JPH0620965A - 真空中加熱用ホルダー及びｃｖｄ装置 - Google Patents
真空中加熱用ホルダー及びｃｖｄ装置Info
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- JPH0620965A JPH0620965A JP4175485A JP17548592A JPH0620965A JP H0620965 A JPH0620965 A JP H0620965A JP 4175485 A JP4175485 A JP 4175485A JP 17548592 A JP17548592 A JP 17548592A JP H0620965 A JPH0620965 A JP H0620965A
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- vacuum
- heating
- substrate
- vacuum container
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空中にてシリコンウエハー、ガラス板等の
基板を加熱する場合、基板を効率よく且つ面内均一に加
熱する。 【構成】 ヒーター３が内蔵されたステンレス等よりな
る加熱ホルダー２の表面に基板の形状に沿って凹凸段差
を設け、この凹面に熱輻射率がステンレスより大きいア
ルミナ等の薄膜５を設けた真空中加熱ホルダー。この真
空中加熱ホルダーを内装した、ＣＶＤ装置及びＥＣＲ−
ＣＶＤ装置。 【効果】 加熱ホルダー表面の熱輻射率がステンレスが
露出している場合より大きくなり、ヒーターと基板間の
温度差が少なくなるので、ヒーターの消費電力が低減さ
れる。
基板を加熱する場合、基板を効率よく且つ面内均一に加
熱する。 【構成】 ヒーター３が内蔵されたステンレス等よりな
る加熱ホルダー２の表面に基板の形状に沿って凹凸段差
を設け、この凹面に熱輻射率がステンレスより大きいア
ルミナ等の薄膜５を設けた真空中加熱ホルダー。この真
空中加熱ホルダーを内装した、ＣＶＤ装置及びＥＣＲ−
ＣＶＤ装置。 【効果】 加熱ホルダー表面の熱輻射率がステンレスが
露出している場合より大きくなり、ヒーターと基板間の
温度差が少なくなるので、ヒーターの消費電力が低減さ
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空中でシリコンウエ
ハー、ガラス板等の基板に成膜又はエッチングをする際
にそれらの基板を保持する基板ホルダー及び該基板ホル
ダーを内装したＣＶＤ装置に係り、特に保持している基
板を加熱する手段を備えた真空中加熱用ホルダー及びＣ
ＶＤ装置に関する。
ハー、ガラス板等の基板に成膜又はエッチングをする際
にそれらの基板を保持する基板ホルダー及び該基板ホル
ダーを内装したＣＶＤ装置に係り、特に保持している基
板を加熱する手段を備えた真空中加熱用ホルダー及びＣ
ＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年半導体関係の分野を主として真空中
に於けるプロセスの開発が進んでいる。特にシリコンウ
エハー、ガラス板等の基板に成膜又はエッチングをする
プロセスに於いて真空中でこれらの基板を効率よく且つ
均一に加熱する手段が重要となっている。
に於けるプロセスの開発が進んでいる。特にシリコンウ
エハー、ガラス板等の基板に成膜又はエッチングをする
プロセスに於いて真空中でこれらの基板を効率よく且つ
均一に加熱する手段が重要となっている。
【０００３】従来シリコンウエハー、ガラス基板等を真
空中で加熱する場合はまず図１に示す如くヒーター線３
を内蔵したステンレス等よりなる加熱ホルダー上に直接
シリコンウエハー、ガラス板等の基板が乗せられてい
た。しかしこの方法では、ミクロ的に見た場合はホルダ
ー表面と基板が点接触となり、真空中では主としてそれ
ら点接触部を介して熱伝達が行われる。このため基板を
均一に加熱することが非常に困難であった。温度分布が
均一でないため基板の反りが生じやすく、著しい場合に
は破断する場合もあった。このような欠点を防止するた
めに、図２に示す如く加熱ホルダー表面に基板の形状に
沿って段差をつけて、基板のごく周辺部のみを支えて基
板の大部分をホルダー表面より浮かし、ホルダー表面よ
りの輻射熱により基板を加熱して均一な温度分布を得よ
うとする試みがなされている。
空中で加熱する場合はまず図１に示す如くヒーター線３
を内蔵したステンレス等よりなる加熱ホルダー上に直接
シリコンウエハー、ガラス板等の基板が乗せられてい
た。しかしこの方法では、ミクロ的に見た場合はホルダ
ー表面と基板が点接触となり、真空中では主としてそれ
ら点接触部を介して熱伝達が行われる。このため基板を
均一に加熱することが非常に困難であった。温度分布が
均一でないため基板の反りが生じやすく、著しい場合に
は破断する場合もあった。このような欠点を防止するた
めに、図２に示す如く加熱ホルダー表面に基板の形状に
沿って段差をつけて、基板のごく周辺部のみを支えて基
板の大部分をホルダー表面より浮かし、ホルダー表面よ
りの輻射熱により基板を加熱して均一な温度分布を得よ
うとする試みがなされている。
【０００４】又図３に示すように、ステンレス又はアル
ミニウムよりなる取外し可能なサセプター４を加熱ホル
ダーに組合せる方法も知られている。これは種々の形状
のシリコンウエハー、ガラス板等の基板を加熱する時
に、その形状に合ったサセプターと交換するだけで、同
じ加熱ホルダーを用いて基板が加熱出来るようにしたも
のである。
ミニウムよりなる取外し可能なサセプター４を加熱ホル
ダーに組合せる方法も知られている。これは種々の形状
のシリコンウエハー、ガラス板等の基板を加熱する時
に、その形状に合ったサセプターと交換するだけで、同
じ加熱ホルダーを用いて基板が加熱出来るようにしたも
のである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記図２
の様な場合、ステンレスの熱輻射率が０．４と低いため
に加熱ホルダーの内蔵ヒーター温度に対して基板が加熱
される効率が悪いという欠点がある。例えば図６のカー
ブＡに示す如くヒーター温度４００℃に対して基板は２
５０℃程度までしか上らず約１５０℃もの温度差がつく
場合もあった。
の様な場合、ステンレスの熱輻射率が０．４と低いため
に加熱ホルダーの内蔵ヒーター温度に対して基板が加熱
される効率が悪いという欠点がある。例えば図６のカー
ブＡに示す如くヒーター温度４００℃に対して基板は２
５０℃程度までしか上らず約１５０℃もの温度差がつく
場合もあった。
【０００６】また、図３に示されるようなサセプターを
介して基板を加熱する時は、加熱ホルダーとサセプタ
ー、サセプターと基板間で温度差を生じ、ますます加熱
効率が悪くなるという欠点があった。
介して基板を加熱する時は、加熱ホルダーとサセプタ
ー、サセプターと基板間で温度差を生じ、ますます加熱
効率が悪くなるという欠点があった。
【０００７】本発明の課題は、真空中で加熱ホルダーを
用いてシリコンウエハー、ガラス基板等を加熱するプロ
セスに於いて、基板の加熱の効率を向上させるにある。
用いてシリコンウエハー、ガラス基板等を加熱するプロ
セスに於いて、基板の加熱の効率を向上させるにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、真空中に
於いてシリコンウエハー、ガラス板等の基板を保持し加
熱するステンレス等よりなる加熱ホルダーの表面に、少
なくとも加熱ホルダーを形成するステンレス等の材料よ
りも熱輻射率が優れ、かつ重金属ではない材料の薄膜を
形成することによって達成される。
於いてシリコンウエハー、ガラス板等の基板を保持し加
熱するステンレス等よりなる加熱ホルダーの表面に、少
なくとも加熱ホルダーを形成するステンレス等の材料よ
りも熱輻射率が優れ、かつ重金属ではない材料の薄膜を
形成することによって達成される。
【０００９】上記の課題はまた、ヒータを内蔵したホル
ダーと、シリコンウエハー、ガラス板等の基板を保持す
るともに前記ホルダーに取外し可能に取り付けられるサ
セプターとを含んでなる真空中加熱用ホルダーにおい
て、前記サセプターの前記基板に対向する面、前記サセ
プターの前記ホルダーに対向する面、前記ホルダーの前
記サセプターに対向する面のうちのすくなくとも一つ
に、熱輻射率がステンレスよりも大きくかつ重金属では
ない材料の薄膜を形成することによっても達成される。
ダーと、シリコンウエハー、ガラス板等の基板を保持す
るともに前記ホルダーに取外し可能に取り付けられるサ
セプターとを含んでなる真空中加熱用ホルダーにおい
て、前記サセプターの前記基板に対向する面、前記サセ
プターの前記ホルダーに対向する面、前記ホルダーの前
記サセプターに対向する面のうちのすくなくとも一つ
に、熱輻射率がステンレスよりも大きくかつ重金属では
ない材料の薄膜を形成することによっても達成される。
【００１０】上記の課題はまた、材料ガス導入口を備え
た真空容器と、該真空容器に内装され基板を保持し加熱
する導電性の真空中加熱ホルダーと、該真空中加熱ホル
ダーに保持された基板に対向する位置に配置された対向
電極と、前記真空容器に接続して設けられ該真空容器を
所定の真空度に保持する排気手段と、前記対向電極と前
記真空中加熱ホルダーとの間に電圧を印加する電源手段
とを含んでなるＣＶＤ装置において、真空中加熱ホルダ
ーを請求項１〜３のうちのいずれかに記載の真空中加熱
ホルダーとすることによっても達成される。
た真空容器と、該真空容器に内装され基板を保持し加熱
する導電性の真空中加熱ホルダーと、該真空中加熱ホル
ダーに保持された基板に対向する位置に配置された対向
電極と、前記真空容器に接続して設けられ該真空容器を
所定の真空度に保持する排気手段と、前記対向電極と前
記真空中加熱ホルダーとの間に電圧を印加する電源手段
とを含んでなるＣＶＤ装置において、真空中加熱ホルダ
ーを請求項１〜３のうちのいずれかに記載の真空中加熱
ホルダーとすることによっても達成される。
【００１１】上記の課題はまたさらに、材料ガス導入口
兼導波管を備えた真空容器と、該真空容器に内装され基
板を保持し加熱する真空中加熱ホルダーと、前記真空容
器の前記真空中加熱ホルダー位置よりも前記導波管に近
い部分の外周に巻回配置されたＥＣＲコイルと、該ＥＣ
Ｒコイルに前記真空中加熱ホルダーを挟んで対向する位
置の前記真空容器外周に前記ＥＣＲコイルと同軸状に捲
回配置された制御コイルと、前記真空容器に接続して設
けられ該真空容器を所定の真空度に保持する排気手段と
を含んでなるＥＣＲ−ＣＶＤ装置において、真空中加熱
ホルダーを請求項１〜３のうちのいずれかに記載の真空
中加熱ホルダーとすることによっても達成される。
兼導波管を備えた真空容器と、該真空容器に内装され基
板を保持し加熱する真空中加熱ホルダーと、前記真空容
器の前記真空中加熱ホルダー位置よりも前記導波管に近
い部分の外周に巻回配置されたＥＣＲコイルと、該ＥＣ
Ｒコイルに前記真空中加熱ホルダーを挟んで対向する位
置の前記真空容器外周に前記ＥＣＲコイルと同軸状に捲
回配置された制御コイルと、前記真空容器に接続して設
けられ該真空容器を所定の真空度に保持する排気手段と
を含んでなるＥＣＲ−ＣＶＤ装置において、真空中加熱
ホルダーを請求項１〜３のうちのいずれかに記載の真空
中加熱ホルダーとすることによっても達成される。
【００１２】
【作用】加熱ホルダーを形成するステンレス等の材料よ
りも熱輻射率の優れた材料が加熱ホルダーの表面に塗布
されるので、加熱ホルダーからの熱輻射率が高められ、
加熱ホルダーから基板への熱輻射の効率が向上する。
りも熱輻射率の優れた材料が加熱ホルダーの表面に塗布
されるので、加熱ホルダーからの熱輻射率が高められ、
加熱ホルダーから基板への熱輻射の効率が向上する。
【００１３】また、サセプターを用いる場合、該サセプ
ターの前記基板に対向する面、前記サセプターの前記ホ
ルダーに対向する面、前記ホルダーの前記サセプターに
対向する面のうちのすくなくとも一つに、熱輻射率がス
テンレスよりも大きくかつ重金属ではない材料の薄膜が
形成されると、該薄膜が形成された面からそれに対向す
る面への熱の輻射による移動が助長され、全体としてホ
ルダーのヒーターによる基板の加熱の効率が向上する。
ターの前記基板に対向する面、前記サセプターの前記ホ
ルダーに対向する面、前記ホルダーの前記サセプターに
対向する面のうちのすくなくとも一つに、熱輻射率がス
テンレスよりも大きくかつ重金属ではない材料の薄膜が
形成されると、該薄膜が形成された面からそれに対向す
る面への熱の輻射による移動が助長され、全体としてホ
ルダーのヒーターによる基板の加熱の効率が向上する。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図４に本発明の第１の実施例を示す。図示の真空
中加熱ホルダーは、ヒーター３が内蔵されたステンレス
製加熱ホルダー２の表面（基板装着側の面）に、熱輻射
率に優れ且つ耐熱性も良いアルミナ薄膜５を数十μｍか
ら数百μｍの厚さに塗布したものである。ホルダー表面
は基板の形状に沿って凹凸段差を設けて基板の周辺のみ
を支える構造となっている。このようなアルミナ薄膜５
をステンレス等の段差をつけた金属面に塗布する技術と
しては溶射等の技術が知られている。表１に示す如くア
ルミナの熱輻射率は０．７〜０．８とステンレスの約２
倍、アルミニウムの１６〜１８倍に相当しているため、
真空中での輻射による加熱効率は大幅に向上する。図６
のカーブＢに示す如く、アルミナ薄膜５を加熱ホルダー
２の表面に塗布して熱輻射効率を向上させたことによ
り、加熱ホルダーのヒーター温度４００℃に対して基板
温度は約３５０℃と大幅に加熱効率が向上された。
する。図４に本発明の第１の実施例を示す。図示の真空
中加熱ホルダーは、ヒーター３が内蔵されたステンレス
製加熱ホルダー２の表面（基板装着側の面）に、熱輻射
率に優れ且つ耐熱性も良いアルミナ薄膜５を数十μｍか
ら数百μｍの厚さに塗布したものである。ホルダー表面
は基板の形状に沿って凹凸段差を設けて基板の周辺のみ
を支える構造となっている。このようなアルミナ薄膜５
をステンレス等の段差をつけた金属面に塗布する技術と
しては溶射等の技術が知られている。表１に示す如くア
ルミナの熱輻射率は０．７〜０．８とステンレスの約２
倍、アルミニウムの１６〜１８倍に相当しているため、
真空中での輻射による加熱効率は大幅に向上する。図６
のカーブＢに示す如く、アルミナ薄膜５を加熱ホルダー
２の表面に塗布して熱輻射効率を向上させたことによ
り、加熱ホルダーのヒーター温度４００℃に対して基板
温度は約３５０℃と大幅に加熱効率が向上された。
【００１５】
【表１】
【００１６】図５に示す第２の実施例は、ステンレスよ
りなるサセプター４を介して基板１を加熱するようにし
た真空中加熱ホルダーであって、サセプター４の基板１
に対向する表面にアルミナ薄膜５ａを塗布したものであ
る。サセプターの材料としては、ステンレス以外に例え
ばアルミニウム等を用いてもよい。このようにサセプタ
ー表面にもアルミナ等の良好な熱輻射率を持つ材料を塗
布することにより、サセプターを介しても十分に必要な
温度まで基板を加熱することが出来る。本実施例ではさ
らに、サセプター４のホルダー２に対向する面及びホル
ダー２のサセプター４に対向する面にも、それぞれアル
ミナ薄膜５ｂ，５ｃが形成されていて、加熱の効率がさ
らに向上している。
りなるサセプター４を介して基板１を加熱するようにし
た真空中加熱ホルダーであって、サセプター４の基板１
に対向する表面にアルミナ薄膜５ａを塗布したものであ
る。サセプターの材料としては、ステンレス以外に例え
ばアルミニウム等を用いてもよい。このようにサセプタ
ー表面にもアルミナ等の良好な熱輻射率を持つ材料を塗
布することにより、サセプターを介しても十分に必要な
温度まで基板を加熱することが出来る。本実施例ではさ
らに、サセプター４のホルダー２に対向する面及びホル
ダー２のサセプター４に対向する面にも、それぞれアル
ミナ薄膜５ｂ，５ｃが形成されていて、加熱の効率がさ
らに向上している。
【００１７】また、アルミナ膜は非常に硬い膜ではある
が反面比較的もろいという欠点もあった。これを解決す
る手段の１つとしては加熱ホルダー表面の下地にアルミ
ニウム等の軟らかい薄膜をやはり溶射にて塗布し、その
上にアルミナ膜を塗布することもある。アルミナ膜の下
地にアルミニウム膜を塗布することにより、応力緩和の
効果が得られる。
が反面比較的もろいという欠点もあった。これを解決す
る手段の１つとしては加熱ホルダー表面の下地にアルミ
ニウム等の軟らかい薄膜をやはり溶射にて塗布し、その
上にアルミナ膜を塗布することもある。アルミナ膜の下
地にアルミニウム膜を塗布することにより、応力緩和の
効果が得られる。
【００１８】加熱ホルダー表面に塗布する薄膜の材料と
しては、熱輻射率がステンレスより大きく、重金属でな
く、ステンレスへの接着性がよいものであれば必ずしも
アルミナでなくともよい。例えば、溶射もしくはＣＶＤ
法で形成された二酸化珪素（シリカ）の薄膜や、アルミ
ニウムで形成したサセプターの表面にアルマイト処理で
形成された酸化被膜であってもよい。
しては、熱輻射率がステンレスより大きく、重金属でな
く、ステンレスへの接着性がよいものであれば必ずしも
アルミナでなくともよい。例えば、溶射もしくはＣＶＤ
法で形成された二酸化珪素（シリカ）の薄膜や、アルミ
ニウムで形成したサセプターの表面にアルマイト処理で
形成された酸化被膜であってもよい。
【００１９】図７は、本発明の第３の実施例で、図５に
示すサセプター付加熱ホルダー２がＣＶＤ装置の真空容
器６に内装された状態を示したものである。該真空容器
６と加熱ホルダー２とは絶縁材１２で電気的に絶縁され
ている。真空容器６内の基板１に対向する位置にガス吹
き出し板兼対向電極７が配置され、該ガス吹き出し板兼
対向電極の基板１に対向する面には材料ガス導入管９か
ら導入された材料ガスを吹き出す複数の吹き出し孔が形
成されている。真空容器６には、さらに、加熱ホルダー
２と前記ガス吹き出し板兼対向電極７の間に電圧を印加
する電源８が接続され、該真空容器６の内圧を所定の真
空度に低下させるＴＭＰ１１が弁１０を介して接続され
ている。
示すサセプター付加熱ホルダー２がＣＶＤ装置の真空容
器６に内装された状態を示したものである。該真空容器
６と加熱ホルダー２とは絶縁材１２で電気的に絶縁され
ている。真空容器６内の基板１に対向する位置にガス吹
き出し板兼対向電極７が配置され、該ガス吹き出し板兼
対向電極の基板１に対向する面には材料ガス導入管９か
ら導入された材料ガスを吹き出す複数の吹き出し孔が形
成されている。真空容器６には、さらに、加熱ホルダー
２と前記ガス吹き出し板兼対向電極７の間に電圧を印加
する電源８が接続され、該真空容器６の内圧を所定の真
空度に低下させるＴＭＰ１１が弁１０を介して接続され
ている。
【００２０】図８は、本発明の第４の実施例で、図５に
示すサセプター付加熱ホルダー２を内装したＥＣＲ−Ｃ
ＶＤ装置の例を示す。図示の装置は、導波管型真空容器
８６と、該導波管型真空容器８６に内装された真空中加
熱用ホルダー８２と、該導波管型真空容器８６内で前記
真空中加熱用ホルダー８２に装着された基板８８に対向
する位置に配置されたプラズマ均一板８４と、導波管型
真空容器８６のプラズマ均一板８４が装着された位置の
外側を巻回するように配置されたＥＣＲ磁界コイル８３
と、前記導波管型真空容器８６の前記プラズマ均一板８
４を挟んで前記真空中加熱用ホルダー８２に対向する位
置に形成され該導波管型真空容器８６の一部をなす真空
容器テーパー部８９と、該真空容器テーパー部８９に接
続された導波管８５と、導波管型真空容器８６の前記真
空中加熱用ホルダー８２が配置されている位置の外側に
前記ＥＣＲコイル８３と同軸状に巻回配設された制御磁
界コイル８１と、導波管型真空容器８６の壁面に形成さ
れたガス排気口に接続されたＴＭＰ８７と、を含んで構
成されている。図８に示された真空中加熱用ホルダー８
２は、図５に示されたものと同様のものであり、図８に
おいてはその詳細は省略してある。ＴＭＰ８７は導波管
型真空容器８６内部を所定の真空度に保持する排気手段
であり、ＥＣＲ磁界コイル８３と制御磁界コイル８１と
は、真空容器内に導入されるプラズマガスの流れを制御
する。
示すサセプター付加熱ホルダー２を内装したＥＣＲ−Ｃ
ＶＤ装置の例を示す。図示の装置は、導波管型真空容器
８６と、該導波管型真空容器８６に内装された真空中加
熱用ホルダー８２と、該導波管型真空容器８６内で前記
真空中加熱用ホルダー８２に装着された基板８８に対向
する位置に配置されたプラズマ均一板８４と、導波管型
真空容器８６のプラズマ均一板８４が装着された位置の
外側を巻回するように配置されたＥＣＲ磁界コイル８３
と、前記導波管型真空容器８６の前記プラズマ均一板８
４を挟んで前記真空中加熱用ホルダー８２に対向する位
置に形成され該導波管型真空容器８６の一部をなす真空
容器テーパー部８９と、該真空容器テーパー部８９に接
続された導波管８５と、導波管型真空容器８６の前記真
空中加熱用ホルダー８２が配置されている位置の外側に
前記ＥＣＲコイル８３と同軸状に巻回配設された制御磁
界コイル８１と、導波管型真空容器８６の壁面に形成さ
れたガス排気口に接続されたＴＭＰ８７と、を含んで構
成されている。図８に示された真空中加熱用ホルダー８
２は、図５に示されたものと同様のものであり、図８に
おいてはその詳細は省略してある。ＴＭＰ８７は導波管
型真空容器８６内部を所定の真空度に保持する排気手段
であり、ＥＣＲ磁界コイル８３と制御磁界コイル８１と
は、真空容器内に導入されるプラズマガスの流れを制御
する。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、ヒータを内蔵した加熱
ホルダー及びまたは基板を保持する交換可能なサセプタ
ーの放熱面に、熱輻射率がステンレスより大きい材質の
薄膜が設けられるので、ヒータを内蔵した加熱ホルダー
から基板への熱の輻射による移動が助長され、真空中で
の基板の加熱効率が向上し、ヒータの消費電力が低減さ
れる効果がある。
ホルダー及びまたは基板を保持する交換可能なサセプタ
ーの放熱面に、熱輻射率がステンレスより大きい材質の
薄膜が設けられるので、ヒータを内蔵した加熱ホルダー
から基板への熱の輻射による移動が助長され、真空中で
の基板の加熱効率が向上し、ヒータの消費電力が低減さ
れる効果がある。
【図１】従来例を示す断面図である。
【図２】従来例を示す断面図である。
【図３】従来例を示す断面図である。
【図４】加熱ホルダーの表面にアルミナ等の薄膜を塗布
した本発明の第１の実施例を示す断面図である。
した本発明の第１の実施例を示す断面図である。
【図５】サセプター表面及び裏面にアルミナ等の薄膜を
塗布した本発明の第２の実施例を示す断面図である。
塗布した本発明の第２の実施例を示す断面図である。
【図６】加熱ホルダーに内蔵されたヒーターの温度と加
熱された基板の温度の測定値を本発明の実施例と従来技
術の例で比較して示す概念図である。
熱された基板の温度の測定値を本発明の実施例と従来技
術の例で比較して示す概念図である。
【図７】本発明の第３の実施例であるＣＶＤ装置の要部
構成を示す概念図である。
構成を示す概念図である。
【図８】本発明の第４の実施例であるＥＣＲ−ＣＶＤ装
置の要部構成を示す概念図である。
置の要部構成を示す概念図である。
１ 基板 ２ 加熱
用ホルダー ３ 加熱用ホルダーに内蔵されたヒーター ４ サセ
プター ５、５ａ、５ｂ、５ｃ アルミナ溶射膜 ６ 真空
容器 ７ ガス吹き出し板兼対向電極 ８ 電圧
印加用電源 ９ 材料ガス導入口 １０ 弁 １１ 排気手段（ＴＭＰ） １２ 絶
縁物 ８１ 制御コイル ８２ 真
空中加熱用ホルダー ８３ ＥＣＲコイル ８４ プ
ラズマ均一板 ８５ 導波管 ８６ 導
波管型真空容器 ８７ 排気手段（ＴＭＰ） ８８ 基
板 ８９ 真空容器テーパー部
用ホルダー ３ 加熱用ホルダーに内蔵されたヒーター ４ サセ
プター ５、５ａ、５ｂ、５ｃ アルミナ溶射膜 ６ 真空
容器 ７ ガス吹き出し板兼対向電極 ８ 電圧
印加用電源 ９ 材料ガス導入口 １０ 弁 １１ 排気手段（ＴＭＰ） １２ 絶
縁物 ８１ 制御コイル ８２ 真
空中加熱用ホルダー ８３ ＥＣＲコイル ８４ プ
ラズマ均一板 ８５ 導波管 ８６ 導
波管型真空容器 ８７ 排気手段（ＴＭＰ） ８８ 基
板 ８９ 真空容器テーパー部
Claims (5)
- 【請求項１】 シリコンウエハー、ガラス板等の基板を
真空中に保持し、該基板を加熱するヒータを内蔵した真
空中加熱用ホルダーにおいて、該ホルダーの少なくとも
前記基板に対向する表面に、熱輻射率がステンレスより
も大きくかつ重金属ではない材料の薄膜が形成されてい
ることを特徴とする真空中加熱用ホルダー。 - 【請求項２】 ヒータを内蔵したホルダーと、シリコン
ウエハー、ガラス板等の基板を保持するともに前記ホル
ダーに取外し可能に取り付けられるサセプターとを含ん
でなる真空中加熱用ホルダーにおいて、前記サセプター
の前記基板に対向する面、前記サセプターの前記ホルダ
ーに対向する面、前記ホルダーの前記サセプターに対向
する面のうちのすくなくとも一つに熱輻射率がステンレ
スよりも大きくかつ重金属ではない材料の薄膜が形成さ
れていることを特徴とする真空中加熱用ホルダー。 - 【請求項３】 薄膜の材料がアルミナ，二酸化珪素，ア
ルマイトの内のいずれかであることを特徴とする請求項
１または２に記載の真空中加熱用ホルダー。 - 【請求項４】 材料ガス導入口を備えた真空容器と、該
真空容器に内装され基板を保持し加熱する導電性の真空
中加熱ホルダーと、該真空中加熱ホルダーに保持された
基板に対向する位置に配置された対向電極と、前記真空
容器に接続して設けられ該真空容器を所定の真空度に保
持する排気手段と、前記対向電極と前記真空中加熱ホル
ダーとの間に電圧を印加する電源手段とを含んでなるＣ
ＶＤ装置において、真空中加熱ホルダーが請求項１〜３
のうちのいずれかに記載の真空中加熱ホルダーであるこ
とを特徴とするＣＶＤ装置。 - 【請求項５】 材料ガス導入口兼導波管を備えた真空容
器と、該真空容器に内装され基板を保持し加熱する真空
中加熱ホルダーと、前記真空容器の前記真空中加熱ホル
ダー位置よりも前記導波管に近い部分の外周に巻回配置
されたＥＣＲコイルと、該ＥＣＲコイルに前記真空中加
熱ホルダーを挟んで対向する位置の前記真空容器外周に
前記ＥＣＲコイルと同軸状に捲回配置された制御コイル
と、前記真空容器に接続して設けられ該真空容器を所定
の真空度に保持する排気手段とを含んでなるＥＣＲ−Ｃ
ＶＤ装置において、真空中加熱ホルダーが請求項１〜３
のうちのいずれかに記載の真空中加熱ホルダーであるこ
とを特徴とするＥＣＲ−ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4175485A JPH0620965A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 真空中加熱用ホルダー及びｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4175485A JPH0620965A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 真空中加熱用ホルダー及びｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620965A true JPH0620965A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=15996870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4175485A Pending JPH0620965A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 真空中加熱用ホルダー及びｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620965A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6425994B1 (en) * | 1998-11-04 | 2002-07-30 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Process chamber including stage having improved base and substrate mounting member |
| WO2016151968A1 (ja) * | 2015-03-25 | 2016-09-29 | 住友化学株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US10460965B2 (en) | 2013-08-29 | 2019-10-29 | Maruwa Co., Ltd. | Susceptor |
-
1992
- 1992-07-02 JP JP4175485A patent/JPH0620965A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6425994B1 (en) * | 1998-11-04 | 2002-07-30 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Process chamber including stage having improved base and substrate mounting member |
| US10460965B2 (en) | 2013-08-29 | 2019-10-29 | Maruwa Co., Ltd. | Susceptor |
| WO2016151968A1 (ja) * | 2015-03-25 | 2016-09-29 | 住友化学株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2016184631A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-20 | 住友化学株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| CN107210200A (zh) * | 2015-03-25 | 2017-09-26 | 住友化学株式会社 | 衬底处理装置及衬底处理方法 |
| US10294566B2 (en) | 2015-03-25 | 2019-05-21 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |