JP2000260672A - 半導体製造装置及び複数ユニットの電源開閉方法 - Google Patents

半導体製造装置及び複数ユニットの電源開閉方法

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JP2000260672A
JP2000260672A JP11057667A JP5766799A JP2000260672A JP 2000260672 A JP2000260672 A JP 2000260672A JP 11057667 A JP11057667 A JP 11057667A JP 5766799 A JP5766799 A JP 5766799A JP 2000260672 A JP2000260672 A JP 2000260672A
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wafer
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JP11057667A
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Kanji Kawashita
寛司 川下
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Toshiba Electronic Device Solutions Corp
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Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ユニット1、2、3、4毎の待機時間中の電
力の消費を低減した半導体製造装置を提供することがで
きる。 【解決手段】 ユニット電源制御部13に指示されたユ
ニット電源開閉部5により、半導体ウェーハへ異なる処
理を行うユニット1、2、3、4への電力の供給を、ユ
ニット1、2、3、4毎の待機時間に停止する。このこ
とにより各ユニット1、2、3、4に待機時間を短縮す
るような電力の供給が可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置への複数
の処理を個々の処理専用のユニットで順次行う半導体製
造装置に係り、そして、電力使用量を低減する半導体製
造装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図9は、半導体製造装置のユニットの配
置図である。半導体製造装置としてはレジスト塗布現像
装置を取り上げた。レジスト塗布現像装置は、露光装置
25と連結して使用される。レジスト塗布現像装置は、
半導体ウェーハを収納するキャリアと装置内部との間で
ウェーハの授受を行うローダユニット21とアンローダ
ユニット28、ウェーハ上にレジストの塗膜を形成する
塗布ユニット22、レジストの塗布後にウェーハを乾燥
するベーカユニット23とウェーハの授受を露光装置5
とで行うアライメントユニット24、露光後のウェーハ
のレジストを現像する現像ユニット26、現像後にウェ
ーハを乾燥するベーカユニット27、各処理ユニット2
2、23、24、26、27間でウェーハの受渡しを行
う搬送ユニット29、塗布用と現像用の2つの薬液温調
ユニット30、31と塗布後と現像後の2つのベーカヒ
ータの制御ユニット32、33で構成される。半導体ウ
ェーハはローダユニット21、塗布ユニット22、ベー
カユニット23、アライメントユニット24、露光装置
25、現像ユニット26、ベーカユニット27、アンロ
ーダユニット28の図中の黒丸の点を矢印で示した順
に、搬送ユニット29によって枚葉搬送されながらレジ
ストの塗布、露光、現像という一連の処理を施される。
【0003】図10は、従来の半導体製造装置でウェー
ハを処理する際の、各ユニットの電源投入のタイミング
を示すタイミングチャートである。図11は、各ユニッ
トの電源停止のタイミングを示すタイミングチャートで
ある。半導体製造装置としてレジスト塗布現像装置を例
に取り説明する。レジスト塗布現像装置では図9のベー
カユニット23と27のベーカヒータの温度を安定させ
るため制御ユニット32と33や、塗布ユニット22と
現像ユニット26のレジスト等の温度を安定させるため
薬液温調ユニット30と31に対する電源供給を常時実
施している。ウェーハ25枚で構成されるロットの処理
開始指示がレジスト塗布現像装置に与えられる前、薬液
温調ユニット30と31とベーカヒータの制御ユニット
32と33を除くユニットへの電源供給は停止されてい
る。そして、説明を簡単にするために各ユニットの動作
時間を以下に示すように同一として説明する。
【0004】 Ti(初期化時間) :20秒 TL(ウェーハロード時間) :5秒 TR(レシピ処理時間) :60秒 Tu(ウェーハアンロード時間) :5秒 塗布ユニット22、ベーカユニット23、アライメント
ユニット24、現像ユニット26、ベーカユニット27
はレシピ処理を実施する前段階にユニットの各センサ、
アクチュエータに対してそれぞれ一定の初期化をおこな
う。その後、ウェーハのロード、レシピ処理、ウェーハ
のアンロードの動作をウェーハ1からウェーハ25まで
1枚毎にくり返す。
【0005】装置が1ロット25枚の半導体ウェーハに
レシピ処理を実施した場合、塗布、乾燥、現像の各処理
ユニットの実動作時間Tt(ウェーハ取扱時間)は、(T
i+(TL+TR+Tu)×25)より1770秒となる。
【0006】また、図10に示す初期動作を終えた処理
ユニットに先頭ウェーハが搬入されるまでの処理前待機
時間と、図11に示す処理ユニツトが最終ウェーハを処
理して装置全体のレシピ処理が終了するまでの処理後待
機時間の和を処理ユニット毎の待機時間Twとする。こ
の待機時間Twは、((処理ユニット数−1)×(TL+TR+
Tu))より280秒となる。
【0007】こうした構成の装置はウェーハ処理前、処
理終了後における各ユニットの待機状態の間も、電源供
給が継続される為に稼動していないユニットのセンサ等
は電力を不要に消費していまう。また、ローダ/アンロ
ーダユニット21、28、アライメントユニット24、
搬送ユニット29の半導体ウェーハに直接的にレシピ処
理を行わないユニットは処理ユニット22、23、2
4、26、27がレシピ処理中は実質的な動作が無く、
待機時間の比率が多いため不要な電力を消費している。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事情に
鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、
ユニット毎の待機時間中の電力の消費を低減した半導体
製造装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】発明者らは、半導体製造
装置全体で消費される電力を抑制するにあたり、その装
置はウェーハを処理しているにも関わらずその装置内の
複数のユニットでは待機時間が存在することに着目し
た。そして、これらの複数のユニットにおいて発生する
時期と長さの異なる待機時間のはじまる条件と終了する
条件を検討することにより本発明に至った。本発明で
は、ユニット毎に、待機時間のはじまる条件でそのユニ
ットの電源を停止し、待機時間の終了する条件でそのユ
ニットの電源を投入する。そして、待機時間のはじまる
条件すなわち電源停止条件と、待機時間の終了する条件
すなわち電源投入条件は以下のようにすればよいことが
わかった。
【0010】1、ユニットの電源停止条件 (1)装置全体の電源を投入後、一定の時間が経過して
も、装置にロットの投入や動作指示の命令が入出力装置
から入力されない時。 (2)該当するユニットにレシピが設定されていない
時。 (3)レシピがあっても、先頭のウェーハが前段のユニ
ットに搬入される前。 (4)最終のウェーハがユニットを通過している時。 (5)ユニットを選択している次発ロットがあり、現在
処理中のロットの最終ウェーハ通過時刻と、次ロットの
先頭ウェーハのユニット到達予定時刻の差が、ユニット
の初期化時間より大きい時。
【0011】2、ユニットの電源投入条件 (1)装置の装置の立ち上げとして、装置に電源を投入
した時。 (2)ロット非投入時にユニットに独自の動作指示を与
えた時。 (3)ロット投入後、先頭ウェーハがユニットに到着す
る予定時刻と現在時刻の差が、ユニットの初期化に要す
る時間以下になった時。
【0012】これらの条件より目的を達成するために、
本発明の第1の特徴は、半導体ウェーハへ異なる処理を
行う複数のユニットと、このユニットが連動して半導体
ウェーハを処理するレシピの記録設定と保管管理を行う
レシピ管理部と、このレシピに基づいて処理の指令をユ
ニットに与えるユニット処理制御部と、個々のユニット
について待機時間には電力の供給を停止するユニット電
源制御部と、このユニット電源制御部の指示によりユニ
ットへの電力の供給と停止を行うユニット電源開閉部を
有する半導体製造装置であることである。ここで、レシ
ピとは、半導体ウェーハに対する処理内容のことであ
る。また、待機時間とは、ユニットにおいてウェーハの
処理やウェーハのロード/アンロードが行われていない
時間で、処理待ちの時間のことである。このことによ
り、各ユニットに待機時間を短縮するような電力の供給
と停止が可能で、ユニット内に設置したセンサとアクチ
ュエータ等の不要な電力消費を抑制する事ができる。ロ
ットの投入が断続的で不定期な場合や、装置のプロセス
条件出しの場合に特に節電の効果が得られると考えられ
る。
【0013】本発明の第1の特徴は、ユニット電源制御
部が、ユニットの待機時間の終了時刻を、個々のユニッ
トの初期化時間、ウェーハロード時間、ウェーハアンロ
ード時間と処理の時間から算出し、この終了時刻にユニ
ット電源開閉部に電力の供給の指示をする事により効果
的である。さらに、本発明の第1の特徴は、この初期化
時間、ウェーハロード時間、ウェーハアンロード時間と
処理の時間が、ユニット処理制御部の処理の指示時刻
と、個々のユニットが有するセンサによって検出される
処理の完了時刻の差として求められる事によりいっそう
効果的である。ここで、初期化時間とは、電力供給しは
じめに発生し、自己診断等を行う時間のことである。そ
して、初期化時間、ウェーハロード時間、ウェーハアン
ロード時間、処理の時間の4つの時間帯が、1つのユニ
ットで重なることは原則としてない。これらのことによ
り、ユニットへの電力の供給を適時に実施しながらウェ
ーハを滞りなく処理できる。
【0014】また、本発明の第1の特徴は、ユニット電
源制御部が、最終ウェーハがアンロードしたユニットへ
の電力の供給を停止するようにユニット電源開閉部に指
示する事により効果的である。ここで、最終ウェーハと
は、後続して処理すべきウェーハがないウェーハのこと
である。このことにより、ユニットへの電力の停止を適
時に実施しながらウェーハを滞りなく処理できる。
【0015】本発明の第2の特徴は、1のユニットの最
初のウェーハの処理開始により他のユニットの電力の投
入時期を算出するステップと、この投入時期にこの他の
ユニットに電力を供給するステップと、個々のユニット
の最終のウェーハの処理によりそれぞれのユニットの電
力の遮断時期を決定するステップと、この遮断時期にそ
れぞれのユニットへの電源の供給を停止するステップと
を有する複数ユニットの電源開閉方法であることであ
る。このことにより、各ユニットに待機時間を短縮する
ような電力の供給と停止が可能で、ユニット内に設置し
たセンサとアクチュエータ等の不要な電力消費を抑制す
る事ができる。
【0016】
【発明の実施の形態】まず、本発明の半導体装置および
この動作の概略を説明し、続いて、本発明の実施の形態
を説明する。以下の図面の記載において同一又は類似の
部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図
面は模式的なものであり、時間の長さの関係等は現実の
ものとは異なることに留意すべきである。したがって、
具体的な時間の長さは以下の説明を参酌して判断すべき
ものである。また、図面相互間においても互いの時間の
関係の異なる部分が含まれるのはもちろんである。
【0017】図1は、本発明に係る半導体製造装置の構
成図である。本発明に係る半導体製造装置は、演算部
1、レシピ記録部2、入出力装置3、電源装置4、ユニ
ット電源開閉部5と複数のユニット1、2、3、4で構
成される。各部はバスを介して接続されている。演算部
1は、半導体ウェーハに施す処理内容を管理するレシピ
管理部11と、レシピ管理部11の情報に基づき装置内
のすべてのユニットの制御を行うユニット処理制御部1
2と、ユニット処理制御部12の情報に基づき装置内の
処理用のユニット1、2、3、4の電源の投入と停止の
指示の信号を出力するユニット電源制御部13で構成さ
れる。レシピ記録部2はレシピを記録保存する。入出力
装置3は、レシピ管理部11へのレシピの登録と、レシ
ピ記録部2へのレシピの入力と、ユニット処理制御部1
2へのロットの処理開始指示と、装置内のセンサ/アク
チュエータなどのマニュアル操作等を行う。ユニットの
数は複数であればよく、図に示したように4つに限られ
るものではない。ユニット1は、ウェーハ処理の動作を
行うアクチュエータ9と、その動作を監視するセンサ8
と、演算部1とセンサ8とアクチュエータ9の間の信号
の変換を行うI/Oボード7で構成されている。ユニッ
ト2、3、4の構成もユニット1と同様で図1では表示
を省略した。ユニット電源開閉部5は、ユニットごとに
設置される複数の電磁開閉器1、2、3、4と、演算部
1と電磁開閉器1、2、3、4の間の信号の変換を行う
I/Oボード6で構成されている。電源装置4から出た
電源ラインは電磁開閉器1、2、3、4に並列に接続さ
れ、それぞれの電磁開閉器1、2、3、4からは対応す
るユニット1、2、3、4に接続されている。
【0018】レシピ管理部11にはウェーハに施す所定
の処理手順であるユニット処理順、ユニットレシピ指
定、ウェーハ枚数等を示す装置レシピと、処理ユニット
個別のウェーハ処理内容である動作内容、時間、使用薬
液等を示すユニットレシピが登録されている。ユニット
処理制御部12は、レシピ管理部11に登録されたレシ
ピ情報を基に、半導体ウェーハを処理するユニットを抽
出し、ウェーハの搬送順にユニット1、2、3、4に動
作指示を出力して装置全体の動作を制御する。ユニット
電源制御部13は、ユニット電源開閉部5の電磁開閉器
1、2、3、4の開閉の制御を行う。
【0019】図2は、本発明に係る半導体製造装置のユ
ニット電源制御部13のユニット電源の制御方法を示す
フローチャート図である。
【0020】(イ)まず、ステップS1においてウェー
ハがロードにセットされたか判断する。セットされてい
なければ再度ステップS1に戻る。セットされていれば
ステップS2に進む。
【0021】(ロ)ステップS2においてウェーハの処
理用のレシピとしてレシピ管理部11に登録されたレシ
ピが選択されたか判断する。選択されていなければ再度
ステップS2に戻る。選択されていればステップS3に
進む。
【0022】(ハ)ステップS3においてウェーハの処
理開始指示がされたか判断する。指示されていなければ
再度ステップS3に戻る。指示されていればステップS
4に進む。
【0023】(ニ)ステップS4において後述するユニ
ット1への電源投入フローによりユニット1に電源が投
入されユニット1が始動する。次に、ステップS5にお
いて後述するユニット1への電源停止フローによりウェ
ーハが処理された後ユニット1の電源が停止されユニッ
ト1が停止する。
【0024】(ホ)ステップS4の終了によりステップ
S6がスタートする。ステップS6において後述するユ
ニット2への電源投入フローによりユニット2に電源が
投入されユニット2が始動する。次に、ステップS7に
おいて後述するユニット2への電源停止フローによりウ
ェーハが処理された後ユニット2の電源が停止されユニ
ット2が停止する。
【0025】(ヘ)ユニット2のステップS6とS7と
同様にユニット3についてステップS8とS9を行う。
ただ、ステップS8のスタートは点線で示したようにス
テップS4の終了時でもよい。最後に、ユニット4につ
いてステップS10とS11を行う。ステップS10の
スタートは点線で示したようにステップS4の終了時で
もステップS8の終了時でもよい。そして、ステップS
11が終了してユニット電源の制御方法のフローが終了
する。
【0026】図3は図2に示したフローチャートにおけ
るステップS4、S6、S8、S10のユニットn(n
=1、2、3、4)への電源投入フローのチャート図で
ある。ステップS21においてユニットnの電源投入時
期を算出する。ステップS22において算出した電源投
入時期にユニットnに電源を供給する。ステップS23
において後述するユニットn監視フローを実施する。こ
れによりユニットn内のセンサの監視がスタートする。
この監視フローはウェーハの処理が終了しユニットnへ
の電源供給が停止し、ユニットn内部のセンサ状態が全
てOFFとなっても、演算部1の制御動作に不具合を生
じさせないためのフローである。最後にステップS24
においてユニットnが初期化動作を行う。この時、初期
化動作にかかる時間を連動する時間計測フローで測定す
る。時間を計測するのはステップS21の電源投入時期
の算出に直前の実測値を使用し算出時期の精度を上げる
ためである。以上によりウェーハ処理の準備が終了し、
ユニットnへの電源投入フローが終了する。
【0027】図4は図2に示したフローチャートにおけ
るステップS5、S7、S9、S11のユニットn(n
=1、2、3、4)への電源停止フローのチャート図で
ある。
【0028】ステップS31においてユニットnでロッ
トの1枚目のウェーハの処理を行う。この時、処理にか
かる時間を連動する時間計測フローで測定する。ステッ
プS32においてロットの最終ウェーハか否かを判断す
る。最終ウェーハでない場合はステップS31に戻る。
最終ウェーハである場合はステップS33に進む。ステ
ップS33において新規なロットの処理開始指示がある
か否かを判断する。指示がある場合はステップS31に
戻り新規なロットのウェーハの処理を行う。指示がない
場合はステップS34に進む。ステップS34において
ユニットnがウェーハ処理可能であることを図1の入出
力装置3に表示する。ステップS35においてユニット
nの電源を停止する。最後にステップS36において後
述するユニットn監視フローを実施する。これによりユ
ニットn内のセンサの監視が停止する。ユニットnへの
電源停止フローを終了する。
【0029】図5は図3に示したフローチャートにおけ
るステップS23と図4に示したフローチャートにおけ
るステップS36のユニットn監視フローのチャート図
である。ステップS41においてユニットnの現在の電
源のオン、オフの状態と前回停止時のI/Oボードの状
態を示す値を読み込む。ステップS42においてユニッ
トnの電源が停止しているか否かを判断する。停止して
いる場合はステップS41に戻る。停止していない場合
はステップS43に進む。ステップS43においてセン
サを稼動させセンシングする。ステップS44において
I/Oボードの状態を示す値が、前回停止時の値とステ
ップS43でのセンシングでの値とで一致しているか判
断する。一致していない場合はステップS48に進みス
テータスエラーを図1の入出力装置3に表示し、ステッ
プS49においてユニットnをアボート状態にする。一
致している場合はステップS45に進む。ステップS4
5においてユニットnの動作指示があるか判断する。動
作指示がない場合はステップS47に進み処理内容を指
定する動作番号を不設定とする。動作指示がある場合は
ステップS46に進み動作番号を設定する。ユニットn
監視フローを終了する。
【0030】図6は図3に示したフローチャートにおけ
るステップS24と図4に示したフローチャートにおけ
るステップS31の時間計測フローのチャート図であ
る。ステップS51においてユニットnの動作のデータ
を図1のレシピ管理部11からユニット処理制御部12
にロードする。ステップS52においてインターロック
表に基づいてインターロック条件を設定する。ステップ
S53においてセンサをスキャンさせセンシングする。
ステップS54においてインターロックをかけるか判断
する。インターロックをかける場合はステップS61に
進み図1の入出力装置3にエラー表示をして時間計測フ
ローを終了する。インターロックをかけない場合はステ
ップS55に進む。ステップS55においてユニットn
に処理動作のスタートの指示とこの時刻のセーブを行
う。ステップS56においてタイムアウトのカウント用
のタイマーをセットする。ステップS57においてセン
サをスキャンさせる。ステップS58においてセンサの
出力から動作が完了したか判断する。完了しない場合は
ステップS60に進む。完了した場合はステップS59
に進む。ステップS60においてタイマーの値がタイム
アウトか判断する。タイムアウトの場合はステップS6
1に進み図1の入出力装置3にエラー表示をして時間計
測フローを終了する。タイムアウトでない場合はステッ
プS57に戻る。ステップS59において現在の時刻を
セーブし時間計測フローを終了する。ステップS55の
時刻とステップS59の時刻の差からユニットnの動作
に要した時間がわかる。
【0031】(実施の形態)以上の本発明の半導体製造
装置の概略の説明をもとに、本発明の実施の形態として
レジスト塗布現像装置を説明する。レジスト塗布現像装
置のユニットの配置は図9と同じである。図9の塗布ユ
ニット22が図1のユニット1に、塗布後のベーカユニ
ット23がユニット2に、アライメントユニット24が
ユニット3に、現像ユニット26がユニット4に対応す
る。そして、現像後のベーカユニット27が図1には示
されていないがユニット5に対応すると考えることがで
きる。ローダユニット21、搬送ユニット29、アンロ
ーダユニット28の電源制御の詳細は省略した。これは
ユニット数が増えるだけで、説明が単に繰り返しになる
からである。レジスト塗布現像装置のウェーハの処理方
法のフローチャートは図2乃至6のフローチャートに従
う。図7および図8は、それぞれ本発明の実施の形態に
係る半導体製造装置であるレジスト塗布現像装置でウェ
ーハを処理する際の、各ユニットの電源投入及び電源停
止のタイミングを示すタイミングチャート図である。
【0032】ウェーハの処理の開始指示が装置に与えら
れる前、図1のユニット電源制御部13は図9の薬液温
調ユニット30、31とベーカヒータの制御ユニット3
2、33を除く処理ユニットである塗布ユニット22、
塗布後のベーカユニット23、アライメントユニット2
4、現像ユニット26、現像後のベーカユニット27へ
の電源供給をユニット電源開閉部5の電磁開閉器によっ
て停止している。
【0033】オペレータはウェーハ収納容器をローダユ
ニット21にセットして、図1の入出力装置3よりレシ
ピ管理部11に登録されたレシピを選択し、ロットの処
理開始指示をレシピ処理制御部13に入力する。
【0034】ユニット処理制御部12はユニット電源制
御部13に指示を与え、ローダユニット21、搬送ユニ
ット29、塗布ユニット22に電源を供給し、塗布ユニ
ット22のセンサのスキャンを行い、前回の停止前と変
わっていないかチェックする。ユニット電源制御部13
は塗布ユニット22に初期化の指示を与える。
【0035】塗布ユニット22は、初期化後、ロットの
先頭ウェーハは搬送ユニット29によってローダユニッ
ト21から塗布ユニット22にロードされて以後、先頭
ウェーハのレシピ処理が開始される。塗布ユニット22
は図1のユニット処理制御部12の指示に従って内部の
センサ8とアクチュエータ類9を駆動し、レシピ管理部
11に登録された塗布ユニット22のユニットレシピの
処理をウェーハに施す。
【0036】ユニット処理制御部12は、塗布ユニット
22が先頭ウェーハのレシピ処理を開始する直前にベー
カユニット23への電源投入時期を算出して、ユニット
電源開閉部5への指示を出力する。ベーカユニット23
への電源投入時刻TpBは式(1)で算出する。なお、
基準時刻は塗布ユニット22の先頭ウェーハのレシピ処
理の開始時刻である。
【0037】 TpB=(TRC+TuC)−TiB・・・(1) ここで、TpBはベーカユニット23の電源投入時刻、
TRCは塗布ユニット22のレシピ処理時間、TuCは
塗布ユニット22のウェーハアンロード時間、TiBは
ベーカユニット23の初期化時間である。ここで、他の
ユニットも同様の式で処理の開始時刻が算出されるわけ
だが、式(1)等に用いられる処理ユニットのレシピ処
理時間TR、ウェーハアンロード時間Tu、初期化時間
Tiは、装置立ち上げ調整時に各処理ユニットに、ユニ
ットの初期化、ウェーハロード動作、ウェーハアンロー
ド動作の指示をそれぞれ与えて動作指示時刻から動作完
了を示すセンサ状態に変化した時刻との差をユニット電
源制御部13に保存する事で得られるものである。ま
た、保存される各種動作時間TR、Tu、Tiは新たな
ロットを投入するたびに、その動作時間TR、Tu、T
iがユニット電源制御部13により更新される。このこ
とにより、装置の機械的な劣化により動作時間TR、T
u、Tiが変動しても電源投入状態での待機時間を少な
く保てる。ユニット処理制御部12は、搬送ユニット2
9に指示を与え、塗布ユニット22から初期化を終了し
たベーカユニット23に先頭ウェーハをロードし、塗布
ユニット22には2枚目のウェーハをロードする。そし
て、レシピ管理部11の示すユニットレシピに従ってそ
れぞれのユニットでウェーハを処理する。このように、
前段の処理ユニットが先頭ウェーハをアンロードできる
状態になる直前に次の処理ユニットの初期動作が終了す
るように、事前に算出した電源投入時刻で次の処理ユニ
ットを起動しながらロットの処理をすすめる。
【0038】つぎに図8に示すロットの処理を終了した
処理ユニットへの電源供給を停止する電源制御方法につ
いて述べる。ユニット電源制御部13は最終ウェーハが
塗布ユニット22で処理されたことと、次の新規なロッ
トの開始指示の有無を確認する。新規なロットの開始指
示がある場合は、装置の各処理ユニット22、23、2
4、26、27の電源オンの状態を維持し、先発ロット
の最終ウェーハが塗布ユニットを通過した後に次発ロッ
トの先頭ウェーハを塗布ユニット22にロードして処理
を開始する。ロット処理の開始指示がない場合、ユニッ
ト電源制御部13は入出力装置3よりオペレータに“次
ロット投入可能”のメッセージを出力し、オペレータに
よる次ロットの処理開始指示を促す。先発ロットの最終
ウェーハが2番目の処理ユニットであるベーカユニット
23のレシピ処理終了時点までに次発ロットの処理開始
指示が入力されなかった場合、ユニット電源制御部13
は最終ウェーハのレシピ処理を終了した処理ユニット2
2、23、24、26、27に対する電源供給を順次停
止する。たとえば、最終ウェーハがベーカユニット23
でのレシピ処理を終了し搬送ユニット29によりアンロ
ードされると、ユニット電源制御部13は、ローダユニ
ット21、塗布ユニット22、ベーカユニット23の電
源供給を停止させる。そして、この停止によって発生す
るセンサの異常を除去するために該当するセンサ監視を
停止する。
【0039】図8中の破線のように電源停止のフローの
途中で、次のロツト処理開始指示がオペレータより入力
されてた場合は、ユニット電源制御部13は、ローダユ
ニット21、搬送ユニット29、塗布ユニット22への
電源供給とセンサ監視を再開してレシピ処理を再開する
が、先発ロットの最終ウェーハの処理を終了したユニッ
トに対しては順次に電源供給をいったん停止する。一
方、次発ロットの先頭ウェーハが塗布ユニット22にロ
ードされると、ユニット電源制御部13は次発ロットで
指定された塗布ユニット22のレシピ処理時間TRを基
にベーカユニット23の電源投入時刻を算出し、ユニッ
ト電源開閉部5への指示を出力する。
【0040】以上に示した半導体製造装置の構成と、ユ
ニット電源制御部13での電源投入時刻の算出方法、最
終ウェーハの処理終了後の電源停止方法により半導体レ
ジスト塗布現像装置は、電源供給を行ったままでの処理
ユニット22、23、24、26、27の待機時間少な
くし、ユニット内部のセンサとアクチュエータ等の電力
消費を最小限に抑制する事が出来る。
【0041】(その他の実施の形態)上記のように、本
発明の実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす
論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解す
べきでない。この開示から当業者には様々な代替しうる
実施の形態、実施例及び運用技術が明らかになろう。
【0042】既に述べた実施の形態の説明においては、
レジスト塗布現像装置についてのみ述べたが、この装置
におけるユニットの電源の制御方法は、半導体装置の製
造工場における独立した半導体製造装置の電源の制御方
法に適用可能である。特に、処理と処理の間の時間に制
約がある半導体装置の製造に適している。
【0043】この様に、本発明はここでは記載していな
い様々な実施の形態を包含するということを理解すべき
である。したがって、本発明はこの開示から妥当な特許
請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ限定される
ものである。
【0044】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ユ
ニット毎の待機時間中の電力の消費を低減した半導体製
造装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体製造装置の構成図である。
【図2】本発明に係る半導体製造装置のユニット電源制
御部のユニット電源の制御方法を示すフローチャート図
である。
【図3】図2に示したフローチャートにおけるステップ
S4、S6、S8、S10のユニットn(n=1、2、
3、4)への電源投入フローのチャート図である。
【図4】図2に示したフローチャートにおけるステップ
S5、S7、S9、S11のユニットn(n=1、2、
3、4)への電源停止フローのチャート図である。
【図5】図3に示したフローチャートにおけるステップ
S23と図4に示したフローチャートにおけるステップ
S36のユニットn監視フローのチャート図である。
【図6】図3に示したフローチャートにおけるステップ
S24と図4に示したフローチャートにおけるステップ
S31の時間計測フローのチャート図である。
【図7】本発明の実施の形態に係る半導体製造装置(レ
ジスト塗布現像装置)でウェーハを処理する際の、各ユ
ニットの電源投入のタイミングを示すタイミングチャー
ト図である。
【図8】本発明の実施の形態に係る半導体製造装置(レ
ジスト塗布現像装置)でウェーハを処理する際の、各ユ
ニットの電源停止のタイミングを示すタイミングチャー
ト図である。
【図9】半導体製造装置(レジスト塗布現像装置)のユ
ニットの配置図である。
【図10】従来のレジスト塗布現像装置でウェーハを処
理する際の、各ユニットの電源投入のタイミングを示す
タイミングチャートである。
【図11】従来のレジスト塗布現像装置でウェーハを処
理する際の、各ユニットの電源停止のタイミングを示す
タイミングチャートである。
【符号の説明】
1 演算部 2 レシピ記録部 3 入出力装置 4 電源装置 5 ユニット電源開閉部 6、7 I/Oボード 8 センサ 9 アクチュエータ類 11 レシピ管理部 12 ユニット処理制御部 13 ユニット電源制御部 21 ロードユニット 22 塗布ユニット 23、27 ベーカユニット 24 アライメントユニット 25 露光装置 26 現像装置 28 アンロードユニット 29 搬送ユニット 30、31 薬液温調ユニット 32、33 ベーカ用のヒータの制御ユニット

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウェーハへ異なる処理を行う複数
    のユニットと、 前記ユニットが連動して前記半導体ウェーハを処理する
    レシピの記録設定と保管管理を行うレシピ管理部と、 前記レシピに基づいて前記処理の指令を前記ユニットに
    与えるユニット処理制御部と、 個々の前記ユニットについて待機時間には電力の供給を
    停止するユニット電源制御部と、 前記ユニット電源制御部の指示により前記ユニットへの
    電力の供給と停止を行うユニット電源開閉部とを有する
    事を特徴とする半導体製造装置。
  2. 【請求項2】 前記ユニット電源制御部が、前記ユニッ
    トの前記待機時間の終了時刻を、個々の前記ユニットの
    初期化時間、ウェーハロード時間、ウェーハアンロード
    時間と前記処理の時間から算出し、前記終了時刻にユニ
    ット電源開閉部に電力供給の指示をする事を特徴とする
    請求項1記載の半導体製造装置。
  3. 【請求項3】 前記初期化時間、前記ウェーハロード時
    間、前記ウェーハアンロード時間と前記処理の時間が、
    前記ユニット処理制御部の処理の指示時刻と、個々の前
    記ユニットが有するセンサによって検出される処理の完
    了時刻の差として求められる事を特徴とする請求項2記
    載の半導体製造装置。
  4. 【請求項4】 前記ユニット電源制御部が、最終ウェー
    ハがアンロードした前記ユニットへの電力の供給を停止
    するように前記ユニット電源開閉部に指示する事を特徴
    とする請求項1記載の半導体製造装置。
  5. 【請求項5】 1のユニットの最初のウェーハの処理開
    始により他のユニットの電力の投入時期を算出するステ
    ップと、 前記投入時期に前記他のユニットに電力を供給するステ
    ップと、 個々のユニットの最終のウェーハの処理によりそれぞれ
    のユニットの電力の遮断時期を決定するステップと、 前記遮断時期にそれぞれのユニットへの電力の供給を停
    止するステップとを有することを特徴とする複数ユニッ
    トの電源開閉方法。
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