KR102268279B1 - 기판 처리 장치, 이의 제어 방법 및 기억 매체 - Google Patents

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Abstract

본 기재의 기판 처리 장치는 하나 이상의 동작 요소를 포함하는 기판 처리 장치로써, 상기 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 처리부; 및 상기 하나 이상의 동작 요소를 독립적으로 제어하고, 상기 처리부의 동작을 감시하며, 상기 처리부가 재시작되거나 종료되는 경우, 상기 하나 이상의 동작 요소의 동작 상태를 유지하는 제어부;를 포함한다.

Description

기판 처리 장치, 이의 제어 방법 및 기억 매체{Substrate treatment apparatus, control method therefor and storage medium}
본 발명은 기판 처리 장치, 이의 제어 방법 및 기억 매체에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체를 제조하는데 사용될 수 있는 기판 처리 장치, 이의 제어 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자들은 일련의 제조 공정들을 반복적으로 수행함으로써 반도체 기판으로써 사용되는 실리콘 웨이퍼 상에 형성될 수 있다.
이러한 반도체 소자는 기판 처리 장치에 의해 제조될 수 있다. 종래의 기판 처리 장치의 전반적인 제어는 운영 시스템에 의하여 실시될 수 있다.
한편, 운영 시스템이 업데이트된 이후, 업데이트된 사항이 정상적으로 적용될 수 있도록 기판 처리 장치가 재시작되거나, 버그 등에 의하여 예기치 않게 종료될 수 있다. 이때, 운영 시스템에 포함되어 기판 처리 장치를 구성하는 개별 파트들의 동작을 제어하는 필드버스 드라이버(FD: fieldbus driver)도 종료되고, 필드버스 드라이버가 제어하는 개별 파트들의 파라미터 값들도 초기화될 수 있다. 예를 들어, 챔버 내부의 진공 상태가 급격히 변경되거나, 챔버 내부로 공급되는 가스가 차단될 수 있다.
이에 따라, 기판 처리 장치가 다시 가동되면서 챔버 내부의 진공 상태나 온도 등이 종료 직전의 상태로 다시 맞추어져야 하기 때문에 기판 처리 장치의 준비 시간이 경우에 따라 장시간 소요될 수 있다. 뿐만 아니라, 챔버 내부의 급격한 상태 변화에 따라 일부 파트들이 파손되는 경우, 파트의 교체가 필요하므로 기판 처리 장치의 가동률이나 유지 보수 비용이 증가될 수 있다.
한국공개특허 제2017-0089288호
본 발명의 목적은 기판 처리 장치가 다시 가동되더라도 개별 파트는 종료 직전의 상태로 복원될 수 있는 기판 처리 장치, 이의 제어 방법 및 기억 매체를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 기판 처리 장치는 하나 이상의 동작 요소를 포함하는 기판 처리 장치로써, 상기 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 처리부; 및 상기 하나 이상의 동작 요소를 독립적으로 제어하고, 상기 처리부의 동작을 감시하며, 상기 처리부가 재시작되거나 종료되는 경우, 상기 하나 이상의 동작 요소의 동작 상태를 유지하는 제어부;를 포함한다.
한편, 상기 제어부는, 상기 처리부가 재시작되거나 종료되는 경우, 상기 하나 이상의 동작 요소의 동작 상태를 모두 유지하거나 선택적으로 유지할 수 있다.
한편, 상기 제어부는, 상기 처리부가 재시작되거나 종료되는 경우, 상기 하나 이상의 동작 요소의 동작 상태의 유지 범위를 외부로부터 입력 받을 수 있다.
한편, 상기 하나 이상의 동작 요소의 작동 조건들에 대한 동작 데이터를 저장하는 저장부;를 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 저장부에 저장된 동작 데이터를 기초로 하여 상기 하나 이상의 동작 요소를 재설정하거나, 상기 저장부에 저장된 동작 데이터를 상기 처리부로 로딩할 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 기판 처리 장치의 제어 방법은 상기 기판 처리 장치를 제어하는 기판 처리 장치의 제어 방법에 있어서, 상기 기판 처리 장치의 소프트웨어 제어와 동작 요소의 제어를 각각 독립적으로 실시하는 제어 단계; 상기 기판 처리 장치가 재시작되거나 종료되는 것을 감시하는 감시 단계; 상기 기판 처리 장치가 재시작되거나 종료되는지를 판단하는 동작 판단 단계; 및 상기 기판 처리 장치가 재시작되거나 종료되는 경우, 상기 동작 요소의 동작 상태를 유지하는 유지 단계;를 포함한다.
한편, 상기 동작 요소의 작동 조건들에 대한 동작 데이터를 저장하는 저장 단계; 및 상기 기판 처리 장치가 재시작되거나 종료되는 경우, 상기 동작 데이터를 로딩하여 상기 하나 이상의 동작 요소에 재설정하는 재설정 단계;를 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 유지 단계는, 상기 기판 처리 장치가 재시작되거나 종료되는 경우, 상기 동작 요소의 동작 상태를 모두 유지하거나 선택적으로 유지할 수 있다.
한편, 상기 기판 처리 장치가 재시작되거나 종료되는 경우, 상기 동작 요소의 동작 상태의 유지 범위를 판단하는 유지 범위 판단 단계;를 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 기판 처리 장치가 재시작되거나 종료되는 경우, 상기 동작 요소의 동작 상태의 유지 범위를 외부로부터 입력 받는 입력 단계;를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 기억 매체는 컴퓨터 상에서 동작하는 제어 프로그램이 저장된 기억 매체로써, 상기 제어 프로그램은 실행시 상기 제어 방법이 행하여지도록, 컴퓨터로 하여금 기판 처리 장치를 제어하도록 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 동작 요소가 제어부에 의해 독립적으로 제어될 수 있다. 그러므로, 처리부가 재시작되거나 종료되더라도, 동작 요소가 초기화되지 않고 유지될 수 있다.
따라서, 기판 처리 장치의 재시작 이후 챔버 내부의 상태가 그대로 유지될 수 있으므로, 처리부의 재시작시 챔버 내부의 상태를 다시 맞추기 위한 시간이 불필요하게 된다. 즉, 기판 처리 장치의 정기적인 유지 보수 작업이나 이상에 의하여 운영 시스템이 리셋(reset)된 이후, 기판 처리 장치의 재가동에 의한 운영의 비효율성을 감소시킬 수 있으므로, 기판 처리 장치의 운용 비용을 현저하게 절감할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 구성도이다.
도 3은 동작 요소의 동작 상태의 유지 범위를 입력 받기 위한 그래픽이 디스플레이 화면에 출력된 상태를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 구성도이다.
도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 장치의 제어 방법을 도시한 순서도이다.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 기판 처리 장치의 제어 방법을 도시한 순서도이다.
도 7은 본 발명의 제3실시예에 따른 기판 처리 장치의 제어 방법을 도시한 순서도이다.
도 8은 본 발명의 제4실시예에 따른 기판 처리 장치의 제어 방법을 도시한 순서도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적인 실시예에서만 설명하고, 그 외의 다른 실시예에서는 대표적인 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐만 아니라, 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"된 것도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 상세하게 설명하기에 앞서 기판 처리 장치의 내부 구조의 일례에 대해 설명하기로 한다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 챔버(115), 정전척(116), 가스 저장 탱크(119), 진공 펌프(114) 및 전원(111)을 포함할 수 있다.
챔버(115)에는 내부 공간이 형성된다. 기판이 챔버(115)의 내부 공간에서 처리될 수 있다. 정전척(116)은 상기 챔버(115)의 바닥면에 설치될 수 있다. 기판이 정전척(116)에 안착될 수 있다. 히터(112)가 상기 정전척(116)의 내부에 배치되어 정전척(116)을 가열할 수 있다.
가스 저장 탱크(119)에는 가스가 저장되고, 가스 밸브(113)가 동작되면서 플라즈마 생성에 필요한 처리 가스가 챔버(115) 내부에 공급될 수 있다. 진공 펌프(114)는 챔버(115) 내부의 압력을 조절한다. 전원(111)은 챔버(115) 내부의 유전체(117) 상에 위치한 코일(118)에 플라즈마 생성에 필요한 RF 전류를 공급한다.
기판이 정전척(116) 상에 위치된 상태에서, 가스 밸브(113)가 동작되고, 처리 가스가 챔버(115)의 내부 공간으로 공급된다. RF 전류가 코일(118)에 인가되면, 챔버(115)의 내부 공간에서 플라즈마가 생성되어 기판의 표면이 식각되거나, 박막이 기판의 표면에 증착될 수 있다. 기판이 처리되는 과정에서, 정전척(116), 가스 밸브(113), 진공 펌프(114) 및 전원(111)이 전술한 바와 같이 적절하게 동작될 수 있다.
다만, 이와 같은 기판 처리 장치(100)는 설명의 편의를 위하여 일례를 들어 설명한 것이고, 기판 처리 장치(100)가 정전척(116), 가스 저장 탱크(119), 진공 펌프(114) 및 전원(111)과 같은 동작 요소(110)를 선택적으로 포함하거나, 상기 일부 동작 요소(110)가 다른 것으로 대체될 수 있으므로, 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치(100)가 반드시 전술한 구조로 이루어진 것으로 한정하지는 않는다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)를 상세하게 설명하기로 한다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 하나 이상의 동작 요소(110)를 포함하는 기판 처리 장치(100)로서, 처리부(120) 및 제어부(140)를 포함한다.
처리부(120)는 상기 기판 처리 장치(100)의 동작을 제어할 수 있다. 더욱 바람직하게, 처리부(120)는 기판 처리 장치(100)에서 하드웨어를 제외한 소프트웨어의 제어를 실시할 수 있다.
처리부(120)는 일례로, 연산 처리를 수행하는 CPU(121), 하드 디스크 또는 메모리 소자등으로 구성된 ROM(122), 기판 처리 장치(100)의 동작 상태를 출력하는 디스플레이 화면을 제어하는 GPU(123), 휘발성 데이터를 일정 시간 저장하는 RAM(124) 및 기판 처리 장치(100)의 전반적인 동작을 제어하는 운영 시스템(125, OS: Operating System)을 포함할 수 있다.
한편, 기판 처리 장치(100)를 제어하기 위한 프로그램 및 구체적인 제어 조건들을 상술하는 레시피 데이터(recipe data)가 ROM(122)에 저장될 수 있다. 기판 처리 장치(100)의 전반적인 작동은 처리부(120) 및 후술할 제어부(140)에 의하여 제어될 수 있다.
이와 같은 처리부(120)는 운영 시스템의 업데이트 이후, 업데이트된 사항이 정상적으로 적용되기 위하여 재시작되거나 버그 및 정전 등에 의하여 예기치 않게 강제로 종료될 수 있다.
제어부(140)는 상기 하나 이상의 동작 요소(110)를 독립적으로 제어하고, 상기 처리부(120)의 동작을 감시할 수 있다. 예를 들어, 제어부(140)는 전원(111)을 제어하여 코일(118)에 RF 전류가 인가되도록 할 수 있다. 그리고, 제어부(140)는 히터(112)를 제어하여 정전척(116)의 온도를 제어할 수 있다.
또한, 제어부(140)는 가스 밸브(113)를 제어하여 가스를 챔버(115)에 공급 또는 차단할 수도 있다. 그리고, 제어부(140)는 진공 펌프(114) 등을 제어하여 챔버(115) 내부의 진공 상태를 제어할 수도 있다. 이러한 제어부(140)는 프로그램을 포함하는 처리부(120)가 재시작되거나 종료되는 경우, 상기 하나 이상의 동작 요소(110)의 동작 상태를 유지할 수 있다.
한편, 상기 동작 요소(110)는 히터(112), 전원(111), 가스 밸브(113) 및 진공 펌프(114) 등일 수 있으나, 이에 한정하지는 않으며, 기판 처리 장치(100)를 구성하는 다양한 부품이 될 수 있다.
전술한 처리부(120)는 기판 처리 장치(100)를 전반적으로 제어하지만, 동작 요소(110)는 직접적으로 제어하지는 않으며, 제어부(140)는 기판 처리 장치(100)에서 동작 요소(110)를 독립적으로 제어할 수 있다. 이에 따라, 처리부(120)가 재시작되거나 종료되더라도, 제어부(140)는 동작 요소(110)가 현재 동작 중인 상태를 유지하도록 할 수 있다.
예를 들어, 처리부(120)가 종료되기 직전의 챔버(115) 내부가 진공 상태인 경우, 제어부(140)는 처리부(120)가 종료되더라도 챔버(115) 내부의 진공 상태를 계속 유지할 수 있다. 또한, 처리부(120)가 종료되기 직전의 정전척(116)의 온도가 100도인 경우, 제어부(140)는 처리부(120)가 종료되더라도 정전척(116)이 100도를 유지하도록 히터(112)를 지속적으로 제어할 수 있다.
한편, 상기 제어부(140)는 상기 처리부(120)가 재시작되거나 종료되는 경우, 상기 하나 이상의 동작 요소(110)의 동작 상태를 모두 유지하거나 선택적으로 유지할 수 있다.
일례로, 제어부(140)는 챔버(115) 내부의 진공 상태와 정전척(116)의 온도는 유지하면서, 코일(118)에 공급되는 전원(111)을 차단하며, 챔버(115) 내부로 가스가 공급되는 것을 차단할 수 있다. 이에 따라 플라즈마의 발생이 차단됨으로써, 전력 소비를 감소시킬 수 있고, 챔버(115) 내부의 동작 요소(110)가 플라즈마에 의하여 손상되는 것을 방지할 수 있다. 이와 다르게, 제어부(140)는 챔버(115) 내부의 진공 상태만 유지할 수도 있다.
여기서, 상기 제어부(140)는 상기 하나 이상의 동작 요소(110)의 동작 상태의 유지 범위를 판단할 수 있다. 제어부(140)는 처리부(120)의 동작 상황에 대응하여 상기 하나 이상의 동작 요소(110)의 동작 상태를 모두 유지하거나 선택적으로 유지할 수 있다.
예를 들어, 제어부(140)는 운영 시스템의 업데이트에 의하여 처리부(120)가 재시작 신호를 받아서 안정적으로 재시작하는 것인지 강제로 종료되는 것인지를 판단한다. 그리고, 처리부(120)가 안정적으로 재시작하는 경우, 제어부(140)는 복수의 동작 요소(110)에서 일부의 동작 요소(110)만 동작 상태를 유지하도록 판단할 수 있다. 이와 다르게, 처리부(120)가 강제로 종료되는 경우, 제어부(140)는 복수의 동작 요소(110)의 동작 상태가 모두 유지되도록 판단할 수 있다.
한편, 제어부(140)가 동작 상황에 대응하여 상기 하나 이상의 동작 요소(110)의 동작 상태를 모두 유지하거나 선택적으로 유지하는지를 판단하는 기준은 기설정된 알고리즘에 의해 정해질 수 있으며, 알고리즘은 기판 처리 장치(100)의 설계에 따라 변경될 수 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
한편, 상기 제어부(140)는 상기 처리부(120)가 재시작되거나 종료되는 경우, 상기 하나 이상의 동작 요소(110)의 동작 상태의 유지 범위를 외부로부터 입력 받을 수 있다.
더욱 상세하게 설명하면, 도 3에 도시된 바와 같이 동작 요소(110)의 동작 상태의 유지 범위를 입력받을 수 있는 그래픽이 디스플레이 화면에 출력될 수 있다. 여기서, 디스플레이 화면은 기판 처리 장치(100)의 전반적인 동작 상태를 출력하는 것일 수 있으며, 기판 처리 장치(100)의 일측에 설치될 수 있다.
처리부(120)가 재시작되거나 종료된 이후에 기판 처리 장치(100)가 다시 동작되는 경우, 복수의 터치 버튼(T1, T2, T3, T4)이 디스플레이 화면에 출력될 수 있다. 이때, 사용자는 복수의 터치 버튼(T1, T2, T3, T4) 중 하나 이상의 동작 요소(110)를 선택할 수 있다. 제어부(140)는 사용자가 선택한 하나 이상의 동작 요소(110)를 확인하여, 상기 선택된 동작 요소(110)의 동작 상태만 유지할 수 있다. 이에 따라, 기판 처리 장치(100)의 동작 상황에 맞게 동작 요소(110)가 적절하게 선택되어 기판 처리 장치(100)의 동작이 원활하게 실시될 수 있다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(200)는 저장부(130)를 더 포함할 수 있다.
저장부(130)에는 상기 하나 이상의 동작 요소(110)의 작동 조건들에 대한 동작 데이터가 저장될 수 있다. 동작 데이터는 실시간 또는 일정 시간마다 저장부(130)에 저장될 수 있다. 이때, 전술한 제어부(140)는 상기 저장부(130)에 저장된 동작 데이터를 기초로 하여 상기 하나 이상의 동작 요소(110)를 재설정할 수 있다.
더욱 상세하게 설명하면, 정전이 발생하는 경우, 기판 처리 장치(200)가 강제로 종료된 이후에도 전원(111)이 공급되지 않으므로 동작 요소(110)의 동작 상태를 유지하기 어려운 상황일 수 있다. 그러나, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(200)는 기판 처리 장치(200)가 종료되기 직전의 동작 데이터가 저장부(130)에 저장되어 있다.
그러므로, 기판 처리 장치(200)가 일정 시간 동안 꺼져 있다가 다시 시작되는 경우, 제어부(140)는 저장부(130)에 저장된 동작 데이터를 로딩하여 동작 요소(110)를 재설정할 수 있다. 이에 따라, 새로 가동되는 기판 처리 장치(200)의 동작 조건이 기판 처리 장치(200)의 종료 직전의 동작 조건과 매우 유사한 조건으로 신속하게 복원될 수 있다.
또한, 재시작된 처리부(120)도 동작 요소(110)의 동작 데이터를 인지하여야 하므로, 저장부(130)에 저장된 동작 요소(110)의 동작 데이터는 처리부(120)로 로딩될 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 동작 요소(110)가 제어부(140)에 의해 독립적으로 제어될 수 있다. 그러므로, 처리부(120)가 재시작되거나 종료되더라도, 동작 요소(110)가 초기화되지 않고 유지될 수 있다.
따라서, 기판 처리 장치(100)의 재시작 이후 챔버(115) 내부의 상태가 그대로 유지될 수 있으므로, 처리부(120)의 재시작시 챔버(115) 내부의 상태를 다시 맞추기 위한 시간이 불필요하게 된다. 즉, 기판 처리 장치(100)의 정기적인 유지 보수 작업이나 이상에 의하여 운영 시스템이 리셋(reset)된 이후, 기판 처리 장치(100)의 재가동에 의한 운영의 비효율성을 감소시킬 수 있으므로, 기판 처리 장치(100)의 운용 비용을 현저하게 절감할 수 있다.
전술한 바와 같은 기판 처리 장치에서 기판을 처리하는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)의 제어 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 5을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 제어 방법(S100)은 제어 단계(S110), 감시 단계(S120), 동작 판단 단계(S130) 및 유지 단계(S140)를 포함한다.
제어 단계(S110)는 상기 기판 처리 장치의 소프트웨어 제어와 동작 요소의 제어를 각각 독립적으로 실시할 수 있다. 전술한 바와 같이 하드웨어인 동작 요소는 제어부에 의해 독립적으로 제어될 수 있다.
감시 단계(S120)는 상기 기판 처리 장치가 재시작되거나 종료되는 것을 감시할 수 있다. 감시 단계(S120)에서는 상기 기판 처리 장치가 재시작되거나 종료되는 것을 실시간으로 확인하는 것이 바람직할 수 있다.
동작 판단 단계(S130)는 상기 기판 처리 장치가 재시작되거나 종료되는지를 판단할 수 있다. 이때, 기판 처리 장치가 재시작되는 것을 판단하는 방법은 전술한 처리부에 포함된 운영 시스템이 재부팅되는 것을 감지하는 방법이 사용될 수 있고, 기판 처리 장치가 종료되는 것을 판단 하는 방법은 처리부의 동작이 정지되는 것을 감지하는 방법이 사용될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다.
유지 단계(S140)는 상기 기판 처리 장치가 재시작되거나 종료되는 경우, 상기 동작 요소의 동작 상태를 유지할 수 있다. 상기 유지 단계(S140)는 상기 기판 처리 장치가 재시작되거나 종료되는 경우, 상기 동작 요소의 동작 상태를 모두 유지하거나 선택적으로 유지할 수 있다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치의 제어 방법(S200)은 유지 범위 판단 단계(S150)를 더 포함할 수 있다.
유지 범위 판단 단계(S150)는 상기 기판 처리 장치가 재시작되거나 종료되는 경우, 상기 동작 요소의 동작 상태의 유지 범위를 판단할 수 있다. 전술한 기판 처리 장치에서 설명한 바와 같이 동작 요소의 동작 상태의 유지 범위는 기판 처리 장치가 종료되는 상황에 대응하여 전술한 제어부에 의해 자동적으로 판단될 수 있다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리 장치의 제어 방법(S300)은 입력 단계(S160)를 더 포함할 수 있다.
입력 단계(S160)는 상기 기판 처리 장치가 재시작되거나 종료되는 경우, 상기 동작 요소의 동작 상태의 유지 범위를 외부로부터 입력 받을 수 있다. 이러한 입력 단계(S160) 및 유지 범위 판단 단계(S150)는 앞서 설명한 기판 처리 장치에서 상세하게 설명하였으므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 기판 처리 장치의 제어 방법(S400)은 저장 단계(S170) 및 재설정 단계(S180)를 더 포함할 수 있다.
저장 단계(S170)는 상기 동작 요소의 작동 조건들에 대한 동작 데이터를 저장할 수 있다. 동작 요소의 작동 조건들에 대한 동작 데이터는 전술한 바와 같이 실시간 또는 일정 시간 마다 저장될 수 있다.
재설정 단계(S180)는 상기 기판 처리 장치가 재시작되거나 종료되는 경우, 상기 동작 데이터를 로딩하여 상기 하나 이상의 동작 요소에 재설정할 수 있다.
본 발명의 제4 실시예에 따른 기판 처리 장치의 제어 방법(S400)은 저장 단계(S170) 및 재설정 단계(S180)를 포함함으로써, 기판 처리 장치의 재시작 또는 종료 이후에 전술한 유지 단계(S140)가 즉시 실행되기 어려운 상황인 경우, 동작 요소가 동작 데이터에 의하여 재설정될 수 있다. 따라서, 새로 가동되는 기판 처리 장치의 동작 조건이 기판 처리 장치의 종료 직전의 동작 조건으로 신속하게 복원될 수 있다.
또한, 동작 요소(110)들의 동작 데이터가 전부 또는 일부 그대로 유지되는 상태에서 처리부(120)만 재시작되는 경우, 재시작된 처리부(120)도 동작 요소(110)의 동작 데이터를 인지하여야 하므로, 저장부(130)에 저장된 동작 요소(110)의 동작 데이터는 처리부(120)에 로딩되어 재설정될 수 있다.
앞서 설명한 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 제어 방법(S100, S200, S300, S400)은 기판 처리 장치가 재시작되거나 종료되더라도, 동작 요소는 독립적으로 제어됨으로써, 동작 요소가 초기화되지 않고 유지될 수 있다. 따라서, 챔버 내부의 상태가 그대로 유지되므로 기판 처리 장치의 재시작시 챔버 내부의 상태를 다시 맞추기 위한 시간을 확보할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치의 재시작에 따른 운용 시간을 단축할 수 있다.
이상에서 본 발명의 여러 실시예에 대하여 설명하였으나, 지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
100: 기판 처리 장치
110: 동작 요소
120: 처리부
130: 저장부
140: 제어부

Claims (10)

  1. 하나 이상의 동작 요소를 포함하는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 하나 이상의 동작 요소에 대한 제어 조건을 포함하는 레시피 데이터를 제공하는 처리부; 및
    상기 하나 이상의 동작 요소를 독립적으로 제어하고, 상기 처리부의 동작을 감시하며, 상기 처리부가 재시작되거나 종료되는 경우, 상기 하나 이상의 동작 요소의 동작 상태를 유지하는 제어부;를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 처리부가 재시작되거나 종료되는 경우, 상기 하나 이상의 동작 요소의 동작 상태를 모두 유지하거나 선택적으로 유지하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 처리부가 재시작되거나 종료되는 경우, 상기 하나 이상의 동작 요소의 동작 상태의 유지 범위를 외부로부터 입력 받는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 동작 요소의 작동 조건들에 대한 동작 데이터를 저장하는 저장부;를 더 포함하고,
    상기 제어부는 상기 저장부에 저장된 동작 데이터를 기초로 하여 상기 하나 이상의 동작 요소를 재설정하거나, 상기 저장부에 저장된 동작 데이터를 상기 처리부로 로딩하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 따른 기판 처리 장치를 제어하는 기판 처리 장치의 제어 방법에 있어서,
    상기 기판 처리 장치의 소프트웨어 제어와 상기 동작 요소의 제어를 각각 독립적으로 실시하는 제어 단계로서, 상기 제어 단계는 상기 처리부에 의해 상기 동작 요소의 제어를 위한 레시피 데이터를 제공하는 단계를 포함하고;
    상기 처리부가 재시작되거나 종료되는 것을 감시하는 감시 단계;
    상기 처리부가 재시작되거나 종료되는지를 판단하는 동작 판단 단계; 및
    상기 처리부가 재시작되거나 종료되는 경우, 상기 동작 요소의 동작 상태를 유지하는 유지 단계;를 포함하는 기판 처리 장치의 제어 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 동작 요소의 작동 조건들에 대한 동작 데이터를 저장하는 저장 단계; 및
    상기 처리부가 재시작되거나 종료되는 경우, 상기 동작 데이터를 로딩하여 상기 하나 이상의 동작 요소에 재설정하는 재설정 단계;를 더 포함하는 기판 처리 장치의 제어 방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 유지 단계는,
    상기 기판 처리 장치가 재시작되거나 종료되는 경우, 상기 동작 요소의 동작 상태를 모두 유지하거나 선택적으로 유지하는 기판 처리 장치의 제어 방법.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치가 재시작되거나 종료되는 경우, 상기 동작 요소의 동작 상태의 유지 범위를 판단하는 유지 범위 판단 단계;를 더 포함하는 기판 처리 장치의 제어 방법.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치가 재시작되거나 종료되는 경우, 상기 동작 요소의 동작 상태의 유지 범위를 외부로부터 입력 받는 입력 단계;를 더 포함하는 기판 처리 장치의 제어 방법.
  10. 컴퓨터 상에서 동작하는 제어 프로그램이 저장된 기억 매체에 있어서,
    상기 제어 프로그램은 실행시 제5항에 따른 제어 방법이 행하여지도록, 컴퓨터로 하여금 기판 처리 장치를 제어하도록 하는 기억 매체.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007329345A (ja) * 2006-06-08 2007-12-20 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH096401A (ja) * 1995-06-20 1997-01-10 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置の障害対処システム
JP2004047837A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置のプログラム追加方法及び基板処理システム
EP1546827A1 (en) * 2002-09-30 2005-06-29 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for the monitoring and control of a semiconductor manufacturing process
JP4307168B2 (ja) * 2003-07-07 2009-08-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置およびその方法
JP5091413B2 (ja) * 2006-03-08 2012-12-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理装置の制御方法
JP4232788B2 (ja) * 2006-04-03 2009-03-04 セイコーエプソン株式会社 半導体製造装置の制御方法及びその制御システム
JP4975605B2 (ja) 2007-12-26 2012-07-11 東京エレクトロン株式会社 処理システム、処理システムの制御方法およびソフトウェアのバージョンアップ方法
US8473089B2 (en) * 2009-06-30 2013-06-25 Lam Research Corporation Methods and apparatus for predictive preventive maintenance of processing chambers
JP6140111B2 (ja) * 2014-07-14 2017-05-31 ファナック株式会社 設定の自動復元機能および誤設定防止機能を備えた数値制御装置
WO2017131404A1 (ko) 2016-01-26 2017-08-03 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
KR102567720B1 (ko) 2016-01-26 2023-08-17 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007329345A (ja) * 2006-06-08 2007-12-20 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置

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