JPH0334540A - プラズマ処理装置およびその装置におけるウエハ温度制御方法 - Google Patents
プラズマ処理装置およびその装置におけるウエハ温度制御方法Info
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- JPH0334540A JPH0334540A JP17024589A JP17024589A JPH0334540A JP H0334540 A JPH0334540 A JP H0334540A JP 17024589 A JP17024589 A JP 17024589A JP 17024589 A JP17024589 A JP 17024589A JP H0334540 A JPH0334540 A JP H0334540A
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 32
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造過程の１つに用いられるウ
ェハ表面上のアルミニウムなどの電極配線のエツチング
技術に関し、特にプラズマ処理装置およびその装置にお
けるウェハの温度制御方法に関するものである。
ェハ表面上のアルミニウムなどの電極配線のエツチング
技術に関し、特にプラズマ処理装置およびその装置にお
けるウェハの温度制御方法に関するものである。
第３図は、例えば特開昭６１−３６９３１号公報に開示
された従来のプラズマ処理装置及びそれに備えられたウ
ェハの温度制御機構を示す概略図である。図において、
１はウェハの温度制御用の冷媒ガスの流量を制御するマ
スフローコントローラ、２はウェハ裏面のガス圧をモニ
タリングする圧力計、３は試料台兼下電極、４は処理ガ
ス導入口を備えた上電極、５はウェハ、６は真空排気装
置、７は処理ガスの流量を制御するマスフローコントロ
ーラ、８は処理室、９はウェハ押えリングである。
された従来のプラズマ処理装置及びそれに備えられたウ
ェハの温度制御機構を示す概略図である。図において、
１はウェハの温度制御用の冷媒ガスの流量を制御するマ
スフローコントローラ、２はウェハ裏面のガス圧をモニ
タリングする圧力計、３は試料台兼下電極、４は処理ガ
ス導入口を備えた上電極、５はウェハ、６は真空排気装
置、７は処理ガスの流量を制御するマスフローコントロ
ーラ、８は処理室、９はウェハ押えリングである。
次に動作について説明する。
まず、処理室８内部の下電極３の上にウェハ５を配置し
、ウェハ押えリング９によってウェハ５をチャックする
。次に、処理室８内部を真空排気装置６によって排気通
路６ａを通して減圧する。
、ウェハ押えリング９によってウェハ５をチャックする
。次に、処理室８内部を真空排気装置６によって排気通
路６ａを通して減圧する。
そして処理室８内部の圧力が設定値に達すると、処理ガ
ス導入口を有する上電極４より１処理ガスがマスフロー
コントローラＴによって制御されながら導入される。筐
た、同時にウェハ５の裏面に冷媒ガスがマス７０−コン
トローラ１によって制御されながら導入される。
ス導入口を有する上電極４より１処理ガスがマスフロー
コントローラＴによって制御されながら導入される。筐
た、同時にウェハ５の裏面に冷媒ガスがマス７０−コン
トローラ１によって制御されながら導入される。
ここで、一対の上下電極３，４に高周波電圧が印加され
ると、この上下電極４，３間にプラズマが発生する。す
ると、この状態にかいてウニ７％ ５の表面のエツチン
グ処理が所定の時間行われる。
ると、この上下電極４，３間にプラズマが発生する。す
ると、この状態にかいてウニ７％ ５の表面のエツチン
グ処理が所定の時間行われる。
筐た、ウェハ温度制御用の冷媒ガスは、下電極４とウェ
ハ５の裏面にガス圧によってできる隙間より処理室８内
へリークし、真空排気装置６によって排気されることに
なる。
ハ５の裏面にガス圧によってできる隙間より処理室８内
へリークし、真空排気装置６によって排気されることに
なる。
従来のプラズマ処理装置にかけるウェハ温度制御方式に
おいては、以上のように構成されているので、ウェハ温
度制御用の冷媒ガスをウェハ５の裏面へ導入させ始めて
、そのウェハ裏面と下電極３０表面との間にガス圧によ
って安定した隙間が生じる１で、つ１シウエハ５とウェ
ハ押えリング９を冷媒ガスが押し上げて一定の隙間をつ
〈υ、これを保持して定常状態になるまでの間、ウェハ
５が振動して、破損する問題が生じた。また、この冷媒
ガスは処理室８の内部へリークさせているので、ウェハ
処理に悪影響を与えるという問題があった。
おいては、以上のように構成されているので、ウェハ温
度制御用の冷媒ガスをウェハ５の裏面へ導入させ始めて
、そのウェハ裏面と下電極３０表面との間にガス圧によ
って安定した隙間が生じる１で、つ１シウエハ５とウェ
ハ押えリング９を冷媒ガスが押し上げて一定の隙間をつ
〈υ、これを保持して定常状態になるまでの間、ウェハ
５が振動して、破損する問題が生じた。また、この冷媒
ガスは処理室８の内部へリークさせているので、ウェハ
処理に悪影響を与えるという問題があった。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、処理室内部の圧力よシウエハ裏面に導入するガ
ス圧を下げて、ガス導入時に生じるウェハの振動を防ぎ
、かつウェハ処理を冷媒ガスによる悪影響から保護する
ことを目的とする。
もので、処理室内部の圧力よシウエハ裏面に導入するガ
ス圧を下げて、ガス導入時に生じるウェハの振動を防ぎ
、かつウェハ処理を冷媒ガスによる悪影響から保護する
ことを目的とする。
本発明に係るプラズマ処理装置は、処理室内に水平にウ
ェハを載置する第１電極及び該電極の上方に平行に対向
する第２電極を有し、この両電極間に高周波電力を印加
してプラズマを発生させ、第１電極上に載置したウェハ
の裏面に熱伝導性の高い冷媒ガスを接触循環させること
によう、ウェハの温度制御を行いながらプラズマ処理を
行うプラズマ処理装置に訃いて、処理室内部の冷媒ガス
の圧力を測定する圧力計と、この冷媒ガスを処理室内部
へ漏洩させること危く真空排気通路へ排気量を調整し女
から引き込み排気する排気機構を備えたものである。
ェハを載置する第１電極及び該電極の上方に平行に対向
する第２電極を有し、この両電極間に高周波電力を印加
してプラズマを発生させ、第１電極上に載置したウェハ
の裏面に熱伝導性の高い冷媒ガスを接触循環させること
によう、ウェハの温度制御を行いながらプラズマ処理を
行うプラズマ処理装置に訃いて、処理室内部の冷媒ガス
の圧力を測定する圧力計と、この冷媒ガスを処理室内部
へ漏洩させること危く真空排気通路へ排気量を調整し女
から引き込み排気する排気機構を備えたものである。
また、本発明の別の発明に係るプラズマ処理装置のウェ
ハ温度制御方法は、処理室内の電極上に載置されたウェ
ハの裏面に熱伝導性の高い冷媒ガスを接触循環させるこ
とにより、ウェハの温度制御を行いながらプラズマ処理
を行う際に、処理室内部の圧力よシも常にウェハ裏面で
のガス圧が低くなるように排気量を制御しながら冷媒ガ
スを排気回収するものである。
ハ温度制御方法は、処理室内の電極上に載置されたウェ
ハの裏面に熱伝導性の高い冷媒ガスを接触循環させるこ
とにより、ウェハの温度制御を行いながらプラズマ処理
を行う際に、処理室内部の圧力よシも常にウェハ裏面で
のガス圧が低くなるように排気量を制御しながら冷媒ガ
スを排気回収するものである。
本発明においては、処理室内部の圧力よシも常にウェハ
裏面でのガス圧が低くなるように排気量を制御しながら
冷媒ガスを排気回収することにより、ウェハの振動が防
止できる。また、この制御によって、ガスは処理室内部
にリークしないので、ウェハ処理を冷媒ガスによる悪影
響から保護することが可能である。
裏面でのガス圧が低くなるように排気量を制御しながら
冷媒ガスを排気回収することにより、ウェハの振動が防
止できる。また、この制御によって、ガスは処理室内部
にリークしないので、ウェハ処理を冷媒ガスによる悪影
響から保護することが可能である。
〔実施例〕
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明に係るウェハ温度制御機構を備えたプラ
ズマ処理装置の一実施例を示す概略図である。第１図に
おいて、１０は試料台兼下電極３上に載置されるウェハ
５の裏面に導入された冷媒ガスを排気する排気通路、１
１は処理室８内部の圧力をモニタリングする圧力計、１
２は冷媒ガスの排気量を調節する自動排気量調節弁であ
シ、その他の符号１〜９は第３図に示した従来のものと
同様であり１その説明は省略する。
ズマ処理装置の一実施例を示す概略図である。第１図に
おいて、１０は試料台兼下電極３上に載置されるウェハ
５の裏面に導入された冷媒ガスを排気する排気通路、１
１は処理室８内部の圧力をモニタリングする圧力計、１
２は冷媒ガスの排気量を調節する自動排気量調節弁であ
シ、その他の符号１〜９は第３図に示した従来のものと
同様であり１その説明は省略する。
また、第２図は第１図に釦ける試料台兼下電極の平面図
を示すものであシ、１３は冷媒ガスの導入口、１４は前
記下電極３０表面上の冷媒ガス通路、１５は冷媒ガスの
排気回収口である。
を示すものであシ、１３は冷媒ガスの導入口、１４は前
記下電極３０表面上の冷媒ガス通路、１５は冷媒ガスの
排気回収口である。
すなわち、本実施例のプラズマ処理装置が第３図の従来
例のものと異なる点は、ウェハ５裏面に冷媒ガスを導入
しかつこれを回収するための排気通路１０を排気回路と
して設けるとともに、処理室８内部の圧力を測定する圧
力計１１と自動排気量調節弁１２を設け、これによって
、処理室８内部の圧力よシもウェハ裏面のガス圧が常に
小さくなるように冷媒ガスの排気量を調整するようにし
たことである。
例のものと異なる点は、ウェハ５裏面に冷媒ガスを導入
しかつこれを回収するための排気通路１０を排気回路と
して設けるとともに、処理室８内部の圧力を測定する圧
力計１１と自動排気量調節弁１２を設け、これによって
、処理室８内部の圧力よシもウェハ裏面のガス圧が常に
小さくなるように冷媒ガスの排気量を調整するようにし
たことである。
次に上記実施例構成の動作について説明する。
筐ず、処理室８内部の下電極３の上にウェハ５を配置し
、ウェハ押えリング９によってウェハ５をチャックする
。
、ウェハ押えリング９によってウェハ５をチャックする
。
次に、処理室８内部を真空排気装置６によって排気通路
６ａを通して減圧する。そして処理室８内部の圧力が設
定値に達すると、上電極４の表面の処理ガス導入口より
１処理ガスがマスフローコントローラ７によって制御さ
れながら導入される。
６ａを通して減圧する。そして処理室８内部の圧力が設
定値に達すると、上電極４の表面の処理ガス導入口より
１処理ガスがマスフローコントローラ７によって制御さ
れながら導入される。
続いて、ウェハ５裏面に冷媒ガスがマスフローコントロ
ーラ１によって制御されながら導入される。
ーラ１によって制御されながら導入される。
この冷媒ガスは、真空排気装置６によって排気通路１０
を通して排気回収される。この時、圧力計１１によって
モニタリングされた処理室Ｂ内部の圧力Ｐｌと圧力計２
によってモニタリングされたウェハ５裏面での冷媒ガス
の圧力Ｐｌにおいて、常にＰｌ）Ｐ２の関係が成シ立つ
ように自動排気量調節弁１２で排気量を調節する。従っ
て、このＰＩ＞Ｐ２の関係により１冷媒ガスは、ウェハ
５の裏面と下電極３表面の間から処理室８内部にリーク
せず、またウェハ５が振動することは々い。
を通して排気回収される。この時、圧力計１１によって
モニタリングされた処理室Ｂ内部の圧力Ｐｌと圧力計２
によってモニタリングされたウェハ５裏面での冷媒ガス
の圧力Ｐｌにおいて、常にＰｌ）Ｐ２の関係が成シ立つ
ように自動排気量調節弁１２で排気量を調節する。従っ
て、このＰＩ＞Ｐ２の関係により１冷媒ガスは、ウェハ
５の裏面と下電極３表面の間から処理室８内部にリーク
せず、またウェハ５が振動することは々い。
また、下電極３０表面に、第２図に示すような冷媒ガス
の通路１５を設けであるため、ウェハ５の裏面に対する
冷媒ガスの接触面積の割合を大きくすることが可能であ
る。以上の状態において、一対の上下電極３，４に高周
波電圧を印加すると、処理ガスのみによるプラズマが発
生し、所定の時間、従来と同様にしてウェハ５の表面を
エツチング処理することができる。
の通路１５を設けであるため、ウェハ５の裏面に対する
冷媒ガスの接触面積の割合を大きくすることが可能であ
る。以上の状態において、一対の上下電極３，４に高周
波電圧を印加すると、処理ガスのみによるプラズマが発
生し、所定の時間、従来と同様にしてウェハ５の表面を
エツチング処理することができる。
〔発明の効果〕
以上のように本発明によれば、ウェハ温度制御用の冷媒
ガスを処理室内にリークさせないようにガス圧を排気量
の調節によって制御できる構成としたので、ガス導入時
、ガス圧が不安定であってもウェハの振動を防ぐことが
でき、筐た、ウェハ処理を冷媒ガスによる悪影響から保
護できるという効果が得られる。
ガスを処理室内にリークさせないようにガス圧を排気量
の調節によって制御できる構成としたので、ガス導入時
、ガス圧が不安定であってもウェハの振動を防ぐことが
でき、筐た、ウェハ処理を冷媒ガスによる悪影響から保
護できるという効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例によるプラズマ処理装置の概
略図、第２図は第１図の装置内に備えられる試料台兼下
電極の平面図、第３図は従来例によるプラズマ処理装置
の概略図である。 １・・・・マス７０−コントロー７．２・・・・圧力計
、３・・・・試料台兼下電極、４・・・・上電極、５・
・・・ウェハ、６・・・・真空排気装置、７・・・・マ
スフローコントローラ、８・・・・処理室、９・・・・
ウエノ１押えリング、１０・・・・排気通路、１１・・
・・圧力計、１２・・・・自動排気量調節弁、１３・・
・・冷媒ガス導入口、１４・・・・冷媒ガス通路、１５
・・・・冷媒ガス排気回収口。
略図、第２図は第１図の装置内に備えられる試料台兼下
電極の平面図、第３図は従来例によるプラズマ処理装置
の概略図である。 １・・・・マス７０−コントロー７．２・・・・圧力計
、３・・・・試料台兼下電極、４・・・・上電極、５・
・・・ウェハ、６・・・・真空排気装置、７・・・・マ
スフローコントローラ、８・・・・処理室、９・・・・
ウエノ１押えリング、１０・・・・排気通路、１１・・
・・圧力計、１２・・・・自動排気量調節弁、１３・・
・・冷媒ガス導入口、１４・・・・冷媒ガス通路、１５
・・・・冷媒ガス排気回収口。
Claims (2)
- （１）内部を排気減圧するための排気口とガスを導入す
る導入口を有する処理室と、この処理室内に水平にウェ
ハを載置する第１電極及び該電極の上方に平行に対向す
る第２電極を有し、この両電極間に高周波電力を印加し
てプラズマを発生させ、前記第１電極上に載置したウェ
ハの裏面に熱伝導性の高い冷媒ガスを接触循環させるこ
とにより、ウェハの温度制御を行いながらプラズマ処理
を行うプラズマ処理装置において、前記処理室内部の冷
媒ガスの圧力を測定する圧力計と、この冷媒ガスを前記
処理室内部へ漏洩させることなく真空排気通路へ排気量
を調整しながら引き込み排気する排気機構を備えたこと
を特徴とするプラズマ処理装置。 - （２）内部を排気減圧するための排気口とガスを導入す
る導入口を有する処理室と、この処理室内に水平にウェ
ハを載置する第１電極及び該電極の上方に平行に対向す
る第２電極を有し、この両電極間に高周波電力を印加し
てプラズマを発生させ、前記第１電極上に載置したウェ
ハの裏面に熱伝導性の高い冷媒ガスを接触循環させるこ
とにより、ウェハの温度制御を行いながらプラズマ処理
を行うプラズマ処理装置において、前記処理室内部の圧
力よりも常にウェハ裏面でのガス圧が低くなるように排
気量を制御しながら冷媒ガスを排気回収することを特徴
とするプラズマ処理装置におけるウェハ温度制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17024589A JPH0334540A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | プラズマ処理装置およびその装置におけるウエハ温度制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17024589A JPH0334540A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | プラズマ処理装置およびその装置におけるウエハ温度制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0334540A true JPH0334540A (ja) | 1991-02-14 |
Family
ID=15901364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17024589A Pending JPH0334540A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | プラズマ処理装置およびその装置におけるウエハ温度制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0334540A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05140771A (ja) * | 1991-11-15 | 1993-06-08 | Nissin Electric Co Ltd | エツチング装置 |
| JPH06318566A (ja) * | 1992-12-02 | 1994-11-15 | Applied Materials Inc | 高密度プラズマに使用可能な静電チャック |
| WO2003072850A1 (fr) * | 2002-02-27 | 2003-09-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Dispositif de production de semi-conducteurs ou de cristaux liquides |
| JP2007081178A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法および装置 |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP17024589A patent/JPH0334540A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05140771A (ja) * | 1991-11-15 | 1993-06-08 | Nissin Electric Co Ltd | エツチング装置 |
| JPH06318566A (ja) * | 1992-12-02 | 1994-11-15 | Applied Materials Inc | 高密度プラズマに使用可能な静電チャック |
| WO2003072850A1 (fr) * | 2002-02-27 | 2003-09-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Dispositif de production de semi-conducteurs ou de cristaux liquides |
| US7806984B2 (en) | 2002-02-27 | 2010-10-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor or liquid crystal producing device |
| KR101006634B1 (ko) * | 2002-02-27 | 2011-01-07 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 반도체 또는 액정 제조 장치 |
| JP2007081178A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法および装置 |
| JP4622764B2 (ja) * | 2005-09-15 | 2011-02-02 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理方法 |
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