JPH07183281A

JPH07183281A - 処理装置

Info

Publication number: JPH07183281A
Application number: JP34743693A
Authority: JP
Inventors: Masami Kubota; 昌巳窪田; Naoki Takayama; 直樹高山; Mitsuaki Komino; 光明小美野
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Priority date: 1993-12-24
Filing date: 1993-12-24
Publication date: 1995-07-21

Abstract

(57)【要約】【目的】ウェハ温度の面内均一を高めるための温調シ
ステムを提供する。【構成】冷却ジャケット８からウェハＷに達する伝熱
経路に配置される温調用ヒータ２２の発熱体２４の配置
パターンを周辺よりも中心を粗にすることにより、中心
部の過熱を防止し、発熱面均熱性を達成し、発熱体自体
の破壊を防止できる。またサセプタ７の周辺部と中心部
との温度差を検出することにより、温調用ヒータの発熱
面の均熱性の崩れを検出し、ヒータ出力を調整すること
により、発熱面均熱性を達成し、発熱体自体の破壊を防
止できる。また発熱体の破壊は、圧力の上昇を検出する
ことにより判定できるので、発熱体の破壊が処理装置全
体に及ぶのを未然に防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は処理装置に係り、特にサ
セプタの冷却手段からの冷熱の伝熱により被処理体を低
温雰囲気で処理することが可能な処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体処理装置においては、
垂直なパターン形状と高い選択比を得るために、被処理
体、たとえば半導体ウェハの反応表面を低温化する低温
処理方法が知られている。かかる低温処理においては、
被処理体の反応表面の温度を許容処理温度範囲内に正確
に保持することが、製品の歩留まりを向上させ、かつ繊
細な表面加工を行う上で重要である。特に最近では、被
処理体の反応表面温度を低温に制御すればするほど、製
品の加工精度が向上するため、処理の極低温化が進めら
れている。

【０００３】上記のような低温処理雰囲気を達成するた
めに、被処理体を載置する載置台に冷媒ジャケットを設
け、その冷却ジャケットに液体窒素などの冷媒を供給
し、その気化熱により載置台を冷却し、冷却された載置
台から被処理体に伝熱される冷熱により被処理体の反応
表面を冷却する構成を採用している。さらに被処理体の
冷却温度を制御するために、冷却ジャケットから被処理
体に至る伝熱経路に温調用ヒータを設け、この温調用ヒ
ータの発熱量を調整可能に構成している。さらに複数の
部材から構成される載置台の各部材間における伝熱特性
を向上させるために、各部材間にヘリウムなどの伝熱ガ
スを供給している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な低温処理装置においては、被処理体の反応表面におけ
る均熱性を達成することが重要であり、そのために温調
用ヒータも、そのヒータ単体でその発熱表面において均
一な熱量が確保されるように設計されていた。しかしな
がら、被処理体を載置する載置台の中心部には、高周波
電力供給、あるいはヒータや静電チャックへの給電など
に用いられる給電パイプが配置されているため、冷却ジ
ャケットからの冷熱が載置台の中心領域には伝熱しにく
く、またヒータからの伝熱も周辺部において活発に行わ
れるため、実際には、ヒータの表面において均一な発熱
が確保されず、ヒータの中心部の温度が周辺部よりも高
くなる傾向があった。

【０００５】さらに上記のようなヒータの発熱表面の熱
分布の不均一が継続した場合には、高熱になった発熱体
が破損し、被処理体の処理温度を制御できなくなるばか
りか、載置台の構成部材間に供給された伝熱ガスが発熱
体の破損個所から処理容器内に漏出し、処理容器内の圧
力を上昇させ、被処理体に対して所望の処理を行うこと
ができないおそれがあるため、問題となっていた。

【０００６】本発明は、従来の低温処理装置が抱える上
記のような問題点に鑑みてなされたものであり、その目
的とするところは、温調用ヒータを載置台に組み込み駆
動した場合にも、その発熱表面において均熱性を確保す
ることが可能であり、また発熱表面の均熱性が崩れた場
合であっても、その不均熱性を補償することが可能であ
り、さらに温調用ヒータが破損した場合であっても、被
処理体や処理装置に対する損傷を最小限に抑えることが
可能な新規かつ改良された処理装置を提供することであ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載の発明は、上部に被処理体を吸着保
持するチャック部を有するとともに下部に前記被処理体
を冷却する冷却手段を有する載置台を処理容器内に収容
してなる処理装置に、前記チャック部と前記冷却手段と
の間に前記冷却手段より前記被処理体へ伝熱する冷熱を
調節するための温調用ヒータを配置し、その温調用ヒー
タを絶縁体に発熱体を所定のパターンを描くように配置
することにより構成し、さらにそのパターンを周辺部よ
り中心部を粗に構成したことを特徴としている。

【０００８】また請求項２に記載の発明は、上部に被処
理体を吸着保持するチャック部を有するとともに下部に
前記被処理体を冷却する冷却手段を有する載置台を処理
容器内に収容してなる処理装置に、前記チャック部と前
記冷却手段との間に前記冷却手段より前記被処理体へ伝
熱する冷熱を調節するための温調用ヒータを設けるとと
もに、被処理体の載置面の中心部付近の温度を検出する
ための第１の温度検出器と被処理体の載置面の周辺部付
近の温度を検出するための第２の温度検出器を設け、さ
らに前記第１の温度検出器による第１の検出温度と前記
第２の温度検出器による第２の検出温度との差分に応じ
て前記温調用ヒータの出力を調整するためのヒータ出力
制御手段を設けたことを特徴としている。

【０００９】さらに請求項３に記載の発明は、上部に被
処理体を吸着保持するチャック部を有するとともに下部
に前記被処理体を冷却する冷却手段を有する載置台を処
理容器内に収容してなる処理装置に、前記チャック部と
前記冷却手段との間に前記冷却手段より前記被処理体へ
伝熱する冷熱を調節するための温調用ヒータを設けると
ともに、前記処理室内の圧力を検出するための圧力検出
器を設け、さらに前記圧力検出器による検出圧力が所定
圧力以上に上昇した場合に処理を停止するための制御手
段を設けたことを特徴としている。

【００１０】

【作用】請求項１に記載の発明は、温調用ヒータを絶縁
体に発熱体が所定のパターンを描くように配置すること
により構成し、さらにそのパターンを周辺部より中心部
が粗になるように構成しているので、温調用ヒータの中
心部の発熱量を周辺部の発熱量よりも低く抑えることが
できるため、温調用ヒータの発熱表面の温度分布が周辺
部より中心部が高くなることを防止し、均熱性を確保す
ることができ、被処理体の反応表面の処理温度をより精
度高く均一化することができる。

【００１１】請求項２に記載の発明によれば、被処理体
の載置面の中心部付近の温度と周辺部付近の温度とを検
出し、中心部付近の温度と周辺部付近の温度との差分が
所定範囲を超えた場合には、温調用ヒータの発熱表面の
温度分布の不均一性が進展し、温調用ヒータが破損する
おそれがあると判断できるので、それに応じて温調用ヒ
ータの出力を下げることにより、温調用ヒータの破損を
未然に防止することができる。

【００１２】請求項３に記載の発明によれば、温調用ヒ
ータの発熱表面の温度分布の不均一性が進展し、温調用
ヒータが破損した場合には、その破損個所から伝熱ガス
が漏出し、処理容器内の圧力が上昇するので、処理容器
内の圧力を監視することにより、その圧力が所定圧力以
上になった場合には、温調用ヒータの破損が発生した判
断することが可能であり、それに応じて、処理を停止す
ることにより、被処理や処理装置自体にまで故障が及ぶ
のを未然に防止することが可能である。

【００１３】

【実施例】以下に添付図面を参照しながら、本発明に基
づいて構成された処理装置を低温エッチング装置に適用
した一実施例について詳細に説明する。

【００１４】まず図１を参照しながら本発明方法を適用
可能なエッチング装置１について簡単に説明する。図示
のように、このエッチング装置１は、導電性材料、例え
ばアルミニウム製の略円筒形状の気密に構成された処理
室２を有しており、この処理室２の底部付近には排気口
３が設けられており、図示しない排気手段、例えば真空
ポンプを介して処理室２内を所望の減圧雰囲気に真空引
き可能なように構成されている。

【００１５】さらに、この処理室２のほぼ中央に処理室
２の底部から電気的に絶縁状態を保持するように略円柱
形状の載置台４が収容されている。この載置台４の上面
に被処理体、例えば半導体ウェハＷを載置することが可
能である。この載置台４は、例えばアルミニウム製の略
円柱形状のサセプタ支持台５と、その支持台５の上にボ
ルト６により着脱自在に設けられた、例えばアルミニウ
ム製のサセプタ７より構成されている。

【００１６】上記サセプタ支持台５には、冷媒、例えば
液体窒素を流通循環させるための冷媒収容部、例えば冷
却ジャケット８が設けられている。この冷却ジャケット
８には、冷媒供給路９および冷媒排出路１０が設けられ
ており、図示しない冷却回路から冷媒、例えば液体窒素
を上記冷媒供給路９を介して上記冷却ジャケット８内に
導入し、そのジャケット内部を循環させ、上記冷媒排出
路１０を介して排出させ、再び冷却回路に戻すことが可
能なように構成されている。これらの冷媒供給路９、１
０は、図６に示すように、たとえばステンレス製の内側
配管６０と外側配管６１との間に真空層６２を形成した
真空断熱２重配管構造とすることが可能であり、かかる
構成により熱損失を最小限に抑えるとともに、処理容器
２に冷熱が伝達するのを防止することができる。また処
理装置と配管との真空シールを、たとえばシリコンゴム
やフロロシリコンゴムからなるＯリング６３を用いた軸
シールにより達成することにより、従来の面シール構造
のように低温処理時に内側配管６０と外側配管６１との
温度差に基づく熱収縮差により隙間が生じ、真空シール
が保てなくなるような状態を未然に防止することが可能
である。

【００１７】上記サセプタ７は、中央部に凸部を有する
円板形状をしており、その中央凸部の載置面には、半導
体ウェハＷを載置固定するための固定手段、例えば静電
チャック１１が設けられている。この静電チャック１１
は、例えば２枚のポリイミドフィルム間に銅箔等の導電
膜１２を挟持することにより構成され、この導電膜１２
に直流高電圧源１３から高電圧を印加することにより、
チャック面にクーロン力を発生させ、半導体ウェハＷを
載置面に吸着保持することが可能である。

【００１８】さらに上記載置台４の各構成部材の接続
面、および載置された半導体ウェハＷの裏面と静電チャ
ック１１のチャック面には、それぞれ伝熱ガス供給手段
１４を介して、伝熱媒体、例えばヘリウムガスなどを供
給することが可能であり、サセプタ７内の冷却ジャケッ
ト８から冷熱が速やかに半導体ウェハＷにまで伝達する
ことが可能なように構成されている。

【００１９】さらに上記サセプタ７の上端周縁部には、
半導体ウェハＷを囲むように環状のフォーカスリング１
５が配置されている。このフォーカスリング１５は反応
性イオンを引き寄せない絶縁材料からなり、反応性イオ
ンを内側に設置された半導体ウェハＷに対してのみ入射
させ、エッチング処理の効率化を図っている。

【００２０】また上記サセプタ７には、中空に成形され
た導体よりなるパイプリード１６がサセプタ支持台５を
貫通して設けられており、このパイプリード１６にマッ
チング用コンデンサ１７を介して高周波電源１８が接続
されており、処理時にはたとえば１３．５６ＭＨｚの高
周波をサセプタに印加することが可能であり、かかる構
成によりサセプタ７は下部電極として作用し、上部電極
との間にグロー放電を生じさせ、反応性プラズマを処理
室内に形成し、そのプラズマ流にて被処理体をエッチン
グ処理することが可能なように構成されている。

【００２１】上記サセプタ７の上方には、接地された上
部電極１９が設けられている。この上部電極１９の内部
は中空に構成され、被処理体である半導体ウェハＷへの
対向面には多数の小孔２０が穿設されており、図示しな
い処理ガス源からガス供給管路２１により図示しないマ
スフローコントローラを介して送られた処理ガス、例え
ばＣＦ₄などのエッチングガスを処理室内に均一に導入
することができるように構成されている。

【００２２】また上記サセプタ７と上記サセプタ支持台
５との間には、温調用ヒータ２２が設けられており、こ
の温調用ヒータ２２に電源２３より電力を印加して加熱
源として作用させることにより、上記サセプタ支持台５
内に設けられた上記冷却ジャケット８から半導体ウェハ
Ｗに伝達される冷熱量を最適に調整することが可能であ
る。

【００２３】この温調用ヒータ２２は厚さ数ｍｍ程度の
板状に成形されており、図２及び図３に示すように内部
には、たとえばタングステン、カーボンあるいはＦｅ−
Ｃｒ−Ａｌ合金（たとえばリバーライト（商品名）やフ
ェクラロイ（商品名）で耐酸化性を持たせることから希
土類元素、特にＬａやＹを微量添加している）よりなる
線状あるいは帯状の抵抗発熱体２４が全体にわたって、
たとえば蛇行状あるいは一筆書き状などの所定のパター
ンで後述するように配設されている。

【００２４】この抵抗発熱体２４の全体は、たとえば焼
結したＡｌＮ（窒化アルミニウム）よりなる絶縁体２５
により覆われており、このヒータ２２を取り付けたとき
に内部の発熱体２４を外部の基台側から電気的に絶縁し
得るように構成されている。絶縁体２５を構成するＡｌ
Ｎは、たとえば従来使用されていたＡｌ₂Ｏ₃などのセラ
ミックスに比較して熱伝導率に関しては約１０倍ほど高
く、しかも熱衝撃性に対しても耐久性が高く急激な温度
変化に対して破壊しにくい。たとえば熱膨張率に関して
はＡｌ₂Ｏ₃は７．３×１０^-6／℃であるのに対してＡｌ
Ｎは４．５×１０^-6／℃と低く、引張強度に関してはＡ
ｌ₂Ｏ₃は２４〜２６ｋｇｆ／ｍｍ²であるのに対してＡ
ｌＮは４０〜５０ｋｇｆ／ｍｍ²と高く、強度上優れて
いる。また、電気絶縁体であるＡｌＮは、図４に示すよ
うに、熱伝導率は低温領域でピークを示し、また低温領
域で熱容量（比熱）は低下するので、低温処理装置にお
けるヒータの電気絶縁体として、また均熱板として非常
に良好な特性を有する。

【００２５】上記発熱体２４はヒータ２２の各部分の発
熱量を均一化するように全体にわたって所定のパターン
で配設されているが、載置台４の中心部には上述のよう
にパイプリード１６が配置されており、そのためにヒー
タ２２からの熱流束は周辺部において密になり中心部に
おいて粗になるため、ヒータ２２の発熱表面の温度分布
が不均一、すなわち中心部が周辺部に比較して高温とな
り、上記発熱体２４が破損するおそれがある。そこで本
発明によれば、上記発熱体２４の配設パターンは、中心
部が粗になるように、すなわち図示の例では中心部に形
成された装着孔２６の周囲において粗にされ、中心部の
過熱が防止され、上記発熱体２４の破損が未然に防止さ
れる。なお本発明に基づいて構成された上記発熱体２４
の配設パターンは、図示の例に限定されず、周辺部より
も中心部が粗になりさえすれば、様々な曲線または直線
により描くことが可能である。なお、上記のように配設
された発熱体２４の両端には、電力供給リード２７が接
続されており、電源２３より電力を印加することにより
所望の発熱量を得ることが可能である。

【００２６】このように構成されたヒータ２２は、図５
に示すように、サセプタ支持台５の上面に設けられるヒ
ータ固定台２８の上部に形成されたヒータ収容溝２９内
に収容される。このヒータ固定台２８は、熱伝導性の良
好な材料、たとえばアルミニウムにより構成される。ま
たヒータ２２の寸法は、好ましくは被処理体である半導
体ウェハの面積と略同一またはそれ以上の面積になるよ
うに設定され、その下方に位置する冷却ジャケット８か
らの冷熱の伝熱経路を制御して被処理体の温度調整を行
うことが可能である。

【００２７】この温調用ヒータ２２やヒータ固定台２８
には、プッシャーピンなどの貫通する図示しない貫通孔
が形成されており、さらにヒータ固定台２８の周縁部に
は、図５に示すように、複数のボルト孔３０が穿設さ
れ、ボルト３１によりヒータ固定台２８をサセプタ支持
台５に取り付けることができる。またサセプタ７の下面
には上記ヒータ固定台２８全体を収容するための収容凹
部３２が形成される、ボルト６によりサセプタ７とサセ
プタ支持台５とを接合することにより、ヒータ固定台２
８がヒータ２２とともに載置台４内に収容される。

【００２８】さらに上記サセプタ７には、その中心部の
温度を検出する第１の温度検出器３３およびその周辺部
の温度を検出する第２の温度検出器３４が設けられてお
り、これらの検出器３３、３４により検出された温度が
制御器３５に送られ、図７に関連して後述するシーケン
スに従って、温調用ヒータ２２の出力を制御するために
使用される。また処理容器２には、処理室内の圧力を検
出する圧力検出器３６が設けられており、この検出器３
６により検出された温度についても制御器３５に送ら
れ、図８に関連して後述するシーケンスに従って、温調
用ヒータ２２の出力を制御するために使用される。温調
用ヒータ２２の出力を制御するにあたっては、図９に示
すように、温度検出器３３、３４からの信号を受けた温
調用制御器３５ａによりたとえばＳＳＲ（ソリッド・ス
テート・リレー）を駆動することにより調整することも
可能である。あるいは、図１０に示すように温度検出器
３３、３４からの信号を受けたプログラマブル温調用制
御器３５ｂにより、サイリスタ、スライダックなどの電
力調整器を駆動することにより制御する構成とすること
も可能である。

【００２９】次に、以上のように構成された低温エッチ
ング装置１の動作について説明する。まず、図示しない
ロードロック室より所定の圧力、たとえば１×１０^-4〜
数Ｔｏｒｒ程度に減圧された処理容器２のサセプタ７の
上部にウェハＷを載置し、電源１３より直流高圧を静電
チャック１１に印加して、クーロン力によりサセプタ７
にウェハを吸着保持する。ついで、上部電極１９側から
処理ガスを処理空間に流すとともに、上部電極１９と下
部電極７との間にパイプリード１６を介して高周波電力
を印加することによりプラズマを発生させ、ウェハの処
理面にエッチングを施すことが可能である。

【００３０】かかるエッチング処理に際し、本発明に基
づいて構成された処理装置１ではサセプタ支持台５の冷
却ジャケット８に冷媒、たとえば液体窒素を流通させ
て、サセプタ７を冷却し、そこからの冷熱を被処理体で
ある半導体ウェハＷに供給し、処理面を所定の温度にま
で冷却することができる。その際に、冷却ジャケット８
とウェハＷとの間に温調用ヒータ２２を設けて、その発
熱量を調整することによりウェハＷに伝達される冷熱を
制御することが可能である。この点、従来の温調用ヒー
タ２２では、発熱体からの熱流束の移動が周辺部から生
じるにもかかわらず、発熱体が全面にわたり配置されて
いたため、中心部に配置された発熱体が過熱し、破壊す
るおそれがあった。しかしながら、本発明に基づいて構
成された温調用ヒータ２２は、図２に示すように、発熱
体の配置パターンが周辺部より中心部の方が粗に構成さ
れているため、発熱面の均熱化を達成することが可能で
あり、被処理体の処理面の均熱を高い精度で実現するこ
とができるとともに、発熱体の破壊を未然に防止するこ
とが可能である。

【００３１】さらに本発明によれば、図７に示すシーケ
ンスに従って、第１および第２の温度センサ３３、３４
によりサセプタ７の中心部付近の温度と周辺部付近の温
度とが検出され（ステップ１）、検出された温度の差分
が制御器３５において算出され、その差分が所定範囲内
にあるかどうかが判定される（ステップ２）。温度の差
分が所定値を超えた場合には、温調用ヒータ２２の発熱
体２４の中心部付近の温度が周辺部付近の温度よりも過
熱し、発熱表面の均熱性が崩れるとともに、発熱体２４
自体の破壊が生じるおそれがあると判断することが可能
である。そこで本処理装置によればヒータの出力が調整
され（ステップ３）、発熱量を下げることによりサセプ
タ７の中心部付近と周辺部付近の温度差を再び所定範囲
に納めることが可能である。なお測定された温度差が所
定範囲内にある場合には、被処理体の処理面の温度調整
も良好に行われていると判断することができるので、処
理が継続される（ステップ４）。

【００３２】さらにまた本発明によれば、図８に示すシ
ーケンスに従って、圧力検出器３６により処理室内の圧
力を検出し（ステップ５）、その圧力が所定値以上に上
昇したかどうかが判定される（ステップ６）。処理室内
の圧力が所定値以上に上昇した場合には、ヒータ２２の
発熱体２４が破損し、その破損個所からヘリウムなどの
伝熱ガスが処理室内に漏出していると判断されるので、
高周波電力の印加を停止して処理を中止し（ステップ
７）、必要な場合にはヒータ２２を点検し（ステップ
８）、発熱体２４の破損が生じていないかどうかを判定
することが可能である。かかる工程により、発熱体２４
の破損の影響が処理装置全体に及ぶのを未然に防止する
ことが可能であり、フェールセーフな運転を行うことが
可能である。なお、圧力が所定値以上に上昇しない場合
には、温調用ヒータ２２が正常に作動していると判断さ
れるので、処理が継続される（ステップ９）。

【００３３】以上のようにして所望の低温エッチング処
理が終了すると、処理室内の残留ガスが排気され、処理
が終了したウェハを搬送アームにより図示しないロード
ロック室に搬出し、所定の温度に昇温した後、大気中に
搬出することで一連の処理終了する。

【００３４】上記実施例では、一例として本発明に基づ
いて構成された低温プラズマエッチング装置に適用した
例を示したが、本発明方法はかかる装置に限定されるこ
となく、ＣＶＤ装置、アッシング装置、スパッタ装置、
あるいは被処理体を低温で検査等する場合、例えば電子
顕微鏡の試料載置台や半導体材料、素子の評価を行う試
料載置台の冷却機構にも適用することができる。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づいて
構成された処理装置は、次のような優れた作用効果を奏
する。請求項１に記載の発明によれば、温調用ヒータの
発熱体の配置パターンを周辺部より中心部を粗に構成し
ているので、温調用ヒータの中心部の発熱量を周辺部の
発熱量よりも低く抑えることができるため、温調用ヒー
タの発熱表面の温度分布が周辺部より中心部が高くなる
ことを防止し、均熱性を確保することができるので、被
処理体温度の面内均一を高めることができる。

【００３６】請求項２に記載の発明によれば、サセプタ
の中心部付近の温度と周辺部付近の温度とを検出し、そ
れらの温度の差分が所定範囲を超えた場合には、温調用
ヒータの発熱表面の温度分布の不均一性が進展し、温調
用ヒータが破損するおそれがあると判断できるので、そ
れに応じて温調用ヒータの出力を下げることにより、温
調用ヒータの破損を未然に防止することができる。

【００３７】請求項３に記載の発明によれば、温調用ヒ
ータの発熱表面の温度分布の不均一性が進展し、温調用
ヒータが破損した場合には、その破損個所から伝熱ガス
が漏出し、処理容器内の圧力が上昇するので、処理容器
内の圧力を監視することにより、その圧力が所定圧力以
上になった場合には、温調用ヒータの破損が発生した判
断することが可能であり、それに応じて、処理を停止す
ることにより、被処理や処理装置自体にまで故障が及ぶ
のを未然に防止することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を低温プラズマ処理装置に適用した一実
施例を示す概略的な断面図である。

【図２】図１に示す低温プラズマ処理装置に適用可能な
温調用ヒータの平面図である。

【図３】図１に示す低温プラズマ処理装置に適用可能な
温調用ヒータの断面図である。

【図４】ＡｌＮの温度に対する熱伝導率と熱容量（比
熱）の関係を示すグラフである。

【図５】図１に示す低温プラズマ処理装置に適用可能な
温調用ヒータの組み込み部分の概略的な分解組立図であ
る。

【図６】図１に示す低温プラズマ処理装置の冷媒供給／
排出管路の構造示す概略的な断面図である。

【図７】図１に示す低温プラズマ処理装置の温調用ヒー
タの一制御方法を示す流れ図である。

【図８】図１に示す低温プラズマ処理装置の温調用ヒー
タの破壊検出方法を示す流れ図である。

【図９】温調用ヒータの出力制御するための装置構成の
一実施例を示すブロック図である。

【図１０】温調用ヒータの出力制御するための装置構成
の他の実施例を示すブロック図である。

【符号の説明】

１処理装置２処理容器４載置台５サセプタ支持台７サセプタ８冷却ジャケット１１静電チャック１６パイプリード１８高周波電源１９上部電極２２温調用ヒータ２３ヒータ電源２４発熱体２５絶縁体３３第１の温度検出器３４第２の温度検出器３５制御器３６圧力検出器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小美野光明東京都新宿区西新宿２丁目３番１号東京エレクトロン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上部に被処理体を吸着保持するチャック
部を有するとともに下部に前記被処理体を冷却する冷却
手段を有する載置台を処理容器内に収容してなる処理装
置において、前記チャック部と前記冷却手段との間に前
記冷却手段より前記被処理体へ伝熱する冷熱を調節する
ための温調用ヒータを配置し、その温調用ヒータを絶縁
体に発熱体を所定のパターンを描くように配置すること
により構成し、さらにそのパターンを周辺部より中心部
を粗に構成したことを特徴とする、処理装置。
【請求項２】上部に被処理体を吸着保持するチャック
部を有するとともに下部に前記被処理体を冷却する冷却
手段を有する載置台を処理容器内に収容してなる処理装
置において、前記チャック部と前記冷却手段との間に前
記冷却手段より前記被処理体へ伝熱する冷熱を調節する
ための温調用ヒータを設けるとともに、被処理体の載置
面の中心部付近の温度を検出するための第１の温度検出
器と被処理体の載置面の周辺部付近の温度を検出するた
めの第２の温度検出器を設け、さらに前記第１の温度検
出器による第１の検出温度と前記第２の温度検出器によ
る第２の検出温度との差分に応じて前記温調用ヒータの
出力を調整するためのヒータ出力制御手段を設けたこと
を特徴とする、処理装置。
【請求項３】上部に被処理体を吸着保持するチャック
部を有するとともに下部に前記被処理体を冷却する冷却
手段を有する載置台を処理容器内に収容してなる処理装
置において、前記チャック部と前記冷却手段との間に前
記冷却手段より前記被処理体へ伝熱する冷熱を調節する
ための温調用ヒータを設けるとともに、前記処理室内の
圧力を検出するための圧力検出器を設け、さらに前記圧
力検出器による検出圧力が所定圧力以上に上昇した場合
に処理を停止するための制御手段を設けたことを特徴と
する、処理装置。