JP2001237222A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JP2001237222A JP2001237222A JP2000044178A JP2000044178A JP2001237222A JP 2001237222 A JP2001237222 A JP 2001237222A JP 2000044178 A JP2000044178 A JP 2000044178A JP 2000044178 A JP2000044178 A JP 2000044178A JP 2001237222 A JP2001237222 A JP 2001237222A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 載置台と熱媒体とを直接接触させることな
く、載置台と熱媒体との間の熱伝達を十分に確保するこ
とができる真空処理装置を提供する。 【解決手段】 被処理物Ｗの処理中において恒温状態に
維持される恒温面３ａを処理室２内に有する恒温部材３
を備える。被処理物Ｗを処理室２内で保持するための静
電チャック装置５であって、恒温面３ａに対向して処理
室２内に配置された載置台４と、載置台４の載置面４ａ
に設けられ、被処理物Ｗを静電気力により吸着保持する
静電チャック部１６と、を有する静電チャック装置５を
備える。載置台４と恒温部材３との間に配置され、載置
台４に密着した表面３０ａと恒温部材３に密着した裏面
３０ｂとを有する熱伝導シート３０であって、載置台４
と恒温部材３との間の熱伝達を確保する熱伝導シート３
０を備える。
く、載置台と熱媒体との間の熱伝達を十分に確保するこ
とができる真空処理装置を提供する。 【解決手段】 被処理物Ｗの処理中において恒温状態に
維持される恒温面３ａを処理室２内に有する恒温部材３
を備える。被処理物Ｗを処理室２内で保持するための静
電チャック装置５であって、恒温面３ａに対向して処理
室２内に配置された載置台４と、載置台４の載置面４ａ
に設けられ、被処理物Ｗを静電気力により吸着保持する
静電チャック部１６と、を有する静電チャック装置５を
備える。載置台４と恒温部材３との間に配置され、載置
台４に密着した表面３０ａと恒温部材３に密着した裏面
３０ｂとを有する熱伝導シート３０であって、載置台４
と恒温部材３との間の熱伝達を確保する熱伝導シート３
０を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空状態の処理室
の内部において被処理物を処理する真空処理装置に係わ
り、特に、処理中の被処理物を静電気力により吸着保持
する静電チャック装置を備えた真空処理装置に関する。
の内部において被処理物を処理する真空処理装置に係わ
り、特に、処理中の被処理物を静電気力により吸着保持
する静電チャック装置を備えた真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体等の製造において使用され
る真空処理装置には、シリコンウエーハ等の被処理物上
に堆積された膜を真空状態の処理室の内部においてエッ
チングするドライエッチング装置がある。このドライエ
ッチング装置の代表例としては、酸素ガス、ＣＦ４ガス
等のガスプラズマを生成し、このガスプラズマ中の中性
活性なラジカルを被処理物の表面に導いて堆積膜を等方
性エッチングするダウンフロー型エッチング装置と、塩
素等のハロゲン系の元素を含むガスに高周波を印加して
被処理物の直上にプラズマを発生させ、主としてプラズ
マ中のイオンによって堆積膜を異方性エッチングするリ
アクティブイオンエッチング装置とが挙げられる。
る真空処理装置には、シリコンウエーハ等の被処理物上
に堆積された膜を真空状態の処理室の内部においてエッ
チングするドライエッチング装置がある。このドライエ
ッチング装置の代表例としては、酸素ガス、ＣＦ４ガス
等のガスプラズマを生成し、このガスプラズマ中の中性
活性なラジカルを被処理物の表面に導いて堆積膜を等方
性エッチングするダウンフロー型エッチング装置と、塩
素等のハロゲン系の元素を含むガスに高周波を印加して
被処理物の直上にプラズマを発生させ、主としてプラズ
マ中のイオンによって堆積膜を異方性エッチングするリ
アクティブイオンエッチング装置とが挙げられる。
【０００３】上述したドライエッチング装置に代表され
る真空処理装置は、処理中の被処理物を処理室の内部で
保持するための静電チャック装置を備えており、図７は
静電チャック装置の一例を示している。
る真空処理装置は、処理中の被処理物を処理室の内部で
保持するための静電チャック装置を備えており、図７は
静電チャック装置の一例を示している。
【０００４】図７において符号６０は、処理室を内部に
形成する真空容器の一部を構成する恒温部材を示し、こ
の恒温部材６０には上面が開口した中空部６１が形成さ
れている。静電チャック装置６２は、恒温部材６０の上
面にＯリング６３を間に挟んで取り付けられた載置台６
４を有し、中空部６１の上面は載置台６４及びＯリング
６３によって気密に封止されている。載置台６４の載置
面６４ａには、被処理物Ｗを静電気力により吸着保持す
る静電チャック部６５が設けられている。そして、中空
部６１の内部に一定温度の熱媒体Ｍを循環させ、熱媒体
Ｍと載置台６４との直接接触によって載置台６４の温度
を一定に保持するように構成されている。
形成する真空容器の一部を構成する恒温部材を示し、こ
の恒温部材６０には上面が開口した中空部６１が形成さ
れている。静電チャック装置６２は、恒温部材６０の上
面にＯリング６３を間に挟んで取り付けられた載置台６
４を有し、中空部６１の上面は載置台６４及びＯリング
６３によって気密に封止されている。載置台６４の載置
面６４ａには、被処理物Ｗを静電気力により吸着保持す
る静電チャック部６５が設けられている。そして、中空
部６１の内部に一定温度の熱媒体Ｍを循環させ、熱媒体
Ｍと載置台６４との直接接触によって載置台６４の温度
を一定に保持するように構成されている。
【０００５】しかし、図７に示した構成の場合、静電チ
ャック装置６２を恒温部材６０から取り外して交換する
際に熱媒体Ｍが処理室の内部に漏洩してしまう恐れがあ
る。熱媒体Ｍが処理室内に漏洩すると、処理室の排気特
性が悪くなり、ひいてはエッチング等の真空処理の特性
が安定しなくなるという問題が起こる。
ャック装置６２を恒温部材６０から取り外して交換する
際に熱媒体Ｍが処理室の内部に漏洩してしまう恐れがあ
る。熱媒体Ｍが処理室内に漏洩すると、処理室の排気特
性が悪くなり、ひいてはエッチング等の真空処理の特性
が安定しなくなるという問題が起こる。
【０００６】図８はこの問題に対処するために提案され
た構成を示し、恒温部材６６をジャケット構造とするこ
とにより、静電チャック装置６２の交換時の熱媒体Ｍの
漏洩を防止している。この構造においては、熱媒体Ｍと
載置台６４とは直接接触しておらず、恒温部材６６の上
面６６ａと載置台６４の下面６４ｂとの接触によって熱
伝達が確保されている。
た構成を示し、恒温部材６６をジャケット構造とするこ
とにより、静電チャック装置６２の交換時の熱媒体Ｍの
漏洩を防止している。この構造においては、熱媒体Ｍと
載置台６４とは直接接触しておらず、恒温部材６６の上
面６６ａと載置台６４の下面６４ｂとの接触によって熱
伝達が確保されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図８に示し
た従来の構造においては、恒温部材６６の上面６６ａと
載置台６４の下面６４ｂとの接触による熱伝達であり、
この熱伝達は真空中で行われるものであるから、熱伝達
の効率が悪く、恒温部材６６を一定温度に保持しても、
静電チャック装置６２の載置面６４ａを一定温度に保持
することが困難であった。この問題は、図９に示したよ
うに恒温部材６６の内部にヒータ６７を設けて載置台６
４を加熱する場合も同様である。
た従来の構造においては、恒温部材６６の上面６６ａと
載置台６４の下面６４ｂとの接触による熱伝達であり、
この熱伝達は真空中で行われるものであるから、熱伝達
の効率が悪く、恒温部材６６を一定温度に保持しても、
静電チャック装置６２の載置面６４ａを一定温度に保持
することが困難であった。この問題は、図９に示したよ
うに恒温部材６６の内部にヒータ６７を設けて載置台６
４を加熱する場合も同様である。
【０００８】前記の如く載置台６４の載置面６４ａの温
度が不安定になると、エッチング等の真空処理の特性も
また不安定となる。例えば、載置台６４を冷却するエッ
チング処理の場合について言えば、エッチング処理時間
の経過と共に載置台６４及び被処理物Ｗの温度が上昇
し、それにつれてエッチング速度も上昇してしまう。
度が不安定になると、エッチング等の真空処理の特性も
また不安定となる。例えば、載置台６４を冷却するエッ
チング処理の場合について言えば、エッチング処理時間
の経過と共に載置台６４及び被処理物Ｗの温度が上昇
し、それにつれてエッチング速度も上昇してしまう。
【０００９】本発明は、上述した事情を考慮してなされ
たものであって、載置台と熱媒体とを直接接触させるこ
となく、載置台と熱媒体との間の熱伝達を十分に確保す
ることができる真空処理装置を提供することを目的とす
る。
たものであって、載置台と熱媒体とを直接接触させるこ
となく、載置台と熱媒体との間の熱伝達を十分に確保す
ることができる真空処理装置を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明による真空処理装置は、被処理物の処理中に
おいて恒温状態に維持される恒温面を処理室内に有する
恒温部材と、前記被処理物を前記処理室内で保持するた
めの静電チャック装置であって、前記恒温面に対向して
前記処理室内に配置された載置台と、前記載置台の載置
面に設けられ、前記被処理物を静電気力により吸着保持
する静電チャック部と、を有する静電チャック装置と、
前記載置台と前記恒温部材との間に配置され、前記載置
台に密着した表面と前記恒温部材に密着した裏面とを有
する熱伝導シートであって、前記載置台と前記恒温部材
との間の熱伝達を確保する熱伝導シートと、を備えたこ
とを特徴とする。
に、本発明による真空処理装置は、被処理物の処理中に
おいて恒温状態に維持される恒温面を処理室内に有する
恒温部材と、前記被処理物を前記処理室内で保持するた
めの静電チャック装置であって、前記恒温面に対向して
前記処理室内に配置された載置台と、前記載置台の載置
面に設けられ、前記被処理物を静電気力により吸着保持
する静電チャック部と、を有する静電チャック装置と、
前記載置台と前記恒温部材との間に配置され、前記載置
台に密着した表面と前記恒温部材に密着した裏面とを有
する熱伝導シートであって、前記載置台と前記恒温部材
との間の熱伝達を確保する熱伝導シートと、を備えたこ
とを特徴とする。
【００１１】また、好ましくは、前記熱伝導シートは、
少なくともその一部が導電性材料によって形成され、前
記載置台と前記恒温部材とを電気的に接続する。
少なくともその一部が導電性材料によって形成され、前
記載置台と前記恒温部材とを電気的に接続する。
【００１２】また、好ましくは、前記熱伝導シートは、
導電性シートを積層して構成されている。
導電性シートを積層して構成されている。
【００１３】また、好ましくは、前記載置台と前記恒温
部材との間に、前記熱伝導シートを前記処理室の雰囲気
から隔離するための隔離手段を設ける。
部材との間に、前記熱伝導シートを前記処理室の雰囲気
から隔離するための隔離手段を設ける。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態による
真空処理装置について図面を参照して説明する。なお、
本実施形態による真空処理装置は、処理室と放電室とが
分離されたダウンフロー型のケミカルドライエッチング
装置である。
真空処理装置について図面を参照して説明する。なお、
本実施形態による真空処理装置は、処理室と放電室とが
分離されたダウンフロー型のケミカルドライエッチング
装置である。
【００１５】図１は、本実施形態による真空処理装置を
示した縦断面図であり、図１において符号１は真空容器
を示し、この真空容器１の内部に処理室（エッチング
室）２が形成されており、真空容器１の底部には、シリ
コンウエハである被処理物Ｗの温度を制御するための恒
温部材３が気密に固定されている。
示した縦断面図であり、図１において符号１は真空容器
を示し、この真空容器１の内部に処理室（エッチング
室）２が形成されており、真空容器１の底部には、シリ
コンウエハである被処理物Ｗの温度を制御するための恒
温部材３が気密に固定されている。
【００１６】恒温部材３の上部には、被処理物Ｗを載置
するためのアルミニウム金属製の載置台４が設けられて
おり、載置台４の載置面４ａには静電チャック部１６が
設けられており、載置台４と静電チャック部１６とによ
って静電チャック装置５が構成されている。恒温部材３
の内部には温度制御機構の一部を構成する媒体通路６が
形成されており、温度調整された熱媒体Ｍが媒体配管
７、８を通して媒体通路６の内部に導入され、排出され
ている。これにより、載置台４の温度が所定温度に制御
される。熱媒体Ｍとしては、水、不凍液、フッ素オイル
等の流体を使用することができる。なお、被処理物Ｗの
温度制御には加熱制御及び冷却制御がある。
するためのアルミニウム金属製の載置台４が設けられて
おり、載置台４の載置面４ａには静電チャック部１６が
設けられており、載置台４と静電チャック部１６とによ
って静電チャック装置５が構成されている。恒温部材３
の内部には温度制御機構の一部を構成する媒体通路６が
形成されており、温度調整された熱媒体Ｍが媒体配管
７、８を通して媒体通路６の内部に導入され、排出され
ている。これにより、載置台４の温度が所定温度に制御
される。熱媒体Ｍとしては、水、不凍液、フッ素オイル
等の流体を使用することができる。なお、被処理物Ｗの
温度制御には加熱制御及び冷却制御がある。
【００１７】真空容器１の天板９を貫通するようにして
プロセスガス導入管１０が取り付けられており、このプ
ロセスガス導入管１０の先端部は、処理室２内に設けら
れたガス分散板１１に接続されている。このガス分散板
１１はシャワー状のノズルを形成しており、このシャワ
ー状のノズルによって、プロセスガス導入管１０を介し
て処理室２の内部に導入されたプロセスガスＧが被処理
物Ｗの表面全体にわたって均一に供給される。
プロセスガス導入管１０が取り付けられており、このプ
ロセスガス導入管１０の先端部は、処理室２内に設けら
れたガス分散板１１に接続されている。このガス分散板
１１はシャワー状のノズルを形成しており、このシャワ
ー状のノズルによって、プロセスガス導入管１０を介し
て処理室２の内部に導入されたプロセスガスＧが被処理
物Ｗの表面全体にわたって均一に供給される。
【００１８】プロセスガス導入管１０の途中には石英管
１２が設けられており、この石英管１２を取り囲むよう
にしてプラズマ発生装置１３が設けられている。そし
て、石英管１２の内部に供給されたプロセスガスＧに対
してプラズマ発生装置１３からマイクロ波が印加され
る。すると、石英管１２の内部でグロー放電が生じてプ
ラズマが生成され、プロセスガスＧが活性化される。こ
こで、プロセスガスＧとしては例えば、ＣＦ４及びＯ２
を含む混合ガスを使用することができる。
１２が設けられており、この石英管１２を取り囲むよう
にしてプラズマ発生装置１３が設けられている。そし
て、石英管１２の内部に供給されたプロセスガスＧに対
してプラズマ発生装置１３からマイクロ波が印加され
る。すると、石英管１２の内部でグロー放電が生じてプ
ラズマが生成され、プロセスガスＧが活性化される。こ
こで、プロセスガスＧとしては例えば、ＣＦ４及びＯ２
を含む混合ガスを使用することができる。
【００１９】活性化されたプロセスガスはプロセスガス
導入管１０を通して処理室２内に導入され、ガス分散板
１１を介して被処理物Ｗの表面の全体に均一に供給され
る。すると、プロセスガス中の中性ラジカル（中性活性
種）によって被処理物Ｗの表面の薄膜がエッチング処理
される。ここで、処理室２は排気管１４を介して真空ポ
ンプ（図示せず）によって真空排気されており、処理室
２の内部の圧力は圧力計１５によって計測されている。
導入管１０を通して処理室２内に導入され、ガス分散板
１１を介して被処理物Ｗの表面の全体に均一に供給され
る。すると、プロセスガス中の中性ラジカル（中性活性
種）によって被処理物Ｗの表面の薄膜がエッチング処理
される。ここで、処理室２は排気管１４を介して真空ポ
ンプ（図示せず）によって真空排気されており、処理室
２の内部の圧力は圧力計１５によって計測されている。
【００２０】また、真空処理装置は、被処理物Ｗの裏面
側に冷却ガスを供給するための冷却ガス供給機構１９を
備えており、この冷却ガス供給機構１９は、載置台４及
び静電チャック部１６を貫通して被処理物Ｗの下方に開
口している冷却ガス導入管２０を有している。この冷却
ガス導入管２０の途中には圧力計２１及びガス流量コン
トロールバルブ２２が設けられている。
側に冷却ガスを供給するための冷却ガス供給機構１９を
備えており、この冷却ガス供給機構１９は、載置台４及
び静電チャック部１６を貫通して被処理物Ｗの下方に開
口している冷却ガス導入管２０を有している。この冷却
ガス導入管２０の途中には圧力計２１及びガス流量コン
トロールバルブ２２が設けられている。
【００２１】また、ガス流量コントロールバルブ２２よ
りも下流側の冷却ガス導入管２０の途中から排出配管２
３が分岐しており、この排出配管２３の途中には可変バ
ルブ２４が設けられている。そして、通常、圧力計２１
の計測値をフィードバックしてガス流量コントロールバ
ルブ２２の開度が自動的に調整され、１０００Ｐａ以下
の圧力に維持される。
りも下流側の冷却ガス導入管２０の途中から排出配管２
３が分岐しており、この排出配管２３の途中には可変バ
ルブ２４が設けられている。そして、通常、圧力計２１
の計測値をフィードバックしてガス流量コントロールバ
ルブ２２の開度が自動的に調整され、１０００Ｐａ以下
の圧力に維持される。
【００２２】静電チャック装置５の静電チャック部１６
は複数の薄膜状部材によって多層構造に構成されてい
る。すなわち、静電チャック部１６は、金属薄膜によっ
て形成された導電性膜２５を備えており、この導電性膜
２５は、電圧が印加される電極板として機能する。導電
性膜２５の両面には、ポリイミド樹脂フィルム等の高分
子有機材料によって形成された絶縁性膜２７ａ、２７ｂ
が配置されており、これらの絶縁性膜２７ａ、２７ｂに
よって一対の導電性膜２５の全面が覆われている。
は複数の薄膜状部材によって多層構造に構成されてい
る。すなわち、静電チャック部１６は、金属薄膜によっ
て形成された導電性膜２５を備えており、この導電性膜
２５は、電圧が印加される電極板として機能する。導電
性膜２５の両面には、ポリイミド樹脂フィルム等の高分
子有機材料によって形成された絶縁性膜２７ａ、２７ｂ
が配置されており、これらの絶縁性膜２７ａ、２７ｂに
よって一対の導電性膜２５の全面が覆われている。
【００２３】下側の絶縁性膜２７ｂは絶縁性の接着剤に
よって載置台４の載置面４ａに接着されている。また、
上側の絶縁性膜２７ａの表面、すなわち被処理物Ｗを載
置する面にはポリ４フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）フィル
ム等からなるフッ素樹脂フィルム２８が接着剤を用いて
接着されており、ポリイミド樹脂フィルム等の高分子有
機材料よりなる絶縁性膜２７ａ、２７ｂを保護してい
る。
よって載置台４の載置面４ａに接着されている。また、
上側の絶縁性膜２７ａの表面、すなわち被処理物Ｗを載
置する面にはポリ４フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）フィル
ム等からなるフッ素樹脂フィルム２８が接着剤を用いて
接着されており、ポリイミド樹脂フィルム等の高分子有
機材料よりなる絶縁性膜２７ａ、２７ｂを保護してい
る。
【００２４】なお、絶縁性膜をセラミックで構成するこ
とも可能であり、この場合にはフッ素樹脂フィルムによ
る保護は不要となる。
とも可能であり、この場合にはフッ素樹脂フィルムによ
る保護は不要となる。
【００２５】導電性膜２５には直流電源４３が接続され
ており、この直流電源４３によって導電性膜２５に電圧
を印加するようになっている。そして、導電性膜２５に
電圧が印加されると、静電気力によって載置台４に被処
理物Ｗが吸着固定される。また、導電性膜２５と直流電
源４３との間に電流計４４を設けることによって、導電
性膜２５に流れる電流を観測することが可能であり、こ
れによって被処理物Ｗの有無を検知することができる。
ており、この直流電源４３によって導電性膜２５に電圧
を印加するようになっている。そして、導電性膜２５に
電圧が印加されると、静電気力によって載置台４に被処
理物Ｗが吸着固定される。また、導電性膜２５と直流電
源４３との間に電流計４４を設けることによって、導電
性膜２５に流れる電流を観測することが可能であり、こ
れによって被処理物Ｗの有無を検知することができる。
【００２６】被処理物Ｗが静電気力によって載置台４に
固定されることにより、被処理物Ｗの裏面と載置台４の
載置面４ａとが全面にわたって密着し、熱伝達の面内均
一性及び効率が向上する。さらに、載置台４に吸着固定
された被処理物Ｗの裏面に熱伝達用のガスを導入するこ
とより、被処理物Ｗと載置台４との間の熱伝達効率をさ
らに向上させ、これによって被処理物Ｗの温度を適切に
制御することができる。
固定されることにより、被処理物Ｗの裏面と載置台４の
載置面４ａとが全面にわたって密着し、熱伝達の面内均
一性及び効率が向上する。さらに、載置台４に吸着固定
された被処理物Ｗの裏面に熱伝達用のガスを導入するこ
とより、被処理物Ｗと載置台４との間の熱伝達効率をさ
らに向上させ、これによって被処理物Ｗの温度を適切に
制御することができる。
【００２７】なお、静電チャック装置５としては、プラ
ス電極又はマイナス電極のいずれか一方のみを備えた単
極型、プラス電極及びマイナス電極を一組備えた双極
型、二組以上のプラス電極及びマイナス電極を備えた多
極型のいずれかを採用することができる。
ス電極又はマイナス電極のいずれか一方のみを備えた単
極型、プラス電極及びマイナス電極を一組備えた双極
型、二組以上のプラス電極及びマイナス電極を備えた多
極型のいずれかを採用することができる。
【００２８】図２は、図１に示した真空処理装置の静電
チャック装置５及び恒温部材３を拡大して示した縦断面
図であり、真空容器１の底部を構成する恒温部材３はジ
ャケット構造を備えており、恒温部材３の内部を一定温
度の熱媒体Ｍが循環している。恒温部材３はジャケット
構造なので熱媒体Ｍは載置台４とは接触せず、恒温部材
３の上面を構成する恒温面３ａが伝熱面として機能す
る。
チャック装置５及び恒温部材３を拡大して示した縦断面
図であり、真空容器１の底部を構成する恒温部材３はジ
ャケット構造を備えており、恒温部材３の内部を一定温
度の熱媒体Ｍが循環している。恒温部材３はジャケット
構造なので熱媒体Ｍは載置台４とは接触せず、恒温部材
３の上面を構成する恒温面３ａが伝熱面として機能す
る。
【００２９】静電チャック装置５の載置台４は、恒温部
材３の恒温面３ａに対向して配置されている。なお、静
電チャック部１６及び被処理物Ｗの外周を包囲するよう
にして保護リング３６が設けられており、この保護リン
グ３６は石英、セラミック等によって形成されている。
材３の恒温面３ａに対向して配置されている。なお、静
電チャック部１６及び被処理物Ｗの外周を包囲するよう
にして保護リング３６が設けられており、この保護リン
グ３６は石英、セラミック等によって形成されている。
【００３０】載置台４の底面４ｂと恒温部材３の恒温面
３ａとの間には熱伝導シート３０が配置されており、こ
の熱伝導シート３０は載置台４の底面４ｂに密着した表
面３０ａと恒温部材３の恒温面３ａに密着した裏面３０
ｂとを有する。熱伝導シート３０は、載置台４と恒温部
材３との間の熱伝達を確保する。
３ａとの間には熱伝導シート３０が配置されており、こ
の熱伝導シート３０は載置台４の底面４ｂに密着した表
面３０ａと恒温部材３の恒温面３ａに密着した裏面３０
ｂとを有する。熱伝導シート３０は、載置台４と恒温部
材３との間の熱伝達を確保する。
【００３１】図２及び図３に示したように載置台４と恒
温部材３との間には、熱伝導シート３０を処理室２の雰
囲気から気密に隔離するための隔離手段である複数のＯ
リング３１、３２が配置されている。大径のＯリング３
１は熱伝導シート３０の外周に配置され、小径の３つの
Ｏリング３２は、３つのウエーハ搬送用リフトピン孔３
３のそれぞれの外周に配置されている。小径の０リング
３２は、リフトピン孔３３に対応して熱伝導シート３０
に形成された孔３７の部分を気密に隔離している。
温部材３との間には、熱伝導シート３０を処理室２の雰
囲気から気密に隔離するための隔離手段である複数のＯ
リング３１、３２が配置されている。大径のＯリング３
１は熱伝導シート３０の外周に配置され、小径の３つの
Ｏリング３２は、３つのウエーハ搬送用リフトピン孔３
３のそれぞれの外周に配置されている。小径の０リング
３２は、リフトピン孔３３に対応して熱伝導シート３０
に形成された孔３７の部分を気密に隔離している。
【００３２】また、図４は熱伝導シート３０を拡大して
示した縦断面図であり、熱伝導シート３０は、一対の導
電性シート３４を積層して構成されており、両導電性シ
ート３４の間には固体或いは液体のクッション材３５が
充填されている。導電性シート３４としては、例えば金
属箔、カーボンを主体にしたシート、或いは金属粉やカ
ーボン粉をシリコーンシート等に添加したシートを使用
することができる。このように導電性シート３４で熱伝
導シート３０を構成することにより、載置台４と恒温部
材３との間の電気的な接続が確保される。
示した縦断面図であり、熱伝導シート３０は、一対の導
電性シート３４を積層して構成されており、両導電性シ
ート３４の間には固体或いは液体のクッション材３５が
充填されている。導電性シート３４としては、例えば金
属箔、カーボンを主体にしたシート、或いは金属粉やカ
ーボン粉をシリコーンシート等に添加したシートを使用
することができる。このように導電性シート３４で熱伝
導シート３０を構成することにより、載置台４と恒温部
材３との間の電気的な接続が確保される。
【００３３】図５及び図６は、本実施形態による真空処
理装置の効果を従来の真空処理装置の場合と比較して説
明するためのグラフである。図５に示したように導電性
シート３０がない場合にはエッチング処理時間の経過と
共に被処理物（ウエーハ）Ｗの温度が上昇しているのに
対して、導電性シート３０がある場合にはエッチング処
理時間が経過しても被処理物Ｗの温度が一定に保持され
ている。そして、図６から分かるように、導電性シート
３０がない場合にはエッチング処理時間の経過と共にエ
ッチング速度が上昇しているのに対し、導電性シート３
０がある場合にはエッチング処理時間が経過してもエッ
チング速度は一定に保持されている。
理装置の効果を従来の真空処理装置の場合と比較して説
明するためのグラフである。図５に示したように導電性
シート３０がない場合にはエッチング処理時間の経過と
共に被処理物（ウエーハ）Ｗの温度が上昇しているのに
対して、導電性シート３０がある場合にはエッチング処
理時間が経過しても被処理物Ｗの温度が一定に保持され
ている。そして、図６から分かるように、導電性シート
３０がない場合にはエッチング処理時間の経過と共にエ
ッチング速度が上昇しているのに対し、導電性シート３
０がある場合にはエッチング処理時間が経過してもエッ
チング速度は一定に保持されている。
【００３４】以上述べたように本実施形態による真空処
理装置によれば、載置台４と恒温部材３との間に熱伝導
シート３０を介装して載置台４と恒温部材３との間の熱
伝導を十分に確保するようにしたので、処理中における
載置台４の温度を一定に保持することが可能であり、ひ
いては処理中の被処理物Ｗの温度を一定に保持して安定
したエッチングを行うことができる。
理装置によれば、載置台４と恒温部材３との間に熱伝導
シート３０を介装して載置台４と恒温部材３との間の熱
伝導を十分に確保するようにしたので、処理中における
載置台４の温度を一定に保持することが可能であり、ひ
いては処理中の被処理物Ｗの温度を一定に保持して安定
したエッチングを行うことができる。
【００３５】また、Ｏリング３１、３２によって熱伝導
シート３０を処理室２の雰囲気から気密に隔離したの
で、処理ガスによって熱伝導シート３０が腐食や変質を
起こすことがなく、長時間の安定した使用が可能であ
る。
シート３０を処理室２の雰囲気から気密に隔離したの
で、処理ガスによって熱伝導シート３０が腐食や変質を
起こすことがなく、長時間の安定した使用が可能であ
る。
【００３６】さらに、導電性シート３４で熱伝導シート
３０を構成して載置台４と恒温部材３との間の電気的な
接続を確保したので、載置台４と恒温部材３とを同電位
にすることが可能である。
３０を構成して載置台４と恒温部材３との間の電気的な
接続を確保したので、載置台４と恒温部材３とを同電位
にすることが可能である。
【００３７】
【発明の効果】以上述べたように本発明による真空処理
装置によれば、載置台と恒温部材との間に熱伝導シート
を介装して載置台と恒温部材との間の熱伝導を十分に確
保するようにしたので、処理中における載置台の温度を
一定に保持することが可能であり、ひいては処理中の被
処理物の温度を一定に保持して安定した処理を行うこと
ができる。
装置によれば、載置台と恒温部材との間に熱伝導シート
を介装して載置台と恒温部材との間の熱伝導を十分に確
保するようにしたので、処理中における載置台の温度を
一定に保持することが可能であり、ひいては処理中の被
処理物の温度を一定に保持して安定した処理を行うこと
ができる。
【図１】本発明の一実施形態による真空処理装置の概略
構成を示した縦断面図。
構成を示した縦断面図。
【図２】図１に示した真空処理装置の静電チャック装置
及び恒温部材を拡大して示した縦断面図。
及び恒温部材を拡大して示した縦断面図。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿った平面図。
【図４】図１に示した真空処理装置の熱伝導シートを拡
大して示した縦断面図。
大して示した縦断面図。
【図５】図１に示した真空処理装置の効果を従来の真空
処理装置の場合と比較して説明するための図であり、エ
ッチング処理時間とウエーハ温度との関係を示した図。
処理装置の場合と比較して説明するための図であり、エ
ッチング処理時間とウエーハ温度との関係を示した図。
【図６】図１に示した真空処理装置の効果を従来の真空
処理装置の場合と比較して説明するための図であり、エ
ッチング処理時間とエッチング速度との関係を示した
図。
処理装置の場合と比較して説明するための図であり、エ
ッチング処理時間とエッチング速度との関係を示した
図。
【図７】第１の従来例による真空処理装置の静電チャッ
ク装置及び恒温部材を示した縦断面図。
ク装置及び恒温部材を示した縦断面図。
【図８】第２の従来例による真空処理装置の静電チャッ
ク装置及び恒温部材を示した縦断面図。
ク装置及び恒温部材を示した縦断面図。
【図９】第３の従来例による真空処理装置の静電チャッ
ク装置及び恒温部材を示した縦断面図。
ク装置及び恒温部材を示した縦断面図。
【符号の説明】 １ 真空容器 ２ 処理室 ３ 恒温部材 ３ａ 恒温面 ４ 載置台 ４ａ 載置台の載置面 ５ 静電チャック装置 １６ 静電チャック部 ３０ 熱伝導シート ３０ａ 熱伝導シートの表面 ３０ｂ 熱伝導シートの裏面 ３１、３２ Ｏリング ３４ 導電性シート Ｗ 被処理物
Claims (4)
- 【請求項１】被処理物の処理中において恒温状態に維持
される恒温面を処理室内に有する恒温部材と、 前記被処理物を前記処理室内で保持するための静電チャ
ック装置であって、前記恒温面に対向して前記処理室内
に配置された載置台と、前記載置台の載置面に設けら
れ、前記被処理物を静電気力により吸着保持する静電チ
ャック部と、を有する静電チャック装置と、 前記載置台と前記恒温部材との間に配置され、前記載置
台に密着した表面と前記恒温部材に密着した裏面とを有
する熱伝導シートであって、前記載置台と前記恒温部材
との間の熱伝達を確保する熱伝導シートと、を備えたこ
とを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項２】前記熱伝導シートは、少なくともその一部
が導電性材料によって形成され、前記載置台と前記恒温
部材とを電気的に接続することを特徴とする請求項１記
載の真空処理装置。 - 【請求項３】前記熱伝導シートは、導電性シートを積層
して構成されていることを特徴とする請求項２記載の真
空処理装置。 - 【請求項４】前記載置台と前記恒温部材との間に、前記
熱伝導シートを前記処理室の雰囲気から隔離するための
隔離手段を設けたことを特徴とする請求項１乃至３のい
ずれか一項に記載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000044178A JP2001237222A (ja) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000044178A JP2001237222A (ja) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001237222A true JP2001237222A (ja) | 2001-08-31 |
Family
ID=18566983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000044178A Withdrawn JP2001237222A (ja) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001237222A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009200329A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Denso Corp | 半導体製造装置 |
| JP2009531858A (ja) * | 2006-03-28 | 2009-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板上の残留物を除去するための後エッチング処理システム |
| US7846254B2 (en) | 2003-05-16 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Heat transfer assembly |
| KR20170052492A (ko) * | 2015-11-04 | 2017-05-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 탑재대 및 기판 처리 장치 |
-
2000
- 2000-02-22 JP JP2000044178A patent/JP2001237222A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7846254B2 (en) | 2003-05-16 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Heat transfer assembly |
| JP2009531858A (ja) * | 2006-03-28 | 2009-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板上の残留物を除去するための後エッチング処理システム |
| KR101313426B1 (ko) * | 2006-03-28 | 2013-10-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 상의 잔류물을 제거하기 위한 에칭후 처리 시스템 |
| JP2009200329A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Denso Corp | 半導体製造装置 |
| KR20170052492A (ko) * | 2015-11-04 | 2017-05-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 탑재대 및 기판 처리 장치 |
| KR101928626B1 (ko) * | 2015-11-04 | 2018-12-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 탑재대 및 기판 처리 장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070501 |