JP5635378B2 - 半導体ウエハ搬送方法および半導体ウエハ搬送装置 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体ウエハを搬送する半導体ウエハ搬送方法および半導体ウエハワーク搬送装置に係り、特に、加熱された半導体ウエハを搬送する技術に関する。
近年、高密度実装の要求に伴って半導体ウエハ(以下、適宜「ウエハ」という)の厚みが、数十μmまでバックグラインド処理される傾向にある。したがって、バックグラインド処理からダイシング処理を終えるまでに表面に形成された回路やバンプが破損し、生産効率が低下している。
そこで、回路形成済のウエハにバックグラインド処理を行う前にダイシング処理を行い、良品のベアチップのみ選別している。これらベアチップの電極面を下にしてキャリア用の基板に貼り付けた接着シート上に2次元アレー状に整列固定する。さらに、ベアチップ上から樹脂を被着し、ウエハ形状に再生されたウエハ(以下、「再生ウエハ」という)から基板を分離する。その後に、電極面の反対側からバックグラインドし、薄型化された再生ウエハを支持用の粘着テープを介してリングフレームに接着支持し、樹脂からベアチップを分断するダイシング工程へと搬送している(特許文献1)。
また、ウエハの補強としては、以下の別形態がある。バックグラインドにより薄型化されたウエハに剛性を持たせるために、ウエハの直径以上の径を有する補強用の支持材を両面粘着テープを介してウエハに貼り合わせている。この両面粘着テープの粘着剤は、加熱によって発泡膨張して接着力を低下または喪失する加熱剥離性のものが使用されている(特許文献2)。
上述のように、基板または支持材が分離されたウエハは、搬送先の保持テーブルで冷却されている。
特開2001−308116号公報 特開2005−116679号公報
上述のウエハの形態に加えて、加熱剥離性の両面粘着テープを介して再生ウエハと基板を貼り合わせることも実施されている。この場合、再生ウエハを基板から分離するとき、樹脂が加熱により膨張している。つまり、樹脂の膨張率が、ベアチップの膨張率よりも大きい。また、樹脂の膨張率がベアチップよりも大きいので、冷却による収縮率も樹脂の方がベアチップの収縮率よりも大きい。
したがって、冷却状態にある保持テーブルに載置された再生ウエハは、短時間で急激に冷却されると温度変化に伴うペアチップと樹脂の収縮率の違いによって再生ウエハに反りが発生する。或いは、樹脂にクラックが発生し、剛性が低下する。その結果、ベアチップの破損や再生ウエハのハンドリングエラーの問題が生じている。
加熱によってバックグラインド済のウエハから支持材を分離したとき、ウエハ側に両面粘着テープが残されている場合、当該ウエハを短時間で急激に冷却すると温度変化に伴う両面粘着テープとウエハの収縮率の違いによってウエハの反り量が大きくなる。したがって、当該反りによってウエハを破損させる恐れがある。
また、一台の保持テーブルを利用して所定の温度までウエハの温度を徐々に低下させる場合、冷却工程の前工程で処理停滞が生じ、処理効率が低下する不都合が生じている。また、複数台の保持テーブルを設けることも考えられるが、装置構成が大型化するといった不都合が生じる。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、半導体ウエハを破損させることなく、効率よく冷却可能な半導体ウエハ搬送方法および半導体ウエハ搬送装置を提供することを主たる目的とする。
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、樹脂または粘着テープで被覆された半導体ウエハを搬送する半導体ウエハ搬送方法であって、
加熱状態にある前記半導体ウエハを冷却ステージに搬送する過程で予備冷却する過程を含み、
前記予備冷却する過程において、所定温度の加熱状態にある前記半導体ウエハを目標温度まで冷却したとき、半導体ウエハの反り量が所定範囲に収まるように、冷却温度と樹脂または粘着テープの収縮率との相関関係を予め求め、
搬送過程にある前記半導体ウエハの温度および搬送速度を検出器で検出しながら、検出結果に応じて半導体ウエハに向けて供給する気体の温度、流量および半導体ウエハの搬送速度の少なくともいずれかを制御する
(作用・効果) 上記方法によれば、加熱状態にある半導体ウエハは、搬送経路上を搬送される過程で予備冷却されるので、冷却ステージに到達するまでに徐々に冷却されてゆく。すなわち、この予備冷却制御により、半導体ウエハが所定の反り量内に収まるように、所定時間をかけて樹脂または粘着テープを徐々に収縮させることができる。したがって、樹脂や粘着テープに対して半導体ウエハの収縮率が異なっていても単位時間当たりの収縮の偏差が小さくなるので、半導体ウエハの反り量を抑えることができる。その結果、半導体ウエハの破損およびハンドリングエラーを回避することができる。
また、予備冷却によって冷却ステージで所定の温度まで下げる時間が短縮されるので、所望の加工処理した半導体ウエハを各処理工程から搬出するまでの処理時間を短縮することができる。
なお、上記方法において予備冷却は、搬送経路上を通過する前記半導体ウエハの上方に配備されたノズルから気体を吹き付けて冷却してもよい。或いは、搬送経路から半導体ウエハの裏面に向けて気体を吹き付けて冷却してもよい。さらには、半導体ウエハの上下から同時に気体を吹き付けて冷却してもよい。
また、この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
樹脂または粘着テープで被覆された半導体ウエハを搬送する半導体ウエハ搬送装置であって、
加熱状態にある前記半導体ウエハを搬送するウエハ搬送部と、
前記ウエハ搬送部で搬送される半導体ウエハに向けて気体を吹き付ける予備冷却ノズルと、
予備冷却された前記半導体ウエハを載置保持する保持ステージと、
前記保持ステージ上の半導体ウエハを冷却する冷却器と、
前記ウエハ搬送部上で搬送される半導体ウエハの温度と前記保持テーブル上の半導体ウエハの温度を検出する複数個の温度検出器と、
前記ウエハ搬送部で搬送されている前記半導体ウエハの搬送速度を検出する速度検出器と、
所定の温度の加熱状態にある前記半導体ウエハを目標温度まで冷却したときに、半導体ウエハの反り量が所定範囲に収まるように、冷却温度と樹脂または粘着テープの収縮率との相関関係を予め求めて記憶する記憶部と、
前記ウエハ搬送部で搬送されている前記半導体ウエハの温度および搬送速度を前記温度検出器と速度検出器で検出し、当該検出結果に応じて半導体ウエハに向けて供給する気体の温度、流量および半導体ウエハの搬送速度の少なくともいずれかを設定変更する条件を記憶部から選択し、半導体ウエハの温度を制御する制御部と、
を備えたことを特徴とする。
(作用・効果) この構成によれば、加熱状態にある半導体ウエハが、保持ステージに到達するまでのウエハ搬送路上で気体によって徐々に冷却される。すなわち、冷却温度の変化に伴う樹脂または粘着テープに対する半導体ウエハの収縮速度の偏差を小さくし、半導体ウエハの反り量をより確実に抑えることができる。したがって、上記方法を好適に実現することができる。
上記構成において、ウエハ搬送部は、半導体ウエハの搬送方向に沿ってその中央部分から半導体ウエハ裏面に向けて真上に気体を吹き付ける第1吹き付け部と、半導体ウエハの幅方向から半導体ウエハ裏面に向けて斜め中央よりに気体を吹き付ける第2吹き付け部とを搬送面に設け、半導体ウエハ幅方向に所定のクリアランスを有し当該半導体ウエハよりも大きい搬送面上でワークを浮上させて搬送し、
前記予備冷却ノズル、第1吹き付け部および第2吹き付け部から供給する気体の流量を調整し、半導体ウエハの走行を制御するように構成してもよい。
この構成によれば、ウエハ搬送部で半導体ウエハを非接触で搬送しつつ、上下方向から当該半導体ウエハを予備冷却することができる。したがって、半導体ウエハの表面と裏面の温度差をなくし、半導体ウエハの反りをより確実に抑えることができる。
本発明の半導体ウエハ搬送方法および半導体ウエハ搬送装置によれば、加熱状態の半導体ウエハを冷却したときに発生する反り量を抑えつつ、当該半導体ウエハを効率よく搬送することができる。
実施例装置の全体構成を示す平面図である。 半導体ウエハに支持板を貼合せて成るワークの側面図である。 半導体ウエハの断面図である。 ウエハ搬送装置の平面図である。 ウエハ搬送装置の側面図である。 保持テーブルの動作を説明する図である。 ウエハ搬送路の断面図である。 保持テーブルの平面図である。 保持テーブル周りの構成を示す平面図である。 保持テーブル周りの構成を示す正面図である。 支持板分離機構の側面図である。 剥離ローラの斜視図である。 支持板の分離動作を示す説明図である。 支持板の分離動作を示す説明図である。 両面粘着テープの剥離動作を示す説明図である。 両面粘着テープの剥離動作を示す説明図である。 両面粘着テープの剥離動作を示す説明図である。 ウエハ搬送装置の動作を示す説明図である。 ウエハ搬送装置の動作を示す説明図である。 ウエハ搬送装置の動作を示す説明図である。 変形例の予備冷却用のエアーノズルを示す正面図である。
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
本発明の半導体ウエハ搬送装置は、図2に示すように、ステンレス鋼、ガラス基板またはシリコン基板からなる支持板2と同心状に両面粘着テープ3を介して貼り合わされたバックグラインド前の半導体ウエハ1(以下、適宜に「ウエハ1」という)を、当該支持板2から分離する支持板分離装置に備わっている。なお、支持板2は、ウエハ1と略同形状であり、その直径は、ウエハ1以上である。
ここで、ウエハ1は、次のようにして形成されている。ウエハ表面への回路形成後にダイシング処理がされたベアチップ1aを検査し、良品のベアチップ1aのみを選別する。これらベアチップ1aの電極面を下にし、図3に示すように、キャリア用の支持板2に貼り付けた両面粘着テープ3上に2次元アレー状に整列固定する。さらに、ベアチップ1a上から樹脂1bを被着し、ウエハ形状に再生している。
図2に戻り、両面粘着テープ3は、テープ基材3aの両面に、加熱することで発泡膨張して接着力を失う加熱剥離性の粘着層3bと、紫外線の照射によって硬化して接着力が低下する紫外線硬化型または非紫外線硬化型の感圧性の粘着層3cを備えて構成されたものである。つまり、この両面粘着テープ3の粘着層3bに支持板2が貼り付けられるとともに、粘着層3cにウエハ1が貼付けられている。
図1は本発明に係る支持板分離装置を示す平面図、図4はウエハ搬送装置の平面図、図5はウエハ搬送装置の正面図である。
この支持体分離装置は、ワークWを収納したカセットC1およびウエハ1または支持板2を収納したC2が装填されるウエハ供給/回収部4、第1ロボットアーム5を備えた第1ウエハ搬送機構6、アライメントステージ(アライナー)7、第2ロボットアーム8を備えた第2ウエハ搬送機構9、ウエハ搬送装置10、ワークWから支持板2を分離する支持板分離機構11と、支持板2が分離されたウエハ1から両面粘着テープ3を剥離除去するテープ剥離機構12と、剥離除去した両面粘着テープ3を回収するテープ回収部13、ウエハ1にマーキングを付すマーキング部14、ウエハ受渡部15、および第3ロボットアーム16を備えた第3ウエハ搬送機構17が備えられている。以下、各機構についての具体的に説明する。
ウエハ供給/回収部4には、供給側に2台のカセットC1および回収側に2台のカセットC2を並列して載置される。カセットC1には、ウエハ1に支持板2を貼り合わせて成るワークWが、当該支持板2を下にして複数枚を多段に水平姿勢で差込み収納されている。カセットC2の一方には、支持板2を分離されてベアチップ1aの回路面を上向きにした複数枚のウエハ1が、多段に水平姿勢で差込み収納されている。カセットC2の他方には、分離後の複数枚の支持板2が、多段に水平姿勢で差込み収納されている。
第1ウエハ搬送機構6に備えられた第1ロボットアーム5は、上下に反転および水平に進退移動可能に構成されるとともに、全体が旋回および昇降可能になっている。この第1ロボットアーム5の先端には、馬蹄形をした真空吸着式のワーク保持部5aが備えられている。
アライメントステージ4は、第1ウエハ搬送機構6によって載置されたワークWを、その外周に形成されたノッチやオリエンテーションフラットに基づいて位置合わせを行うようになっている。
第2ウエハ搬送機構9に備えられた第2ロボットアーム8は、水平に進退移動可能に構成されるとともに、全体が旋回および昇降可能になっている。この第2ロボットアーム8の先端には、馬蹄形をした真空吸着式のワーク保持部8aが備えられている。
ウエハ搬送装置10は、図4および図5に示すように、保持テーブル18、ウエハ搬送部19、冷却ステージ20および搬出ステージ21とが揺動可動台22に配備されている。
保持テーブル18は、金属製のチャックテーブルであり、流路を介して外部の真空装置と連通接続されている。つまり、保持テーブル18は、載置されたワークWを吸着保持する。また、保持テーブル18は、吸着パッド23と複数本の支持ピン24とが装備されている。さらに、保持テーブル18は、シリンダ85によって昇降するよう構成されている。なお、保持テーブル18は、金属製に限定されず、セラミックの多孔質で形成されたものであってもよい。
吸着パッド23は、保持テーブル18の中央で出退昇降可能な上面が真空吸着面に構成されている。
支持ピン24は、保持テーブル18の所定の円周上に等間隔をおいて配備されている。すなわち、支持ピン24は、シリンダ25によって保持テーブル18の保持面に対して出退昇降可能に構成れている。さらに、支持ピン24の先端は、絶縁物で構成されているか、あるいは絶縁物で被覆されている。
保持テーブル18の後方には、ノズル26が配備されている。ノズル26は、図18に示すように、保持テーブル18から支持ピン24で突き上げ保持されたウエハ1または支持板2と保持テーブル18との間に気体を吹き付けるよう、その先端が斜め下がり傾斜に設定されている。
図4に戻り、ウエハ搬送部19は、搬送対象のウエハ1および支持板2よりも幅の大きい板状であり、冷却ステージ20を挟んで保持テーブル18と搬出ステージ21のそれぞれに連結されている。搬送面には、搬送方向に沿ってその中央部分で図中の波線で囲った第1吹き付け部27と、第1吹き出し部10を挟んで搬送路2の両側で図中の波線で囲った第2吹き付け部28とを備えている。
第1吹き付け部27は、図7に示すように、ウエハ搬送部19に垂直貫通して形成された複数個の孔29からなる。孔29は、ウエハ搬送部19の裏面側に連通接続された流路31によって纏められている。纏まって1本になった流路31には、第1電磁バルブ32が備えられており、他端にポンプ35が連通接続されている。
第2吹き付け部28は、ウエハ1の進行方向斜め中央寄りにウエハ搬送部19を貫通して形成された複数個の孔30からなる。孔30は、第2吹き付け部28ごとにその両端の裏面側で孔30に連通接続された流路33によってそれぞれが纏められている。纏まって1本になった各流路33には、第2電磁バルブ34が備えられており、他端にポンプ35が連通接続されている。
図4および図5に戻り、ウエハ搬送部19の搬送開始側に配備された投光器36と終了側に配備された受光器37からなる2個の検出器が、ウエハ搬送部19の幅方向にそれぞれ配備されている。すなわち、各検出器は、ウエハ搬送部19の中央に沿って搬送されるウエハ1または支持板2の外周端から所定のクリアランスをおいて配備されている。
ウエハ搬送部19の両側端には、ウエハ1および支持板2の落下防止用のガイド壁38がそれぞれ配備されている。ガイド壁38の表面は、弾性体で被覆されている。
ウエハ搬送部19と冷却ステージ20の側面からそれぞれ支柱39が立設されており、支柱39に昇降可能なフレーム40が配備されている。幅方向両端のフレーム40に跨って複数本のエアーノズル41が、ウエハ1の搬送方向に沿って所定間隔をおいて配備されている。なお、エアーノズル41は、本発明の予備冷却ノズルに相当し、支柱39、フレーム40およびエアーノズル41は、予備冷却装置を構成する。
エアーノズル41は、図7に示すように、搬送幅方向に開口を有し、ウエハ1にエアーを吹き付けるよう構成されている。エアーノズル41へのエアーの供給は、第3電磁バルブ48を介してポンプ35から供給される。また、制御部80によって第3電磁バルブ48の開閉および開度を調整して流量が調整される。
各エアーノズル41の中央分部には、下方を通過するウエハ1の温度を検出する温度センサ42が配備されている。温度センサ42の検出信号は、制御部80に送られる。
冷却ステージ20は、図8に示すように、温度センサ43を備えるとともに、冷却ステージ20上に載置されるウエハ1を冷却するペルチェ素子44を内部に備えている。また、図4および図5に示すように、冷却ステージ20の手前側の支柱39にノズル45が装備されている。なお、温度センサ43の検出信号も、制御部80に送られる。
ノズル45は、図5に示すように、冷却ステージ20に載置されたウエハ1および支持板2の後端に向けて気体を吹き付けるよう、その先端が下向き斜め姿勢に設定されている。
搬出ステージ21は、金属製のチャックテーブルであり、流路を介して外部の真空装置と連通接続されている。つまり、保持テーブル上に搬送されてきたウエハ1および支持板2を吸着保持する。また、搬出ステージ21は、保持テーブル18と同様に支持ピン46が装備されている。なお、搬出ステージ21は、金属製に限定されず、セラミックの多孔質で形成されたものであってもよい。
支持ピン46は、搬出ステージ21の所定の円周上に等間隔をおいて配備されている。すなわち、支持ピン46は、シリンダ47によって搬出ステージ21の保持面に対して出退昇降可能に構成れている。さらに、支持ピン46の先端は、絶縁物あるいは絶縁物で被覆されている。
揺動可動台22は、保持テーブル18側の下部に配備された支柱50に支軸51を介して軸支されるとももに、搬出ステージ21側の下部で昇降カム52に支持されている。すなわち、昇降カム52に連結されたモータ53を正逆転駆動させることにより、当該揺動可動台22が支軸51周りに枢動しつつ、ウエハ1および支持板2の進行方向に微小角度で斜め下がり傾斜するように構成されている。
支持板分離機構11は、図11に示すように、縦壁55の背部に縦向きに配置されたレール56に沿って昇降可能な可動台57、この可動台57に高さ調節可能に支持された可動枠58、この可動枠58から前方に向けて延出されたアーム59の先端部に装着された吸着プレート60などを備えている。
可動台57は、ネジ軸61をモータ62によって正逆転駆動することでねじ送り昇降される。また、吸着プレート60の下面は真空吸着面に構成されるとともに、当該吸着プレート内部にはヒータ63が内蔵されている。
テープ剥離機構12は、図9ないし図11に示すように、レール65に沿って前後にスライド移動可能な可動台66から下向きに延出された支持フレーム67を介して剥離ローラ68が装着されている。
可動台66は、モータ69で正逆転駆動されるネジ軸70によって前後水平に独立してねじ送り移動させるよう構成されている。
剥離ローラ68は、図9および図10に示すように、中空の回転軸72に装着されたプーリ73とモータ74の駆動軸に装着された駆動プーリ78とに張架された無端ベルト79によって自転可能に構成されている。また、剥離ローラ68は、図12に示すように、表面に吸引孔71設けられており、外部に配備された吸引装置に連通接続されている。なお、剥離ローラ68は、弾性体で被覆されている。
吸引孔71は、両面粘着テープ3の剥離開始端の部分と剥離終了端に対応する位置に形成されている。剥離開始端側の吸引孔71は、テープ外周の円弧に沿った複数個の長孔に形成されている。剥離終了端側の吸引孔71は、1個の長孔が形成されている。なお、吸引孔71の形状および個数は、両面粘着テープ3の大きさや形状に応じて適宜に変更される。
テープ回収部13は、図1および図10に示すように、剥離ローラ68の下方に回収ボックスとして配備されている。
マーキング部14は、ウエハ1を吸着保持するチャックテーブル75、チャックテーブル75に吸着保持されたウエハ1に2次元コードや3次元立体コードなどのマーキングを施すレーザ装置76を備えている。
ウエハ受渡部15は、ウエハ1および支持板2の裏面を吸着保持する吸着パッド77を備えている。吸着パッド77は、マーキング部14側から第3ロボットアーム16への受け渡し位置にスライド移動するとともに、昇降するように構成されている。
第3ウエハ搬送機構17に備えられた第3ロボットアーム16は、水平に進退移動可能に構成されるとともに、全体が旋回および昇降可能となっている。この第3ロボットアーム16の先端には、馬蹄形をした真空吸着式のワーク保持部16aが備えられている。
次に、ウエハ搬送装置を備えた上記支持板分離装置の一連の動作について、図13〜20を参照しながら説明する。
先ず、図示しない操作部を操作して各種設定を行う。例えば、支持板分離機構11のヒータ63の加熱温度、保持テーブル18から冷却ステージ20にウエハ1が到達するまでの予備冷却温度および時間を設定する。
加熱温度は、加熱剥離性の粘着層3bを有する両面粘着テープ3に応じて設定する。つまり、加熱により発泡膨張して粘着力を喪失する温度に設定する。
予備冷却温度は、例えば樹脂のガラス転移点に設定される。また、冷却時間は、次のようにして求める。支持板分離機構11で加熱された樹脂1bがガラス転移点に到達するまでの温度変化に伴って変化する樹脂1bとベアチップ1aの収縮率を予め求める。このとき、樹脂1bとベアチップ1aの収縮速度の偏差が小さく、かつ、冷却後のウエハ1の反り量が所定の範囲に収まるように求められる。換言すれば、予備冷却温度と樹脂1bの収縮率との相関関係が予め求められる。当該相関関係が設定される。
冷却時間が決まると、制御部80は、ウエハ1の搬送速度を求める。つまり、保持テーブル18から冷却ステージ20までの距離は、装置レイアウトから予め決まっているので、当該距離とウエハ1の重量から搬送速度を求める。当該搬送速度に応じたウエハ搬送装置10の傾斜角度が求められる。これら各種設定条件は、制御部80に備わった記憶部81に記憶される。
各種設定が完了すると、装置を作動させる。先ず、第1ウエハ搬送機構6の第1ロボットアーム5が、カセットC1に向けて移動される。第1ロボットアーム5先端のワーク保持部5aがカセットC1に収容されているワークW同士の隙間に挿入される。ワーク保持部5aは、ワークWを裏面から吸着保持して搬出し、上下反転する。すなわち、ウエハ1側を下向きにしてアライメントステージ7に移載する。
アライメントステージ7に載置されたワークWは、その外周に形成されているノッチやオリエンテーションフラットを利用して位置合わせされる。位置合わせの済んだワークWは、第2ロボットアーム8先端のワーク保持部8aによって上側の支持板2を吸着保持される。その状態で、保持テーブル18上に搬送される。
保持テーブル18上に搬入されたワークWは、ウエハ1側からテーブル上に突出している吸着パッド23に一旦受け取られた後、吸着パッド23の下降に伴って保持テーブル18の上面に所定の姿勢および位置で載置される。さらに、ワークWは、保持テーブル18の外周に配備された位置決め機構によって外周から把持されて位置合わされる。その後に保持テーブル18に吸着保持される。このとき、保持テーブル18は、ヒータ63によって加熱されているとともに、剥離位置より僅かに下の待機位置にある。
次に、図13に示すように、支持板分離機構11の吸着プレート60がワークWの上面に接触するまで下降され、内蔵されたヒータ63によってワークWを加熱する。吸着プレート60による加熱と保持テーブル18の加熱とによって両面粘着テープ3における加熱剥離性の粘着層3bが発泡膨張して接着力を失う。
所定時間の加熱が完了すると、図14に示すように、支持板2を吸着保持した状態で吸着プレート60を上昇させる。このとき、接着力を失った粘着層3bが支持板2の下面から離され、支持板2だけが上昇させられる。
支持板分離処理の済んだ保持テーブル18上には、発泡して接着力を失うとともに、その表面に凹凸が生じた粘着層3bが露出した両面粘着テープ3の残されたウエハ1が保持されている。この状態で、図15に示すように、テープ剥離機構12を作動させて剥離ローラ68を待機位置から剥離開始位置に移動させる。
このとき、剥離ローラ68を剥離開始端で停止させるとともに、両面粘着テープ3の剥離開始端を吸引するよう剥離ローラ68を自転させて吸引孔71を下向きに位置調整する。
剥離開始位置での剥離ローラ68の位置調整などが完了すると、図16に示すように、シリンダを作動させて保持テーブル18を上昇させ、剥離ローラ68に両面粘着テープ3を適度に押圧する。同時に、図17に示すように、剥離ローラ68から両面粘着テープ3を吸引しつつ、剥離ローラ68を剥離終了端に向けて移動させながら両面粘着テープ3を剥離ローラ68に巻き付けて剥離する。
剥離終了端を超えて待機位置に剥離ローラ68が到達すると、吸引装置を正圧に切り換え、吸引孔71からエアーを吹き出して剥離ローラ68に巻き付いている両面粘着テープ3をテープ回収部13の回収ボックスに回収させる。
次に、支持ピン24を上昇させて保持テーブル18から突き出し、図6に示すように、ウエハ1を保持ステージ18から離間させる。制御部80は、図18に示すように、モータ53を正転させ、予め求めた揺動角度に揺動可動台22を揺動下降させるとともに、ウエハ1の後側からノズル26で気体を吹き付けながら支持ピン24を下降させる。ウエハ1は、保持テーブル18上で浮上するとともに、前向きの推進力を得てウエハ搬送部19に向けて送り出される。
図19に示すように、ウエハ搬送部19の表面に設けられた第1吹き付け部27および第2吹き付け部28の各孔29、30から均一な流量の気体が吹き出されており、その上をウエハ1が浮上しながら冷却ステージ20に向けて搬送される。
この搬送過程で、上方に配備されたエアーノズル41からエアーを吹き付けてウエハ1を構成する樹脂1bをガラス転移点まで予備冷却する。このとき、エアーノズル41に備わった各温度センサ42でウエハ1の表面温度を検出する。制御部80は、検出された実温度と予め決めた目標温度とを比較し、温度偏差が所定の範囲に収まっていない場合、ウエハ1の搬送速度、エアーノズル41から吹き出すエアーの流量およびエアーの温度の少なくともいずれかを調整し、温度制御を行う。
図20に示すように、冷却ステージ20にウエハ1が到達する手前からモータ53を逆転させて揺動可動台22を水平に戻し、冷却ステージ20上にウエハ1を載置する。
冷却ステージ20上で所定時間をかけて冷却しながら温度センサ43でウエハ1の温度が目標温度(例えば、室温)に到達するまでモニタする。ウエハ1が所定温度に達すると、図19に示すように、再びモータ53を正転させて揺動可動台22を揺動下降させるとともに、ウエハ1の後側からノズル45で気体を吹き付ける。このとき、冷却ステージ20の保持面とウエハ1の裏面との間に負圧が生じてウエハ1が浮上するとともに、前向きの推進力を得たウエハ1が気体の吹き出されているウエハ搬送部19上を浮上しながら搬出ステージ21へと搬送される。
搬出ステージ21にウエハ1が到達する手前からモータ53を逆転させて揺動可動台22を水平に戻し、搬出ステージ21上にウエハ1を載置する。このとき、揺動可動台22を水平に戻すタイミングは、例えば、予め決めた時間または所定位置をウエハ1が通過したことを図示しないセンサで検出した結果に基づいて決められる。
搬出ステージ21に載置されたウエハ1は、支持ピン46によって搬出ステージ21から突き上げ支持される。第2ロボットアーム8は、ウエハ搬送部19に沿って搬送ステージ21と略対向する位置に移動する、第2搬送ロボットアーム8の先端のワーク保持部8aは、裏面からウエハ1を吸着保持して搬出ステージ21から搬出する。
搬出されたウエハ1は、マーキング部14のチャックテーブル75に載置され、ノッチなどに基づいて位置合わせされる。その後、ウエハ1の回路形成面から外れた外周分部にレーザによりマーキングが付される。
マーキング処理が完了すると、ウエハ1は、再び第2ロボットアーム8によって吸着保持され、ウエハ受渡部15に載置される。ウエハ1は、吸着パッド77によって裏面を吸着保持されたまま、第3ロボットアーム16への受渡位置に移動される。
第3ロボットアーム16は、ウエハ1の裏面を吸着保持し、ベアチップ1aの露出面を上向きにしてカセットC2に収納する。
一方、支持板分離機構11で分離された支持板2は、ウエハ1の搬送に追従して支持板2の回収側のカセットC2に収納される。なお、支持板2は、マーキングを付す必要がないので、第2ロボットアーム8によって搬出ステージ21からウエハ受渡部15に載置される。
以上で一巡の動作が終了し、以後同じ動作が繰り返される。
上記実施例装置によれば、加熱処理によって支持板2の分離されたウエハ1が、保持テーブル18から冷却ステージ20に搬送される過程で、ウエハ1を構成する樹脂1bのガラス転移点まで予備冷却される。さらに、予備冷却時間が、ベアチップ1aと樹脂1bの収縮度合いの偏差が最小になるように設定されている。したがって、ベアチップ1aと樹脂1bの収縮度合いの偏差によって生じていたウエハ1の反り量を予め設定した目標値まで抑えることができる。その結果、樹脂1bのクラックの発生に伴う剛性の低下や反りに伴うウエハ1のハンドリングエラーを回避することができる。
なお、本発明は以下のような形態で実施することも可能である。
(1)上記実施例装置において、ウエハ搬送部19は、無端ベルトまたはローラで構成したコンベアであってもよい。当該構成においても、ウエハ1の裏面側から同時に冷却でるように構成することが好ましい。
例えば、ベルトコンベアの場合、通気性を有する素材で構成し、ベルトの裏面側に配備したノズルからエアーなどの気体を吹き付けるように構成する。
また、ローラコンベアの場合、所定ピッチで配備したローラ同士の間隔に向けてノズルからエアーなどの気体を吹き付けるように構成する。或いは、ローラの表面に通気性を有する弾性体で被覆し、ローラの回転軸から吸引して外気を引き込むことによってウエハ1の裏面を冷却するように構成する。さらには、ローラ内に温度コントロールした冷媒を循環させながらウエハ1の裏面を冷却するように構成してもよい。
(2)上記実施例装置において、予備冷却温度を制御する場合、個々のエアーの流量を調整してもよいし、エアーノズル41の高さを調整してもよい。さらには、エアーノズル41に傾斜角度を調整するように構成してもよい。
なお、エアーノズル41の高さを調整する場合、図21に示すように、シリンダなどのリニアアクチュエータ90をフレーム40に連結し、支柱39の長手方向に形成したガイド孔91に沿って当該フレーム40を昇降するように構成できる。或いは、個々のエアーノズル41にリニアアクチュエータ90を直接に連結して構成してもよい。
(3)上記実施例装置において、ウエハ1の裏面の温度を温度センサで検出して予備冷却温度を制御してもよい。つまり、ベアチップ1aの露出面と樹脂面の温度を個別に管理することにより、収縮速度の偏差を小さくできるので、ウエハ1の反りをより確実に抑制することができる。
(4)上記実施例装置において、揺動可動台22の搬出ステージ21側の下部を軸支し、保持テーブル18側の下部をシリンダなどのアクチュエータで昇降させて当該揺動可動台22を搬送方向に揺動下降させるように構成してもよい。
(5)上記実施例装置では、支持板分離機構11でウエハ1側に両面粘着テープ3を残していてが、支持板2側に残してもよい。この場合、ウエハ1側に加熱剥離性の粘着層を貼付ければよい。
(6)上記実施例装置では、バックグラインド前にダイシングして選別した良品のベアチップ1aと樹脂1bによって再生したウエハ1を利用していたが、バックグラインド後のウエハにも利用することもできる。
すなわち、加熱剥離性の粘着層3bを有する両面粘着テープ3を介して支持板2とウエハ1とを貼り合わせた状態で、ウエハ1の裏面をバックグラインドした後の当該ウエハ1をカセットC1に収納して当該装置に供給すればよい。
(7)上記実施例装置において、冷却ステージ20から搬出ステージ21の間にもエアーノズル41を設けてもいし、搬出ステージ21にもペルチェ素子を設けて冷却するように構成してもよい。
(8)上記実施例装置では、両面粘着テープ3を剥離ローラ68で吸着して剥離したいたが、剥離テープ3を貼り付けて剥離するように構成してもよい。
1 … 半導体ウエハ
1a … ベアチップ
1b … 樹脂
2 … 支持板
3 … 両面粘着テープ
10 … ウエハ搬送機構
11 … 支持板分離機構
12 … テープ剥離機構
18 … 保持テーブル
19 … ウエハ搬送部
20 … 冷却ステージ
21 … 搬出ステージ
22 … 揺動可動台
41 … エアーノズル
42 … 温度センサ
43 … 温度センサ
44 … ペルチェ素子
W … ワーク

Claims (5)

  1. 樹脂または粘着テープで被覆された半導体ウエハを搬送する半導体ウエハ搬送方法であって、
    加熱状態にある前記半導体ウエハを冷却ステージに搬送する過程で予備冷却する過程を含み、
    前記予備冷却する過程において、所定温度の加熱状態にある前記半導体ウエハを目標温度まで冷却したとき、半導体ウエハの反り量が所定範囲に収まるように、冷却温度と樹脂または粘着テープの収縮率との相関関係を予め求め、
    搬送過程にある前記半導体ウエハの温度および搬送速度を検出器で検出しながら、検出結果に応じて半導体ウエハに向けて供給する気体の温度、流量および半導体ウエハの搬送速度の少なくともいずれかを制御する
    ことを特徴とする半導体ウエハ搬送方法。
  2. 請求項1に記載の半導体ウエハ搬送方法において、
    前記予備冷却は、搬送経路上を通過する前記半導体ウエハの上方に配備されたノズルから気体を吹き付けて冷却する
    ことを特徴とする半導体ウエハ搬送方法。
  3. 請求項1または請求項2に記載の半導体ウエハ搬送方法において、
    前記予備冷却は、搬送経路から半導体ウエハの裏面に向けて気体を吹き付けて冷却する
    ことを特徴とする半導体ウエハ搬送方法。
  4. 樹脂または粘着テープで被覆された半導体ウエハを搬送する半導体ウエハ搬送装置であって、
    加熱状態にある前記半導体ウエハを搬送するウエハ搬送部と、
    前記ウエハ搬送部で搬送される半導体ウエハに向けて気体を吹き付ける予備冷却ノズルと、
    予備冷却された前記半導体ウエハを載置保持する保持ステージと、
    前記保持ステージ上の半導体ウエハを冷却する冷却器と、
    前記ウエハ搬送部上で搬送される半導体ウエハの温度と前記保持テーブル上の半導体ウエハの温度を検出する複数個の温度検出器と、
    前記ウエハ搬送部で搬送されている前記半導体ウエハの搬送速度を検出する速度検出器と、
    所定の温度の加熱状態にある前記半導体ウエハを目標温度まで冷却したときに、半導体ウエハの反り量が所定範囲に収まるように、冷却温度と樹脂または粘着テープの収縮率との相関関係を予め求めて記憶する記憶部と、
    前記ウエハ搬送部で搬送されている前記半導体ウエハの温度および搬送速度を前記温度検出器と速度検出器で検出し、当該検出結果に応じて半導体ウエハに向けて供給する気体の温度、流量および半導体ウエハの搬送速度の少なくともいずれかを設定変更する条件を記憶部から選択し、半導体ウエハの温度を制御する制御部と、
    を備えたことを特徴とする半導体ウエハ搬送装置。
  5. 請求項に記載の半導体ウエハ搬送装置において、
    前記ウエハ搬送部は、半導体ウエハの搬送方向に沿ってその中央部分から半導体ウエハ裏面に向けて真上に気体を吹き付ける第1吹き付け部と、半導体ウエハの幅方向から半導体ウエハ裏面に向けて斜め中央よりに気体を吹き付ける第2吹き付け部とを搬送面に設け、半導体ウエハ幅方向に所定のクリアランスを有し当該半導体ウエハよりも大きい搬送面上で半導体ウエハを浮上させて搬送し、
    前記予備冷却ノズル、第1吹き付け部および第2吹き付け部から供給する気体の流量を調整し、半導体ウエハの走行を制御するよう構成した
    ことを特徴とする半導体ウエハ搬送装置。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140012238A (ko) * 2012-07-19 2014-02-03 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 시스템
US9236216B2 (en) * 2012-08-03 2016-01-12 Axcelis Technologies, Inc. In-vacuum high speed pre-chill and post-heat stations
JP5850814B2 (ja) * 2012-09-07 2016-02-03 東京エレクトロン株式会社 剥離システム
JP5808721B2 (ja) * 2012-09-07 2015-11-10 東京エレクトロン株式会社 剥離システム
JP6079529B2 (ja) * 2013-09-18 2017-02-15 三星ダイヤモンド工業株式会社 支持機構および搬送装置
US9606532B2 (en) * 2014-01-29 2017-03-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Method and manufacturing system
US9437468B2 (en) * 2014-03-29 2016-09-06 Intel Corporation Heat assisted handling of highly warped substrates post temporary bonding
KR101540885B1 (ko) * 2014-07-29 2015-07-30 주식회사 엘지실트론 웨이퍼의 결함 측정장치
JP6322083B2 (ja) * 2014-08-08 2018-05-09 日東電工株式会社 半導体ウエハの冷却方法および半導体ウエハの冷却装置
JP6246685B2 (ja) * 2014-09-12 2017-12-13 株式会社東芝 静電チャック機構、基板処理方法及び半導体基板処理装置
US9899242B2 (en) 2015-04-06 2018-02-20 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Device and method for substrate heating during transport
TWI612598B (zh) * 2017-01-25 2018-01-21 帆宣系統科技股份有限公司 晶圓檢測分類裝置及其檢測分類方法
KR101778146B1 (ko) 2017-06-22 2017-09-13 주식회사 다이나테크 몰드 웨이퍼의 슬라이딩식 이송용 트랜스퍼
CN110323150B (zh) * 2018-03-30 2021-12-31 上海微电子装备(集团)股份有限公司 温度控制装置
CN108842143A (zh) * 2018-07-09 2018-11-20 上海新昇半导体科技有限公司 外延炉冷却系统及冷却方法
CN109013236B (zh) * 2018-08-01 2021-11-19 深圳市善营自动化股份有限公司 一种涂布方法
CN111207551B (zh) * 2020-03-20 2023-12-29 南京工业大学 一种结合半导体和相变制冷的正压医药冷藏保温箱及方法
CN115799056A (zh) * 2021-09-10 2023-03-14 长鑫存储技术有限公司 半导体结构制作方法及半导体结构处理设备
CN117352440B (zh) * 2023-12-05 2024-04-12 青岛育豪微电子设备有限公司 一种半导体降温装置

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62132328A (ja) * 1985-12-04 1987-06-15 Mitsubishi Electric Corp ウエハ搬送装置
JPH0270617A (ja) * 1988-09-02 1990-03-09 Fujitsu Ltd ウエハ搬送装置
KR0157990B1 (ko) * 1990-06-18 1999-02-01 이노우에 키요시 처리 장치
JPH09148238A (ja) 1995-11-24 1997-06-06 Nippon Steel Corp 半導体製造装置
JP3955340B2 (ja) * 1996-04-26 2007-08-08 株式会社神戸製鋼所 高温高圧ガス処理装置
US6198074B1 (en) 1996-09-06 2001-03-06 Mattson Technology, Inc. System and method for rapid thermal processing with transitional heater
JP3442253B2 (ja) * 1997-03-13 2003-09-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2000260815A (ja) * 1999-03-10 2000-09-22 Mitsubishi Electric Corp バンプの溶融方法および溶融装置、ならびに半導体装置の製造方法
JP3416078B2 (ja) 1999-06-09 2003-06-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP4403631B2 (ja) * 2000-04-24 2010-01-27 ソニー株式会社 チップ状電子部品の製造方法、並びにその製造に用いる擬似ウエーハの製造方法
JP3756402B2 (ja) * 2000-12-08 2006-03-15 富士写真フイルム株式会社 基板搬送装置及び方法
JP3580255B2 (ja) * 2001-01-10 2004-10-20 松下電器産業株式会社 プラズマ処理方法
JP4700225B2 (ja) * 2001-06-01 2011-06-15 株式会社ディスコ 半導体ウエーハの切削方法
US6955485B2 (en) * 2002-03-01 2005-10-18 Tokyo Electron Limited Developing method and developing unit
US7094994B2 (en) * 2003-03-11 2006-08-22 Sony Corporation Heat treatment apparatus and method of semiconductor wafer
CN1310285C (zh) * 2003-05-12 2007-04-11 东京毅力科创株式会社 处理装置
JP4592270B2 (ja) * 2003-10-06 2010-12-01 日東電工株式会社 半導体ウエハの支持材からの剥離方法およびこれを用いた装置
JP2005255960A (ja) * 2004-03-15 2005-09-22 Nitta Ind Corp 基材フィルムの収縮を抑制した感温性粘着テープ
JP2006032886A (ja) * 2004-06-15 2006-02-02 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法及びカメラモジュール
KR100543711B1 (ko) * 2004-06-19 2006-01-20 삼성전자주식회사 열처리장치
JP2006234362A (ja) * 2005-02-28 2006-09-07 Komatsu Electronics Inc 熱交換器及び熱交換器の製造方法
JP4755498B2 (ja) * 2006-01-06 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及び加熱方法
JP4537324B2 (ja) 2006-01-24 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 基板冷却装置、基板冷却方法、制御プログラム、コンピュータ読取可能な記憶媒体
US20070209593A1 (en) * 2006-03-07 2007-09-13 Ravinder Aggarwal Semiconductor wafer cooling device
JP5138253B2 (ja) * 2006-09-05 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 アニール装置
WO2009026765A1 (en) * 2007-08-29 2009-03-05 Acm Research (Shanghai) Inc. Method and apparatus for thermal treatment of semiconductor workpieces
KR100921523B1 (ko) 2008-05-30 2009-10-12 세메스 주식회사 평판 디스플레이 제조에 사용되는 기판 처리 장치 및 방법
JP5331580B2 (ja) * 2008-07-02 2013-10-30 日本碍子株式会社 ウエハ載置装置及びそれに用いる部品
DE102008041250A1 (de) * 2008-08-13 2010-02-25 Ers Electronic Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum thermischen Bearbeiten von Kunststoffscheiben, insbesondere Moldwafern
JP5423205B2 (ja) 2008-08-29 2014-02-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5635270B2 (ja) 2009-02-13 2014-12-03 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び基板処理システム及び基板処理装置の表示方法及び基板処理装置のパラメータ設定方法及び記録媒体

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