JP2688628B2 - 加熱装置 - Google Patents
加熱装置Info
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- JP2688628B2 JP2688628B2 JP1305035A JP30503589A JP2688628B2 JP 2688628 B2 JP2688628 B2 JP 2688628B2 JP 1305035 A JP1305035 A JP 1305035A JP 30503589 A JP30503589 A JP 30503589A JP 2688628 B2 JP2688628 B2 JP 2688628B2
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- control
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- Coating Apparatus (AREA)
- Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Resistance Heating (AREA)
- Electric Stoves And Ranges (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、加熱装置に関する。
（従来の技術） 一般に、例えば半導体ウェハ等の被処理体の表面へレ
ジストを塗布する工程においては、そのレジストを安定
化させる等の目的で被処理体を加熱している。
ジストを塗布する工程においては、そのレジストを安定
化させる等の目的で被処理体を加熱している。
つまり、均一なレジストの薄膜を得るためには、レジ
ストの粘度変動を極力抑えることが重要であり、条件の
一部として、膜形成中の被処理体の周辺の気流や雰囲気
温度の均一安定化、被処理体自体の温度の均一化、レジ
スト温度の均一化等が上げられる。
ストの粘度変動を極力抑えることが重要であり、条件の
一部として、膜形成中の被処理体の周辺の気流や雰囲気
温度の均一安定化、被処理体自体の温度の均一化、レジ
スト温度の均一化等が上げられる。
そして、例えば半導体ウェハへの加熱を行う加熱装置
の場合には、ホットプレートに埋設されているニクロム
等の発熱体に例えば100Vの交流電源から電力を供給し、
その半導体ウェハを均等に熱することが行われている。
の場合には、ホットプレートに埋設されているニクロム
等の発熱体に例えば100Vの交流電源から電力を供給し、
その半導体ウェハを均等に熱することが行われている。
また電力を供給する際の制御においては、例えば交流
波形のゼロクロスポイントにてオン／オフを行うゼロク
ロス型SSR（ソリッドステートリレー）に例えばPID制御
器の出力として得られるパルス幅変調（PWM）信号を与
えることにより行われている。
波形のゼロクロスポイントにてオン／オフを行うゼロク
ロス型SSR（ソリッドステートリレー）に例えばPID制御
器の出力として得られるパルス幅変調（PWM）信号を与
えることにより行われている。
ところで、近年においては、例えば工場内において、
100Vの電源ライン系がコンピュータ等の電子機器によっ
て埋め尽くされており、加熱装置等のように熱源となる
ものに関しては200Vの電源ライン系の使用が要望されて
いる。
100Vの電源ライン系がコンピュータ等の電子機器によっ
て埋め尽くされており、加熱装置等のように熱源となる
ものに関しては200Vの電源ライン系の使用が要望されて
いる。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述した従来の加熱装置では、電力の
制御精度に伴った温調精度おいて限界がある。
制御精度に伴った温調精度おいて限界がある。
つまり、例えば50Hzの商用電源を用いて１秒間毎のPW
M制御を行った場合、50Hzでのゼロクロスポイントは50
×２＝100となり、制御電力の精度においては最大電力/
100となる。
M制御を行った場合、50Hzでのゼロクロスポイントは50
×２＝100となり、制御電力の精度においては最大電力/
100となる。
また肌理細やかな電力制御を行おうとして、例えば0.
1秒間隔毎のPWM制御を行った際には、その精度は最大電
力/10となるため、制御精度が低下してしまう。
1秒間隔毎のPWM制御を行った際には、その精度は最大電
力/10となるため、制御精度が低下してしまう。
ただし、この0.1秒間毎のPWM制御を行う際に、例えば
第４図に示すように、電力波形のゼロクロスポイントか
ら外れた位置にて電力の供給を断接することにより、肌
理細やかな電力制御を行うことは可能である。
第４図に示すように、電力波形のゼロクロスポイントか
ら外れた位置にて電力の供給を断接することにより、肌
理細やかな電力制御を行うことは可能である。
しかし、このように、電力波形のゼロクロスポイント
から外れた位置で電力の供給を断接したい場合があり、
この場合はゼロクロスポイントでないので、ノイズが発
生し、このノイズによって他のコンピュータ等の電子機
器の誤動作を誘発する等の弊害をもたらしてしまうこと
になる。
から外れた位置で電力の供給を断接したい場合があり、
この場合はゼロクロスポイントでないので、ノイズが発
生し、このノイズによって他のコンピュータ等の電子機
器の誤動作を誘発する等の弊害をもたらしてしまうこと
になる。
本発明は、このような事情に対処して成されたもの
で、ノイズを防止させかつ温調精度を向上させることが
できる加熱装置を提供することを目的とする。
で、ノイズを防止させかつ温調精度を向上させることが
できる加熱装置を提供することを目的とする。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明の加熱装置は、上記目的を達成するために、被
処理体の温度を所定値に均一化させるホットプレートを
有した加熱装置において、 前記ホットプレートに埋設された複数の薄膜状の発熱
体層と、 これらの各発熱体層に１相分の電力をそれぞれ供給す
る多相交流電源と、 前記ホットプレートの温度を検出する温度検出手段
と、 この温度検出手段の検出結果および設定値に基づい
て、前記多相交流電源からの電力の供給動作を各相個別
に、ゼロクロスポイントにてオン／オフを行うことによ
り制御する制御手段と を具備することを特徴とするものである。
処理体の温度を所定値に均一化させるホットプレートを
有した加熱装置において、 前記ホットプレートに埋設された複数の薄膜状の発熱
体層と、 これらの各発熱体層に１相分の電力をそれぞれ供給す
る多相交流電源と、 前記ホットプレートの温度を検出する温度検出手段
と、 この温度検出手段の検出結果および設定値に基づい
て、前記多相交流電源からの電力の供給動作を各相個別
に、ゼロクロスポイントにてオン／オフを行うことによ
り制御する制御手段と を具備することを特徴とするものである。
（作 用） 本発明の加熱装置では、ホットプレートに複数の薄膜
状の発熱体層が埋設されており、各発熱体層には多相交
流電源から１相分の電力がそれぞれ供給される。
状の発熱体層が埋設されており、各発熱体層には多相交
流電源から１相分の電力がそれぞれ供給される。
このとき、制御手段はホットプレートの温度を検出す
る温度検出手段の検出結果および設定値に基づいて、多
相交流電源からの電力の供給動作を各相個別に制御す
る。
る温度検出手段の検出結果および設定値に基づいて、多
相交流電源からの電力の供給動作を各相個別に制御す
る。
従って、例えば50Hzにおいて制御間隔を0.04秒とした
ときに１相のみで制御を行った場合、 最大電力×n/4（ただし、ｎ＝１〜４） となる。
ときに１相のみで制御を行った場合、 最大電力×n/4（ただし、ｎ＝１〜４） となる。
これに対し、例えば３相を個別に制御した場合、 最大電力×n/（４×３） となる。
つまり、１相のみで制御を行った場合に比べて投入電
力量の精度を３倍とすることができる。
力量の精度を３倍とすることができる。
（実施例） 以下、本発明の実施例の詳細を図面に基づいて説明す
る。
る。
第１図は、半導体製造におけるレジストを塗布する工
程において被処理体を加熱する加熱装置に適用した場合
の一実施例を示すものである。
程において被処理体を加熱する加熱装置に適用した場合
の一実施例を示すものである。
同図に示すように、ホットプレート１のプレート本体
1aには、電力が供給された際に熱を発する薄膜状の発熱
体層2,3,4が埋設されている。
1aには、電力が供給された際に熱を発する薄膜状の発熱
体層2,3,4が埋設されている。
各発熱体層2,3,4には、第１〜３相の１相分の電力を
供給する例えば200Vの交流電源5,6,7が接続されてい
る。
供給する例えば200Vの交流電源5,6,7が接続されてい
る。
各交流電源5,6,7には、プレート本体1a内に配された
温感センサ８の測温信号に基づき、その供給動作をパル
ス幅変調（PWM）信号によって制御する温調器９が接続
されている。
温感センサ８の測温信号に基づき、その供給動作をパル
ス幅変調（PWM）信号によって制御する温調器９が接続
されている。
温調器９には、例えば第２図に示すように、温感セン
サ８の測温信号に基づいて制御量を出力するPID制御部1
0およびその制御量に基づいて各交流電源5,6,7の電力の
供給をオン／オフするためのオン／オフ信号U,V,Wを出
力するデコーダ11が具備されている。
サ８の測温信号に基づいて制御量を出力するPID制御部1
0およびその制御量に基づいて各交流電源5,6,7の電力の
供給をオン／オフするためのオン／オフ信号U,V,Wを出
力するデコーダ11が具備されている。
次に、このような構成の加熱装置の動作について説明
する。
する。
まず、通常、ホットプレート１によって発生する熱
は、単位時間当りの最大投入可能な電力のうちの何％与
えるかによって決定される。
は、単位時間当りの最大投入可能な電力のうちの何％与
えるかによって決定される。
つまり、50Hzの交流電源では、１秒間当り50×２＝10
0個のゼロクロスポイントがあり、例えばホットプレー
ト１が100のジュール熱を発する際に50％の電力を要す
るとした場合は、１秒間毎に50個目のゼロクロスポイン
で電力の供給の遮断を行うことになる。
0個のゼロクロスポイントがあり、例えばホットプレー
ト１が100のジュール熱を発する際に50％の電力を要す
るとした場合は、１秒間毎に50個目のゼロクロスポイン
で電力の供給の遮断を行うことになる。
ここで、例えば第３図に示すように、50Hzにおいて制
御間隔を0.04秒とした場合、第１相目におけるオン／オ
フ信号Ｕが電力がオン／オフするタイミングを、ゼロク
ロスポイントu1およびu3にてオンとし、ゼロクロスポイ
ントu2およびu4にてオフとする。
御間隔を0.04秒とした場合、第１相目におけるオン／オ
フ信号Ｕが電力がオン／オフするタイミングを、ゼロク
ロスポイントu1およびu3にてオンとし、ゼロクロスポイ
ントu2およびu4にてオフとする。
また、第２相目におけるオン／オフ信号Ｖが電力をオ
ン／オフするタイミングを、ゼロクロスポイントv1およ
びv3にてオンとし、ゼロクロスポイントv2およびv4にて
オフとする。
ン／オフするタイミングを、ゼロクロスポイントv1およ
びv3にてオンとし、ゼロクロスポイントv2およびv4にて
オフとする。
さらに、第３相目におけるオン／オフ信号Ｗが電力を
オン／オフするタイミングを、ゼロクロスポイントW1に
てオンとし、ゼロクロスポイントW4にてオフとする。
オン／オフするタイミングを、ゼロクロスポイントW1に
てオンとし、ゼロクロスポイントW4にてオフとする。
従って、この例でのトータルパワーは、 最大電力×5/12 となる。
このように、本実施例では、発熱体層を３層とし、各
発熱体層に供給すべき電力をPWM制御により個別に制御
するようにしたので、電力の制御精度を向上させること
ができる。
発熱体層に供給すべき電力をPWM制御により個別に制御
するようにしたので、電力の制御精度を向上させること
ができる。
つまり、50Hzにおいて制御間隔を0.04秒としたときに
１相のみで制御を行った場合、 最大電力×n/4（ただし、ｎ＝１〜４） となる。
１相のみで制御を行った場合、 最大電力×n/4（ただし、ｎ＝１〜４） となる。
これに対し、３相を個別に制御した場合、 最大電力×n/（４×３） となる。
従って、１相のみで制御を行った場合に比べて投入電
力量の制御精度を３倍とすることができる。
力量の制御精度を３倍とすることができる。
また本実施例では、各発熱体層に電力を個別に供給す
るようにしたので、各線材を流れる電流が1/3となり、
これにより各線材を細くすることができ、取り扱いも容
易となる。
るようにしたので、各線材を流れる電流が1/3となり、
これにより各線材を細くすることができ、取り扱いも容
易となる。
なお、本実施例では、本発明をレジストを塗布する工
程において被処理体を加熱する加熱装置に適用した場合
について説明したが、この例に限らず露光や現像等の他
の工程において被処理体を加熱する加熱装置に適用して
もよい。
程において被処理体を加熱する加熱装置に適用した場合
について説明したが、この例に限らず露光や現像等の他
の工程において被処理体を加熱する加熱装置に適用して
もよい。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の加熱装置によれば、発
熱体を多層とし各発熱体層に供給すべき電力を個別に制
御するようにしたので、温調精度を向上させることがで
きる。
熱体を多層とし各発熱体層に供給すべき電力を個別に制
御するようにしたので、温調精度を向上させることがで
きる。
第１図は本発明をレジストを塗布する工程において被処
理体を加熱する加熱装置に適用した場合の一実施例を示
す図、第２図は第１図の温調器の詳細を示すブロック
図、第３図は第１図の温調器の制御の一例を示す図、第
４図は従来のPWM制御における電力波形のゼロクロスポ
イントから外れた位置にて電力の供給を遮断した場合に
ついて説明する図である。 １……ホットプレート、1a……プレート本体、2,3,4…
…発熱体層、5,6,7……交流電源、８……温感センサ、
９……温調器、10……PID制御部、11……デコード。
理体を加熱する加熱装置に適用した場合の一実施例を示
す図、第２図は第１図の温調器の詳細を示すブロック
図、第３図は第１図の温調器の制御の一例を示す図、第
４図は従来のPWM制御における電力波形のゼロクロスポ
イントから外れた位置にて電力の供給を遮断した場合に
ついて説明する図である。 １……ホットプレート、1a……プレート本体、2,3,4…
…発熱体層、5,6,7……交流電源、８……温感センサ、
９……温調器、10……PID制御部、11……デコード。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０５Ｂ 3/00 ３１０Ｄ Ｈ０５Ｂ 3/00 ３１０ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｚ // Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (1)
- 【請求項１】被処理体の温度を所定値に均一化させるホ
ットプレートを有した加熱装置において、 前記ホットプレートに埋設された複数の薄膜状の発熱体
層と、 これらの各発熱体層に１相分の電力をそれぞれ供給する
多相交流電源と、 前記ホットプレートの温度を検出する温度検出手段と、 この温度検出手段の検出結果および設定値に基づいて、
前記多相交流電源からの電力の供給動作を各相個別に、
ゼロクロスポイントにてオン／オフを行うことにより制
御する制御手段と を具備することを特徴とする加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1305035A JP2688628B2 (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1305035A JP2688628B2 (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03165483A JPH03165483A (ja) | 1991-07-17 |
| JP2688628B2 true JP2688628B2 (ja) | 1997-12-10 |
Family
ID=17940316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1305035A Expired - Fee Related JP2688628B2 (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2688628B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012066590A1 (ja) * | 2010-11-15 | 2012-05-24 | ナカンテクノ株式会社 | 乾燥機の時分割制御方式とその装置 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5453217A (en) * | 1992-12-17 | 1995-09-26 | Mitsubishi Chemical Corporation | Liquid crystal composition and liquid crystal display device |
| US6222161B1 (en) | 1998-01-12 | 2001-04-24 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
| JP3589929B2 (ja) * | 2000-02-22 | 2004-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理装置 |
| US8274020B2 (en) | 2010-05-04 | 2012-09-25 | Whirlpool Corporation | Apparatus and method of controlling a triple heating element of a cooking appliance |
| JP6265841B2 (ja) | 2014-06-11 | 2018-01-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の運用方法 |
| KR20200078116A (ko) * | 2018-12-21 | 2020-07-01 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5135138A (ja) * | 1974-09-19 | 1976-03-25 | Daido Steel Co Ltd | Denkiteikoro |
| JPS6277715U (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-18 |
-
1989
- 1989-11-24 JP JP1305035A patent/JP2688628B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012066590A1 (ja) * | 2010-11-15 | 2012-05-24 | ナカンテクノ株式会社 | 乾燥機の時分割制御方式とその装置 |
| JP5130415B2 (ja) * | 2010-11-15 | 2013-01-30 | ナカンテクノ株式会社 | 乾燥機の時分割制御方式とその装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03165483A (ja) | 1991-07-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |