JP4232788B2 - 半導体製造装置の制御方法及びその制御システム - Google Patents

半導体製造装置の制御方法及びその制御システム Download PDF

Info

Publication number
JP4232788B2
JP4232788B2 JP2006101696A JP2006101696A JP4232788B2 JP 4232788 B2 JP4232788 B2 JP 4232788B2 JP 2006101696 A JP2006101696 A JP 2006101696A JP 2006101696 A JP2006101696 A JP 2006101696A JP 4232788 B2 JP4232788 B2 JP 4232788B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
energy
manufacturing apparatus
standby
time
control
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006101696A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007280994A (ja
Inventor
徹 遠峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2006101696A priority Critical patent/JP4232788B2/ja
Priority to US11/693,777 priority patent/US7684903B2/en
Publication of JP2007280994A publication Critical patent/JP2007280994A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4232788B2 publication Critical patent/JP4232788B2/ja
Priority to US12/697,636 priority patent/US7885728B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41865—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by job scheduling, process planning, material flow
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/32—Operator till task planning
    • G05B2219/32021—Energy management, balance and limit power to tools
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/45—Nc applications
    • G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/10—Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P80/00—Climate change mitigation technologies for sector-wide applications
    • Y02P80/10—Efficient use of energy, e.g. using compressed air or pressurized fluid as energy carrier
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • General Factory Administration (AREA)

Description

本発明は、半導体製造装置の制御方法及びその制御システムに関し、特に、ＴＡＴの短
縮化を妨げることなく、半導体製造装置の待機時のエネルギーロスを低減できるようにし
た技術に関する。
半導体装置の製造ラインは、フィルタを通した清浄な空気をダウンフローさせるクリー
ンルームと、このクリーンルーム内に配置された多数の製造装置等から構成されている。
製造装置には、半導体ウエーハ中に不純物を熱拡散させるための熱処理装置や、絶縁膜を
形成するためのＣＶＤ装置、絶縁膜や導電膜を削るためのドライエッチング装置などがあ
り、その種類は多岐に渡るが、その多くは電力だけでなく、排気、冷却水、圧空、真空、
窒素（Ｎ２）、放熱等（以下、これらを電力と区別して「用力」という。）を必要とする
ものである。
従来、製品処理の合間で製造装置を待機させる場合には、ＲＦ電源やマグネット電源を
落としたり、ヒータの出力を多少下げたりして、その消費電力の低減を図っていたが、Ｔ
ＡＴ（Ｔｕｒｎａｒｏｕｎｄ Ｔｉｍｅ）の短縮化を妨げないように、製造装置のローダ
に処理すべき製品がセットされると直ぐに処理を開始できるよう準備した状態（即ち、処
理可能レベル）で、製造装置を待機させていた。
また、これ以外の低消費電力化の方法としては、例えば特許文献１に開示されたものが
ある。即ち、この特許文献１には、例えばコータデベロッパのように、半導体ウエーハに
対してそれぞれ異なる処理を行う複数のユニットを１台の中に備えた製造装置が開示され
ており、かかる製造装置にあっては、個々のユニットについてその待機時間中には電力を
供給しないようにしていた。
特開２０００−２６０６７２号公報 特開平５−７７１４４号公報
ところで、製造ラインを流れる製品の種類は通常一種類ではなく、多品種のものが少量
ずつ生産されることが多い。品種が異なれば製造プロセスも異なってくるので、製造ライ
ンには高頻度に使用される製造装置と、そうでない製造装置とが混在する。また、個々の
製造装置の使用頻度は、製造ラインを流れる製品の種類とその量、流れてくるタイミング
とによって日々変わることが一般的である。
従って、製造装置を所定のメンテナンス時まで休み無く連続して稼動させることは実際
にはほとんどなく、製品処理の合間で製造装置を待機させざるを得ないケースが多々存在
する。このような製品処理の合間の待ち時間は、数分程度と短い場合もあれば、１〜２日
程度と長い場合もある。
しかしながら、従来の技術では、製造ラインを構成する各製造装置あっては、次に製品
を処理するまでの待ち時間が短い場合も長い場合も、その待ち時間中は常に製品処理を開
始可能な処理可能レベルで待機しており、特に、待機時の待ち時間が長い場合にはそのエ
ネルギーロスが大きいという問題点があった。
本発明は、このような従来の技術の有する未解決の課題に着目してなされたものであっ
て、ＴＡＴの短縮化を妨げることなく、待機時のエネルギーロスを低減できるようにした
半導体製造装置の制御方法及びその制御システムの提供を目的とする。
〔発明１〕 上記目的を達成するために、発明１の半導体製造装置の制御方法は、半導体製造装置の待機時の制御方法であって、
少なくとも前記半導体製造装置の待機時の電力及び用力所要量を製品処理が開始可能なエネルギー消費状態で待機する第1の待機状態と、前記半導体製造装置の前記待機時の電力及び用力所要量を製品処理を開始できない低エネルギー消費状態で待機する第２の待機状態とを備え、
前記半導体製造装置を含む製造ラインで製造される製品の、処理工程順に関する情報と前記処理工程毎の処理時間に関する情報と前記製造ラインでの位置に関する情報とから、前記製品が前記半導体製造装置のもとに到着するまでに要する待ち時間に関する情報を取得する工程と、
前記半導体製造装置の前記待機時の電力及び用力所要量を前記第１の待機状態から前記低エネルギー消費状態まで下げて前記第２の待機状態として所定期間維持し前記所定期間が経過した後前記第１の待機状態に戻しその後前記半導体製造装置の状態を確認する省エネ制御の所要時間に関する情報を取得する工程と、
前記所要時間が前記待ち時間よりも短く且つ前記待ち時間中に前記省エネ制御を実行した場合の消費エネルギー量が前記第１の待機状態による制御を実行した場合の消費エネルギー量よりも低減されると見積もられる場合は前記第２の待機状態による省エネ制御を実行し、前記所要時間が前記待ち時間以上である場合又は前記待ち時間中に前記省エネ制御を実行した場合の消費エネルギー量が前記第１の待機状態による制御を実行した場合の消費エネルギーよりも低減されないと見積もられる場合は前記第２の待機状態による省エネ制御を実行しないとする前記省エネ制御を実行するか否かの判断を行う工程と、を含むことを特徴とするものである。
ここで、「半導体製造装置」としては、例えばドライエッチング装置や、ＣＶＤ装置、
熱処理装置等が挙げられる。これらの装置には、消費エネルギーとして例えば電力と用力
とが供給される。また、「製品」は、例えばウエーハやガラス基板等に形成される半導体
装置である。さらに、「待機時の電力及び用力所要量」とは、例えば製品処理の合間で待
機している半導体製造装置で使われる電力及び用力のことである。「用力」とは、電力以
外のエネルギーのことであり、例えば排気、冷却水、圧空、真空、窒素（Ｎ２）、放熱等
のことである。また「処理可能レベル」とは、例えば半導体製造装置のローダに処理すべ
き製品がセットされると直ぐに処理を開始できるように準備した状態のことである。
発明１の半導体製造装置の制御方法によれば、半導体製造装置の待機時の待ち時間が省
エネ制御の所要時間よりも長く、且つ待ち時間中に省エネ制御を実行することによって待
機時の消費エネルギー量が低減されると見積もられる場合のみ、省エネ制御を実行するこ
とが可能である。従って、ＴＡＴの短縮化を妨げることなく、半導体製造装置の待機時の
エネルギーロスを低減することが可能である。
ここで、例えば熱処理装置の省エネ制御では、炉（反応室）内の温度を一旦下げ、一定時間が経過した後で炉内を加熱して元の温度に戻すことが考えられるが、一旦下げた炉内の温度を再び元の温度まで上昇させるためにはエネルギーを必要とする。そのため、省エネ制御の炉内を低温に維持するステップが短時間で終わる場合には、省エネ制御を実行することによって逆に消費エネルギー量が増えてしまうことも考えられる。
発明１の半導体製造装置の制御方法によれば、半導体製造装置の待機時のエネルギーロスをより確実に低減することが可能である。
〔発明２〕 発明２の半導体製造装置の制御方法は、前記第２の待機状態は、前記所要時間と消費エネルギー量とがそれぞれ異なる複数種類の制御パターンを有し、前記第２の待機状態による省ネ制御を実行するか否かを判断する工程では、前記待ち時間と前記複数種類の制御パターンそれぞれの前記所要時間とを前記複数種類の制御パターン毎にそれぞれ比較し、前記複数種類の制御パターンの中で前記所要時間が前記待ち時間よりも短い制御パターンが１つだけの場合には、当該特定パターンによる制御を前記第２の待機状態による省エネ制御として前記第２の待機状態による省エネ制御を実行するか否かの判断を行い、前記複数種類のパターンの中で前記所要時間が前記待ち時間よりも短い制御パターンが２つ以上ある場合には、当該制御パターンの中から最も待機時の消費エネルギー量が小さい制御パターンを選択し選択された当該制御パターンによる制御を前記第２の待機状態による省エネ制御として前記第2の待機状態による省エネ制御を実行するか否かの判断を行うことを特徴とするのもである。
このような構成であれば、待ち時間の長短に応じてエネルギーロスを効率良く低減する
ことが可能である。
〔発明３〕 発明３の半導体製造装置の制御方法は、発明１から発明２の何れか一の半導
体製造装置の制御方法において、前記省エネ制御を実行している間に最新の前記待ち時間
に関する情報を取得する工程と、最新の前記待ち時間に関する情報に基づいて、実行中の
前記省エネ制御の制御パターンを見直す工程と、を含むことを特徴とするものである。
このような構成であれば、待ち時間の変動に柔軟に対応することが可能である。例えば
、省エネ制御の実行中に待ち時間が短くなった場合には、省エネ制御を途中で止めて、半
導体製造装置の電力及び用力所要量（即ち、エネルギーレベル）を処理可能レベルまで直
ちに回復させることが可能である。また、省エネ制御の実行中に待ち時間が長くなった場
合には、エネルギーレベルを低エネルギーレベルで維持する待機ステップを延長したり、
実行中の制御パターンをより低消費エネルギーなパターンに変更したりすることができる。
〔発明４，５〕 発明４の半導体製造装置の制御方法は、前記省エネ制御を実行している間に前記待ち時間に関する最新の情報を取得する工程と、実行中の前記省エネ制御を途中で止めて前記半導体製造装置の電力及び用力所要量を前記第１の待機状態まで直ちに復帰させる場合の復帰所要時間に関する情報を取得する工程と、最新の前記待ち時間と前記復帰所要時間とを比較し、当該比較の結果に基づいて前記省エネ制御を継続するか否かを判断する工程と、を含むことを特徴とするものである。

発明５の半導体製造装置の制御方法は、前記半導体製造装置の前記省エネ制御を実行している間に、前記待ち時間に関する最新の情報を取得する工程と、前記復帰所要時間に関する情報を取得する工程と、前記省エネ制御を継続するか否かを判断する工程と、を当該順にしたがって繰り返し行うことを特徴とするものである。
発明４，５の半導体製造装置の制御方法によれば、省エネ制御の実行中に待ち時間が短くなった場合には当該省エネ制御を途中で止めて、半導体製造装置の電力及び用力所要量を処理可能レベルまで直ちに回復させることができる。

〔発明６，７〕 発明６の半導体製造装置の制御方法は、前記省エネ制御を実行している間に前記待ち時間に関する最新の情報を取得する工程と、実行中の前記省エネ制御の制御パターンを他のパターンに変更した場合の新たな所要時間に関する情報を取得する工程と、最新の前記待ち時間と前記新たな所要時間とを比較すると共に、実行中の前記制御パターンを前記他のパターンに変更した場合の省エネ効果の増減を見積もり、前記比較の結果と前記見積もりの結果とに基づいて、実行中の前記制御パターンを前記他のパターンに変更するか否かを判断する工程と、を含むことを特徴とするものである。
発明７の半導体製造装置の制御方法は、前記半導体製造装置の前記省エネ制御を実行している間に、前記待ち時間に関する最新の情報を取得する工程と、前記新たな所要時間に関する情報を取得する工程と、実行中の前記制御パターンを前記他のパターンに変更するか否かを判断する工程と、を当該順にしたがって繰り返し行うことを特徴とするものである。
発明６，７の半導体製造装置の制御方法によれば、省エネ制御の実行中に待ち時間が長くなった場合には、当該省エネ制御の制御パターンをより省エネ効果の高いパターンに変更することができる。

〔発明８〕 発明８の半導体製造装置の制御方法は、前記製造ラインで製造される前記製品の処理工程順と、当該製品の前記処理工程毎の処理時間と、当該製品の前記製造ラインでの位置とから理論的に予想される時間よりも短い時間を、前記待ち時間に設定することを特徴とするものである。
このような構成であれば、省エネ制御を終える前に半導体製造装置のもとに製品が到着してしまうといった事態を絶対に起こさないようにすることができるので、省エネ制御を安心して実行することができる。

〔発明９、１０〕 発明９の半導体製造装置の制御システムは、半導体製造装置の待機時の制御システムであって、
少なくとも前記半導体製造装置の待機時の電力及び用力所要量を製品処理が開始可能なエネルギー消費状態で待機する第1の待機状態と、前記半導体製造装置の前記待機時の電力及び用力所要量を製品処理を開始できない低エネルギー消費状態で待機する第２の待機状態とを備え、
前記半導体製造装置を含む製造ラインで製造される製品の、処理工程順に関する情報と前記処理工程毎の処理時間に関する情報と前記製造ラインでの位置に関する情報とから、前記製品が前記半導体製造装置のもとに到着するまでに要する待ち時間に関する情報を取得する製品情報取得手段と、
前記半導体製造装置の前記待機時の電力及び用力所要量を前記第１の待機状態から前記低エネルギー消費状態まで下げて前記第２の待機状態として所定期間維持し前記所定期間が経過した後前記第１の待機状態に戻しその後前記半導体製造装置の状態を確認する省エネ制御の所要時間に関する情報を取得する制御情報取得手段と、
前記所要時間が前記待ち時間よりも短く且つ前記待ち時間中に前記省エネ制御を実行した場合の消費エネルギー量が前記第１の待機状態による制御を実行した場合の消費エネルギー量よりも低減されると見積もられる場合は前記第２の待機状態による省エネ制御を実行し、前記所要時間が前記待ち時間以上である場合又は前記待ち時間中に前記省エネ制御を実行した場合の消費エネルギー量が前記第１の待機状態による制御を実行した場合の消費エネルギーよりも低減されないと見積もられる場合は前記第２の待機状態による省エネ制御を実行しないとする前記省エネ制御を実行するか否かを判断する判断手段と、を含むことを特徴とするものである。
発明１０の半導体製造装置の制御システムは、前記製造ラインで製造される前記製品の処理工程順に関する情報と、当該製品の前記処理工程毎の処理時間に関する情報と、当該製品の前記製造ラインでの位置に関する情報とを管理する生産情報管理手段を備え、
前記製品情報取得手段は、前記処理工程順に関する情報と、前記処理時間に関する情報と、前記位置に関する情報とを前記生産情報管理手段から取得して前記待ち時間を算出することを特徴とするものである。

ここで、「生産情報管理手段」は例えばコンピュータで構成されており、処理工程順、
処理工程毎の処理時間、各製品（例えばロット）の製造ラインでの位置など、製造ライン
を流れる複数種類の製品の生産情報を管理する機能を有するものである。
発明９，１０の半導体製造装置の制御システムによれば、半導体製造装置の待機時の
待ち時間が省エネ制御の所要時間よりも長く、且つ待ち時間中に省エネ制御を実行するこ
とによって待機時の消費エネルギー量が低減されると見積もられる場合のみ、省エネ制御
を実行することが可能である。従って、ＴＡＴの短縮化を妨げることなく、半導体製造装
置の待機時のエネルギーロスを低減することが可能である。
以下、図面を参照しながら、本発明に係る半導体製造装置の制御方法及びその制御シス
テムについて説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体製造装置の制御システム１００の構成例を示
す概念図である。
図１に示すように、この制御システム１００は、半導体装置の製造ラインに配置された
複数台の半導体製造装置（以下、単に「製造装置」という。）５０ａ、５０ｂ、５０ｃ…
と、これらの製造装置５０に例えば１台ずつ対応して配置されたパーソナルコンピュータ
（以下、「ＰＣ」という。）６０ａ、６０ｂ、６０ｃ…と、製造ラインを流れる製品の生
産情報を管理する生産情報管理コンピュータ７０と、ＰＣ６０ａ、６０ｂ、６０ｃ…同士
及び、ＰＣ６０ａ、６０ｂ、６０ｃ…と生産情報管理コンピュー７０タとを双方向にデー
タを送受信可能に接続する信号線８０と、を含んだ構成となっている。
製造装置５０ａ、５０ｂ、５０ｃ…は、例えばドライエッチング装置や、ＣＶＤ装置、
熱処理装置等である。これらの製造装置５０ａ、５０ｂ、５０ｃ…には、消費エネルギー
として例えば電力と用力とが供給される。また、製品は、例えばウエーハやガラス基板等
に形成される半導体装置である。さらに、生産情報管理コンピュータ７０は、ＲＯＭ、Ｒ
ＡＭ、ハードディスク等で構成される記憶装置と、ＣＰＵとを備えた構成となっている。
この生産情報管理コンピュータ７０によって、例えば下記ａ〜ｄなどの生産情報が管理さ
れている。
ａ．生産機種情報
ｂ．生産機種の工程表情報
ｃ．生産機種・工程別の適応装置情報
ｄ．生産機種・工程別の処理時間情報
ここで、「生産機種情報」とは、製造ラインを流れる製品の種類のことである。また、
「生産機種の工程表情報」とは、製造ラインを流れるある製品の処理工程順に関する情報
のことである。処理工程順とは、例えば、洗浄工程→ゲート酸化工程→ポリシリコン膜の
成膜工程→酸化工程→フォトリソグラフィ工程、というような順番のことである。処理工
程順は、生産機種（即ち、製品の種類）によって異なることが普通である。
さらに、「生産機種・工程別の適応装置情報」とは、例えばエッチング装置について、
Ａ製品はエッチング装置α、βのどちらで処理しても構わないが、Ｂ製品はエッチング装
置αでのみ処理可能である、というような情報のことである。製造装置５０ａ、５０ｂ、
５０ｃ…は、仮に同じ型番の装置であったとしてもその性能にはばらつきがあるので、製
品の種類毎に適応装置が限定されている場合がある。
「生産機種・工程別の処理時間情報」とは、製造ラインを流れるある製品の処理工程毎
の処理時間に関する情報のことである。例えば、洗浄工程は４０分、ゲート酸化工程は３
時間、といったような処理時間に関する情報のことである。なお、同じ工程であっても製
品の種類によってその処理時間が異なる場合がある。例えば製品の種類によってゲート酸
化膜の厚さが異なる場合には、同じゲート酸化工程であってもその酸化処理時間は異なる
。一般に、ゲート酸化膜を厚く形成しようとする場合ほどその酸化処理時間は長くなる傾
向がある。
図２は、製造装置５０ａ及びＰＣ６０ａの一例を示す概念図である。ここでは、製造装
置５０ａの一例としてドライエッチング装置を説明する。図２に示すように、このドライ
エッチング装置５０ａは、平行平板型のＲＩＥ（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉ
ｎｇ）装置であり、カセット・チャンバー１０と、ロードロック・チャンバー２０と、プ
ロセス・チャンバー３０と、ＴＭＰ（ターボ分子ポンプ）２５，３５及びドライポンプ１
３，２３，３３と、熱交換器３１と、循環ポンプ３２と、ＲＦ電源３６と、マッチングＢ
ＯＸ３７と、マグネット電源３８と、を含んだ構成となっている。
図２に示すように、ドライポンプ１３はカセット・チャンバー１０内を排気するための
ものであり、ドライポンプ２３及びＴＭＰ２５はロードロック・チャンバー２０内を排気
するためのものである。また、ドライポンプ３３及びＴＭＰ３５はプロセス・チャンバー
３０内を排気するためのものである。これらのポンプが排気動作することによって、各チ
ャンバー内は所定の真空度を維持することができるようになっている。
また、熱交換器３１及び循環ポンプ３２は、プロセス・チャンバー３０内に配置された
ステージを冷却するためものである。循環ポンプ３２によって、熱交換器３１とステージ
との間で冷却水が循環するようになっている。さらに、ＲＦ電源３６及びマッチングＢＯ
Ｘ３７は、高周波放電によってプロセス・チャンバー３０内にプラズマを生成するための
ものである。マグネット電源３８は、ウエーハ上でのプラズマ密度を高めるためのもので
ある。
一方、ＰＣ６０ａは、例えば数値計算、論理演算、比較・判断などの各種処理を実行す
る機能を備えたロジックＩＣ６１と、メモリＩＣ６２等で構成されている。メモリＩＣ６
２は例えばＲＯＭやＲＡＭ等で構成されており、シーケンス制御のプログラムが格納され
ている。また、ＰＣ６０ａは、ドライポンプ１３，２３，３３及びＴＭＰ２５，３５と、
熱交換器３１及び循環ポンプ３２と、ＲＦ電源３６及びマッチングＢＯＸ３７と、マグネ
ット電源３８とに、それぞれ信号線を介して接続している。これにより、ＰＣ６０ａはド
ライエッチング装置５０ａの製品処理（即ち、エッチング処理）に関する動作を制御でき
るようになっている。
図３は、ドライエッチング装置５０ａで使われる電力（電源）及び用力の一例を示す表
図である。ここで、用力とは、電力以外のエネルギーのことであり、例えば排気、冷却水
、圧空、真空、窒素（Ｎ２）、放熱等である。図３に示すように、ドライエッチング装置
５０ａには、電力だけでなく、用力を消費する構成要素（機器）が多数ある。
図３中の○は、各機器が運転しており、製品処理（即ち、エッチング処理）時と同程度
の量のエネルギーを消費している状態を示している。また、図３中の△は、各機器が間欠
運転しており、○と比べてエネルギーの消費量が少ない状態を示している。さらに、図３
中で記号が無い部分（無印）では、各機器が停止している状態を示している。
図３に示すように、ドライエッチング装置５０ａの場合、スタンバイ（待機）状態は、
例えばスタンバイ−０、スタンバイ−１、スタンバイ−２に区分することができる。スタ
ンバイ−０は、製品処理を直ぐに開始できる状態である。スタンバイ−０では、ＲＦ電源
３６及びマグネット電源３８が停止となるものの、それ以外の機器（要素）は稼働状態を
維持し続ける。
また、スタンバイ−１、２では、ドライエッチング装置５０ａを構成する各機器の一部
が、低消費エネルギーで待機している状態あるいは、停止状態となっており、製品処理を
直ぐには開始できない状態となっている。
即ち、スタンバイ−１では、ＲＦ電源３６及びマグネット電源３８と、マッチングＢＯ
Ｘ３７の冷却水とがそれぞれ止められる。また、ＴＭＰの電源及び冷却水と、ドライポン
プの電源、冷却水、Ｎ２がそれぞれ間欠運転（間欠供給）となる。つまり、スタンバイ−
１では、スタンバイ−０よりも低いスタンバイエネルギー状態で装置が待機することとな
る。また、スタンバイ−２では、スタンバイ−１に対してさらに、ＴＭＰの電源及び冷却
水がそれぞれ止められる。つまり、スタンバイ−２では、スタンバイ−１よりもさらに低
いスタンバイエネルギー状態で装置が待機することとなる。
このように、製品処理を直ぐに開始可能なスタンバイ−０の状態と比べて、より低いエ
ネルギー状態を段階的に用意しておくことで、スタンバイ状態での消費エネルギーを段階
的に削減することができる。
図４（Ａ）は、省エネ制御の制御パターンの一例を示すグラフである。ここでは、省エ
ネ制御の制御パターンとして、スタンバイ−１とスタンバイ−２とを図示している。図４
（Ａ）において、横軸は時間を示し、縦軸はエネルギー量の大きさを示している。
図４（Ａ）に示すように、スタンバイ−１とスタンバイ−２の両制御パターンとも、立
下げ（ＣＤＴ）、待機（ＳＴＴ）、立上げ（ＷＵＴ）、状態確認（ＳＣＴ）の４つのステ
ップで構成されている。
立下げ（ＣＤＴ）は、製造装置５０ａを構成する各機器の少なくとも一部を、低消費エ
ネルギー状態（即ち、図３の△の状態）あるいは、停止状態（即ち、図３の無印の状態）
まで立ち下げるステップである。また、待機（ＳＴＴ）は、製造装置５０ａを構成する各
機器の少なくとも一部を低消費エネルギーあるいは、停止状態で待機させるステップであ
る。さらに、立上げ（ＷＵＴ）は、低消費エネルギー状態あるいは、停止状態で待機して
いた機器を、製品処理を直ぐに開始できる状態（即ち、図３の○の状態）まで立ち上げる
ステップである。状態確認（ＳＣＴ）は、立ち上げ直後の製造装置５０ａをスタンバイ−
０で一定時間待機させて省エネ制御の実施による装置状態（例えば、チャンバー内の真空
度等）のふらつきを自然に収束させると共に、装置状態に問題があるか無いかを確認する
ステップである。
図４（Ａ）に示すように、スタンバイ時間−１（ＳＴ−１）は、スタンバイ−１を実行
する際の総所要時間であり、立下げ（ＣＤＴ）、待機（ＳＴＴ）、立上げ（ＷＵＴ）、状
態確認（ＳＣＴ）の各ステップの所要時間の和である。また、スタンバイ時間−２（ＳＴ
−２）は、スタンバイ−２を実行する際の総所要時間であり、立下げ（ＣＤＴ）、待機（
ＳＴＴ）、立上げ（ＷＵＴ）、状態確認（ＳＣＴ）の各ステップの所要時間の和である。
図４（Ａ）に示すように、製造装置５０ａのスタンバイ時の消費エネルギー量を低くする
ほど、その立下げ（ＣＤＴ）、待機（ＳＴＴ）、立上げ（ＷＵＴ）の各ステップの所要時
間は長くなる傾向がある。本実施の形態では、スタンバイ時間−１（ＳＴ−１）＜スタン
バイ時間−２（ＳＴ−２）である。
図４（Ｂ）はスタンバイ−２で製造装置５０ａを待機させた場合の消費エネルギー量（
ＳＴＥ−２）を示す概念図である。また、図４（Ｃ）はスタンバイ−０で製造装置５０ａ
を待機させた場合の消費エネルギー量（ＳＴＥ−０）を示す概念図である。図４（Ｂ）及
び図４（Ｃ）において、横軸は時間を示し、縦軸はエネルギー量の大きさを示している。
図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）に示すように、製造装置５０ａの待機時の消費エネルギー量
は、縦軸のエネルギー量と、横軸のスタンバイ時間とで囲まれる面積（即ち、消費エネル
ギーの積分値）で表される。スタンバイ−０と比べて、スタンバイ−２では立下げ（ＣＤ
Ｔ）及び待機（ＳＴＴ）ステップでの消費エネルギーは小さいものの、立上げ（ＷＵＴ）
ステップでの消費エネルギーは大きい。従って、スタンバイ−２では、待機（ＳＴＴ）ス
テップの時間が極端に短いと、スタンバイ−０よりも消費エネルギー量が増えてしまう可
能性がある。同様に、スタンバイ−１でも、待機（ＳＴＴ）ステップの時間が極端に短い
と、スタンバイ−０よりも消費エネルギー量が増えてしまう可能性がある。
このような可能性を考慮して、本実施の形態では、スタンバイ−０を維持しているより
もスタンバイ−１、スタンバイ−２を実行した方が省エネとなるように、スタンバイ−１
、スタンバイ−２の待機（ＳＴＴ）時間をそれぞれ一定時間以上に設定しておく。スタン
バイ−１、スタンバイ−２において、待機（ＳＴＴ）の所要時間が長いほど、その消費エ
ネルギー量はスタンバイ−０と比べて小さくなる。
図５は、省エネ制御の制御パターンの選択方法を示すフローチャートである。まず始め
に、製造装置５０ａでの製品処理が終了した後で、この製造装置５０ａを用いて次に処理
する製品の最短製品到着時間ＡＴを計算する（ステップＳ１）。このステップＳ１でのＡ
Ｔの計算方法については、図６を参照しながら説明する。
図６は、最短製品到着時間ＡＴの計算方法を示すフローチャートである。
まず始めに、ステップＡ１では、ＰＣ６０ａが、上述した生産情報ａ〜ｄを生産情報管
理コンピュータ７０から入手する。次に、ステップＡ２では、製造ラインを現在流れてい
る製品または、近い将来に製造ラインに生産投入される製品の中から、製造装置５０ａで
処理される予定の製品を抽出する。例えば、製造ラインを流れる製品の種類として製品Ａ
〜Ｚまでがあり、これらの中でドライエッチング装置５０ａを用いて処理する種類の製品
がＡとＢだけの場合を想定する。この場合には、例えば生産情報ａ〜ｃに基づいて、ＰＣ
６０ａが製品Ａと製品Ｂとを抽出する。
次に、ステップＡ３では、製品Ａを製造ラインに投入してから当該製造装置５０ａで処
理するまでの途中工程と、製品Ｂを製造ラインに投入してから当該製造装置５０ａで処理
するまでの途中工程とをそれぞれ抽出する。このステップＡ３での抽出作業は、例えば生
産情報ｂ、ｃに基づいてＰＣ６０ａが行う。
そして、ステップＡ４では、途中工程の処理標準時間−ｉを製品の種類（即ち、生産機
種）別にそれぞれ抽出する。例えば、図７に示すように、製品Ａは、Ａ−１工程、Ａ−２
工程、Ａ−３工程、Ａ−４工程を経て、Ａ−ｎ工程（ｎ：ここでは５以上の整数）で当該
製造装置５０ａによって製品処理される場合を想定する。この場合、ステップＡ４では、
Ａ−１工程での標準処理時間は（Ａ−１）分、Ａ−２工程での標準処理時間は（Ａ−２）
分というように、製品Ａを処理する各工程での標準処理時間をそれぞれ抽出する。また、
当該製造装置５０ａは製品Ｂの処理も行うので、ステップＡ４では製品Ｂについても途中
工程の処理標準時間をそれぞれ抽出する。このステップＡ４での抽出作業は、例えば生産
情報ｂ、ｃ、ｄに基づいてＰＣ６０ａが行う。
次に、ステップＡ５では、工程間搬送及び処理待ちの標準時間を設定する。ここでは、
図７に示すように、工程間搬送及び処理待ちの標準時間が例えば一律にｔと設定されてい
るものとする。なお、実際の製造ラインでは装置の配置位置によって、工程間搬送の処理
時間がそれぞれ異なることが普通である。そのため、工程間毎に搬送及び処理待ちの標準
時間を設定しても良い。つまり、装置のレイアウトを考慮し、工程間の搬送時間を考慮す
るなどして、工程流動経路に応じた工程間時間を設定しても良い。
例えば、Ａ−２工程とＡ−３工程との間の搬送及び処理待ちの標準時間をｔ２３分とし
、Ａ−３工程とＡ−４工程との間の搬送及び処理待ちの標準時間をｔ３４分とする。Ａ−
２工程で使用する装置とＡ−３工程で使用する装置は遠く離れており、Ａ−３工程とＡ−
４工程で使用する装置は近接している場合には、普通はｔ３４＜ｔ２３となる。ｔ２３や
ｔ３４の値は、それぞれの工程間での搬送及び処理待ちの時間を実際に記録してその平均
値とすれば良い。
次に、ステップＡ６では、途中工程の総処理標準時間と、総工程間標準時間の合計を製
品の種類別にそれぞれ計算する。総処理標準時間は（１）式で、総工程間時間は（２）式
でそれぞれ算出することが可能である。この計算は例えばＰＣ６０ａが行う。
Figure 0004232788
（１）式、（２）式において、Ｎは製品Ａ又は、製品Ｂの現在位置から製造装置５０ａに
到着するまでの途中工程の数を示す。
次に、ステップＡ７では、当該製造装置５０ａを用いて処理される予定の全ての製品Ａ
、Ｂについて、その製品到着時間をそれぞれ計算する。製品到着時間は（３）式で算出す
ることが可能である。この計算は例えばＰＣが行う。
Figure 0004232788
そして、ステップＡ８では、ステップＡ７での計算結果に基づいて、製品到着時間の最
も短い製品を特定する。この特定された製品の製品到着時間が、上述の最短製品到着時間
ＡＴである。
図５に戻って、ステップＳ２では、製造装置５０ａのスタンバイ時間であるＳＴ−１と
ＳＴ−２とをＰＣ６０ａが読み込む。図４（Ａ）に示したように、本実施の形態では、Ｓ
Ｔ−１＜ＳＴ−２である。そして、ステップＳ３では、製造装置５０ａをスタンバイ−０
で待機させた場合の消費エネルギー量ＳＴＥ−０と、スタンバイ−１で装置を待機させた
場合の消費エネルギー量ＳＴＥ−１と、スタンバイ−２で装置を待機させた場合の消費エ
ネルギー量ＳＴＥ−２とをそれぞれＰＣ６０ａが読み込む。
次に、ステップＳ４では、製造装置５０ａにおける最短製品到着時間ＡＴと、スタンバ
イ−２の総所要時間ＳＴ−２とを比較する。ＳＴ−２よりもＡＴの方が長い場合（即ち、
ＳＴ−２＜ＡＴの場合）には、ステップＳ５へ進む。また、ＳＴ−２≧ＡＴの場合にはス
テップＳ７へ進む。このＳＴ−２とＡＴとの比較及び、大小の判断はＰＣ６０ａが行う。
ステップＳ５では、製造装置５０ａをスタンバイ−２で待機させた場合の消費エネルギ
ー量ＳＴＥ−２と、スタンバイ−１で待機させた場合の消費エネルギー量ＳＴＥ−１とを
比較する。ＳＴＥ−２よりもＳＴＥ−１が大きい場合（即ち、ＳＴＥ−２＜ＳＴＥ−１の
場合）には、ステップＳ６へ進む。また、ＳＴＥ−２≧ＳＴＥ−１の場合にはステップＳ
８へ進む。このＳＴＥ−２とＳＴＥ−１との比較及び、大小の判断はＰＣ６０ａが行う。
ステップＳ６では、製造装置５０ａをスタンバイ−２で待機させた場合の消費エネルギ
ー量ＳＴＥ−２と、スタンバイ−０で待機させた場合の消費エネルギー量ＳＴＥ−０とを
ＰＣ６０ａが比較する。ＳＴＥ−２よりもＳＴＥ−０が大きい場合（即ち、ＳＴＥ−２＜
ＳＴＥ−０の場合）にはステップＳ９へ進み、ＰＣ６０ａは製造装置５０ａにスタンバイ
−２の実行を指示する。また、ＳＴＥ−２≧ＳＴＥ−０の場合にはステップＳ１１へ進み
、ＰＣ６０ａは製造装置５０ａにスタンバイ−０の実行を指示する。
一方、ステップＳ７では、製造装置５０ａにおける最短製品到着時間ＡＴと、スタンバ
イ−１の総所要時間ＳＴ−１とを比較する。ＳＴ−１よりもＡＴの方が長い場合（即ち、
ＳＴ−１＜ＡＴの場合）には、ステップＳ８へ進む。また、ＳＴ−１≧ＡＴの場合にはス
テップＳ１１へ進む。このＳＴ−１とＡＴとの比較及び、大小の判断はＰＣ６０ａが行う
。
ステップＳ８では、製造装置５０ａをスタンバイ−１で待機させた場合の消費エネルギ
ー量ＳＴＥ−１と、スタンバイ−０で待機させた場合の消費エネルギー量ＳＴＥ−０とを
ＰＣが比較する。ＳＴＥ−１よりもＳＴＥ−０が大きい場合（即ち、ＳＴＥ−１＜ＳＴＥ
−０の場合）にはステップＳ１０へ進み、ＰＣ６０ａは製造装置５０ａにスタンバイ−１
の実行を指示する。また、ＳＴＥ−１≧ＳＴＥ−０の場合にはステップＳ１１へ進む。
このように、本発明の実施の形態によれば、製造装置５０ａ、５０ｂ、５０ｃ…の待機
時の待ち時間が省エネ制御の所要時間よりも長く、且つ待ち時間中に省エネ制御を実行す
ることによって待機時の消費エネルギー量が低減されると見積もられる場合のみ、省エネ
制御を実行することが可能である。従って、ＴＡＴの短縮化を妨げることなく、製造装置
５０ａ、５０ｂ、５０ｃ…の待機時のエネルギーロスを低減することが可能である。
なお、本発明では、図５のフローチャートにしたがってスタンバイ−１または、スタン
バイ−２を指示した後も、最短製品処理待ち時間ＡＴを再取得し（即ち、最新のＡＴを取
得し）、ＡＴが立上げ（ＷＵＴ）時間に状態確認（ＳＣＴ）時間を加えた時間と等しくな
るまで、待機（ＳＴＴ）ステップを維持するようにしても良い。即ち、省エネ制御を実行
している間も最短製品処理待ち時間ＡＴの再計算を繰り返し行い、図８に示すようにＡＴ
≧ＷＵＴ＋ＳＣＴを満たしている間は待機（ＳＴＴ）時間を延長し続けても良い。
図９は、省エネ制御の延長方法を示すフローチャートである。まず始めに、ステップＢ
１で、次に処理する製品の最短製品到着時間ＡＴを計算する。このステップＢ１でのＡＴ
の計算方法は、図５のステップＳ１での計算方法と同じである。次に、ステップＢ２では
、実行中のスタンバイ状態で、装置立上げ時間ＷＵＴ（ｉ）と、確認時間ＳＣＴ（ｉ）と
をＰＣ６０ａが読み込む。ここで、ｉは制御パターンの種類を示す整数である。例えば、
スタンバイ−２を実行している場合は、製造装置５０ａの立上げに要する時間ＷＵＴ（２
）と、装置の確認時間ＳＣＴ（２）とをＰＣ６０ａが読み込む。
そして、ステップＢ３では、立上げ時間ＷＵＴ（ｉ）に確認時間ＳＣＴ（ｉ）を加えた
時間と、最短製品到着時間ＡＴとをＰＣ６０ａが比較する。ＡＴ≦ＷＵＴ（ｉ）＋ＳＣＴ
（ｉ）の場合にはステップＢ４へ進み、立上げ（ＷＵＴ）ステップを開始する。また、Ａ
Ｔ＞ＷＵＴ（ｉ）＋ＳＣＴ（ｉ）の場合は、ステップＢ１に戻り、待機（ＳＴＴ）ステッ
プを維持しつつ、最短到着時間ＡＴの再計算を行う。つまり、ＡＴ≦ＷＵＴ（ｉ）＋ＳＣ
Ｔ（ｉ）を満足するまで、待機（ＳＴＴ）ステップを維持しつつ、ステップＢ１〜Ｂ３を
繰り返し行う。
このように本発明によれば、待ち時間の変動に柔軟に対応することが可能である。即ち
、省エネ制御の実行中に待ち時間が短くなった場合には、省エネ制御を途中で止めて、製
造装置５０ａの電力及び用力所要量（即ち、エネルギーレベル）を処理可能レベルまで直
ちに回復させることが可能である。また、省エネ制御の実行中に待ち時間が長くなった場
合には、エネルギーレベルを低エネルギーレベルで維持する待機（ＳＴＴ）ステップを延
長することができる。
また、本発明では、省エネ制御の実行中に待ち時間が長くなった場合には、その制御パ
ターンをより省エネ効果の高いパターンに変更しても良い。例えば、図１０に示すように
、スタンバイ−１を実行中に最短製品到着時間ＡＴをＰＣ６０ａが再取得する（即ち、最
新のＡＴを取得する）と共に、このＡＴ再取得時点でスタンバイ−１からスタンバイ−２
に変更した場合の省エネ制御の所要時間ＳＴ−２´をＰＣ６０ａが計算する。また、ＡＴ
再取得時点でスタンバイ−１をスタンバイ−２に変更した場合に予想される省エネ効果（
即ち、消費エネルギー量の増減）をＰＣ６０ａが算出する。
そして、ＡＴ≧ＳＴ−２´で、且つスタンバイ−１からスタンバイ−２に変更した方が
消費エネルギー量が低減するとＰＣ６０ａが判断した場合には、図１０に示すようにスタ
ンバイレベルをスタンバイ−１からスタンバイ−２に変更する。一方、ＡＴ＜ＳＴ−２の
場合や、スタンバイレベルの変更によって省エネ効果が悪化するような場合にはスタンバ
イレベルの変更は行わない。
このように本発明によれば、省エネ制御の実行中に待ち時間が長くなった場合には、当
該省エネ制御の制御パターンをより省エネ効果の高いパターンに変更することができるの
で、待ち時間の変動に柔軟に対応しつつ省エネ効果を高めていくことが可能である。最短
製品到着時間ＡＴは製造ラインのトラブルや、生産計画の見直し等によって変動すること
が多いので、このようなスタンバイレベルの見直しは省エネ制御の実行中にＰＣ６０ａが
繰り返し行うことが好ましい。
また、本発明では、必ずしも最短製品到着時間ＡＴを正確に確定しなくても良い。装置
毎に消費エネルギーを削減するに必要な時間以上に製品処理待ちが続く事がわかった場合
（例えば、あと６時間は最低製品が流れてこない、といったような場合）には、この予測
時間に基づいて例えば図５や、図９のフローチャートを実行しても良い。
さらに、本発明では最短製品到着時間ＡＴを、製造ラインを流れる製品の処理工程順と
、当該製品の処理工程毎の処理時間と、当該製品の製造ラインでの位置とから理論的に予
想される時間よりも短い時間（即ち、製品が製造装置のもとに絶対に到着することのない
時間）に設定してもよい。例えば、（３）式において、総工程間時間を０と見なして、製
品処理待ち時間＝総処理標準時間としても良い。
このような構成であれば、省エネ制御を終える前に製造装置５０ａのもとに製品が到着
してしまうといった事態を絶対に起こさないようにすることができるので、省エネ制御を
安心して実行することができる。
この実施の形態では、ＰＣ６０ａ（又はＰＣ６０ｂ、ＰＣ６０ｃ）が本発明の「製品情
報取得手段」と「制御情報取得手段」と「判断手段」とに対応している。また、生産情報
管理コンピュータ７０が本発明の「生産情報管理手段」に対応している。
実施の形態に係る半導体製造装置の制御システム１００の構成例を示す概念図。 製造装置５０ａ及びＰＣ６０ａの一例を示す概念図。 ドライエッチング装置５０ａで使われる電力及び用力の一例を示す表図。 省エネ制御の制御パターンの一例と、消費エネルギー量とを示すグラフ。 省エネ制御の制御パターンの選択方法を示すフローチャート。 最短製品到着時間ＡＴの計算方法を示すフローチャート。 標準処理時間と標準工程間時間とを示す図。 立上げ時の制御パターンの一例を示す図。 省エネ制御の延長方法を示すフローチャート。 制御パターンの途中変更の一例を示す図。
符号の説明
１０ カセット・チャンバー、１３，２３，３３ ドライポンプ ２０ ロードロック
・チャンバー、２５，３５ ＴＭＰ ３０ プロセス・チャンバー、３１ 熱交換器、３
２ 循環ポンプ、３６ ＲＦ電源、３７ マッチングＢＯＸ、５０ａ 製造装置（一例と
して、ドライエッチング装置）、５０ｂ、５０ｃ 製造装置、６０ａ、６０ｂ、６０ｃ
ＰＣ、６１ ロジックＩＣ、６２ メモリＩＣ、７０ 生産情報管理コンピュータ、１０
０ 制御システム

Claims (10)

  1. 半導体製造装置の待機時の制御方法であって、
    少なくとも前記半導体製造装置の待機時の電力及び用力所要量を製品処理が開始可能なエネルギー消費状態で待機する第1の待機状態と、前記半導体製造装置の前記待機時の電力及び用力所要量を製品処理を開始できない低エネルギー消費状態で待機する第２の待機状態とを備え、
    前記半導体製造装置を含む製造ラインで製造される製品の、処理工程順に関する情報と前記処理工程毎の処理時間に関する情報と前記製造ラインでの位置に関する情報とから、前記製品が前記半導体製造装置のもとに到着するまでに要する待ち時間に関する情報を取得する工程と、
    前記半導体製造装置の前記待機時の電力及び用力所要量を前記第１の待機状態から前記低エネルギー消費状態まで下げて前記第２の待機状態として所定期間維持し前記所定期間が経過した後前記第１の待機状態に戻しその後前記半導体製造装置の状態を確認する省エネ制御の所要時間に関する情報を取得する工程と、
    前記所要時間が前記待ち時間よりも短く且つ前記待ち時間中に前記省エネ制御を実行した場合の消費エネルギー量が前記第１の待機状態による制御を実行した場合の消費エネルギー量よりも低減されると見積もられる場合は前記第２の待機状態による省エネ制御を実行し、前記所要時間が前記待ち時間以上である場合又は前記待ち時間中に前記省エネ制御を実行した場合の消費エネルギー量が前記第１の待機状態による制御を実行した場合の消費エネルギーよりも低減されないと見積もられる場合は前記第２の待機状態による省エネ制御を実行しないとする前記省エネ制御を実行するか否かの判断を行う工程と、を含むことを特徴とする半導体製造装置の制御方法。
  2. 前期第２の待機状態は、前記所要時間と消費エネルギー量とがそれぞれ異なる複数種類の制御パターンを有し、
    前記第２の待機状態による省エネ制御を実行するか否かを判断する工程では、
    前記待ち時間と前期複数種類の制御パターンそれぞれの前記所要時間とを前記複数種類の制御パターン毎にそれぞれ比較し、
    前記複数種類の制御パターンの中で前記所要時間が前記待ち時間よりも短い制御パターンが１つだけの場合には、当該特定パターンによる制御を前記第２の待機状態による省エネ制御として前記第２の待機状態による省エネ制御を実行するか否かの判断を行い、前記複数種類のパターンの中で前記所要時間が前記待ち時間よりも短い制御パターンが２つ以上ある場合には、当該制御パターンの中から最も待機時の消費エネルギー量が小さい制御パターンを選択し選択された当該制御パターンによる制御を前記第２の待機状態による省エネ制御として前記第2の待機状態による省エネ制御を実行するか否かの判断を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置の制御方法。
  3. 前記省エネ制御を実行している間に最新の前記待ち時間に関する情報を取得する工程と、
    最新の前記待ち時間に関する情報に基づいて、実行中の前記省エネ制御の制御パターンを見直す工程と、
    を含むことを特徴とする請求項１から請求項２の何れか一項に記載の半導体製造装置の制御方法。
  4. 前記省エネ制御を実行している間に前記待ち時間に関する最新の情報を取得する工程と、
    実行中の前記省エネ制御を途中で止めて前記半導体製造装置の電力及び用力所要量を前
    記第１の待機状態まで直ちに復帰させる場合の復帰所要時間に関する情報を取得する工程
    と、
    最新の前記待ち時間と前記復帰所要時間とを比較し、当該比較の結果に基づいて前記省
    エネ制御を継続するか否かを判断する工程と、を含むことを特徴とする請求項１から請求
    項２の何れか一項に記載の半導体製造装置の制御方法。
  5. 前記半導体製造装置の前記省エネ制御を実行している間に、
    前記待ち時間に関する最新の情報を取得する工程と、前記復帰所要時間に関する情報を
    取得する工程と、前記省エネ制御を継続するか否かを判断する工程と、を当該順にしたが
    って繰り返し行うことを特徴とする請求項４に記載の半導体製造装置の制御方法。
  6. 前記省エネ制御を実行している間に前記待ち時間に関する最新の情報を取得する工程と、
    実行中の前記省エネ制御の制御パターンを他のパターンに変更した場合の新たな所要時
    間に関する情報を取得する工程と、
    最新の前記待ち時間と前記新たな所要時間とを比較すると共に、実行中の前記制御パタ
    ーンを前記他のパターンに変更した場合の省エネ効果の増減を見積もり、前記比較の結果と
    前記見積もりの結果とに基づいて、実行中の前記制御パターンを前記他のパターンに変更
    するか否かを判断する工程と、を含むことを特徴とする請求項１から請求項２の何れか一
    項に記載の半導体製造装置の制御方法。
  7. 前記半導体製造装置の前記省エネ制御を実行している間に、
    前記待ち時間に関する最新の情報を取得する工程と、前記新たな所要時間に関する情報
    を取得する工程と、実行中の前記制御パターンを前記他のパターンに変更するか否かを判
    断する工程と、を当該順にしたがって繰り返し行うことを特徴とする請求項６に記載の半
    導体製造装置の制御方法。
  8. 前記製造ラインで製造される前記製品の処理工程順と、当該製品の前記処理工程毎の処理時
    間と、当該製品の前記製造ラインでの位置とから理論的に予想される時間よりも短い時間を、前記待ち時間に設定することを特徴とする請求項１から請求項７の何れか一項に記載の半導体製造装置の制御方法。
  9. 半導体製造装置の待機時の制御システムであって、
    少なくとも前記半導体製造装置の待機時の電力及び用力所要量を製品処理が開始可能なエネルギー消費状態で待機する第1の待機状態と、前記半導体製造装置の前記待機時の電力及び用力所要量を製品処理を開始できない低エネルギー消費状態で待機する第２の待機状態とを備え、
    前記半導体製造装置を含む製造ラインで製造される製品の、処理工程順に関する情報と前記処理工程毎の処理時間に関する情報と前記製造ラインでの位置に関する情報とから、前記製品が前記半導体製造装置のもとに到着するまでに要する待ち時間に関する情報を取得する製品情報取得手段と、
    前記半導体製造装置の前記待機時の電力及び用力所要量を前記第１の待機状態から前記低エネルギー消費状態まで下げて前記第２の待機状態として所定期間維持し前記所定期間が経過した後前記第１の待機状態に戻しその後前記半導体製造装置の状態を確認する省エネ制御の所要時間に関する情報を取得する制御情報取得手段と、
    前記所要時間が前記待ち時間よりも短く且つ前記待ち時間中に前記省エネ制御を実行した場合の消費エネルギー量が前記第１の待機状態による制御を実行した場合の消費エネルギー量よりも低減されると見積もられる場合は前記第２の待機状態による省エネ制御を実行し、前記所要時間が前記待ち時間以上である場合又は前記待ち時間中に前記省エネ制御を実行した場合の消費エネルギー量が前記第１の待機状態による制御を実行した場合の消費エネルギーよりも低減されないと見積もられる場合は前記第２の待機状態による省エネ制御を実行しないとする前記省エネ制御を実行するか否かを判断する判断手段と、
    を含むことを特徴とする半導体製造装置の制御システム。
  10. 前記製造ラインで製造される前記製品の処理工程順に関する情報と、当該製品の前記処理工程毎の処理時間に関する情報と、当該製品の前記製造ラインでの位置に関する情報とを管理する生産情報管理手段を備え、
    前記製品情報取得手段は、前記処理工程順に関する情報と、前記処理時間に関する情報と、前記位置に関する情報とを前記生産情報管理手段から取得して前記待ち時間を算出することを特徴とする請求項９に記載の半導体製造装置の制御システム。
JP2006101696A 2006-04-03 2006-04-03 半導体製造装置の制御方法及びその制御システム Expired - Fee Related JP4232788B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006101696A JP4232788B2 (ja) 2006-04-03 2006-04-03 半導体製造装置の制御方法及びその制御システム
US11/693,777 US7684903B2 (en) 2006-04-03 2007-03-30 Method and system for controlling semiconductor manufacturing apparatus
US12/697,636 US7885728B2 (en) 2006-04-03 2010-02-01 Method and system for controlling semiconductor manufacturing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006101696A JP4232788B2 (ja) 2006-04-03 2006-04-03 半導体製造装置の制御方法及びその制御システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007280994A JP2007280994A (ja) 2007-10-25
JP4232788B2 true JP4232788B2 (ja) 2009-03-04

Family

ID=38557002

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006101696A Expired - Fee Related JP4232788B2 (ja) 2006-04-03 2006-04-03 半導体製造装置の制御方法及びその制御システム

Country Status (2)

Country Link
US (2) US7684903B2 (ja)
JP (1) JP4232788B2 (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4232788B2 (ja) * 2006-04-03 2009-03-04 セイコーエプソン株式会社 半導体製造装置の制御方法及びその制御システム
EP2023232A1 (en) * 2007-08-03 2009-02-11 Brite Ideas Global Limited Energy saving device
JP4975605B2 (ja) * 2007-12-26 2012-07-11 東京エレクトロン株式会社 処理システム、処理システムの制御方法およびソフトウェアのバージョンアップ方法
JP5341374B2 (ja) * 2008-03-13 2013-11-13 光洋サーモシステム株式会社 熱処理装置
WO2010034333A1 (de) * 2008-09-26 2010-04-01 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum betreiben einer industrietechnischen anlage, industrietechnische anlage sowie komponente für eine solche
US9075408B2 (en) * 2009-11-16 2015-07-07 Applied Materials, Inc. Energy savings and global gas emissions monitoring and display
US9740184B2 (en) * 2009-11-16 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Controls interface solution for energy savings
JP2011119511A (ja) * 2009-12-04 2011-06-16 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
DE102010003078A1 (de) * 2010-03-19 2011-09-22 Krones Ag Vorrichtung und Verfahren zum Steuern einer Abfüllanlage
JP4775516B1 (ja) 2011-03-14 2011-09-21 オムロン株式会社 制御装置、制御方法、プログラム、記録媒体
JP5627518B2 (ja) * 2011-03-16 2014-11-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および電源管理方法
JP5888019B2 (ja) * 2011-12-12 2016-03-16 オムロン株式会社 制御装置、制御方法、プログラムおよび記録媒体
US9207270B2 (en) * 2012-08-31 2015-12-08 Elwha Llc Method and apparatus for measuring negawatt usage of an appliance
JP2014053496A (ja) * 2012-09-07 2014-03-20 Tokyo Electron Ltd プログラム、演算装置及び演算方法
JP6024326B2 (ja) * 2012-09-13 2016-11-16 オムロン株式会社 制御装置、制御システム、制御方法、プログラムおよびその記録媒体
JP5998010B2 (ja) * 2012-10-24 2016-09-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理システム、基板処理装置の制御方法、プログラムおよび記録媒体
US11635216B2 (en) * 2018-08-23 2023-04-25 Texas Capitol Semiconductor, Inc. Semiconductor turbine reset
KR102268279B1 (ko) * 2018-10-18 2021-06-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 이의 제어 방법 및 기억 매체

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0577144A (ja) 1991-04-01 1993-03-30 Nec Yamagata Ltd 作業指示装置
JPH1157667A (ja) 1997-08-19 1999-03-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発酵処理槽およびそれを用いた生ゴミ粉砕発酵処理装置
US6035245A (en) * 1998-03-24 2000-03-07 Advanced Micro Devices, Inc. Automated material handling system method and arrangement
JP2000260672A (ja) 1999-03-04 2000-09-22 Toshiba Microelectronics Corp 半導体製造装置及び複数ユニットの電源開閉方法
JP4564641B2 (ja) 2000-10-17 2010-10-20 キヤノン株式会社 印刷システム、制御装置および印刷方法
US6986261B2 (en) * 2002-11-15 2006-01-17 Tokyo Electron Limited Method and system for controlling chiller and semiconductor processing system
JP3999649B2 (ja) * 2002-12-19 2007-10-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置とその動作方法、およびプログラム
JP4451076B2 (ja) * 2003-04-16 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JP2006181882A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Kyocera Mita Corp セキュリティ管理装置、方法、及びそのプログラム
JP4232788B2 (ja) * 2006-04-03 2009-03-04 セイコーエプソン株式会社 半導体製造装置の制御方法及びその制御システム

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007280994A (ja) 2007-10-25
US20100138076A1 (en) 2010-06-03
US20070227448A1 (en) 2007-10-04
US7684903B2 (en) 2010-03-23
US7885728B2 (en) 2011-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4232788B2 (ja) 半導体製造装置の制御方法及びその制御システム
JP4496980B2 (ja) 半導体製造装置の制御方法及びその制御システム
CN100444064C (zh) 电力供给系统、电力供给方法和批量处理方法
JP4472637B2 (ja) 電気的製造制御に対する確率制約最適化
US6647307B1 (en) Method for controlling queue time constraints in a fabrication facility
US20100136716A1 (en) Manufacturing apparatus for semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device
TW201510885A (zh) 用於在預測系統中最佳化獲利的方法及裝置
WO2006041543A1 (en) Method and system for dynamically adjusting metrology sampling based upon available metrology capacity
KR20060093055A (ko) 복수의 전력 사용계의 동작 제어 장치, 동작 제어 방법, 그프로그램 및 기억 매체
TWI457843B (zh) 監控處理設備之方法及記錄相關指令的電腦可讀取媒體
WO2006041542A2 (en) Method and system for dynamically controlling metrology work in progress
CN108255283A (zh) 半导体器件、操作条件控制方法及非暂时性计算机可读介质
WO2004032224A1 (en) Method and apparatus for controlling a fabrication process based on a measured electrical characteristic
US20080059261A1 (en) Method for capturing and using design intent in an integrated circuit fabrication process
CN1592873A (zh) 具有状态和模型参数估计的半导体批次控制系统
Wang et al. Application of machine learning for process control in semiconductor manufacturing
CN114818395B (zh) 一种基于ropn模型的生产调度仿真方法及其装置
Tsai et al. A hybrid dispatching rules in wafer fabrication factories
JP2001189247A (ja) プロセス制御装置
US6823228B2 (en) Fabricator capacity analysis
JPH11170144A (ja) 半導体製造システム
CN108415547A (zh) 电子装置及其电源管理方法
TW202416076A (zh) 溫度控制系統、控制系統、及控制具有製程室的設備之方法
JP2009158659A (ja) 半導体製造装置およびその制御方法
CN114740692A (zh) 曝光批次的控制方法和系统

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080617

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080806

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080826

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081021

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20081118

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20081201

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111219

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111219

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121219

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121219

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131219

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees