JPH07176486A

JPH07176486A - 半導体製造装置及び該装置を用いた冷却ガス導入排気方法

Info

Publication number: JPH07176486A
Application number: JP5317853A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Tamoto; 和浩多本
Original assignee: Sumitomo Metal Industries Ltd
Current assignee: Nippon Steel Corp
Priority date: 1993-12-17
Filing date: 1993-12-17
Publication date: 1995-07-14
Anticipated expiration: 2018-01-14
Also published as: JP3365663B2

Abstract

(57)【要約】【構成】冷却ガス導入経路３３を構成する圧力制御ユ
ニット２８の上流側にプライマリーバルブ２５ｂが、下
流側にコントロールバルブ２５ｃが配設され、冷却ガス
排気経路３４を構成するスロー排気バルブ２６ｂ及びオ
リフィス２６ｃが排気配管２６途中に介装されている半
導体製造装置１０。【効果】冷却ガス導入初期におけるオーバーシュート
を緩和すると共に冷却ガスを徐々に排気し、設定ガス圧
が低い場合でも試料Ｓを短時間で均一に冷却することが
でき、試料Ｓの歩留り及び処理効率を高めることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置及び該装
置を用いた冷却ガス導入排気方法に関し、より詳細には
電極に固定された試料を冷却しながらプラズマ処理等を
行うことができる半導体製造装置及び該装置を用いた冷
却ガス導入排気方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体製造過程の薄膜形成工程や
ドライエッチング工程等で使用される半導体製造装置に
おいては、処理中の試料がプラズマ等の照射を受けるこ
とにより高温に加熱される。しかし該試料が高温になる
と、該試料が破損したり、良好な処理ができなかったり
するという問題が発生する。

【０００３】このような問題に対処するため、高い熱伝
導率を有する金属を用いて形成された試料台に冷却機構
が埋設された半導体製造装置が広く用いられており、こ
のような構成の半導体製造装置では、試料の冷却は主と
して前記試料台からの熱伝導により行われる。しかしな
がら、前記試料が前記試料台上に載置されるだけでは前
記試料と前記試料台との密着性が悪く、良好な前記試料
の温度制御を行うことは困難であった。

【０００４】そこで近年、試料台と試料との密着性を良
好にするためのリング状の押え板や爪状の押え治具等、
あるいは静電力の吸着作用を利用する静電チャック等の
試料固定機構と、冷却ガスにより前記試料を冷却するた
めの冷却ガス導入排気機構とを備えた半導体製造装置が
開発されている。

【０００５】図５は従来の押え板及び冷却ガス導入排気
機構を備えた半導体製造装置を示した模式的断面図であ
る。図中１１は処理室を示しており、処理室１１の上方
には上部電極１２がセラミックシールド２０によって支
持されている。上部電極１２の上方には中央部にプロセ
スガス供給路１６が形成されたシ−ルプレ−ト１５が配
設されており、プロセスガス供給路１６にはガス供給源
（図示せず）が接続されている。また、シ−ルプレ−ト
１５と上部電極１２との間にはバッフル板２１が介装さ
れており、このバッフル板２１に形成された開口部２１
ａ及び上部電極１２に形成された開口部１２ａから処理
室１１にプロセスガスが拡散されて供給されるようにな
っている。また、セラミックシールド２０には試料Ｓを
試料台１４に固定するための押え板１９が取り付けられ
ている。

【０００６】また、上部電極１２に対向して処理室１１
の下部には所定の距離を保って下部電極１３が配設さ
れ、下部電極１３は高い熱伝導率を有する金属を用いて
形成されており、下部電極１３の周囲は下部電極１３以
外の電気的グランドがのぞかないように絶縁層１３ａで
覆われている。また、下部電極１３内には冷媒室１８が
形成され、下部電極１３下部には冷媒室１８に冷媒を供
給するための冷媒供給路１８ａと、冷媒室１８から冷媒
を排出するための冷媒排出路１８ｂとが接続されてい
る。また、下部電極１３にはヘリウムガス等の冷却ガス
を導入・排気するための冷却ガス導入排気路２４と、冷
却ガス導入排気路２４から導入された冷却ガスを試料Ｓ
裏面に供給するための複数個の供給口２４ａとが形成さ
れており、これら下部電極１３、絶縁層１３ａ及び冷却
ガス導入排気路２４を含んで試料台１４が構成されてお
り、この下部電極１３上面には試料Ｓが載置されるよう
になっている。

【０００７】また、試料台１４の下方であって冷却ガス
導入排気路２４の一端には導入配管３５及び排気配管３
６が接続されており、導入配管３５には上流側から順に
手動バルブ３５ａ、レギュレータ３７、圧力制御ユニッ
ト３８及びコントロールバルブ３５ｃが介装され、これ
ら冷却ガス導入排気路２４、導入配管３５、手動バルブ
３５ａ、コントロールバルブ３５ｃ、レギュレータ３７
及び圧力制御ユニット３８により冷却ガス導入経路４３
が構成されている。また排気配管３６には排気バルブ３
６ａが介装されており、これら冷却ガス導入排気路２
４、排気配管３６及び排気バルブ３６ａにより冷却ガス
排気経路４４が構成されている。また、コントロールバ
ルブ３５ｃには電磁制御装置４０が、排気バルブ３６ａ
には電磁制御装置４１がそれぞれ接続されており、これ
ら電磁制御装置４０、４１によりコントロールバルブ３
５ｃ及び排気バルブ３６ａが同期して開閉するようにな
っている。

【０００８】また、試料台１４外周下方には排気路１７
が形成されている。また下部電極１３と試料Ｓとの間に
は隔膜真空計２３が接続され、導入配管３５には隔膜真
空計２９が接続されており、膜真空計２３、２９は圧力
制御ユニット３８に電気的に接続されている。また、上
部電極１２及び下部電極１３には高周波電源２２が接続
されており、高周波電源２２とアースとの切り換えが可
能に構成されている。

【０００９】このような構成の半導体製造装置を用いて
冷却ガスの導入・排気を行うには、まず、コントロール
バルブ３５ｃ及び排気バルブ３６ａを閉状態で、試料Ｓ
を下部電極１３上に載置した後、セラミックシールド２
０を降下させ、押え板１９により試料Ｓを押圧固定す
る。この後、コントロールバルブ３５ｃの上流側の冷却
ガス圧力をレギュレータ３７により例えば１ｋｇｆ／ｃ
ｍ² に設定するとともに、冷却ガスの流量が例えば２〜
３ｓｃｃｍになるように圧力制御ユニット３８により調
整する。次に、コントロールバルブ３５ｃ及び排気バル
ブ３６ａを開状態にすると、導入配管３５から導入され
た冷却ガスが冷却ガス導入排気路２４を通り、供給口２
４ａから試料Ｓ裏面に供給される。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の半導体
製造装置においては、処理中、手動バルブ３５ａは開状
態のままとなっており、常時、５〜６ｋｇｆ／ｃｍ² の
ガス圧で冷却ガスが冷却ガス導入経路４３内に送られて
いる。そして、試料Ｓ交換中においてはコントロールバ
ルブ３５ｃは閉状態におかれ、この間にコントロールバ
ルブ３５ｃよりも上流側の導入配管３５内には高い圧力
で冷却ガスが充満する。そして、この状態からコントロ
ールバルブ３５ｃを開くと、充満していた前記冷却ガス
が下部電極１３と試料Ｓとの間に一気に流れ込み、オー
バーシュートが発生する。これに起因して下部電極１３
内に圧力波が伝り、試料Ｓを均一に冷却することができ
ないという課題があった。

【００１１】また、冷却ガス導入排気路２４に一旦流入
した冷却ガスは排気バルブ３６ａから一気に排気され、
特に圧力制御ユニット３８による設定ガス圧が低い場合
には、ガス圧を設定値に安定させるまでに時間がかか
り、早期に試料Ｓを冷却することができないという課題
があった。

【００１２】したがって、試料Ｓの歩留りが低く、また
処理効率が悪いという課題があった。

【００１３】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであって、冷却ガス導入初期におけるオーバーシュー
トを緩和すると共に設定ガス圧が低い場合でも冷却ガス
圧を短時間で設定値に安定させ、試料Ｓを均一に冷却す
ることができる半導体製造装置及び該装置を用いた冷却
ガス導入排気方法を提供することを目的としている。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る半導体製造装置は、電極に固定した試料
を裏面から冷却するための冷却ガス導入経路及び排気経
路を備えた半導体製造装置において、前記冷却ガス導入
経路を構成する圧力制御ユニットの上流側にプライマリ
ーバルブが、下流側にコントロールバルブが配設され、
前記冷却ガス排気経路を構成するスロー排気バルブ及び
オリフィスが排気配管途中に介装されていることを特徴
としている。

【００１５】また本発明に係る半導体製造装置を用いた
冷却ガス導入排気方法は、前記半導体製造装置を用いた
冷却ガス導入排気方法において、冷却ガスの導入時、ま
ず、前記プライマリーバルブ、前記コントロールバルブ
及び前記スロー排気バルブを閉状態で前記プライマリー
バルブの上流側圧力を所定値に設定し、その後前記プラ
イマリーバルブ、前記コントロールバルブ及び前記スロ
ー排気バルブを開状態にするとともに前記圧力制御ユニ
ットにより所定圧力に設定して冷却ガスを導入すること
を特徴としている。

【００１６】

【作用】上記した構成の半導体製造装置によれば、冷却
ガス導入経路を構成する圧力制御ユニットの上流側にプ
ライマリーバルブが、下流側にコントロールバルブが配
設され、冷却ガス排気経路を構成するスロー排気バルブ
及びオリフィスが排気配管途中に介装されているので、
冷却ガスにより試料を裏面から冷却する際、前記プライ
マリーバルブ、前記コントロールバルブ及び前記スロー
排気バルブを同期させて開閉することにより、前記冷却
ガス導入経路へのガス導入が徐々に行われ、導入初期に
おけるオーバーシュートが緩和される。また、前記冷却
ガス排気経路からの排気が徐々に行われ、ガス圧が短時
間で所定値に安定し、前記試料が均一に冷却される。し
たがって、このような装置を用いて前記試料の処理を行
うことにより、該試料の歩留りが高まり、また処理効率
が向上する。

【００１７】また、上記した半導体製造装置を用いた冷
却ガス導入排気方法によれば、冷却ガスの導入時、ま
ず、前記プライマリーバルブ、前記コントロールバルブ
及び前記スロー排気バルブを閉状態で前記プライマリー
バルブの上流側圧力を所定値に設定しておくので、前記
プライマリーバルブによって冷却ガスの流れが阻止さ
れ、前記コントロールバルブより上流側に高圧の冷却ガ
スが充満することはない。その後、前記プライマリーバ
ルブ、前記コントロールバルブ及び前記スロー排気バル
ブを開状態にするとともに前記圧力制御ユニットにより
所定圧力に設定して冷却ガスを導入するので、冷却ガス
が徐々に導入されることとなり、導入初期におけるオー
バーシュートが緩和される。また、冷却ガスの排気が前
記スロー排気バルブ及び前記オリフィスを通して徐々に
行われ、前記圧力制御ユニットによる設定ガス圧が低く
てもガス圧が短時間で設定値に安定し、前記試料が均一
に冷却される。

【００１８】

【実施例及び比較例】以下、本発明に係る半導体製造装
置および該装置を用いた冷却ガス導入排気方法の実施例
及び比較例を図面に基づいて説明する。なお、実施例に
係る半導体製造装置の構成は図５に示した従来の半導体
製造装置の構成と略同様であるため、ここでは同じ部分
の説明は省略し、従来のものと相違する箇所についての
みその構成を説明する。また、従来例と同一の構成部品
には同一の符合を付すこととする。図１は実施例に係る
平行平板型の半導体製造装置を示した模式的断面図であ
り、図中１０は半導体製造装置を示しており、図中１４
は試料台を示している。試料台１４の下方であって冷却
ガス導入排気路２４の一端にはＳＵＳ３０４を用いて形
成された内径が４．５ｍｍの導入配管２５及び排気配管
２６が接続されている。この導入配管２５には上流側か
ら順に手動バルブ２５ａ、レギュレータ２７、プライマ
リーバルブ２５ｂ、圧力制御ユニット２８及びコントロ
ールバルブ２５ｃが介装されており、これら冷却ガス導
入排気路２４、導入配管２５、手動バルブ２５ａ、プラ
イマリーバルブ２５ｂ、コントロールバルブ２５ｃ、レ
ギュレータ２７及び圧力制御ユニット２８により冷却ガ
ス導入経路３３が構成されている。また、排気配管２６
の途中は分岐しており、一方には排気バルブ２６ａが介
装され、他方にはスロー排気バルブ２６ｂ及びオリフィ
ス２６ｃが介装されており、これら冷却ガス導入排気路
２４、排気配管２６、排気バルブ２６ａ、スロー排気バ
ルブ２６ｂ及びオリフィス２６ｃにより冷却ガス排気経
路３４が構成されている。またコントロールバルブ２５
ｃには電磁制御装置３０が、プライマリーバルブ２５ｂ
及びスロー排気バルブ２６ｂには電磁制御装置３１が、
排気バルブ２６ａには電磁制御装置３２がそれぞれ接続
され、これら電磁制御装置３０、３１、３２によりプラ
イマリーバルブ２５ｂ、コントロールバルブ２５ｃ及び
スロー排気バルブ２６ｂが同期して開閉するとともに、
これらの各バルブ２５ｂ、２５ｃ、２６ｂとは逆に排気
バルブ２６ａが開閉するように制御される。また隔膜真
空計２３、２９は圧力制御ユニット２８に電気的に接続
されている。

【００１９】以下に、このような構成の半導体製造装置
１０を用いた冷却ガス導入排気方法を、処理及び試料Ｓ
の交換を６０秒間のサイクルで繰り返す場合を例に挙げ
て説明する。冷却ガスの導入時、まず、図２に示したよ
うにプライマリーバルブ２５ｂ、コントロールバルブ２
５ｃ及びスロー排気バルブ２６ｂを閉状態、かつ排気バ
ルブ２６ａを開状態にしておき、試料Ｓを下部電極１３
上に載置する。この後、セラミックシールド２０を降下
させ、押え板１９により試料Ｓを押圧固定する。次に、
プライマリーバルブ２５ｂよりも上流側の冷却ガス圧力
をレギュレータ２７により所定値に設定し、冷却ガスの
流量が所定値になるように圧力制御ユニット２８のガス
圧を設定する。この後、プライマリーバルブ２５ｂ、コ
ントロールバルブ２５ｃ及びスロー排気バルブ２６ｂを
開状態にするとともに排気バルブ２６ａを閉状態にし、
所定流量の冷却ガスをプライマリーバルブ２５ｂより下
流側の冷却ガス導入経路３３を通過させ、供給口２４ａ
から試料Ｓ裏面に供給する。さらに冷却ガスは冷却ガス
導入排気路２４から排気配管２６を通り、オリフィス２
６ｃにより絞られつつ排気される。約６０秒間の処理終
了後、図２に示したようにプライマリーバルブ２５ｂ、
コントロールバルブ２５ｃ及びスロー排気バルブ２６ｂ
を閉状態にするとともに排気バルブ２６ａを開状態に
し、冷却ガスを一気に排気する。約６０秒間で試料Ｓを
交換し、再び上記した方法により冷却ガスの導入・排気
を行う。

【００２０】以下に実施例に係る半導体製造装置１０
と、比較例として図５に示した従来の半導体製造装置と
を用い、圧力制御ユニット２８の設定圧力を１０Ｔｏｒ
ｒ、１２Ｔｏｒｒ、１４Ｔｏｒｒと変化させて冷却ガス
の導入・排気を行い、下部電極１３内でのガス圧の変化
を調べた結果について説明する。図３（ａ）〜（ｃ）は
その結果を示しており、ガス圧の測定は隔膜真空計２３
を用いて行った。

【００２１】図３（ａ）〜（ｃ）から明らかなように実
施例の場合は、ガス圧が設定値になるまでの時間は１０
Ｔｏｒｒで約１０秒、１２Ｔｏｒｒで約１３秒、１４Ｔ
ｏｒｒで約１５秒となっており、またいずれの場合にも
オーバーシュートが発生していない。これに対して比較
例の場合は、ガス圧が設定値になるまでの時間は１０Ｔ
ｏｒｒで約２３秒、１２Ｔｏｒｒで約２６秒、１４Ｔｏ
ｒｒで約３０秒と長くなっており、またいずれの場合に
もオーバーシュートが発生している。このように実施例
に係る半導体製造装置１０を用いた冷却ガス導入排気方
法では、プライマリーバルブ２５ｂ、コントロールバル
ブ２５ｃ及びスロー排気バルブ２６ｂを同時に開状態に
することにより、コントロールバルブ２５ｃよりも下流
側の冷却ガス導入経路３３には圧力制御ユニット２８に
より所定圧力に設定された冷却ガスが流れ、冷却ガス導
入初期におけるオーバーシュートを緩和することができ
た。また、冷却ガスがオリフィス２６ｃで絞られながら
徐々に排気されるので、冷却ガス圧が設定値に安定する
までの所要時間を大幅に短縮することができた。

【００２２】以下に、実施例に係る半導体製造装置１０
と、比較例として図５に示した従来の半導体製造装置と
を用いた冷却ガス導入排気を行い、試料Ｓ表面における
温度を測定し、温度分布の均一性を調べた結果について
説明する。冷却ガスとして、Ｈｅ（９０ｓｃｃｍ）、Ｓ
Ｆ₆ （５６ｓｃｃｍ）及びＣＨＦ₃ （１４ｓｃｃｍ）の
混合ガスを用い、高周波電源２２に２５０Ｗを印加し、
処理室１１の圧力を４２５ｍＴｏｒｒに、冷却ガスの圧
力を１０Ｔｏｒｒに、上部電極１２及び下部電極１３の
温度を２０℃にそれぞれ設定した。結果を図４（ａ）、
（ｂ）に示す。また、上記実験結果からΔＴ＝最高温度
−最低温度を算出した結果を表１に示す。

【００２３】

【表１】

【００２４】図４（ａ）、（ｂ）及び表１から明らかな
ように実施例の場合は、試料Ｓ全体が約４３℃であり、
またΔＴ＜５℃となっており、試料Ｓ表面における温度
分布の均一性を良好にすることができた。これに対して
比較例の場合は、試料Ｓの周囲が約６０℃でＡ中心部が
約４３℃であり、またΔＴ＞２０℃となっており、試料
Ｓ表面における温度分布の均一性が悪かった。このよう
に、実施例に係る半導体製造装置１０を用いた冷却ガス
導入排気方法では、試料Ｓを均一に冷却することができ
た。

【００２５】表２は、実施例に係る半導体製造装置１０
と、比較例として図５に示した従来の半導体製造装置と
を用いた冷却ガス導入排気を行いながら試料Ｓのエッチ
ング処理を６０秒間行い、試料Ｓの歩留りを調べた結果
を示したものである。試料Ｓの歩留りは、１カセット
（２５枚）におけるオーバーシュート、温度むら及びレ
ジスト焼けを調べ、これら全ての点について問題の無か
ったものを良品として（良品数／全体数）×１００の式
により求めた。

【００２６】

【表２】

【００２７】表２から明らかなように実施例に係る半導
体製造装置１０を用いた場合は、試料Ｓの歩留りが約９
６％と良好であったのに対し、比較例に係る半導体製造
装置を用いた場合は、試料Ｓの歩留りが約８０％と悪か
った。このように、実施例に係る半導体製造装置１０を
用いた冷却ガス導入排気方法では、試料Ｓを均一に冷却
することにより、試料Ｓの歩留りを大幅に高めることが
できた。

【００２８】以上説明したように実施例に係る半導体製
造装置１０にあっては、冷却ガス導入初期におけるオー
バーシュートを緩和する共に設定ガス圧が低い場合でも
冷却ガス圧を短時間で設定値に安定させ、試料Ｓを均一
に冷却することができる。したがって、このような半導
体製造装置１０を用いて試料Ｓの処理を行うことによ
り、試料Ｓの歩留りを高めることができるとともに、処
理効率を上げることができる。

【００２９】さらに冷却ガスを排気する際、排気バルブ
２６ａから一気に排気することにより、半導体製造装置
１０の稼働率を維持することができる。

【００３０】また、実施例に係る半導体製造装置１０を
用いた冷却ガス導入排気方法にあっては、冷却ガスの導
入時、まず、プライマリーバルブ２５ｂ、コントロール
バルブ２５ｃ及びスロー排気バルブ２６ｂを閉状態でプ
ライマリーバルブ２５ｂの上流側圧力を所定値に設定し
ておくので、高圧の冷却ガスがコントロールバルブ２５
ｃより上流側に充満しない。その後、プライマリーバル
ブ２５ｂ、コントロールバルブ２５ｃ及びスロー排気バ
ルブ２６ｂを開状態にするとともに圧力制御ユニット２
８により所定圧力に設定して冷却ガスを導入するので、
冷却ガス導入初期におけるオーバーシュートを緩和する
ことができると共に、設定ガス圧が低くても冷却ガス圧
を短時間で所定値に安定させ、試料Ｓを均一に冷却する
ことができる。

【００３１】なお上記実施例では、半導体製造装置１０
が平行平板型のプラズマ処理装置である場合について説
明したが、別の実施例では半導体製造装置がその他のマ
イクロ波プラズマ処理装置やケミカルドライエッチング
装置等である場合においても同様に本発明を適用するこ
とができる。

【００３２】また上記実施例では、中央が分岐した排気
配管２６に排気バルブ２６ａ、スロー排気バルブ２６ｂ
及びオリフィス２６ｃが介装されている場合について説
明したが、別の実施例では、中央が分岐しない排気配管
にスロー排気バルブ２６ａ及びオリフィス２６が介装さ
れている場合においても同様に本発明を適用することが
でき、この場合は装置の構造を簡単にすることができ
る。

【００３３】

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る半導体
製造装置においては、電極に固定した試料を裏面から冷
却するための冷却ガス導入経路及び排気経路を備えた半
導体製造装置において、前記冷却ガス導入経路を構成す
る圧力制御ユニットの上流側にプライマリーバルブが、
下流側にコントロールバルブが配設され、前記冷却ガス
排気経路を構成するスロー排気バルブ及びオリフィスが
排気配管途中に介装されているので、冷却ガスにより前
記試料を裏面から冷却する際、冷却ガス導入初期におけ
るオーバーシュートを緩和することができるとともに、
設定ガス圧が低くても冷却ガス圧を短時間で設定値に安
定させ、前記試料を均一に冷却することができる。した
がって、このような半導体製造装置を用いて前記試料の
処理を行うことにより、該試料の歩留りを高めることが
できるとともに、処理効率を上げることができる。

【００３４】また本発明に係る半導体製造装置を用いた
冷却ガス導入排気方法においては、前記半導体製造装置
を用いた冷却ガス導入排気方法において、冷却ガスの導
入時、まず、前記プライマリーバルブ、前記コントロー
ルバルブ及び前記スロー排気バルブを閉状態で前記プラ
イマリーバルブの上流側圧力を所定値に設定し、その後
該プライマリーバルブ、前記コントロールバルブ及び前
記スロー排気バルブを開状態にするとともに前記圧力制
御ユニットにより所定圧力に設定して冷却ガスを導入す
るので、冷却ガスを徐々に導入することにより冷却ガス
導入初期におけるオーバーシュートを緩和することがで
きるとともに、冷却ガスを徐々に排気することにより設
定ガス圧が低い場合でも冷却ガス圧を短時間で設定値に
安定させ、試料を均一に冷却することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体製造装置の実施例を示した
模式的断面図である。

【図２】（ａ）〜（ｃ）は実施例に係る半導体製造装置
における主要各バルブの開閉状態を示したグラフであ
る。

【図３】（ａ）〜（ｃ）は実施例に係る半導体製造装置
と比較例に係る従来の半導体製造装置とを用い、圧力制
御ユニットの設定圧力を１０Ｔｏｒｒ、１２Ｔｏｒｒ、
１４Ｔｏｒｒと変化させて冷却ガスの導入・排気を行
い、下部電極内でのガス圧の変化を調べた結果を示した
グラフである。

【図４】（ａ）、（ｂ）は実施例に係る半導体製造装置
と比較例に係る半導体製造装置とにおいて、試料表面に
おける温度分布の均一性を調べた結果を示したグラフで
ある。

【図５】従来の半導体製造装置を示した模式的断面図で
ある。

【符号の説明】

１０半導体製造装置２５ｂプライマリーバルブ２５ｃコントロールバルブ２６排気配管２６ｂスロー排気バルブ２６ｃオリフィス２８圧力制御ユニット３３冷却ガス導入経路３４冷却ガス排気経路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電極に固定した試料を裏面から冷却する
ための冷却ガス導入経路及び排気経路を備えた半導体製
造装置において、前記冷却ガス導入経路を構成する圧力
制御ユニットの上流側にプライマリーバルブが、下流側
にコントロールバルブが配設され、前記冷却ガス排気経
路を構成するスロー排気バルブ及びオリフィスが排気配
管途中に介装されていることを特徴とする半導体製造装
置。
【請求項２】請求項１記載の半導体製造装置を用いた
冷却ガス導入排気方法において、冷却ガスの導入時、ま
ず、前記プライマリーバルブ、前記コントロールバルブ
及び前記スロー排気バルブを閉状態で前記プライマリー
バルブの上流側圧力を所定値に設定し、その後前記プラ
イマリーバルブ、前記コントロールバルブ及び前記スロ
ー排気バルブを開状態にするとともに前記圧力制御ユニ
ットにより所定圧力に設定して冷却ガスを導入すること
を特徴とする冷却ガス導入排気方法。