JP7291470B2

JP7291470B2 - 基板処理装置及び基板処理方法

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Publication number: JP7291470B2
Application number: JP2018207535A
Authority: JP
Inventors: 義広川口; 弘明森
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2018-11-02
Filing date: 2018-11-02
Publication date: 2023-06-15
Anticipated expiration: 2038-11-02
Also published as: JP2020072238A

Description

本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

特許文献１には、レーザ加工装置であって、ウェーハを吸引保持する保持テーブルと、ウェーハの上面を保持して前記保持テーブルに対して当該ウェーハの搬送を行う搬送手段を備えた構成が開示されている。

特開２０１７－５４９０７号公報

本開示にかかる技術は、基板処理装置に対して基板の搬入出を行う基板搬送機構の基板保持形式によらず、当該基板の搬入出を適切に行う。

本開示の一態様は、基板を処理する基板処理装置であって、前記基板処理装置に対して、第１の基板搬送機構により一の面が保持された前記基板が搬入され、第２の基板搬送機構により一の面または他の面が保持された前記基板が搬出され、前記基板処理装置は、前記基板を吸着保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板を処理する基板処理部と、前記基板を搬入出する搬入出領域において前記基板処理装置に対して搬入出される前記基板を保持し、前記基板保持部との間で前記基板を受渡し可能な基板受渡部と、前記基板保持部を前記基板処理部と前記搬入出領域との間で移動可能とする水平移動部と、を備え、処理後の基板を前記基板受渡部で保持した状態で、前記第１の基板搬送機構が処理前の基板を前記基板保持部に受け渡し可能であり、前記基板受渡部は、前記基板処理装置に対する前記基板の搬入出が行われる際に前記基板保持部の上方に配置され、前記基板の上面を吸着保持する吸着部と、前記吸着部を昇降自在な昇降機構と、前記基板保持部を貫通して設けられ、前記基板の下面を支持する昇降ピンと、前記昇降ピンを昇降自在な昇降機構と、を有し、前記昇降ピンの頂部は、前記基板の受け渡し時において前記基板保持部の上面から突出する。

本開示によれば、基板処理装置に対して基板の搬入出を行う基板搬送機構の基板保持形式によらず、当該基板の搬入出を適切に行う。

本実施形態にかかるウェハ処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。重合ウェハの構成の概略を示す側面図である。重合ウェハの一部の構成の概略を示す側面図である。ウェハ処理の主な工程を示すフロー図である。ウェハ処理の主な工程の説明図である。ウェハに形成された改質層の様子を示す平面図である。本実施形態にかかる改質装置の構成の概略を示す平面図である。改質装置における改質処理領域の構成の概略を示す側面図である。改質装置における搬入出領域の構成の概略を示す側面図である。改質装置におけるウェハ処理の主な工程を示すフロー図である。改質装置におけるウェハ処理の主な工程を示す説明図である。改質装置におけるウェハ処理の主な工程を示す説明図である。改質装置におけるウェハ処理の主な工程を示す説明図である。改質装置におけるウェハ処理の主な工程を示す説明図である。改質装置におけるウェハの保持状態の一例を示す説明図である。第２の実施形態にかかる改質装置の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。第３の実施形態にかかる改質装置の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。第３の実施形態にかかる改質装置の変形例を示す縦断面図である。

半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成されたウェハに対し、当該ウェハの裏面を研削して、ウェハを薄化することが行われている。そして、当該ウェハの研削面に形成される研削痕を除去して研削面を平滑化するため、当該研削面にはエッチング処理（例えばウェットエッチング）が行われる。

また、ウェハの周縁部は面取り加工がされているが、上述したようにウェハに研削処理を行うと、ウェハの周縁部が鋭く尖った形状（いわゆるナイフエッジ形状）になる。そうすると、ウェハの周縁部でチッピングが発生し、ウェハが損傷を被るおそれがある。そこで、研削処理前に予めウェハの周縁部を削る、いわゆるエッジトリムが行われている。

通常、これらエッジトリム、裏面研削処理及びエッチング処理は、ウェハ処理装置の内部に設けられた吸着テーブル（例えば真空チャック等）上にウェハを載置した状態で行われる。当該吸着テーブルに対してウェハの搬入をするにあたっては、ウェハの上面を吸着保持して搬送するウェハ搬送機構により吸着テーブルの上方までウェハが搬送され、その後当該ウェハが吸着テーブル上に載置される。また、ウェハの搬出をするにあたっては、同様にウェハの上面を吸着保持して搬送するウェハ搬送機構を吸着テーブルに保持されたウェハの上方へと移動させ、その後当該ウェハを吸着保持して搬出する。

しかしながら、例えば前記裏面研削を行う裏面研削装置と、前記エッチングを行うエッチング装置とを一体のシステムとして構成する場合、吸着テーブルに対して異なるウェハ保持形式を有するウェハ搬送機構により搬入、搬出をそれぞれ行うことが必要となる。すなわち、例えばウェハ処理装置に対してウェハを搬入する際には当該ウェハは下面が保持され、搬出する際には当該ウェハは上面が保持される必要がある場合がある。かかる場合、上述の吸着テーブルに対してウェハを適切に搬入出することができない。すなわち、上述のようにウェハの上面を保持して搬送を行うウェハ搬送機構であれば、吸着テーブルに対して適切にウェハの搬入出を行うことができるところ、ウェハの下面を保持して搬送するウェハ搬送機構によっては、吸着テーブルに対して適切にウェハの搬入出を行うことができない。

本開示にかかる技術は、ウェハ搬送機構の基板保持形式よらず適切にウェハ処理装置が備える吸着テーブルに対してウェハの搬入出を行う。以下、本実施形態にかかる基板処理装置としての改質装置を備えたウェハ処理システム、及び基板処理方法としてのウェハ処理方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

先ず、本実施形態にかかるウェハ処理システムの構成について説明する。図１は、ウェハ処理システム１の構成の概略を模式的に示す平面図である。

ウェハ処理システム１では、図２及び図３に示すように被処理ウェハＷと支持ウェハＳとが接合された、重合ウェハＴに対して所定の処理を行う。そしてウェハ処理システム１では、被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅを除去し、さらに当該被処理ウェハＷを薄化する。以下、被処理ウェハＷにおいて、支持ウェハＳに接合された面を表面Ｗａといい、表面Ｗａと反対側の面を裏面Ｗｂという。同様に、支持ウェハＳにおいて、被処理ウェハＷに接合された面を表面Ｓａといい、表面Ｓａと反対側の面を裏面Ｓｂという。

被処理ウェハＷは、例えばシリコンウェハなどの半導体ウェハであって、表面Ｗａに複数のデバイスを含むデバイス層（図示せず）が形成されている。また、デバイス層にはさらに酸化膜Ｆ、例えばＳｉＯ_２膜（ＴＥＯＳ膜）が形成されている。なお、被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅは面取り加工がされており、周縁部Ｗｅの断面はその先端に向かって厚みが小さくなっている。

なお、図２においては、図示の煩雑さを回避するため、酸化膜Ｆの図示を省略している。また、以下の説明で用いられる他の図面においても同様に、酸化膜Ｆの図示を省略する場合がある。

支持ウェハＳは、被処理ウェハＷを支持するウェハであって、例えばシリコンウェハである。支持ウェハＳの表面Ｓａには酸化膜（図示せず）が形成されている。また、支持ウェハＳは、被処理ウェハＷの表面Ｗａのデバイスを保護する保護材として機能する。なお、支持ウェハＳの表面Ｓａの複数のデバイスが形成されている場合には、被処理ウェハＷと同様に表面Ｓａにデバイス層（図示せず）が形成される。

ここで、被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅにおいて、被処理ウェハＷと支持ウェハＳが接合されていると、周縁部Ｗｅを適切に除去できないおそれがある。そこで、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの界面には、酸化膜Ｆと支持ウェハＳの表面Ｓａが接合された接合領域Ａａと、接合領域Ａａの径方向外側の領域である未接合領域Ａｂとを形成する。このように未接合領域Ａｂが存在することで、周縁部Ｗｅを適切に除去できる。

図１に示すようにウェハ処理システム１は、搬入出ステーション２と処理ステーション３を一体に接続した構成を有している。搬入出ステーション２は、例えば外部との間で複数の重合ウェハＴを収容可能なカセットＣｔが搬入出される。処理ステーション３は、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えている。

搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。図示の例では、カセット載置台１０には、複数、例えば３つのカセットＣｔをＹ軸方向に一列に載置自在になっている。なお、カセット載置台１０に載置されるカセットＣｔの個数は、本実施形態に限定されず、任意に決定することができる。

搬入出ステーション２には、カセット載置台１０のＸ軸負方向側において、当該カセット載置台１０に隣接してウェハ搬送装置２０が設けられている。ウェハ搬送装置２０は、Ｙ軸方向に延伸する搬送路２１上を移動自在に構成されている。また、ウェハ搬送装置２０は、重合ウェハＴを保持して搬送する、例えば２つの搬送アーム２２、２２を有している。各搬送アーム２２は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム２２の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。そして、ウェハ搬送装置２０は、カセット載置台１０のカセットＣｔ、及び後述するトランジション装置３０に対して、重合ウェハＴを搬送可能に構成されている。

搬入出ステーション２には、ウェハ搬送装置２０のＸ軸負方向側において、当該ウェハ搬送装置２０に隣接して、重合ウェハＴを受け渡すためのトランジション装置３０が設けられている。

処理ステーション３には、例えば３つの処理ブロックＧ１～Ｇ３が設けられている。第１の処理ブロックＧ１、第２の処理ブロックＧ２、及び第３の処理ブロックＧ３は、Ｘ軸正方向側（搬入出ステーション２側）から負方向側にこの順で並べて配置されている。

第１の処理ブロックＧ１には、エッチング装置４０、洗浄装置４１、及び第１の搬送機構としてのウェハ搬送機構５０が設けられている。エッチング装置４０と洗浄装置４１は、積層して配置されている。なお、エッチング装置４０と洗浄装置４１の数や配置はこれに限定されない。例えば、エッチング装置４０と洗浄装置４１はそれぞれＸ軸方向に延伸し、平面視において並列に並べて載置されていてもよい。さらに、これらエッチング装置４０と洗浄装置４１はそれぞれ、積層されていてもよい。

エッチング装置４０は、後述する加工装置８０で研削された被処理ウェハＷの裏面Ｗｂをエッチング処理する。例えば、裏面Ｗｂに対して薬液（エッチング液）を供給し、当該裏面Ｗｂをウェットエッチングする。薬液には、例えばＨＦ、ＨＮＯ_３、Ｈ_３ＰＯ_４、ＴＭＡＨ、Ｃｈｏｌｉｎｅ、ＫＯＨなどが用いられる。なお、洗浄装置４１による裏面Ｗｂの洗浄が十分であれば、エッチング装置４０は省略してもよい。

洗浄装置４１は、後述する加工装置８０で研削された被処理ウェハＷの裏面Ｗｂを洗浄する。例えば裏面Ｗｂにブラシを当接させて、当該裏面Ｗｂをスクラブ洗浄する。なお、裏面Ｗｂの洗浄には、加圧された洗浄液を用いてもよい。また、洗浄装置４１は、被処理ウェハＷの裏面Ｗｂと共に、支持ウェハＳの裏面Ｓｂを洗浄する構成を有していてもよい。

ウェハ搬送機構５０は、例えばエッチング装置４０と洗浄装置４１に対してＹ軸負方向側に配置されている。ウェハ搬送機構５０は、重合ウェハＴの下面を保持して搬送する搬送アーム５１を有している。搬送アーム５１は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム５１の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。そして、ウェハ搬送機構５０は、トランジション装置３０、エッチング装置４０、洗浄装置４１、及び後述する改質装置６０に対して、重合ウェハＴを搬送可能に構成されている。

第２の処理ブロックＧ２には、改質装置６０、周縁除去装置６１、及び第２の搬送機構としてのウェハ搬送機構７０が設けられている。改質装置６０と周縁除去装置６１は、積層して配置されている。なお、改質装置６０と周縁除去装置６１の数や配置はこれに限定されない。

改質装置６０は、被処理ウェハＷの内部にレーザ光を照射し、周縁改質層Ｍ１及び分割改質層Ｍ２を形成する。改質装置６０の具体的な構成は後述する。

周縁除去装置６１は、改質装置６０で形成された周縁改質層Ｍ１を基点に、被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅを除去する。周縁除去装置６１の構成は任意であるが、例えば拡張可能なテープ（図示せず）を有している。そして、テープを被処理ウェハＷの裏面Ｗｂに貼り付けた後、当該テープを被処理ウェハＷの径方向に拡張（エキスパンド）させることで、周縁改質層Ｍ１を基点に、被処理ウェハＷから周縁部Ｗｅを分離する。

なお、周縁除去装置６１において周縁部Ｗｅを除去する方法は、本実施形態に限定されない。例えば、周縁部Ｗｅに対してエアブローやウォータジェットを噴射し、当該周縁部Ｗｅを打圧して除去してもよい。あるいは、例えばピンセットのような治具を周縁部Ｗｅに接触させ、当該周縁部Ｗｅを物理的に除去してもよい。

ウェハ搬送機構７０は、例えば改質装置６０と周縁除去装置６１に対してＹ軸正方向側に配置されている。ウェハ搬送機構７０は、重合ウェハＴの上面を吸着保持して搬送する搬送アーム７１を有している。搬送アーム７１は、多関節のアーム部材７２に支持され、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム７１の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。そして、ウェハ搬送機構７０は、洗浄装置４１、改質装置６０、周縁除去装置６１、及び後述する加工装置８０に対して、重合ウェハＴを搬送可能に構成されている。

第３の処理ブロックＧ３には、加工装置８０が設けられている。なお、加工装置８０の数や配置は本実施形態に限定されず、複数の加工装置８０が任意に配置されていてもよい。

加工装置８０は、被処理ウェハＷの裏面Ｗｂを研削する。加工装置８０は、回転テーブル９０、粗研削ユニット１００、中研削ユニット１１０、及び仕上研削ユニット１２０を有している。

回転テーブル９０は、回転機構（図示せず）によって、鉛直な回転中心線９１を中心に回転自在に構成されている。回転テーブル９０上には、重合ウェハＴを吸着保持するチャック９２が４つ設けられている。チャック９２は、回転テーブル９０と同一円周上に均等、すなわち９０度毎に配置されている。４つのチャック９２は、回転テーブル９０が回転することにより、受渡位置Ｃ０及び加工位置Ｃ１～Ｃ３に移動可能になっている。また、４つのチャック９２はそれぞれ、回転機構（図示せず）によって鉛直軸回りに回転可能に構成されている。

本実施形態では、受渡位置Ｃ０は回転テーブル９０のＸ軸正方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、重合ウェハＴの受け渡しが行われる。第１の加工位置Ｃ１は回転テーブル９０のＸ軸負方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、粗研削ユニット１００が配置される。第２の加工位置Ｃ２は回転テーブル９０のＸ軸負方向側且つＹ軸負方向側の位置であり、中研削ユニット１１０が配置される。第３の加工位置Ｃ３は回転テーブル９０のＸ軸正方向側且つＹ軸負方向側の位置であり、仕上研削ユニット１２０が配置される。

粗研削ユニット１００では、被処理ウェハＷの裏面Ｗｂを粗研削する。粗研削ユニット１００は、環状形状で回転自在な粗研削砥石（図示せず）を備えた粗研削部１０１を有している。また、粗研削部１０１は、支柱１０２に沿って鉛直方向に移動可能に構成されている。そして、チャック９２に保持された被処理ウェハＷの裏面Ｗｂを粗研削砥石に当接させた状態で、チャック９２と粗研削砥石をそれぞれ回転させ、裏面Ｗｂを粗研削する。

中研削ユニット１１０では、被処理ウェハＷの裏面Ｗｂを中研削する。中研削ユニット１１０は、環状形状で回転自在な中研削砥石（図示せず）を備えた中研削部１１１を有している。また、中研削部１１１は、支柱１１２に沿って鉛直方向に移動可能に構成されている。なお、中研削砥石の砥粒の粒度は、粗研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック９２に保持された被処理ウェハＷの裏面Ｗｂを中研削砥石に当接させた状態で、チャック９２と中研削砥石をそれぞれ回転させ、裏面Ｗｂを中研削する。

仕上研削ユニット１２０では、被処理ウェハＷの裏面Ｗｂを仕上研削する。仕上研削ユニット１２０は、環状形状で回転自在な仕上研削砥石（図示せず）を備えた仕上研削部１２１を有している。また、仕上研削部１２１は、支柱１２２に沿って鉛直方向に移動可能に構成されている。なお、仕上研削砥石の砥粒の粒度は、中研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック９２に保持された被処理ウェハＷの裏面Ｗｂを仕上研削砥石に当接させた状態で、チャック９２と仕上研削砥石をそれぞれ回転させ、裏面Ｗｂを仕上研削する。

以上のウェハ処理システム１には、制御装置１３０が設けられている。制御装置１３０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理システム１における重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、ウェハ処理システム１における後述の基板処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御装置１３０にインストールされたものであってもよい。

次に、以上のように構成されたウェハ処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。図４は、ウェハ処理の主な工程を示すフロー図である。図５は、ウェハ処理の主な工程の説明図である。なお、本実施形態では、ウェハ処理システム１の外部の接合装置（図示せず）において、被処理ウェハＷと支持ウェハＳが接合され、予め重合ウェハＴが形成されている。

先ず、図５（ａ）に示す重合ウェハＴを複数収納したカセットＣｔが、搬入出ステーション２のカセット載置台１０に載置される。

次に、ウェハ搬送装置２０によりカセットＣｔ内の重合ウェハＴが取り出され、トランジション装置３０に搬送される。続けて、ウェハ搬送機構５０により、トランジション装置３０の重合ウェハＴの下面が保持されて取り出され、改質装置６０に搬送される。改質装置６０では、図５（ｂ）に示すように被処理ウェハＷの内部に周縁改質層Ｍ１及び分割改質層Ｍ２が形成される（図４のステップＡ１）。なお、被処理ウェハＷの内部には、周縁改質層Ｍ１及び分割改質層Ｍ２からそれぞれクラックＣｒ１、クラックＣｒ２が進展し、表面Ｗａと裏面Ｗｂに到達している。また、周縁改質層Ｍ１及び分割改質層Ｍ２は厚み方向に複数形成されていてもよい。

図６は、平面視において形成された周縁改質層Ｍ１及び分割改質層Ｍ２の様子を模式的に示す説明図である。具体的に改質装置６０では、先ず、被処理ウェハＷ（重合ウェハＴ）を回転させながら、レーザヘッドからレーザ光を照射して、被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅと中央部Ｗｃの境界に周縁改質層Ｍ１を形成する。その後、レーザヘッドを移動させて、被処理ウェハＷの内部であって、周縁改質層Ｍ１の径方向外側に分割改質層Ｍ２を形成する。このように周縁改質層Ｍ１及び分割改質層Ｍ２が形成されることにより、後の工程において周縁部Ｗｅを除去する際、当該周縁部Ｗｅは、環状の周縁改質層Ｍ１を基点に分離しつつ、分割改質層Ｍ２によって周縁部Ｗｅが小片化されるため、より容易に周縁部Ｗｅを除去することができる。

次に、改質層が形成された重合ウェハＴは、ウェハ搬送機構７０により上面が保持されて周縁除去装置６１に搬送される。周縁除去装置６１では、図５（ｃ）に示すように周縁改質層Ｍ１を基点に、被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅを除去する（図４のステップＡ２）。

次に、重合ウェハＴはウェハ搬送機構７０により上面が保持されて加工装置８０に搬送される。加工装置８０に搬送された重合ウェハＴは、受渡位置Ｃ０のチャック９２に受け渡される。続いて、チャック９２を第１の加工位置Ｃ１に移動させる。そして、粗研削ユニット１００によって、図５（ｄ）に示すように被処理ウェハＷの裏面Ｗｂを粗研削する（図４のステップＡ３）。

次に、チャック９２を第２の加工位置Ｃ２に移動させる。そして、中研削ユニット１１０によって、被処理ウェハＷの裏面Ｗｂが中研削される（図４のステップＡ４）。

次に、チャック９２を第３の加工位置Ｃ３に移動させる。そして、仕上研削ユニット１２０によって、被処理ウェハＷの裏面Ｗｂが仕上研削される（図４のステップＡ５）。

次に、チャック９２を受渡位置Ｃ０に移動させる。なお、受渡位置Ｃ０では、洗浄液ノズル（図示せず）を用いて、被処理ウェハＷの裏面Ｗｂが洗浄液によって洗浄されてもよい。

次に、重合ウェハＴはウェハ搬送機構７０により上面が保持されて洗浄装置４１に搬送される。洗浄装置４１では被処理ウェハＷの研削面である裏面Ｗｂがスクラブ洗浄される（図４のステップＡ６）。なお、洗浄装置４１では、被処理ウェハＷの裏面Ｗｂと共に、支持ウェハＳの裏面Ｓｂが洗浄されてもよい。

次に、重合ウェハＴはウェハ搬送機構５０により下面が保持されてエッチング装置４０に搬送される。エッチング装置４０では被処理ウェハＷの裏面Ｗｂが薬液によりウェットエッチングされる（図４のステップＡ７）。上述した加工装置８０で研削された裏面Ｗｂには、研削痕が形成される場合がある。本ステップＡ７では、ウェットエッチングすることによって研削痕を除去でき、裏面Ｗｂを平滑化することができる。

その後、すべての処理が施された重合ウェハＴは、ウェハ搬送機構５０により下面が保持されてトランジション装置３０に搬送され、さらにウェハ搬送装置２０によりカセット載置台１０のカセットＣｔに搬送される。こうして、ウェハ処理システム１における一連のウェハ処理が終了する。

なお、以上のように重合ウェハＴは、改質装置６０に搬入される際にはウェハ搬送機構５０により下面が保持され、改質装置６０から搬出される際にはウェハ搬送機構７０により上面が保持される。すなわち重合ウェハＴは、保持形式の異なる２つのウェハ搬送機構５０及び７０により、改質装置６０に対してそれぞれ搬入出される。

＜第１の実施形態＞
次に、上述した改質装置６０の第１の実施形態について説明する。図７は、改質装置６０の構成の概略を示す平面図である。また、図８は改質装置６０の基板処理部としての改質処理領域６０ａの構成の概略を示す側面図、図９は改質装置６０の搬入出領域６０ｂの構成の概略を示す側面図である。

改質装置６０は、図７に示すように、被処理ウェハＷに対して改質を行うための改質処理領域６０ａと、改質装置６０に対して重合ウェハＴの搬入出を行い、また当該重合ウェハＴを一時的に保持するための搬入出領域６０ｂを有している。

改質装置６０は、重合ウェハＴを上面で吸着保持する、例えば真空チャックや静電チャック等から成る基板保持部としての吸着テーブル２００を有している。吸着テーブル２００は、エアベアリング２０１を介して、スライダテーブル２０２に支持されている。スライダテーブル２０２の下面側には、回転部２０３が設けられている。回転部２０３は、駆動源として例えばモータを内蔵している。吸着テーブル２００は、回転部２０３によってエアベアリング２０１を介して、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。スライダテーブル２０２は、その下面側に設けられた水平移動部２０４によって、基台２０６に設けられＹ軸方向に延伸するレール２０５に沿って、改質処理領域６０ａと搬入出領域６０ｂとの間で移動可能に構成されている。なお、水平移動部２０４の駆動源は特に限定されるものではないが、例えばリニアモータが用いられる。

図８に示すように、改質処理領域６０ａにおける吸着テーブル２００の上方には、基板改質部としてのレーザヘッド２１０が設けられている。レーザヘッド２１０は、レンズ２１１を有している。レンズ２１１は、レーザヘッド２１０の下面に設けられた筒状の部材であり、吸着テーブル２００に保持された被処理ウェハＷにレーザ光を照射する。

レーザヘッド２１０は、レーザ光発振器（図示せず）から発振された高周波のパルス状のレーザ光であって、被処理ウェハＷに対して透過性を有する波長のレーザ光を、被処理ウェハＷの内部の所定位置に集光して照射する。これによって、被処理ウェハＷの内部においてレーザ光が集光した部分が改質し、上述した周縁改質層Ｍ１が形成される。

レーザヘッド２１０は、支持部材２１２を介して、昇降部２２０によって鉛直方向に昇降自在に構成されている。昇降部２２０は、鉛直方向に延伸するレール２２１と、レール２２１に沿って支持部材２１２（レーザヘッド２１０）を昇降させる駆動部２２２とを有している。なお、昇降部２２０は支持柱２２３に支持されている。

吸着テーブル２００の上方であって、レーザヘッド２１０のＹ軸正方向側には、マクロカメラ２３０と、マイクロカメラ２４０とが設けられている。例えば、マクロカメラ２３０とマイクロカメラ２４０は一体に構成され、マクロカメラ２３０はマイクロカメラ２４０のＹ軸正方向側に配置されている。マクロカメラ２３０とマイクロカメラ２４０は、昇降部２５０によって昇降自在に構成され、さらに駆動部２５１によってＹ軸方向に移動自在に構成されている。

マクロカメラ２３０は、被処理ウェハＷ（重合ウェハＴ）の外側端部を検出する。マクロカメラ２３０は、例えば同軸レンズ２３１を備え、可視光、例えば赤色光を照射し、さらに対象物からの反射光を受光する。可視光は、被処理ウェハＷの裏面Ｗｂでは反射するが、吸着テーブル２００では吸収される。このため、マクロカメラ２３０で検出される画像では、被処理ウェハＷは白く映り、吸着テーブル２００は黒く映る。なお例えば、マクロカメラ２３０の検出倍率は２倍である。

マクロカメラ２３０で検出された画像は、制御装置１３０に出力される。制御装置１３０では、マクロカメラ２３０で検出された画像から、吸着テーブル２００の中心と被処理ウェハＷの中心の第１の偏心量を算出する。

マイクロカメラ２４０は、被処理ウェハＷの周縁部を検出し、接合領域Ａａと未接合領域Ａｂの境界を検出する。マイクロカメラ２４０は、例えば同軸レンズ２４１を備え、赤外光（ＩＲ光）を照射し、さらに対象物からの反射光を受光する。なお例えば、マイクロカメラ２４０の検出倍率は１０倍であり、視野はマクロカメラ２３０に対して約１／５であり、ピクセルサイズはマクロカメラ２３０に対して約１／５である。

マイクロカメラ２４０で検出された画像は、制御装置１３０に出力される。制御装置１３０では、マイクロカメラ２４０で検出された画像から、吸着テーブル２００の中心と接合領域Ａａの中心の第２の偏心量を算出する。

なお、以上の説明においてはレーザヘッド２１０を昇降させる昇降部２２０と、マクロカメラ２３０とマイクロカメラ２４０を昇降させる昇降部２５０とは独立して設けられたが、これら昇降部はそれぞれ共有されていてもよい。すなわち、レーザヘッド２１０、マクロカメラ２３０及びマイクロカメラ２４０は同一の支持部材を介して昇降部に接続され、一体に昇降されるように構成されていてもよい。

図９に示すように、搬入出領域６０ｂにおける吸着テーブル２００の上方には、基板受渡部としてのウェハ受渡部３００が設けられている。

ウェハ受渡部３００は、支持部材３０１を介して、昇降部３０２及び駆動部３０３に接続されている。また、駆動部３０３は支持柱２２３に支持されている。ウェハ受渡部３００は、昇降部３０２により昇降自在に構成され、さらに駆動部３０３によってＹ軸方向に移動自在に構成されている。

また、ウェハ受渡部３００は、改質装置６０に搬入出される重合ウェハＴの上面を吸着保持するための複数の吸着部としての真空吸着ライン（図示せず）に接続されたパッド３１０を備えたウェハ保持部３１１を有している。ウェハ保持部３１１は例えばエアシリンダなどの昇降機構３１２に接続され、パッド３１０に吸着保持された重合ウェハＴを鉛直方向に昇降自在に構成されている。なお、昇降機構３１２は支持部材３０１に接続されている。

なお、ウェハ受渡部３００が接続される昇降部３０２についても、前述のようにレーザヘッド２１０、マクロカメラ２３０及びマイクロカメラ２４０と同一の昇降部に接続し、一体に昇降できるように構成してもよい。

次に、以上のように構成された改質装置６０における重合ウェハＴの搬入出方法、及び被処理ウェハＷの改質方法について説明する。図１０は、改質装置におけるウェハ処理の主な工程を示すフロー図である。また、図１１～図１４は改質装置におけるウェハ処理の主な工程の説明図である。なお、図１１～図１４においては、図示の煩雑さを回避するため、重合ウェハＴを１枚で、すなわち、被処理ウェハＷ及び支持ウェハＳを併せて１枚で図示する。

改質装置６０への重合ウェハＴの搬入にあたっては、先ず、図１１（ａ）に示すように吸着テーブル２００（スライダテーブル２０２）を搬入出領域６０ｂの搬入出位置Ｐ１に移動させる。そして、吸着テーブル２００が搬入出位置Ｐ１に移動すると、重合ウェハＴの下面を保持したウェハ搬送機構５０が改質装置６０の内部へと進入し、ウェハ保持部３１１の下方（吸着テーブル２００の上方）へと移動する（図１０のステップＢ１）。

ウェハ搬送機構５０がウェハ保持部３１１の下方に移動すると、昇降機構３１２によりウェハ保持部３１１が降下し、図１１（ｂ）に示すように、パッド３１０がウェハ搬送機構５０に保持された重合ウェハＴの上面に当接され、吸着保持される。そしてその後、かかる状態で昇降機構３１２によりウェハ保持部３１１を上昇させることにより、ウェハ保持部３１１のパッド３１０に吸着保持された重合ウェハＴが持ち上げられる（図１０のステップＢ２）。なおかかる際、ウェハ保持部３１１を降下させる代わりに、ウェハ搬送機構５０を上昇させることにより重合ウェハＴをパッド３１０に当接させてもよい。

ウェハ保持部３１１により重合ウェハＴが持ち上げられると、ウェハ搬送機構５０が改質装置６０の内部から退出する。その後、図１２（ｃ）に示すように、昇降機構３１２によりウェハ保持部３１１が降下して重合ウェハＴが吸着テーブル２００上に載置され、パッド３１０による吸着保持が解除される（図１０のステップＢ３）。

重合ウェハＴが吸着テーブル２００上に載置されると、次に、図１２（ｄ）に示すように吸着テーブル２００をマクロアライメント位置Ｐ２に移動させる。マクロアライメント位置Ｐ２は、マクロカメラ２３０が被処理ウェハＷの外側端部を検出できる位置である。なお、かかる際、マクロカメラ２３０の高さの調節も行われ、同軸レンズ２３１の端部と被処理ウェハＷの界面までの距離ｔ１は、例えば３０ｍｍに調節される。

次に、マクロカメラ２３０によって被処理ウェハＷの外側端部を検出する（図１０のステップＢ４）。このステップＢ４において、吸着テーブル２００は、Ｙ軸方向に移動せず固定される。一方、吸着テーブル２００は、回転部２０３によって回転させる。これにより、マクロカメラ２３０によって、被処理ウェハＷの周方向３６０度における外側端部の画像が検出される。検出された画像は、マクロカメラ２３０から制御装置１３０に出力され、これにより吸着テーブル２００の中心と被処理ウェハＷの中心の偏心量が算出される。

重合ウェハＴのマクロアライメントが完了すると、図１３（ｅ）に示すように算出された偏心量に基づいて吸着テーブル２００が、マイクロアライメント位置Ｐ３まで移動する。なお、かかる際、マクロカメラ２３０の高さの調節も行われ、同軸レンズ２４１の端部と被処理ウェハＷの界面までの距離ｔ２は、例えば３０ｍｍに調節される。

次に、マイクロカメラ２４０によって被処理ウェハＷの周方向３６０度における、接合領域Ａａと未接合領域Ａｂの境界を検出する（図１０のステップＢ５）。検出された画像は、マイクロカメラ２４０から制御装置１３０に出力され、これにより吸着テーブル２００の中心と被処理ウェハＷの中心の偏心量が算出され、これにより吸着テーブル２００の中心と接合領域Ａａの中心の偏心量が算出される。そして、この偏心量に基づいて吸着テーブル２００の位置が決定される。

次に、図１３（ｆ）に示すように吸着テーブル２００を、改質位置Ｐ４に移動させ、レーザヘッド２１０から被処理ウェハＷにレーザ光を照射して、周縁改質層Ｍ１及び分割改質層Ｍ２を形成する（図１０のステップＢ６）。

なお、本実施形態では、改質位置Ｐ４はマイクロアライメント位置Ｐ３と同じであり、ステップＢ６では吸着テーブル２００は実質的に移動しない。すなわち、この位置では吸着テーブル２００に保持された被処理ウェハＷに対して、マイクロカメラ２４０はＹ軸正方向側に配置され、レーザヘッド２１０のレンズ２１１はＹ軸負方向側に配置される。かかる場合、ステップＢ６では、レーザヘッド２１０によって周縁改質層Ｍ１を形成すると共に、マイクロカメラ２４０によって周縁改質層Ｍ１を検出する。検出された画像は制御装置１３０に出力され、制御装置１３０において周縁改質層Ｍ１が適切な位置に形成されているかを検査する。このように周縁改質層Ｍ１の形成と検査を並行して行うことで、作業効率を向上させることができる。また、検査の結果、周縁改質層Ｍ１が所定の位置からずれている場合には、吸着テーブル２００の移動を微調整することも可能となる。

なお、例えばマイクロアライメント位置Ｐ３と改質位置Ｐ４が異なる場合において、周縁改質層Ｍ１の形成と検査を並行して行う場合には、マイクロカメラ２４０をＹ軸方向に所定の位置に移動させればよい。また、エッジトリムの幅が変わる場合、すなわち周縁部Ｗｅの幅が変わる場合にも、マイクロカメラ２４０をＹ軸方向に移動させればよい。さらに、周縁改質層Ｍ１の形成される高さが変わる場合には、マイクロカメラ２４０の焦点が周縁改質層Ｍ１に合致するように、マイクロカメラ２４０の高さを調節すればよい。

被処理ウェハＷに周縁改質層Ｍ１が形成されると、図１４（ｇ）に示すように吸着テーブル２００を搬入出位置Ｐ１に移動させる（図１０のステップＢ７）。そして、吸着テーブル２００を搬入出位置Ｐ１に移動されると、改質装置６０の内部にウェハ搬送機構７０が進入し、吸着テーブル２００に保持された重合ウェハＴの上方に移動する。その後、ウェハ搬送機構７０が下降することで吸着テーブル２００に保持された重合ウェハＴの上面に接触し、当該接触した重合ウェハＴの上面がウェハ搬送機構７０に吸着保持される（図１０のステップＢ８）。

そして、重合ウェハＴがウェハ搬送機構７０に保持されると、吸着テーブル２００による吸着が解除され、その後、ウェハ搬送機構７０が上昇して改質装置６０から退出し、重合ウェハＴが改質装置から搬出される（図１０のステップＢ９）。こうして、改質装置６０における一連のウェハ処理が終了する。なお、ステップＢ９では、次に改質処理される重合ウェハＴが搬入される。

以上の実施形態によれば、改質装置６０に対して重合ウェハＴの搬入を行うウェハ搬送機構５０が、重合ウェハＴの下面を保持している場合であっても、ウェハ受渡部３００のウェハ保持部３１１が重合ウェハＴの全面を吸着保持することができ、吸着テーブル２００への搬送を行うことができる。すなわち、改質装置６０に対して重合ウェハＴの搬入を行うウェハ搬送機構５０が、重合ウェハＴを下面保持する場合であっても、適切に重合ウェハＴの搬入出を行うことができる。

なお、本実施形態によれば、改質装置から重合ウェハＴｗを搬出するウェハ搬送機構７０が、重合ウェハＴの下面を保持する場合であっても、適切に重合ウェハＴの搬出を行うことができる。

すなわち、重合ウェハＴの搬出にあたって、先ず、吸着テーブル２００上に載置された重合ウェハＴがウェハ保持部３１１により保持され、上方に持ち上げられる。その後、改質装置６０の内部に進入したウェハ搬送機構７０がウェハ保持部３１１の下方に移動した後、昇降機構３１２を降下させることで、重合ウェハＴをウェハ搬送機構７０へと受け渡すことができる。

また、当然にウェハ搬送機構５０は上述のように重合ウェハＴの下面保持する場合に限られず、上面保持する場合であっても適切に重合ウェハＴの搬出を行うことができる。

なお、以上の実施形態においては、ウェハ搬送機構５０により改質装置６０に搬入された重合ウェハＴを、ウェハ搬送機構７０により改質装置６０から搬出し、次の工程、すなわち周縁除去装置６１へと搬送したが、重合ウェハＴの搬送方法はこれに限られない。例えば、重合ウェハＴに洗浄、エッチング及び改質処理のみを行い、周縁除去を行う必要が無い場合、ウェハ搬送機構７０に代わり、ウェハ搬送機構５０により重合ウェハＴを改質装置６０から搬出し、当該重合ウェハＴをカセットＣｔに戻してもよい。また更に、ウェハ搬送機構７０に代わり、ウェハ搬送機構５０により重合ウェハＴを周縁除去装置６１へと搬送してもよい。すなわち、ウェハ搬送機構５０を第２の搬送機構として機能させてもよい。

このように、本実施形態によれば、改質装置６０に対して重合ウェハＴの搬入出を行うウェハ搬送機構５０及びウェハ搬送機構７０のウェハ保持形式の組み合わせに依らず、適切に重合ウェハＴの搬入出を行うことができる。

なお、以上の実施形態において説明したウェハ受渡部３００は、特にウェハ搬送機構５０が重合ウェハＴを下面保持、ウェハ搬送機構７０が重合ウェハＴを上面保持する場合にあっては、重合ウェハＴを一時的に改質装置６０の内部において保持、保管するためのバッファ機構として機能させることもできる。すなわち、図１５に示すように、ウェハ保持部３１１から吸着テーブル２００上に重合ウェハＴの受け渡しを行った後、当該重合ウェハＴが改質装置６０から搬出されるよりも前に、次の重合ウェハＴを改質装置６０の内部に搬入し、ウェハ保持部３１１に保持した状態で待機することができる。かかる際、ウェハ搬送機構５０が重合ウェハＴを下面保持することにより、先に搬入された重合ウェハＴの位置によらず次の重合ウェハＴをウェハ保持部３１１に受け渡すことができる。また、ウェハ搬送機構７０が重合ウェハＴを上面保持することにより、ウェハ保持部３１１を介さずに改質済みの先の重合ウェハＴを吸着テーブル上から受け取ることができ、改質装置６０から搬出することができる。そして、先の重合ウェハＴが搬出された後、迅速に待機していた次の重合ウェハＴを吸着テーブル２００へと受け渡すことができる。

このように重合ウェハＴの搬入出を連続的に行うように制御を行うことにより、ウェハ処理、特に重合ウェハＴの搬入出を適切行うことができる。

また、このようにウェハ受渡部３００をバッファ機構として機能させた場合、改質装置６０による改質処理以降の工程において、例えばトラブルによりウェハの搬送が停止した場合、当該改質装置６０内に重合ウェハＴを仮置きすることができる。これにより、改質装置６０よりも以前のプロセスは中断することなく継続して行うことができる。すなわち、ウェハ処理における歩留まりを改善することができる。

＜第２の実施形態＞
なお、上記実施形態においてウェハ受渡部３００は、改質装置６０の受け渡し領域の上方に設けられ、重合ウェハＴを上方から保持するように構成されたが、ウェハ受渡部３００の構成はこれに限定されるものではない。

図１６（ａ）は、第２の実施形態にかかるウェハ受渡部４００の構成の概略を模式的に示す平面図である。また、図１６（ｂ）は第２の実施形態にかかるウェハ受渡部４００の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。

図１６に示すようにウェハ受渡部４００は、吸着テーブル２００に載置される重合ウェハＴの中心を下方から支持して昇降させるための複数の吸引部としてのパッド４０１を備えるウェハ保持部４０２と、パッド４０１と真空ライン４０３を介して接続される例えば真空ポンプなどの吸引機構４０４と、ウェハ保持部４０２を昇降自在な昇降機構４０５とを有している。ウェハ保持部４０２の頂部は、吸着テーブル２００を貫通して昇降機構４０５により吸着テーブル２００の上面から上方に突出自在に構成され、ウェハ搬送機構５０との間で重合ウェハＴの受け渡しが可能になっている。なお、ウェハ保持部４０２は、ウェハ搬送機構５０の搬送アーム５１と干渉しない位置に設けられている。

ウェハ受渡部４００に対する重合ウェハＴの搬入にあたっては、先ず、重合ウェハＴを上面に保持したウェハ搬送機構５０が改質装置６０の内部に進入し、吸着テーブル２００の上方へ移動する。

ウェハ搬送機構５０が改質装置６０の内部に進入すると、昇降機構４０５によりウェハ保持部４０２が上昇され、吸着テーブル２００の上面からウェハ保持部４０２が突出し、さらにウェハ搬送機構５０の重合ウェハＴの保持面よりも上方へと突出し、これにより重合ウェハＴがウェハ保持部４０２のパッド４０１上に受け渡される。

パッド４０１上に重合ウェハＴが受け渡されると、ウェハ搬送機構５０が改質装置６０から退出し、その後、昇降機構４０５によりウェハ保持部４０２が降下され、吸着テーブル２００上に重合ウェハＴが載置される。

また、重合ウェハＴの搬入にあたっては、吸着テーブル２００に保持された重合ウェハＴが、直接、改質装置６０の内部に進入したウェハ搬送機構７０によりその上面が吸着保持されることにより、改質装置６０から搬出することができる。すなわち、ウェハ保持部４０２の頂部は昇降機構４０５が降下位置にある場合において、吸着テーブル２００の上面よりも下方に位置するため、従来の通りウェハ受渡部４００を介さずにウェハ搬送機構７０により吸着テーブル２００上の重合ウェハＴの受け渡しを行うことができる。

以上の第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様に改質装置６０に対して重合ウェハＴの搬入出を行うウェハ搬送機構のウェハ保持形式よらず適切に重合ウェハＴの搬入出を行うことができる。

なお、本実施形態によれば、例えばウェハ搬送機構７０が重合ウェハＴの下面を保持する場合であっても適切に吸着テーブル２００との間で重合ウェハＴの受け渡しを行うことができる。

すなわち、重合ウェハＴの搬出を行うにあたっては、先ず、吸着テーブル２００上に載置された重合ウェハＴが、ウェハ保持部４０２の上昇により上昇される。その後、改質装置６０の内部に進入したウェハ搬送機構７０の搬送アーム７１が吸着テーブル２００とウェハ保持部４０２に保持された重合ウェハＴの下面との間に挿入される。そして、掛かる状態でウェハ保持部４０２が降下することにより重合ウェハＴがウェハ搬送機構７０へと受け渡され、その後、重合ウェハＴはウェハ搬送機構７０により改質装置６０から搬出される。

また、例えばウェハ搬送機構５０が重合ウェハＴの上面を保持する場合であっても適切に吸着テーブル２００との間で重合ウェハＴの受け渡しを行うことができる。このように、本実施形態においても、ウェハ搬送機構５０及びウェハ搬送機構７０のウェハ保持形式の組み合わせに依らず、適切に重合ウェハＴの搬入出を行うことができる。

＜第３の実施形態＞
なお、前述した第２の実施形態におけるウェハ受渡部４００は、第１の実施形態に示したウェハ受渡部３００と共に、改質装置６０内に設けられていてもよい。すなわち、改質装置６０には、図１７に示すように、ウェハ受渡部３００及び、ウェハ受渡部４００が設けられていてもよい。

かかる構成によれば、第１の実施形態及び第２の実施形態と同様に、重合ウェハＴの搬入出を行うウェハ搬送機構のウェハ保持形式よらず適切に重合ウェハＴの搬入出を行うことができる。

また更に、第１の実施形態によれば、前記バッファ機能による効果を享受するためには、ウェハ搬送機構５０が重合ウェハＴを下面保持、ウェハ搬送機構７０が重合ウェハＴを上面保持する必要があった。しかしながら、本実施形態によれば、ウェハ搬送機構７０が重合ウェハＴを下面保持する場合であっても、直接的に吸着テーブル２００から重合ウェハＴを受け取ることが可能である。すなわち、ウェハ搬送機構７０が重合ウェハＴを下面保持する場合であっても、適切に吸着テーブル２００との間で重合ウェハＴの受け渡しを行うことができるため、前記バッファ機能による効果を享受することができる。

なお、第２、第３の実施形態に示したウェハ受渡部４００のウェハ保持部４０２は、図１８に示すウェハ受渡部５００のように、複数、例えば３つの昇降ピンにより重合ウェハＴの下面を支持するように構成してもよい。

ウェハ受渡部５００は、昇降ピン５０１と、当該昇降ピン５０１を昇降させるための昇降機構５０２とを有している。昇降ピン５０１の頂部は、昇降機構５０２により上昇された状態においては、吸着テーブル２００を貫通して吸着テーブル２００の上面から突出するように構成されている。

かかる構成を有することにより、前記した第２の実施形態及び第３の実施形態と同様の効果を享受することができる。

なお、以上の第１～第３の実施形態において、ウェハ受け渡し装置により改質済みの重合ウェハＴを保持するにあたっては、重合ウェハＴの中心部近傍を支持することが望ましい。これは、図１０のステップＢ６に示した改質処理により重合ウェハＴの周縁部が改質され、当該改質された周縁部の強度が低下するため、かかる周縁部を保持することにより周縁部が剥離され、パーティクルや屑が発生することを防止するためである。

なお、以上の実施形態により構成されるウェハ受渡部、特に第１の実施形態のかかるウェハ受渡部３００は、スライダテーブル２０２の移動によりアライメント処理や改質処理に干渉しない位置に配置される。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

例えば、以上の説明においてはウェハ処理装置として基板改質装置（レーザー加工装置）によりウェハの内部に周縁改質層を形成する場合を例にして説明を行ったが、処理装置の内容はこれに限られるものではない。吸着テーブルによりウェハを保持する装置であれば本開示に係る効果を享受することができ、例えばレーザ加工によりウェハのダイシングを行うダイサーにおいても本開示内容を適用することができる。また、基板改質装置においてはウェハの周縁部に限られず、ウェハの全面、すなわちウェハの内部において面方向に延伸する改質層（内部面改質層）を形成する基板改質装置においても、本開示内容を適用することができる。なお、当該内部面改質層は、ウェハを分離して薄化する際の起点として作用する。また、基板改質部においては、除去対象としての被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅの除去が行われてもよい。

また例えば、以上の説明においてはウェハ搬送機構５０の搬送アーム５１、ウェハ搬送機構７０の搬送アーム７１がそれぞれ１つずつの配置されている場合を例に説明したが、それぞれの搬送アームは複数配置されていてもよい。

１ウェハ処理システム
５０ウェハ搬送機構
６０改質装置
７０ウェハ搬送機構
２００吸着テーブル
３００ウェハ受渡部
Ｓ支持ウェハ
Ｔ重合ウェハ
Ｗ被処理ウェハ
Ｗｅ周縁部

Claims

基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板処理装置に対して、第１の基板搬送機構により一の面が保持された前記基板が搬入され、第２の基板搬送機構により一の面または他の面が保持された前記基板が搬出され、
前記基板処理装置は、
前記基板を吸着保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板を処理する基板処理部と、
前記基板を搬入出する搬入出領域において前記基板処理装置に対して搬入出される前記基板を保持し、前記基板保持部との間で前記基板を受渡し可能な基板受渡部と、
前記基板保持部を前記基板処理部と前記搬入出領域との間で移動可能とする水平移動部と、を備え、
処理後の基板を前記基板受渡部で保持した状態で、前記第１の基板搬送機構が処理前の基板を前記基板保持部に受け渡し可能であり、
前記基板受渡部は、
前記基板処理装置に対する前記基板の搬入出が行われる際に前記基板保持部の上方に配置され、前記基板の上面を吸着保持する吸着部と、
前記吸着部を昇降自在な昇降機構と、
前記基板保持部を貫通して設けられ、前記基板の下面を支持する昇降ピンと、
前記昇降ピンを昇降自在な昇降機構と、を有し、
前記昇降ピンの頂部は、前記基板の受け渡し時において前記基板保持部の上面から突出する、基板処理装置。
前記第１の基板搬送機構は前記基板を下方から保持し、
前記第２の基板搬送機構は前記基板を下方から保持する、請求項１に記載の基板処理装置。
基板処理装置において基板を処理する基板処理方法であって、
第１の基板搬送機構により一の面が保持された前記基板を前記基板処理装置に搬入することと、
前記基板を基板保持部で保持することと、
前記基板保持部に保持された前記基板の処理を行うことと、
第２の基板搬送機構により一の面または他の面が保持された前記基板を前記基板処理装置から搬出することと、を含み、
前記基板保持部を、前記基板を搬入出する位置と前記基板の処理を行う位置との間で水平移動させ、
処理後の基板を基板受渡部により保持した状態で、前記第１の基板搬送機構により処理前の基板を前記基板保持部に受け渡し、
前記基板受渡部は、
前記基板処理装置に対する前記基板の搬入出が行われる際に前記基板保持部の上方に配置され、前記基板の上面を吸着保持する吸着部と、
前記吸着部を昇降自在な昇降機構と、
前記基板保持部を貫通して設けられ、前記基板の下面を支持する昇降ピンと、
前記昇降ピンを昇降自在な昇降機構と、を有し、前記昇降ピンの頂部は、前記基板の受け渡し時において前記基板保持部の上面から突出し、
前記基板処理装置に対する前記基板の搬入時または搬出時に、
前記吸着部で吸着保持された前記基板を昇降させて、前記基板保持部との間で受け渡す、あるいは、
前記昇降ピンの頂部を前記基板保持部の上面から突出させて、当該昇降ピンに支持された前記基板を前記基板保持部との間で受け渡す、基板処理方法。
前記第１の基板搬送機構で前記基板を下方から保持し、
前記第２の基板搬送機構で前記基板を下方から保持する、請求項３に記載の基板処理装置。