプラズマ処理装置の一実施例を示
す系統図である。 １０・・・・・・プラズマ処理室、戎・・・・・・電極
、ｎ・・・・・・伝熱ガス供給ライン、ｎ・・・・・・
マスフローコントローラ、冴・・・・・・バッファタン
ク、ｂ・・・・・・圧力針、加・・・伝熱ガス分岐ライ
ン、ｎ・・・・・・処理ガス導入ライン、四・・・・・
・流量制御バルブ
す系統図である。 １０・・・・・・プラズマ処理室、戎・・・・・・電極
、ｎ・・・・・・伝熱ガス供給ライン、ｎ・・・・・・
マスフローコントローラ、冴・・・・・・バッファタン
ク、ｂ・・・・・・圧力針、加・・・伝熱ガス分岐ライ
ン、ｎ・・・・・・処理ガス導入ライン、四・・・・・
・流量制御バルブ
Claims (1)
- １、減圧排気されるプラズマ処理室内に処理ガスを導入
する処理ガス導入ラインと、前記プラズマ処理室に内設
され冷却される電極と該電極にクランプされた試料の裏
面との間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給ラインとを
有し、前記試料の温度を所定温度に制御しつつガスプラ
ズマを利用して前記材料をプラズマ処理する装置におい
て、バッファタンクをマスフローコントローラの後流側
で前記伝熱ガス供給ラインに設け、バッファタンクの後
流側で伝熱ガス供給ラインより分岐した伝熱ガス分岐ラ
インを前記処理ガス導入ラインに連結し、バッファタン
ク内の伝熱ガス圧力を検知する圧力計と伝熱ガス分岐ラ
インに設けた流量制御バルブとを接続したことを特徴と
するプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15871784A JPS6139519A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15871784A JPS6139519A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6139519A true JPS6139519A (ja) | 1986-02-25 |
Family
ID=15677806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15871784A Pending JPS6139519A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6139519A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6362325A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-03-18 | Nec Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS63181324A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-26 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| JPH01309328A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-12-13 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法及びその装置 |
| US5248370A (en) * | 1989-05-08 | 1993-09-28 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for heating and cooling semiconductor wafers in semiconductor wafer processing equipment |
| JPH07183282A (ja) * | 1986-04-18 | 1995-07-21 | General Signal Corp | プラズマ・エッチング装置 |
| US6103055A (en) * | 1986-04-18 | 2000-08-15 | Applied Materials, Inc. | System for processing substrates |
| WO2009028191A1 (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Panasonic Corporation | プラズマドーピング処理装置及び方法 |
-
1984
- 1984-07-31 JP JP15871784A patent/JPS6139519A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07183282A (ja) * | 1986-04-18 | 1995-07-21 | General Signal Corp | プラズマ・エッチング装置 |
| US6103055A (en) * | 1986-04-18 | 2000-08-15 | Applied Materials, Inc. | System for processing substrates |
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| JPS63181324A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-26 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| JPH01309328A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-12-13 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法及びその装置 |
| US5248370A (en) * | 1989-05-08 | 1993-09-28 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for heating and cooling semiconductor wafers in semiconductor wafer processing equipment |
| WO2009028191A1 (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Panasonic Corporation | プラズマドーピング処理装置及び方法 |
| US7820230B2 (en) | 2007-08-31 | 2010-10-26 | Panasonic Corporation | Plasma doping processing device and method thereof |
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