JP3181364B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体製造装置等の各種装置にお
いて、プラズマを用いた処理装置がしばしば採用されて
いる。プラズマ処理装置は、気密性の処理室内に対向配
置された一対のプラズマ発生用電極を備えており、これ
ら両電極間における放電によってプラズマを発生させ、
それにより被処理体の処理を行うものである。

【０００３】ここで上記一対のプラズマ電極のいずれか
一方側には、被処理体を保持するクランプリング等の保
持手段が設けられており、この保持手段によって、半導
体ウエハ等の被処理体を上記一方側の電極上に固定・保
持した後、前記処理室内に所定の処理ガスを導入してプ
ラズマ処理を開始する。このとき他方側の電極には、両
電極間に発生したプラズマを被処理体に集中させるため
の集中手段がしばしば設けられる。この集中手段として
は、例えば被処理体とほぼ同径のリング形状に形成され
たフォーカスリングがあり、上記電極の端縁部分に装着
されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】一方このようなプラズ
マ処理装置においては、プラズマ処理によって所定の反
応生成物が生じており、その反応生成物は、処理室から
排気管経路を通って外部に排出されている。ところがこ
の反応生成物は、上記排気経路中の特に低温部分に付着
する傾向がある。特に上述した保持手段及び集中手段
は、プラズマ処理部に近接配置されているため反応生成
物の付着を生じ易く、プラズマ処理の継続によって上記
保持手段及び集中手段の表面に反応生成物が次第に積層
していく。

【０００５】そしてこのように保持手段及び集中手段の
表面に付着し積層した反応生成物は、付着後に保持手段
及び集中手段から剥がれ落ちることがあり、それがパー
ティクルとなって被処理体表面に付着するおそれがあ
る。したがって従来では、保持手段及び集中手段を定期
的に取り外し、液浸けや摺擦等によって清掃し、あるい
は交換を行う等のメンテナンスを実施している。このよ
うなメンテナンス作業は、処理装置の稼働効率及び被処
理体の処理効率の観点からすれば行わない方が好まし
く、またメンテナンスを行う場合であっても、メンテナ
ンスサイクルを出来るだけ長くすることが好ましい。

【０００６】そこで本発明は、プラズマ電極に付設され
た集中手段への反応生成物の付着を良好に防止すること
ができるようにしたプラズマ処理装置を提供することを
目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明にかかる手段は、気密性を有する処理室内に対向
配置されるプラズマ発生用の電極と、前記被処理体を保
持する保持手段と、前記電極の内の上部電極の外周に設
けられて前記両電極間に発生したプラズマを被処理体に
集中させる集中手段とを備えるプラズマ処理装置におい
て、上記集中手段には、セラミック部材と発熱体とが一
体に焼結されてなると共に、処理装置稼働中は常時加熱
状態が維持され、且つプロセス中には使用する処理ガス
の種類及び反応生成物の種類等の各種プロセス条件によ
ってその設定温度を変えるようにして前記集中手段をプ
ラズマ処理によって生じた反応生成物がその表面に付着
しない温度に昇温・維持する加熱手段が設けられた構成
を有している。

【０００８】

【作用】このような構成を有する手段においては、プラ
ズマ処理により生じた反応生成物が集中手段に付着しよ
うとしても、当該集中手段が、加熱手段によって反応生
成物の付着を回避する温度に昇温・維持されているた
め、集中手段に対する反応生成物の付着が防止される。
したがって清掃・交換等のメンテナンスをほとんど施す
ことなく、シールド手段が長期にわたって良好に使用さ
れるようになっている。

【０００９】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。まずプラズマ処理装置の一例としてエッチ
ング装置の構成を説明する。図１に示されているよう
に、中空箱形状の処理室１は、内部を気密に保持するこ
とが可能な構成を有しており、当該処理室１の壁部は、
導電性材料、例えば表面にアルマイト処理を施したアル
ミニウムから形成されている。この処理室１内の上方部
分には、昇降機構２に連結棒３を介して接続された電極
体４が昇降自在に配置されている。この電極体４は、例
えば上記処理室１と同様に、表面にアルマイト処理を施
したアルミニウム等から構成されている。上記昇降機構
２は、例えばエアシリンダーやボールネジ等から構成さ
れている。

【００１０】前記電極体４の内部には、流体流路５が環
状に形成されており、この流体流路５には、図３、及び
図４に示されているようなＩＮ側の配管６ａとＯＵＴ側
の配管６ｂとが接続されている。これらの各配管６ａ及
びＯＵＴ側の配管６ｂは、開閉バルブ７ａ，７ｂを介し
て温調器の例えば冷却器８ａに連設されている。冷却器
８ａにより所定の温度に調温した熱媒体、例えば不凍液
と水とを混合してなる冷却液は、上記各配管６ａ，６ｂ
を通って上記電極体４内を循環し、当該電極体４の冷却
を可能とするように構成されている。

【００１１】また前記電極体４の下面には、導電性材
質、例えばアモルファスカーボンからなる上部電極９
が、上記電極体４と電気的に絶縁された状態で設けられ
ている。この上部電極９と電極体４との間には空間１０
が形成されており、当該空間１０に対し電極体４側から
開口するようにしてガス供給管１１が接続されている。
このガス供給管１１は、図示を省略した処理ガス供給源
に連設されており、当該ガス供給管１１を通して、エッ
チングガスが上記空間１０内に供給されるように構成さ
れている。エッチングガスとしては、ハロゲン系のガ
ス、例えばＣＦガス系のＣＨＦ₃ 及びＣＦ₄ ガスが用い
られる。一方上部電極９には、複数の開口１２が形成さ
れており、これらの各開口１２を通して、上記空間１０
に供給されたガスが処理室１内に流出する構成になされ
ている。

【００１２】さらに前記電極体４及び上部電極９の外周
には、絶縁リング１３が嵌着されているとともに、この
絶縁リング１３の下面部にフォーカスリング１４が装着
されている。フォーカスリング１４は、絶縁体例えば四
沸化エチレン樹脂等により環状に形成されており、上記
絶縁リング１３の下面部から上部電極９の下面部外周縁
まで延在している。このフォーカスリング１４の内径
は、エッチング処理される被処理体、例えば半導体ウエ
ハ１５とほぼ同一の寸法に形成されており、これにより
半導体ウエハ１５とほぼ同一口径のプラズマを発生さ
せ、その発生プラズマを被処理体に集中させるように構
成されている。さらにこのフォーカスリング１４の図示
下面側表面内部には、リング形状のヒーターＨ１が、上
記電極体４及び上部電極９の下面部に当接するように収
容されている。このヒーターＨ１の詳細構造については
後述する。

【００１３】一方前記処理室１内において、上部電極９
と対向する下方位置には、被処理体、例えば半導体ウエ
ハ１５を載置するための下部電極１６が配置されてい
る。この下部電極１６は、表面に例えばアルマイト処理
が施されたアルミニウム板から形成されており、当該下
部電極１６の上面は、上部電極９側に凸状をなすように
して周縁部に向かって緩やかな湾曲面に形成されてい
る。

【００１４】この下部電極１６の外周には、上記半導体
ウエハ１５の周縁部を下部電極１６側に押圧し保持する
クランプリング１７が設けられている。このクランプリ
ング１７は、例えば表面にアルマイト処理を施し絶縁性
のアルミナ被膜を形成してなるアルミニウム、石英ある
いはセラミックス等から構成されている。またこのクラ
ンプリング１７の内部には、リング形状のヒーターＨ２
が、下部電極１６の上面部に当接するように収容されて
いる。このヒーターＨ２の詳細構造についても後述す
る。

【００１５】上記クランプリング１７の直下には、複数
本例えば４本のシャフト１８が処理室１の外部に向かっ
て延出するように連結されており、これら各シャフト１
８の先端部は、処理室１の外部に配置されたリング１９
を介して、昇降機構例えばエアシリンダ２０に接続され
ている。これによりクランプリング１７は昇降自在に構
成されている。

【００１６】前述したフォーカスリング１４及びクラン
プリング１７のそれぞれに装着されている各ヒーターＨ
１及びＨ２は、例えば円板状のセラミックス基体中に高
融点金属発熱体を埋設して同時焼成し一体化したもの
や、焼き上げられたセラミックス基板上に、発熱抵抗体
とガラスを印刷積層したものを一体に焼き付けて焼結し
たもの等が用いられており、上記フォーカスリング１４
及びクランプリング１７のそれぞれに環状に凹設された
収容溝内に装着された後に、図示を省略したボルト等の
固定手段によって定位置に固着されている。

【００１７】後者構造のヒーターは、例えば図２に示さ
れているようなリング形状の薄板構造を有している。図
２には、フォーカスリング１４用のヒーターＨ１の構造
が表されているが、ヒーターＨ２も同様の構成であり、
ヒーターＨ２に関する同一の構成については括弧内に符
号を付している。セラミックス基板Ｈ１１（Ｈ２１）と
しては、例えばアルミナセラミックスが採用されてい
る。また発熱抵抗体Ｈ１２（Ｈ２２）としては、例えば
主成分たるケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ₂ ）にニッケル
（Ｎｉ），マンガン （Ｍｎ）等を副成分として混合し
たものが採用されている。発熱抵抗体Ｈ１２（Ｈ２２）
は、スクリーン印刷によって図に示されているようなジ
グザグ状の連続パターン形状に被着されており、この発
熱抵抗体Ｈ１２（Ｈ２２）の上からは、結晶化したガラ
スコートが積層され被覆が行われている。

【００１８】また上記各ヒーターＨ１及びＨ２として、
ＣＶＤ（化学気相成長法）により製造された電気絶縁性
セラミックスＰＢＮ（Pyrolytic Boron Nitride)からな
るヒーター基板と、このヒーター基板上に蒸着された電
気電伝導性セラミックスＰＧ（Pyrolytic Graphite) と
を複合化させてなるものを用いることができる。この構
造のヒーターを用いれば、発熱抵抗体が処理ガス雰囲気
に露出するような事態を防止することができる。

【００１９】これらの各ヒーターＨ１，Ｈ２の発熱温度
は、室温以上の温度に設定されており、より具体的に
は、使用する処理ガスの種類及び反応生成物の種類等の
各種プロセス条件によって設定温度は変えられる。本実
施例における各ヒーターＨ１，Ｈ２の発熱温度は、１０
０゜Ｃ以上に設定されており、装置稼働中は常時加熱状
態に維持されている。

【００２０】上記各ヒーターＨ１，Ｈ２には、給電部及
び測温部が設けられている。このうち給電部において
は、各ヒーターＨ１，Ｈ２に設けられた接続端子Ｈ１
３，Ｈ２３に、棒状導体Ｈ１４，Ｈ２４（図１参照）が
ほぼ直上に向かって延びるように固定ネジにより締め付
け固定されている。この棒状導体Ｈ１４，Ｈ２４の上端
部には、給電用のリード線が接続されている。また上記
固定ネジの材質としては、ガス耐食性に優れた材料例え
ばステンレス材（ＳＵＳ３１６) が用いられている。一
方前記測温部は、各ヒーターＨ１，Ｈ２の発熱部の一部
に、棒状センサーＨ１５，Ｈ２５を圧接させた構造を有
している。なお図１では、便宜上、給電部と測温部とを
対向配置した状態が表されているが、実際には、給電部
どうし及び測温部どうしが相対向するように配置されて
いる。すなわちこれら給電部及び測温部は、互いに直交
する対角の位置にそれぞれ一対づつ設けられている。

【００２１】また前記下部電極１６の内部には、流体流
路２１が環状に形成されており、この流体流路２１に
は、図２及び図３に示されているようなＩＮ側の配管２
２ａとＯＵＴ側の配管２２ｂとが接続されている。これ
らの各配管２２ａ及びＯＵＴ側の配管２２ｂは、開閉バ
ルブ２３ａ，２３ｂを介して温調器の例えば冷却器８ｂ
に連設されている。この冷却器８ｂは、上述した上部電
極９側の冷却器８ａとともに一体の冷却装置８を構成し
ている。冷却器８ｂにより所定の温度に調温した熱媒
体、例えば不凍液と水とを混合してなる冷却液は、上記
各配管２２ａ，２２ｂを通って下部電極１６内を循環
し、当該下部電極１６の冷却を可能とするように構成さ
れている。

【００２２】さらに上記下部電極１６の外周面と、処理
室１の内壁面との間の間隙部分には、排気孔２４を備え
た排気リング２５が嵌め込まれているとともに、この排
気リング２５の排気孔２４により連通される排気リング
２５の下方部分には、排気管２６が処理室１の側壁に開
口されている。上記排気管２６は、図示を省略した排気
装置等に接続されており、処理室１内のガスが、上記排
気孔２４及び排気管２６を通して外部に排出されるよう
に構成されている。

【００２３】このような上部電極９及び下部電極１６に
は、ＲＦ電源２７ａ，２７ｂがそれぞれ電気的に接続さ
れており、エッチング処理の際に使用するプラズマ放電
を発生可能に構成されている。下部電極１６に接続され
たＲＦ電源２７ｂは、３８０ＫＨ_Z の高周波出力電圧を
有しているとともに、上部電極９に接続されたＲＦ電源
２７ａは、１３．５６ＭＨ_Z のより高周波の出力電圧を
有している。

【００２４】上述したエッチング装置には、熱媒体排出
装置２８が設けられている。すなわち図２及び図３に示
されているように、上部電極９を有する電極体４を循環
する冷却液の配管６ａ，６ｂの何れか一方例えばＩＮ側
の配管６ａ、及び下部電極１６を循環する冷却液の配管
２２ａ，２２ｂの何れか一方例えばＩＮ側の配管２２ａ
には、ガス供給管２９ａ，２９ｂがそれぞれ接続されて
おり、これらのガス供給管２９ａ，２９ｂは、逆止弁３
０ａ，３０ｂ及び開閉バルブ３１ａ，３１ｂを介して連
通接合されている。その連通接合部分には、圧力計３２
を備えたレギュレーター３３が配置されており、このレ
ギュレーター３３は、図示を省略したガス供給源に接続
されている。ガス供給源から送給されてきたガス、例え
ばＮ₂ あるいはエアー等は、上記レギュレーター３３に
よって所定の圧力に調節された上で、上記配管６ａ．２
２ａ内に注入されるように構成されている。

【００２５】この熱媒体排出装置２８は、前述したよう
に両電極９，１６と、冷却装置８との間の配管６ａ，２
２ｂに独立した熱媒体排出装置として設けても良いし、
あるいは冷却装置８の一機能として設けても良く、さら
には電極９，１６側であるエッチング装置の一機能とし
て設けても良い。

【００２６】次に、上述したエッチング装置の動作・作
用及び半導体ウエハのエッチング方法を説明する。まず
処理室１の図示しない開閉機構を開き、この開閉機構を
介して被処理体である半導体ウエハ１５を処理室１内に
搬入する。ついで下部電極１６の中心付近に、当該下部
電極１６を貫通するようにして設けられている昇降自在
なリフターピン（図示せず）を上昇させた状態で、その
リフターピン上に半導体ウエハ１５を載置し、その後リ
フターピンを下降させて下部電極１６の表面に半導体ウ
エハ１５を載置する。しかる後、クランプリング１７を
下降させ、そのクランプリング１７により半導体ウエハ
１５の周縁部を下部電極１６側に押圧して上記半導体ウ
エハ１５を一定位置に保持する。

【００２７】このようにして半導体ウエハ１５を下部電
極１６の表面に支持した後、上記処理室１の内部を気密
に設定して内部を所望の真空状態に設定する。

【００２８】次に、昇降機構２によって連結棒３を通し
て電極体４を下降させ、上部電極９と下部電極１６との
間隔を、例えば数ｍｍ程度に設定する。そして図示を省
略したエッチングガス供給源より、エッチングガス、例
えばＣＨＦ_３及びＣＦ_４をガス供給管１１を通して空間
１０に送給する。この空間１０に送出されたエッチング
ガスは、上部電極９に設けられた複数の開口１２から半
導体ウエハ１５の表面に流出される。これと同時にＲＦ
電源２７により上部電極９と下部電極１６に高周波電力
を印加して放電を発生させる。この放電により上記エッ
チングガスをプラズマ化させて多種類の活性種、例えば
ＣＦ_２ラジカルを発生させ、このラジカルによって上記
半導体ウエハ１５のエッチング処理を行う。

【００２９】このようなエッチング処理を行っている
と、反応生成物として例えばＳｉＦ₄が処理室１内に生
成される。この反応生成物ＳｉＦ₄ は、ガス状となって
排気孔２４及び排気管２６を通り外部に排出されていく
が、その排気経路において特に低温部分に付着しようと
する。この反応生成物の付着は、まずエッチング処理部
に最も近いフォーカスリング１４及びクランプリング１
７の各表面に対して行われようとするが、本実施例にお
けるフォーカスリング１４及びクランプリング１７は、
内部に収容されている各ヒーターＨ１及びＨ２によっ
て、反応生成物の付着を回避する温度に昇温され維持さ
れている。このためフォーカスリング１４及びクランプ
リング１７の各表面に対する反応生成物の付着は防止さ
れる。したがって上記フォーカスリング１４及びクラン
プリング１７は、長期にわたって清掃・交換等のメンテ
ナンスをほとんど施すことなく使用が可能であるととも
に、フォーカスリング１４及びクランプリング１７から
の剥がれ落ちがなくなり、半導体ウエハ１５に対する反
応生成物の付着も防止される。

【００３０】またこのとき高周波電力の印加により上部
電極９及び下部電極１６が高温となり、熱膨張が発生す
るおそれがある。この場合上部電極９の材質は、例えば
アモルファスカーボン製であり、これと当接している電
極体４は、例えばアルミニウム製であるため、熱膨張係
数が異なり、したがってひび割れが発生する原因とな
る。このひび割れの発生を防止するため、上部電極９を
有する電極体４の内部に形成された流体流路５に、冷却
器８ａにより冷却制御された冷却液をＩＮ側の配管６ａ
から供給し、ＯＵＴ側の配管６ｂから排出するように循
環させて、間接的に上部電極９を冷却している。

【００３１】さらに下部電極１６が高温になっていく
と、半導体ウエハ１５の温度も変化し、エッチングに悪
影響を与える他、半導体ウエハ１５の表面のレジストを
破壊してしまうおそれがある。したがってこの下部電極
１６も、下部に設けられた流体流路２１に、冷却器８ｂ
により冷却制御された冷却液をＩＮ側の配管２２ａから
供給し、ＯＵＴ側の配管２２ｂから排出するように循環
させて、間接的に下部電極１６を冷却している。

【００３２】またこのようなエッチング処理を行ってい
ると、電極９，１６の消耗や破損が発生した場合、ある
いはメンテナンス時等に、上記電極９，１６の交換等の
作業を行う必要がある。この場合、まず処理室１内を大
気圧に設定し、冷却装置８の運転を停止する。そしてメ
ンテナンスする電極側の冷却液の配管、例えば上部電極
９を有する電極体４のメンテナンスを行う場合は、電極
体４の冷却系の配管６ａに存在している開閉バルブ７ａ
を閉じる。そしてその配管６ａに接続している熱媒体装
置２８の開閉バルブ３１ａを開き、図示しないガス供給
源からのＮ₂ ガスをレギュレーター３３により所定の圧
力、例えば０．２５〜０．３５kg/cm²の範囲に調整し、
上記開いた開閉バルブ３１ａ及び逆止弁３０ａを介して
配管６ａ内に上記Ｎ₂ ガスを注入する。

【００３３】ここで上記逆止弁３０ａの存在により配管
６ａ内の冷却液が上記ガス供給管２９ａ内に逆流するこ
とを防止している。すると上記注入されたＮ₂ ガスは、
配管６ａ内を介して上部電極９を有する電極体４内方向
に流れ、この配管６ａ内及び電極体４内に存在していた
冷却液を開閉バルブ７ａを介して冷却器８ａ内に押し戻
す。このとき冷却液を冷却器８ａ内に完全に押し戻した
か否かの確認を行う手段としては、例えば上記配管６ｂ
内に冷却液の存在を検知するセンサを設けて、これによ
り確認する構成としてもよいし、または、上記冷却器８
ａ内に設けられている図示を省略したタンクのキャップ
を外し、そのタンクに押し戻されてくる冷却液がＮ₂ ガ
スに変わり、気泡を発生し出すことで確認する構成とし
てもよい。このような手段により冷却液が冷却器８ａ内
に戻されたことを確認した後、直ちに開閉バルブ７ｂを
閉じることで冷却液が電極体４の方向に逆流することを
防止する。そして電極のメンテナンスを実行し、再び運
転させるときは、上記開閉バルブ３１ａを閉じ、開閉バ
ルブ７ａ，７ｂを開いて冷却装置８の運転を再開させ
る。このように本実施例によれば、被処理体の処理効率
を向上させることができるとともに、被処理体表面への
パーティクルの付着をなくし、被処理体の歩留り向上及
び処理工程の信頼性を向上させることができる。

【００３４】次に、図１に表された実施例と同一の構成
物を同一の符号で示した図５における実施例では、フォ
ーカスリング１４及びクランプリング１７の各対向面す
なわち外側表面に、ヒーターＨ３，Ｈ４がそれぞれ配置
されている。これらの各ヒーターＨ３及びＨ４として
は、上記実施例と同様に、例えば円板状のセラミックス
基体中に高融点金属発熱体を埋設して同時焼成し一体化
したものや、焼き上げられたセラミックス基板上に、発
熱抵抗体とガラスを印刷積層したものを一体に焼き付け
て焼結したもの等が用いられているが、いずれにしても
発熱抵抗体が外部側に直接露出することのないように、
ガラスコート等による被覆が行われており、発熱抵抗体
の処理ガスによる腐食を防止する構成になされている。

【００３５】また上記各ヒーターＨ３，Ｈ４の給電部に
おいては、各ヒーターＨ３，Ｈ４の接続端子から、棒状
導体Ｈ３４，Ｈ４４がほぼ直上及び直下に向かってそれ
ぞれ延びるように固定されているとともに、測温部にお
いては、各ヒーターＨ３，Ｈ４の発熱部の一部に、棒状
センサーＨ３５，Ｈ４５が圧接されている。なお図５で
は、便宜上、給電部と測温部とを対向配置した状態が表
されているが、実際には、給電部どうし及び測温部どう
しが相対向するように配置されている。すなわちこれら
給電部及び測温部は、互いに直交する対角の位置にそれ
ぞれ一対づつ設けられている。

【００３６】本発明が適用されるプラズマ処理装置は、
プラズマエッチング装置に限られることはなく、プラズ
マ洗浄装置、プラズマドーピング装置、プラズマ酸化装
置等のプラズマ処理を行う他の全ての装置に対しても同
様に適用することができる。

【００３７】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、プラ
ズマ電極に付設された集中手段の表面に対する反応生成
物の付着を良好に防止することができ、清掃・交換等の
メンテナンスサイクルを長くして上記集中手段を長期に
わたって使用することができる。また、保持手段と集中
手段の双方に加熱ヒータを設けることにより、半導体ウ
エハ等の被処理体に対する反応生成物の付着防止効果を
一層高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用するプラズマエッチング装置の一
例を表した縦断面説明図である。

【図２】本発明の一実施例におけるヒーターの構造を表
した外観斜視図である。

【図３】図１に表された装置に設けられた熱媒体排出装
置の外観斜視図である。

【図４】図１に表された装置に設けられた熱媒体排出装
置の系統説明図である。

【図５】本発明の他の実施例を適用したプラズマエッチ
ング装置の縦断面説明図である。

【符号の説明】 １ 処理室 ９ 上部電極 １４ フォーカスリング １５ 半導体ウエハ １６ 下部電極 １７ クランプリング Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４ ヒーター

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/3065 C23C 14/34 C23C 16/509

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 気密性を有する処理室内に対向配置され
   るプラズマ発生用の電極と、前記被処理体を保持する保
   持手段と、前記電極の内の上部電極の外周に設けられて
   前記両電極間に発生したプラズマを被処理体に集中させ
   る集中手段とを備えるプラズマ処理装置において、 上記集中手段には、セラミック部材と発熱体とが一体に
   焼結されてなると共に、処理装置稼働中は常時加熱状態
   が維持され、且つプロセス中には使用する処理ガスの種
   類及び反応生成物の種類等の各種プロセス条件によって
   その設定温度を変えるようにして前記集中手段をプラズ
   マ処理によって生じた反応生成物がその表面に付着しな
   い温度に昇温・維持する加熱手段が設けられていること
   を特徴とするプラズマ処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載のプラズマ処理装置におい
   て、前記保持手段には、プラズマ処理によって生じた反
   応生成物を表面に付着させない温度に昇温・維持する加
   熱手段が設けられていることを特徴とするプラズマ処理
   装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載のプラズマ処理
   装置において、前記 加熱手段は、発熱抵抗体をパターン状に被着してな
   る薄板状のヒーターから構成されていることを特徴とす
   るプラズマ処理装置。