JPH10322906A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JPH10322906A JPH10322906A JP27306097A JP27306097A JPH10322906A JP H10322906 A JPH10322906 A JP H10322906A JP 27306097 A JP27306097 A JP 27306097A JP 27306097 A JP27306097 A JP 27306097A JP H10322906 A JPH10322906 A JP H10322906A
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- Japan
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- power
- power supply
- unit
- units
- processing
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-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/1951—Control of temperature characterised by the use of electric means with control of the working time of a temperature controlling device
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Supply And Distribution Of Alternating Current (AREA)
- Remote Monitoring And Control Of Power-Distribution Networks (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電源投入時の瞬間最大消費電力が低減された
基板処理装置を提供することである。 【解決手段】 複数の処理ユニット１１，１２，１３，
１４の受電部は、それぞれスイッチ４１，４２，４３，
４４を介して電源投入スイッチ３０の一端に接続されて
いる。電源投入スイッチ３０の他端はブレーカ２０を介
して外部電源Ｅに接続されている。タイマ５１，５２，
５３，５４にはそれぞれタイマ値Ｔ1 ，Ｔ 2 ，Ｔ3 ，Ｔ
4 が予め設定されている。電源投入スイッチ３０がオン
されると、タイマ５１〜５４がそれぞれタイマ値Ｔ1 〜
Ｔ4 で規定される時間の経過後に対応するスイッチ４１
〜４４をオンさせることにより、処理ユニット１１〜１
４に一定時間ずつ遅延しながら電力が供給される。
基板処理装置を提供することである。 【解決手段】 複数の処理ユニット１１，１２，１３，
１４の受電部は、それぞれスイッチ４１，４２，４３，
４４を介して電源投入スイッチ３０の一端に接続されて
いる。電源投入スイッチ３０の他端はブレーカ２０を介
して外部電源Ｅに接続されている。タイマ５１，５２，
５３，５４にはそれぞれタイマ値Ｔ1 ，Ｔ 2 ，Ｔ3 ，Ｔ
4 が予め設定されている。電源投入スイッチ３０がオン
されると、タイマ５１〜５４がそれぞれタイマ値Ｔ1 〜
Ｔ4 で規定される時間の経過後に対応するスイッチ４１
〜４４をオンさせることにより、処理ユニット１１〜１
４に一定時間ずつ遅延しながら電力が供給される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の処理部を備
えた基板処理装置に関する。
えた基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基
板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用ガラス基
板等の基板に種々の処理を行うために基板処理装置が用
いられている。例えば、半導体デバイスの製造プロセス
では、生産効率を高めるために、一連の処理の各々をユ
ニット化し、複数の処理ユニットを統合した基板処理装
置が用いられている。このような基板処理装置は、一般
に、工場内の電力供給設備（外部電源）に接続され、そ
の電力供給設備から供給される電力により複数の処理ユ
ニットが駆動される。
板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用ガラス基
板等の基板に種々の処理を行うために基板処理装置が用
いられている。例えば、半導体デバイスの製造プロセス
では、生産効率を高めるために、一連の処理の各々をユ
ニット化し、複数の処理ユニットを統合した基板処理装
置が用いられている。このような基板処理装置は、一般
に、工場内の電力供給設備（外部電源）に接続され、そ
の電力供給設備から供給される電力により複数の処理ユ
ニットが駆動される。
【０００３】図９は従来の基板処理装置における電力系
統を示すブロック図である。図９において、基板処理装
置１ａは、それぞれ基板に所定の処理を行う複数の処理
ユニット１１，１２，１３，１４を備える。複数の処理
ユニット１１〜１４の受電部は電源投入スイッチ３０お
よびブレーカ２０を介して外部電源Ｅに接続される。電
源投入スイッチ３０をオンにすると、外部電源Ｅからの
電力が複数の処理ユニット１１〜１４に供給される。
統を示すブロック図である。図９において、基板処理装
置１ａは、それぞれ基板に所定の処理を行う複数の処理
ユニット１１，１２，１３，１４を備える。複数の処理
ユニット１１〜１４の受電部は電源投入スイッチ３０お
よびブレーカ２０を介して外部電源Ｅに接続される。電
源投入スイッチ３０をオンにすると、外部電源Ｅからの
電力が複数の処理ユニット１１〜１４に供給される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】各処理ユニット１１〜
１４には、例えば、ランプのフィラメント、ヒータのニ
クロム線等の抵抗体が用いられている。このような抵抗
体に電流が流れると、大きな熱を発生するが、抵抗体の
電気抵抗は温度が低いほど小さくなる。電源投入時に
は、抵抗体の温度が低く、時間の経過とともに温度が上
昇し、ある一定の温度で安定する。したがって、電源投
入直後には、定常状態に比べると、大きな電流が流れる
ことになる。
１４には、例えば、ランプのフィラメント、ヒータのニ
クロム線等の抵抗体が用いられている。このような抵抗
体に電流が流れると、大きな熱を発生するが、抵抗体の
電気抵抗は温度が低いほど小さくなる。電源投入時に
は、抵抗体の温度が低く、時間の経過とともに温度が上
昇し、ある一定の温度で安定する。したがって、電源投
入直後には、定常状態に比べると、大きな電流が流れる
ことになる。
【０００５】図１０は図９の基板処理装置１ａにおける
使用電力の時間的変化を示す図である。図９の基板処理
装置１ａでは、電源投入時に複数の処理ユニット１１〜
１４に同時に電力が供給されるので、各処理ユニット１
１〜１４の上記の電気的挙動により、図１０に示すよう
に、電源投入時ｔ０から一定の時間が経過するまでの間
は、基板処理装置１ａの全体の使用電力が大きくなり、
定常状態になると使用電力がある一定のレベルＷｄより
も低くなる。この場合、ブレーカ２０の動作レベルＷａ
を電源投入直後の使用電力よりも大きく設定し、外部電
源Ｅの電力供給能力をブレーカ２０の動作レベルＷａよ
りも大きくする必要がある。
使用電力の時間的変化を示す図である。図９の基板処理
装置１ａでは、電源投入時に複数の処理ユニット１１〜
１４に同時に電力が供給されるので、各処理ユニット１
１〜１４の上記の電気的挙動により、図１０に示すよう
に、電源投入時ｔ０から一定の時間が経過するまでの間
は、基板処理装置１ａの全体の使用電力が大きくなり、
定常状態になると使用電力がある一定のレベルＷｄより
も低くなる。この場合、ブレーカ２０の動作レベルＷａ
を電源投入直後の使用電力よりも大きく設定し、外部電
源Ｅの電力供給能力をブレーカ２０の動作レベルＷａよ
りも大きくする必要がある。
【０００６】しかしながら、外部電源Ｅの電力供給能力
を増大させることは、安全上の点から好ましくなく、設
備も大がかりとなり、維持費の増大にもつながる。これ
らのことは、基板処理装置１ａのユーザにとって大きな
負担となる。
を増大させることは、安全上の点から好ましくなく、設
備も大がかりとなり、維持費の増大にもつながる。これ
らのことは、基板処理装置１ａのユーザにとって大きな
負担となる。
【０００７】また、処理ユニットとして複数の加熱ユニ
ット（ホットプレート）を有する基板処理装置では、各
加熱ユニットの処理温度を調整するための温調コントロ
ーラが設けられている。加熱ユニットは、基板を支持す
る基板支持プレート、およびこの基板支持プレートを加
熱するヒータを備える。温調コントローラには、各加熱
ユニットの処理温度が設定温度として設定されている。
ット（ホットプレート）を有する基板処理装置では、各
加熱ユニットの処理温度を調整するための温調コントロ
ーラが設けられている。加熱ユニットは、基板を支持す
る基板支持プレート、およびこの基板支持プレートを加
熱するヒータを備える。温調コントローラには、各加熱
ユニットの処理温度が設定温度として設定されている。
【０００８】電源投入時には、温調コントローラは、各
加熱ユニットのヒータに外部電源からの電力を供給して
基板支持プレートを加熱し、各加熱ユニットの基板支持
プレートの温度が設定温度になると、基板支持プレート
の温度を設定温度に保つために、加熱ユニットのヒータ
に供給する電流をオンオフ制御する。
加熱ユニットのヒータに外部電源からの電力を供給して
基板支持プレートを加熱し、各加熱ユニットの基板支持
プレートの温度が設定温度になると、基板支持プレート
の温度を設定温度に保つために、加熱ユニットのヒータ
に供給する電流をオンオフ制御する。
【０００９】したがって、電源投入時から各加熱ユニッ
トの温度調整が完了するまでの間は、基板処理装置の全
体の使用電力が高くなり、各加熱ユニットの温度調整の
完了後の保温時には、使用電力が低くなる。
トの温度調整が完了するまでの間は、基板処理装置の全
体の使用電力が高くなり、各加熱ユニットの温度調整の
完了後の保温時には、使用電力が低くなる。
【００１０】また、処理される基板のロットの変更等に
よりレシピ（処理手順）が変更されると、それに伴って
温調コントローラに設定される各加熱ユニットの設定温
度も変更される。
よりレシピ（処理手順）が変更されると、それに伴って
温調コントローラに設定される各加熱ユニットの設定温
度も変更される。
【００１１】この場合、温調コントローラは、各加熱ユ
ニットの基板支持プレートの温度が変更後の設定温度に
なるまで外部電源からの電力を各加熱ユニットのヒータ
に供給し、各加熱ユニットの温度調整の完了後は、各加
熱ユニットの基板支持プレートの温度を設定温度に保つ
ために各加熱ユニットのヒータに供給する電流をオンオ
フ制御する。
ニットの基板支持プレートの温度が変更後の設定温度に
なるまで外部電源からの電力を各加熱ユニットのヒータ
に供給し、各加熱ユニットの温度調整の完了後は、各加
熱ユニットの基板支持プレートの温度を設定温度に保つ
ために各加熱ユニットのヒータに供給する電流をオンオ
フ制御する。
【００１２】したがって、設定温度の変更後の各加熱ユ
ニットの温度調整時に、基板処理装置の全体の使用電力
が高くなり、各加熱ユニットの温度調整の完了後の保温
時には、使用電力が低くなる。
ニットの温度調整時に、基板処理装置の全体の使用電力
が高くなり、各加熱ユニットの温度調整の完了後の保温
時には、使用電力が低くなる。
【００１３】この場合、電源投入時から各加熱ユニット
の温度調整が完了するまでの間および設定温度の変更後
の各加熱ユニットの温度調整が完了するまでの間は、外
部電源には温度調整完了後の使用電力よりも大きな電力
供給能力が要求されるとともに、電力系統の線材部品に
も、その使用電力に応じた容量が要求される。これらの
結果、省エネルギー化および低コスト化を図ることが困
難となる。
の温度調整が完了するまでの間および設定温度の変更後
の各加熱ユニットの温度調整が完了するまでの間は、外
部電源には温度調整完了後の使用電力よりも大きな電力
供給能力が要求されるとともに、電力系統の線材部品に
も、その使用電力に応じた容量が要求される。これらの
結果、省エネルギー化および低コスト化を図ることが困
難となる。
【００１４】本発明の目的は、電源投入時の瞬間最大消
費電力が低減された基板処理装置を提供することであ
る。
費電力が低減された基板処理装置を提供することであ
る。
【００１５】本発明の他の目的は、電源投入時の温度調
整に要する最大消費電力が低減された基板処理装置を提
供することである。
整に要する最大消費電力が低減された基板処理装置を提
供することである。
【００１６】本発明の他の目的は、設定温度の変更時の
温度調整に要する最大消費電力が低減された基板処理装
置を提供することである。
温度調整に要する最大消費電力が低減された基板処理装
置を提供することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明に係る基板処理装置は、基板に所定の処理を行う複
数の処理部と、外部電源に接続される電源投入手段と、
電源投入手段による電源投入時に、外部電源から供給さ
れる電力を時間的にずらせながら複数の処理部に順次供
給する電力供給制御手段とを備えたものである。
発明に係る基板処理装置は、基板に所定の処理を行う複
数の処理部と、外部電源に接続される電源投入手段と、
電源投入手段による電源投入時に、外部電源から供給さ
れる電力を時間的にずらせながら複数の処理部に順次供
給する電力供給制御手段とを備えたものである。
【００１８】本発明に係る基板処理装置においては、電
源投入時に外部電源から供給される電力が時間的に異な
るタイミングで複数の処理部に順次供給されるので、複
数の処理部での初期の電力消費のタイミングが分散され
る。それにより、電源投入直後に基板処理装置の全体で
消費される瞬間最大電力が低減される。したがって、外
部電源の電力供給能力を低減することが可能となる。
源投入時に外部電源から供給される電力が時間的に異な
るタイミングで複数の処理部に順次供給されるので、複
数の処理部での初期の電力消費のタイミングが分散され
る。それにより、電源投入直後に基板処理装置の全体で
消費される瞬間最大電力が低減される。したがって、外
部電源の電力供給能力を低減することが可能となる。
【００１９】第２の発明に係る基板処理装置は、第１の
発明に係る基板処理装置の構成において、電力供給制御
手段が、電源投入手段と複数の処理部との間にそれぞれ
接続された複数のスイッチ手段と、複数のスイッチ手段
を電源投入手段による電源投入時からそれぞれ予め設定
された時間の経過後にオン状態にする計時手段とを含む
ものである。
発明に係る基板処理装置の構成において、電力供給制御
手段が、電源投入手段と複数の処理部との間にそれぞれ
接続された複数のスイッチ手段と、複数のスイッチ手段
を電源投入手段による電源投入時からそれぞれ予め設定
された時間の経過後にオン状態にする計時手段とを含む
ものである。
【００２０】この場合、電源投入時に複数のスイッチ手
段がそれぞれ予め設定された時間の経過後に順次オン状
態になるので、複数の処理部での初期の電力消費のタイ
ミングが分散され、電源投入直後に基板処理装置全体で
消費される瞬間最大電力が低減される。
段がそれぞれ予め設定された時間の経過後に順次オン状
態になるので、複数の処理部での初期の電力消費のタイ
ミングが分散され、電源投入直後に基板処理装置全体で
消費される瞬間最大電力が低減される。
【００２１】第３の発明に係る基板処理装置は、第１の
発明に係る基板処理装置の構成において、電力供給制御
手段が、電源投入手段と複数の処理部との間にそれぞれ
接続された複数のスイッチ手段と、複数の処理部で使用
中の電力を計測する電力計測手段と、電力計測手段の計
測値に基づいて複数のスイッチ手段を順次オン状態にす
るスイッチ制御手段とを含むものである。
発明に係る基板処理装置の構成において、電力供給制御
手段が、電源投入手段と複数の処理部との間にそれぞれ
接続された複数のスイッチ手段と、複数の処理部で使用
中の電力を計測する電力計測手段と、電力計測手段の計
測値に基づいて複数のスイッチ手段を順次オン状態にす
るスイッチ制御手段とを含むものである。
【００２２】この場合、電力計測手段の計測値に基づい
て複数のスイッチ手段が順次オン状態になるので、電源
投入直後に基板処理装置の全体で消費される瞬間最大電
力をある一定のレベル以下にすることが可能となる。
て複数のスイッチ手段が順次オン状態になるので、電源
投入直後に基板処理装置の全体で消費される瞬間最大電
力をある一定のレベル以下にすることが可能となる。
【００２３】第４の発明に係る基板処理装置は、第３の
発明に係る基板処理装置の構成において、スイッチ制御
手段が、電力計測手段の計測値が予め定められた基準レ
ベルよりも低いときに各スイッチ手段を予め定められた
順序でオン状態にするものである。
発明に係る基板処理装置の構成において、スイッチ制御
手段が、電力計測手段の計測値が予め定められた基準レ
ベルよりも低いときに各スイッチ手段を予め定められた
順序でオン状態にするものである。
【００２４】この場合、電力計測手段の計測値が基準レ
ベルよりも高いときにはスイッチ手段がオン状態にされ
ず、電力計測手段の計測値が基準レベルよりも低下した
ときに次のスイッチ手段がオン状態にされる。それによ
り、複数のスイッチ手段が予め定められた順序で遅延し
ながらオン状態になる。
ベルよりも高いときにはスイッチ手段がオン状態にされ
ず、電力計測手段の計測値が基準レベルよりも低下した
ときに次のスイッチ手段がオン状態にされる。それによ
り、複数のスイッチ手段が予め定められた順序で遅延し
ながらオン状態になる。
【００２５】第５の発明に係る基板処理装置は、第３の
発明に係る基板処理装置の構成において、スイッチ制御
手段が、予め設定された最大許容レベルと電力計測手段
の計測値との差に基づいて複数の処理部のいずれかを選
択し、選択された処理部をオン状態にするものである。
発明に係る基板処理装置の構成において、スイッチ制御
手段が、予め設定された最大許容レベルと電力計測手段
の計測値との差に基づいて複数の処理部のいずれかを選
択し、選択された処理部をオン状態にするものである。
【００２６】この場合、最大許容レベルと電力計測手段
の計測値との差よりも低い消費電力を有する処理部をオ
ン状態にすることができるので、電源投入直後に基板処
理装置の全体で消費される瞬間最大電力を最大許容レベ
ル以下にすることができる。
の計測値との差よりも低い消費電力を有する処理部をオ
ン状態にすることができるので、電源投入直後に基板処
理装置の全体で消費される瞬間最大電力を最大許容レベ
ル以下にすることができる。
【００２７】第６の発明に係る基板処理装置は、第３の
発明に係る基板処理装置の構成において、スイッチ制御
手段が、電力計測手段の計測値が予め設定された最大許
容レベルを超えないように複数のスイッチ手段をオン状
態にするタイミングを順次遅延させるものである。
発明に係る基板処理装置の構成において、スイッチ制御
手段が、電力計測手段の計測値が予め設定された最大許
容レベルを超えないように複数のスイッチ手段をオン状
態にするタイミングを順次遅延させるものである。
【００２８】この場合、電源投入時に電力計測手段の計
測値が最大許容レベルを超えないように複数のスイッチ
手段をオン状態にするタイミングが順次遅延されるの
で、基板処理装置の全体で消費される瞬間最大電力が最
大許容レベルを超えることがない。
測値が最大許容レベルを超えないように複数のスイッチ
手段をオン状態にするタイミングが順次遅延されるの
で、基板処理装置の全体で消費される瞬間最大電力が最
大許容レベルを超えることがない。
【００２９】第７の発明に係る基板処理装置は、熱源を
有し、基板に熱処理を行なう複数の処理部と、外部電源
に接続され、外部電源からの電力を複数の処理部の熱源
にそれぞれ供給する電力供給手段と、各処理部の処理温
度をそれぞれ所定の温度に調整するために電力供給手段
による各処理部への電力の供給を制御する電力供給制御
手段とを備え、電力供給制御手段は、電源投入時に、外
部電源からの電力を時間的にずらせながら複数の処理部
に順次供給するように電力供給手段を制御するものであ
る。
有し、基板に熱処理を行なう複数の処理部と、外部電源
に接続され、外部電源からの電力を複数の処理部の熱源
にそれぞれ供給する電力供給手段と、各処理部の処理温
度をそれぞれ所定の温度に調整するために電力供給手段
による各処理部への電力の供給を制御する電力供給制御
手段とを備え、電力供給制御手段は、電源投入時に、外
部電源からの電力を時間的にずらせながら複数の処理部
に順次供給するように電力供給手段を制御するものであ
る。
【００３０】本発明に係る基板処理装置においては、電
源投入時に、外部電源から供給される電力が時間的に異
なるタイミングで複数の処理部に順次供給されるので、
複数の処理部で温度調整に要する電力の消費のタイミン
グが分散される。それにより、電源投入直後に基板処理
装置の全体で消費される瞬間最大電力が低減される。
源投入時に、外部電源から供給される電力が時間的に異
なるタイミングで複数の処理部に順次供給されるので、
複数の処理部で温度調整に要する電力の消費のタイミン
グが分散される。それにより、電源投入直後に基板処理
装置の全体で消費される瞬間最大電力が低減される。
【００３１】したがって、外部電源の電力供給能力を低
減することが可能になるとともに、電力系統の線材部品
の容量を低減することができる。その結果、省エネルギ
ー化および低コスト化を図ることができる。
減することが可能になるとともに、電力系統の線材部品
の容量を低減することができる。その結果、省エネルギ
ー化および低コスト化を図ることができる。
【００３２】第８の発明に係る基板処理装置は、熱源を
有し、基板に熱処理を行なう複数の処理部と、外部電源
に接続され、外部電源からの電力を複数の処理部の熱源
にそれぞれ供給する電力供給手段と、各処理部の処理温
度を各処理部ごとに設定された設定温度に調整するため
に電力供給手段による各処理部への電力の供給を制御す
る電力供給制御手段とを備え、電力供給制御手段は、設
定温度の変更時に、変更後の各処理部の設定温度に基づ
いて電力供給手段による各処理部への電力の供給を時間
的にずらせながら順次制御するものである。
有し、基板に熱処理を行なう複数の処理部と、外部電源
に接続され、外部電源からの電力を複数の処理部の熱源
にそれぞれ供給する電力供給手段と、各処理部の処理温
度を各処理部ごとに設定された設定温度に調整するため
に電力供給手段による各処理部への電力の供給を制御す
る電力供給制御手段とを備え、電力供給制御手段は、設
定温度の変更時に、変更後の各処理部の設定温度に基づ
いて電力供給手段による各処理部への電力の供給を時間
的にずらせながら順次制御するものである。
【００３３】本発明に係る基板処理装置においては、複
数の処理部の設定温度の変更時に、電力供給手段による
各処理部への電力の供給が時間的に異なるタイミングで
制御されるので、複数の処理部で温度調整のために要す
る電力の消費のタイミングが分散される。それにより、
設定温度の変更直後に基板処理装置の全体で消費される
瞬間最大電力が低減される。
数の処理部の設定温度の変更時に、電力供給手段による
各処理部への電力の供給が時間的に異なるタイミングで
制御されるので、複数の処理部で温度調整のために要す
る電力の消費のタイミングが分散される。それにより、
設定温度の変更直後に基板処理装置の全体で消費される
瞬間最大電力が低減される。
【００３４】したがって、外部電源の電力供給能力を低
減することが可能になるとともに、電力系統の線材部品
の容量を低減することができる。その結果、省エネルギ
ー化および低コスト化を図ることができる。
減することが可能になるとともに、電力系統の線材部品
の容量を低減することができる。その結果、省エネルギ
ー化および低コスト化を図ることができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施例にお
ける基板処理装置の電力系統を示すブロック図である。
ける基板処理装置の電力系統を示すブロック図である。
【００３６】図１の基板処理装置１は、複数の処理ユニ
ット１１，１２，１３，１４を備える。処理ユニット１
１〜１４は、例えば、基板にレジスト等の塗布液を塗布
する回転式塗布ユニット、基板に現像処理を行う現像ユ
ニット、基板を洗浄する洗浄ユニット、基板に加熱処理
を行う加熱ユニット、基板に冷却処理を行う冷却ユニッ
ト、基板を搬送する搬送ユニット等である。
ット１１，１２，１３，１４を備える。処理ユニット１
１〜１４は、例えば、基板にレジスト等の塗布液を塗布
する回転式塗布ユニット、基板に現像処理を行う現像ユ
ニット、基板を洗浄する洗浄ユニット、基板に加熱処理
を行う加熱ユニット、基板に冷却処理を行う冷却ユニッ
ト、基板を搬送する搬送ユニット等である。
【００３７】この基板処理ユニット１は、ブレーカ２
０、電源投入スイッチ３０、複数のスイッチ４１，４
２，４３，４４および複数のタイマ５１，５２，５３，
５４を含む。複数のスイッチ４１，４２，４３，４４お
よび複数のタイマ５１，５２，５３，５４は、それぞれ
複数の処理ユニット１１，１２，１３，１４に対応して
設けられている。
０、電源投入スイッチ３０、複数のスイッチ４１，４
２，４３，４４および複数のタイマ５１，５２，５３，
５４を含む。複数のスイッチ４１，４２，４３，４４お
よび複数のタイマ５１，５２，５３，５４は、それぞれ
複数の処理ユニット１１，１２，１３，１４に対応して
設けられている。
【００３８】複数の処理ユニット１１〜１４の受電部
は、それぞれ対応するスイッチ４１〜４４を介して電源
投入スイッチ３０の一端に接続されている。複数のタイ
マ５１〜５４は、同様に電源投入スイッチ３０の一端に
接続されている。電源投入スイッチ３０の他端はブレー
カ２０を介して外部電源Ｅに接続されている。
は、それぞれ対応するスイッチ４１〜４４を介して電源
投入スイッチ３０の一端に接続されている。複数のタイ
マ５１〜５４は、同様に電源投入スイッチ３０の一端に
接続されている。電源投入スイッチ３０の他端はブレー
カ２０を介して外部電源Ｅに接続されている。
【００３９】タイマ５１，５２，５３，５４には、それ
ぞれタイマ値Ｔ1 ，Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ 4 が予め設定されて
いる。電源投入スイッチ３０がオンされると、タイマ５
１〜５４が作動し、それぞれタイマ値Ｔ1 〜Ｔ4 で規定
される時間の経過後に対応するスイッチ４１〜４４をオ
ンさせる。例えば、タイマ５１〜５４のタイマ値Ｔ1〜
Ｔ4 がＴ1 ＜Ｔ2 ＜Ｔ3 ＜Ｔ4 となるように設定される
と、電源投入スイッチ３０のオン時に、スイッチ４１、
スイッチ４２、スイッチ４３およびスイッチ４４がこの
順序で一定時間ずつ遅延しながらオンする。これによ
り、複数の処理ユニット１１〜１４にそれぞれ異なるタ
イミングで電力が供給される。
ぞれタイマ値Ｔ1 ，Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ 4 が予め設定されて
いる。電源投入スイッチ３０がオンされると、タイマ５
１〜５４が作動し、それぞれタイマ値Ｔ1 〜Ｔ4 で規定
される時間の経過後に対応するスイッチ４１〜４４をオ
ンさせる。例えば、タイマ５１〜５４のタイマ値Ｔ1〜
Ｔ4 がＴ1 ＜Ｔ2 ＜Ｔ3 ＜Ｔ4 となるように設定される
と、電源投入スイッチ３０のオン時に、スイッチ４１、
スイッチ４２、スイッチ４３およびスイッチ４４がこの
順序で一定時間ずつ遅延しながらオンする。これによ
り、複数の処理ユニット１１〜１４にそれぞれ異なるタ
イミングで電力が供給される。
【００４０】本実施例では、処理ユニット１１〜１４が
処理部に相当し、電源投入スイッチ３０が電源投入手段
に相当する。また、スイッチ４１〜４４がスイッチ手段
に相当し、タイマ５１〜５４が計時手段に相当する。ス
イッチ４１〜４４およびタイマ５１〜５４が電力供給制
御手段を構成する。
処理部に相当し、電源投入スイッチ３０が電源投入手段
に相当する。また、スイッチ４１〜４４がスイッチ手段
に相当し、タイマ５１〜５４が計時手段に相当する。ス
イッチ４１〜４４およびタイマ５１〜５４が電力供給制
御手段を構成する。
【００４１】図２は図１の基板処理装置１の全体の使用
電力の時間的変化を示す図である。上記の例では、時刻
ｔ０に電源投入スイッチ３０がオンにされると、時刻ｔ
１にスイッチ４１がオンし、時刻ｔ２にスイッチ４２が
オンし、ｔ３にスイッチ４３がオンし、時刻ｔ４にスイ
ッチ４４がオンする。
電力の時間的変化を示す図である。上記の例では、時刻
ｔ０に電源投入スイッチ３０がオンにされると、時刻ｔ
１にスイッチ４１がオンし、時刻ｔ２にスイッチ４２が
オンし、ｔ３にスイッチ４３がオンし、時刻ｔ４にスイ
ッチ４４がオンする。
【００４２】このように、電源投入直後に、複数の処理
ユニット１１〜１４に対応するスイッチ４１〜４４が時
間的に異なるタイミングでオンされるので、処理ユニッ
ト１１〜１４での初期の電力消費のタイミングが分散さ
れる。これにより、電源投入直後に基板処理装置１の全
体で使用される電力の最大値Ｗｍが低減される。
ユニット１１〜１４に対応するスイッチ４１〜４４が時
間的に異なるタイミングでオンされるので、処理ユニッ
ト１１〜１４での初期の電力消費のタイミングが分散さ
れる。これにより、電源投入直後に基板処理装置１の全
体で使用される電力の最大値Ｗｍが低減される。
【００４３】ブレーカ２０の動作電力Ｗｂは、電源投入
直後の使用電力の最大値Ｗｍよりも高く設定する。この
場合のブレーカ２０の動作電力Ｗｂは、従来の基板処理
装置１ａにおけるブレーカ２０の動作電力Ｗａと比べて
大幅に低くすることができる。したがって、外部電源Ｅ
の電力供給能力を大幅に低減することが可能となる。
直後の使用電力の最大値Ｗｍよりも高く設定する。この
場合のブレーカ２０の動作電力Ｗｂは、従来の基板処理
装置１ａにおけるブレーカ２０の動作電力Ｗａと比べて
大幅に低くすることができる。したがって、外部電源Ｅ
の電力供給能力を大幅に低減することが可能となる。
【００４４】なお、各タイマ５１〜５４のタイマ値Ｔ1
〜Ｔ4 を調整することにより、電源投入時における各処
理ユニット１１〜１４へ電力供給のタイミングを任意に
設定することができる。したがって、各処理ユニット１
１〜１４の最大消費電力に基づいて基板処理装置１の全
体で使用される電力の最大値Ｗｍが低くなるように各処
理ユニット１１〜１４への電力供給のタイミングおよび
順序を容易に設定することができる。
〜Ｔ4 を調整することにより、電源投入時における各処
理ユニット１１〜１４へ電力供給のタイミングを任意に
設定することができる。したがって、各処理ユニット１
１〜１４の最大消費電力に基づいて基板処理装置１の全
体で使用される電力の最大値Ｗｍが低くなるように各処
理ユニット１１〜１４への電力供給のタイミングおよび
順序を容易に設定することができる。
【００４５】各タイマ５１〜５４のタイマ値Ｔ1 〜Ｔ4
の設定は、作業者が手動で行ってもよく、あるいはＣＰ
Ｕ（中央演算処理装置）等の制御部が自動的に行っても
よい。
の設定は、作業者が手動で行ってもよく、あるいはＣＰ
Ｕ（中央演算処理装置）等の制御部が自動的に行っても
よい。
【００４６】図３は本発明の第２の実施例における基板
処理装置の電力系統を示すブロック図である。
処理装置の電力系統を示すブロック図である。
【００４７】図３において、基板処理装置２は、複数の
処理ユニット１１，１２，１３，１４を備える。また、
この基板処理装置２は、ブレーカ２０、電源投入スイッ
チ３０、電力計６０、スイッチ部７０、ＣＰＵ（中央演
算処理装置）、条件設定パネル９０およびメモリ１００
を含む。スイッチ部７０は、複数の処理ユニット１１，
１２，１３，１４にそれぞれ対応する複数のスイッチ７
１，７２，７３，７４を含む。
処理ユニット１１，１２，１３，１４を備える。また、
この基板処理装置２は、ブレーカ２０、電源投入スイッ
チ３０、電力計６０、スイッチ部７０、ＣＰＵ（中央演
算処理装置）、条件設定パネル９０およびメモリ１００
を含む。スイッチ部７０は、複数の処理ユニット１１，
１２，１３，１４にそれぞれ対応する複数のスイッチ７
１，７２，７３，７４を含む。
【００４８】複数の処理ユニット１１〜１４の受電部
は、スイッチ部７０のそれぞれ対応するスイッチ７１〜
７４および電力計６０を介して電源投入スイッチ３０の
一端に接続されている。電源投入スイッチ３０の他端は
ブレーカ２０を介して外部電源Ｅに接続されている。
は、スイッチ部７０のそれぞれ対応するスイッチ７１〜
７４および電力計６０を介して電源投入スイッチ３０の
一端に接続されている。電源投入スイッチ３０の他端は
ブレーカ２０を介して外部電源Ｅに接続されている。
【００４９】電力計６０は、基板処理装置２の全体の使
用電力を計測する。条件設定パネル９０は、複数の処理
ユニット１１〜１４の電力供給順序、各処理ユニット１
１〜１４の最大消費電力、設定電力、最大許容電力等の
条件を設定するために用いられる。
用電力を計測する。条件設定パネル９０は、複数の処理
ユニット１１〜１４の電力供給順序、各処理ユニット１
１〜１４の最大消費電力、設定電力、最大許容電力等の
条件を設定するために用いられる。
【００５０】条件設定パネル９０により設定された条件
は、ＣＰＵ８０を介してメモリ１００にデータとして記
憶される。ＣＰＵ８０は、電力計６０により計測される
使用電力およびメモリ１００から与えられる各種データ
に基づいてスイッチ部７０のスイッチ７１〜７４をそれ
ぞれ所定のタイミングでオンさせる。
は、ＣＰＵ８０を介してメモリ１００にデータとして記
憶される。ＣＰＵ８０は、電力計６０により計測される
使用電力およびメモリ１００から与えられる各種データ
に基づいてスイッチ部７０のスイッチ７１〜７４をそれ
ぞれ所定のタイミングでオンさせる。
【００５１】本実施例では、スイッチ７１〜７４がスイ
ッチ手段に相当し、電力計６０が電力計測手段に相当
し、ＣＰＵ８０がスイッチ制御手段に相当する。また、
電力計６０、スイッチ７１〜７４およびＣＰＵ８０が電
力供給制御手段を構成する。
ッチ手段に相当し、電力計６０が電力計測手段に相当
し、ＣＰＵ８０がスイッチ制御手段に相当する。また、
電力計６０、スイッチ７１〜７４およびＣＰＵ８０が電
力供給制御手段を構成する。
【００５２】次に、図３の基板処理装置２の動作を図４
〜図７を参照しながら説明する。図４は図３の基板処理
装置２におけるＣＰＵ８０の処理の一例を示すフローチ
ャートである。図５は図４の処理における基板処理装置
２の全体の使用電力の時間的変化を示す図である。
〜図７を参照しながら説明する。図４は図３の基板処理
装置２におけるＣＰＵ８０の処理の一例を示すフローチ
ャートである。図５は図４の処理における基板処理装置
２の全体の使用電力の時間的変化を示す図である。
【００５３】本例では、条件設定パネル９０を用いてメ
モリ１００に予め設定電力Ｗ０および処理ユニット１１
〜１４への電力供給順序が記憶されているものとする。
ここで、設定電力Ｗ０は基準レベルに相当する。
モリ１００に予め設定電力Ｗ０および処理ユニット１１
〜１４への電力供給順序が記憶されているものとする。
ここで、設定電力Ｗ０は基準レベルに相当する。
【００５４】電源投入スイッチ３０がオンされると、Ｃ
ＰＵ８０は、メモリ１００から設定電力Ｗ０のデータＤ
１を読み込む。そして、電力計６０から現在の使用電力
ＷｃのデータＤ２を読み込み、現在の使用電力Ｗｃが設
定電力Ｗ０よりも低いか否かを判定する（ステップＳ
１）。
ＰＵ８０は、メモリ１００から設定電力Ｗ０のデータＤ
１を読み込む。そして、電力計６０から現在の使用電力
ＷｃのデータＤ２を読み込み、現在の使用電力Ｗｃが設
定電力Ｗ０よりも低いか否かを判定する（ステップＳ
１）。
【００５５】現在の使用電力Ｗｃが設定電力Ｗ０以上の
場合には待機し、現在の使用電力Ｗｃが設定電力Ｗ０よ
りも低くなると、メモリ１００から次に電力供給する処
理ユニットのデータＤ３を読み込み、その処理ユニット
に対応するスイッチをオンにする（ステップＳ２）。
場合には待機し、現在の使用電力Ｗｃが設定電力Ｗ０よ
りも低くなると、メモリ１００から次に電力供給する処
理ユニットのデータＤ３を読み込み、その処理ユニット
に対応するスイッチをオンにする（ステップＳ２）。
【００５６】その後、すべての処理ユニットに対応する
スイッチをオンにしたかどうかを判定する（ステップＳ
３）。すべての処理ユニットに対応するスイッチをオン
にしていない場合には、電力計６０から現在の使用電力
ＷｃのデータＤ２を読み込み、ステップＳ１に戻る。す
べての処理ユニットに対応するスイッチがオンになるま
で、ステップＳ１〜Ｓ３の処理を繰り返し、すべての処
理ユニットに対応するスイッチがオンになると、処理を
終了する。
スイッチをオンにしたかどうかを判定する（ステップＳ
３）。すべての処理ユニットに対応するスイッチをオン
にしていない場合には、電力計６０から現在の使用電力
ＷｃのデータＤ２を読み込み、ステップＳ１に戻る。す
べての処理ユニットに対応するスイッチがオンになるま
で、ステップＳ１〜Ｓ３の処理を繰り返し、すべての処
理ユニットに対応するスイッチがオンになると、処理を
終了する。
【００５７】図４の例では、図５に示すように、時刻ｔ
０に電源投入スイッチ３０がオンにされると、現在の使
用電力Ｗｃが設定電力Ｗ０よりも高いときにはスイッチ
をオンせず、現在の使用電力Ｗｃが設定電力Ｗ０よりも
低下したときに次のスイッチをオンにする。これによ
り、複数のスイッチ７１〜７４が予め定められた順序で
遅延しながらオンする。
０に電源投入スイッチ３０がオンにされると、現在の使
用電力Ｗｃが設定電力Ｗ０よりも高いときにはスイッチ
をオンせず、現在の使用電力Ｗｃが設定電力Ｗ０よりも
低下したときに次のスイッチをオンにする。これによ
り、複数のスイッチ７１〜７４が予め定められた順序で
遅延しながらオンする。
【００５８】このように、電源投入直後に、複数の処理
ユニット１１〜１４に対応するスイッチ７１〜７４が時
間的に異なるタイミングでオンされるので、処理ユニッ
ト１１〜１４での初期の電力消費のタイミングが分散さ
れる。これにより、電源投入直後に基板処理装置２の全
体で使用される電力の最大値Ｗｍが低減される。
ユニット１１〜１４に対応するスイッチ７１〜７４が時
間的に異なるタイミングでオンされるので、処理ユニッ
ト１１〜１４での初期の電力消費のタイミングが分散さ
れる。これにより、電源投入直後に基板処理装置２の全
体で使用される電力の最大値Ｗｍが低減される。
【００５９】ブレーカ２０の動作電力Ｗｂは、電源投入
直後の使用電力の最大値Ｗｍよりも高く設定する。この
場合のブレーカ２０の動作電力Ｗｂも、従来の基板処理
装置１ａにおけるブレーカ２０の動作電力Ｗａと比べて
大幅に低くすることができる。したがって、外部電源Ｅ
の電力供給能力を大幅に低減することが可能となる。
直後の使用電力の最大値Ｗｍよりも高く設定する。この
場合のブレーカ２０の動作電力Ｗｂも、従来の基板処理
装置１ａにおけるブレーカ２０の動作電力Ｗａと比べて
大幅に低くすることができる。したがって、外部電源Ｅ
の電力供給能力を大幅に低減することが可能となる。
【００６０】上記の例では、設定電力Ｗ０および処理ユ
ニット１１〜１４への電力供給順序を任意に設定するこ
とにより、電源投入直後の使用電力の最大値Ｗｍを低く
することができる。
ニット１１〜１４への電力供給順序を任意に設定するこ
とにより、電源投入直後の使用電力の最大値Ｗｍを低く
することができる。
【００６１】図６は図３の基板処理装置２におけるＣＰ
Ｕ８０の処理の他の例を示すフローチャートである。図
７は図６の処理における基板処理装置２の全体の使用電
力の時間的変化を示す図である。
Ｕ８０の処理の他の例を示すフローチャートである。図
７は図６の処理における基板処理装置２の全体の使用電
力の時間的変化を示す図である。
【００６２】本例では、条件設定パネル９０を用いてメ
モリ１００に予め設定電力Ｗ０、最大許容電力Ｗｘおよ
び各処理ユニット１１〜１４の最大消費電力が記憶され
ているものとする。ここで、設定電力Ｗ０は基準レベル
に相当し、最大許容電力Ｗｘは最大許容レベルに相当す
る。
モリ１００に予め設定電力Ｗ０、最大許容電力Ｗｘおよ
び各処理ユニット１１〜１４の最大消費電力が記憶され
ているものとする。ここで、設定電力Ｗ０は基準レベル
に相当し、最大許容電力Ｗｘは最大許容レベルに相当す
る。
【００６３】電源投入スイッチ３０がオンにされると、
ＣＰＵ８０は、メモリ１００から設定電力Ｗ０のデータ
Ｄ１１、最大許容電力ＷｘのデータＤ１２および各処理
ユニット１１〜１４の最大消費電力のデータＤ１３を読
み込む。そして、電力計６０から現在の使用電力Ｗｃの
データＤ１４を読み込み、現在の使用電力Ｗｃが設定電
力Ｗ０よりも低いか否かを判定する（ステップＳ１
１）。
ＣＰＵ８０は、メモリ１００から設定電力Ｗ０のデータ
Ｄ１１、最大許容電力ＷｘのデータＤ１２および各処理
ユニット１１〜１４の最大消費電力のデータＤ１３を読
み込む。そして、電力計６０から現在の使用電力Ｗｃの
データＤ１４を読み込み、現在の使用電力Ｗｃが設定電
力Ｗ０よりも低いか否かを判定する（ステップＳ１
１）。
【００６４】現在の使用電力Ｗｃが設定電力Ｗｂ以上の
場合には待機し、現在の使用電力Ｗｃが設定電力Ｗ０よ
りも低くなると、電力供給可能な処理ユニットがあるか
否かを判定する（ステップＳ１２）。この場合、最大許
容電力Ｗｘと現在の使用電力Ｗｃとの差を算出し、各処
理ユニット１１〜１４の最大消費電力のデータＤ１３に
基づいて、算出された差よりも低い最大消費電力を有す
る処理ユニットがあるか否かを判定する。
場合には待機し、現在の使用電力Ｗｃが設定電力Ｗ０よ
りも低くなると、電力供給可能な処理ユニットがあるか
否かを判定する（ステップＳ１２）。この場合、最大許
容電力Ｗｘと現在の使用電力Ｗｃとの差を算出し、各処
理ユニット１１〜１４の最大消費電力のデータＤ１３に
基づいて、算出された差よりも低い最大消費電力を有す
る処理ユニットがあるか否かを判定する。
【００６５】電力供給可能な処理ユニットがない場合に
は、電力計６０から現在の使用電力ＷｃのデータＤ１４
を読み込み、ステップＳ１１に戻る。電力供給可能な処
理ユニットがある場合には、それらの処理ユニットのい
ずれかを予め定められた優先順位に従って選択し（ステ
ップＳ１３）、選択された処理ユニットに対応するスイ
ッチをオンにする（ステップＳ１４）。
は、電力計６０から現在の使用電力ＷｃのデータＤ１４
を読み込み、ステップＳ１１に戻る。電力供給可能な処
理ユニットがある場合には、それらの処理ユニットのい
ずれかを予め定められた優先順位に従って選択し（ステ
ップＳ１３）、選択された処理ユニットに対応するスイ
ッチをオンにする（ステップＳ１４）。
【００６６】その後、すべての処理ユニットに対応する
スイッチをオンにしたかどうかを判定する（ステップＳ
１５）。すべての処理ユニットに対応するスイッチがオ
ンになるまで、ステップＳ１１〜１５の処理を繰り返
し、すべての処理ユニットに対応するスイッチがオンに
なると、処理を終了する。
スイッチをオンにしたかどうかを判定する（ステップＳ
１５）。すべての処理ユニットに対応するスイッチがオ
ンになるまで、ステップＳ１１〜１５の処理を繰り返
し、すべての処理ユニットに対応するスイッチがオンに
なると、処理を終了する。
【００６７】図６の例では、図７に示すように、時刻ｔ
０に電源投入スイッチ３０がオンにされると、現在の使
用電力Ｗｃが設定電力Ｗ０よりも低いときに、最大許容
電力Ｗｘと現在の使用電力Ｗｃとの差よりも低い最大消
費電力の処理ユニットを選択し、その処理ユニットに電
力を供給する。これにより、電源投入直後に基板処理装
置２の全体で使用される電力の最大値Ｗｍを最大許容電
力Ｗｘ以下にすることができる。
０に電源投入スイッチ３０がオンにされると、現在の使
用電力Ｗｃが設定電力Ｗ０よりも低いときに、最大許容
電力Ｗｘと現在の使用電力Ｗｃとの差よりも低い最大消
費電力の処理ユニットを選択し、その処理ユニットに電
力を供給する。これにより、電源投入直後に基板処理装
置２の全体で使用される電力の最大値Ｗｍを最大許容電
力Ｗｘ以下にすることができる。
【００６８】ブレーカ２０の動作電力は最大許容電力Ｗ
ｘと同じかまたはそれよりも高く設定する。この場合の
ブレーカ２０の動作電力は、従来の基板処理装置１ａに
おけるブレーカ２０の動作電力Ｗａと比べて大幅に低く
することができる。したがって、外部電源Ｅの電力供給
能力を大幅に低減することが可能となる。
ｘと同じかまたはそれよりも高く設定する。この場合の
ブレーカ２０の動作電力は、従来の基板処理装置１ａに
おけるブレーカ２０の動作電力Ｗａと比べて大幅に低く
することができる。したがって、外部電源Ｅの電力供給
能力を大幅に低減することが可能となる。
【００６９】上記の例では、設定電力Ｗ０および最大許
容電力Ｗｘを設定することにより、基板処理装置２の全
体の使用電力の最大値Ｗｍが最大許容電力Ｗｘ以下にな
るように、処理ユニット１１〜１４への電力供給順序お
よびタイミングが自動的に設定される。
容電力Ｗｘを設定することにより、基板処理装置２の全
体の使用電力の最大値Ｗｍが最大許容電力Ｗｘ以下にな
るように、処理ユニット１１〜１４への電力供給順序お
よびタイミングが自動的に設定される。
【００７０】図８は本発明の第３の実施例における基板
処理装置の電力系統を示すブロック図である。
処理装置の電力系統を示すブロック図である。
【００７１】図８の基板処理装置３は、複数の加熱ユニ
ット（ホットプレート）１０１，１０２，…，１０ｎ、
ヒータコントローラ１１０、および温調コントローラ１
４０を含む。ヒータコントローラ１１０は、複数のスイ
ッチ１２１，１２２，…１２ｎおよびオンオフ制御部１
３０を含む。複数のスイッチ１２１〜１２ｎは、それぞ
れ複数の加熱ユニット１０１〜１０ｎに対応して設けら
れている。
ット（ホットプレート）１０１，１０２，…，１０ｎ、
ヒータコントローラ１１０、および温調コントローラ１
４０を含む。ヒータコントローラ１１０は、複数のスイ
ッチ１２１，１２２，…１２ｎおよびオンオフ制御部１
３０を含む。複数のスイッチ１２１〜１２ｎは、それぞ
れ複数の加熱ユニット１０１〜１０ｎに対応して設けら
れている。
【００７２】各加熱ユニット１０１〜１０ｎは、基板を
支持する基板支持プレート、およびこの基板支持プレー
トを加熱するための熱源としてのヒータを有する。
支持する基板支持プレート、およびこの基板支持プレー
トを加熱するための熱源としてのヒータを有する。
【００７３】各加熱ユニット１０１〜１０ｎのヒータに
接続される受電部は、それぞれ対応するスイッチ１２１
〜１２ｎを介してオンオフ制御部１３０に接続され、オ
ンオフ制御部１３０は外部電源Ｅに接続されている。オ
ンオフ制御部１３０は複数のスイッチ１２１〜１２ｎの
オンオフ動作をそれぞれ制御する。これにより、加熱ユ
ニット１０１〜１０ｎのヒータに連続的または断続的に
電流が供給され、基板支持プレートが加熱される。
接続される受電部は、それぞれ対応するスイッチ１２１
〜１２ｎを介してオンオフ制御部１３０に接続され、オ
ンオフ制御部１３０は外部電源Ｅに接続されている。オ
ンオフ制御部１３０は複数のスイッチ１２１〜１２ｎの
オンオフ動作をそれぞれ制御する。これにより、加熱ユ
ニット１０１〜１０ｎのヒータに連続的または断続的に
電流が供給され、基板支持プレートが加熱される。
【００７４】複数の加熱ユニット１０１〜１０ｎの基板
支持プレートには温度センサが設けられている。加熱ユ
ニット１０１〜１０ｎの温度センサの出力信号ＳＥ１〜
ＳＥｎは温調コントローラ１４０に与えられる。温調コ
ントローラ１４０には、各加熱ユニット１０１〜１０ｎ
の処理温度が設定温度として設定されている。
支持プレートには温度センサが設けられている。加熱ユ
ニット１０１〜１０ｎの温度センサの出力信号ＳＥ１〜
ＳＥｎは温調コントローラ１４０に与えられる。温調コ
ントローラ１４０には、各加熱ユニット１０１〜１０ｎ
の処理温度が設定温度として設定されている。
【００７５】温調コントローラ１４０は、各加熱ユニッ
ト１０１〜１０ｎの設定温度に基づいて複数のスイッチ
１２１〜１２ｎのオンオフを指令する制御信号をオンオ
フ制御部１３０に与える。オンオフ制御部１３０は、温
調コントローラ１４０から与えられる制御信号に応答し
て各スイッチ１２１〜１２ｎをオンオフさせる。
ト１０１〜１０ｎの設定温度に基づいて複数のスイッチ
１２１〜１２ｎのオンオフを指令する制御信号をオンオ
フ制御部１３０に与える。オンオフ制御部１３０は、温
調コントローラ１４０から与えられる制御信号に応答し
て各スイッチ１２１〜１２ｎをオンオフさせる。
【００７６】本実施例では、加熱ユニット１０１〜１０
ｎが処理部に相当し、ヒータコントローラ１１０が電力
供給手段に相当し、温調コントローラ１４０が電力供給
制御手段に相当する。
ｎが処理部に相当し、ヒータコントローラ１１０が電力
供給手段に相当し、温調コントローラ１４０が電力供給
制御手段に相当する。
【００７７】次に、図８の基板処理装置３の動作を説明
する。ここでは、各加熱ユニット１０１〜１０ｎのヒー
タの消費電力を１００Ｗとする。また、初期状態で温調
コントローラ１４０に設定されている加熱ユニット１０
１，１０２，１０３，１０ｎの設定温度を、例えばそれ
ぞれ１５０℃、２００℃、１２０℃および１００℃とす
る。
する。ここでは、各加熱ユニット１０１〜１０ｎのヒー
タの消費電力を１００Ｗとする。また、初期状態で温調
コントローラ１４０に設定されている加熱ユニット１０
１，１０２，１０３，１０ｎの設定温度を、例えばそれ
ぞれ１５０℃、２００℃、１２０℃および１００℃とす
る。
【００７８】温調コントローラ１４０は、加熱ユニット
１０１〜１０ｎの温度センサの出力信号ＳＥ１〜ＳＥｎ
に基づいて各加熱ユニット１０１〜１０ｎの基板支持プ
レートの温度を検知する。
１０１〜１０ｎの温度センサの出力信号ＳＥ１〜ＳＥｎ
に基づいて各加熱ユニット１０１〜１０ｎの基板支持プ
レートの温度を検知する。
【００７９】電源投入時に、温調コントローラ１４０
は、まず、加熱ユニット１０１に接続されるスイッチ１
２１をオンオフ制御部１３０によりオンさせる。これに
より、加熱ユニット１０１のヒータに電流が供給され、
基板支持プレートが加熱される。このときに、加熱ユニ
ット１０１で消費される電力は１００Ｗである。
は、まず、加熱ユニット１０１に接続されるスイッチ１
２１をオンオフ制御部１３０によりオンさせる。これに
より、加熱ユニット１０１のヒータに電流が供給され、
基板支持プレートが加熱される。このときに、加熱ユニ
ット１０１で消費される電力は１００Ｗである。
【００８０】加熱ユニット１０１の基板支持プレートの
温度が設定温度に達すると、温調コントローラ１４０
は、次に、加熱ユニット１０２に接続されるスイッチ１
２２をオンオフ制御部１３０によりオンさせる。また、
加熱ユニット１０１の基板支持プレートの温度を設定温
度に保つためにオンオフ制御部１３０によりスイッチ１
２１をオンオフ制御する。この場合、加熱ユニット１０
１の基板支持プレートの温度変動に応じて加熱ユニット
１０１のヒータに供給される電流がオンオフ制御され
る。
温度が設定温度に達すると、温調コントローラ１４０
は、次に、加熱ユニット１０２に接続されるスイッチ１
２２をオンオフ制御部１３０によりオンさせる。また、
加熱ユニット１０１の基板支持プレートの温度を設定温
度に保つためにオンオフ制御部１３０によりスイッチ１
２１をオンオフ制御する。この場合、加熱ユニット１０
１の基板支持プレートの温度変動に応じて加熱ユニット
１０１のヒータに供給される電流がオンオフ制御され
る。
【００８１】以後、同様にして、温調コントローラ１４
０は、加熱ユニット１０３〜１０ｎに接続されるスイッ
チ１２３〜１２ｎをオンオフ制御部１３０により順にオ
ンさせるとともに、加熱ユニット１０３〜１０ｎの基板
支持プレートの温度がそれぞれ設定温度に達した後、保
温のためにオンオフ制御部１３０によりスイッチ１２３
〜１２ｎをオンオフ制御する。
０は、加熱ユニット１０３〜１０ｎに接続されるスイッ
チ１２３〜１２ｎをオンオフ制御部１３０により順にオ
ンさせるとともに、加熱ユニット１０３〜１０ｎの基板
支持プレートの温度がそれぞれ設定温度に達した後、保
温のためにオンオフ制御部１３０によりスイッチ１２３
〜１２ｎをオンオフ制御する。
【００８２】処理される基板のロット等の変更によりレ
シピ（処理手順）が変更されると、それに伴って温調コ
ントローラ１４０に設定されている加熱ユニット１０１
〜１０ｎの設定温度も変更される。
シピ（処理手順）が変更されると、それに伴って温調コ
ントローラ１４０に設定されている加熱ユニット１０１
〜１０ｎの設定温度も変更される。
【００８３】この場合、温調コントローラ１４０は、変
更後の設定温度に従って、加熱ユニット１０１〜１０ｎ
の温度調整を時間的にずらせながら行なう。例えば、温
調コントローラ１４０は、まず、オンオフ制御部１３０
により加熱ユニット１０１のヒータに電流を供給するこ
とにより、加熱ユニット１０１の基板支持プレートの温
度を変更後の設定温度に調整する。
更後の設定温度に従って、加熱ユニット１０１〜１０ｎ
の温度調整を時間的にずらせながら行なう。例えば、温
調コントローラ１４０は、まず、オンオフ制御部１３０
により加熱ユニット１０１のヒータに電流を供給するこ
とにより、加熱ユニット１０１の基板支持プレートの温
度を変更後の設定温度に調整する。
【００８４】温調コントローラ１４０は、加熱ユニット
１０１の温度調整の完了後、オンオフ制御部１３０によ
り加熱ユニット１０２のヒータに電流を供給することに
より、加熱ユニット１０２の基板支持プレートの温度を
変更後の設定温度に調整する。
１０１の温度調整の完了後、オンオフ制御部１３０によ
り加熱ユニット１０２のヒータに電流を供給することに
より、加熱ユニット１０２の基板支持プレートの温度を
変更後の設定温度に調整する。
【００８５】同様にして、温度コントローラ１４０は、
加熱ユニット１０２の温度調整の完了後、時間的にずら
せながら加熱ユニット１０３〜１０ｎの基板支持プレー
トの温度を変更後の設定温度に順次調整する。
加熱ユニット１０２の温度調整の完了後、時間的にずら
せながら加熱ユニット１０３〜１０ｎの基板支持プレー
トの温度を変更後の設定温度に順次調整する。
【００８６】このように、本実施例の基板処理装置３で
は、電源投入時に、時間的にずらせながら加熱ユニット
１０１〜１０ｎに温度調整のための電力が順次供給され
るので、最大消費電力は（１００＋α）Ｗとなる。ここ
で、αは、温度調整完了後の保温のために要するに電力
であり、温度調整のために要する電力に比べて十分に小
さい。
は、電源投入時に、時間的にずらせながら加熱ユニット
１０１〜１０ｎに温度調整のための電力が順次供給され
るので、最大消費電力は（１００＋α）Ｗとなる。ここ
で、αは、温度調整完了後の保温のために要するに電力
であり、温度調整のために要する電力に比べて十分に小
さい。
【００８７】一方、従来の基板処理装置では、電源投入
時に、すべての加熱ユニットに同時に電力が供給される
ので、最大消費電力は（１００×ｎ）Ｗとなる。ここ
で、ｎは、加熱ユニットの数である。
時に、すべての加熱ユニットに同時に電力が供給される
ので、最大消費電力は（１００×ｎ）Ｗとなる。ここ
で、ｎは、加熱ユニットの数である。
【００８８】また、本実施例の基板処理装置３では、設
定温度の変更時に、時間的にずらせながら加熱ユニット
１０１〜１０ｎの基板支持プレートの温度が変更後の設
定温度に調整されるので、設定温度の変更直後の最大消
費電力が低減される。
定温度の変更時に、時間的にずらせながら加熱ユニット
１０１〜１０ｎの基板支持プレートの温度が変更後の設
定温度に調整されるので、設定温度の変更直後の最大消
費電力が低減される。
【００８９】したがって、外部電源Ｅの電力供給能力を
低減することが可能になるとともに、電力系統の線材部
品の容量を低減することができる。その結果、省エネル
ギー化および低コスト化を図ることができる。
低減することが可能になるとともに、電力系統の線材部
品の容量を低減することができる。その結果、省エネル
ギー化および低コスト化を図ることができる。
【００９０】本実施例の場合、加熱ユニット１０１〜１
０ｎの温度調整が完了するまでに要する時間が増加する
が、温度調整は電源投入時および設定温度の変更時に限
られるので、温度調整に要する時間の増加分は基板処理
装置３の全体の稼働時間に比べて僅かである。
０ｎの温度調整が完了するまでに要する時間が増加する
が、温度調整は電源投入時および設定温度の変更時に限
られるので、温度調整に要する時間の増加分は基板処理
装置３の全体の稼働時間に比べて僅かである。
【００９１】なお、本実施例のように、各加熱ユニット
の温度調整の完了ごとに次の加熱ユニットの温度調整を
開始することが、最大消費電力の低減化のためには好ま
しいが、各加熱ユニットの温度調整の完了前に次の加熱
ユニットの温度調整を開始してもよい。この場合でも、
各加熱ユニットの温度調整の開始時間をずらせることに
より、同時に温度調整される加熱ユニットの数が減少す
るので、最大消費電力を従来の基板処理装置と比較して
低減することが可能になる。
の温度調整の完了ごとに次の加熱ユニットの温度調整を
開始することが、最大消費電力の低減化のためには好ま
しいが、各加熱ユニットの温度調整の完了前に次の加熱
ユニットの温度調整を開始してもよい。この場合でも、
各加熱ユニットの温度調整の開始時間をずらせることに
より、同時に温度調整される加熱ユニットの数が減少す
るので、最大消費電力を従来の基板処理装置と比較して
低減することが可能になる。
【図１】本発明の第１の実施例における基板処理装置の
電力系統を示すブロック図である。
電力系統を示すブロック図である。
【図２】図１の基板処理装置の全体の使用電力の時間的
変化を示す図である。
変化を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施例における基板処理装置の
電力系統を示すブロック図である。
電力系統を示すブロック図である。
【図４】図３の基板処理装置におけるＣＰＵの処理の一
例を示すフローチャートである。
例を示すフローチャートである。
【図５】図４の処理における基板処理装置の全体の使用
電力の時間的変化を示す図である。
電力の時間的変化を示す図である。
【図６】図５の基板処理装置におけるＣＰＵの処理の他
の例を示すフローチャートである。
の例を示すフローチャートである。
【図７】図６の動作における基板処理装置の全体の使用
電力の時間的変化を示す図である。
電力の時間的変化を示す図である。
【図８】本発明の第３の実施例における基板処理装置の
電力系統を示すブロック図である。
電力系統を示すブロック図である。
【図９】従来の基板処理装置の電力系統を示すブロック
図である。
図である。
【図１０】図９の基板処理装置の全体の使用電力の時間
的変化を示す図である。
的変化を示す図である。
１，２，３ 基板処理装置 １１，１２，１３，１４ 処理ユニット ２０ ブレーカ ３０ 電源投入スイッチ ４１，４２，４３，４４ スイッチ ５１，５２，５３，５４ タイマ ６０ 電力計 ７０ スイッチ部 ７１，７２，７３，７４ スイッチ ８０ ＣＰＵ ９０ 条件設定パネル １００ メモリ １０１〜１０ｎ 加熱ユニット １１０ ヒータコントローラ １２１〜１２ｎ スイッチ １３０ オンオフ制御部 １４０ 温調コントローラ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今西 保夫 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 辻 雅夫 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 岩見 優樹 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 西村 讓一 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 西村 和浩 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 濱田 哲也 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 山本 聡 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 亀井 謙治 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内
Claims (9)
- 【請求項１】 基板に所定の処理を行う複数の処理部
と、 外部電源に接続される電源投入手段と、 前記電源投入手段による電源投入時に、前記外部電源か
ら供給される電力を時間的にずらせながら前記複数の処
理部に順次供給する電力供給制御手段とを備えたことを
特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】 前記電力供給制御手段は、 前記電源投入手段と前記複数の処理部との間にそれぞれ
接続された複数のスイッチ手段と、 前記複数のスイッチ手段を前記電源投入手段による電源
投入時からそれぞれ予め設定された時間の経過後にオン
状態にする計時手段とを含むことを特徴とする請求項１
記載の基板処理装置。 - 【請求項３】 前記電力供給制御手段は、 前記電源投入手段と前記複数の処理部との間にそれぞれ
接続された複数のスイッチ手段と、 前記複数の処理部で使用中の電力を計測する電力計測手
段と、 前記電力計測手段の計測値に基づいて前記複数のスイッ
チ手段を順次オン状態にするスイッチ制御手段とを含む
ことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。 - 【請求項４】 前記スイッチ制御手段は、前記電力計測
手段の計測値が予め設定された基準レベルよりも低いと
きに各スイッチ手段を予め定められた順序でオン状態に
することを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。 - 【請求項５】 前記スイッチ制御手段は、予め設定され
た最大許容レベルと前記電力計測手段の計測値との差に
基づいて前記複数の処理部のいずれかを選択し、選択さ
れた処理部をオン状態にすることを特徴とする請求項３
記載の基板処理装置。 - 【請求項６】 前記スイッチ制御手段は、前記電力計測
手段の計測値が予め設定された最大許容レベルを超えな
いように前記複数のスイッチ手段をオン状態にするタイ
ミングを順次遅延させることを特徴とする請求項３記載
の基板処理装置。 - 【請求項７】 熱源を有し、基板に熱処理を行なう複数
の処理部と、 外部電源に接続され、前記外部電源からの電力を前記複
数の処理部の熱源にそれぞれ供給する電力供給手段と、 各処理部の処理温度をそれぞれ所定の温度に調整するた
めに前記電力供給手段による各処理部への電力の供給を
制御する電力供給制御手段とを備え、 前記電力供給制御手段は、電源投入時に、前記外部電源
からの電力を時間的にずらせながら前記複数の処理部に
順次供給するように前記電力供給手段を制御することを
特徴とする基板処理装置。 - 【請求項８】 熱源を有し、基板に熱処理を行なう複数
の処理部と、 外部電源に接続され、前記外部電源からの電力を前記複
数の処理部の熱源にそれぞれ供給する電力供給手段と、 各処理部の処理温度を各処理部ごとに設定された設定温
度に調整するために前記電力供給手段による各処理部へ
の電力の供給を制御する電力供給制御手段とを備え、 前記電力供給制御手段は、設定温度の変更時に、変更後
の各処理部の設定温度に基づいて前記電力供給手段によ
る各処理部への電力の供給を時間的にずらせながら順次
制御することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項９】 前記電力供給制御手段は、電源投入時
に、前記外部電源からの電力を時間的にずらせながら前
記複数の処理部に順次供給するように前記電力供給制御
手段を制御することを特徴とする請求項８記載の基板処
理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27306097A JP3526184B2 (ja) | 1997-03-17 | 1997-10-06 | 基板処理装置 |
| US09/039,141 US6060697A (en) | 1997-03-17 | 1998-03-13 | Substrate processing apparatus having regulated power consumption and method therefor |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6336297 | 1997-03-17 | ||
| JP9-63362 | 1997-03-17 | ||
| JP27306097A JP3526184B2 (ja) | 1997-03-17 | 1997-10-06 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10322906A true JPH10322906A (ja) | 1998-12-04 |
| JP3526184B2 JP3526184B2 (ja) | 2004-05-10 |
Family
ID=26404473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27306097A Expired - Fee Related JP3526184B2 (ja) | 1997-03-17 | 1997-10-06 | 基板処理装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3526184B2 (ja) |
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| KR101444633B1 (ko) * | 2011-03-14 | 2014-10-30 | 오므론 가부시키가이샤 | 제어 장치, 제어 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 |
| US9772641B2 (en) | 2011-12-12 | 2017-09-26 | Omron Corporation | Control device including power supply controller, control method of controlling power supply of machine, and recording medium in which program for controlling power supply of machine is stored |
| JP2019197761A (ja) * | 2018-05-07 | 2019-11-14 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置、電力制御装置、基板処理方法および電力制御方法 |
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| JP3403160B2 (ja) * | 2000-09-27 | 2003-05-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、熱処理装置用制御装置 |
| US7534977B2 (en) * | 2000-12-28 | 2009-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and method of manufacturing a semiconductor device |
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| US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
| US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
| US7255747B2 (en) | 2004-12-22 | 2007-08-14 | Sokudo Co., Ltd. | Coat/develop module with independent stations |
| US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
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| DE102011102776A1 (de) * | 2011-05-28 | 2012-11-29 | Kraussmaffei Technologies Gmbh | Produktionsmaschine und Verfahren zum Betrieb der Produktionsmaschine |
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-
1997
- 1997-10-06 JP JP27306097A patent/JP3526184B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-03-13 US US09/039,141 patent/US6060697A/en not_active Expired - Lifetime
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