JPH11126743A - 処理装置 - Google Patents

処理装置

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JPH11126743A
JPH11126743A JP9292604A JP29260497A JPH11126743A JP H11126743 A JPH11126743 A JP H11126743A JP 9292604 A JP9292604 A JP 9292604A JP 29260497 A JP29260497 A JP 29260497A JP H11126743 A JPH11126743 A JP H11126743A
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time
unit
heating
processing
power
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Yutaka Yamahira
豊 山平
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Tokyo Electron Ltd
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    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Abstract

(57)【要約】 【課題】 装置立ち上げ時に一時に大電力が消費される
ことのない処理装置を提供する。 【解決手段】 複数の加熱型処理ユニットU1,U2,
…内に組み込まれた各ヒータh1,h2,…について電
源が入ったままに保たれる立ち上げ時期が互いに重なら
ないように制御部95,96及びAND型ゲート素子G
1,G2を用いて制御する。同じ時期に複数のヒータh
1,h2,…について電源が入ったままに保たれること
がないので、装置立ち上げ時に一時に大きな電力が消費
されることが防止される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体やL
CD基板の製造工程において半導体ウエハやLCD基板
などの被処理基板にレジスト液を塗布したり、露光後の
被処理基板を現像する塗布現像装置などの処理装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来より半導体ウエハやLCD基板の塗
布現像装置では、予備加熱ユニットや乾燥ユニットなど
の加熱型ユニットを一台の塗布現像装置内に複数台備え
ており、これらの加熱型ユニット内にはそれぞれ熱板が
取り付けられている。
【0003】ところで、熱板は電気で加熱するヒータを
内蔵しており、装置立ち上げ時の冷えた状態では、電力
を入れてから数分から10分程度で必要な温度まで昇温
するが、熱板の温度が安定するまでには電力投入から3
0分程度かかる。そして冷えた熱板の加熱を開始してか
ら所定温度に到達するまでの立ち上げ時には大電力を必
要とするのに対し、一旦昇温後に温度が安定する安定状
態では電力が断続的に供給されるため、消費電力は比較
的少ない。
【0004】また、塗布現像装置においては、ウエハW
を搬入する処理ユニットの順序は決まっており、この順
序に従ってウエハを一枚ずつ各処理ユニットに搬送しな
がら一連の処理を行う。そのため、各処理ユニットはウ
エハWを搬入するまでに安定状態になっていれば十分で
ある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
塗布現像装置では、複数の処理ユニット内のヒータに対
して、装置立ち上げ時に同時に電力を投入しているた
め、装置立ち上げ時に大電力が消費され、それに応じて
電力ケーブルやブレーカ等の部品に大容量のものを使用
する必要がある。そのため装置の製造コストが上昇する
という問題や、電力ケーブルやブレーカとして通常稼働
時の消費電力の4倍近い容量のものを使用する必要があ
るため、通常稼働時に異常が発生して大きな電力が消費
されてもブレーカが作動しないおそれがあり、通常稼働
時の電力の安全管理ができないという問題がある。
【0006】本発明は、このような課題を解決するため
になされたもので、装置立ち上げ時に大電力が消費され
ることのない処理装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、請求項1記載の本発明の処理装置は、被処理基板を
加熱する複数の加熱手段と、これら加熱手段に電力の供
給をオン・オフするメインスイッチと、前記メインスイ
ッチがオンされたとき、前記各加熱手段に対して電力を
時間的にずらしながら供給していく供給手段とを具備す
る。
【0008】請求項2記載の本発明の処理装置は、請求
項1に記載の処理装置であって、前記供給手段が、加熱
手段の作動順序に基づいて、電力を供給する手段である
ことを特徴とする。
【0009】請求項3記載の本発明の処理装置は、被処
理体を複数の処理ユニットで処理する処理装置におい
て、前記処理ユニットのうち少なくとも一つは被処理体
を加熱する加熱手段を有し、前記処理装置に、電力の供
給をオン・オフするメインスイッチと、メインスイッチ
がオンされたときに、前記各処理ユニットに対して電力
を時間的にずらしながら供給していく供給手段とを具備
する。
【0010】請求項4記載の本発明の処理装置は、請求
項3に記載の処理装置であって、前記供給手段が、加熱
手段の作動順序に基づいて、電力を供給する手段である
ことを特徴とする。
【0011】請求項5記載の本発明の処理装置は、被処
理基板を加熱する複数の加熱手段と、前記各加熱手段に
対する電力の供給をオン・オフする複数のスイッチと、
前記各加熱手段の温度を検出する手段と、前記検出され
た温度に基づき、前記各スイッチのオン・オフを制御す
る手段と、当該装置の立ち上げ時に、前記各スイッチが
オンとなることを規制する規制手段と、を具備する。
【0012】請求項6記載の本発明の処理装置は、請求
項5に記載の処理装置であって、前記規制手段が、前記
各スイッチに対してオンの規制を時間的にずらしながら
解除していくことを特徴とする。
【0013】請求項7記載の本発明の処理装置は、請求
項5に記載の処理装置であって、前記規制手段が、加熱
手段の作動順序に基づいて、オンの規制を解除していく
ことを特徴とする。
【0014】請求項1の処理装置では、複数の加熱手段
について、装置のメインスイッチをオンしたときに、各
加熱手段に対して電力を時間的にずらしながら供給する
ようにしたので、前記各加熱手段に電源が入ったままの
状態に保たれる立ち上げ時期が一時に集中することがな
くなり、装置立ち上げ時の一時に大電力が消費されるこ
とが防止される。
【0015】請求項2の処理装置では、前記供給手段
が、加熱手段の作動順序に基づいて、電力を供給するよ
うにしたので、前記各加熱手段に電源が入ったままの状
態に保たれる立ち上げ時期が一時に集中することがなく
なり、装置立ち上げ時の一時に大電力が消費されること
が防止される。また、作動順序の遅い加熱手段に対し、
必要以上に早い時期から電力を供給することがなくなる
ので、電力消費量を節約することができる。
【0016】請求項3の処理装置では、被処理体を複数
の処理ユニットで処理する処理装置において、処理装置
のメインスイッチをオンしたときに、各処理ユニットに
対して電力を時間的にずらしながら供給するようにした
ので、前記各処理ユニットに電源が入ったままの状態に
保たれる立ち上げ時期が一時に集中することがなくな
り、装置立ち上げ時の一時に大電力が消費されることが
防止される。
【0017】請求項4の処理装置では、前記供給手段
が、加熱手段の作動順序に基づいて、電力を供給するよ
うにしたので、前記各加熱手段に電源が入ったままの状
態に保たれる立ち上げ時期が一時に集中することがなく
なり、装置立ち上げ時の一時に大電力が消費されること
が防止される。また、作動順序の遅い加熱手段に対し、
必要以上に早い時期から電力を供給することがなくなる
ので、電力消費量を節約することができる。
【0018】請求項5の処理装置では、装置の立ち上げ
時に、各加熱手段に対する電力の供給をオン・オフする
複数のスイッチがオンとなることを規制する規制手段を
設け、この規制手段により各加熱手段に対して電力を時
間的にずらしながら供給するようにしたので、装置立ち
上げ時の一時に大電力が消費されることが防止される。
また、この規制手段は従来からある、複数の加熱手段
のそれぞれの温度に基づいて各加熱手段のスイッチのオ
ン・オフを制御する処理装置に対し、当該装置の立ち上
げ時に前記各スイッチがオンとなることを規制する規制
手段を付加する構成としたので、従来型の装置の構造を
大幅に改変する必要はなく、規制手段を付加するだけ
で、装置立ち上げ時の一時に大電力が消費されることを
防止できる。 請求項6の処理装置では、請求項5に記
載の処理装置において、前記規制手段として、前記各ス
イッチに対してオンの規制を時間的にずらしながら解除
していくものを採用したので、前記各加熱手段に電源が
入ったままの状態に保たれる立ち上げ時期が一時に集中
することがなくなり、装置立ち上げ時の一時に大電力が
消費されることが防止される。
【0019】請求項7の処理装置では、請求項5に記載
の処理装置において、前記規制手段として、加熱手段の
作動順序に基づいて、オンの規制を解除していくものを
採用しているので、前記各加熱手段に電源が入ったまま
の状態に保たれる立ち上げ時期が一時に集中することが
なくなり、装置立ち上げ時の一時に大電力が消費される
ことが防止される。また、作動順序の遅い加熱手段に対
し、必要以上に早い時期から電力を供給することがなく
なるので、電力消費量を節約することができる。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態の詳細を
図面に基づいて説明する。
【0021】図1は本発明の一実施形態に係るレジスト
塗布ユニット(COT)を備えた半導体ウエハ(以下、
「ウエハ」という)の塗布現像処理システム1全体を示
した平面図である。
【0022】この塗布現像処理システム1では、被処理
体としてのウエハWをウエハカセットCRで複数枚、例
えば25枚単位で外部からシステムに搬入・搬出した
り、ウエハカセットCRに対してウエハWを搬入・搬出
したりするためのカセットステーション10と、塗布現
像工程の中で1枚ずつウエハWに所定の処理を施す枚葉
式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置した処理ス
テーション11と、この処理ステーション11に隣接し
て設けられる露光装置(図示せず)との間でウエハWを
受け渡しするためのインタフェース部12とが一体的に
接続されている。このカセットステーション10では、
カセット載置台20上の位置決め突起20aの位置に、
複数個例えば4個までのウエハカセットCRが、夫々の
ウエハ出入口を処理ステーション11側に向けてX方向
(図1中の上下方向)一列に載置され、このカセット配
列方向(X方向)およびウエハカセッ卜CR内に収納さ
れたウエハWのウエハ配列方向(Z方向;垂直方向)に
移動可能なウエハ搬送体21が各ウエハカセットCRに
選択的にアクセスする。
【0023】このウエハ搬送体21はθ方向に回転自在
であり、後述するように処理ステーション11側の第3
の処理ユニット群G3 の多段ユニット部に配設されたア
ライメントユニット(ALIM)やイクステンションユ
ニット(EXT)にもアクセスできる。
【0024】処理ステーション11には、ウエハ搬送装
置を備えた垂直搬送型の主ウエハ搬送機構22が設けら
れ、その周りに全ての処理ユニットが1組または複数の
組に亙って多段に配置されている。
【0025】図2は上記塗布現像処理システム1の正面
図である。
【0026】第1の処理ユニット群G1 では、カップC
P内でウエハWをスピンチャックに載せて所定の処理を
行う2台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗
布ユニット(COT)および現像ユニット(DEV)が
下から順に2段に重ねられている。第2の処理ユニット
群G2 では、2台のスピンナ型処理ユニット、例えばレ
ジスト塗布ユニット(COT)および現像ユニット(D
EV)が下から順に2段に重ねられている。これらレジ
スト塗布ユニット(COT)は、レジスト液の排液が機
構的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、こ
のように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に
応じて適宜上段に配置することももちろん可能である。
【0027】図3は上記塗布現像処理システム1の背面
図である。
【0028】主ウエハ搬送機構22では、筒状支持体4
9の内側に、ウエハ搬送装置46が上下方向(Z方向)
に昇降自在に装備されている。筒状支持体49はモータ
(図示せず)の回転軸に接続されており、このモータの
回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてウエハ搬
送装置46と一体に回転し、それによりこのウエハ搬送
装置46はθ方向に回転自在となっている。なお筒状支
持体49は前記モータによって回転される別の回転軸
(図示せず)に接続するように構成してもよい。ウエハ
搬送装置46には、搬送基台47の前後方向に移動自在
な複数本の保持部材48が配設されており、これらの保
持部材48は各処理ユニット間でのウエハWの受け渡し
を可能にしている。
【0029】また、図1に示すようにこの塗布現像処理
システム1では、5つの処理ユニット群G1 、G2 、G
3 、G4 、G5 が配置可能であり、第1および第2の処
理ユニット群G1 、G2 の多段ユニットは、システム正
面(図1において手前)側に配置され、第3の処理ユニ
ット群G3 の多段ユニットはカセットステーション10
に隣接して配置され、第4の処理ユニット群G4 の多段
ユニットはインタフェース部12に隣接して配置され、
第5の処理ユニット群G5 の多段ユニットは背面側に配
置されることが可能である。
【0030】図3に示すように、第3の処理ユニット群
3 では、ウエハWを保持台(図示せず)に載せて所定
の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処
理を行うクーリングユニット(COL)、レジストの定
着性を高めるためのいわゆる疏水化処理を行うアドヒー
ジョンユニット(AD)、位置合わせを行うアライメン
トユニット(ALIM)、イクステンションユニット
(EXT)、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキン
グユニット(PREBAKE)および露光処理後の加熱
処理を行うポストベーキングユニット(POBAKE)
が、下から順に例えば8段に重ねられている。第4の処
理ユニット群G4 でも、オーブン型の処理ユニット、例
えばクーリングユニット(COL)、イクステンション
・クーリングユニット(EXTCOL)、イクステンシ
ョンユニット(EXT)、クーリングユニッ卜(CO
L)、プリベーキングユニット(PREBAKE)およ
びポストベーキングユニット(POBAKE)が下から
順に、例えば8段に重ねられている。
【0031】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット(COL)、イクステンション・クーリングユニッ
ト(EXTCOL)を下段に配置し、処理温度の高いプ
リベーキングユニット(PREBAKE)、ポストベー
キングユニット(POBAKE)およびアドヒージョン
ユニット(AD)を上段に配置することで、ユニット間
の熱的な相互干渉を少なくすることができる。もちろ
ん、ランダムな多段配置としてもよい。
【0032】図1に示すように、インタフェース部12
では、奥行方向(X方向)は前記処理ステーション11
と同じ寸法を有するが、幅方向(Y方向)はより小さな
サイズである。このインタフェース部12の正面部に
は、可搬性のピックアップカセットCRと、定置型のバ
ッファカセットBRとが2段に配置され、他方背面部に
は周辺露光装置23が配設され、さらに中央部にはウエ
ハ搬送体24が設けられている。このウエハ搬送体24
は、X方向、Z方向に移動して両カセットCR、BRお
よび周辺露光装置23にアクセスする。
【0033】ウエハ搬送体24は、θ方向にも回転自在
であり、処理ステーション11側の第4の処理ユニット
群G4 の多段ユニットに配設されたイクステンションユ
ニット(EXT)や、隣接する露光装置側のウエハ受渡
し台(図示せず)にもアクセスできる。
【0034】また塗布現像処理システム1では、既述の
如く主ウエハ搬送機構22の背面側にも図1中破線で示
した第5の処理ユニット群G5 の多段ユニットを配置で
きるが、この第5の処理ユニット群G5 の多段ユニット
は、案内レール25に沿ってY方向へ移動可能である。
従って、この第5の処理ユニット群G5 の多段ユニット
を図示の如く設けた場合でも、前記案内レール25に沿
って移動することにより、空間部が確保されるので、主
ウエハ搬送機構22に対して背後からメンテナンス作業
が容易に行える。
【0035】次に、図4及び図5につき処理ステーショ
ン11において第3および第4の組G3 ,G4 の多段ユ
ニットに含まれているベーキングユニット(PREBA
KE)、(POBAKE)のような加熱型処理ユニット
の構成および作用を説明する。 図4および図5は、本
実施形態に係る加熱型処理ユニットの構成を示す平面図
および断面図である。なお、図5では、図解のために水
平遮蔽板55を省略してある。
【0036】この加熱型処理ユニットの処理室50は両
側壁53と水平遮蔽板55とで形成され、処理室50の
正面側(主ウエハ搬送機構24側)および背面側はそれ
ぞれ開口部50A,50Bとなっている。遮蔽板55の
中心部には円形の開口56が形成され、この開口56内
にヒータ等の加熱器を内蔵した円板状の熱板56が載置
台SPとして設けられる。
【0037】熱板56にはたとえば3つの孔60が設け
られ、各孔60内には支持ピン62が遊嵌状態で挿通さ
れており、半導体ウエハWのローディング・アンローデ
ィング時には各指示ピン62が熱板56の表面より上に
突出または上昇して主ウエハ搬送機構22の保持部材4
8との間でウエハWの受け渡しを行うようになってい
る。
【0038】熱板56の外周囲には、円周方向にたとえ
ば2゜間隔で多数の通気孔64を形成したリング状の帯
板からなるシャッタ66が設けられている。このシャッ
タ66は、通常は熱板56より下の位置に退避している
が、加熱処理時には図5に示すように熱板56の上面よ
りも高い位置まで上昇して、熱板56とカバー体68と
の間にリング状の側壁を形成し、装置正面側より流入す
るダウンフローの清浄空気を通気孔64より周方向で均
等に流入させるようになっている。
【0039】カバー体68の中心部には加熱処理時にウ
エハW表面から発生するガスを排出するための排気口6
8aが設けられ、この排気口68aに排気管70が接続
されている。この排気管70は、装置正面側(主ウエハ
搬送機構24側)のダクト53(もしくは54)または
図示しないダクトに通じている。
【0040】遮蔽板55の下には、遮蔽板55、両側壁
53および底板72によって機械室74が形成されてお
り、室内には熱板支持板76、シャッタアーム78、支
持ピンアーム80)シャッタアーム昇降駆動用シリンダ
82、支持ピンアーム昇降駆動用シリンダ84が設けら
れている。
【0041】図5に示すように、半導体ウエハWの外周
縁部が載るべき熱板56の表面位置に複数個たとえば4
個のウエハ案内支持突起部86が設けられている。
【0042】この熱板56には電力を供給するための配
線(図示省略)が配設されており、この熱板56ごとに
スイッチ(図示省略)が配設され、電力供給のオン・オ
フはこのスイッチにより熱板56ごとに行われる。更
に、この熱板56のそれぞれには熱板56の温度を検出
する温度センサ(図示省略)が取り付けられており、後
述する制御部を介し、この温度センサにより検出された
熱板56の温度に基づいて上記スイッチのオン・オフが
制御されるようになっている。
【0043】次に、本実施形態に係る加熱型処理ユニッ
トの制御系について説明する。
【0044】図6は本実施形態に係る加熱型処理ユニッ
トの制御系の回路の概略を示した図である。
【0045】この回路では、複数の加熱型処理ユニット
U1,U2,…が組み込まれている。 これらの加熱型
処理ユニットは、例えば、処理ユニットU1がプリベー
キングユニット(PREBAKE)に、処理ユニットU
2がポストベーキングユニット(POBAKE)に、そ
れぞれ対応する。
【0046】これら加熱型処理ユニットU1,U2,
…、第一制御部95、および第二制御部96には電力が
供給されており、この電力の供給のオン・オフの切り換
えは図示しないメインスイッチにより行われる。
【0047】上記処理ユニットU1,U2,…にはそれ
ぞれヒータh1,h2,…が組み込まれており、これら
ヒータh1,h2,…のそれぞれと電源90とはライン
91,92,…で接続されている。電源90の近傍には
ブレーカBRが接続されており、この回路に所定値以上
の大電流が流れた場合に電源90からの電流を遮断す
る。 ライン91,92の途中にはリレースイッチSR
1,SR2,…がそれぞれ取り付けられており、それぞ
れヒータh1,h2,…と電源90との間を開閉する。
これらリレースイッチSR1,SR2,…に対して駆
動信号を入力する端子は後述するAND型ゲート素子
(以下単に「ゲート」という)G1,G2,…の出力側
端子g1,g2,…とそれぞれ接続されている。
【0048】これらゲートG1,G2,…のそれぞれの
入力側端子の一方b1,b2,…は第一制御部95の出
力側に接続されている。この第一制御部95の入力側に
はヒータh1,h2,…のそれぞれの温度を検出する温
度センサS1,S2,…が接続されており、ヒータh
1,h2,…のそれぞれの温度に基づく信号をゲートG
1,G2,…のそれぞれの入力側端子の一方b1,b
2,…に入力するようになっている。
【0049】また、ゲートG1,G2,…のそれぞれの
残りの入力側端子a1,a2,…は第二制御部96の出
力側とそれぞれ接続されている。この第二制御部96は
処理ユニットU1,U2,…の作動時期に関するデータ
を予め記憶させるようになっており、このデータからヒ
ータh1,h2,…への電力供給時期に関する信号を出
力し、出力された信号はゲートG1,G2,…のそれぞ
れの入力側端子a1,a2,…に入力されるようになっ
ている。
【0050】第一制御部95はセンサS1,S2,…を
介して各ヒータh1,h2,…の温度を検出し、その検
出したヒータh1,h2,…の温度が予め定めた所定の
温度より高いか低いかを判断し、高い場合にのみ、その
ヒータに対応するゲートの入力側端子に向けて信号
「1」を出力する。
【0051】また、第二制御部96は装置立ち上げ時
に、ゲートG1,G2,…の入力側端子a1,a2,…
に向けて、互いに時期をずらして、スイッチONを指示
する「1」の信号を順次出力する。このように「1」の
信号を出力する時期をずらすことによりヒータの立ち上
げ時期、即ち、一台のヒータに電流を流し初めてから、
このヒータの温度が所定温度に達して第一制御部が作動
し電流が断続的に流れるようになるまでの時期を複数の
ヒータ間で相違させる。
【0052】次に、このように構成された回路の動作を
図7に従って説明する。
【0053】図7はゲートG1,G2、第一制御部9
5、第二制御部96、ヒータh1,h2の動作を示した
タイミングチャートである。
【0054】本実施形態の塗布現像処理システム1のメ
インスッチをONにして塗布現像システムを立ち上げる
と、電源90からこの回路に電流が流れる。同時に、第
一制御部95,第二制御部96へも別の配線(図示省
略)を介して電力が供給される。 このメインスイッチ
をオンにした時間t1 の時点では、ヒータh1,h2の
温度は環境温度まで下がっているため、センサS1,S
2を介して第一制御部95はヒータh1,h2へ電流を
流すことが必要であると認識し、ヒータONを指示する
「1」の信号をゲートG1の入力側端子b1とゲートG
2の入力側端子b2に向けてそれぞれ出力する。従っ
て、ゲートG1,G2,…の各入力側端子b1,b2,
…には装置立ち上げ時からスイッチONを指示する
「1」の信号が入力される。
【0055】一方、第二制御部96は、メインスイッチ
をオンすると、ゲートG1,G2,…の入力側端子a
1,a2,…に向けて、互いに異なる時期に、スイッチ
ONを指示する「1」の信号を順次出力する。
【0056】例えば、最初ゲートG1のみに向けてスイ
ッチONを指示する「1」の信号を出力し、次いで所定
時間経過後にゲートG2に向けてスイッチONを指示す
る「1」の信号を出力する。
【0057】そのため、メインスイッチをオンにした時
間t1 では、ゲートG1の入力側端子a1,b1には共
に信号「1」が入力される。(図7チャート,) このとき、ゲートG1の作動条件が満されているため、
ゲートG1の出力端子g1からはリレースイッチのON
を指示する信号「1」が出力される。(図7チャート
) 出力端子g1と接続されたリレースイッチSR1の入力
端子に信号「1」が入力されると、リレースイッチSR
1が作動して接点を繋げ、電源90から電流をヒータh
1に流す。(図7チャート) 一方、ゲートG2については、時間t1 では、入力側端
子a2には第二制御部96からの信号「1」の入力はな
く、「0」のままである。そして入力側端子b2には第
一制御部95から信号「1」が入力される。(図7チャ
ート,) このとき、ゲートG2の作動条件が満されていないた
め、ゲートG2の出力端子g2からはリレースイッチの
ONを指示する信号「1」は出力されない。そのため、
この出力端子g2と接続されたリレースイッチSR2も
作動せず、電源90からヒータh2にも電流は流されな
い。(図7チャート) 図7のチャートに示すように、時間t1 からt2 まで
の間はリレースイッチSR1は接点を繋げたままの状態
に保たれ、その間ヒータh1は加熱を継続するが、時間
2 になると、ヒータh1の温度は所定の値に達する。
ヒータh1の温度はセンサS1により検出され、第一制
御部95に送られるので、ヒータh1の温度が所定の値
に達したことを認識した第一制御部95は、もはや加熱
継続の必要なしと判断し、ゲートG1の端子b1に向け
て信号「1」を出力するのを停止する。
【0058】一方、ゲートG1の端子a1は時間t1
後は信号「1」の状態が維持されるため、端子b1へ信
号「1」が送信されなくなるとゲートG1の作動条件が
満されなくなり、ゲートG1の出力側端子g1は「0」
の状態になる。するとリレースイッチSR1が接点を放
してヒータh1へ電流が流れなくなる。(図7チャート
〜,t2 〜t3 ) そして更に時間が経過してヒータh1の温度が低下する
と、センサS1を介して温度低下を認識した第一制御部
95から再び信号「1」がゲートG1の端子b1に向け
て出力され、ゲートG1の作動条件が満されるので、端
子g1からリレースイッチSR1に向けて信号「1」が
出力され、リレースイッチSR1が接点を繋げてヒータ
h1に電流を流す。(図7チャート〜,t3
4 ) 以下同様にヒータh1の温度変化に基づいてゲートG1
の端子b1への入力信号が「0」と「1」との間で変化
し、これに伴なってヒータh1を流れる電流I1 が断続
的に変化する。この時間t2 以後の電流I1 が断続的に
変化する状態がいわゆる安定状態であり、図7のチャー
トの時間t2 以後の部分が示すように、この間の電力
量は時間t1 〜t2 の電力量より少ない。
【0059】次にヒータh2に対応するチャート〜
に着目する。ヒータh1が安定状態に入る時間t2 にな
ると、第二制御部96からゲートG2の端子a2に向け
て信号「1」が出力される。チャートに示したように
ゲートG2の端子b2には時間t1 以後信号「1」が入
力されているので、時間t2 でゲートG2の端子a2に
向けて信号「1」が出力されると、ゲートG2の作動条
件が満たされて出力側端子g2に信号「1」が出力され
る。(図7チャート,) ゲートG2の出力側端子g2に信号「1」が出力される
と、この信号を受けたリレースイッチSR2が作動して
チャートの時間t2 の部分に示したようにヒータh2
に電流I2 が流れる。
【0060】時間t2 からヒータh2が所定の温度に達
する時間t5 までの間は第一制御部95から信号「1」
がゲートG2の入力側端子b2に向けて出力されたまま
となるのでチャートの時間t2 〜t5 の部分に示すよ
うに電流I2 は流され続けるが、時間t5 になって、ヒ
ータh2の温度が所定の温度に達すると、センサ2を介
して第一制御部95が加熱の必要がないと判断し、ゲー
トG2の入力側端子b2に向けて信号「1」を出力する
のを停止する。すると、ゲートG2の作動条件が満され
なくなり、出力側端子g2に信号「0」が出力され、こ
れを受けたリレースイッチSR2が接点を放してヒータ
h2に電流が流れなくなる。(図7チャート) その後時間t6 になってヒータh2の温度が低下する
と、センサS2を介してその温度低下を認識した第一制
御部95が信号「1」をゲートG2の入力側端子b2に
向けて出力する。すると、再びゲートG2の出力側端子
g2には「1」が出力され、これを受けたリレースイッ
チSR2が再び接点を繋げてヒータh2に電流I2 が流
れる。(図7チャート〜) 以下同様に、ヒータh2の温度に応じて第一制御部95
からゲートG2の入力側端子b2へ向けて出力される信
号が「0」と「1」との間で変化し、これに伴なってヒ
ータh2を流れる電流I2 が断続的に変化する。(図7
チャート〜) この時間t5 以後の電流I2 が断続
的に変化する安定化状態では、図7のチャートの時間
5 以後の部分が示すように、この間の電力量は時間t
1 〜t5の電力量より少ない。
【0061】図7のチャートは、ヒータh1を流れる
電流I1 とヒータh2を流れる電流I2 との和を示した
ものである。このチャートが示すように、時間t1
2の間は電流はヒータh1を流れるI1 のみであり、
その値はヒータh1一台分にすぎない。
【0062】時間t2 〜t5 になると、ヒータh1に加
え、ヒータh2にも電流が流れるため総電流は大きくな
るが、時間t2 以後ではヒータh1は安定状態に入り、
電流は断続的に流れるためヒータh1を流れる分は小さ
い。従って、時間t2 〜t5での総電流はヒータh2を
立ち上げるのに必要な電流に、ヒータh1で必要とされ
る小さい電流を加えたものであり、2台のヒータh1、
h2を同じタイミングで立ち上げる場合に比較して小さ
い電流ですむ。
【0063】更に時間t5 以後では2機のヒータh1,
h2が共に安定化状態に入るので、必要とされる電流は
更に小さくて済む。
【0064】以下同様に、後続のヒータh3,h4,…
についても互いに立ち上げ時期が重ならないように電力
投入時期を制御するので、複数のヒータ内に流れる電流
が同じ時期に集中して大きな電流が回路内に流れること
が防止される。
【0065】このように、本実施形態の塗布現像処理シ
ステム1では、複数の加熱型処理ユニットU1,U2,
…内に組み込まれた各ヒータh1,h2,…について、
装置立ち上げ時に、電源が入ったままに保たれる立ち上
げ時期が互いに重ならないように制御しているので、装
置立ち上げ時の同じ時期に複数のヒータh1,h2,…
について電源が入ったままに保たれることがなく、その
ため、一時に大きな電力が消費されることが防止され
る。
【0066】その結果、ブレーカBRとして通常稼働時
の電力消費量の2倍程度の容量のブレーカBRや電力ケ
ーブルを使用することができ、製造コストの低減と通常
稼働時に異常が発生した場合に適切に作動するブレーカ
BRを使用できるので、通常稼働時の安全管理を有効に
行うことができる。
【0067】なお、本発明はこの実施形態の内容に限定
されるものではない。
【0068】例えば、上記実施形態では、ヒータh1,
h2,…への電力供給開始時期をずらすように制御して
いるが、プリベーキングユニットとポストベーキングユ
ニットとでは、設定温度などの処理条件が異なるので、
加熱型処理ユニットの種類に応じて、電力供給終了時期
をずらすように制御することも可能である。
【0069】また、上記実施形態では、第一の制御部9
5、及び第二の制御部96の他にゲートG1,G2,…
を用いてヒータh1,h2,…の電力投入開始時期を制
御しているが、ゲートG1,G2,…を用いる代わりに
制御部を用いて直接ヒータh1,h2,…の電力投入開
始時期を制御するようにしてもよい。
【0070】更に、上記実施形態では、複数の加熱型処
理ユニットU1,U2,…内に組み込まれた各ヒータh
1,h2,…について継続的に電流を流す立ち上げ時期
が互いに重ならないように制御しているが、複数の加熱
型処理ユニットU1,U2,…の作動順に従って各ヒー
タh1,h2,…の電力供給時期を制御するようにして
もよい。
【0071】また、上記実施の形態ではウエハWについ
ての塗布現像処理システム1を例にして説明したが、本
発明はこれ以外の処理装置、例えば、LCD基板用処理
装置などにも適用できることは言うまでもない。
【0072】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項1記載の本
発明によれば、複数の加熱手段について、装置のメイン
スイッチをオンしたときに、各加熱手段に対して電力を
時間的にずらしながら供給するようにしたので、前記各
加熱手段に電源が入ったままの状態に保たれる立ち上げ
時期が一時に集中することがなくなり、装置立ち上げ時
の一時に大電力が消費されることが防止される。
【0073】請求項2記載の本発明によれば、前記供給
手段が、加熱手段の作動順序に基づいて、電力を供給す
るようにしたので、前記各加熱手段に電源が入ったまま
の状態に保たれる立ち上げ時期が一時に集中することが
なくなり、装置立ち上げ時の一時に大電力が消費される
ことが防止される。また、作動順序の遅い加熱手段に対
し、必要以上に早い時期から電力を供給することがなく
なるので、電力消費量を節約することができる。
【0074】請求項3記載の本発明によれば、被処理体
を複数の処理ユニットで処理する処理装置において、処
理装置のメインスイッチをオンしたときに、各処理ユニ
ットに対して電力を時間的にずらしながら供給するよう
にしたので、前記各処理ユニットに電源が入ったままの
状態に保たれる立ち上げ時期が一時に集中することがな
くなり、装置立ち上げ時の一時に大電力が消費されるこ
とが防止される。
【0075】請求項4記載の本発明によれば、前記供給
手段が、加熱手段の作動順序に基づいて、電力を供給す
るようにしたので、前記各加熱手段に電源が入ったまま
の状態に保たれる立ち上げ時期が一時に集中することが
なくなり、装置立ち上げ時の一時に大電力が消費される
ことが防止される。また、作動順序の遅い加熱手段に対
し、必要以上に早い時期から電力を供給することがなく
なるので、電力消費量を節約することができる。
【0076】請求項5記載の本発明によれば、装置の立
ち上げ時に、各加熱手段に対する電力の供給をオン・オ
フする複数のスイッチがオンとなることを規制する規制
手段を設け、この規制手段により各加熱手段に対して電
力を時間的にずらしながら供給するようにしたので、装
置立ち上げ時の一時に大電力が消費されることが防止さ
れる。
【0077】また、この規制手段は従来からある、複数
の加熱手段のそれぞれの温度に基づいて各加熱手段のス
イッチのオン・オフを制御する処理装置に対し、当該装
置の立ち上げ時に前記各スイッチがオンとなることを規
制する規制手段を付加する構成としたので、従来型の装
置の構造を大幅に改変する必要はなく、規制手段を付加
するだけで、装置立ち上げ時の一時に大電力が消費され
ることを防止できる。請求項6記載の本発明によれば、
請求項5に記載の処理装置において、前記規制手段とし
て、前記各スイッチに対してオンの規制を時間的にずら
しながら解除していくものを採用したので、前記各加熱
手段に電源が入ったままの状態に保たれる立ち上げ時期
が一時に集中することがなくなり、装置立ち上げ時の一
時に大電力が消費されることが防止される。
【0078】請求項7記載の本発明によれば、請求項5
に記載の処理装置において、前記規制手段として、加熱
手段の作動順序に基づいて、オンの規制を解除していく
ものを採用しているので、前記各加熱手段に電源が入っ
たままの状態に保たれる立ち上げ時期が一時に集中する
ことがなくなり、装置立ち上げ時の一時に大電力が消費
されることが防止される。また、作動順序の遅い加熱手
段に対し、必要以上に早い時期から電力を供給すること
がなくなるので、電力消費量を節約することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る塗布現像処理システム
の全体構成を示す平面図である。
【図2】本発明の実施形態に係る塗布現像処理システム
の正面図である。
【図3】本発明の実施形態に係る塗布現像処理システム
の背面図である。
【図4】本発明の実施形態に係る加熱型処理ユニットの
平面図である。
【図5】本発明の実施形態に係る加熱型処理ユニットの
断面図である。
【図6】本実施形態に係る加熱型処理ユニットの制御系
の回路の概略を示した図である。
【図7】ゲートG1,G2、第一制御部95、第二制御
部96、ヒータh1,h2の動作を示したタイミングチ
ャートである。
【符号の説明】
W ウエハ h1,h2 ヒータ U1,U2 処理ユニット 90 電源 SR1,SR2 リレースイッチ S1,S2 温度センサ 95 第一制御部 96 第二制御部 G1,G2 ゲート

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理基板を加熱する複数の加熱手段
    と、 これら加熱手段に電力の供給をオン・オフするメインス
    イッチと、 前記メインスイッチがオンされたとき、前記各加熱手段
    に対して電力を時間的にずらしながら供給していく供給
    手段とを具備することを特徴とする処理装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の処理装置であって、 前記供給手段が、加熱手段の作動順序に基づいて、電力
    を供給する手段であることを特徴とする処理装置。
  3. 【請求項3】 被処理体を複数の処理ユニットで処理す
    る処理装置において、 前記処理ユニットのうち少なくとも一つは被処理体を加
    熱する加熱手段を有し、 前記処理装置に、電力の供給
    をオン・オフするメインスイッチと、 メインスイッチがオンされたときに、前記各処理ユニッ
    トに対して電力を時間的にずらしながら供給していく供
    給手段とを具備することを特徴とする処理装置。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載の処理装置であって、 前記供給手段が、加熱手段の作動順序に基づいて、電力
    を供給する手段であることを特徴とする処理装置。
  5. 【請求項5】 被処理基板を加熱する複数の加熱手段
    と、 前記各加熱手段に対する電力の供給をオン・オフする複
    数のスイッチと、 前記各加熱手段の温度を検出する手段と、 前記検出された温度に基づき、前記各スイッチのオン・
    オフを制御する手段と、 当該装置の立ち上げ時に、前
    記各スイッチがオンとなることを規制する規制手段と、 を具備することを特徴とする処理装置。
  6. 【請求項6】 請求項5に記載の処理装置であって、 前記規制手段が、前記各スイッチに対してオンの規制を
    時間的にずらしながら解除していくことを特徴とする処
    理装置。
  7. 【請求項7】 請求項5に記載の処理装置であって、 前記規制手段が、加熱手段の作動順序に基づいて、オン
    の規制を解除していくことを特徴とする処理装置。
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US09/174,541 US6311091B1 (en) 1997-10-24 1998-10-19 Substitute processing apparatus with power distribution control for reduced power consumption during apparatus start up
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012048533A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Yamatake Corp エネルギー総和抑制制御装置、電力総和抑制制御装置および方法
KR20120103596A (ko) * 2009-10-21 2012-09-19 램 리써치 코포레이션 반도체 프로세싱을 위한 평탄한 히터존들을 가진 가열판
JP2013041317A (ja) * 2011-08-11 2013-02-28 Azbil Corp 制御装置および方法
CN103246246A (zh) * 2012-02-14 2013-08-14 阿自倍尔株式会社 耗电量抑制装置及方法
JP2015176178A (ja) * 2014-03-13 2015-10-05 アズビル株式会社 電力総和抑制制御装置および方法
US9797762B2 (en) 2012-09-12 2017-10-24 Azbil Corporation Controlling device
JP2018085474A (ja) * 2016-11-25 2018-05-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理システム
US10568163B2 (en) 2010-10-22 2020-02-18 Lam Research Corporation Methods of fault detection for multiplexed heater array
WO2022169923A1 (en) * 2021-02-04 2022-08-11 Applied Materials, Inc. Multi-zone heater control for wafer processing equipment

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100796801B1 (ko) * 2000-12-13 2008-01-22 삼성전자주식회사 노광 장치 및 이를 사용한 감광막 패턴 형성 방법
KR20040081045A (ko) * 2003-03-11 2004-09-20 소니 가부시끼 가이샤 반도체 웨이퍼의 열처리장치 및 방법
JP5829066B2 (ja) * 2011-07-11 2015-12-09 アズビル株式会社 制御装置および方法
US9345068B2 (en) * 2012-07-26 2016-05-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electrical resistor heating
US9405304B2 (en) 2013-03-15 2016-08-02 A. O. Smith Corporation Water heater and method of operating a water heater
DE112016006797T5 (de) * 2016-04-26 2019-01-17 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation Schichtaufbringungsvorrichtung
CN109995129A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 康舒科技股份有限公司 具有错位设计的电源供应器
US20210114047A1 (en) * 2018-06-08 2021-04-22 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation Film forming apparatus

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3586869A (en) * 1969-09-08 1971-06-22 Honeywell Inc Sequencing control unit
US4477733A (en) * 1982-10-18 1984-10-16 Honeywell Inc. Temperature dependent duty cycler control system
US4520274A (en) * 1983-07-22 1985-05-28 Stants Richard O Method and apparatus for controlling the loads or a plurality of units on a shared source
EP0238598B1 (en) * 1985-09-23 1992-01-02 Sharetree Systems Limited An oven for the burn-in of integrated circuits
KR0138097B1 (ko) * 1989-05-22 1998-06-15 고다까 토시오 도포장치
JP2964192B2 (ja) 1992-02-05 1999-10-18 東京エレクトロン株式会社 半導体デバイス製造用加熱装置
JPH05250045A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Tokyo Electron Ltd 温調機構制御方法
JPH06104248A (ja) 1992-09-18 1994-04-15 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
KR0164007B1 (ko) * 1994-04-06 1999-02-01 이시다 아키라 미세 패턴화된 레지스트막을 가지는 기판의 건조처리방법 및 장치
JPH07297258A (ja) * 1994-04-26 1995-11-10 Tokyo Electron Ltd 板状体の搬送装置
US5563455A (en) 1995-02-27 1996-10-08 Sun Microsystems, Inc. Method and apparatus for sequencing and controlling power distribution
US5661093A (en) * 1996-09-12 1997-08-26 Applied Materials, Inc. Method for the stabilization of halogen-doped films through the use of multiple sealing layers
JP3526184B2 (ja) * 1997-03-17 2004-05-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10236193B2 (en) 2009-10-21 2019-03-19 Lam Research Corporation Substrate supports with multi-layer structure including independent operated heater zones
KR20120103596A (ko) * 2009-10-21 2012-09-19 램 리써치 코포레이션 반도체 프로세싱을 위한 평탄한 히터존들을 가진 가열판
JP2013508968A (ja) * 2009-10-21 2013-03-07 ラム リサーチ コーポレーション 半導体処理用の平面ヒータゾーンを備える加熱プレート
US10720346B2 (en) 2009-10-21 2020-07-21 Lam Research Corporation Substrate support with thermal zones for semiconductor processing
US9646861B2 (en) 2009-10-21 2017-05-09 Lam Research Corporation Heating plate with heating zones for substrate processing and method of use thereof
US8688285B2 (en) 2010-08-27 2014-04-01 Azbil Corporation Total energy limiting and controlling device, and total electric power limiting and controlling device and method
JP2012048533A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Yamatake Corp エネルギー総和抑制制御装置、電力総和抑制制御装置および方法
US10568163B2 (en) 2010-10-22 2020-02-18 Lam Research Corporation Methods of fault detection for multiplexed heater array
JP2013041317A (ja) * 2011-08-11 2013-02-28 Azbil Corp 制御装置および方法
CN103246246B (zh) * 2012-02-14 2015-07-08 阿自倍尔株式会社 耗电量抑制装置及方法
CN103246246A (zh) * 2012-02-14 2013-08-14 阿自倍尔株式会社 耗电量抑制装置及方法
US9797762B2 (en) 2012-09-12 2017-10-24 Azbil Corporation Controlling device
JP2015176178A (ja) * 2014-03-13 2015-10-05 アズビル株式会社 電力総和抑制制御装置および方法
JP2018085474A (ja) * 2016-11-25 2018-05-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理システム
WO2022169923A1 (en) * 2021-02-04 2022-08-11 Applied Materials, Inc. Multi-zone heater control for wafer processing equipment

Also Published As

Publication number Publication date
TW469523B (en) 2001-12-21
KR19990037325A (ko) 1999-05-25
KR100517414B1 (ko) 2005-12-06
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