KR20170009852A - 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 장치의 운용 방법 및 급전 장치 - Google Patents

플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 장치의 운용 방법 및 급전 장치 Download PDF

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Abstract

일 실시 형태의 플라즈마 처리 장치는 처리 용기, 재치대, 복수의 히터 및 급전 장치를 구비하고 있다. 재치대는 처리 용기 내에 마련되어 있다. 복수의 히터는, 재치대 내에 마련되어 있다. 급전 장치는 복수의 히터에 전력을 공급한다. 급전 장치는 복수의 변압기, 및 복수의 제로크로스 제어형의 솔리드 스테이트 릴레이(SSR)를 갖고 있다. 복수의 변압기는, 교류 전원으로부터의 전압을 강압하도록 구성되어 있다. 복수의 변압기의 각각은, 1차 코일 및 2차 코일을 갖고 있다. 1차 코일은 교류 전원에 접속되어 있다. 복수의 SSR의 각각은, 복수의 히터 중 대응하는 하나의 히터와 복수의 변압기 중 대응하는 하나의 변압기의 2차 코일의 사이에 마련되어 있다.

Description

플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 장치의 운용 방법 및 급전 장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS, METHOD FOR OPERATING PLASMA PROCESSING APPARATUS, AND POWER SUPPLY DEVICE}
본 발명의 실시 형태는, 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 장치의 운용 방법 및 급전(給電) 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스 또는 FPD(Flat Panel Display)와 같은 디바이스의 제조를 위한 미세(微細) 가공에 있어서는, 반도체 기판 또는 유리 기판과 같은 피처리체에 대하여 플라즈마 처리가 행해진다. 플라즈마 처리에 있어서는, 피처리체 상의 플라즈마 밀도 분포의 제어에 더하여, 피처리체의 온도 또는 온도 분포의 제어가 중요하다. 피처리체의 온도 제어가 적정하게 행해지지 않으면, 피처리체의 표면에서의 반응에 대한 균일성을 확보할 수 없게 되어, 디바이스의 제조 수율이 저하된다.
일반적으로, 플라즈마 처리에 이용되는 플라즈마 처리 장치는, 피처리체를 그 위에 재치(載置)하는 재치대를 처리 용기 내에 구비하고 있다. 재치대는 플라즈마 생성 공간에 고주파를 인가하는 고주파 전극의 기능과, 피처리체를 정전 흡착 등에 의하여 유지하는 유지 기능과, 피처리체의 온도를 전열(傳熱)에 의하여 제어하는 온도 제어 기능을 갖고 있다.
이와 같은 플라즈마 처리 장치를 이용한 플라즈마 처리에서는, 플라즈마나 처리 용기를 구성하는 벽으로부터의 복사열의 불균일성, 및/또는 재치대 내의 열분포에 의하여 피처리체로의 입열(入熱) 특성에 분포가 발생할 수 있다. 이로 인하여, 재치대의 온도 제어 기능에는, 피처리체의 열분포를 적절히 보정하는 것이 요구된다.
종래부터, 재치대의 온도, 나아가서는 피처리체의 온도를 제어하기 위하여, 재치대에는, 그 온도 제어 기능으로서, 저항 발열체인 히터가 설치되어 있다. 이 히터에 공급되는 전류를 제어함으로써, 피처리체의 온도가 제어된다. 상술한 바와 같이, 피처리체로의 입열 특성은 불균일한 분포를 갖고 있다. 따라서 이와 같은 불균일한 입열 특성을 해소하기 위하여, 복수의 히터를, 재치대 내에 정의된 복수의 세그먼트 내에 각각 배치하는 것에 의하여 구성된 재치대가 개발되어 있다. 또, 프로세스에 따라서는, 온도 제어의 대상이 되는 피처리체의 영역을 세밀하게 분할하는 것이 필요하고, 따라서 특허문헌 1에 기재되는 바와 같이, 재치대 내에 정의하는 세그먼트의 개수를 증가시킬 필요가 있다.
이와 같이 재치대 내에 마련된 복수의 히터에 의하여 피처리체의 복수의 영역을 개별적으로 온도 제어하기 위해서는, 이들 히터에 공급하는 전력을 적절히 제어할 필요가 있다. 이로 인하여, 특허문헌 2에 기재되어 있는 바와 같이, 각 히터에 공급되는 전력을 조정하는 사이리스터(thyristor)를, 각 히터와 전원의 사이에 마련하는 것이 일반적이다. 도 8은 사이리스터의 원리를 나타내는 도면이다. 사이리스터는, 일반적으로는, 위상 제어 방식을 채용하고 있고, 도 8의 (a)에 나타내는 바와 같이, ON/OFF의 스위칭을 행함으로써, 히터와 전원을 도통시키는 기간, 즉 도통각 θ을 제어할 수 있다. 이로써, 히터에는, 도 8의 (b)에 나타내는 전류가 공급된다.
특허문헌 1: 일본 특허 5222850호 명세서 특허문헌 2: 일본 특개 2011-187637호 공보
상술한 바와 같이 재치대 내에 정의된 복수의 세그먼트의 개수가 많아지면, 이들 세그먼트의 면적은 상이한 면적이 된다. 이로 인하여, 복수의 세그먼트 내에 각각 마련되는 히터의 단위 면적당 저항값이 동일한 것이라고 하면, 복수의 세그먼트의 각각에 마련된 복수의 히터는, 상이한 저항값의 히터를 포함하는 것이 된다. 이로써, 복수의 히터에 의한 온도 제어의 분해능에 편차가 발생할 수 있다.
복수의 히터의 저항값을 균일하게 하기 위해서는, 작은 면적을 갖는 세그먼트에 마련된 히터의 굵기를 가늘게 하여, 당해 히터의 저항값을 크게 할 필요가 있다. 이와 같이 저항값이 커진 히터에는, 전원의 제약으로부터 과대한 전류를 공급하지 못하여, 결과적으로, 온도 제어의 다이나믹 레인지가 좁아진다. 따라서 복수의 히터의 저항값의 편차는 받아들이지 않을 수 없다.
또, 통상, 각 히터는 2개의 배선을 통하여 전원에 전기적으로 접속되어 있고, 상술한 바와 같이 세그먼트의 개수가 많아지면, 복수의 히터에 급전하기 위한 배선의 개수가 증대되게 되어, 재치대 내에서의 배선 라우팅이 곤란해질 수 있다. 이로 인하여, 2개의 배선 중 1개의 배선을 몇 개의 히터에서 공유하는 구성을 생각할 수 있다. 이와 같은 구성에서는, 배선을 공유한 히터는 전원에 대하여 병렬로 접속되게 되어, 이들 히터의 합성 저항값은 작은 저항값이 된다. 따라서 전원은 큰 전류를 공급하게 된다. 이와 같이 큰 전류가 공급되어도, 복수의 히터의 각각에 사이리스터를 접속하면, 각 히터에 공급되는 전류의 양을 조정하는 것은 가능하다.
사이리스터는, 상술한 바와 같이, ON/OFF의 스위칭에 의하여 전원과 히터를 임의의 타이밍에 도통(導通)시킬 수 있으므로, 높은 온도 제어 분해능을 실현할 수 있다. 그러나 사이리스터의 스위칭에 의하여 생성되는 전류 파형은, 도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이, 불연속적인 전류 파형이 되므로, 고조파 성분의 노이즈가 발생된다. 그 결과, 1차측(전원 공급측)에 접속되어 있는 다른 부하에 장애(진상(進相) 콘덴서의 소손(燒損) 등)가 발생할 수 있다.
따라서 높은 온도 제어 분해능이 얻어지도록 복수의 히터로의 급전을 제어하고, 또한 고조파 노이즈를 억제하는 것이 필요하다.
일 측면에 있어서는, 피처리체에 대하여 플라즈마 처리를 행하기 위한 플라즈마 처리 장치가 제공된다. 일 측면에 따른 플라즈마 처리 장치는 처리 용기, 재치대, 복수의 히터, 및 급전 장치를 구비하고 있다. 재치대는 처리 용기 내에 마련되어 있다. 복수의 히터는 재치대 내에 마련되어 있다. 급전 장치는 복수의 히터에 전력을 공급한다. 급전 장치는 복수의 변압기 및 복수의 제로크로스 제어형의 솔리드 스테이트 릴레이(Solid State Relay)를 갖고 있다. 복수의 변압기는 교류 전원으로부터의 전압을 강압하도록 구성되어 있다. 복수의 변압기의 각각은 1차 코일 및 2차 코일을 갖고 있다. 1차 코일은 교류 전원에 접속되어 있다. 복수의 제로크로스 제어형의 솔리드 스테이트 릴레이는, 제로 전압 부근의 전압으로 ON/OFF를 제어하는 솔리드 스테이트 릴레이이다. 복수의 제로크로스 제어형의 솔리드 스테이트 릴레이의 각각은, 복수의 히터 중 대응하는 하나의 히터와 복수의 변압기 중 대응하는 하나의 변압기의 2차 코일의 사이에 마련되어 있다.
이 플라즈마 처리 장치에서는, 히터에 대한 전류의 공급이 제로크로스 제어형의 솔리드 스테이트 릴레이에 의하여 제어된다. 제로크로스 제어형의 솔리드 스테이트 릴레이는, 출력 전압이 0V 부근인 전압으로 ON/OFF를 제어하므로, 고조파 성분을 포함하는 전류의 발생, 즉 고조파 노이즈의 발생을 억제할 수 있다. 또, 복수의 변압기에 의하여 교류 전원으로부터의 전압보다 낮은 전압이 2차측에 출력된다. 따라서 복수의 변압기의 2차 코일로부터 출력되는 전류가 작아진다. 이와 같이 출력된 전류의 히터로의 공급 또는 공급 정지가 솔리드 스테이트 릴레이에 의하여 전환되므로, 복수의 히터의 발열량의 분해능을 높일 수 있다. 결과적으로, 피처리체의 복수의 영역 각각의 온도 제어의 분해능을 높이는 것이 가능하다.
일 실시 형태에서는, 플라즈마 처리 장치는 복수의 제1 배선 및 복수의 제2 배선을 더 구비할 수 있다. 복수의 제1 배선은 복수의 히터의 제1 단자와 복수의 제로크로스 제어형의 솔리드 스테이트 릴레이를 개별적으로 접속한다. 복수의 제2 배선의 각각은, 복수의 히터 중 대응하는 2 이상의 히터의 제2 단자와 복수의 변압기 중 대응하는 하나의 변압기의 2차 코일을 공통으로 접속한다. 이 실시 형태에서는, 교류 전원에 대하여, 복수의 히터 중 몇 개의 히터를 포함하는 히터 그룹이 병렬로 접속된다. 병렬로 접속된 히터의 합성 저항값은 각 히터의 저항값보다 작지만, 변압기에 의하여 강압된 전압이 2차측에 출력되므로, 히터에 공급되는 전류를 작게 하는 것이 가능하다. 따라서 복수의 히터의 발열량의 분해능을 높일 수 있다. 결과적으로, 피처리체의 복수의 영역 각각의 온도 제어의 분해능을 높이는 것이 가능하다.
일 실시 형태에서는, 복수의 제2 배선 중 공통의 제2 배선에 접속된 2 이상의 히터는, 동일한 저항값을 가질 수 있다. 이 실시 형태에 의하면, 병렬로 접속된 2 이상의 히터의 발열량의 분해능을 균일하게 할 수 있다.
일 실시 형태에서는, 급전 장치는 복수의 변압기의 변압비를 변경하는 복수의 전환기를 더 갖고 있어도 된다. 이 실시 형태에 의하면, 2차측에 출력되는 전압을 조정할 수 있다. 따라서 히터에 공급되는 전류의 크기를 조정할 수 있다.
일 실시 형태에서는, 플라즈마 처리 장치는 복수의 전환기를 제어하는 제어부를 더 구비하고 있어도 되고, 제어부는 복수의 전환기를 제어하여, 복수의 변압기의 변압비를 설정하는 제1 제어와, 복수의 전환기를 제어하여, 제1 제어에 있어서 설정된 복수의 변압기의 변압비보다 높은 변압비로 복수의 변압기의 변압비를 설정하는 제2 제어를 실시해도 된다. 이 실시 형태에서는, 제1 제어에 있어서 2차측에 높은 전압을 출력하여 히터에 큰 전류를 공급하여, 히터를 급속히 발열시킬 수 있다. 또, 히터를 급속히 발열시켜 목표한 온도에 근접시킨 후에, 제2 제어에 있어서 2차측에 낮은 전압을 출력하여 히터에 작은 전류를 공급하여, 히터의 발열량의 제어성을 높일 수 있다.
다른 일 측면에 있어서는, 상기 실시 형태의 플라즈마 처리 장치의 운용 방법이 제공된다. 이 운용 방법은 복수의 전환기를 제어하여, 복수의 변압기의 변압비를 설정하는 제1 공정과, 복수의 전환기를 제어하여, 제1 공정에 있어서 설정된 복수의 변압기의 변압비보다 높은 변압비로 복수의 변압기의 변압비를 설정하는 제2 공정을 포함한다. 이 운용 방법에 의하면, 제1 공정에 있어서 2차측에 높은 전압을 출력하여 히터에 큰 전류를 공급하여, 히터를 급속히 발열시킬 수 있다. 또, 히터를 급속히 발열시켜 목표한 온도에 근접시킨 후에, 제2 공정에 있어서 2차측에 낮은 전압을 출력하여 히터에 작은 전류를 공급하여, 히터의 발열량의 제어성을 높일 수 있다.
또 다른 측면에 있어서는, 플라즈마 처리 장치의 재치대 내에 마련된 복수의 히터에 전력을 공급하기 위한 급전 장치가 제공된다. 급전 장치는, 복수의 변압기, 및 복수의 제로크로스 제어형의 솔리드 스테이트 릴레이를 갖고 있다. 복수의 변압기는 교류 전원으로부터의 전압을 강압하도록 구성되어 있다. 복수의 변압기의 각각은 1차 코일 및 2차 코일을 갖고 있다. 1차 코일은 교류 전원에 접속되어 있다. 복수의 제로크로스 제어형의 솔리드 스테이트 릴레이의 각각은, 복수의 히터 중 대응하는 하나의 히터와 복수의 변압기 중 대응하는 하나의 변압기의 2차 코일의 사이에 마련되어 있다.
일 실시 형태에 있어서, 급전 장치는 복수의 변압기의 변압비를 변경하는 복수의 전환기를 더 구비할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 높은 온도 제어 분해능이 얻어지도록 복수의 히터로의 급전을 제어하고, 또한 고조파 노이즈를 억제하는 것이 가능해진다.
도 1은 일 실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 정전 척(chuck) 내에 있어서의 복수의 히터의 레이아웃의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 3은 일 실시 형태의 급전 장치를 나타내는 도면이다.
도 4는 일 실시 형태에 따른 급전 장치의 일부와 함께, 솔리드 스테이트 릴레이의 구성을 나타내는 도면이다.
도 5는 제로크로스 제어형의 솔리드 스테이트 릴레이에 의하여 생성되는 전류의 파형의 일례를 나타내는 도면이다.
도 6은 다른 실시 형태의 급전 장치의 일부를 나타내는 도면이다.
도 7은 도 6에 나타내는 급전 장치를 구비하는 플라즈마 처리 장치의 운용 방법의 일 실시 형태를 나타내는 흐름도이다.
도 8은 사이리스터의 원리를 나타내는 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 다양한 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일 또는 상당하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하는 것으로 한다.
도 1은 일 실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 1에 있어서는, 일 실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 종단면(縱斷面)에 있어서의 구조가 개략적으로 도시되어 있다. 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치(10)는, 용량 결합형 평행 평판 플라즈마 에칭 장치이다. 이 플라즈마 처리 장치(10)는 대략 원통 형상의 처리 용기(12)를 구비하고 있다. 처리 용기(12)는, 예를 들면 알루미늄으로 구성되어 있고, 그 표면에는 양극(陽極) 산화 처리가 실시되어 있다.
처리 용기(12) 내에는 재치대(16)가 마련되어 있다. 재치대(16)는 정전 척(18) 및 기대(基臺)(20)를 포함하고 있다. 기대(20)는 대략 원반 형상을 갖고 있고, 예를 들면 알루미늄과 같은 도전성의 금속으로 구성되어 있다. 이 기대(20)는 하부 전극을 구성하고 있다. 기대(20)는 지지부(14)에 의하여 지지되어 있다. 지지부(14)는 처리 용기(12)의 바닥부로부터 연장되는 원통 형상의 부재이다.
기대(20)에는 정합기(MU1)를 통하여 제1 고주파 전원(HFS)이 전기적으로 접속되어 있다. 제1 고주파 전원(HFS)은 주로 플라즈마 생성용의 고주파 전력을 발생시키는 전원이며, 27~100MHz의 주파수, 일례에 있어서는 40MHz의 고주파 전력을 발생시킨다. 정합기(MU1)는 제1 고주파 전원(HFS)의 출력 임피던스와 부하측(기대(20)측)의 입력 임피던스를 정합시키기 위한 회로를 갖고 있다.
또, 기대(20)에는 정합기(MU2)를 통하여 제2 고주파 전원(LFS)이 전기적으로 접속되어 있다. 제2 고주파 전원(LFS)은 주로 피처리체(이하, 「웨이퍼(W)」라고 함)로의 이온 인입용의 고주파 전력(고주파 바이어스 전력)을 발생시켜, 당해 고주파 바이어스 전력을 기대(20)에 공급한다. 고주파 바이어스 전력의 주파수는 400kHz~13.56MHz의 범위 내의 주파수이며, 일례에 있어서는 3MHz이다. 정합기(MU2)는 제2 고주파 전원(LFS)의 출력 임피던스와 부하측(기대(20)측)의 입력 임피던스를 정합시키기 위한 회로를 갖고 있다.
기대(20) 상에는, 정전 척(18)이 마련되어 있다. 정전 척(18)은 쿨롱 힘 등의 정전력에 의하여 웨이퍼(W)를 흡착하여, 당해 웨이퍼(W)를 유지한다. 정전 척(18)은 세라믹제의 본체부 내에 정전 흡착용의 전극(18a)을 갖고 있다. 전극(18a)에는, 스위치(SW1)를 통하여 직류 전원(22)이 전기적으로 접속되어 있다.
정전 척(18) 내에는 복수의 히터(HT)가 내장되어 있다. 복수의 히터(HT)의 각각은, 발열 저항체이며, 전류가 공급됨으로써 열을 발생시킨다. 히터(HT)는 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 패터닝된 박막(薄膜) 히터일 수 있다. 또, 히터(HT)는 포일(foil) 저항 요소여도 되고, 당해 포일 저항 요소는 금속이어도 된다.
도 2는 정전 척 내에 있어서의 복수의 히터의 레이아웃의 일례를 나타내는 평면도이다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 정전 척(18)에는 당해 정전 척(18)을 연직(鉛直) 방향으로 보았을 때에, 복수의 존 Z1, Z2, Z3이 정의되어 있다. 이들 존 Z1~Z3은, 동심(同心) 형상의 존이다. 즉, 존 Z1은 정전 척(18)의 중심을 포함하는 원형의 존이고, 존 Z2는 존 Z1을 둘러싸는 대략 환상(環狀)의 존이고, 존 Z3은 존 Z2를 둘러싸는 대략 환상의 존이다.
존 Z1~Z3 내에는 복수의 세그먼트가 정의되어 있다. 즉, 정전 척(18) 내에는 복수의 세그먼트가 정의되어 있다. 일례에 있어서는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 존 Z1 내에는, 당해 존 Z1을 원주 방향으로 L개로 분할하도록 세그먼트를 정의하고, 각각의 세그먼트를 SG11~SG1L이라고 한다. 존 Z2 내에는, 당해 존 Z2를 원주 방향으로 M개로 분할하도록 세그먼트를 정의하고, 각각의 세그먼트를 SG21~SG2M이라고 한다. 존 Z3 내에는, 당해 존 Z3을 원주 방향으로 N개로 분할하도록 세그먼트를 정의하고, 각각의 세그먼트를 SG31~SG3N이라고 한다. 복수의 히터(HT)는 이들 복수의 세그먼트에 각각 배치되어 있다. 일 실시 형태에서는, 복수의 히터(HT)는 단위 길이당 저항값이 동일한 발열 저항체이다. 또, 도 2에 도시하는 바와 같이, 복수의 세그먼트는, 상이한 면적을 갖는 세그먼트를 포함하고 있다. 따라서 복수의 히터(HT)는 저항값이 상이한 히터를 포함하고 있다. 이들 복수의 히터(HT)에는, 도 1에 도시하는 급전 장치(PS)에 의하여 전력이 공급된다.
또한, 정전 척(18) 내에 정의되는 존 및 세그먼트는, 도 2에 도시되는 형태로 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 정전 척(18)에 격자 형상의 경계로 획정(劃定)되는 복수의 세그먼트가 정의되어 있어도 되고, 혹은 정전 척(18) 내의 영역을 동심 형상으로 구획하는 복수의 세그먼트가 정의되어 있어도 된다. 또, 도 2에 도시하는 존의 개수보다 많은 개수의 존이 정의되어 있어도 되고, 각 존에 있어서의 세그먼트의 개수는 도 2에 도시하는 세그먼트의 개수보다 많아도 적어도 된다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 기대(20)의 상면의 위, 또한 정전 척(18)의 주위에는, 포커스 링(FR)이 마련되어 있다. 포커스 링(FR)은 플라즈마 처리의 균일성을 향상시키기 위하여 마련되어 있다. 포커스 링(FR)은 실행해야 할 플라즈마 처리에 따라 적절히 선택되는 재료로 구성되어 있고, 예를 들면 실리콘, 또는 석영으로 구성될 수 있다.
기대(20)의 내부에는, 냉매 유로(24)가 형성되어 있다. 냉매 유로(24)에는, 처리 용기(12)의 외부에 마련된 칠러 유닛으로부터 배관(26a)을 통하여 냉매가 공급된다. 냉매 유로(24)에 공급된 냉매는, 배관(26b)을 통하여 칠러(chiller) 유닛으로 되돌아가도록 되어 있다.
처리 용기(12) 내에는, 상부 전극(30)이 마련되어 있다. 이 상부 전극(30)은 재치대(16)의 상방(上方)에 있어서, 기대(20)와 대향 배치되어 있고, 기대(20)와 상부 전극(30)은, 서로 대략 평행하게 마련되어 있다.
상부 전극(30)은 절연성 차폐 부재(32)를 통하여, 처리 용기(12)의 상부에 지지되어 있다. 상부 전극(30)은 전극판(34) 및 전극 지지체(36)를 포함할 수 있다. 전극판(34)은 처리 공간(S)에 면해 있고, 복수의 가스 토출(吐出) 구멍(34a)을 제공하고 있다. 이 전극판(34)은 줄 열(Joule heat)이 적은 저(低)저항의 도전체 또는 반도체로 구성될 수 있다.
전극 지지체(36)는 전극판(34)을 착탈 가능하게 지지하는 것이며, 예를 들면 알루미늄과 같은 도전성 재료로 구성될 수 있다. 이 전극 지지체(36)는 수냉(水冷) 구조를 가질 수 있다. 전극 지지체(36)의 내부에는, 가스 확산실(36a)이 마련되어 있다. 이 가스 확산실(36a)로부터는, 가스 토출 구멍(34a)에 연통(連通)하는 복수의 가스 통류 구멍(36b)이 하방으로 연장되어 있다. 또, 전극 지지체(36)에는 가스 확산실(36a)에 처리 가스를 유도하는 가스 도입구(36c)가 형성되어 있고, 이 가스 도입구(36c)에는, 가스 공급관(38)이 접속되어 있다.
가스 공급관(38)에는 밸브 그룹(42) 및 유량 제어기 그룹(44)을 통하여 가스 소스 그룹(40)이 접속되어 있다. 밸브 그룹(42)은 복수의 개폐 밸브를 갖고 있고, 유량 제어기 그룹(44)은 매스 플로 컨트롤러와 같은 복수의 유량 제어기를 갖고 있다. 또, 가스 소스 그룹(40)은, 플라즈마 처리에 필요한 복수 종의 가스용의 가스 소스를 갖고 있다. 가스 소스 그룹(40)의 복수의 가스 소스는, 대응하는 개폐 밸브 및 대응하는 매스 플로 컨트롤러를 통하여 가스 공급관(38)에 접속되어 있다.
플라즈마 처리 장치(10)에서는, 가스 소스 그룹(40)의 복수의 가스 소스 중 선택된 하나 이상의 가스 소스로부터의 하나 이상의 가스가, 가스 공급관(38)에 공급된다. 가스 공급관(38)에 공급된 가스는, 가스 확산실(36a)에 도달하여, 가스 통류 구멍(36b) 및 가스 토출 구멍(34a)을 통하여 처리 공간(S)으로 토출된다.
또, 도 1에 도시하는 바와 같이, 플라즈마 처리 장치(10)는 접지 도체(12a)를 더 구비할 수 있다. 접지 도체(12a)는 대략 원통 형상의 접지 도체이며, 처리 용기(12)의 측벽으로부터 상부 전극(30)의 높이 위치보다 상방으로 연장되도록 마련되어 있다.
또, 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 처리 용기(12)의 내벽을 따라 디포짓 실드(46)가 착탈 가능하게 마련되어 있다. 또, 디포짓 실드(46)는 지지부(14)의 외주(外周)에도 마련되어 있다. 디포짓 실드(46)는 처리 용기(12)에 에칭 부생물(디포짓)이 부착하는 것을 방지하는 것이며, 알루미늄재에 Y2O3 등의 세라믹스를 피복함으로써 구성될 수 있다.
처리 용기(12)의 바닥부측에 있어서는, 지지부(14)와 처리 용기(12)의 내벽의 사이에 배기 플레이트(48)가 마련되어 있다. 배기 플레이트(48)는, 예를 들면 알루미늄재에 Y2O3 등의 세라믹스를 피복함으로써 구성될 수 있다. 이 배기 플레이트(48)의 하방에 있어서 처리 용기(12)에는, 배기구(12e)가 마련되어 있다. 배기구(12e)에는, 배기관(52)을 통하여 배기 장치(50)가 접속되어 있다. 배기 장치(50)는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 갖고 있어, 처리 용기(12) 내를 원하는 진공도까지 감압할 수 있다. 또, 처리 용기(12)의 측벽에는 웨이퍼(W)의 반입출구(12g)가 마련되어 있고, 이 반입출구(12g)는 게이트 밸브(54)에 의하여 개폐 가능하게 되어 있다.
또, 플라즈마 처리 장치(10)는 제어부(Cnt)를 더 구비할 수 있다. 이 제어부(Cnt)는 프로세서, 기억부, 입력 장치, 표시 장치 등을 구비하는 컴퓨터이며, 플라즈마 처리 장치(10)의 각 부를 제어한다. 이 제어부(Cnt)에서는, 입력 장치를 이용하여, 오퍼레이터가 플라즈마 처리 장치(10)를 관리하기 위하여 커맨드의 입력 조작 등을 행할 수 있고, 또 표시 장치에 의하여, 플라즈마 처리 장치(10)의 가동 상황을 가시화하여 표시할 수 있다. 또한, 제어부(Cnt)의 기억부에는, 플라즈마 처리 장치(10)에서 실행되는 각종 처리를 프로세서에 의하여 제어하기 위한 제어 프로그램이나, 처리 조건에 따라 플라즈마 처리 장치(10)의 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉 처리 레시피가 격납된다.
도 3은 일 실시 형태의 급전 장치를 나타내는 도면이다. 또, 도 4는 일 실시 형태에 따른 급전 장치의 일부와 함께, SSR(80)의 구성을 나타내는 도면이다. 급전 장치(PS)는 복수의 변압기(70), 및 복수의 제로크로스 제어형의 솔리드 스테이트 릴레이(80)(이하, "SSR(80)"이라고 부름)를 갖고 있다. 복수의 변압기(70)의 각각은, 1차 코일(71) 및 2차 코일(72)을 갖고 있다. 1차 코일(71)은 교류 전원, 예를 들면 삼상 교류 전원에 전기적으로 접속되어 있다.
SSR(80)의 각각은, 복수의 히터(HT) 중 대응하는 하나의 히터(HT)와 복수의 변압기(70) 중 대응하는 하나의 변압기의 2차 코일(72)의 사이에 마련되어 있다. 복수의 히터(HT)의 각각의 제1 단자는, 제1 배선(L1)을 통하여 대응하는 하나의 SSR(80)에 접속되어 있다. SSR(80)은, 대응하는 변압기(70)의 2차 코일(72)에 접속되어 있다. 도 3에 나타내는 실시 형태에서는, 9개의 SSR(80)이 하나의 변압기(70)의 2차 코일(72)에 접속되어 있다. 또한, 하나의 변압기(70)에 SSR(80)을 통하여 접속되는 히터(HT)는 임의로 설정될 수 있다.
도 4에 도시하는 바와 같이, SSR(80)은 입력 회로(80a), 포토커플러(80b), 제로크로스 회로(80c), 트리거 회로(80d), 트라이액(triac)(80e), 및 스너버 회로(80f)를 구비하고 있다. 입력 회로(80a)에는 온도 제어 유닛(82)이 접속되어 있다. 온도 제어 유닛(82)은 히터(HT)와 변압기(70)를 도통시키는 기간을 조정하기 위한 제어 신호를 입력 회로(80a)에 부여한다. 온도 제어 유닛(82)은 레시피에 따른 발열량으로 히터(HT)를 발열시키기 위하여 제어부(Cnt)로부터 송신되는 신호를 받고, 이 신호에 따라 히터(HT)와 변압기(70)를 도통시키는 기간을 조정하기 위한 제어 신호를 생성한다. 또, 온도 제어 유닛(82)은 전류 모니터(84)에 의하여 계측된 전류값을 받아, 당해 전류값에 따라 제어 신호를 생성한다.
입력 회로(80a)는, 온도 제어 유닛(82)으로부터의 제어 신호에 따라, 포토커플러(80b)의 발광 소자에 송출되는 입력 신호를 출력한다. 이 입력 신호가 ON이 되면, SSR(80)은 제로 전압 부근에서 ON이 되어, 히터(HT)와 변압기(70)를 도통시킨다. 한편, 입력 신호가 OFF가 되면, SSR(80)은 제로 전압 부근에서 OFF가 되어, 히터(HT)에 전류가 실질적으로 공급되지 않게 된다.
도 5에 SSR에 의한 ON/OFF 제어에 의하여 생성되는 전류의 파형의 일례를 나타낸다. 도 5에서는, 실선으로 나타내는 부분의 파형의 전류가, 히터(HT)에 공급되는 전류를 나타내고 있고, 점선으로 나타내는 파형은, SSR(80)이 OFF인 기간에 있어서 히터(HT)에 전류가 공급되고 있지 않은 것을 나타내고 있다. SSR(80)에 의하면, 제로 전압 부근에서, 히터(HT)와 변압기(70)의 도통 상태가 전환된다. 따라서, 도 5에 도시하는 바와 같이, 생성되는 전류의 파형에 있어서 고주파 성분이 억제되고 있다. 따라서 SSR(80)에 의하면, 고주파 노이즈의 발생을 억제할 수 있다. 또, SSR(80)은 고속이고 또한 고(高)빈도의 ON/OFF의 전환에 대응 가능하고, 무접점 릴레이이므로 접촉 불량이 없으며, 동작음이 없다는 이점도 갖는다. 또, SSR(80)은 사이리스터에 비하여, 저가라는 이점을 갖는다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 복수의 히터(HT)는, 2 이상의 히터(HT)를 포함하는 그룹마다, 병렬화되어 있다. 구체적으로는, 하나의 그룹을 구성하는 2 이상의 히터(HT)의 제2 단자는, 하나의 공통의 배선, 즉 제2 배선(L2)에 전기적으로 접속되어 있다. 또, 도 3에 도시하는 바와 같이, 1 이상의 제2 배선(L2)이, 하나의 변압기(70)의 2차 코일(72)에 접속되어 있다. 바꾸어 말하면, 복수의 제2 배선(L2)의 각각은, 복수의 히터(HT) 중 대응하는 2 이상의 히터의 제2 단자와 복수의 변압기(70) 중 대응하는 변압기의 2차 코일(72)을 공통으로 접속하고 있다. 또한, 도 3에 도시하는 실시 형태에 있어서는, 하나의 제2 배선(L2)에 공통으로 접속되는 히터(HT)의 개수는 3개이지만, 하나의 제2 배선(L2)에 공통으로 접속되는 히터(HT)의 개수는 임의로 설정될 수 있다. 또, 도 3에 도시하는 실시 형태에 있어서는, 3개의 제2 배선(L2)이 하나의 변압기(70)의 2차 코일(72)에 접속하고 있지만, 하나의 변압기(70)의 2차 코일(72)에 접속되는 제2 배선(L2)의 개수는 임의로 설정될 수 있다.
복수의 변압기(70)의 각각은, 1차측의 전압을 강압한 전압을 2차측, 즉 2차 코일(72)에 출력한다. 여기에서, 급전 장치(PS)의 제1 예에 대하여 검토한다. 제1 예에서는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 복수의 변압기(70), 즉 변압기(701), 변압기(702), 및 변압기(703)의 각각에, 9개의 히터(HT)가 병렬로 접속되어 있는 것으로 한다. 또, 하나의 변압기에 접속된 9개의 히터(HT)의 저항값이 각각, 45.5Ω, 40.4Ω, 22.5Ω, 45.5Ω, 40.4Ω, 22.5Ω, 45.5Ω, 40.4Ω, 22.5Ω인 것으로 한다. 또, 변압기(701)에는 삼상 교류 전원의 R상-S상으로부터 전압이 부여되고, 변압기(702)에는 삼상 교류 전원의 S상-T상으로부터 전압이 부여되며, 변압기(703)에는 삼상 교류 전원의 R상-T상으로부터 전압이 부여되는 것으로 한다.
제1 예에서는, 각 변압기에 접속되어 있는 9개의 히터(HT)의 합성 저항값은 3.7Ω이다. 200V의 교류 전원의 각 상에 3.7Ω의 합성 저항이 접속되어 있는 경우, 1상당 상전류는, 200V/3.7Ω×√3=93.6A가 된다. 따라서, 변압기가 없으면, 93.6A×200V의 전력 공급이 필요하게 되어, 보호용의 브레이커가 필요하게 된다. 한편, 변압기(70(701, 702, 703))로 100V로 전압을 강압시키면, 최대 전류는 46.8A가 된다. 또, 변압기(70(701, 702, 703))에 의하여 50V로 전압을 강압하면 최대 전류는 23.4A가 된다. 따라서 변압기(70)를 채용함으로써, 최대 전류량을 저하시키는 것이 가능하다.
이와 같이, 변압기(70)에 의하여 전압을 강압하면 전류량을 저하시킬 수 있고, 온도 제어 유닛(82)의 제어 출력에 대한 각 히터(HT)의 발열량을 저하시킬 수 있다. 이로 인하여, 온도 제어 유닛(82)의 제어의 분해능, 즉 온도 제어 유닛(82)의 출력 분해능에 대하여 각 히터(HT)의 발열량의 제어 분해능을 향상시킬 수 있다. 따라서, 제1 예와 같이 각 변압기(70)에 상이한 저항값을 갖는 히터(HT)가 병렬로 접속되어 있어도, 각 히터(HT)에 의한 온도 제어의 분해능을 향상시키는 것이 가능하다. 또, 변압기(70) 및 SSR(80)에 의하여 급전 장치(PS)가 구성되므로, 저가이고 또한 소형의 급전 장치(PS)가 제공된다. 또, 복수의 세그먼트에 각각 마련된 복수의 히터(HT)를 갖는 구성에 있어서, 소비 전류를 저감시키는 것이 가능하다.
이하, 급전 장치(PS)의 제2 예에 대하여 검토한다. 제2 예에서는, 하나의 변압기에 병렬 접속되는 9개의 히터(HT)가 대략 동일한 저항값을 갖는 것으로 한다. 구체적으로는, 변압기(701)에 접속되어 있는 9개의 히터(HT)의 각각의 저항값이 45.5Ω인 것으로 한다. 또, 변압기(702)에 접속되어 있는 9개의 히터(HT)의 각각의 저항값이 40.4Ω인 것으로 한다. 또, 변압기(703)에 접속되어 있는 9개의 히터(HT)의 각각의 저항값이 25.5Ω인 것으로 한다. 또, 변압기(701)에 접속되어 있는 각 히터(HT)가 마련되어 있는 세그먼트의 면적이 2800mm2이고, 변압기(702)에 접속되어 있는 각 히터(HT)가 마련되어 있는 세그먼트의 면적이 2300mm2이며, 변압기(703)에 접속되어 있는 각 히터(HT)가 마련되어 있는 세그먼트의 면적이 1200mm2인 것으로 한다. 또, 변압기(701)에는 삼상 교류 전원의 R상-S상으로부터 전압이 부여되고, 변압기(702)에는 삼상 교류 전원의 S상-T상으로부터 전압이 부여되며, 변압기(703)에는 삼상 교류 전원의 R상-T상으로부터 전압이 부여되는 것으로 한다. 또, 변압기(701)는 전압을 100V로 강압하고, 변압기(702)는 전압을 75V로 강압하며, 변압기(703)는 전압을 50V로 강압하는 것으로 한다.
제2 예에서는, 변압기(701)에 접속된 9개의 히터(HT)의 합성 저항값은 5.1Ω이고, 변압기(702)에 접속된 9개의 히터(HT)의 합성 저항값은 4.5Ω이며, 변압기(703)에 접속된 9개의 히터(HT)의 합성 저항값은 2.5Ω이다. 따라서 R상-S상에서 소비되는 전류는 19.6A가 되고, R상-S상에서의 발열량은 1960.8W가 된다. 또, S상-T상에서 소비되는 전류는 19.8A가 되고, S상-T상에서의 발열량은 1253.1W가 된다. 또, R상-T상에서 소비되는 전류는 20.0A가 되고, R상-T상에서의 발열량은 1000W가 된다. 따라서 변압기(701)에 접속되어 있는 각 히터(HT)가 마련되어 있는 세그먼트의 단위 면적당 발열량, 즉 발열 밀도는 0.08W/mm2가 된다. 또, 변압기(702)에 접속되어 있는 각 히터(HT)가 마련되어 있는 세그먼트의 발열 밀도는 0.06W/mm2가 된다. 변압기(703)에 접속되어 있는 각 히터(HT)가 마련되어 있는 세그먼트의 발열 밀도는 0.09W/mm2가 된다. 이와 같이, 하나의 변압기에 병렬 접속되는 히터(HT)가 대략 동일한 저항값을 갖는 경우에, 변압기(70)에 의하여 전압을 강압시키면, 복수의 세그먼트 각각에 있어서의 발열 밀도의 차이를 저감시키는 것이 가능해진다. 또, 제1 예와 마찬가지로, 변압기(70)에 의하여 전압을 강압시키는 것에 의하여 전류량을 저하시킬 수 있으므로, 각 히터(HT)에 의한 온도 제어의 분해능을 향상시키는 것이 가능하다.
이하, 제2 예의 변압기(701)에 접속되어 있는 히터(HT)를 예로 들어, 온도 제어의 분해능에 대하여 검토한다. 상술한 바와 같이, 변압기(701)에 접속되어 있는 9개의 히터(HT)의 저항값이 45.5Ω이고, 각 히터(HT)가 마련되어 있는 세그먼트의 면적은 2800mm2인 것으로 한다. 또, 온도 제어 유닛(82)의 출력 분해능이 0.1%인 것으로 한다. 또한, 온도 제어 유닛(82)의 출력 분해능이란, 히터(HT)에 공급되는 전력을 0.1% 단위로 제어할 수 있는 것을 의미한다. 이 예에 있어서, 변압기(701)에 의하여 100V로 전압을 강압시키면, 각 히터(HT)의 발열량은 219.8W가 된다. 따라서 발열량의 분해능은, 0.1%×219.8=0.2198W가 된다. 각 세그먼트를 1℃ 승온(昇溫)하기 위하여 필요한 발열량은, 세그먼트의 면적×열 유속(流速)으로 계산된다. 열 유속은 사용하는 재질의 합성 열저항으로부터 계산되는데, 여기에서는 0.67×10-3[W/mm2]인 것으로 한다. 따라서 각 세그먼트를 1℃ 승온하기 위하여 필요한 발열량은, 2800mm2×0.67×10-3[W/mm2]=1.876W가 된다. 이 발열량으로부터, 온도 제어 유닛(82)의 출력 분해능이 0.1%인 경우에는, 0.2198W/1.876W=0.117℃의 승온량이 얻어진다. 즉, 0.117℃의 온도 제어의 분해능이 얻어진다. 예를 들면, 일반적으로 요구되는 온도 제어의 분해능은 1℃ 이하이므로, 이 검토에 의하면, 급전 장치(PS)에 의하여 높은 온도 제어의 분해능이 실현될 수 있는 것이 확인된다. 또, 온도 제어 유닛(82)의 출력 분해능을 높임으로써, 예를 들면 0.05%라고 하면, 더 높은 온도 제어의 분해능이 얻어진다.
이하, 다른 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 6은 다른 실시 형태의 급전 장치의 일부를 나타내는 도면이다. 도 6에 도시하는 바와 같이, 급전 장치(PS)는 각 변압기(70)와 SSR(80)의 사이에 전환기(90)를 갖고 있다. 즉, 다른 실시 형태의 급전 장치(PS)에서는, 복수의 전환기(90)가 복수의 변압기의 각각에 접속된다. 전환기(90)는 대응하는 변압기(70)의 변압비를 변경함으로써, 당해 변압기(70)의 2차측의 출력 전압을 조정한다. 일례에 있어서는, 전환기(90)는 변압기(70)의 복수의 탭 중 어느 것을 선택하여, 선택한 탭에 접속하는 릴레이 회로로서 구성될 수 있다. 이 예에서는, 전환기(90)는 상술한 제어부(Cnt)에 의한 제어에 의하여, 선택하는 탭을 전환할 수 있다.
도 7은 도 6에 도시하는 급전 장치를 구비하는 플라즈마 처리 장치(10)의 운용 방법의 일 실시 형태를 나타내는 흐름도이다. 도 7에 도시하는 운용 방법은, 제1 공정 ST1 및 제2 공정 ST2를 포함한다. 제1 공정 ST1에서는, 복수의 변압기(70)의 각각에 접속되어 있는 복수의 전환기(90)가 제어되어, 이들 변압기(70)의 변압비가 설정된다. 제1 공정 ST1에 있어서의 복수의 전환기(90)의 제어는, 제어부(Cnt)에 의한 제1 제어에 의하여 실행될 수 있다.
이어지는 제2 공정 ST2에서는, 복수의 전환기(90)가 제어되어, 제1 공정 ST1에 있어서 설정된 복수의 변압기(70)의 변압비보다 높은 변압비로, 이들 변압기(70)의 변압비가 설정된다. 제2 공정 ST2에 있어서의 복수의 전환기(90)의 제어는, 제어부(Cnt)에 의한 제2 제어에 의하여 실행될 수 있다. 이 제2 공정 ST2에 의하여, 변압기(70)의 2차측에는 제1 공정 ST2의 2차측의 전압보다 낮은 전압이 출력된다. 따라서 변압기(70)에 접속되어 있는 대응하는 히터(HT)에 공급되는 전류량이 저하된다. 이 결과, 제2 공정 ST2에서는, 온도 제어의 분해능을 높일 수 있다. 한편, 제1 공정 ST1에서는, 큰 전류를 히터(HT)에 공급할 수 있으므로, 급속한 가열이 가능해진다.
도 7에 도시하는 운용 방법은, 예를 들면 플라즈마 처리 장치(10)를 이용하여 제1 프로세스를 행하고, 이어서 제2 프로세스를 행하는 상황에 있어서, 제1 프로세스에 있어서의 웨이퍼(W)의 온도보다 제2 프로세스에 있어서의 웨이퍼(W)의 온도를 급속히 승온할 필요가 있을 때, 이용될 수 있다. 이 예에서는, 낮은 변압비가 얻어지는 탭으로 접속처를 전환함으로써 변압기(70)의 2차측의 출력 전압을 높여 히터(HT)에 공급되는 전류량을 증가시켜, 히터(HT)에 의하여 재치대(16) 및 웨이퍼(W)를 급속히 승온시킬 수 있다. 이와 같이 급속히 재치대(16) 및 웨이퍼(W)를 승온시킨 후에, 높은 변압비가 얻어지는 탭으로 접속처를 전환함으로써 변압기(70)의 2차측의 출력 전압을 저하시켜 히터(HT)에 공급되는 전류량을 저하시켜서, 히터(HT)에 의한 재치대(16) 및 웨이퍼(W)의 온도를 고정밀도로 제어할 수 있다.
이상, 다양한 실시 형태에 대하여 설명했지만, 상술한 실시 형태로 한정되지 않고 다양한 변형 양태를 구성 가능하다. 예를 들면, 상술한 실시 형태의 플라즈마 처리 장치는 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치였지만, 플라즈마 처리 장치는 임의의 방식의 플라즈마 처리 장치여도 된다. 예를 들면, 플라즈마 처리 장치는 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치여도 되고, 마이크로파와 같은 표면파(表面波)를 플라즈마원으로서 이용하는 플라즈마 처리 장치여도 된다.
10…플라즈마 처리 장치
12…처리 용기
16…재치대
18…정전 척
20…기대
HT…히터
PS…급전 장치
70…변압기
71…1차 코일
72…2차 코일
80…솔리드 스테이트 릴레이
82…온도 제어 유닛
90…전환기
Cnt…제어부

Claims (8)

  1. 피처리체에 대하여 플라즈마 처리를 행하기 위한 플라즈마 처리 장치로서,
    처리 용기와,
    상기 처리 용기 내에 마련된 재치대와,
    상기 재치대 내에 마련된 복수의 히터와,
    상기 복수의 히터에 전력을 공급하는 급전 장치를 구비하고,
    상기 급전 장치는,
    교류 전원으로부터의 전압을 강압하도록 구성된 복수의 변압기이며, 각각이, 상기 교류 전원에 접속된 1차 코일, 및 2차 코일을 갖는, 상기 복수의 변압기와,
    각각이, 상기 복수의 히터 중 대응하는 하나의 히터와 상기 복수의 변압기 중 대응하는 하나의 변압기의 2차 코일의 사이에 마련된 복수의 제로크로스 제어형의 솔리드 스테이트 릴레이를 갖는 플라즈마 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 히터의 제1 단자와 상기 복수의 제로크로스 제어형의 솔리드 스테이트 릴레이를 개별적으로 접속하는 복수의 제1 배선과,
    각각이, 상기 복수의 히터 중 대응하는 2 이상의 히터의 제2 단자와 상기 복수의 변압기 중 대응하는 하나의 변압기의 2차 코일을 공통으로 접속하는 복수의 제2 배선을 더 구비하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 복수의 제2 배선 중 공통의 제2 배선에 접속된 2 이상의 히터는, 동일한 저항값을 갖는 플라즈마 처리 장치.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 급전 장치는 상기 복수의 변압기의 변압비를 변경하는 복수의 전환기를 더 갖는 플라즈마 처리 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 복수의 전환기를 제어하는 제어부를 더 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 복수의 전환기를 제어하여, 상기 복수의 변압기의 변압비를 설정하는 제1 제어와,
    상기 복수의 전환기를 제어하여, 상기 제1 제어에 있어서 설정된 상기 복수의 변압기의 변압비보다 높은 변압비로 상기 복수의 변압기의 변압비를 설정하는 제2 제어를 실행하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 청구항 4에 기재된 플라즈마 처리 장치의 운용 방법으로서,
    상기 복수의 전환기를 제어하여, 상기 복수의 변압기의 변압비를 설정하는 제1 공정과,
    상기 복수의 전환기를 제어하여, 상기 제1 공정에 있어서 설정된 상기 복수의 변압기의 변압비보다 높은 변압비로 상기 복수의 변압기의 변압비를 설정하는 제2 공정을 포함하는 운용 방법.
  7. 플라즈마 처리 장치의 재치대 내에 마련된 복수의 히터에 전력을 공급하기 위한 급전 장치로서,
    교류 전원으로부터의 전압을 강압하도록 구성된 복수의 변압기이며, 각각이, 상기 교류 전원에 접속된 1차 코일, 및 2차 코일을 갖는 상기 복수의 변압기와,
    각각이, 상기 복수의 히터 중 대응하는 하나의 히터와 상기 복수의 변압기 중 대응하는 하나의 변압기의 2차 코일의 사이에 마련된 복수의 제로크로스 제어형의 솔리드 스테이트 릴레이를 구비하는 급전 장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 복수의 변압기의 변압비를 변경하는 복수의 전환기를 더 구비하는 급전 장치.
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