JP7287982B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
60 改質装置
100 チャック
104 移動機構
110 レーザヘッド
S 支持ウェハ
T 重合ウェハ
W 処理ウェハ
Claims (12)
- 基板を処理する基板処理装置であって、
目標厚みまで薄化される第1の基板と、第2の基板が接合された重合基板において前記第2の基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された前記第1の基板の内部に面方向に沿って内部面用レーザ光を照射して、前記第1の基板の全面における内部に面方向にクラックを伸展させる内部面改質層を形成する内部面改質部と、
前記保持部と前記内部面改質部を相対的に移動させる移動機構と、
前記内部面改質層を基点として前記第1の基板を分離する分離部と、
制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記内部面改質部において、前記移動機構によって前記内部面用レーザ光を前記第1の基板の内部において径方向外側から内側に移動させて、前記内部面改質層を形成する制御と、
前記分離部において、前記内部面改質層を基点として前記第1の基板を分離する制御と、を行い、
前記内部面改質層を形成する制御において、
前記内部面改質層の下端を、前記分離部による分離後、前記目標厚みまで薄化された後の前記第1の基板の表面よりも少なくとも上方に位置させる制御と、
当該内部面用レーザ光が前記第1の基板の内部の径方向外側に照射される場合の前記内部面改質部の移動速度を、内側に照射される場合の前記内部面改質部の移動速度と比較して遅くする制御と、を行う、基板処理装置。 - 前記保持部に保持された前記第1の基板の内部に、除去対象の周縁部と中央部との境界に沿って周縁用レーザ光を照射して周縁改質層を形成する周縁改質部を有し、
前記周縁改質部と前記内部面改質部は、共通のレーザヘッドを有し、
前記制御部は、
前記レーザヘッドにおいて、前記周縁用レーザ光と前記内部面用レーザ光を切り換える制御と、
前記周縁改質部において、前記周縁改質層から伸展するクラックを、前記第2の基板と接合される側の表面に到達させる制御と、を行う、請求項1に記載の基板処理装置。 - 基板を処理する基板処理装置であって、
目標厚みまで薄化される第1の基板と、第2の基板が接合された重合基板において前記第2の基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された前記第1の基板の内部に面方向に沿って内部面用レーザ光を照射して、前記第1の基板の全面における内部に面方向にクラックを伸展させる内部面改質層を形成する内部面改質部と、
前記保持部に保持された前記第1の基板の内部に、除去対象の周縁部と中央部との境界に沿って周縁用レーザ光を照射して周縁改質層を形成する周縁改質部と、
前記保持部と前記内部面改質部を相対的に移動させる移動機構と、
前記内部面改質層を基点として前記第1の基板を分離する分離部と、
制御部と、を有し、
前記周縁改質部と前記内部面改質部は、共通のレーザヘッドを有し、
前記制御部は、
前記内部面改質部において、前記移動機構によって前記内部面用レーザ光を前記第1の基板の内部において径方向外側から内側に移動させて、前記内部面改質層を形成する制御と、
前記レーザヘッドにおいて、前記周縁用レーザ光と前記内部面用レーザ光を切り換える制御と、
前記周縁改質部において、前記周縁改質層から伸展するクラックを、前記第2の基板と接合される側の表面に到達させる制御と、
前記分離部において、前記内部面改質層を基点として前記第1の基板を分離する制御と、を行い、
前記内部面改質層を形成する制御において、
前記内部面改質層の下端を、前記分離部による分離後、前記目標厚みまで薄化された後の前記第1の基板の表面よりも少なくとも上方に位置させる制御、を行う、
基板処理装置。 - 前記第1の基板と前記第2の基板との界面には、前記第1の基板と前記第2の基板が接合された接合領域と、前記接合領域の径方向外側の領域である未接合領域と、が形成されており、
前記制御部は、
前記周縁改質部において、前記周縁改質層を、前記接合領域の外側端部よりも径方向内側に形成する制御を行う、請求項2または3に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記周縁改質部において、前記周縁改質層の下端を、前記分離部による分離後、前記目標厚みまで薄化された後の前記第1の基板の表面よりも少なくとも上方に位置させる制御を行う、請求項2~4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 分離後の前記第1の基板の分離面を研削する研削部と、を有する、請求項1~5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 基板を処理する基板処理方法であって、
目標厚みまで薄化される第1の基板と、第2の基板が接合された重合基板において前記第2の基板を保持部で保持することと、
内部面改質部から前記保持部に保持された前記第1の基板の内部に面方向に沿って内部面用レーザ光を照射して、前記第1の基板の全面における内部に面方向にクラックを伸展させる内部面改質層を形成することと、
前記内部面改質層を基点として前記第1の基板を分離することと、を有し、
前記内部面改質層を形成する際、移動機構によって前記保持部と前記内部面改質部を相対的に移動させて、前記内部面用レーザ光を前記第1の基板の内部において径方向外側から内側に移動させるとともに、
前記内部面改質層の下端を、前記第1の基板の分離後、前記目標厚みまで薄化された後の前記第1の基板の表面より少なくとも上方に位置させ、
更に、前記移動機構による前記内部面改質部の移動速度は、当該内部面用レーザ光が前記第1の基板の内部の径方向外側に照射される場合の前記内部面改質部の移動速度を、内側に照射される場合の前記内部面改質部の移動速度よりも遅くする、基板処理方法。 - 周縁改質部から前記保持部に保持された前記第1の基板の内部に、除去対象の周縁部と中央部との境界に沿って周縁用レーザ光を照射して周縁改質層を形成することを有し、
前記周縁改質部と前記内部面改質部は、共通のレーザヘッドを有し、
前記レーザヘッドは、前記周縁用レーザ光と前記内部面用レーザ光を切り換え、
前記周縁改質層から伸展するクラックを、前記第2の基板と接合される側の表面に到達させる、請求項7に記載の基板処理方法。 - 基板を処理する基板処理方法であって、
目標厚みまで薄化される第1の基板と、第2の基板が接合された重合基板において前記第2の基板を保持部で保持することと、
内部面改質部から前記保持部に保持された前記第1の基板の内部に面方向に沿って内部面用レーザ光を照射して、前記第1の基板の全面における内部に面方向にクラックを伸展させる内部面改質層を形成することと、
周縁改質部から前記保持部に保持された前記第1の基板の内部に、除去対象の周縁部と中央部との境界に沿って周縁用レーザ光を照射して周縁改質層を形成することと、
前記内部面改質層を基点として前記第1の基板を分離することと、を有し、
前記周縁改質部と前記内部面改質部は、共通のレーザヘッドを有し、
前記内部面改質層を形成する際、移動機構によって前記保持部と前記内部面改質部を相対的に移動させて、前記内部面用レーザ光を前記第1の基板の内部において径方向外側から内側に移動させるとともに、
前記内部面改質層の下端を、前記第1の基板の分離後、前記目標厚みまで薄化された後の前記第1の基板の表面より少なくとも上方に位置させ、
前記レーザヘッドにおいて、前記周縁用レーザ光と前記内部面用レーザ光を切り換え、
前記周縁改質層を形成する際、前記周縁改質層から伸展するクラックを、前記第2の基板と接合される側の表面に到達させる、基板処理方法。 - 前記第1の基板と前記第2の基板との界面には、前記第1の基板と前記第2の基板が接合された接合領域と、前記接合領域の径方向外側の領域である未接合領域と、が形成されており、
前記周縁改質層を、前記接合領域の外側端部よりも径方向内側に形成する、請求項8または9に記載の基板処理方法。 - 前記周縁改質層の下端を、前記第1の基板の分離後、前記目標厚みまで薄化された後の前記第1の基板の表面より少なくとも上方に位置させる、請求項8~10のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 分離後の前記第1の基板の分離面を研削することと、を有する、請求項7~11のいずれか一項に記載の基板処理方法。
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