KR101297981B1 - 기판의 열처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 기판의 열처리 장치는, 기판에 대한 열처리 공정을 수행하기 위한 열처리 장치로서, 기판을 가열하기 위한 다수개의 램프가 배치되는 히터부와, 기판에 대한 열처리 공정 수행을 위해 요구되는 공정가스를 주입하기 위한 공정가스주입부와, 기판에 대한 열처리 공정이 종료된 후 상기 공정가스를 배출하기 위한 공정가스배기와, 복수개의 기판이 안착되는 서셉터를 안착시켜 회전시키기 위한 서셉터회전구동부와, 상기 서셉터회전구동부를 회전시키기 위한 회전력을 발생시키는 서셉터회전력발생부재를 포함한다.
본 발명에 의해, 다수 개의 기판에 대한 열처리 공정을 동시에 수행할 수 있다.
또한, 기판에 대한 가열과 냉각을 신속히 수행할 수 있으며, 기판의 온도를 정확히 감지가능하다.

Description

기판의 열처리 장치{HEAT PROCESS CHAMBER FOR SUBSTRATE}
본 발명은 기판의 열처리 장치에 관한 발명으로서, 보다 상세하게는 다수 개의 기판에 대한 열처리 공정을 동시에 수행할 수 있으면서도, 기판에 대한 가열과 냉각을 신속히 수행할 수 있는 기판의 열처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 열처리장치는, 고속열처리(Rapid Thermal Anealing), 고속 열세정(Rapid Thermal Cleaning), 고속 열화학 증착(Rapid Thermal Chemical Vap. or Deposition)등의 웨이퍼 열처리를 위한 장비로서, 웨이퍼를 회전가능하게 지지하는 웨이퍼지지부를 포함하는 공정장치와, 공정장치의 상부에 마련되어 웨이퍼를 향해 복사열을 조사하는 다수의 램프를 갖는 히터와, 상기 웨이퍼의 온도를 측정하여 피드백함으로써 웨이퍼의 온도 균일성을 유지하기 위한 온도제어부를 포함한다.
이러한 열처리장치에서는 웨이퍼의 승온 및 감온이 매우 짧은 시간에 넓은 온도범위에서 이루어지므로 정밀한 온도제어가 매우 중요한 문제가 된다.
이와 같은 정밀한 온도제어에 앞서 필수적으로 선행되어야 하는 것은 바로 웨이퍼에 대하여 열을 균일하게 가열하기 위한 히터의 설계이다.
또한, 웨이퍼에 열을 균일하게 가열하면서도 열처리 공정이 종료된 후에는 신속하게 기판을 냉각시킬 수 있어야 하며, 기판에 대한 공정처리 수율 역시 열처리 장비에 있어 매우 중요한 문제이다.
본 발명의 목적은, 다수 개의 기판에 대한 열처리 공정을 동시에 수행할 수 있는 기판의 열처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 기판에 대한 가열과 냉각을 신속히 수행할 수 있는 기판의 열처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 기판의 온도를 정확히 감지가능한 기판의 열처리 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판의 열처리 장치는, 기판에 대한 열처리 공정을 수행하기 위한 열처리 장치로서, 기판을 가열하기 위한 다수개의 램프가 배치되는 히터부와, 기판에 대한 열처리 공정 수행을 위해 요구되는 공정가스를 주입하기 위한 공정가스주입부와, 기판에 대한 열처리 공정이 종료된 후 상기 공정가스를 배출하기 위한 공정가스배기와, 복수개의 기판이 안착되는 서셉터를 안착시켜 회전시키기 위한 서셉터회전구동부와, 상기 서셉터회전구동부를 회전시키기 위한 회전력을 발생시키는 서셉터회전력발생부재를 포함한다.
여기서, 상기 서셉터회전구동부 상에는 서셉터안착부가 배치될 수 있다.
바람직하게는, 상기 서셉터회전구동부의 단부에는 볼록부가 형성되고, 상기 서셉터안착부의 이면에는 오목부가 형성된다.
바람직하게는, 상기 서셉터회전구동부와 서셉터회전력발생부재 사이에는 실링부가 배치된다.
그리고, 상기 서셉터회전구동부와 서셉터회전력발생부재 사이에는 커플링부가 배치될 수 있다.
여기서, 상기 서셉터회전구동부 아래에는 기판의 온도를 측정하기 위한 옵티컬-파이로미터가 배치될 수 있다.
바람직하게는, 상기 열처리 장치 내에는 상기 서셉터를 승강시키기 위한 서셉터승강부재가 설치될 수 있다.
한편, 상기 서셉터회전구동부 아래에 배치되는 옵티컬-파이로미터는 상기 서셉터의 방사상 방향을 따라 복수 개 배치될 수 있다.
바람직하게는, 기판에 대한 열처리 공정이 종료된 후 냉각제를 공급하기 위한 냉각제공급부재가 추가적으로 설치된다.
본 발명에 의해, 다수 개의 기판에 대한 열처리 공정을 동시에 수행할 수 있다.
또한, 기판에 대한 가열과 냉각을 신속히 수행할 수 있다.
또한, 기판의 온도를 정확히 감지가능하다.
도 1 은 본 발명에 따른 열처리 장치가 이용되는 기판처리장치의 평면도이며,
도 2 는 본 발명에 따른 열처리 장치의 단면도이며,
도 3 은 서셉터안착지지부재의 사시도이며,
도 4 는 서셉터안착지지부재의 분해사시도이며,
도 5 는 서셉터의 평면도이며,
도 6 은 서셉터안착지지부재에서 프레임이 제거된 분해사시도이며,
도 7 은 서셉터안착부의 평면도 및 배면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세히 설명하기로 한다.
이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어는 사전적인 의미로 한정 해석되어서는 아니되며, 발명자는 자신의 발명을 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절히 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예 및 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 표현하는 것은 아니므로, 본 출원 시점에 있어 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 존재할 수 있음을 이해하여야 한다.
도 1 은 본 발명에 따른 열처리 장치가 이용되는 기판처리장치의 평면도이며, 도 2 는 본 발명에 따른 열처리 장치의 단면도이며, 도 3 은 서셉터안착지지부재의 사시도이며, 도 4 는 서셉터안착지지부재의 분해사시도이며, 도 5 는 서셉터의 평면도이며, 도 6 은 서셉터안착지지부재에서 프레임이 제거된 분해사시도이며, 도 7 은 서셉터안착부의 평면도 및 배면도이다.
도 1 내지 6 을 참조하면, 본 발명에 따른 기판의 열처리 장치(30)는, 기판을 가열하기 위한 다수개의 램프(105)가 배치되는 히터부(110)와, 기판에 대한 열처리 공정 수행을 위해 요구되는 공정가스를 주입하기 위한 공정가스주입부(120)와, 기판에 대한 열처리 공정이 종료된 후 상기 공정가스를 배출하기 위한 공정가스배기부(130)와, 복수개의 기판이 안착되는 서셉터(5)를 안착시켜 회전시키기 위한 서셉터회전구동부(140)와, 상기 서셉터회전구동부(140)를 회전시키기 위한 회전력을 발생시키는 서셉터회전력발생부재(150)를 포함한다.
본 발명에 따른 열처리 장치(30)는 도 1 에 도시된 바와 같은 기판처리 장치 내에 이용된다.
도 1 에 도시된 기판처리 장치는 복수 개의 기판을 높이 방향으로 적재할 수 있도록 구성되는 기판스테이지부(10)와, 복수 개의 기판을 동시에 수용가능하도록 구성되는 서셉터(5)를 적재하는 서셉터스테이지부(20)와, 기판에 대한 열처리 공정을 수행하기 위한 열처리장치부(30)와, 상기 기판스테이지부(10)와 서셉터스테이지부(20)와 열처리장치부(30) 사이에 기판 및 서셉터(5)를 이송시키기 위한 로봇암(42, 44)을 가지는 이송로봇부(40)를 포함한다.
상기 기판스테이지부(10)는 복수 개의 기판이 높이 방향으로 적재될 수 있도록 구성되며, 회전구동부(16)에 의해 회전가능하게 구성된다.
상기 기판스테이지(10)에 적재된 기판은 기판중심정렬부(50)에 안착되어 그 중심이 정렬된 상태에서 상기 서셉터스테이지부(20)에 배치된 서셉터(5)에 안착된다.
이후, 상기 로봇암(42, 44)으로 상기 서셉터(5)를 열처리장치(30) 내로 이송시킴으로써, 복수 개의 기판에 대한 열처리를 동시에 수행할 수 있다.
또한, 상기 열처리장치(30) 내에서 기판에 대한 열처리가 수행되는 동안, 상기 서셉터스테이지(20)의 서셉터(5)에 기판을 이송시킴으로써, 열처리가 종료된 기판이 수용된 서셉터(5)를 상기 열처리장치(30)로부터 인출함과 동시에 새로운 기판들이 수용된 서셉터를 상기 열처리장치(30) 내로 이송시킴으로써, 기판에 대한 열처리가 끝남과 동시에 새로운 기판에 대한 열처리를 수행할 수 있다.
상기 열처리장치(30) 내에 배치되는 상기 히터부(132)에는 다수개의 램프(105)가 동심원적으로 배치된다.
상기 히터부(135)가 온되어 기판을 가열함과 동시에 상기 공정가스주입부(120)를 통해서는 질소 등의 공정가스가 주입되어 기판에 대한 열처리를 수행한다.
이후, 기판에 대한 열처리가 종료되면, 상기 공정가스배기부(130)를 통해 공정가스가 배출되도록 구성된다.
상기와 같은 열처리 공정동안, 상기 서셉터(5)에 수용된 기판의 고른 가열을 위해 상기 서셉터(5)는 서셉터회전구동부(140) 상에 배치된 환형의 서셉터안착부(160)에 안착되어 회전된다.
상기 서셉터(5)는 복수 개의 기판을 동시에 수용하기 위한 구성으로서, 도 6 에 도시된 바와 같이 18 매의 기판을 수용할 수 있도록 구성되거나, 기타 다양한 갯수의 기판을 동시에 수용하도록 구성될 수 있다.
상기 서셉터회전구동부(140) 상에 배치된 서셉터안착부(160)의 회전을 위해 상기 서셉터회전구동부(140)의 단부에는 볼록부(142)가 형성되고, 상기 서셉터안착부(160)의 이면에는 오목부(162)가 형성된다.
그리하여, 상기 환형의 서셉터안착부(160) 표면에 의해 상기 서셉터(5)가 안정적으로 지지되어 회전될 수 있도록 구성된다.
상기 서셉터회전구동부(140)는 모터 등을 포함하여 구성되는 서셉터회전력발생부재(150)의 회전력에 의해 회전된다.
여기서, 상기 서셉터회전력발생부재(150)에 의해 발생되는 회전력은 커플링부(154)에 의해 상기 서셉터회전구동부(140)에 전달되도록 구성된다.
한편, 상기 서셉터회전력발생부재(150)와 서셉터회전구동부(140) 사이에는 실링부(152)가 설치되어 상기 공정가스가 외부로 누설되는 것을 방지하도록 구성된다.
또한, 상기 서셉터회전구동부(140) 아래에는 기판의 온도 측정을 위한 옵티컬-파이로미터(170)가 상기 서셉터(5)의 중심으로부터 방사상 방향으로 복수 개 배치되어 열처리 공정동안 기판의 온도를 감지한다.
여기서, 상기 서셉터회전구동부(140)의 단부에는 볼록부(142)가 형성되고, 상기 서셉터안착부(160)의 이면에는 오목부(162)가 형성되어 정합되도록 구성되고, 상기 서셉터안착부(160)의 평평한 면 위에 원형의 서셉터(5)가 안착되도록 함으로써, 상기 램프(105)로부터의 광이 상기 옵티컬-파이로미터(170)에 도달되지 않도록 구성된다.
그리하여, 상기 서셉터(5)에 수용된 기판의 온도를 감지할 경우, 상기 램프(105)로부터의 광에 의해 상기 옵티컬-파이로미터(170)가 영향을 받아 온도 측정에 오차가 발생되는 것을 방지할 수 있다.
상기 공정장치(30) 내에 서셉터(5)가 수용되는 과정을 설명하면, 먼저 서셉터승강부재(180)가 상승된 상태에서, 로봇암(42, 44) 이 상기 서셉터(5)를 공정장치 내에 배치되는 프레임(110) 내로 이송시킨다.
상기와 같이 이송된 서셉터(5)는 상기 서셉터승강부재(180) 상에 놓여지고, 상기 서셉터승강부재(180)가 하강됨으로써, 상기 서셉터(5)가 상기 서셉터안착부(160) 위에 안착된다.
이후, 램프(105)를 온시켜 가열함과 동시에 상기 서셉터회전력발생부재(150)의 회전구동에 의해 서셉터가 회전됨으로써, 서셉터(5) 내에 수용된 기판들이 고루 가열되며, 가열된 기판의 온도는 옵티컬-파이로미터 등의 온도 감지부(35)에 의해 감지된다.
가열공정이 종료된 이후 기판을 급속히 냉각시킬 경우에는 냉각제공급부재(190)를 통해 액화질소 등의 냉각제를 공급함으로써, 기판을 급속히 냉각시킬 수 있다.
이상, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명의 기술적 사상은 이러한 것에 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해, 본 발명의 기술적 사상과 하기 될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형 실시가 가능할 것이다.
30: 열처리장치 5: 서셉터
105: 램프 110: 히터부
120: 공정가스주입부 130: 공정가스배기부
140: 서셉터회전구동부 150: 서셉터회전력발생부재

Claims (9)

  1. 기판에 대한 열처리 공정을 수행하기 위한 열처리 장치로서,
    기판을 가열하기 위한 다수개의 램프가 배치되는 히터부와;
    기판에 대한 열처리 공정 수행을 위해 요구되는 공정가스를 주입하기 위한 공정가스주입부와;
    기판에 대한 열처리 공정이 종료된 후 상기 공정가스를 배출하기 위한 공정가스배기부와;
    복수개의 기판이 안착되는 서셉터를 안착시켜 회전시키기 위한 서셉터회전구동부와;
    상기 서셉터회전구동부를 회전시키기 위한 회전력을 발생시키는 서셉터회전력발생부재와;
    상기 서셉터를 승하강시키기 위한 서셉터승강부재를 포함하며,
    상기 히터부는 상기 열처리 장치의 상부에 배치되는 복수 개의 램프로 구성되고,
    상기 서셉터회전구동부 상에는 환형의 서셉터안착부가 배치되며,
    상기 서셉터회전구동부의 단부에는 볼록부가 형성되고, 상기 환형의 서셉터안착부의 이면에는 오목부가 형성되어 상기 볼록부 상에 상기 오목부를 갖는 서셉터안착부가 거치되며,
    상기 서셉터회전구동부와 서셉터회전력발생부재 사이에는 커플링부 및 실링부가 배치되고,
    상기 서셉터회전구동부 아래에는 기판의 온도를 측정하기 위한 옵티컬-파이로미터가 배치되며,
    상기 서셉터승강부재가 상승하여 서셉터를 거치시키고, 이후 상기 서셉터승강부재가 하강하여 상기 서셉터를 상기 서셉터안착부에 안착시키도록 구성되며,
    상기 서셉터회전구동부 아래에 배치되는 옵티컬-파이로미터는 상기 서셉터를 대면하도록 상기 서셉터의 방사상 방향을 따라 복수 개 배치되는 것을 특징으로 하는 기판의 열처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    기판에 대한 열처리 공정이 종료된 후 냉각제를 공급하기 위한 냉각제공급부재가 추가적으로 설치되는 것을 특징으로 하는 기판의 열처리 장치.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9748118B2 (en) 2013-07-31 2017-08-29 Semes Co., Ltd. Substrate treating apparatus
KR101627102B1 (ko) * 2014-10-14 2016-06-03 주식회사 테스 유기금속화학기상증착장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10321546A (ja) * 1997-05-22 1998-12-04 Kokusai Electric Co Ltd 熱処理炉
JP2002075901A (ja) * 2000-08-31 2002-03-15 Tokyo Electron Ltd アニール装置、メッキ処理システム、および半導体デバイスの製造方法
KR20040081045A (ko) * 2003-03-11 2004-09-20 소니 가부시끼 가이샤 반도체 웨이퍼의 열처리장치 및 방법
KR20100138984A (ko) * 2008-03-31 2010-12-31 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 열처리 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10321546A (ja) * 1997-05-22 1998-12-04 Kokusai Electric Co Ltd 熱処理炉
JP2002075901A (ja) * 2000-08-31 2002-03-15 Tokyo Electron Ltd アニール装置、メッキ処理システム、および半導体デバイスの製造方法
KR20040081045A (ko) * 2003-03-11 2004-09-20 소니 가부시끼 가이샤 반도체 웨이퍼의 열처리장치 및 방법
KR20100138984A (ko) * 2008-03-31 2010-12-31 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 열처리 장치

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