KR20040081045A - 반도체 웨이퍼의 열처리장치 및 방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼의 열처리장치 및 방법 Download PDF

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소메야아쓰시
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소니 가부시끼 가이샤
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Abstract

반도체 웨이퍼의 면 내에서의 선폭 등의 변동을 억제하도록 열처리를 행할 수 있는 반도체 웨이퍼의 열처리장치와 열처리방법을 제공하고, 이 열처리장치는, 반도체 웨이퍼를 소정의 온도로 가열하는 가열판과, 가열판 상에 적재된 반도체 웨이퍼 또는 반도체 웨이퍼 상당물을 가열할 때의 온도를 복수의 영역으로 분할한 부분에서 측정하는 온도측정부와, 반도체 웨이퍼의 온도를 제어하는 제어기를 구비하고, 상기 온도측정부에 의한 온도의 측정결과에 따라서, 제어기는 반도체 웨이퍼를 가열할 때의 온도를 복수의 영역마다 제어한다. 또한, 가열처리후의 냉각시에, 온도측정부에 의한 온도의 측정결과에 따라서, 제어기는 반도체 웨이퍼를 냉각할 때의 온도를 복수의 영역마다 제어한다.

Description

반도체 웨이퍼의 열처리장치 및 방법{HEAT TREATMENT APPARATUS AND METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER}
본 발명은 반도체 웨이퍼의 열처리장치 및 열처리방법에 관한 것으로, 특히 화학증폭형의 레지스트막의 PEB(Post Exposure Bake) 처리공정 등의 반도체장치의 제조공정에서 사용되는 반도체 웨이퍼의 열처리장치 및 열처리방법에 관한 것이다.
반도체장치의 제조공정에서, 포토레지스트막을 패턴형성하는 포토리소그래피기술은, 반도체장치의 더욱 더 미세화를 실현하기 위해 점점 중요한 기술이 되고 있다.
예를 들면, 화학증폭형의 레지스트막의 경우, 레지스트막의 노광처리 후, 현상처리를 행하기 전에, PEB 처리라고 불리는 열처리를 행한다. 이것은, 노광된 영역에서 발생한 산을 열처리에 의해 증폭하여, 노광선폭을 얻기 위한 것이다.
도 5는, 상기한 PEB 처리 등의 열처리를 행하기 위한 열처리장치의 모식 구성도이다.
예를 들면, 화학증폭형의 레지스트막이 형성되고, 소정의 패턴으로 노광된 반도체 웨이퍼를 소정의 온도로 가열하는 가열판(100)에는, 예를 들면 7개의 영역으로 분할된 히터(101)가 내장되어 있다.
각 히터(101)에는 온도설정을 할 수 있는 전원스위치(102)가 접속되어 있다. 이 스위치를 온함으로써 가열판(100)이 프리세트 온도(예를 들면, 130℃)로 가열된다.
상기한 열처리장치를 사용하여 반도체 웨이퍼에 PEB 처리를 시행하기 위해서는, 예를 들면 전원스위치(102)에서 설정온도를 130℃로 하고, 스위치를 온한 후 설정온도까지 가열된 상태의 가열판(100) 상에 노광후의 반도체 웨이퍼를 적재한다. 그리고, 반도체 웨이퍼에 소정시간의 열처리를 시행한다. 열처리 시간은, 예를 들면 90초로 한다.
그리고, 이 열처리 시간의 경과후에는, 반도체 웨이퍼를 60∼90초간 냉각하여 대략 23℃의 상온으로 한다(특허문헌 1 참조). 이때, 가열판(100)으로부터 수냉관을 내장하는 (도시되지 않은) 냉각판 상에 반도체 웨이퍼를 이동시킴으로써, 반도체 웨이퍼를 냉각한다.
[특허문헌 1]
일본국 특허공개 2001-23893호 공보(특히, 단락번호 0033)
그렇지만, 상기한 열처리장치를 사용하여 PEB 처리를 행하는 경우, PEB 처리를 행한 결과 생기는 레지스트막의 선폭에 관해서, 지금까지는 선폭의 변동 허용도가 컸다. 그래서, PEB 처리의 온도의 변동은 특별히 고려되어 있지 않아, 반도체 웨이퍼의 면 내에서의 선폭 제어성에 문제였다. 특히, 0.1㎛ 세대 이후의 미세화를 향하여, 상기한 종래의 열처리장치에서는 선폭의 변동을 억제할 수 없다고 하는 문제가 현저하게 되고 있다.
예를 들면, 도 6은 PEB 처리에 있어서의 온도 변동의 프로파일이다. 종축은 온도 변동의 크기, 횡축은 처리시간을 나타낸다.
0∼약 20초의 PEB 처리의 초기에서의 온도 변동은, 소정 온도로 가열할 때의 온도변동이고, 90초 이후에서의 온도 변동은 PEB 처리온도로부터 냉각할 때의 온도 변동이다.
도 7a∼도 7c는, 반도체 웨이퍼의 각 위치에서 측정한 PEB 처리중에서의 온도를 도시한 도면이다. 도 7a는 0∼약 20초의 승온기간, 도 7b는 약 20∼90초까지의 소정의 PEB 처리온도로 안정화되어 있는 기간, 도 7c는 90초 이후의 냉각기간을 각각 나타내고 있다.
반도체 웨이퍼의 중심부에서 외주부에 걸쳐 측정하고, 각각의 측정점을 모두 도시한다. 이 때문에, 프로파일은 온도의 변동에 해당하는 폭을 갖는다.
예를 들면, 승온기간에서의 온도 변동의 폭은 21.2℃이고, 승온 직후의 오버슈팅영역의 온도 변동의 폭은 1.56℃, PEB 처리의 종료시점(90초)에서의 온도안정영역에서는 온도 변동의 폭은 0.2℃이다. 또한, 냉각기간에서의 온도 변동의 폭은승온기간보다도 크다.
예를 들면, 도 7a의 승온기간에 있어서는 반도체 웨이퍼의 중심부보다도 외주부쪽이 온도가 높아지고, 도 7c의 냉각기간에서는 반도체 웨이퍼의 외주부보다도 중심부 쪽이 온도가 높아지는 경향이 있다.
이상과 같이, PEB 처리에 있어서는, 반도체 웨이퍼의 면 내에서 처리온도의 변동이 있고, 특히 처리의 승온기간과 냉각기간에서 변동이 커지는 것을 알 수 있다.
도 8a는, 70nm의 선폭의 고립패턴에 있어서, PEB 처리온도가 가장 높은 온도일 경우의 선폭과 가장 낮은 온도인 경우의 선폭(CD(Critical Dimension)값)을 시뮬레이션에 의해 구한 것을 나타낸 그래프이다. 적정한 도우즈량하에서, 선폭의 차이는 6.8nm에 이른다.
또한, 도 8b는, 90nm의 선폭의 라인 스페이스의 패턴에 있어서, PEB 처리온도가 가장 높은 온도일 경우의 선폭과 가장 낮은 온도일 경우의 선폭(CD값)을 시뮬레이션에 의해 구한 것을 나타낸 그래프이다. 적정한 도우즈량에서, 선폭의 차이는 9.9nm에 이른다.
상기한 바와 같이, 종래방법에서의 PEB 처리에 있어서는, 반도체 웨이퍼의 면 내에서의 PEB 처리온도의 변동이 크다. 그래서, 그 변동을 억제하는 동안 열처리를 하는 것이 요망되고 있다.
또한, 그 변동의 억제는 PEB 처리에만 한정되지 않는다. 예를 들면, 레지스트막의 형성 후에 레지스트막내의 용제를 증발시키는 프리베이킹처리 등의 레지스트막에 대한 그 이외의 열처리, 또는 가열판을 사용하여 행하는 반도체 웨이퍼에 대한 열처리에 대해서도, 마찬가지로 반도체 웨이퍼의 면 내에서의 변동을 억제하여 열처리를 행하는 것이 요망되고 있다.
본 발명은 상기한 문제를 감안하여 이루어진 것이다. 따라서, 반도체 웨이퍼의 면 내에서의 선폭의 변동 등을 억제하도록 열처리를 행할 수 있는 반도체 웨이퍼의 열처리장치와 열처리방법을 제공하는데 필요하다.
도 1은 제 1 실시예에 따른 열처리장치의 모식구성도.
도 2는 제 2 실시예에 따른 열처리장치의 모식구성도(a)와, 가열판부분의 단면도(b).
도 3은 제 3 실시예에 따른 열처리장치의 주요부의 모식구성도.
도 4는 제 4 실시예에 따른 열처리장치의 모식구성도(a)와, 냉각판부분의 단면도(b).
도 5는 종래 예에 따른 열처리장치의 모식구성도.
도 6은 종래 예의 PEB 처리에서의 온도변화의 프로파일.
도 7은 종래 예에서 반도체 웨이퍼의 각 위치에서 측정한 PEB 처리에서의 온도를 도시한 도면이다.
도 8은 70nm의 선폭의 고립패턴에 있어서, PEB 처리온도가 가장 높은 온도를 취한 경우의 선폭과 가장 낮은 온도를 취한 경우의 선폭을 나타낸 그래프(a)와, 90nm의 선폭의 라인 스페이스의 패턴에 있어서의 동일한 선폭과, 그 선폭이 시뮬레이션에 의해 구해지는 것을 나타낸 그래프(b).
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10 : 가열판 11, 101 : 히터
12, 22 : 제어기 13, 23 : 온도측정부
14, 24 : 가스분출구 15, 25 : 냉각가스
20 : 냉각판 21 : 냉각관
100 : 가열판 102 : 전원스위치
상기한 필요성을 달성하기 위해, 본 발명의 제 1 관점에 따른 반도체 웨이퍼의 열처리장치는, 반도체 웨이퍼를 소정의 온도로 가열하는 가열판과, 상기 가열판 상에 적재된 반도체 웨이퍼 또는 반도체 웨이퍼 상당물의 온도를 미리 복수의 영역으로 분할한 부분에서 측정하는 온도측정부와, 상기 반도체 웨이퍼의 온도를 제어하는 제어기를 구비하고, 상기 온도측정부에 의한 온도의 측정결과에 따라서, 상기 제어기는 상기 반도체 웨이퍼를 가열할 때의 온도를 상기 복수의 영역마다 제어한다.
또한, 상기한 필요성을 달성하기 위해, 본 발명의 제 2 관점에 따른 반도체 웨이퍼의 열처리장치는, 반도체 웨이퍼를 소정의 온도로 가열하는 가열판과, 상기 소정의 온도로 가열된 상기 반도체 웨이퍼를 냉각하는 냉각판과, 상기 냉각판 상에 적재된 반도체 웨이퍼 또는 반도체 웨이퍼 상당물을 냉각할 때의 온도를 미리 복수의 영역으로 분할한 부분에서 측정하는 온도측정부와, 상기 반도체 웨이퍼의 온도를 제어하는 제어기를 구비하고, 상기 온도측정부에 의한 온도의 측정결과에 따라서, 상기 제어기는, 상기 반도체 웨이퍼를 냉각할 때의 온도를 상기 복수의 영역마다 제어한다.
또한, 상기 필요성을 달성하기 위한 본 발명의 제 3 관점에 따른 반도체 웨이퍼의 열처리장치는, 전술한 제 1 관점과 제 2 관점에 따른 반도체 웨이퍼의 열처리장치를 구비한 부재의 양쪽을 구비하고 있다.
또한, 상기한 필요성을 달성하기 위해, 본 발명의 제 4 관점에 따른 반도체 웨이퍼의 열처리방법은, 반도체 웨이퍼를 가열하는 반도체 웨이퍼의 열처리방법에 있어서, 가열판 상에 반도체 웨이퍼 상당물을 적재하고, 상기 반도체 웨이퍼 상당물을 가열할 때의 온도를 복수의 영역으로 미리 분할한 부분에서 측정하는 공정과, 상기 가열판 상에 반도체 웨이퍼를 적재하고, 상기 온도의 측정결과에 따라서 상기 반도체 웨이퍼를 가열할 때의 온도를 상기 복수의 영역마다 제어하면서 상기 반도체 웨이퍼를 가열하는 공정을 포함한다.
또한, 상기한 필요성을 달성하기 위해, 본 발명의 제 5 관점에 따른 반도체 웨이퍼의 열처리방법은, 반도체 웨이퍼를 가열하는 반도체 웨이퍼의 열처리방법에 있어서, 가열판 상에 반도체 웨이퍼를 적재하고, 상기 반도체 웨이퍼를 가열할 때의 온도를 복수의 영역으로 분할한 후 측정하고, 상기 온도의 측정결과에 따라서 상기 반도체 웨이퍼를 가열할 때의 온도를 상기 복수의 영역마다 제어하면서 상기 반도체 웨이퍼를 가열한다.
또한, 상기한 필요성을 달성하기 위해, 본 발명의 제 6 관점에 따른 반도체웨이퍼의 열처리방법은, 반도체 웨이퍼를 가열한 후에 냉각하는 반도체 웨이퍼의 열처리방법에 있어서, 냉각판 상에 소정의 온도로 가열된 반도체 웨이퍼 상당물을 적재하고, 상기 반도체 웨이퍼 상당물을 냉각할 때의 온도를 복수의 영역으로 미리 분할한 부분에서 측정하는 공정과, 가열판 상에 반도체 웨이퍼를 적재하고, 상기 반도체 웨이퍼를 상기 소정의 온도로 가열하는 공정과, 상기 냉각판 상에 상기 소정의 온도로 가열된 반도체 웨이퍼를 적재하고, 상기 온도의 측정결과에 따라서 상기 반도체 웨이퍼를 냉각할 때의 온도를 상기 복수의 영역마다 제어하면서 상기 반도체 웨이퍼를 냉각하는 공정을 포함한다.
또한, 상기한 필요성을 달성하기 위해, 본 발명의 제 7 관점에 따른 반도체 웨이퍼의 열처리방법은, 반도체 웨이퍼를 가열한 후에 냉각하는 반도체 웨이퍼의 열처리방법에 있어서, 가열판 상에 반도체 웨이퍼를 적재하고, 상기 반도체 웨이퍼를 소정의 온도로 가열하는 공정과, 냉각판 상에 상기 소정의 온도로 가열된 상기 반도체 웨이퍼를 적재하고, 상기 반도체 웨이퍼를 냉각할 때의 온도를 복수의 영역으로 미리 분할한 부분에서 측정하고, 상기 온도의 측정결과에 따라서 상기 반도체 웨이퍼를 냉각할 때의 온도를 상기 복수의 영역마다 제어하면서 상기 반도체 웨이퍼를 냉각하는 공정을 포함한다.
그리고, 상기한 필요성을 달성하기 위해, 본 발명의 제 8 관점에 따른 반도체 웨이퍼의 열처리방법은, 반도체 웨이퍼를 가열한 후에 냉각하는 반도체 웨이퍼의 열처리방법에 있어서, 가열판 상에 반도체 웨이퍼를 적재하고, 상기 반도체 웨이퍼를 영역마다 온도제어하면서 가열하는 공정과, 상기 가열된 반도체 웨이퍼를냉각판 상에 적재하고, 상기 반도체 웨이퍼를 영역마다 온도제어하면서 냉각하는 공정을 포함한다.
상기한 본 발명의 제 1 관점에 따른 반도체 웨이퍼의 열처리장치의 작용은, 가열판에 의해 반도체 웨이퍼를 소정의 온도로 가열할 때에, 온도측정부에 의해 가열판 상에 적재된 반도체 웨이퍼 또는 반도체 웨이퍼 상당물을 가열할 때의 온도를 복수의 영역으로 미리 분할한 부분에서 측정하고, 이 온도의 측정결과에 따라서 제어기에 의해 반도체 웨이퍼를 가열할 때의 온도를 복수의 영역마다 제어한다.
상기한 본 발명의 제 2 관점에 따른 반도체 웨이퍼의 열처리장치의 작용은, 가열판에 의해 반도체 웨이퍼를 소정의 온도로 가열한 후, 냉각판에 의해 냉각할 때에, 온도측정부에 의해 냉각판 상에 적재된 반도체 웨이퍼 또는 반도체 웨이퍼 상당물을 냉각할 때의 온도를 복수의 영역으로 미리 분할한 부분에서 측정하고, 이 온도의 측정결과에 따라서 제어기에 의해 반도체 웨이퍼를 냉각할 때의 온도를 복수의 영역마다 제어한다.
상기한 본 발명의 제 3 관점에 따른 반도체 웨이퍼의 열처리장치의 작용은, 가열판에 의해 반도체 웨이퍼를 소정의 온도로 가열할 때 및, 냉각판에 의해 반도체 웨이퍼를 냉각할 때의 반도체 웨이퍼의 온도가, 복수의 영역마다 제어된다.
상기한 본 발명의 제 4 관점에 따른 반도체 웨이퍼의 열처리방법의 작용은, 반도체 웨이퍼를 가열하는 반도체 웨이퍼의 열처리시에, 가열판 상에 반도체 웨이퍼 상당물을 적재하고, 반도체 웨이퍼 상당물을 가열할 때의 온도를 복수의 영역으로 미리 분할한 부분에서 측정한다. 다음에, 가열판 상에 반도체 웨이퍼를 적재하고, 온도의 측정결과에 따라서 반도체 웨이퍼를 가열할 때의 온도를 복수의 영역마다 제어하면서 반도체 웨이퍼를 가열한다.
상기한 본 발명의 제 5 관점에 따른 반도체 웨이퍼의 열처리방법의 작용은, 반도체 웨이퍼를 가열하는 반도체 웨이퍼의 열처리시에, 가열판 상에 반도체 웨이퍼를 적재하고, 반도체 웨이퍼를 가열할 때의 온도를 복수의 영역으로 미리 분할한 부분에서 측정하다. 그 온도의 측정결과에 따라서 반도체 웨이퍼를 가열할 때의 온도를 복수의 영역마다 제어하면서 반도체 웨이퍼를 가열한다.
상기한 본 발명의 제 6 관점에 따른 반도체 웨이퍼의 열처리방법의 작용은, 가열판에 의해 반도체 웨이퍼를 소정의 온도로 가열한 후, 냉각판에 의해 냉각할 때에, 냉각판 상에 소정의 온도로 가열된 반도체 웨이퍼 상당물을 적재하고, 반도체 웨이퍼 상당물을 냉각할 때의 온도를 복수의 영역으로 미리 분할한 부분에서 측정한다. 다음에, 가열판 상에 반도체 웨이퍼를 적재하고, 반도체 웨이퍼를 소정의 온도로 가열한다. 다음에, 냉각판 상에 소정의 온도로 가열된 반도체 웨이퍼를 적재하고 온도의 측정결과에 따라서 반도체 웨이퍼를 냉각할 때의 온도를 복수의 영역마다 제어하면서 반도체 웨이퍼를 냉각한다.
상기한 본 발명의 제 7 관점에 따른 반도체 웨이퍼의 열처리방법의 작용은, 가열판에 의해 반도체 웨이퍼를 소정의 온도로 가열한 후, 냉각판에 의해 냉각할 때에, 가열판 상에 반도체 웨이퍼를 적재하고, 반도체 웨이퍼를 소정의 온도로 가열한다. 다음에, 냉각판 상에 소정의 온도로 가열된 반도체 웨이퍼를 적재하고, 반도체 웨이퍼를 냉각할 때의 온도를 복수의 영역으로 미리 분할한 부분에서 측정한다. 그 온도의 측정결과에 따라서 반도체 웨이퍼를 냉각할 때의 온도를 복수의 영역마다 제어하면서 반도체 웨이퍼를 냉각한다.
상기한 본 발명의 제 8 관점에 따른 반도체 웨이퍼의 열처리방법에서는, 복수의 영역마다 온도제어하면서 가열된 반도체 웨이퍼가, 복수의 영역마다 온도제어하면서 냉각된다. 이 때문에, 가열공정으로부터 냉각공정까지의 일련의 과정에서, 복수의 영역마다 온도제어가 이루어지면서 반도체 웨이퍼의 열처리가 행하여진다.
[발명의 실시예]
이하, 본 발명의 실시예들을 도면을 참조하여 설명한다.
(제 1 실시예)
본 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 열처리장치 및 열처리방법에 관해서 설명한다.
도 1은, 본 실시예에 따른 열처리장치의 모식 구성도이다.
이 열처리장치는, 반도체 웨이퍼를 소정의 온도로 가열하는 가열판(10)과, 가열판(10) 상에 적재된 반도체 웨이퍼 또는 반도체 웨이퍼 상당물을 가열할 때의 온도를 복수의 영역으로 미리 분할한 부분에서 측정하는 온도측정부(13)와, 반도체 웨이퍼의 온도를 제어하는 제어기(12)를 구비한다.
가열판(10)은, 예를 들면 복수(예를 들면 7개)의 영역에 따라서 분할되어 있는 히터(11)가 내장되어 있다.
온도측정부(13)는, 예를 들면, 더미 반도체 웨이퍼에 매립된 열전쌍일 수도 있다. 이 반도체 웨이퍼 상당물인 더미 반도체 웨이퍼를 가열판(10) 상에 적재하여 가열할 때의 온도를, 가열판(10)의 히터의 분할영역에 대응하는 복수의 영역으로 미리 분할한 부분에서 측정할 수 있다.
또는, 온도측정부(13)는, 반도체 웨이퍼를 가열판(10) 상에 적재하여 가열할 때의 온도를 실시간으로 측정하도록 구성되어도 된다. 이 경우에, 온도측정부(13)는, 가열판(10) 상에 적재된 반도체 웨이퍼의 각 영역의 온도를 측정가능할 수도 있다. 예를 들면 온도측정부는, 가열판(10)의 히터 분할영역마다 매립된 열전쌍이어도 된다. 그래서, 반도체 웨이퍼를 가열판(10) 상에 적재하여 가열할 때의 온도를, 가열판(10)의 히터의 분할영역에 대응하는 복수의 영역으로 미리 분할한 부분에서 측정할 수 있다.
제어기(12)는, 가열판(10)에서 가열하는 온도를 설정하고, 가열판(10) 상에 적재된 반도체 웨이퍼 또는 반도체 웨이퍼 상당물을 가열할 때의 온도를 온도측정부(13)에 의해 복수의 영역으로 미리 분할한 부분에서 측정한 측정결과에 따라서, 반도체 웨이퍼를 가열할 때의 온도를 복수의 영역마다 제어한다.
예를 들면, 가열판(10)에서 반도체 웨이퍼를 가열하기 전에, 반도체 웨이퍼 상당물인 열전쌍이 매립된 더미 반도체 웨이퍼를 가열판(10)에 의해 가열한다. 이때의 온도를 열전쌍에 의해 측정한다.
가열판에서 반도체 웨이퍼를 가열할 때에, 온도측정부에 의한 온도의 측정결과에 따라서, 제어기에 의해 가열판(10) 중의 히터의 온도를 조절한다. 그래서, 반도체 웨이퍼의 온도를 복수의 영역마다 제어하면서 가열처리를 행한다.
상기 제어기(12)에 의한 온도 제어방법으로서는, 예를 들면, 온도측정부(13)에 의한 온도의 측정결과에 대하여 허용폭을 설정한다. 그리고, 온도가 허용폭 내에 있도록, 제어기에 의해 반도체 웨이퍼의 온도를 복수의 영역마다 제어한다.
상기한 온도의 측정시간마다의 허용폭으로서는, 예를 들면 가열온도마다 또는 측정시간마다 설정한다. 이 허용폭을 일탈한 경우에는, 가열판(10)의 각 분할영역에 내장되어 있는 히터의 온도를 조절한다.
예를 들면, 130℃에서 90초간의 PEB 처리를 행하는 경우에, 측정시간마다 온도의 허용폭을 설정하기 위해서는, PEB 처리개시 후 5∼20초의 승온기, 25∼90초의 온도의 안정기, 95초 이후의 강온기에 대해, 하기의 표 1에 나타낸 것과 같은 허용폭으로 한다.
[표 1]
또한, 본 실시예의 열처리장치는, 예를 들면 수냉관을 내장한 (도시되지 않은) 냉각판을 갖고 있다. 상기한 가열판에 의한 열처리가 종료한 반도체 웨이퍼는, 빠르게 수냉관 상으로 이동되어 냉각된다.
상기한 열처리장치를 사용하여 반도체 웨이퍼에 PEB 처리를 시행하는 열처리방법에 관해서 설명한다.
우선, 소정 온도(예를 들면 130℃)로 가열된 가열판 상에, 복수의 영역으로 미리 분할한 부분에서 열전쌍이 매립된 더미 반도체 웨이퍼(반도체 웨이퍼 상당물)을 적재한다. 이때의 각 영역마다의 승온의 형태를 열전쌍에 의해 측정한다. 상기한 온도의 측정결과로부터, 실제로 반도체 웨이퍼를 열처리할 때에 온도변동이 억제되도록 하는 가열조건으로서, 예를 들면 가열판에 매립되어 있는 히터의 온도조절조건을 구한다.
다음에, 예를 들면 화학증폭형 레지스트막이 형성되고, 노광처리가 행해진 반도체 웨이퍼를 가열판(10) 상에 적재한다. 그래서, 상기한 온도의 측정결과로부터 구해진 가열조건(온도조절조건)에 따라 반도체 웨이퍼를 가열할 때의 온도를 복수의 영역마다 제어하면서, 반도체 웨이퍼에 소정 시간의 가열처리를 한다.
다음에, 열처리 시간의 경과 후에, 수냉관을 내장하는 (도시되지 않은) 냉각판 상에 반도체 웨이퍼를 이동시킴으로써, 반도체 웨이퍼를 냉각한다.
이상과 같이 하여 PEB 처리가 행해진 반도체 웨이퍼는, 현상처리를 시행한다. 그후, 이후의 공정이 더 행해진다.
또한, 상기한 열처리장치를 사용하고 반도체 웨이퍼에 PEB 처리를 시행하는 열처리방법은, 아래와 같이 행할 수 있다.
우선, 소정 온도(예를 들면, 130℃)로 가열된 가열판 상에, 예를 들면 화학증폭형 레지스트막이 형성되고, 노광처리가 이루어진 반도체 웨이퍼를 적재한다. 이때의 반도체 웨이퍼의 복수로 분할된 각 영역마다의 승온의 형태를 온도측정부에 의해 측정한다. 이 온도의 측정결과로부터 온도변동이 억제되도록 하는 가열조건을 구한다. 이 가열조건에 따라, 온도를 복수의 영역마다 제어하면서, 반도체 웨이퍼에 소정 시간의 가열을 행한다. 이때, 반도체 웨이퍼 상당물인 더미 반도체 웨이퍼에 매립된 열전쌍을 사용하지 않고, 가열판 상에 적재한 반도체 웨이퍼의 각 영역의 온도를, 온도측정부에 의해 측정한다.
다음에, 열처리 시간의 경과후에, 수냉관을 내장하는 (도시되지 않은) 냉각판 상에 반도체 웨이퍼를 이동시킴으로써, 반도체 웨이퍼를 냉각한다.
이상과 같이 하여 PEB 처리가 행해진 반도체 웨이퍼는, 현상처리를 시행한 다. 그후, 이후의 공정이 더 행해진다.
상기한 본 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 열처리장치와, 이것을 사용한 열처리방법에 따르면, 반도체 웨이퍼의 면 내에서의 선폭 등의 변동을 억제하도록, 열처리(PEB 처리)를 행할 수 있다.
(제 2 실시예)
도 2a는 제 2 실시예에 따른 열처리장치의 모식 구성도이고, 도 2b는 가열판 부분을 나타낸 단면도이다.
가열판(10)은, 제 1 실시예와 마찬가지로 예를 들면 복수(예를 들면, 7개)의영역에 따라서 분할되어 있는 히터(11)가 내장되어 있다. 또한, 가열판(10)에 대향하여 복수의 영역마다 냉각가스(15)를 분출하는 가스분출구(14)가 설치되어 있다.
제어기(12)는, 가열판(10)에서 가열하는 온도를 설정한다. 가열판(10) 상에 적재된 반도체 웨이퍼 또는 반도체 웨이퍼 상당물을 가열할 때의 온도를 온도측정부(13)에 의해 복수의 영역으로 분할한 후 측정한 측정결과에 따라서, 제 1 실시예와 마찬가지로, 제어기에 의해 가열판(10) 중의 히터의 온도를 조절한다. 더구나, 제어기는, 개개의 가스분출구(14)로부터 반도체 웨이퍼 W에 분출되는 냉각가스(15)의 유량을 제어하여, 반도체 웨이퍼의 온도를 복수의 영역마다 제어하면서 가열처리를 행한다. 가열패턴과 각 가스분출구에서 분출되는 냉각가스의 흐름을 동기시킴으로써, 온도 변동이 큰 영역에 냉각효율을 높인 냉각가스를 분출한다. 그에 따라, 온도변동을 보정한다.
그 이외의 구성은, 제 1 실시예와 동일하다.
상기한 열처리장치를 사용하여 반도체 웨이퍼에 PEB 처리를 시행하는 열처리방법에 대해 설명한다.
우선, 소정 온도(예를 들면, 130℃)로 가열된 가열판 상에, 복수의 영역으로 분할한 후 열전쌍이 매립된 더미 반도체 웨이퍼를 적재한다. 이때의 각 영역마다의 승온의 형태를 열전쌍에 의해 측정한다. 상기한 온도의 측정결과로부터, 실제로 반도체 웨이퍼를 열처리할 때에 온도변동이 억제되도록 하는 가열조건으로서, 예를 들면 가열판에 매립되어 있는 히터의 온도조절조건 및 가스분출구에서 분출하는 냉각가스의 유량조건을 구한다.
다음에, 예를 들면 화학증폭형 레지스트막이 형성되고, 노광처리가 행해진 반도체 웨이퍼를 가열판 상에 적재한다. 상기한 온도의 측정결과로부터 구해진 가열조건에 따라, 반도체 웨이퍼를 가열할 때의 온도를 복수의 영역마다 제어하면서, 반도체 웨이퍼에 소정 시간의 가열처리를 행한다.
다음에, 열처리 시간의 경과 후에, 수냉관을 내장하는 (도시되지 않은) 냉각판 상에 반도체 웨이퍼를 이동시킴으로써, 반도체 웨이퍼를 냉각한다.
이상과 같이 하여 PEB 처리가 행해진 반도체 웨이퍼는, 현상처리를 시행한 다. 그후, 이후의 공정이 더 행해진다.
또한, 상기한 열처리장치를 사용하여 반도체 웨이퍼에 PEB 처리를 시행하는 열처리방법은, 아래와 같이 행할 수 있다.
우선, 소정 온도(예를 들면, 130℃)로 가열된 가열판 상에, 예를 들면 화학증폭형 레지스트막이 형성되고, 노광처리가 이루어진 반도체 웨이퍼를 적재한다. 이때의 반도체 웨이퍼의 복수로 분할된 각 영역마다의 승온의 형태를 온도측정부에 의해 측정한다. 이 온도의 측정결과로부터 온도변동이 억제되도록 하는 히터의 온도조절조건 및 냉각가스의 유량조건 등의 가열조건을 구한다. 이 가열조건에 따라서, 온도를 복수의 영역마다 제어하면서, 반도체 웨이퍼에 소정 시간의 가열처리를 행한다. 이때, 반도체 웨이퍼 상당물인 더미 반도체 웨이퍼에 매립된 열전쌍을 사용하지 않고, 가열판 상에 적재된 반도체 웨이퍼의 각 영역의 온도를, 온도측정부에 의해서 측정한다.
다음에, 열처리 시간의 경과후에, 수냉관을 내장하는 (도시되지 않은) 냉각판 상에 반도체 웨이퍼를 이동시킴으로써, 반도체 웨이퍼를 냉각한다.
이상과 같이 하여 PEB 처리가 행해진 반도체 웨이퍼는, 현상처리를 시행한다. 그 후, 이후의 공정이 더 행해진다.
상기한 본 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 열처리장치와, 이것을 사용한 열처리방법에 의하면, 반도체 웨이퍼의 면 내에서의 선폭 등의 변동을 억제하도록 열처리(PEB 처리)를 할 수 있다.
(제 3 실시예)
본 제 3 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 열처리장치 및 열처리방법에 관해서 설명한다.
도 3은 본 실시예에 따른 열처리장치의 주요부의 모식 구성도이다.
이 열처리장치는, 반도체 웨이퍼를 소정의 온도로 가열하는 (도시되지 않은) 가열판과, 소정의 온도로 가열된 반도체 웨이퍼를 냉각하는 냉각판(20)과, 냉각판(20) 상에 적재된 반도체 웨이퍼 또는 반도체 웨이퍼 상당물을 냉각할 때의 온도를 복수개 영역으로 미리 분할한 부분에서 측정하는 온도측정부(23)와, 반도체 웨이퍼의 온도를 제어하는 제어기(22)를 구비한다.
가열판은, 예를 들면 제 1 및 제 2 실시예와 마찬가지로, 예를 들면 복수(예를 들면, 7개)의 영역으로 분할되어 있는 히터(11)가 내장되고, 가열판에 대향하여 냉각가스의 가스분출구가 각 영역마다 더 형성되도록 설계할 수 있다. 또한, 가열판 부분에 온도측정부가 설치되어 있다. 가열판 상에 적재된 반도체 웨이퍼 또는반도체 웨이퍼 상당물을 가열할 때의 온도를 온도측정부에 의해 복수개 영역으로 분할한 부분에서 측정한 측정결과에 따라서, 반도체 웨이퍼의 온도를 제어하여 가열처리를 행할 수 있다.
냉각판(20)은, 예를 들면 복수(예를 들면, 7개)의 영역에 따라서 분할되어 있는 냉각관(수냉관)(21)이 내장되어 있다.
온도측정부(23)는, 예를 들면, 더미 반도체 웨이퍼에 매립된 열전쌍이다. 이 반도체 웨이퍼 상당물인 더미 웨이퍼를 소정의 가열온도로 가열한 후, 냉각판(20) 상에 적재하여 냉각할 때의 온도를, 냉각판(20)의 냉각관의 분할영역에 대응하는 복수개 영역으로 분할한 후 측정할 수 있다.
또는, 온도측정부(23)는, 소정의 온도로 가열된 반도체 웨이퍼를 냉각판(20) 상에 적재하여 냉각할 때의 온도를 실시간으로 측정하도록 구성하여도 된다. 이 경우의 온도측정부(23)는, 냉각판(20) 상에 적재된 반도체 웨이퍼의 각 영역의 온도를 측정가능할 수도 있다. 예를 들면, 온도측정부는, 냉각판(20)의 히터분할영역마다 매립된 열전쌍이어도 된다. 그리고, 반도체 웨이퍼를 냉각판(20)상에 적재하여 가열처리할 때의 온도를, 냉각판(20)의 히터의 분할영역에 대응하는 복수개 영역으로 분할하여 측정할 수 있다.
제어기(22)는, 냉각판(20)에서 냉각하는 온도를 설정함과 아울러, 냉각판(20) 상에 적재된 반도체 웨이퍼 또는 반도체 웨이퍼 상당물을 냉각할 때의 온도를 온도측정부(23)에 의해 복수개 영역으로 분할한 부분에서 측정한 측정결과에 따라서, 반도체 웨이퍼를 냉각할 때의 온도를 복수개 영역마다 제어한다.
예를 들면, 냉각판(20)에서 반도체 웨이퍼를 냉각하기 전에, 반도체 웨이퍼 상당물인 열전쌍이 매립된 더미 반도체 웨이퍼를 소정의 가열온도로 가열한다. 그 후, 냉각판(20)에 의해 냉각한다. 이때의 온도를 열전쌍에 의해 측정한다.
냉각판에서 반도체 웨이퍼를 냉각할 때에, 온도측정부에 의한 온도의 측정결과에 따라서, 제어기에 의해 냉각판(20) 중의 냉각관의 온도 등을 조절한다. 그 후, 반도체 웨이퍼의 온도를 복수개 영역마다 제어하면서 냉각한다.
상기한 제어기(22)에 의한 온도 제어방법으로서는, 예를 들면, 온도측정부(23)에 의한 온도의 측정결과에 대하여 허용폭을 설정한다. 그리고, 온도가 허용폭 내에 있도록, 제어기에 의해 반도체 웨이퍼의 온도를 복수개 영역마다 제어한다.
상기한 온도의 측정시간마다의 허용폭으로서는, 예를 들면 소정의 가열온도마다 또는 처리시간마다 설정한다. 이 허용폭을 일탈한 경우에는, 냉각판(20)의 각 분할영역에 내장되어 있는 냉각관(21)의 온도 등을 조절한다.
상기한 열처리장치를 사용하여 반도체 웨이퍼에 PEB 처리를 시행하는 열처리방법에 관해서 설명한다.
우선, 복수개 영역으로 미리 분할한 부분에서 열전쌍이 매립된 더미 반도체 웨이퍼를 소정 온도(예를 들면, 130℃)로 가열한다. 이것을 소정온도(예를 들면, 약 20℃)로 설정된 냉각판 상에 적재한다. 그리고, 이때의 각 영역마다의 강온의 형태를 열전쌍에 의해 측정한다. 상기한 온도의 측정결과로부터, 실제로 반도체 웨이퍼를 냉각할 때에 온도변화가 억제되는 냉각조건으로서, 예를 들면 냉각판에 매립되어 있는 냉각관의 온도조절조건을 구한다.
다음에, 예를 들면 화학증폭형 레지스트막이 형성되어, 노광처리가 이루어진 반도체 웨이퍼를 가열판 상에 적재하여, 소정시간의 가열처리를 행한다.
다음에, 가열처리를 행한 반도체 웨이퍼를 냉각판 상으로 이동시켜, 상기한 온도의 측정결과로부터 구해진 냉각조건에 따라 복수개 영역마다 온도를 제어하면서 반도체 웨이퍼를 냉각한다.
이상과 같은 PEB 처리가 이루어진 반도체 웨이퍼를 현상처리한다. 그 후, 이후의 공정이 더 행해진다.
또한, 상기한 열처리장치를 사용하여 반도체 웨이퍼에 PEB 처리를 시행하는 열처리방법은, 아래와 같이 행할 수 있다.
우선, 소정온도(예를 들면, 130℃)로 가열된 가열판 상에, 예를 들면 화학증폭형 레지스트막이 형성되어, 노광처리가 이루어진 반도체 웨이퍼를 적재하여, 소정시간의 가열처리를 행한다.
다음에, 소정온도(예를 들면, 약 20℃)로 설정된 냉각판 상에 가열처리를 시행한 반도체 웨이퍼를 이동시킨다. 이때의 복수의 반도체 웨이퍼로 분할된 각 영역마다의 강온의 형태를 온도측정부에 의해 측정한다. 이 온도의 측정결과로부터 온도변화가 억제되는 냉각조건을 구한다. 이 냉각조건에 따라, 온도를 복수개 영역마다 제어하면서, 반도체 웨이퍼를 냉각한다. 이때, 반도체 웨이퍼 상당물인 더미 반도체 웨이퍼에 매립된 열전쌍을 사용하지 않고, 냉각판 상에 적재한 반도체 웨이퍼의 각 영역의 온도를, 온도측정부에 의해서 측정한다.
이상과 같이 하여 PEB 처리가 이루어진 반도체 웨이퍼는, 현상처리를 시행한다. 그 후, 이후의 공정이 더 행해진다.
상기한 본 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 열처리장치와, 이것을 사용한 열처리방법에 의하면, 반도체 웨이퍼의 면 내에서의 선폭 등의 변화를 억제하도록 열처리(PEB 처리)를 할 수 있다.
(제 4 실시예)
도 4a는 제 4 실시예에 따른 열처리장치의 모식 구성도이고, 도 4b는 냉각판부분의 단면도이다.
가열판은 제 1 및 제 2 실시예와 마찬가지의 구성으로 할 수 있다.
냉각판(20)은, 제 3 실시예와 마찬가지로 예를 들면 복수(예를 들면, 7개)의 영역에 따라서 분할되어 있는 냉각관(수냉관)(21)이 내장되어 있다. 또한, 냉각판(20)에 대향하여 복수의 영역마다 냉각가스(25)를 분출하는 가스분출구(24)가 설치된다.
제어기(22)는, 냉각판(20)에서 냉각하는 온도를 설정한다. 냉각판(20) 상에 적재된 반도체 웨이퍼 또는 반도체 웨이퍼 상당물을 냉각할 때의 온도를 온도측정부(23)에 의해 복수개 영역으로 분할한 후 측정한 측정결과에 따라서, 제 3 실시예와 마찬가지로, 제어기에 의해 냉각판(20) 중의 냉각관(21)의 온도를 조절한다. 또한 개개의 가스분출구(24)로부터 반도체 웨이퍼 W에 분출되는 냉각가스(25)의 유량을 제어하여, 반도체 웨이퍼의 온도를 복수개 영역마다 제어하면서 냉각한다.
그 밖의 구성은, 제 3 실시예와 마찬가지다.
상기한 열처리장치를 사용하여 반도체 웨이퍼에 PEB 처리를 시행하는 열처리방법에 관해서 설명한다.
우선, 복수의 영역으로 분할한 부분에서 열전쌍이 매립된 더미 반도체 웨이퍼를 소정온도(예를 들면, 130℃)로 가열한다. 이것을 소정온도(예를 들면, 약 20℃)로 설정된 냉각판 상에 적재한다. 이때의 각 영역마다의 강온의 형태를 열전쌍에 의해 측정한다. 상기한 온도의 측정결과로부터, 실제로 반도체 웨이퍼를 냉각할 때에 온도변화가 억제되는 냉각조건으로서, 예를 들면 냉각판에 매립되어 있는 냉각관의 온도조절조건 및 가스분출구에서 분출하는 냉각가스의 유량조건을 구한다.
다음에, 예를 들면 화학증폭형 레지스트막이 형성되어, 노광처리가 이루어진 반도체 웨이퍼를 가열판 상에 적재하여, 소정시간의 가열처리를 행한다.
다음에, 가열처리를 시행한 반도체 웨이퍼를 냉각판 상에 이동시켜, 상기한 온도의 측정결과로부터 구해진 냉각조건에 따라, 복수개 영역마다 온도를 제어하면서 반도체 웨이퍼를 냉각한다
이상과 같이 하여 PEB 처리가 이루어진 반도체 웨이퍼는, 현상처리를 시행한다. 그 후, 이후의 공정이 더 행해진다.
또한, 상기한 열처리장치를 사용하여 반도체 웨이퍼에 PEB 처리를 시행하는 열처리방법은, 아래와 같이 할 수 있다.
우선, 소정온도(예를 들면, 130℃)로 가열된 가열판 상에, 예를 들면 화학증폭형 레지스트막이 형성되어, 노광처리가 이루어진 반도체 웨이퍼를 적재하여, 소정시간의 가열처리를 행한다.
다음에, 소정온도(예를 들면, 약 20℃)로 설정된 냉각판 상에 가열처리를 시행한 반도체 웨이퍼를 이동시킨다. 이때의 반도체 웨이퍼의 복수로 분할된 각 영역마다의 강온의 형태를 온도측정부에 의해 측정한다. 이 온도의 측정결과로부터 온도변화가 억제되는 냉각관의 온도조절조건 및 냉각가스의 유량조건 등의 냉각조건을 구한다. 이 냉각조건들에 따라, 온도를 복수개 영역마다 제어하면서, 반도체 웨이퍼를 냉각한다. 이때, 반도체 웨이퍼 상당물인 더미 반도체 웨이퍼에 매립된 열전쌍을 사용하지 않고, 냉각판 상에 적재한 반도체 웨이퍼의 각 영역의 온도를, 온도측정부에 의해서 측정한다.
이상과 같이 하여 PEB 처리가 이루어진 반도체 웨이퍼는, 현상처리를 시행한다. 그 후, 이후의 공정이 더 행해진다.
상기한 본 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 열처리장치와, 이것을 사용한 열처리방법에 의하면, 반도체 웨이퍼의 면 내에서의 선폭 등의 변화를 억제하도록 열처리(PEB 처리)를 할 수 있다.
(제 5 실시예)
상기한 제 1∼제 4 실시예에서는, 반도체 웨이퍼의 가열처리에서 온도의 변동을 억제하도록 제어하는 방법에 관해서 설명하였다. 그러나, 예를 들면, 화학증폭형 레지스트막의 선폭의 변화를 억제하기 위해서, 온도의 변화를 억제하지 않고, 오히려 온도분포를 갖게 하거나 또는, 가열기간을 가변으로 함으로써, 선폭의 변화를 억제할 수 있다.
이 경우에도, 상기한 제 1∼제 4 실시예에 따른 열처리장치를 사용하여, 영역마다 분할함으로써, 온도분포나 가열기간을 제어할 수 있다.
본 발명은 상기한 실시예로 한정되지 않는다.
예를 들면, 제 2 및 제 4 실시예에서는, 히터 또는 냉각관의 온도조절과, 냉각가스의 분출을 동시에 행한다. 그렇지만, 냉각가스의 분출만으로 온도 변화를 억제하여도 된다.
또한, 제 1∼제 5 실시예에 기재된 구성 및 방법을 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
이 경우, 반도체 웨이퍼의 열처리장치로서는, 제 1 실시예 또는 제 2 실시예의 열처리장치와, 제 3 실시예 또는 제 4 실시예의 열처리장치를 조합한 열처리장치가 구성된다.
그리고, 이와 같이 조합된 열처리장치를 사용하는 반도체 웨이퍼에 PEB 처리를 시행하는 열처리방법으로서는, 제 1 실시예 및 제 2 실시예 중 어느 한쪽에서 설명한 바와 같이, 우선 가열판 상에 반도체 웨이퍼를 적재하여 해당 반도체 웨이퍼를 영역마다 온도제어하면서 가열처리를 한다. 그 후, 제 3 실시예 및 제 4 실시예 중 어느 한쪽에서 설명한 바와 같이, 반도체 웨이퍼를 냉각판 상에 적재하여 해당 반도체 웨이퍼를 영역마다 온도제어하면서 냉각한다. 그리고, 이러한 PEB 처리가 이루어진 반도체 웨이퍼는, 현상처리를 시행한 후, 이후의 공정을 더 행한다.
또한, 이와 같이 조합된 열처리장치를 사용하여 반도체 웨이퍼에 PEB 처리를시행하는 열처리방법을 행하는 경우, 반도체 웨이퍼의 각 영역에서의 온도의 적분값이 소정의 허용값 내에 속할 수 있도록, 가열 및 냉각시에 온도를 제어한다고 가정한다.
이러한 구성의 반도체 웨이퍼의 열처리장치와, 이것을 사용한 열처리방법에 의하면, 가열과 그 후의 냉각동작에 있어서, 반도체 웨이퍼의 각 영역에서의 온도가 제어된다. 그래서, 반도체 웨이퍼의 각 영역에 가해지는 열에너지가, 전술한 제 1∼제 4 실시예와 비교하여 보다 평균화된다. 따라서, 더욱 확실히 반도체 웨이퍼의 면 내에서의 선폭 등의 변동을 억제하도록 열처리(PEB 처리)를 할 수 있다.
아울러, 본 발명의 사상 및 범위를 일탈하지 않고 여러 가지 변경을 할 수 있다.
본 발명의 반도체 웨이퍼의 열처리장치에 의하면, 반도체 웨이퍼의 면 내에서의 선폭 등의 변동을 억제하도록 열처리를 할 수 있다.
또한, 본 발명의 반도체 웨이퍼의 열처리방법에 의하면, 본 발명의 반도체 웨이퍼의 열처리장치를 사용하여, 반도체 웨이퍼의 면 내에서의 선폭 등의 변동을 억제하도록 열처리를 할 수 있다.

Claims (9)

  1. 반도체 웨이퍼를 소정의 온도로 가열하는 가열판과,
    상기 가열판 상에 적재된 반도체 웨이퍼 또는 반도체 웨이퍼 상당물의 온도를 복수의 영역으로 미리 분할한 부분에서 측정하는 제 1 온도측정부와,
    상기 제 1 온도측정부에 의한 온도의 측정결과에 따라서, 상기 가열판 상의 상기 반도체 웨이퍼의 온도를 상기 복수의 영역마다 제어하는 제 1 제어기와,
    상기 소정온도로 가열된 상기 반도체 웨이퍼를 냉각하는 냉각판과,
    상기 냉각판 상에 적재된 반도체 웨이퍼 또는 반도체 웨이퍼 상당물의 온도를 복수의 영역으로 미리 분할한 부분에서 측정하는 제 2 온도측정부와,
    상기 제 2 온도측정부에 의한 온도의 측정결과에 따라서, 상기 냉각판 상의 상기 반도체 웨이퍼의 온도를 상기 복수의 영역마다 제어하는 제 2 제어기를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 열처리장치.
  2. 반도체 웨이퍼를 가열하는 반도체 웨이퍼의 열처리방법에 있어서,
    가열판 상에 반도체 웨이퍼 상당물을 적재하여, 상기 반도체 웨이퍼 상당물을 가열할 때의 온도를 복수의 영역으로 미리 분할한 부분에서 측정하는 공정과,
    상기 가열판 상에 반도체 웨이퍼를 적재하고, 상기 온도의 측정결과에 따라서 상기 반도체 웨이퍼를 가열할 때의 온도를 상기 복수의 영역마다 제어하면서 상기 반도체 웨이퍼를 가열하는 공정을 포함한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 열처리방법.
  3. 반도체 웨이퍼를 가열하는 반도체 웨이퍼의 열처리방법에 있어서,
    가열판 상에 반도체 웨이퍼를 적재하고, 상기 반도체 웨이퍼를 가열할 때의 온도를 복수의 영역으로 분할한 부분에서 측정하는 공정과,
    상기 온도의 측정결과에 따라서, 상기 반도체 웨이퍼를 가열할 때의 온도를 상기 복수의 영역마다 제어하면서 상기 반도체 웨이퍼를 가열하는 공정을 포함한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 열처리방법.
  4. 반도체 웨이퍼를 가열한 후에 냉각하는 반도체 웨이퍼의 열처리방법에 있어서,
    냉각판 상에 소정의 온도로 가열된 반도체 웨이퍼 상당물을 적재하고, 상기 반도체 웨이퍼 상당물을 냉각할 때의 온도를 복수의 영역으로 분할한 부분에서 측정하는 공정과,
    가열판 상에 반도체 웨이퍼를 적재하고, 상기 반도체 웨이퍼를 상기 소정의 온도로 가열하는 공정과,
    상기 냉각판 상에 상기 소정의 온도로 가열된 반도체 웨이퍼를 적재하고, 상기 온도의 측정결과에 따라서 상기 반도체 웨이퍼를 냉각할 때의 온도를 상기 복수의 영역마다 제어하면서 상기 반도체 웨이퍼를 냉각하는 공정을 포함한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 열처리방법.
  5. 반도체 웨이퍼를 가열한 후에 냉각하는 반도체 웨이퍼의 열처리방법에 있어서,
    가열판 상에 반도체 웨이퍼를 적재하고, 상기 반도체 웨이퍼를 소정의 온도로 가열하는 공정과,
    냉각판 상에 상기 소정의 온도로 가열된 상기 반도체 웨이퍼를 적재하고, 상기 반도체 웨이퍼를 냉각할 때의 온도를 복수의 영역으로 분할한 부분에서 측정하여, 상기 온도의 측정결과에 따라서 상기 반도체 웨이퍼를 냉각할 때의 온도를 상기 복수의 영역마다 제어하면서 상기 반도체 웨이퍼를 냉각하는 공정을 포함한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 열처리방법.
  6. 반도체 웨이퍼를 가열한 후에 냉각하는 반도체 웨이퍼의 열처리방법에 있어서,
    가열판 상에 반도체 웨이퍼를 적재하고, 상기 반도체 웨이퍼를 영역마다 온도제어하면서 가열하는 공정과,
    상기 가열된 반도체 웨이퍼를 냉각판 상에 적재하고, 상기 반도체 웨이퍼를 영역마다 온도제어하면서 냉각하는 공정을 포함한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 열처리방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼의 각 영역에서의 온도의 적분값이 소정의 허용값 내에 있도록, 상기 가열 및 냉각공정에서 온도제어가 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 열처리방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 가열공정에서의 상기 반도체 웨이퍼의 온도제어는, 상기 가열판 상에 적재된 반도체 웨이퍼 상당물의 각 영역의 온도의 측정결과에 따라서 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 열처리방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 냉각공정에서의 상기 반도체 웨이퍼의 온도제어는, 상기 냉각판 상에 적재된 반도체 웨이퍼 상당물의 각 영역의 온도의 측정결과에 따라서 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 열처리방법.
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