KR100593711B1 - 기판 처리 장치, 작동 방법 및 그에 대한 프로그램 - Google Patents

기판 처리 장치, 작동 방법 및 그에 대한 프로그램 Download PDF

Info

Publication number
KR100593711B1
KR100593711B1 KR1020030091986A KR20030091986A KR100593711B1 KR 100593711 B1 KR100593711 B1 KR 100593711B1 KR 1020030091986 A KR1020030091986 A KR 1020030091986A KR 20030091986 A KR20030091986 A KR 20030091986A KR 100593711 B1 KR100593711 B1 KR 100593711B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
processing
substrate processing
elements
substrate
processing elements
Prior art date
Application number
KR1020030091986A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040054517A (ko
Inventor
아키야마카즈야
아즈마토루
고야마야수후미
Original Assignee
다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 filed Critical 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
Publication of KR20040054517A publication Critical patent/KR20040054517A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100593711B1 publication Critical patent/KR100593711B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00Programme-control systems
    • G05B19/02Programme-control systems electric
    • G05B19/418Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41865Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by job scheduling, process planning, material flow
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/32Operator till task planning
    • G05B2219/32021Energy management, balance and limit power to tools
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/34Director, elements to supervisory
    • G05B2219/34306Power down, energy saving
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/45Nc applications
    • G05B2219/45031Manufacturing semiconductor wafers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/10Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 전력 소모를 감소하면서 스루풋을 유지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. 모든 유닛들이 기동된 정상 모드 외에도, 본 장치는 선택가능한 절전 모드를 제공한다. 절전 모드가 선택되면, 기판 처리를 위해 필요한 에센셜 유닛들이 기판 처리에서 기동되고 사용된다. 처리 효율을 증가하는 데 필요하다면, 임의의 부가적인 유닛이 처리에서 기동되고 사용될 수도 있다. 대기하는 동안, 에센셜 유닛이 기동되고 나머지는 정지되거나, 선택적으로, 모든 유닛들이 정지될 수도 있다. 정상 모드가 선택된 후 대기 상태가 미리 정해진 기간의 시간 동안 계속될 때 절전 모드로의 천이가 발생될 수 있다.
기판 처리 장치, 정상 모드, 절전 모드, 처리 유닛, 에센셜 유닛, 부가적인 유닛.

Description

기판 처리 장치, 작동 방법 및 그에 대한 프로그램{Substrate Processing Apparatus, Operation Method Thereof and Program}
도 1은 본 발명의 전체 기판 처리 장치의 개요를 나타내는 투시도;
도 2는 본 기판 처리 장치의 개략적인 구조를 나타내는 평면도;
도 3은 본 기판 처리 장치에서 제어 시스템의 블럭 다이어그램;
도 4는 프로그램의 수행에 의해 컨트롤러에서 수행되는 개별적인 부분들을 나타내는 다이어그램;
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 작동의 흐름을 나타내는 다이어그램;
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 작동의 흐름을 나타내는 다이어그램; 및
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판처리 장치에서 작동의 흐름을 나타내는 다이어그램이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 설명 *
1 : 기판 처리 장치 10 : 컨트롤러
11 : 저장부 12 : 열처리 유닛 그룹들
14 : 수송 통로 15 : 탑재 스테이지
16 : 작동부 17 : 모니터
21 : 일반적인 제어 수단 22 : 수송 제어 수단
23 : 코팅 제어 수단 24 : 열처리 제어 수단
25 : 현상 제어 수단 26 : 엣지 노출 제어 수단
본 발명은 기판 처리 장치에서 에너지 소모를 감소하는 기술에 관한 것이다.
반도체 장치들, 액정 장치들 등의 제조 단계들에서, 반도체 기판들 및 유리 기판들에 다양한 처리들을 수행하는 기판 처리 장치들은 다수의 처리 유닛들이 하나의 처리 단계를 제공하는 멀티-유닛 배열에 의해 그리고 단일의 장치에서 다른 처리 단계들을 계속적으로 수행하기 위해 다른 형태들의 처리 유닛들을 서로 인접하게 배치하는 것을 혼합하는 것에 의해, 스루풋을 향상시키려는 제조자들의 요구들을 만족시킨다.
그러한 멀티-유닛 배열 및 합성이 진보됨에 따라, 기판 처리 장치를 작동하기에 필요한 전력이 증가되는 경향이 있다. 특히 정상 상태(steady state)보다 개시의 시간에 더 많은 전력이 요구된다. 그러므로, 개시 시간에 전력 소비를 감소시키는 지금까지 알려진 한 가지 기술은 일본 특허 공개 번호 10-322906에서 개시된다.
그러나, 기판 처리 장치의 전원이 꺼지고 그 후에 켜지면, 일반적으로, 장치 의 작동 상태를 안정화하는 데 오랜 시간이 걸린다. 그러므로, 요구된 시간동안 가능한한 빠르게 처리를 시작하기 위해서, 전원은 처리를 수행하지 않을 때에도 종종 켜져 있다. 이는 작동 상태가 전원을 자주 켜고 끌 때보다 더 안정화될 것이기 때문이다. 결과적으로, 낮은 작동율들과 높은 작동율들 사이에 전력 소모에 상당한 차이가 없고, 이에 의해 보수유지 및 전원 가격 상승의 원인이 된다.
본 발명은 기판 처리 장치의 개별적인 처리 요소들의 기동 및 정지의 제어에 관한 것이다. 본 발명에 따라, 기판 처리 장치는: (a) 적어도 하나의 처리부로서, 그 각각은 다수의 처리 요소들을 가지고, 다수의 처리 요소들의 처리 유형들은 상기 적어도 하나의 처리부 각각에서 동일한, 상기 적어도 하나의 처리부; (b) 처리 요소들의 기동 및 정지가 독립적으로 제어되는, 다수의 처리 요소들의 작동을 제어하기 위한 제어 요소; 및 (c) 처리 요소들의 동작 조건들에 관련된 데이터를 저장하기 위한 저장 요소를 포함한다. 기판 처리 장치는 모든 다수의 처리 요소들로 미리 정해진 기판 처리를 수행할 수 있을 뿐 아니라 다수의 처리 요소들의 단지 일부로 그 미리 정해진 기판 처리를 수행할 수도 있다.
이는 처리 유닛들의 최소 필요 수를 기동함에 의한 처리를 수행할 수 있도록 하고, 이에 의해 지금까지 가능했던 것보다 기판 처리 장치에서 전력 소모를 더 억제한다.
바람직하게는, 저장 요소는 다수의 처리 요소들 사이에 적어도 하나의 제 1 처리 요소를 지정하기 위한 정보를 저장한다. 상기 적어도 하나의 제 1 처리 요소는 기판 처리 장치에서 우선적으로 기동되도록 미리 선택된다. 제어 요소는 어떤 처리 요소들도 미리 정해진 기판 처리의 수행을 위해 기동되지 않는 때 상기 적어도 하나의 제 1 처리 요소를 기동한다.
따라서, 미리 정해진 처리에 필수적인 처리 유닛들은 미리 선택된다. 이는 필요치 않은 처리 유닛들을 기동 상태로 유지하는 것을 피하게 하고, 이에 의해 전력 소모를 억제한다. 게다가, 미리 정해진 처리를 위해 최소로 요구된 처리 유닛들이 기동되기 때문에, 전력 소모는 처리의 수행 동안 뿐만 아니라 대기 상태 동안에도 억제될 수 있다.
더 바람직하게는, 기판 처리 장치가 (d) 오퍼레이터가 제 1 모드와 제 2 모드로부터 작동 모드를 선택하는 선택 요소를 더 포함한다. 제 1 모드는 다수의 처리 요소들 사이에 상기 적어도 하나의 제 1 처리 요소만이 미리 정해진 기판 처리의 수행에서 기동되는 작동 모드이다. 제 2 모드는 모든 처리 요소들이 미리 정해진 기판 처리의 수행에서 기동되는 작동 모드이다. 제어 요소는 선택된 작동 모드에 따라 하나 또는 그 이상의 처리 요소들을 기동한다.
따라서, 처리 유닛은 요구된 처리 효율에 따라 기동되므로, 전력 소모의 감소가 단일의 장치에서 높은 스루풋 성능과 양립될 수 있다.
본 발명의 목적은 전력 소모를 감소하면서 스루풋을 유지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 상기 및 그 외의 목적, 특징, 양상 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 상세한 설명에 의해 명백해질 것이다.
제 1 실시예
<전체 구조>
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전체 기판 처리 장치(1)의 개요를 나타내는 투시도이다. 도 2는 기판 처리 장치(1)의 개략적인 구조를 나타내는 평면도이다. 본 장치(1)는, 주로 인덱서(indexer) ID와 유닛 배열 부분 MP을 포함하는, 기판(W, 즉, 소위 코터(coater) 및 디벨로퍼(developer))에 레지스트 인가 처리와 현상 처리를 수행하는 기판 처리 장치이다.
인덱서 ID는 전달 로봇(transfer robot) TF과 탑재 스테이지(15)를 제공한다. 4개의 캐리어들 C는 탑재 스테이지(15)상에 수평으로 배열되고 탑재될 수 있다. 멀티-스테이지 리시빙 그루브들(A multi-stage receiving grooves)은 각 캐리어 C에 제공되므로, 단일 기판 W은 각 그루브에서 수평 위치(수평면을 따라 배향되는 주 표면을 가지는)에 저장된다. 따라서, 각 캐리어 C는 수평 위치에서 그리고 멀티-스테이지에 미리 정해진 간격들로 놓여진 상태에서 다수의 기판들 W(예컨대, 25개의 기판)을 저장할 수 있다.
전달 로봇 TF는 수송 팔을 가지며, 그 전달 팔이 수평 방향으로 전진 및 후퇴하는 것뿐 아니라 높이 방향으로 들어올리고 내리며 회전하도록 할 수 있다. 게다가, 전달 로봇 TF은 캐리어들 C의 배열 방향에 따라 움직일 수 있으므로, 전달팔은 캐리어들 C의 배열 방향에 따라 수평으로 움직이게 된다. 즉, 전달 로봇 TF은 3차원으로 수송 팔을 움직일 수 있다.
전달 로봇 TF의 이러한 작동들에 의해, 인덱서 ID는 다수의 기판들 W을 저장할 수 있는 캐리어들 C로부터 처리되지 않은 기판 W을 언로드(unload)하고, 그리고 나서 유닛 배열 부분 MP로 수송하고, 또한 유닛 배열 부분 MP으로부터 처리된 기판 W을 받아들이며, 그 후 캐리어 C에 저장할 수 있다.
기판 W에 미리 정해진 처리를 수행하는 다수의 처리 유닛들은 유닛 배열 부분 MP에서 2개의 열로 정렬된다. 유닛 배열 부분 MP의 처리 유닛들은 동일한 유형의 유닛에 의해 동일한 처리를 수행하는 하나의 처리 부분을 구성한다.
코팅 처리 부분을 구성하는 2개의 코팅 처리 유닛들 SC(SC1, SC2)는 도 1에서 보여진 것처럼, 유닛 배열 부분 MP에서 전측열 상에 정렬된다. 코팅 처리 유닛들 SC는, 회전 메카니즘(도시되지 않음)에 의해 기판 W을 회전시키는 동안, 레지스트 방출 메카니즘(도시되지 않음)에 의해 기판 W의 주 표면 상에 포토레지스트의 미리 정해진 양을 떨어뜨림에 의해 균일한 레지스트 코팅을 수행하는 소위 스핀 코터(spin coaters)이다.
현상 처리 부분을 구성하는 2개의 현상 처리 유닛들 SD(SD1, SD2)는 도 1에서 보여진 것처럼, 유닛 배열 부분 MP에서 후측열 상에 정렬되고, 코팅 처리 유닛들 SC과 동일 높이 위치에 위치된다. 현상 처리 유닛들 SD는, 회전 메카니즘(도시되지 않음)으로 기판 W을 회전시키는 동안, 노출되어진 후에 공급 메카니즘(도시되지 않음)에 의하여 기판 W 상에 현상 유체의 미리 정해진 양을 공급하여 현상 처리를 수행하는 소위 스핀 디벨로퍼들(spin developer)이다. 코팅 처리 유닛들 SC와 현상 처리 유닛들 SD는, 그들 사이에 끼워진 수송 통로(14)로, 마주보는 배열로 배 치된다.
열처리 유닛 그룹들(11)(11a, 11b)은 2개의 코팅 처리 유닛들 SC와 2개의 현상 유닛들 SD 위에, 그들 사이에 끼워진 팬 필터 유닛(fan filter unit)(도시되지 않음)에 배치된다. 도시의 편리를 위해, 열처리 유닛 그룹들(11) 및 이후에 설명되어질 엣지 노출 유닛들 EE은 도 2에서 생략된다. 열처리 유닛 그룹들(11)은 미리 정해진 온도로 기판 W을 가열하기 위한 가열 처리 부분을 구성하는 소위 가열판들(hot plates) HP(HP1에서 HP4) 및 미리 정해진 온도로 기판 W을 냉각하기 위한 냉각 처리 부분을 구성하는 소위 냉각판들 CP(CP1에서 CP4)을 통합하고, 또한 기판 W을 이 미리 정해진 온도로 유지시킨다. 도 1에서 보여진 예에서, 2개의 열판들(HP1, HP2)과 2개의 냉각판들(CP1, CP2)은 전측면상에 열처리 유닛 그룹(11a)으로써 배치되고, 2개의 열판들(HP3, HP4)과 2개의 냉각판들(CP3, CP4)은 후측면상에 열처리 유닛 그룹(11b)으로써 배치된다. 열판들 HP의 몇몇은 레지스트 코팅 처리되어지기 전 기판 W에 접착 처리를 수행하는 접착 유닛 및 노출되어진 후 기판에 베이킹(baking) 처리를 수행하는 후-노출-베이크 유닛(post-exposure-bake unit)으로써의 기능을 할 수도 있다.
도 1에서 보여진 것과 같이, 2개의 엣지 노출 유닛들 EE(EE1, EE2)는, 엣지 노출 처리 부분을 구성하고 기판 W의 엣지 부분들을 검출하고 나서 엣지 노출 처리를 수행하는, 열처리 유닛 그룹들(11)에 인접하여 배치된다. 엣지 노출 유닛들 EE는 이미 코팅된 레지스트에 기판 W 주변부의 노출을 수행하기 위해 제공된다. 엣지 노출 유닛들 EE는, 기판 W을 회전하는 회전 메카니즘, 미리 정해진 램프 하우스에 하우징된 노출을 위한 광원, 및 개폐가 자유로운 노출 셔터를 포함하고, 기판 W(모두 도시되지 않음) 상으로 광원으로부터 광의 선택적인 조사를 허용한다. 엣지 노출 유닛들 EE는 기판 W를 회전하는 동안, 기판 W의 엣지 부분에 광을 조사함에 의해 주변부에서 레지스트를 노출한다. 노출된 부분에 인가된 레지스트는 현상동안 제거되어진다.
수송 로봇(transport robot) TR은 코팅 처리 유닛들 SC와 현상 처리 유닛들 SD사이에 끼워진 수송 통로(14)상에 위치된다. 수송 로봇 TR은 2개의 수송 팔들을 가지고 그 수송팔들을 수직으로 들어올리고 내릴 수 있고, 수평 평면내에서 수송 팔을 회전할 수 있으며, 수평으로 이동할 수 있다. 따라서, 인덱서 ID의 수송 로봇 TF에 관하여 기판들 W을 전달하는 동안, 수송 로봇 TR은 미리 정해진 과정에 따라,유닛 배열 부분 MP에 배열된 처리 유닛들 사이에서 기판들 W을 원형으로 수송할 수 있다. 수송 로봇 TR은 엣지 노출 유닛들 EE에 레지스트 코팅되어진 후 기판 W을 수송하고, 엣지 노출 유닛들 EE으로부터 노출되어진 후 기판 W을 받아들이며, 그리고 나서 미리 정해진 위치로 기판을 수송하도록 기능한다.
오퍼레이터가 작동하는 작동부(16) 및 작동 안내, 처리 메뉴, 작동 상태 등을 나타내는 모니터(17)가 기판 처리 장치(1)의 측면상에 배치된다.
도 3은 제 1 실시예에서 기판 처리 장치(1)의 제어 시스템의 블럭 다이어그램이다. 기판 처리 장치(1)는 도 1 및 도 2에서 보여지지 않은, 스위치부 SW와 컨트롤러(10)가 제공된다. 전체 기판 처리 장치(1)의 기동/정지는 스위치부 SW에서 전원 공급을 위한 온/오프를 변화함에 의해 수행되어질 수 있다. 컨트롤러(10)는 장치에서 각 유닛의 기동 및 정지를 제어한다. 기판 처리 장치(1)는 컨트롤러(10)의 제어하에 코팅, 현상, 노출 등을 수행한다. 바람직하게, 스위치부 SW는 여분의 전류가 기판 처리 장치(1)에 흐르는 것을 막는 브레이커(breaker)의 기능이 제공된다.
컨트롤러(10)는 주로 연산 처리를 수행하는 CPU(10a), ROM(10b), 하드 디스크 등으로 구성된 저장부(11)를 포함한다. 저장부(11)는 기판 처리 장치(1)를 제어하기 위한 프로그램 PG 및 구체적인 제어 조건들을 상술하는 레시피 데이터(recipe data) RD를 저장한다. 기판 처리 장치(1)의 작동은, 프로그램 PG의 수행에 의해 야기되는, CPU(10a), ROM(10b), RAM(10c) 등의 작동들에 의해 이행되는 다양한 제어 장치들에 의해 제어된다. 프로그램 PG는 ROM(10b)에 저장될 수도 있다.
도 4는 프로그램 PG의 수행에 의해 컨트롤러(10) 상에 이행되어지는 개별적인 부분들을 나타내는 다이어그램이다. 프로그램 PG가 수행될 때, CPU(10a), ROM(10b), RAM(10c) 등은 컨트롤러(10), 일반적인 제어 수단들(21), 수송 제어 수단들(22), 코팅 제어 수단들(23), 열처리 제어 수단들(24), 현상 제어 수단들(25), 엣지 노출 제어 수단들(26) 및 타이머 TM상에서 이행된다.
일반적인 제어 수단들(21)은 레시피 데이터 RD에 기재된 컨텐츠를 판독하고, 뒤에서 설명되어질 개별적인 제어 수단들에서 수행될 제어 컨텐츠의 설정들, 개별적인 부분들에서의 작동 상태들의 관리, 작동부(16)에서의 작동 제어 및 모니터(17)에서의 디스플레이 제어와 같이, 전체의 기판 처리 장치(1)의 작동 제어를 수행한다.
수송 제어 장치들(22)은 전달 로봇 TF와 수송 로봇 TR의 작동 제어를 수행한다. 특히, 캐리어들 C에 관하여 기판 W의 언로딩(unloading) 및 전달에 관련된 작동들, 전달 로봇 TF와 수송 로봇 TR사이의 기판 W의 전달, 수송 로봇 TR과 각 처리 유닛 사이의 기판 W의 전달은 수송 제어 수단들(22)의 제어 하에 수행된다.
코팅 제어 수단들(23)은 코팅 처리 부분에 대응하는 2개의 코팅 처리 유닛들 SC(SC1, SC2)의 작동들을 제어한다. 예를 들어, 코팅 제어 수단들(23)은 코팅 처리 유닛들 SC의 온/오프 작동들, 코팅 처리 유닛들 SC에 각각 배치된, 기판 회전 메카니즘과 레지스트 방출 메카니즘(도시되지 않음)의 작동들, 레지스트의 플로우 레이트(flow rate)와 온도, 유닛들 내부의 온도와 습도 등을 제어한다. 2개의 코팅 처리 유닛들 SC가 코팅 제어 수단들(23)에 의해 독립적으로 제어되기 때문에, 코팅 처리 유닛들 SC1과 SC2는 동시에 그리고 병렬로 다른 기판들 W을 처리할 수 있다(이 방법은 이후에 "동시 처리(concurrent processing)"로 불린다). 부가적으로, 뒤에서 상술될 절전 모드가 선택되면, 코팅 처리 유닛들 SC1과 SC2 중 하나만이 처리를 수행하기 위해 작동될 것이다(이 방법은 이후에 "선택 처리"로 불린다).
열처리 제어 장치들(24)은 가열 처리부에 대응하는 4개의 열판들 HP(HP1에서 HP4) 및 냉각 처리부에 대응하는 4개의 냉각판들 CP(CP1에서 CP4)의 작동들을 제어한다. 예를 들어, 열처리 제어 수단들(24)은 열판들 HP과 냉각판들 CP의 온/오프 작동들, 및 열판들 HP과 냉각판들 CP 각각에서 미리 정해진 고정 온도(holding temperature)에 도달하기에 필요한 피드백 제어를 수행한다. 열판들 HP와 냉각판들 CP는 열처리 제어 수단들(24)에 의해 독립적으로 제어된다. 그러므로, 동시 처리 및 선택 처리 또한 열판들 HP과 냉각판들 CP에서 수행될 수 있다. 이 경우에, 4개의 열판들 HP과 4개의 냉각판들 CP의 몇몇은 선택 처리 목적으로써 선택된다.
현상 제어 수단들(25)은 현상 처리부에 대응하는 2개의 현상 처리 유닛들 SD(SD1, SD2)의 작동들을 제어한다. 예를 들어, 현상 제어 수단들(25)은 현상 처리 유닛들 SD의 온/오프 작동들, 현상 처리 유닛들 SD에서 제공되어진 현상 유체 방출 메카니즘(도시되지 않음) 및 기판 회전 메카니즘의 작동들, 현상 유체의 플로우 렐이트 및 온도, 및 그 유닛들 내부의 온도와 습도를 제어한다. 2개의 현상 처리 유닛들 SD는 현상 제어 장치들(24)에 의해 독립적으로 제어된다. 그러므로, 동시 처리 및 선택 처리는 현상 처리 유닛들 SD에서 또한 수행될 수 있다.
엣지 노출 제어 수단들(26)은 엣지 노출 처리부에 대응하는 2개의 엣지 노출 유닛들 EE(EE1, EE2)의 작동들을 제어한다. 예를 들어, 엣지 노출 제어 수단들(26)은 엣지 노출 유닛들 EE의 온/오프 작동들, 엣지 노출 유닛들 EE 각각에 제공되는 기판 회전 메카니즘(도시되지 않음)의 작동들, 노출에 대한 광원의 라이트-업(light-up)과 라이트-아웃(light-out), 및 광원의 광의 양, 노출 셔터의 개/폐를 제어한다. 2개의 엣지 노출 유닛들 EE는 엣지 노출 제어 장치들(26)에 의해 독립적으로 제어된다. 즉, 동시 처리와 선택 처리는 엣지 노출 유닛들 EE에서 또한 수행될 수 있다.
타이머 TM은 각 제어 수단들의 제어를 위한 기반으로 사용되는 시간을 제공하는 간격 타이머이다.
기판 처리 장치(1)의 각 부분의 작동은 저장부(11)에 저장된 레시피 데이터 RD에서 상술된 설정의 컨텐츠 및 처리의 컨텐츠에 따라 대응되는 부분을 제어하는 컨트롤러(10)의 각 제어 수단들에 의해 실행된다.
<처리 작동>
다음은 기판 처리 장치(1)에서 절전에 주로 관련된 작동들의 컨텐츠들이다. 도 5는 제 1 실시예의 기판 처리 장치(1)에서 작동들의 흐름을 나타내는 다이어그램이다.
처음, 기판 처리 장치(1)의 스위치부 SW에 미리 정해진 작동은 전체의 기판 처리 장치(1)를 전기적인 연속 상태로 이르게 한다(단계 S1). 그리고 나서, 요구된 것처럼, 레시피 데이터가 쓰여지고 작동 모드가 선택된다(단계 S2). 이 점에서, 기판 처리 장치(1)의 오퍼레이터는 후속하는 처리가 "절전 모드(energy saving mode)" 또는 "정상 모드(normal mode)"에 의해 수행될 지 여부에 관해 선택한다. 용어 "절전 모드"는 모든 처리 유닛들에서, 일반적으로, 처리 환경들에 따라 요구된 하나 또는 그 이상의 처리 유닛들(이후 "부가적인 유닛(들)"로 불림)이 기동된다면, 레시피 데이터에서 상술되는 처리들에 필수적인 처리 유닛들(이후에 "에센셜 유닛(들)(essential units)"로 불림)의 최소 갯수만이 에센셜 유닛들만에 의해 처리들을 수행하도록 기동되는 모드를 의미한다. 반면에, 용어 "정상 모드(normal mode)"는 모든 처리 유닛들이 처리를 수행하도록 기동되는 모드를 의미한다.
절전 모드가 단계 S2에서 선택된 경우에 대해 설명되어질 것이다. 이 경우에, 일반적인 제어 수단들(21)은 처리 유닛들 사이의 에센셜 유닛만을 기동하도록 각 제어 수단에 지시하고, 각 제어 수단은 이에 응답하고 에센셜 유닛(단계 S3)만을 기동한다. 여기서, 오퍼레이터는 어떤 처리 유닛이 에센셜 유닛으로서 설정될 지에 대해 결정할 수 있지만, 처리부마다의 적어도 하나의 처리 유닛이 선택되어져야만 한다. 오퍼레이터는 작동부(16)를 작동함에 의해, 또는 선택적으로, 저장부(11)에 미리 저장된 에센셜 유닛들에 대하여 몇 개의 세팅 패턴들(setting patterns) 중 하나를 선택함에 의해 그 결정을 행할 수도 있다. 제한없이 예로서, 다음은, 코팅 처리 유닛 SC1, 현상 처리 유닛 SD1, 엣지 노출 유닛 EE1, 열판들 HP1과 HP2 및 냉각판들 CP1과 CP2가 기판 처리 장치(1)에서 에센셜 유닛들로 정하여지는 경우이다.
본 명세서에서, 처리 유닛의 용어 "기동(activation)"은 처리 유닛의 레시피 데이터에서 상술되는 미리 정해진 작동 조건이 발생하는 작동을 의미한다. "기동"의 목적이 아닌 처리 유닛은, 비록 작동 조건이 발생되지 않더라도, 최소 전기적 연속 상태(대기 상태)에서 유지될 수도 있다. 이 경우에, 용어 "정지(halt)"는 불완전한 전기적 연속 상태에 제한되지 않고, 처리가 수행될 수 있는 "기동" 상태에서 대기 상태로 천이하는 경우를 포함한다. 대기 상태의 예들은 예열 상태에서 열판 HP을 유지하고 엣지 노출 유닛 EE에서 노출을 위한 광원의 라이팅-아웃만을 수행하는 것이다.
에센셜 유닛들이 기동되고 모든 에센셜 유닛들이 레시피 데이터에서 상술되는 개별적인 서비스 조건들을 만족시키는 상태에 도달하면, 각 제어 수단은, 에센셜 유닛들이 준비 조건에 있는 것을 나타내는 신호를 일반적인 제어 수단(21)에 전송한다. 모든 에센셜 유닛들이 준비 조건에 도달하면, 기판 처리가 수행될 수 있고 레시피 데이터의 컨텐츠를 기반으로, 처리 작동들의 시퀀스가 기판들 W에서 수행된다(단계 S4). 특히, 코팅 처리 유닛 SC1에의 레지스트 코팅 처리, 엣지 노출 유닛 EE1에의 엣지 노출 처리, 및 현상 처리 유닛 SD1에의 현상 처리는, 열판들 HP1, HP2와 냉각판들 CP1, CP2에서 위에서 언급한 처리들 사이에 열처리들이 수행될 때, 캐리어 C가 내보내지는 다수의 기판들 W에 대하여 연속적으로 수행된다. 처리하는 동안, 수송 로봇 TR은 일반적인 제어 수단(21) 및 작동하는 에센셜 유닛들만으로 기판들 W를 수송하는 수송 제어 수단(22)에 의해 제어된다. 이 경우에, 처리를 수행하기 위한 최소로 요구된 갯수의 처리 유닛만이 처리를 수행하기 위해 기동되고, 이로써 전력 소모가 억제된다.
다수의 기판들 W(단계 S5에서 "NO")에 관한 처리들의 수행 동안, 일반적인 제어 수단(21)은 항상 오퍼레이터로부터 임의의 부가적인 유닛의 기동 요구의 존재 및 부재를 모니터하고, 이후에 이를 "부가적인 기동 요구"(단계 S6)로 칭한다. 예를 들어, 절전 모드를 선택하고 단지 에센셜 유닛들이 처리를 수행하는 경우에서는, 오퍼레이터가 생산 효율이 에센셜 유닛들만으로는 부족하다고 판단하거나 예정보다 미리 어떤 처리가 수행되길 원할 때에, 오퍼레이터는, 작동부(16)를 통해 미리 정해진 작동을 수행함에 의해, 그 시간에 기동될 수 없는 하나 또는 그 이상의 부가적인 유닛들의 기동를 요구하는 부가적인 기동 요구를 나타낼 수 있다. 에센셜 유닛들(단계 S6에서 "NO")로만 처리들을 계속하는 것은 물론 가능하다.
부가적인 기동 요구가 표시된다면(단계 S6에서 "YES"), 요구에 응답하여, 일반적인 제어 수단(21)은 제어 수단이 그들의 개별적인 제어 목적인 부가적인 유닛을 기동하도록 야기시킨다(단계 S7). 그 후, 부가적인 유닛이 준비 조건에 도달하는 것을 나타내는 신호가 개별적인 제어 수단으로부터 전달되면, 일반적인 제어 수단(21)과 수송 제어 수단(22)은 수송 목적지 안으로 부가적인 유닛을 결합시키므로, 기판들 W에 대한 처리 작동들은 모든 작동 처리 유닛들로 계속된다.
오퍼레이터가 마음대로 임의의 부가적인 유닛을 정할 수 있으며 에센셜 유닛들로 설정되지 않은 모든 처리 유닛들을 부가적인 유닛들로 설정할 필요는 없다는 것을 유의해야 한다. 예를 들어, 오퍼레이터는 작동부(16)를 미리 작동함에 의해 그 결정을 내릴 수도 있고 또는 오퍼레이터는 저장부(11)에 미리 저장된 부가적인 유닛들에 관한 몇몇의 설정 패턴들 중 하나를 선택할 수도 있다. 예를 들어, 에센셜 유닛이 위에서 상술한 대로 설정된 경우에, 단지 엣지 노출 유닛 EE2가 부가적인 유닛으로 선택될 수도 있고, 또는 선택적으로, 열판 HP3과 냉각판 CP3이 부가적인 유닛을 설정하기 위해 그에 추가될 수도 있으나 그러한 선택들에 제한되는 것은 아니다.
처리들의 미리 정해진 시퀀스가 완료되면(단계 S5에서 "YES"), 기판 처리 장치(1)는 다음의 처리 요구가 일어날 때까지 대기 모드에 위치된다. 처리 요구가 작동부(16)에서의 오퍼레이터의 작동에 의해 제공되어질 수도 있다. 캐리어 C의 자동 수송에서, 처리 요구는 캐리어 C 수송의 타이밍에 자동적으로 제공될 수도 있다. 이러한 경우에, 처리들이 하나 또는 그 이상의 부가적인 유닛들의 동시 사용으로 수행되면, 일반적인 제어 수단(21)은 개별적인 제어 수단이 부가적인 유닛들을 정지시키도록 지시하여, 에센셜 유닛들만이 새로운 처리가 수행될 때까지(단계 S9에서 "NO", 단계 S10에서 "NO") 기동된다. 이는 대기 상태에서 기판 처리 장치(1)의 전력 소모를 억제한다. 그 후에 다른 처리가 즉시 수행되어질 것이 명백할 때, 필요하다면, 부가적인 유닛들을 기동상태로 유지하도록 구성될 수도 있다.
잠시동안 대기 상태에 위치된 후, 새로운 처리의 수행이, 그 처리 전에, 다른 처리 몫의 도착 등(단계 S10에서 "YES")에 의해 트리거되면, 필요하다면 모드 변화가 가능하다(단계 S11). 모드 변화가 필요하지 않다면(단계 S11에서 "NO"), 단계 S4로 되돌아가, 절전 모드가 새로운 기판 W에 관한 처리를 계속 수행하도록 된다. 절전 모드가 정상 모드(단계 S11에서 "YES")로 변화되면, 단계 S12로 이동하여, 그 처리가 후에 상술되어질 정상 모드에서 수행될 것이다.
기판 처리 장치(1)가 그 후에 얼마동안 사용되지 않는다면(단계 S9에서 "YES"), 전원은 꺼질 수 있다(단계 S19).
다음은 정상 모드가 단계 S2에서 선택될 때의 작동이다. 정상 모드에서의 작동은 통상적인 기판 처리 장치에서의 작동과 동일하다. 다수의 처리 몫들이 있고 높은 처리 효율이 요구되면, 정상 모드에서 처리들이 수행되는 것이 바람직하다. 이 경우에, 일반적인 제어 수단(21)은 개별적인 제어 수단이 모든 처리 유닛들을 기동하도록 지시하고, 이에 응답하여, 개별적인 제어 수단은 처리 유닛들(단계 S12)을 기동한다. 모드 변화가 단계 S11에서 일어나면, 에센셜 유닛들이외의 처리 유닛들이 기동되어진다.
개별적인 처리 유닛들이 그들의 사용가능 상태로 들어가면(단계 S14에서 "NO"), 미리 정해진 처리 작동이 수행된다(단계 S13).
처리들의 미리 정해진 시퀀스 완료에서(단계 S14에서 "YES"), 기판 처리 장치(1)는 다음의 처리가 요구될 때까지 대기 상태에 위치된다. 정상 모드에서는, 새로운 처리가 수행될 때까지(단계 S15에서 "NO", 단계 S16에서 "NO"), 모든 처리 유닛들이 기동된다. 이 경우에, 기판 처리 장치(1)의 전력 소모는 대기 상태에서 억제되지 못할 수 있다. 그러나, 총 전력 소비는 일단 정지된 처리 유닛들을 재시작하기에 필요한 전력 소모를 고려하여 억제되어질 수도 있다. 그러므로, 처리 효율에 대한 최적의 모드가 선택되는 것이 바람직하다.
잠시 동안 대기 모드에 위치된 후, 정상 모드에서 새로운 처리의 수행이, 그 처리 이전에, 다른 처리 몫의 도달 등에 의해 트리거되면(단계 S16에서 "YES"), 필요할 경우 모드 변화가 가능하다(단계 S17). 만일 모드 변화가 필요하지 않다면(단계 S17에서 "NO"), 단계 S12로 되돌아가고 정상 모드는 새로운 기판 W에 관한 처리를 수행하기 위해 계속된다. 정상 모드가 절전 모드로 변화되면(단계 S17에서 "YES"), 일반적인 제어 수단(21)은 그 기동 상태에서 에센셜 유닛들만을 유지하고 나머지 처리 유닛들은 정지한다(단계 S18). 그리고 나서, 단계 S4로 이동하고, 처리는 위에서 언급한 절전 모드로 수행된다.
정상 모드로 작동 후에, 기판 처리 장치(1)가 잠시동안 사용되지 않ㄴ,ㄴ 경우에(단계 S15에서 "YES"), 전원은 꺼질 수 있다(단계 S19).
제 1 실시예에 따른 위에서 설명한 것에 따라, 기판 처리 장치(1)는 절전 모드로 제공된다. 이것은, 요구된 스루풋에 따라, 최소 요구된 갯수의 처리 유닛들만이 처리를 수행하도록 기동되는 방법과, 모든 처리 유닛들이 최대 처리 효율을 얻기 위해 그리고 처리를 수행하기 위해 기동되는 방법 중 선택할 수 있도록 한다. 부가적으로, 아무 처리도 수행되지 않으면, 기판 처리 장치는 최소 요구된 처리 유닛들만 기동하며, 대기 상태에 위치될 수 있다. 이는 기판 처리 장치에서 지금까지 가능했던 것보다 전력 소모를 더 많이 억제한다.
제 2 실시예
기판 처리 장치에서 처리 방법은 제 1 실시예에서 상술한 것에 제한받지 않는다. 다음은 제 1 실시예의 정상 모드에서 전력 소모를 더 억제할 수 있는 방법이다. 제 2 실시예에서 기판 처리 장치(1)는 제 1 실시예와 기본적으로 같은 구조를 가지기 때문에, 이에 대한 상술은 여기서 생략한다.
도 6은 제 2 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)에서 작동의 흐름을 나타내는 다이어그램이다. 도 6의 흐름은, 정상 모드가 선택될 때, 단계 S21과 단계 S22가 추가된 점만 제외하고는, 도 5의 흐름과 동일하다. 절전 모드에서의 작동들과 같은 이 점과 관계없는 작동이외의 작동들은 제 1 실시예에서의 작동들과 기본적으로 동일하다. 그러므로, 비슷한 참조 번호들이 사용되고, 그 설명들은 여기서 생략된다.
제 2 실시예에서, 정상 모드가 단계 S2에서 선택되고, 그 후에 미리 정해진 처리가 완료되면(단계 S12, 단계 S13, 단계 S14에서 "YES"), 타이머 TM을 기반으로, 일반적인 제어 수단(21)은 에센셜 유닛들로 설정된 것들을 제외한 처리 유닛들 각각이 마지막 작동(단계 S21)을 완료한 이후의 경과 시간을 측정한다. 그리고 나서, 프리셋 문턱 시간이 경과되었는지 아닌지를 모니터한다. 문턱 시간이 경과할 때(단계 S22에서 "YES"), 단계 S8로 이동하여, 에센셜 유닛들을 제외한 처리 유닛들이 정지된다. 즉, 제 2 실시예에서, 대기 상태에서 기판 처리 장치(1)가 정상 모드에서 처리들을 수행한 후 미리 정해진 기간동안 사용되지 않으면, 정상 모드에서 절전 모드로의 천이가 자동으로 일어나고 기판 처리 장치(1)는 절전 모드의 대기 상태에서 새로운 처리 요구를 기다린다.
오퍼레이터는 작동부(16)를 통해 마음대로 문턱 시간을 정할 수 있다. 선택적으로, 문턱 시간은 정상 모드에서 절전 모드로 계단식 천이를 처리 유닛마다 개별적으로 정할 수도 있다.
따라서, 제 2 실시예에서 정상 모드에서의 대기 상태가 시간의 미리 정해진 기간동안 계속되면 정상모드에서 절전모드로의 천이가 일어난다. 이는 장치의 작동 조건들에 관련된 모니터링의 부담을 낮추면서, 기판 처리 장치의 전력 소모의 감소를 가능하게 한다. 결과적으로, 전력 소모는 제 1 실시예보다 더 억제될 수 있다.
제 3 실시예
다음은 제 2 실시예의 절전모드에서의 전력 소모를 더 억제할 수 있는 방법이다. 제 3 실시예에서 또한, 기판 처리 장치(1)의 구조는 앞선 실시예들의 구조와 기본적으로 동일하고, 그의 설명은 여기서 생략된다.
도 7은 제 3 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)에서 작동들의 흐름이다. 도 7의 흐름은 절전 모드가 선택될 때 단계 S8 대신에, 단계 S31이 제공된다는 것과 단계 S11에서 "NO"의 경우에 그 프로그램이 되돌아간다는 점만 다른 것을 제외하고는, 도 6의 흐름과 동일하다. 정상 모드에서 작동들과 같고, 정상 모드에서의 작동들과 같이, 이 차이점들과 관계없는 작동들 이외의 작동들은 제 2 실시예에서의 작동들과 기본적으로 동일하다. 그러므로, 비슷한 참조 번호들이 사용되고, 그 설명들은 여기서 생략된다.
제 3 실시예는, 절전 모드가 단계 2에서 선택되고, 그 후에 예정된 처리가 완료될 때(단계 S3, 단계 S4, 단계 S5에서 "YES"), 일반적인 제어 수단(21)이 그 때 작동되는 모든 처리 유닛들을 정지하는 지시를 나린다는(단계 S31) 점에 있어서 제 1 실시예 및 제 2 실시예와 다르다. 이는 절전 모드의 대기 상태에서 전력 소모를 더 억제시킬 수 있다.
그 후, 새로운 처리 요구가 발생하고(단계 S10에서 "YES"), 절전 모드에서의 작동이 모드 변화를 하지 않고 계속되면(단계 S11에서 "NO"), 그 때 작동하는 처리 유닛은 없다. 그러므로, 단계 S3으로 되돌아가서, 일반적인 제어 수단(21)은 에센셜 유닛들의 기동을 지시한다. 새로운 처리 작동은 에센셜 유닛들이 그 사용 가능 상태로 들어가는 시점에서 시작한다(단계 S3, 단계 S4).
반면에, 모드가 정상 모드에서 작동되도록 변화되면, 단계 S12로 되돌아가고, 일반적인 제어 수단(21)은 모든 처리 유닛들의 기동을 지시한다. 새로운 처리 작동은 모든 처리 유닛들이 그 사용 가능 상태에 들어가는 시점에서 시작된다(단계 S12, 단계 S13).
따라서, 제 3 실시예에서, 에센셜 유닛들을 포함하는 모든 처리 유닛들이 절전 모드의 대기 상태에서 정지되고, 이로써 제 1 실시예 및 제 2 실시예보다 전력 소모를 더 억제한다.
변형들
기판 처리 장치를 구성하는 처리 유닛들의 형태는 위에서 언급한 예들로 제한되지 않는다. 무-반사(anti-reflection) 코팅을 형성하기 위한 처리 유닛과 같은 다양한 처리 유닛들, 레지스트 접착 처리를 위한 유닛, 회로 패턴들을 형성하기 위한 노출 장치에 관련된 기판들을 전달하기 위한 다른 인덱서 유닛 및 레지스트 필름 두께와 형성된 회로 패턴들을 검사하기 위한 검사 유닛이 제공될 수 있다. 이 처리 유닛들로부터, 에센셜 유닛과 부가적인 유닛이 선택되고 결정되어질 수 있다. 동일 형태의 처리 유닛들의 수는 또한 위에서 언급한 예들로 제한되지 않는다. 에센셜 유닛들로만 처리들을 수행함에 의해 얻을 수 있는, 전력 소모 감소의 효과는 유닛들의 수가 증가하고 장치가 커질수록 증가한다. 처리 유닛들의 배열 또한 위에서 언급한 예들로 제한받지 않는다. 처리 유닛들의 형태와 수에 따라, 처리 효율이 증가하도록 배열되어질 것이다.
오직 하나의 처리 유닛이 처리 단계마다 제공될지라도, 본 발명의 효과는 그것을 에센셜 유닛으로 사용함에 의해 얻어질 수 있다.
개별적인 처리 유닛들은 수동 작동에 의해 각각 기동되고 정지될 수 있다.
에센셜 유닛 및 부가적인 유닛의 설정은 변화할 수도 있다.
앞선 바람직한 실시예들에서, 부가적인 유닛 지정의 존재 및 부재가 결정된다. 선택적으로, 부가적인 유닛들은 계단식으로 설정될 수도 있고, 하나 또는 그 이상의 부가적인 유닛들이 필요에 따라 기동되고 정지될 수 있다. 이에 의해, 전력 소모는 더 정밀하게 조절되어진다.
앞선 바람직한 실시에들에서, 처리는 모든 에센셜 유닛들이 사용될 때에 시작된다. 선택적으로, 처리는 처리 단계의 전 단계에서 처리 유닛이 준비 조건에 있을 때에 시작될 수 있고, 후 단계에 처리와 관련된 처리 유닛이 처리 시작 시간동안 내에 있도록 기동될 수 있다.
본 발명은 상세히 보여지고 설명되는 동안, 앞의 설명들이 모든 측면들에서 도시되고 제한되지 않는다. 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 다양한 변형들과 변화들이 고안될 수 있음도 받아들여진다.
본 발명은 처리 유닛이 요구된 처리 효율에 따라 기동되므로, 전력 소모의 감소가 단일의 장치에서 높은 스루풋 성능과 양립될 수 있다.
또한, 전력 소모를 감소하면서 스루풋을 유지할 수 있는 처리 장치가 제공되어질 수 있다.

Claims (19)

  1. (a) 각각 동종의 처리요소인 다수의 처리요소로 구성되어 있는 적어도 하나의 처리부;
    (b) 상기 다수의 처리 요소의 작동을 제어하고, 개개의 처리요소의 기동 및 정지가 독립적으로 제어되는 제어 요소; 및
    (c) 상기 개개의 처리요소의 작동 조건에 관한 데이터를 기억하는 기억요소를 포함하는 기판 처리 장치로서,
    상기 기판 처리 장치는, 상기 기판처리장치에 구비된 모든 처리 요소를 이용하여 소정의 기판 처리를 실행할 수 있음과 동시에, 일부 처리 요소만을 사용하여 상기 소정의 기판 처리를 실행하는 것도 가능하고,
    상기 소정의 기판 처리를 실행하는 때에 기동되어 있는 처리요소가 없을 때에는, 상기 제어요소는 적어도 하나의 제 1 처리요소를 기동하고,
    이때, 상기 적어도 하나의 제 1 처리 요소는, 상기 기판 처리 장치에 구비된 모든 처리요소 중에서 우선적으로 구동되도록 미리 선택되어 있는 처리요소이고,
    상기 기억요소는, 상기 개개의 처리요소의 작동 조건에 관한 데이터로서 상기 적어도 하나의 제 1 처리요소를 특정하는 정보를 기억하는, 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    (d) 오퍼레이터가 제 1 모드 또는 제 2 모드 중에서 작동 모드를 선택하기 위한 선택요소를 더 포함하는 기판 처리 장치로서,
    이때, 상기 제 1 모드는, 상기 소정의 기판처리를 실행할 때에 상기 다수의 처리 요소 중에서 상기 적어도 하나의 제 1 처리 요소만을 기동하는 작동 모드이고,
    상기 제 2 모드는 상기 소정의 기판 처리를 실행할 때에 상기 기판 처리 장치에 구비된 모든 처리요소를 기동하는 작동 모드이고,
    상기 제어 요소는 선택된 작동 모드에 따라 대상이 되는 하나 또는 복수의 처리 요소들을 기동하는, 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제어 요소는, 상기 미리 정해진 기판 처리를 위한 상기 하나 또는 복수의 처리 요소들의 작동이 완료된 이후에 미리 정해진 시간이 경과한 후, 상기 미리 정해진 기판 처리를 위해 사용되어지는 하나 또는 그 이상의 목적 처리 요소들을 정지하는, 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 이상의 목적 처리 요소들은 상기 적어도 하나의 제 1 처리 요소 이외의 처리 요소인, 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 기억 요소는 적어도 하나의 제 2 처리요소를 특정하는 정보를 더 기억하는 기판 처리 장치로서,
    상기 적어도 하나의 제2 처리요소는, 상기 기판 처리 장치에 구비된 모든 처리요소 중에서 이루어진 부가적으로 기동하도록 미리 선택되어 있고,
    또한, 상기 적어도 하나의 제 2 처리요소는, 상기 적어도 하나의 제 1 처리요소만이 소정의 기판처리에 이용되고 있을 때에 부가적으로 기동되고, 상기 소정의 기판처리에 이용되는 처리요소인, 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제어 요소는 상기 미리 정해진 기판 처리의 완료에서 상기 적어도 하나의 제 1 처리 요소 이외의 처리 요소들을 정지하는, 기판 처리 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제어 요소는 상기 미리 정해진 기판 처리의 완료에 응답하여 상기 처리 요소 모두를 정지하고,
    상기 적어도 하나의 제 1 처리 요소는 후속의 기판 처리가 수행될 때 다시 기동되는, 기판 처리 장치.
  10. 동종의 처리요소인 다수의 처리요소에 의하여 구성되어 있고, 다수의 처리요소의 기동 및 정지는 각각 독립하여 제어되는, 적어도 하나의 처리부를 구비한 기판처리장치의 작동방법에 있어서;
    (a) 이하의 단계를 구비하여, 상기 다수의 처리 요소들의 각각의 작동 조건에 관한 조건 데이터를 기억하는 단계;
    (a-1) 상기 기판처리장치에 구비된 모든 처리요소 중에서 우선적으로 기동되는 처리요소인, 적어도 하나의 제 1 처리요소를 선택하여 정하는 단계와,
    (a-2) 상기 적어도 하나의 제 1 처리요소를 특정하는 정보를 상기 조건 데이터로서 기억하는 단계;
    (b) 요구되는 소정의 기판 처리에 상기 다수의 처리요소의 전부가 필요한지 아닌지를 결정하는 단계; 및
    (c) 단계 (b)에 있어서 결정결과에 따라서, 상기 다수의 처리요소의 전부를 기동하거나, 또는 상기 조건 데이터를 참조하여 상기 다수의 처리요소 중에서 일부만을 기동하고, 상기 소정의 기판처리를 실행하는 단계를 구비하고, ,
    이때, 상기 단계 (c)에 있어서, 상기 다수의 처리요소 중에서 일부만을 기동하여 상기 소정의 기판 처리를 실행하는 경우에, 기동되어 있는 처리요소가 없을 때에는, 상기 적어도 하나의 상기 제 1 처리요소가 기동되는 단계를 포함하는, 기판 처리 장치를 작동하는 방법.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 단계 (b)는,
    (b-1) 오퍼레이터가 제1 모드 또는 제 2 모드 중에서 선택하는 것에 의하여 작동 모드를 결정하는 단계를 포함하고,
    이때, 상기 제 1 모드는, 상기 소정의 기판 처리를 실행할 때에 상기 적어도 하나의 제1 처리요소만을 기동하는 작동 모드이고,
    상기 제 2 모드는, 상기 소정의 기판처리를 실행할 때에 상기 기판 처리 장치에 구비된 모든 처리요소를 기동하는 작동 모드이고,
    또한, 상기 단계 (c)는,
    (c-1) 선택된 작동에 따라 하나 또는 그 이상의 처리 요소들을 기동하는 단계를 포함하는, 작동 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    (d) 상기 미리 정해진 기판 처리를 위한 상기 하나 또는 그 이상의 목적 처리 요소들의 작동이 완료된 이후에 미리 정해진 시간이 경과한 후 상기 미리 정해진 기판 처리를 위해 사용되어진 상기 하나 또는 그 이상의 목적 처리 요소들을 정지하는 단계를 더 포함하는, 기판 처리 장치를 작동하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 이상의 목적 처리 요소들은 상기 적어도 하나의 제 1 처리 요소 이외의 처리 요소인, 기판 처리 장치를 작동하는 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 단계 (a)는:
    (a-3) 상기 기판 처리 장치에 구비된 모든 처리요소 중에서 부가적으로 기동되도록 미리 선택되어 있는, 적어도 하나의 제2 처리요소를 선택하여 정하는 단계를 포함하고,
    상기 단계 (b)는:
    (b-2) 상기 적어도 하나의 제 1 처리 요소만이 상기 소정의 기판처리에 사용되고 있을 때에, 상기 적어도 하나의 제2 처리요소를 상기 소정의 기판처리에 이용하기 위하여 부가적으로 기동하는 단계를 더 포함하는, 기판 처리 장치를 작동하는 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 단계 (d)는:
    (d-1) 상기 미리 정해진 기판 처리의 완료에서 상기 제 1 처리 요소 이외의 처리 요소들을 정지하는 단계를 포함하는, 기판 처리 장치를 작동하는 방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 단계 (d)는:
    (d-2) 상기 미리 정해진 기판 처리의 완료에 응답하여 상기 처리 요소들의 모두를 정지하는 단계를 포함하고,
    (e) 후속의 기판 처리가 수행될 때 다시 상기 적어도 하나의 제 1 처리 요소를 기동하는 단계를 더 포함하는, 기판 처리 장치를 작동하는 방법.
  19. 기판 처리 장치에 구비된 컴퓨터에 인스톨 가능한 프로그램으로, 컴퓨터에 의하여 상기 프로그램이 실행되는 것으로서, 이하의 요소를 구비하는 상기 멀티-모드 기판처리장치로서 작동시키는 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독가능한 기록매체로서,
    (a) 각각 동종의 처리요소인 복수의 처리요소로 구성되어 있는 적어도 하나의 처리부;
    (b) 상기 복수의 처리요소의 동작을 제어하고, 개개의 처리요소의 기동 및 정지는 독립하여 제어되는 제어요소; 및,
    (c) 상기 개개의 처리요소의 동작조건에 관한 데이터를 기억하는 기억요소를 구비하고,
    상기 기판처리장치는, 상기 기판처리장치에 구비된 모든 처리요소를 이용하여 소정의 기판처리를 실행가능함과 동시에, 일부의 처리요소만을 사용하여 상기 소정의 기판 처리를 실행하는 것도 가능하고,
    상기 소정의 기판처리를 실행할 때에 기동되어 있는 처리요소가 없을 때에는, 상기 제어요소는 적어도 하나의 제1 처리요소를 기동하고,
    여기에서, 상기 적어도 하나의 제1 처리요소는, 상기 기판처리장치에 구비된 모든 처리요소 중에서 우선적으로 기동되도록 미리 선택되어 있는 처리요소이고,
    상기 기억요소는, 상기 개개의 처리요소의 동작조건에 관한 데이터로서 상기 적어도 하나의 제1 처리요소를 특정하는 정보를 기억하는 프로그램을 저장한, 컴퓨터로 판독가능한 기록매체.
KR1020030091986A 2002-12-19 2003-12-16 기판 처리 장치, 작동 방법 및 그에 대한 프로그램 KR100593711B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002368415A JP3999649B2 (ja) 2002-12-19 2002-12-19 基板処理装置とその動作方法、およびプログラム
JPJP-P-2002-00368415 2002-12-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040054517A KR20040054517A (ko) 2004-06-25
KR100593711B1 true KR100593711B1 (ko) 2006-06-28

Family

ID=32588363

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030091986A KR100593711B1 (ko) 2002-12-19 2003-12-16 기판 처리 장치, 작동 방법 및 그에 대한 프로그램

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6937917B2 (ko)
JP (1) JP3999649B2 (ko)
KR (1) KR100593711B1 (ko)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005259930A (ja) * 2004-03-11 2005-09-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
CN1702849A (zh) * 2004-05-26 2005-11-30 松下电器产业株式会社 温度异常检测方法及半导体制造装置
JPWO2005125259A1 (ja) * 2004-06-17 2008-04-17 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ 伝送速度制御方法、送信電力制御方法、送信電力比制御方法、移動通信システム、移動局及び無線基地局
JP4705034B2 (ja) * 2004-08-12 2011-06-22 株式会社ニコン 基板処理装置、使用状況確認方法
JP4496980B2 (ja) * 2005-02-10 2010-07-07 セイコーエプソン株式会社 半導体製造装置の制御方法及びその制御システム
WO2006132282A1 (ja) * 2005-06-10 2006-12-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 生産管理方法、生産管理装置、部品実装機
JP2007088429A (ja) * 2005-08-26 2007-04-05 Toshiba Corp 電力供給システム、電力供給方法及びロット処理方法
JP5091413B2 (ja) * 2006-03-08 2012-12-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理装置の制御方法
JP4232788B2 (ja) * 2006-04-03 2009-03-04 セイコーエプソン株式会社 半導体製造装置の制御方法及びその制御システム
US20090314607A1 (en) * 2006-07-27 2009-12-24 Advantest Corporation Electronic device conveying method and electronic device handling apparatus
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5151383B2 (ja) 2007-10-12 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体
KR100929817B1 (ko) * 2007-10-23 2009-12-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 제조 방법
JP5128918B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5318403B2 (ja) 2007-11-30 2013-10-16 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5160204B2 (ja) * 2007-11-30 2013-03-13 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) * 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Sokudo 基板処理装置
KR101409841B1 (ko) * 2008-01-11 2014-06-19 삼성전자주식회사 포토 스피너 설비 및 그의 웨이퍼 캐리어 로딩/언로딩 방법
DE102008035756A1 (de) * 2008-07-31 2010-02-04 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Reduzieren des Energieverbrauchs einer Maschine oder Anlage
JP5237082B2 (ja) * 2008-12-24 2013-07-17 株式会社Sokudo 基板処理装置
DE102010003078A1 (de) * 2010-03-19 2011-09-22 Krones Ag Vorrichtung und Verfahren zum Steuern einer Abfüllanlage
DE102010036112A1 (de) * 2010-09-01 2012-03-01 Sms Siemag Ag Verfahren zur automatisierten Steuerung und/oder Regelung einer hüttenmännischen Anlage und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
CN103140816B (zh) * 2010-10-01 2016-04-13 西铁城控股株式会社 电源管理装置以及具备该电源管理装置的机床
WO2013077191A1 (ja) * 2011-11-25 2013-05-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置群コントローラ、生産処理システム、処理装置群制御方法、生産効率化システム、生産効率化装置および生産効率化方法
JP6017134B2 (ja) 2011-12-13 2016-10-26 東京エレクトロン株式会社 生産効率化システム、生産効率化装置および生産効率化方法
JP5998010B2 (ja) * 2012-10-24 2016-09-28 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、基板処理システム、基板処理装置の制御方法、プログラムおよび記録媒体
JP2014135381A (ja) * 2013-01-10 2014-07-24 Sokudo Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
KR101704403B1 (ko) * 2014-11-21 2017-02-09 멜콘 주식회사 기판 처리 시스템의 절전 구동 장치 및 방법
KR101935942B1 (ko) 2016-08-01 2019-01-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 그 제어 방법, 그리고 반도체 제조 설비

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020005414A (ko) * 2000-06-07 2002-01-17 히가시 데쓰로 기판 처리시스템 및 기판 처리방법
KR20020006469A (ko) * 2000-07-12 2002-01-19 히가시 데쓰로 기판처리장치 및 기판처리방법
KR20020088770A (ko) * 2001-05-21 2002-11-29 삼성전자 주식회사 포토레지스트 패턴 형성 방법 및 장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3526184B2 (ja) 1997-03-17 2004-05-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JPH11121582A (ja) * 1997-10-15 1999-04-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウェハ製造設備制御方法および半導体ウェハ製造設備
US6275740B1 (en) * 1998-04-23 2001-08-14 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6292708B1 (en) * 1998-06-11 2001-09-18 Speedfam-Ipec Corporation Distributed control system for a semiconductor wafer processing machine
TWI244603B (en) * 2001-07-05 2005-12-01 Dainippon Screen Mfg Substrate processing system for managing device information of substrate processing device
JP2003031477A (ja) * 2001-07-17 2003-01-31 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法およびシステム
TWI291729B (en) * 2001-11-22 2007-12-21 Semiconductor Energy Lab A semiconductor fabricating apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020005414A (ko) * 2000-06-07 2002-01-17 히가시 데쓰로 기판 처리시스템 및 기판 처리방법
KR20020006469A (ko) * 2000-07-12 2002-01-19 히가시 데쓰로 기판처리장치 및 기판처리방법
KR20020088770A (ko) * 2001-05-21 2002-11-29 삼성전자 주식회사 포토레지스트 패턴 형성 방법 및 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP3999649B2 (ja) 2007-10-31
KR20040054517A (ko) 2004-06-25
US20040122545A1 (en) 2004-06-24
JP2004200485A (ja) 2004-07-15
US6937917B2 (en) 2005-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100593711B1 (ko) 기판 처리 장치, 작동 방법 및 그에 대한 프로그램
US7980003B2 (en) Heat processing apparatus and heat processing method
JP4153781B2 (ja) 熱処理装置および基板処理装置
US5927077A (en) Processing system hot plate construction substrate
JP2001345241A (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
JP2011086677A (ja) 基板冷却装置、基板冷却方法及び記憶媒体
JPH10322906A (ja) 基板処理装置
US9389601B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing system, control method for substrate processing apparatus and storage medium
KR100517414B1 (ko) 기판처리장치
JP4279102B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US7618203B2 (en) Substrate processing method, substrate processing apparatus, and computer readable storage medium
US7901149B2 (en) Substrate processing method, program, computer-readable recording medium, and substrate processing system
JP4845553B2 (ja) 基板処理装置のスケジュール実行方法及びそのプログラム
KR101663746B1 (ko) 기판 처리 시스템용 가열 장치의 승온 제어 방법, 컴퓨터 기록 매체 및 기판 처리 시스템
JP2001210581A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP3544262B2 (ja) 基板処理装置
JP4259968B2 (ja) 基板処理装置
JPH11204413A (ja) 基板処理装置
JP3361676B2 (ja) 基板処理方法及びその装置
JP3356208B2 (ja) 処理システム
JPH09148290A (ja) 基板への紫外線照射装置及び基板処理システム
JP3413791B2 (ja) 温度制御装置および温度制御方法
JP3688098B2 (ja) 基板処理装置
JP4071139B2 (ja) 基板処理装置の制御方法
JP2000132239A (ja) 温度制御方法および温度制御装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130531

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140603

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150518

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160517

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee