JP5850814B2 - 剥離システム - Google Patents

Description

開示の実施形態は、剥離システムに関する。

近年、たとえば、半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板の大口径化および薄型化が進んでいる。大口径で薄い半導体基板は、搬送時や研磨処理時に反りや割れが生じるおそれがある。このため、半導体基板に支持基板を貼り合わせて補強した後に、搬送や研磨処理を行い、その後、支持基板を半導体基板から剥離する処理が行われている。

たとえば、特許文献１には、第１保持部を用いて半導体基板を保持するとともに、第２保持部を用いて支持基板を保持し、第２保持部の外周部を鉛直方向に移動させることにより、支持基板を半導体基板から剥離する技術が開示されている。

特開２０１２−６９９１４号公報

半導体基板と支持基板の剥離処理は、上述のように半導体基板と支持基板を剥離した後、これら半導体基板の接合面と支持基板の接合面をそれぞれ洗浄して終了する。しかしながら、上述した従来技術では、かかる一連の剥離処理を効率良く行うことについて考慮されていなかった。

実施形態の一態様は、スループットの向上を図ることのできる剥離システムを提供することを目的とする。

実施形態の一態様に係る剥離システムは、第１基板と第２基板とが接合された重合基板を第１基板と第２基板とに剥離する剥離システムであって、重合基板または剥離後の第１基板に対する処理を行う第１処理ブロックと、重合基板または剥離後の第２基板に対する処理を行う第２処理ブロックとを備える。第１処理ブロックは、第１搬送装置と、剥離ステーションと、第１洗浄ステーションと、貼付ステーションと、搬出ステーションとを備える。第１搬送装置は、重合基板または剥離後の第１基板を搬送する。剥離ステーションは、第１搬送装置によって搬送された重合基板を、この重合基板を加熱しながら第１基板と第２基板との接合面に沿ってずらすことによって、第１基板と第２基板とに剥離する剥離装置が設置される。第１洗浄ステーションは、第１搬送装置によって搬送された剥離後の第１基板を洗浄する第１洗浄装置が設置される。貼付ステーションは、第１基板よりも大径の開口部を有するダイシングフレームと、このダイシングフレームの開口部に配置された剥離後の第１基板の板面とに対してダイシングテープを貼り付ける貼付装置が配置される。搬出ステーションは、ダイシングフレームおよびダイシングテープが取り付けられた第１基板が載置される。また、第２処理ブロックは、第２洗浄ステーションと、第１受渡ステーションと、搬入出ステーションと、第２搬送装置と、第２受渡ステーションとを備える。第２洗浄ステーションは、剥離後の第２基板を洗浄する第２洗浄装置が設置される。第１受渡ステーションは、第２洗浄ステーションと剥離ステーションとの間に配置され、剥離後の第２基板を剥離ステーションから受け取って第２洗浄ステーションへ渡す。搬入出ステーションは、重合基板または剥離後の第２基板が載置される。第２搬送装置は、第２洗浄装置によって洗浄された第２基板または搬入出ステーションに載置された重合基板を搬送する。第２受渡ステーションは、第２搬送装置によって搬送された重合基板を受け取って第１搬送装置へ渡す。

実施形態の一態様によれば、スループットの向上を図ることができる。

図１は、第１の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。 図２は、重合基板の模式側面図である。 図３は、剥離システムによって実行される基板処理の処理手順を示すフローチャートである。 図４Ａは、重合基板の搬送順路を示す模式図である。 図４Ｂは、被処理基板および支持基板の搬送順路を示す模式図である。 図５は、第１の実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図である。 図６Ａは、第１洗浄装置の構成を示す摸式側面図である。 図６Ｂは、第１洗浄装置の構成を示す摸式平面図である。 図７Ａは、貼付装置による貼付動作の説明図である。 図７Ｂは、貼付装置による貼付動作の説明図である。 図８は、ダイシングフレームに保持された重合基板の摸式平面図である。 図９Ａは、第４搬送装置の構成を示す模式側面図である。 図９Ｂは、第４搬送装置の構成を示す模式平面図である。 図１０Ａは、第３受渡ステーションの位置合わせ装置に載置された被処理基板を第１基板保持部を用いて保持する動作の説明図である。 図１０Ｂは、第１基板保持部を用いて保持した被処理基板を貼付装置のステージに載置する動作の説明図である。 図１１Ａは、ダイシングフレームが取り付けられた後の被処理基板を第２基板保持部を用いて保持する動作の説明図である。 図１１Ｂは、第２基板保持部を用いて保持した被処理基板を第２処理室のＤＦステージへ載置する動作の説明図である。 図１２は、第３搬送装置の構成を示す摸式側面図である。 図１３は、第２の実施形態に係る剥離装置の構成を示す摸式側面図である。 図１４Ａは、第１保持部の構成を示す摸式斜視図である。 図１４Ｂは、吸着パッドの構成を示す摸式平面図である。 図１５Ａは、第１保持部の本体部の摸式平面図である。 図１５Ｂは、第１保持部の本体部の摸式平面図である。 図１６は、剥離処理の処理手順を示すフローチャートである。 図１７Ａは、剥離装置による剥離動作の説明図である。 図１７Ｂは、剥離装置による剥離動作の説明図である。 図１７Ｃは、剥離装置による剥離動作の説明図である。 図１７Ｄは、剥離装置による剥離動作の説明図である。 図１７Ｅは、剥離装置による剥離動作の説明図である。 図１８は、第３の実施形態に係る剥離装置の構成を示す摸式側面図である。 図１９は、切込部の構成を示す摸式斜視図である。 図２０は、切込部の位置調整処理の処理手順を示すフローチャートである。 図２１Ａは、剥離装置の動作説明図である。 図２１Ｂは、剥離装置の動作説明図である。 図２２Ａは、吸着パッドの他の構成を示す摸式平面図である。 図２２Ｂは、吸着パッドの他の構成を示す摸式平面図である。 図２２Ｃは、吸着パッドの他の構成を示す摸式平面図である。 図２３は、第５の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。

以下、添付図面を参照して、本願の開示する剥離システムの実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。

（第１の実施形態）
＜１．剥離システム＞
まず、第１の実施形態に係る剥離システムの構成について、図１および図２を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。また、図２は、重合基板の模式側面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

図１に示す第１の実施形態に係る剥離システム１は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接着剤Ｇで接合された重合基板Ｔ（図２参照）を、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する。

以下では、図２に示すように、被処理基板Ｗの板面のうち、接着剤Ｇを介して支持基板Ｓと接合される側の板面を「接合面Ｗｊ」といい、接合面Ｗｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗｎ」という。また、支持基板Ｓの板面のうち、接着剤Ｇを介して被処理基板Ｗと接合される側の板面を「接合面Ｓｊ」といい、接合面Ｓｊとは反対側の板面を「非接合面Ｓｎ」という。

被処理基板Ｗは、たとえば、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板であり、電子回路が形成される側の板面を接合面Ｗｊとしている。また、被処理基板Ｗは、たとえば非接合面Ｗｎが研磨処理されることによって薄型化されている。具体的には、被処理基板Ｗの厚さは、約２０〜１００μｍである。

一方、支持基板Ｓは、被処理基板Ｗと略同径の基板であり、被処理基板Ｗを支持する。支持基板Ｓの厚みは、約６５０〜７５０μｍである。かかる支持基板Ｓとしては、シリコンウェハの他、ガラス基板などを用いることができる。また、これら被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓを接合する接着剤Ｇの厚みは、約４０〜１５０μｍである。

第１の実施形態に係る剥離システム１は、図１に示すように、第１処理ブロック１０と第２処理ブロック２０とを備える。第１処理ブロック１０と第２処理ブロック２０とは、第２処理ブロック２０および第１処理ブロック１０の順にＸ軸方向に並べて配置される。

第１処理ブロック１０は、重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗに対する処理を行うブロックである。かかる第１処理ブロック１０は、搬出ステーション１１と、第１搬送領域１２と、第３受渡ステーション１３と、貼付ステーション１４と、剥離ステーション１５と、第１洗浄ステーション１６とを備える。

また、第２処理ブロック２０は、重合基板Ｔまたは剥離後の支持基板Ｓに対する処理を行うブロックである。かかる第２処理ブロック２０は、搬入出ステーション２１と、第２搬送領域２２と、エッジカットステーション２３と、第２受渡ステーション２４と、第１受渡ステーション２５と、第２洗浄ステーション２６とを備える。

第１処理ブロック１０の第１搬送領域１２と、第２処理ブロック２０の第２搬送領域２２とは、Ｘ軸方向に並べて配置される。また、第１搬送領域１２のＹ軸負方向側には、搬出ステーション１１および第３受渡ステーション１３が、搬出ステーション１１および第３受渡ステーション１３の順でＸ軸方向に並べて配置され、第２搬送領域２２のＹ軸負方向側には、搬入出ステーション２１が配置される。

また、第１搬送領域１２を挟んで搬出ステーション１１および第３受渡ステーション１３の反対側には、剥離ステーション１５および第１洗浄ステーション１６が、剥離ステーション１５および第１洗浄ステーション１６の順でＸ軸方向に並べて配置される。また、第２搬送領域２２を挟んで搬入出ステーション２１の反対側には、第２洗浄ステーション２６が配置される。

第１処理ブロック１０の剥離ステーション１５と第２処理ブロック２０の第２洗浄ステーション２６との間には、第１受渡ステーション２５が配置される。また、第１処理ブロック１０の第１搬送領域１２と第２処理ブロック２０の第２搬送領域２２との間には、第２受渡ステーション２４が配置される。そして、第１搬送領域１２のＸ軸正方向側には、貼付ステーション１４が配置され、第２搬送領域２２のＸ軸負方向側には、エッジカットステーション２３が配置される。

まず、第１処理ブロック１０の構成について説明する。搬出ステーション１１では、剥離後の被処理基板Ｗが収容されるカセットＣｗが外部との間で搬入出される。かかる搬出ステーション１１には、カセット載置台が設けられており、このカセット載置台に、カセットＣｗが載置される複数のカセット載置板１１０ａ，１１０ｂが設けられる。

第１搬送領域１２では、重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗの搬送が行われる。第１搬送領域１２には、重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗの搬送を行う第１搬送装置３０が設置される。

第１搬送装置３０は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降および鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える基板搬送装置である。かかる第１搬送装置３０は、基板保持部を用いて基板を保持するとともに、基板保持部によって保持された基板を搬送アーム部によって所望の場所まで搬送する。

ここで、剥離システム１では、後述する貼付ステーション１４において、ダイシングフレームと呼ばれる補強部材を重合基板Ｔに取り付ける処理が行われる。このため、第１搬送装置３０は、ダイシングフレームが取り付けられた基板を保持する第１基板保持部と、ダイシングフレームが取り付けられていない基板を保持する第２基板保持部の２つの基板保持部を備える。なお、第１基板保持部は、たとえば、吸着あるいは把持等によりダイシングフレームを上方から保持することによって、ダイシングフレームが取り付けられた基板を略水平に保持する。また、第２基板保持部は、たとえばベルヌーイチャックであり、基板を上方から非接触で保持する。

第３受渡ステーション１３では、第１搬送装置３０によって搬送された重合基板Ｔを第１搬送装置３０から受け取って貼付ステーション１４へ渡す受渡処理が行われる。かかる第３受渡ステーション１３には、第１搬送装置３０によって搬送された重合基板Ｔが載置される載置台が設けられており、かかる載置台に、位置合わせ装置が載置される。位置合わせ装置は、重合基板Ｔの中心位置および円周方向の位置を整える装置である。かかる位置合わせ装置を第３受渡ステーション１３に設置することにより、後段のダイシングフレーム取付処理において、ダイシングフレームに対する重合基板Ｔの取り付け位置の誤差を減らすことができる。

貼付ステーション１４では、第３受渡ステーション１３から渡された重合基板Ｔに対してダイシングフレームを取り付ける処理が行われる。ダイシングフレームは、重合基板Ｔよりも大径の開口部を有しており、かかる開口部に重合基板Ｔが配置された状態で、ダイシングフレームと重合基板Ｔの板面とに対してダイシングテープが貼り付けられることによって、重合基板Ｔにダイシングフレームが取り付けられる。かかる貼付ステーション１４には、ダイシングフレームおよび重合基板Ｔに対してダイシングテープを貼り付ける貼付装置が配置される。なお、以下では、ダイシングフレームが取り付けられた重合基板Ｔを「ＤＦ付重合基板Ｔ」と記載する。

なお、貼付ステーション１４には、第４搬送装置３５が配置される。第４搬送装置３５は、鉛直方向への昇降および鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える基板搬送装置である。かかる第４搬送装置３５は、第３受渡ステーション１３の位置合わせ装置に載置された位置合わせ後の重合基板Ｔを基板保持部によって上方から吸着保持し、搬送アーム部を用いて基板保持部を旋回させた後、基板保持部に保持された重合基板Ｔを貼付装置へ載置する。かかる第４搬送装置３５の構成については、後述する。

剥離ステーション１５では、第１搬送装置３０によって搬送された重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する剥離処理が行われる。かかる剥離ステーション１５には、剥離処理を行う剥離装置が設置される。剥離装置は、第１搬送装置３０によって搬送された重合基板Ｔを、重合基板Ｔを加熱しながら被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの接合面に沿ってずらすことによって、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する。かかる剥離装置の具体的な構成および動作については、後述する。

第１洗浄ステーション１６では、剥離後の被処理基板Ｗの洗浄処理が行われる。第１洗浄ステーション１６には、剥離後の被処理基板Ｗをダイシングフレームに保持された状態で洗浄する第１洗浄装置が設置される。かかる第１洗浄装置の具体的な構成については、後述する。

かかる第１処理ブロック１０では、剥離ステーション１５において、第２処理ブロック２０から搬送されてきた重合基板Ｔの剥離処理が行われ、第１洗浄ステーション１６において、剥離後の被処理基板Ｗの洗浄処理が行われる。また、第１処理ブロック１０では、第３受渡ステーション１３において重合基板Ｔの位置合わせ処理および第４搬送装置３５によるＤＦ付重合基板Ｔの反転処理が行われ、貼付ステーション１４において重合基板Ｔに対するダイシングフレームの取付処理が行われる。その後、被処理基板Ｗは、第１搬送装置３０によって搬出ステーション１１へ搬送され、搬出ステーション１１から外部へ搬出される。

つづいて、第２処理ブロック２０の構成について説明する。搬入出ステーション２１では、重合基板Ｔが収容されるカセットＣｔおよび支持基板Ｓが収容されるカセットＣｓが外部との間で搬入出される。かかる搬入出ステーション２１には、カセット載置台が設けられており、このカセット載置台に、カセットＣｔ，Ｃｓのそれぞれが載置される複数のカセット載置板２１０ａ，２１０ｂが設けられる。

第２搬送領域２２では、重合基板Ｔまたは剥離後の支持基板Ｓの搬送が行われる。第２搬送領域２２には、重合基板Ｔまたは剥離後の支持基板Ｓの搬送を行う第２搬送装置４０が設置される。

第２搬送装置４０は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降および鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える基板搬送装置である。かかる第２搬送装置４０は、基板保持部を用いて基板を保持するとともに、基板保持部によって保持された基板を搬送アーム部によって搬入出ステーション２１まで搬送する。なお、第２搬送装置４０が備える基板保持部は、たとえば支持基板Ｓを下方から支持することによって支持基板Ｓを略水平に保持するフォーク等である。

エッジカットステーション２３では、接着剤Ｇ（図２参照）の周縁部を溶剤によって溶解させて除去するエッジカット処理が行われる。かかるエッジカット処理によって接着剤Ｇの周縁部が除去されることで、後述する剥離処理において被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを剥離させ易くすることができる。かかるエッジカットステーション２３には、接着剤Ｇの溶剤に重合基板Ｔを浸漬させることによって、接着剤Ｇの周縁部を溶剤によって溶解させるエッジカット装置が設置される。

第２受渡ステーション２４では、第２搬送装置４０によって搬送された重合基板Ｔを第２搬送装置４０から受け取って第１処理ブロック１０の第１搬送装置３０へ渡す受渡処理が行われる。

また、第２受渡ステーション２４には、重合基板ＴのＩＤ（Identification）を読み取るＩＤ読取装置が配置され、かかるＩＤ読取装置によって、処理中の重合基板Ｔを識別することができる。さらに、この第３受渡ステーション１３では、上記のＩＤ読取り処理に加え、処理待ちの重合基板Ｔを一時的に待機させておく待機処理が必要に応じて行われる。かかる第３受渡ステーション１３には、第２搬送装置４０によって搬送された重合基板Ｔが載置される載置台が設けられており、かかる載置台に、ＩＤ読取装置と一時待機部とが載置される。

第１受渡ステーション２５では、剥離後の支持基板Ｓを剥離ステーション１５から受け取って第２洗浄ステーション２６へ渡す受渡処理が行われる。第１受渡ステーション２５には、剥離後の支持基板Ｓを非接触で保持して搬送する第３搬送装置５０が設置され、かかる第３搬送装置５０によって上記の受渡処理が行われる。第３搬送装置５０の具体的な構成については、後述する。

第２洗浄ステーション２６では、剥離後の支持基板Ｓを洗浄する第２洗浄処理が行われる。かかる第２洗浄ステーション２６には、剥離後の支持基板Ｓを洗浄する第２洗浄装置が設置される。かかる第２洗浄装置の具体的な構成については、後述する。

かかる第２処理ブロック２０では、搬入出ステーション２１から搬入された重合基板Ｔが、エッジカットステーション２３においてエッジカット処理された後、第２受渡ステーション２４を介して第１処理ブロック１０へ受け渡される。また、第２処理ブロック２０では、剥離後の支持基板Ｓが剥離ステーション１５から第１受渡ステーション２５を介して第２洗浄ステーション２６へ搬送され、第２洗浄ステーション２６において洗浄される。その後、第２処理ブロック２０では、洗浄後の支持基板Ｓを搬入出ステーション２１へ搬送し、洗浄後の支持基板Ｓは、搬入出ステーション２１から外部へ搬出される。

また、剥離システム１は、制御装置６０を備える。制御装置６０は、剥離システム１の動作を制御する装置である。かかる制御装置６０は、たとえばコンピュータであり、図示しない制御部と記憶部とを備える。記憶部には、剥離処理等の各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部は記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって剥離システム１の動作を制御する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置６０の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

次に、上述した剥離システム１の動作について図３および図４Ａ，４Ｂを参照して説明する。図３は、剥離システム１によって実行される基板処理の処理手順を示すフローチャートである。また、図４Ａは、重合基板Ｔの搬送順路を示す模式図であり、図４Ｂは、被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの搬送順路を示す模式図である。なお、剥離システム１は、制御装置６０の制御に基づき、図３に示す各処理手順を実行する。

まず、第２処理ブロック２０の第２搬送領域２２に配置される第２搬送装置４０（図１参照）は、制御装置６０の制御に基づき、重合基板Ｔをエッジカットステーション２３へ搬入する処理を行う（図３のステップＳ１０１、図４ＡのＴ１参照）。具体的には、第２搬送装置４０は、基板保持部を搬入出ステーション２１へ進入させ、カセットＣｔに収容された重合基板Ｔを保持してカセットＣｔから取り出す。そして、第２搬送装置４０は、カセットＣｔから取り出した重合基板Ｔをエッジカットステーション２３へ搬入する。

つづいて、エッジカットステーション２３では、エッジカット装置が、制御装置６０の制御に基づき、エッジカット処理を行う（図３のステップＳ１０２）。かかるエッジカット処理により接着剤Ｇの周縁部が除去され、後段の剥離処理において被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが剥離し易くなる。これにより、剥離処理に要する時間を短縮させることができる。また、剥離システム１では、重合基板Ｔにダイシングフレームが取り付けられる前にエッジカット処理を行うため、接着剤Ｇの溶剤によるダイシングテープへのダメージを考慮する必要がない。

第１の実施形態にかかる剥離システム１では、エッジカットステーション２３が第２処理ブロック２０に組み込まれているため、第２処理ブロック２０へ搬入された重合基板Ｔを第２搬送装置４０を用いてエッジカットステーション２３へ直接搬入することができる。このため、剥離システム１によれば、一連の基板処理のスループットを向上させることができる。また、エッジカット処理から剥離処理までの時間を容易に管理することができ、剥離性能を安定化させることができる。

つづいて、第１搬送装置３０は、制御装置６０の制御に基づき、重合基板Ｔをエッジカットステーション２３から搬出し、第２受渡ステーション２４へ搬送する（図４ＡのＴ２参照）。そして、第２受渡ステーション２４では、ＩＤ読取装置が、制御装置６０の制御に基づき、重合基板ＴのＩＤを読み取るＩＤ読取処理を行う（図３のステップＳ１０３）。ＩＤ読取装置によって読み取られたＩＤは、制御装置６０へ送信される。なお、重合基板Ｔは、被処理基板Ｗが上面に位置した状態で、ＩＤ読取装置に載置される。

なお、第２受渡ステーション２４では、たとえば装置間の処理時間差等により処理待ちの重合基板Ｔが生じる場合には、第２受渡ステーション２４に配置された一時待機部を用いて重合基板Ｔを一時的に待機させておくことができ、一連の工程間でのロス時間を短縮することができる。

つづいて、第１処理ブロック１０の第１搬送装置３０は、制御装置６０の制御に基づき、第２受渡ステーション２４に載置された重合基板Ｔを第２受渡ステーション２４から搬出して、剥離ステーション１５へ搬送する（図４ＡのＴ３参照）。そして、剥離ステーション１５では、剥離装置が、制御装置６０の制御に基づいて剥離処理を行う（図３のステップＳ１０４）。

その後、剥離システム１では、剥離後の被処理基板Ｗについての処理が第１処理ブロック１０で行われ、剥離後の支持基板Ｓについての処理が第２処理ブロック２０で行われる。

まず、第１処理ブロック１０では、第１搬送装置３０が、制御装置６０の制御に基づき、剥離後の被処理基板Ｗを剥離装置から搬出して、第１洗浄ステーション１６へ搬送する（図４ＢのＷ１参照）。

そして、第１洗浄装置は、制御装置６０の制御に基づき、剥離後の被処理基板Ｗの接合面Ｗｊを洗浄する被処理基板洗浄処理を行う（図３のステップＳ１０５）。かかる被処理基板洗浄処理によって、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに残存する接着剤Ｇが除去される。

つづいて、第１搬送装置３０は、制御装置６０の制御に基づき、洗浄後の被処理基板Ｗを第１洗浄装置から搬出して、第３受渡ステーション１３へ搬送する（図４ＢのＷ２参照）。そして、第３受渡ステーション１３では、反転装置が、制御装置６０の制御に基づき、被処理基板Ｗを反転させ（ステップＳ１０６）、反転後の被処理基板Ｗを位置合わせ装置に渡す。これにより、被処理基板Ｗは、非接合面Ｗｎが上面に位置した状態となる。そして、第３受渡ステーション１３では、位置合わせ装置が、制御装置６０の制御に基づき、重合基板Ｔの位置合わせ処理を行う（ステップＳ１０７）。

つづいて、貼付ステーション１４では、第４搬送装置３５（図１参照）が、第３受渡ステーション１３の位置合わせ装置に載置された重合基板Ｔを上方から吸着保持して、貼付ステーション１４の貼付装置へ搬送する（図４ＢのＷ３参照）。これにより、重合基板Ｔは、被処理基板Ｗが上面に位置した状態で貼付装置にセットされる。そして、貼付装置が、制御装置６０の制御に基づき、重合基板Ｔに対してダイシングフレームを取り付けるダイシングフレーム取付処理を行う（ステップＳ１０８）。

つづいて、第４搬送装置３５は、制御装置６０の制御に基づき、ダイシングフレームを吸着保持することによって、かかるダイシングフレームが取り付けられた被処理基板Ｗを上方から保持する。そして、第４搬送装置３５は、保持した被処理基板Ｗを反転させたうえで（ステップＳ１０９）、後述する第３受渡ステーション１３のＤＦステージへ載置する（図４ＢのＷ４参照）。これにより、被処理基板Ｗは、接合面Ｗｊが上面に位置した状態となる。

そして、第１搬送装置３０は、制御装置６０の制御に基づき、反転後の被処理基板Ｗを第３受渡ステーション１３から搬出して、搬出ステーション１１へ搬送する被処理基板搬出処理を行う（図３のステップＳ１１０、図４ＢのＷ５参照）。その後、被処理基板Ｗは、搬出ステーション１１から外部へ搬出されて回収される。こうして、被処理基板Ｗについての処理が終了する。

一方、第２処理ブロック２０では、ステップＳ１０５〜ステップＳ１１０の処理と並行して、ステップＳ１１１〜Ｓ１１３の処理が行われる。

まず、第２処理ブロック２０では、第１受渡ステーション２５に設置された第３搬送装置５０が、制御装置６０の制御に基づいて、剥離後の支持基板Ｓの受渡処理を行う（図３のステップＳ１１１）。

このステップＳ１１１において、第３搬送装置５０は、剥離後の支持基板Ｓを剥離装置から受け取り（図４ＢのＳ１参照）、受け取った支持基板Ｓを第２洗浄ステーション２６の第２洗浄装置へ載置する（図４ＢのＳ２参照）。そして、第２洗浄装置は、制御装置６０の制御に基づき、支持基板Ｓの接合面Ｓｊを洗浄する支持基板洗浄処理を行う（図３のステップＳ１１２）。かかる支持基板洗浄処理によって、支持基板Ｓの接合面Ｓｊに残存する接着剤Ｇが除去される。

つづいて、第２搬送装置４０は、制御装置６０の制御に基づき、洗浄後の支持基板Ｓを第２洗浄装置から搬出して、搬入出ステーション２１へ搬送する支持基板搬出処理を行う（図３のステップＳ１１３、図４ＢのＳ３参照）。その後、支持基板Ｓは、搬入出ステーション２１から外部へ搬出されて回収される。こうして、支持基板Ｓについての処理が終了する。

第１の実施形態に係る剥離システム１は、被処理基板Ｗ用のフロントエンド（搬出ステーション１１および第１搬送装置３０）と、支持基板Ｓ用のフロントエンド（搬入出ステーション２１および第２搬送装置４０）とを備える構成とした。これにより、洗浄後の被処理基板Ｗを搬出ステーション１１へ搬送する処理と、洗浄後の支持基板Ｓを搬入出ステーション２１へ搬送する処理とを並列に行うことが可能となるため、一連の基板処理を効率的に行うことができる。

また、第１の実施形態に係る剥離システム１は、第１処理ブロック１０と第２処理ブロック２０とが、第１受渡ステーション２５によって接続される。これにより、剥離後の支持基板Ｓを剥離ステーション１５から直接取り出して第２処理ブロック２０へ搬入することが可能となるため、剥離後の支持基板Ｓを第２洗浄装置へスムーズに搬送することができる。

したがって、第１の実施形態に係る剥離システム１によれば、一連の基板処理のスループットを向上させることができる。

＜２．各装置の構成＞
＜２−１．剥離装置＞
次に、剥離システム１が備える各装置の構成について具体的に説明する。まず、剥離ステーション１５に設置される剥離装置の構成について説明する。図５は、第１の実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図である。

図５に示すように、剥離装置３は、その内部に複数の機器を収容する筐体３００を有している。筐体３００の側面には、重合基板Ｔ、被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの搬入出口（図示せず）が形成され、この搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。

筐体３００の底面には、内部の雰囲気を排気する排気口３０１が形成されている。排気口３０１には、例えば真空ポンプなどの排気装置３０２に連通する排気管３０３が接続されている。そして、排気口３０１から筐体３００内部の雰囲気を排気することにより、筐体３００内部にダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。

筐体３００の内部には、被処理基板Ｗを下面で吸着保持する第１保持部３１０と、支持基板Ｓを上面で載置して保持する第２保持部３１１とが設けられている。第１保持部３１０は、第２保持部３１１の上方に設けられ、第２保持部３１１と対向するように配置されている。すなわち、筐体３００の内部では、被処理基板Ｗを上側に配置し、且つ支持基板Ｓを下側に配置した状態で、重合基板Ｔに剥離処理が行われる。

第１保持部３１０には、例えばポーラスチャックが用いられている。第１保持部３１０は、平板状の本体部３２０を有している。本体部３２０の下面側には、多孔質体３２１が設けられている。多孔質体３２１は、例えば被処理基板Ｗとほぼ同じ径を有し、当該被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎと当接している。なお、多孔質体３２１としては例えば炭化ケイ素が用いられる。

また、本体部３２０の内部であって多孔質体３２１の上方には吸引空間３２２が形成されている。吸引空間３２２は、例えば多孔質体３２１を覆うように形成されている。吸引空間３２２には、吸引管３２３が接続されている。吸引管３２３は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。そして、吸引管３２３から吸引空間３２２と多孔質体３２１を介して被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎが吸引され、当該被処理基板Ｗが第１保持部３１０に吸着保持される。

また、本体部３２０の内部であって吸引空間３２２の上方には、被処理基板Ｗを加熱する加熱機構３２４が設けられている。加熱機構３２４には、例えばヒータが用いられる。

第１保持部３１０の上面には、当該第１保持部３１０を支持する支持板３３０が設けられている。支持板３３０は、筐体３００の天井面に支持されている。なお、第１保持部３１０は、筐体３００の天井面に当接して支持されてもよい。

第２保持部３１１の内部には、支持基板Ｓを吸着保持するための吸引管３４０が設けられている。吸引管３４０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。

また、第２保持部３１１の内部には、支持基板Ｓを加熱する加熱機構３４１が設けられている。加熱機構３４１には、例えばヒータが用いられる。

第２保持部３１１の下方には、第２保持部３１１及び支持基板Ｓを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構３５０が設けられている。移動機構３５０は、第２保持部３１１を鉛直方向に移動させる鉛直移動部３５１と、第２保持部３１１を水平方向に移動させる水平移動部３５２とを有している。

鉛直移動部３５１は、第２保持部３１１の下面を支持する支持板３６０と、支持板３６０を昇降させる駆動部３６１と、支持板３６０を支持する支持部材３６２とを有している。駆動部３６１は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。また、支持部材３６２は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、支持板３６０と後述する支持体３７１との間に例えば３箇所に設けられている。

水平移動部３５２は、Ｘ方向（図５中の左右方向）に沿って延伸するレール３７０と、レール３７０に取り付けられる支持体３７１と、支持体３７１をレール３７０に沿って移動させる駆動部３７２とを有している。駆動部３７２は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。

なお、第２保持部３１１の下方には、重合基板Ｔ又は支持基板Ｓを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは第２保持部３１１に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、第２保持部３１１の上面から突出可能になっている。

上記のように構成された剥離装置３は、第１搬送装置３０によって搬送された重合基板Ｔを、重合基板Ｔを加熱しながら被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの接合面に沿ってずらすことによって、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する。

具体的には、剥離装置３に搬入された重合基板Ｔは、第２保持部３１１に吸着保持される。その後、移動機構３５０により第２保持部３１１を上昇させて、図５に示すように第１保持部３１０と第２保持部３１１で重合基板Ｔを挟み込んで保持する。このとき、第１保持部３１０に被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎが吸着保持され、第２保持部３１１に支持基板Ｓの非接合面Ｓｎが吸着保持される。

その後、加熱機構３２４、３４１によって重合基板Ｔが所定の温度、例えば２００℃に加熱される。そうすると、重合基板Ｔ中の接着剤Ｇが軟化する。

つづいて、加熱機構３２４、３４１によって重合基板Ｔを加熱して接着剤Ｇの軟化状態を維持しながら、移動機構３５０によって第２保持部３１１と支持基板Ｓを鉛直方向及び水平方向、すなわち斜め下方に移動させる。そして、第１保持部３１０に保持された被処理基板Ｗと、第２保持部３１１に保持された支持基板Ｓとが剥離される。

その後、剥離装置３で剥離された被処理基板Ｗは、第１搬送装置３０によって第１洗浄ステーション１６の第１洗浄装置へ搬送される。

＜２−２．第２洗浄装置＞
次に、第１洗浄ステーション１６に設置される第１洗浄装置の構成について図６Ａおよび図６Ｂを参照して説明する。図６Ａは、第１洗浄装置の構成を示す摸式側面図であり、図６Ｂは、第２洗浄装置の構成を示す摸式平面図である。

図６Ａに示すように、第１洗浄装置８０は、処理容器８１を有している。処理容器８１の側面には、被処理基板Ｗの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。

処理容器８１内の中央部には、被処理基板Ｗを保持して回転させるスピンチャック８２が配置される。スピンチャック８２は、水平な上面を有しており、かかる上面には被処理基板Ｗを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、被処理基板Ｗは、スピンチャック８２上で吸着保持される。

スピンチャック８２の下方には、たとえばモータなどを備えたチャック駆動部８３が配置される。チャック駆動部８３は、スピンチャック８２を所定の速度で回転させる。また、チャック駆動部８３には、たとえばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック８２は昇降自在になっている。

スピンチャック８２の周囲には、被処理基板Ｗから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ８４が配置される。カップ８４の下面には、回収した液体を排出する排出管８４１と、カップ８４内の雰囲気を排気する排気管８４２とが接続される。

図６Ｂに示すように、処理容器８１にはレール８５が設けられており、かかるレール８５には、アーム８６の基端部が取り付けられる。また、アーム８６の先端部には、被処理基板Ｗに洗浄液、たとえば有機溶剤を供給する洗浄液ノズル８７が支持される。

アーム８６は、ノズル駆動部８６１により、レール８５上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル８７は、カップ８４の側方に設置された待機部８８からカップ８４内の被処理基板Ｗの中心部上方まで移動することができ、さらに被処理基板Ｗ上を被処理基板Ｗの径方向に移動することができる。また、アーム８６は、ノズル駆動部８６１によって昇降自在であり、これにより、洗浄液ノズル８７の高さを調節することができる。

洗浄液ノズル８７には、図６Ａに示すように、洗浄液ノズル８７に洗浄液を供給する供給管８９１が接続される。供給管８９１は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源８９２に連通している。供給管８９１には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群８９３が設けられている。

第１洗浄装置８０は、上記のように構成されており、制御装置６０の制御に基づき、第３搬送装置５０によって搬送された被処理基板Ｗの洗浄処理（第１洗浄処理）を行う。

具体的には、剥離後の被処理基板Ｗは、第１搬送装置３０によって接合面Ｓｊを上方に向けた状態で第１洗浄装置８０のスピンチャック８２に載置される。第１洗浄装置８０は、スピンチャック８２を用いて被処理基板Ｗを吸着保持した後、スピンチャック８２を所定の位置まで下降させる。つづいて、アーム８６によって待機部８８の洗浄液ノズル８７を被処理基板Ｗの中心部の上方まで移動させる。その後、スピンチャック８２によって被処理基板Ｗを回転させながら、洗浄液ノズル８７から被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに洗浄液を供給する。供給された洗浄液は遠心力により被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの全面に拡散されて、接合面Ｗｊが洗浄される。

洗浄後の被処理基板Ｗは、第２搬送装置４０によって第１洗浄装置８０から搬出され、搬出ステーション１１のカセットＣｔに収容される。

なお、スピンチャック８２の下方には、被処理基板Ｗを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはスピンチャック８２に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、スピンチャック８２の上面から突出可能になっている。そして、スピンチャック８２を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、スピンチャック８２との間で被処理基板Ｗの受け渡しが行われる。

また、第１洗浄装置８０において、スピンチャック８２の下方には、被処理基板Ｗの裏面、すなわち非接合面Ｓｎ（図２参照）に向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル（図示せず）が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎと被処理基板Ｗの外周部が洗浄される。

なお、第２洗浄ステーション２６に設置される第２洗浄装置は、上述した第１洗浄装置８０と同様の構成であるため、ここでの説明は省略する。

＜２−３．貼付装置＞
次に、貼付ステーション１４に設置される貼付装置の構成について説明する。図７Ａおよび図７Ｂは、貼付装置による貼付動作の説明図である。また、図８は、ダイシングフレームに保持された重合基板Ｔの摸式平面図である。

図７Ａに示すように、貼付ステーション１４に設置される貼付装置９０は、ダイシングフレームＦが予め載置されたステージ９１と、ステージ９１の上方に配置された押圧ローラ９２とを備える。重合基板Ｔは、第４搬送装置３５（図１参照）によって、ダイシングフレームＦの開口部Ｆａ（図８参照）に配置され、かつ、被処理基板Ｗが上面に位置した状態でステージ９１に載置される。

貼付装置９０は、押圧ローラ９２を用い、ダイシングフレームＦおよび重合基板Ｔの板面に対してダイシングテープＰを貼り付ける（図７Ｂ参照）。これにより、重合基板ＴにダイシングフレームＦが取り付けられた状態となる。

なお、ダイシングフレームＦは、図８に示すように、重合基板Ｔよりも大径の開口部Ｆａを中央に有する略矩形状の部材であり、ステンレス鋼の金属で形成される。また、重合基板Ｔは、第３受渡ステーション１３の反転装置によって反転されることにより、支持基板Ｓが上面に位置した状態でダイシングフレームＦに保持される。

＜２−４．第４搬送装置＞
次に、貼付ステーション１４に設置される第４搬送装置３５の構成および動作について説明する。まず、第４搬送装置３５の構成について図９Ａおよび図９Ｂを参照して説明する。図９Ａは、第４搬送装置３５の構成を示す模式側面図であり、図９Ｂは、第４搬送装置３５の構成を示す模式平面図である。

図９Ａに示すように、第４搬送装置３５は、第１基板保持部３１０と、第２基板保持部３２０とを備える。これら第１基板保持部３１０と第２基板保持部３２０とは、上下に並べて配設される。

第１基板保持部３１０は、ダイシングフレームＦが取り付けられる前の被処理基板Ｗを保持する基板保持部である。かかる第１基板保持部３１０は、被処理基板Ｗの径よりも幅狭な平板状の本体部３１１と、本体部３１１の下部に設けられた複数（ここでは、４個。図９Ｂ参照）の爪部３１２とを備える。４個の爪部３１２は、被処理基板Ｗの四隅に対応する位置にそれぞれ設けられており（図９Ｂ参照）、本体部３１１の内部に設けられた駆動部３１３によって、被処理基板Ｗに接触する位置と被処理基板Ｗから離れる位置との間で移動可能である。

かかる第１基板保持部３１０は、駆動部３１３を用いて各爪部３１２を被処理基板Ｗに接触する位置に移動させることによって、被処理基板Ｗの外周部を４個の爪部３１２で把持する。これにより、被処理基板Ｗは第１基板保持部３１０によって保持される。

第２基板保持部３２０は、ダイシングフレームＦが取り付けられた後の被処理基板Ｗを保持する基板保持部である。かかる第２基板保持部３２０は、第１基板保持部３１０が通過可能な枠体状の本体部３２１と、本体部３２１の下部に設けられた複数（ここでは、４個。図９Ｂ参照）の吸着部３２２とを備える。４個の吸着部３２２は、ダイシングフレームＦの四隅に対応する位置にそれぞれ設けられており（図９Ｂ参照）、図示しない吸気装置に接続される。

かかる第２基板保持部３２０は、図示しない吸気装置が発生させる吸引力によって４個の吸着部３２２がダイシングフレームＦを吸着保持することによって、ダイシングフレームＦに保持された被処理基板Ｗを保持すること。

また、第２基板保持部３２０は、昇降部３２３をさらに備える。昇降部３２３は、本体部３２１を鉛直方向に沿って昇降させる。かかる昇降部３２３により、第２基板保持部３２０は、第１基板保持部３１０よりも上方または下方に移動することができる。なお、第２基板保持部３２０の本体部３２１は、上記したように第１基板保持部３１０が通過可能な形状に形成されているため、昇降部３２３によって第１基板保持部３１０よりも上方または下方に移動する際に、第１基板保持部３１０と干渉することがない。

また、第４搬送装置３５は、第１アーム３３０と、第２アーム３４０と、基部３５０とを備える。第１アーム３３０は、水平方向に延在し、先端部において第１基板保持部３１０および第２基板保持部３２０を支持する。具体的には、第１アーム３３０は、第１基板保持部３１０の本体部３１１を支持するとともに、第２基板保持部３２０の昇降部３２３を支持する。また、第１アーム３３０は、内部に回転機構を備えており、かかる回転機構によって第１基板保持部３１０および第２基板保持部３２０を水平軸まわりに回転させる。これにより、第１基板保持部３１０および第２基板保持部３２０は、反転する。

第２アーム３４０は、鉛直方向に延在し、第１アーム３３０の基端部を支持する。かかる第２アーム３４０は、内部に昇降機構を備えており、かかる昇降機構によって第１アーム３３０を鉛直方向に沿って移動させることで、第１基板保持部３１０および第２基板保持部３２０を昇降させることができる。

第２アーム３４０の基端部は、基部３５０によって支持される。基部３５０は、内部に回転機構を備えており、かかる回転機構によって第２アーム３４０を鉛直軸まわりに回転させることで、第１基板保持部３１０および第２基板保持部３２０を旋回させることができる。

つづいて、第４搬送装置３５による被処理基板Ｗの搬送動作について説明する。まず、第３受渡ステーション１３の位置合わせ装置に載置された被処理基板Ｗを第１基板保持部３１０を用いて保持する動作について図１０Ａを参照して説明する。図１０Ａは、第３受渡ステーション１３の位置合わせ装置に載置された重合基板Ｔを第１基板保持部３１０を用いて保持する動作の説明図である。

図１０Ａに示すように、第３受渡ステーション１３には、第１処理室１３＿１と第２処理室１３＿２と上下に並べて配置される。

第１処理室１３＿１には、位置合わせ装置４１０が配置される。位置合わせ装置４１０は、上述したように、被処理基板Ｗの中心位置および円周方向の位置を整える。かかる位置合わせ装置４１０は、被処理基板Ｗよりも小径のステージ４１１を備える。

第４搬送装置３５は、昇降部３２３を用いて第２基板保持部３２０を第１基板保持部３１０よりも上方に位置させた状態で、第１処理室１３＿１へ進入する。つづいて、第４搬送装置３５は、第２アーム３４０を用いて第１基板保持部３１０を所定の位置まで降下させた後、爪部３１２を動作させることによって被処理基板Ｗの外周部を把持する。

その後、第４搬送装置３５は、第２アーム３４０を用いて第１基板保持部３１０を上昇させた後、基部３５０を用いて第１基板保持部３１０を旋回させる。これにより、被処理基板Ｗは、第１処理室１３＿１から搬出されて、貼付装置９０のステージ９１の上方に位置される。

つづいて、第１基板保持部３１０を用いて保持した被処理基板Ｗを貼付装置９０のステージ９１に載置する動作について図１０Ｂを参照して説明する。図１０Ｂは、第１基板保持部３１０を用いて保持した被処理基板Ｗを貼付装置９０のステージ９１に載置する動作の説明図である。

図１０Ｂに示すように、第４搬送装置３５は、第２アーム３４０を用いて第１基板保持部３１０を降下させて、第１基板保持部３１０に保持された被処理基板Ｗをステージ９１に当接させる。そして、第４搬送装置３５は、爪部３１２を動作させて被処理基板Ｗを把持した状態を解除し、貼付装置９０は、ステージ９１を用いて被処理基板Ｗを吸着保持する。これにより、被処理基板Ｗは、貼付装置９０のステージ９１に保持された状態となる。その後、第４搬送装置３５は、第２アーム３４０を用いて第１基板保持部３１０を所定の位置まで上昇させる。

なお、ステージ９１には、各爪部３１２に対応する位置に凹部９１ａが形成されており、被処理基板Ｗをステージ９１に載置する際に、爪部３１２がステージ９１に接触しないように構成されている。

つづいて、貼付装置９０によってダイシングフレームＦが取り付けられた後の被処理基板Ｗを第２基板保持部３２０を用いて保持する動作について図１１Ａを用いて説明する。図１１Ａは、ダイシングフレームＦが取り付けられた後の被処理基板Ｗを第２基板保持部３２０を用いて保持する動作の説明図である。

図１１Ａに示すように、第４搬送装置３５は、昇降部３２３を用いて第２基板保持部３２０を第１基板保持部３１０よりも下方に移動させることにより、第１基板保持部３１０の爪部３１２よりも第２基板保持部３２０の吸着部３２２が下方に位置した状態とする。

つづいて、第４搬送装置３５は、第２アーム３４０を用いて第２基板保持部３２０を降下させ、吸着部３２２を用いてダイシングフレームＦを吸着保持する。その後、ステージ９１は被処理基板Ｗの吸着保持を解除し、第４搬送装置３５は、第２アーム３４０を用いて第２基板保持部３２０を上昇させる。そして、第４搬送装置３５は、基部３５０を用いて第２基板保持部３２０を旋回させる。これにより、被処理基板Ｗは、貼付ステーション１４から搬出されて、第３受渡ステーション１３の第２処理室＿２へ搬入される。

つづいて、第２基板保持部３２０を用いて保持した被処理基板Ｗを第２処理室１３＿２のＤＦステージへ載置する動作について図１１Ｂを用いて説明する。図１１Ｂは、第２基板保持部３２０を用いて保持した被処理基板Ｗを第２処理室１３＿２のＤＦステージへ載置する動作の説明図である。

図１１Ｂに示すように、第２処理室１３＿２には、ＤＦステージ４２０が設置される。ＤＦステージ４２０には、たとえばダイシングフレームＦの四隅に対応し、かつ、第２基板保持部３２０の吸着部３２２と干渉しない位置にピン４２１がそれぞれ設けられている。

第４搬送装置３５は、第２基板保持部３２０を第２処理室１３＿２へ進入させた後、第１アーム３３０を用いて第２基板保持部３２０を反転させる。これにより、被処理基板Ｗの板面が上面に位置した状態となる。

つづいて、第４搬送装置３５は、昇降部３２３を用いて第２基板保持部３２０を降下させて、被処理基板ＷをＤＦステージ４２０のピン４２１上に載置する。これにより、被処理基板Ｗは、ＤＦステージ４２０に載置された状態となる。

なお、ここでは、第１処理室１３＿１の上部に第２処理室１３＿２が配置される場合の例を示しているが、第１処理室１３＿１の下部に第２処理室１３＿２が配置されてもよい。また、ここでは、第２基板保持部３２０を第２処理室１３＿２へ進入させた後、第１アーム３３０を用いて第２基板保持部３２０を反転させることとしたが、第４搬送装置３５は、第２基板保持部３２０を第２処理室１３＿２へ進入させる前に、第２基板保持部３２０を反転させてもよい。これにより、第２処理室１３＿２の高さを低く抑えることができる。

＜２−５．第３搬送装置＞
次に、第１受渡ステーション２５に設置される第３搬送装置５０の構成について図１２を参照して説明する。図１２は、第３搬送装置５０の構成を示す摸式側面図である。

図１２に示すように、第３搬送装置５０は、支持基板Ｓを保持するベルヌーイチャック５１を備える。ベルヌーイチャック５１は、吸着面に設けられた噴射口から支持基板Ｓの板面へ向けて気体を噴射させ、吸着面と支持基板Ｓの板面との間隔に応じて気体の流速が変化することに伴う負圧の変化を利用して支持基板Ｓを非接触状態で保持する。

また、第３搬送装置５０は、第１アーム５２と第２アーム５３と基部５４とを備える。第１アーム５２は、水平方向に延在し、先端部においてベルヌーイチャック５１を支持する。第２アーム５３は、鉛直方向に延在し、先端部において第１アーム５２の基端部を支持する。

第２アーム５３の基端部は、基部５４によって支持される。基部５４には、第２アーム５３を回転および昇降させる駆動機構が設けられている。かかる駆動機構を用いて第２アーム５３を回転または昇降させることにより、ベルヌーイチャック５１を鉛直軸回りに旋回または昇降させることができる。

なお、第２アーム５３の先端部には、第１アーム５２を水平軸回りに回転させる駆動機構が設けられており、かかる駆動機構を用いて第１アーム５２を水平軸回りに回転させることにより、ベルヌーイチャック５１を反転させることができる。

第３搬送装置５０は、上記のように構成されており、制御装置６０の制御に基づき、剥離後の支持基板Ｓを剥離装置３から受け取って第１洗浄装置８０へ渡す受渡処理を行う。

具体的には、第３搬送装置５０は、ベルヌーイチャック５１を用い、剥離装置３の第２保持部３１１によって保持された支持基板Ｓを上方から保持する。つづいて、第３搬送装置５０は、第２アーム５３を鉛直軸回りに回転させることによってベルヌーイチャック５１を旋回させる。これにより、ベルヌーイチャック５１に保持された支持基板Ｓが剥離ステーション１５から第１受渡ステーション２５を経由して第２洗浄ステーション２６へ移動する。

そして、第３搬送装置５０は、第２アーム５３を降下させることにより、ベルヌーイチャック５１を降下させて、ベルヌーイチャック５１に保持された支持基板Ｓを第２洗浄装置へ載置する。これにより、支持基板Ｓは、接合面Ｓｊが上方を向いた状態で第２洗浄装置へ載置され、第２洗浄装置によって接合面Ｓｊが洗浄される。

上述してきたように、第１の実施形態に係る剥離システム１は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接合された重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する剥離システムであって、重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗに対する処理を行う第１処理ブロック１０と、重合基板Ｔまたは剥離後の支持基板Ｓに対する処理を行う第２処理ブロック２０とを備える。第１処理ブロック１０は、第１搬送装置３０と、剥離ステーション１５と、第１洗浄ステーション１６と、貼付ステーション１４と、搬出ステーション１１とを備える。第１搬送装置３０は、重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗを搬送する。剥離ステーション１５は、第１搬送装置３０によって搬送された重合基板Ｔを、この重合基板Ｔを加熱しながら被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの接合面に沿ってずらすことによって、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する剥離装置３が設置される。第１洗浄ステーション１６は、第１搬送装置３０によって搬送された剥離後の被処理基板Ｗを洗浄する第１洗浄装置８０が設置される。貼付ステーション１４は、被処理基板Ｗよりも大径の開口部Ｆａを有するダイシングフレームＦと、このダイシングフレームＦの開口部Ｆａに配置された剥離後の被処理基板Ｗの板面とに対してダイシングテープＰを貼り付ける貼付装置９０が配置される。搬出ステーション１１は、ダイシングフレームＦおよびダイシングテープＰが取り付けられた被処理基板Ｗが載置される。

また、第２処理ブロック２０は、第２洗浄ステーション２６と、第１受渡ステーション２５と、搬入出ステーション２１と、第２搬送装置４０と、第２受渡ステーション２４とを備える。第２洗浄ステーション２６は、剥離後の支持基板Ｓを洗浄する第２洗浄装置が設置される。第１受渡ステーション２５は、第２洗浄ステーション２６と剥離ステーション１５との間に配置され、剥離後の支持基板Ｓを剥離ステーション１５から受け取って第２洗浄ステーション２６へ渡す。搬入出ステーション２１は、重合基板Ｔまたは剥離後の支持基板Ｓが載置される。第２搬送装置４０は、第２洗浄装置によって洗浄された支持基板Ｓまたは搬入出ステーション２１に載置された重合基板Ｔを搬送する。第２受渡ステーション２４は、第２搬送装置によって搬送された重合基板Ｔを受け取って第１搬送装置３０へ渡す。そして、第１処理ブロック１０および第２処理ブロック２０は、第１受渡ステーション２５および第２受渡ステーション２４によって接続される。したがって、剥離システム１によれば、スループットの向上を図ることができる。

（第２の実施形態）
ところで、上述した第１の実施形態では、剥離システム１が、重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの接合面に沿って水平にずらすことによって、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離するタイプの剥離装置３を備える場合の例について説明したが、剥離システムは、他のタイプの剥離装置をさらに備えていてもよい。

かかる場合、剥離システムは、他のタイプの剥離装置（第２剥離装置）を上述した剥離装置３の上段または下段に配置すればよい。このように配置することで、第１受渡ステーション２５に設置される第３搬送装置５０は、第２アーム５３（図１２参照）を昇降させることによって、剥離装置３および第２剥離装置の双方から剥離後の支持基板Ｓを搬出することができる。

ここで、第２剥離装置の一例として、支持基板Ｓの外周部の一部を被処理基板Ｗの接合面から離す方向へ鉛直向きに移動させることによって被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを剥離するタイプの剥離装置について図１３を参照して説明する。図１３は、第２の実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

図１３に示すように、剥離装置５は、処理部１００を備える。処理部１００の側面には、搬入出口（図示せず）が形成され、この搬入出口を介して、ＤＦ付重合基板Ｔの処理部１００への搬入や、剥離後の被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの処理部１００からの搬出が行われる。搬入出口には、たとえば開閉シャッタが設けられ、この開閉シャッタによって処理部１００と他の領域とが仕切られ、パーティクルの進入が防止される。なお、搬入出口は、第１搬送領域１２に隣接する側面と第１受渡ステーション２５に隣接する側面とにそれぞれ設けられる。

剥離装置５は、第１保持部１１０と、上側ベース部１２０と、局所移動部１３０と、移動機構１４０とを備える。また、剥離装置５は、第２保持部１５０と、フレーム保持部１６０と、下側ベース部１７０と、回転機構１８０とを備える。これらは、処理部１００の内部に配置される。

第１保持部１１０は、上側ベース部１２０によって上方から支持される。上側ベース部１２０は移動機構１４０に支持されており、移動機構１４０が上側ベース部１２０を鉛直方向に移動させることによって、第１保持部１１０は鉛直方向に昇降する。

第２保持部１５０は、第１保持部１１０の下方に配置され、フレーム保持部１６０は、第２保持部１５０の外方に配置される。これら第２保持部１５０およびフレーム保持部１６０は、下側ベース部１７０によって下方から支持される。下側ベース部１７０は回転機構１８０に支持されており、回転機構１８０が下側ベース部１７０を鉛直軸回りに回転させることによって、第２保持部１５０およびフレーム保持部１６０は、鉛直軸回りに回転する。

かかる剥離装置５では、第１保持部１１０がＤＦ付重合基板Ｔを上方から保持するとともに、第２保持部１５０がＤＦ付重合基板Ｔを下方から保持し、局所移動部１３０が、第１保持部１１０の外周部の一部を第２保持部１５０から離す方向へ移動させる。これにより、剥離装置５は、支持基板Ｓを、その外周部から中心部へ向けて被処理基板Ｗから連続的に剥離させることができる。以下、各構成要素について具体的に説明する。

第１保持部１１０は、ＤＦ付重合基板Ｔを構成する支持基板Ｓを吸着保持する保持部である。かかる第１保持部１１０は、後述する局所移動部１３０によって引っ張られた際に、その形状を柔軟に変化させることができるように、柔軟性を有する部材で形成される。ここで、第１保持部１１０の具体的な構成について図１４Ａおよび図１４Ｂを参照して説明する。図１４Ａは、第１保持部１１０の構成を示す摸式斜視図であり、図１４Ｂは、吸着パッドの構成を示す摸式平面図である。

図１４Ａに示すように、第１保持部１１０は、薄板状の本体部１１１と、本体部１１１の表面に貼り付けられた吸着パッド１１２とを備える。本体部１１１は、たとえば板バネなどの弾性部材で形成され、吸着パッド１１２は、樹脂部材で形成される。

本体部１１１は、ＤＦ付重合基板Ｔと略同径の円盤部１１１ａを有し、かかる円盤部１１１ａの下面に吸着パッド１１２が貼り付けられる。

円盤部１１１ａの外周部には、引張部１１１ｂが設けられており、かかる引張部１１１ｂの先端に、後述する局所移動部１３０のシリンダ１３２を取り付けるための取付部１１１ｂ１が形成される。

また、円盤部１１１ａの外周部には、複数の固定部１１１ｃが設けられる。固定部１１１ｃは、後述する上側ベース部１２０に設けられる支持部材１２１に対応する位置に設けられており、かかる支持部材１２１に固定される。第１保持部１１０は、固定部１１１ｃが上側ベース部１２０の支持部材１２１に固定されることによって、上側ベース部１２０に支持される。

なお、ここでは、円盤部１１１ａに対して固定部１１１ｃが５個設けられる場合の例を示したが、円盤部１１１ａに設けられる固定部１１１ｃの個数は、５個に限定されない。

吸着パッド１１２は、ＤＦ付重合基板Ｔの吸着領域が形成された円盤状の樹脂部材である。吸着パッド１１２の吸着領域は、図１４Ｂに示すように、中心から径方向に伸びる複数の直線Ｌ１，Ｌ２と複数の円弧ａ１〜ａ３とによって、複数の個別領域Ｒ１〜Ｒ４に分割される。

各個別領域Ｒ１〜Ｒ４には、吸気口１１３ａ〜１１３ｄがそれぞれ形成されており、各吸気口１１３ａ〜１１３ｄは、図１３に示す吸気管１１３を介して真空ポンプなどの吸気装置１１４と接続される。第１保持部１１０は、吸気装置１１４の吸気によって各吸気口１１３ａ〜１１３ｄからＤＦ付重合基板Ｔを構成する支持基板Ｓを吸引することによって、支持基板Ｓを個別領域Ｒ１〜Ｒ４ごとに吸着保持する。

このように、吸着パッド１１２の吸着領域を複数の個別領域Ｒ１〜Ｒ４に分割し、個別領域Ｒ１〜Ｒ４ごとに支持基板Ｓを吸着保持することにより、たとえば一部の個別領域で空気漏れ等が生じた場合であっても、他の個別領域によって支持基板Ｓを適切に保持しておくことができる。

また、各個別領域Ｒ１〜Ｒ４は、剥離の進行方向ｄの基端側に設けられる個別領域よりも進行方向ｄの先端側に設けられる個別領域が大きく形成される。たとえば、個別領域Ｒ１〜Ｒ３は、剥離の進行方向ｄに沿って個別領域Ｒ１、個別領域Ｒ２、個別領域Ｒ３の順に配置されており、個別領域Ｒ１よりも個別領域Ｒ２が大きく、個別領域Ｒ２よりも個別領域Ｒ３が大きく形成される。

吸着領域が小さくなるほど、その吸着領域における吸着力は大きくなるため、上記のように構成することにより、剥離の進行方向ｄの基端側に配置される個別領域Ｒ１の吸着力を他の個別領域Ｒ２〜Ｒ４と比較して大きくすることができる。これにより、また、剥離の進行方向ｄの基端側の領域は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを剥離する際に最も大きな力が必要となる領域である。したがって、かかる領域の吸着力を高めることにより、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを確実に剥離させることができる。

また、各個別領域Ｒ１〜Ｒ４の吸気口１１３ａ〜１１３ｄを、剥離の進行方向ｄに沿って並べて形成することで、剥離動作中に支持基板Ｓをより確実に保持しておくことができる。

なお、ここでは、線Ｌ１，Ｌ２を直線としたが、線Ｌ１，Ｌ２は必ずしも直線であることを要しない。また、ここでは、各吸気口１１３ａ〜１１３ｄに対して１つの吸気装置１１４が接続される場合の例を示したが、吸気口１１３ａ〜１１３ｄごとに吸気装置を設けてもよい。

図１３に戻り、剥離装置５の構成についての説明を続ける。第１保持部１１０の上方には、上側ベース部１２０が第１保持部１１０と空隙を介して対向配置される。上側ベース部１２０の下面には複数の支持部材１２１が第１保持部１１０へ向けて突設される。かかる支持部材１２１と第１保持部１１０の固定部１１１ｃとが固定されることによって、第１保持部１１０は、上側ベース部１２０に支持された状態となる。

局所移動部１３０は、第１保持部１１０の外周部の一部を第２保持部１５０から離す方向へ移動させる。具体的には、局所移動部１３０は、上側ベース部１２０に固定された本体部１３１と、基端部が本体部１３１に固定され、本体部１３１によって鉛直方向に沿って昇降するシリンダ１３２とを備える。シリンダ１３２の先端部は、第１保持部１１０の本体部１１１に設けられた引張部１１１ｂの取付部１１１ｂ１（図１４Ａ参照）に固定される。

かかる局所移動部１３０は、本体部１３１を用いてシリンダ１３２を鉛直上方に移動させることにより、シリンダ１３２に固定された引張部１１１ｂを鉛直上方へ移動させる。これにより、第１保持部１１０に保持された支持基板Ｓの外周部の一部が鉛直上方へ移動し、第２保持部１５０に保持された被処理基板Ｗから剥離される。

また、局所移動部１３０には、ロードセル１３３が設けられており、局所移動部１３０は、シリンダ１３２にかかる負荷をロードセル１３３によって検出することができる。局所移動部１３０は、ロードセル１３３による検出結果に基づいて、支持基板Ｓにかかる鉛直上向きの力を制御しながら、第１保持部１１０を引っ張ることができる。

ところで、剥離装置５では、第１保持部１１０の本体部１１１に形成される複数の固定部１１１ｃのうち全てを支持部材１２１に固定したり、あるいは、一部のみを固定したりすることにより、局所移動部１３０による第１保持部１１０の移動量を調整することができる。かかる点について、図１５Ａおよび図１５Ｂを参照して説明する。図１５Ａおよび図１５Ｂは、第１保持部１１０の本体部１１１の摸式平面図である。

たとえば、図１５Ａに示すように、第１保持部１１０の本体部１１１に設けられた５個の固定部１１１ｃの全てを支持部材１２１に固定した場合、第１保持部１１０が局所移動部１３０によって移動可能な領域Ｒは、剥離の進行方向ｄの基端からこの基端に最も近い２つの固定部１１１ｃまでの領域に制限される。これに対し、図１５Ｂに示すように、剥離の進行方向ｄの基端側に設けられた２つの固定部１１１ｃから支持部材１２１を取り外すことにより、第１保持部１１０が局所移動部１３０によって移動可能な領域Ｒを図１５Ａに示す場合よりも大きくすることができる。

このように、固定部１１１ｃは、第１保持部１１０を上側ベース部１２０に固定する機能だけでなく、本体部１１１の外周部の周方向に沿って複数設けられ、支持部材１２１に固定されることによって局所移動部１３０による第１保持部１１０の移動を制限する機能も有する。

図１３に戻り、剥離装置５の構成についての説明を続ける。上側ベース部１２０の上方には、移動機構１４０が配置される。移動機構１４０は、処理部１００の天井部に固定された本体部１４１と、基端部が本体部１４１に固定されて本体部１４１によって鉛直方向に沿って昇降する駆動手段１４２とを備える。駆動手段１４２としては、たとえばモータやシリンダ等を用いることができる。駆動手段１４２の先端部は、上側ベース部１２０に固定される。

かかる移動機構１４０は、本体部１４１を用いて駆動手段１４２を鉛直上方に移動させることにより、駆動手段１４２に固定された上側ベース部１２０を鉛直方向に沿って移動させる。これにより、上側ベース部１２０に支持された第１保持部１１０および局所移動部１３０が昇降する。

第１保持部１１０の下方には、第２保持部１５０が対向配置される。第２保持部１５０は、ＤＦ付重合基板Ｔを構成する被処理基板ＷをダイシングテープＰを介して吸着保持する。

第２保持部１５０は、円盤状の本体部１５１と、本体部１５１を支持する支柱部材１５２とを備える。支柱部材１５２は、下側ベース部１７０に支持される。

本体部１５１は、たとえばアルミニウムなどの金属部材で構成される。かかる本体部１５１の上面には、吸着面１５１ａが設けられる。吸着面１５１ａは、ＤＦ付重合基板Ｔと略同径であり、ＤＦ付重合基板Ｔの下面、すなわち、被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎと当接する。この吸着面１５１ａは、たとえば炭化ケイ素等の多孔質体や多孔質セラミックで形成される。

本体部１５１の内部には、吸着面１５１ａを介して外部と連通する吸引空間１５１ｂが形成される。吸引空間１５１ｂは、吸気管１５３を介して真空ポンプなどの吸気装置１５４と接続される。

第２保持部１５０は、吸気装置１５４の吸気によって発生する負圧を利用し、被処理基板Ｗの非接合面ＷｎをダイシングテープＰを介して吸着面１５１ａに吸着させることによって、被処理基板Ｗを保持する。なお、第２保持部１５０として、ポーラスチャックを用いる例を示したが、これに限定されるものではない。たとえば、第２保持部１５０として、静電チャックを用いるようにしてもよい。

第２保持部１５０の外方には、フレーム保持部１６０が配置される。フレーム保持部１６０は、ダイシングフレームＦを下方から保持する。かかるフレーム保持部１６０は、ダイシングフレームＦを吸着保持する複数の吸着部１６１と、吸着部１６１を支持する支持部材１６２と、下側ベース部１７０に固定され、支持部材１６２を鉛直方向に沿って移動させる移動機構１６３とを備える。

吸着部１６１は、ゴムなどの弾性部材によって形成され、たとえば図８に示すダイシングフレームＦの前後左右の４箇所に対応する位置にそれぞれ設けられる。この吸着部１６１には、吸気口（図示せず）が形成され、この吸気口には支持部材１６２および吸気管１６４を介して真空ポンプなどの吸気装置１６５が接続される。

フレーム保持部１６０は、吸気装置１６５の吸気によって発生する負圧を利用し、ダイシングフレームＦを吸着することによって、ダイシングフレームＦを保持する。また、フレーム保持部１６０は、ダイシングフレームＦを保持した状態で、移動機構１６３によって支持部材１６２および吸着部１６１を鉛直方向に沿って移動させることで、ダイシングフレームＦを鉛直方向に沿って移動させる。

下側ベース部１７０は、第２保持部１５０およびフレーム保持部１６０の下方に配置され、第２保持部１５０およびフレーム保持部１６０を支持する。下側ベース部１７０は、たとえば処理部１００の床面に固定された回転機構１８０によって支持される。かかる回転機構１８０によって下側ベース部１７０が鉛直軸回りに回転することにより、下側ベース部１７０に支持された第２保持部１５０およびフレーム保持部１６０が鉛直軸回りに回転する。

次に、剥離装置５の動作について図１６および図１７Ａ〜１７Ｅを参照して説明する。図１６は、剥離処理の処理手順を示すフローチャートである。また、図１７Ａ〜１７Ｅは、剥離装置５による剥離動作の説明図である。なお、剥離装置５は、制御装置６０の制御に基づき、図１６に示す各処理手順を実行する。

まず、剥離装置５は、第１搬送装置３０によって剥離ステーション１５へ搬入されたＤＦ付重合基板ＴのダイシングフレームＦをフレーム保持部１６０を用いて下方から吸着保持する（ステップＳ２０１）。このとき、ＤＦ付重合基板Ｔは、フレーム保持部１６０によってのみ保持された状態である（図１７Ａ参照）。

つづいて、剥離装置５は、移動機構１６３（図１３参照）を用いてフレーム保持部１６０を降下させる（ステップＳ２０２）。これにより、ＤＦ付重合基板Ｔのうちの被処理基板Ｗが、ダイシングテープＰを介して第２保持部１５０に当接する（図１７Ｂ参照）。その後、剥離装置５は、第２保持部１５０を用いてＤＦ付重合基板Ｔを吸着保持する（ステップＳ２０３）。これにより、ＤＦ付重合基板Ｔは、第２保持部１５０によって被処理基板Ｗが保持され、フレーム保持部１６０によってダイシングフレームＦが保持された状態となる。

つづいて、剥離装置５は、移動機構１４０を用いて第１保持部１１０を降下させる（ステップＳ２０４）。これにより、ＤＦ付重合基板Ｔのうちの支持基板Ｓが、ダイシングテープＰを介して第１保持部１１０に当接する（図１７Ｃ参照）。その後、剥離装置５は、第１保持部１１０を用いてＤＦ付重合基板Ｔを構成する支持基板ＳをダイシングテープＰを介して吸着保持する（ステップＳ２０５）。

つづいて、剥離装置５は、局所移動部１３０を用いて第１保持部１１０の外周部の一部を引っ張る（ステップＳ２０６）。具体的には、局所移動部１３０は、第１保持部１１０の本体部１１１に設けられた引張部１１１ｂをシリンダ１３２の動作によって鉛直上向きに移動させる。これにより、ＤＦ付重合基板Ｔの外周部が鉛直上向きに引っ張られて、支持基板Ｓが、その外周部から中心部へ向けて被処理基板Ｗから連続的に剥離し始める（図１７Ｄ参照）。

ここで、上述したように、第１保持部１１０は、柔軟性を有する部材で形成されるため、局所移動部１３０が第１保持部１１０の引張部１１１ｂを鉛直上向きに引っ張った際に、かかる引っ張りに伴って柔軟に変形する。これにより、剥離装置５は、被処理基板Ｗに対して大きな負荷をかけることなく、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから剥離させることができる。

そして、剥離装置５は、移動機構１４０を用いて第１保持部１１０を上昇させる（ステップＳ２０７）。これにより、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥離する。その後、剥離装置５は、剥離処理を終了する。

なお、剥離装置５は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが剥離した後、回転機構１８０を用いて第２保持部１５０およびフレーム保持部１６０を回転させてもよい。これにより、仮に、支持基板Ｓと被処理基板Ｗとに跨って貼り付いた接着剤Ｇが存在する場合に、かかる接着剤Ｇをねじ切ることができる。

剥離装置５が剥離処理を終えると、第１搬送装置３０は、剥離後の被処理基板Ｗを剥離装置５から搬出して、第１洗浄ステーション１６へ搬送する。このとき、剥離後の被処理基板Ｗは、図１７Ｅに示すように、洗浄すべき接合面Ｗｊが上面に位置した状態で、第２保持部１５０に保持されている。このため、第１搬送装置３０は、剥離後の被処理基板Ｗを剥離装置５から搬出した後、かかる被処理基板Ｗを反転させることなくそのまま第１洗浄ステーション１６へ搬送することができる。

このように、剥離装置５では、第１保持部１１０が、ＤＦ付重合基板Ｔのうち支持基板Ｓを上方から保持し、第２保持部１５０が、ＤＦ付重合基板Ｔのうち被処理基板ＷをダイシングテープＰを介して下方から保持することとした。したがって、剥離装置５によれば、剥離後の被処理基板Ｗを反転させる必要がないため、剥離処理の効率化を図ることができる。

また、剥離装置５は、第１保持部１１０を柔軟性を有する部材で形成することにより、被処理基板Ｗに対して大きな負荷をかけることなく、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから剥離させることができる。このため、支持基板Ｓと被処理基板Ｗとの剥離を効率よく行うことができる。

なお、剥離装置５では、剥離後の支持基板Ｓが、第１保持部１１０によって上面側すなわち非接合面Ｓｎ側を保持された状態となっているため（図１３参照）、第３搬送装置５０は、支持基板Ｓの接合面Ｓｊ側を下方から非接触で保持する。そこで、第３搬送装置５０は、保持した支持基板Ｓを第２洗浄ステーション２６へ搬入した後、支持基板Ｓを反転させて、第２洗浄装置へ載置する。これにより、第３搬送装置５０は、接合面Ｓｊが上方を向いた状態で支持基板Ｓを第２洗浄装置に載置することができる。

また、剥離システムは、第１の実施形態において説明した剥離装置３を備えず、上述した剥離装置５のみを備える構成であってもよい。

なお、上述した剥離装置５を用いる場合には、貼付ステーション１４においてダイシングフレーム取付処理を行った後、ＤＦ付重合基板Ｔを剥離ステーション１５へ搬送すればよい。また、ここでは、剥離装置５が、ＤＦ付重合基板Ｔの剥離処理を行う場合の例について説明したが、剥離装置５は、ダイシングフレームＦが取り付けられる前の重合基板Ｔの剥離処理を行うことも可能である。

（第３の実施形態）
上述した剥離装置において、さらにＤＦ付重合基板Ｔの剥離を促すために、たとえば刃物等の鋭利部材を用いてＤＦ付重合基板Ｔの側面に切り込みを入れてもよい。以下では、鋭利部材を用いてＤＦ付重合基板Ｔの側面に切り込みを入れる場合の例について説明する。

図１８は、第３の実施形態に係る剥離装置の構成を示す摸式側面図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

図１８に示すように、第３の実施形態に係る剥離装置５Ａは、第２の実施形態に係る剥離装置５の構成に加え、計測部２１０と、切込部２２０と、位置調整部２３０とをさらに備える。計測部２１０および位置調整部２３０は、たとえば上側ベース部１２０に設けられ、切込部２２０は、ＤＦ付重合基板Ｔの側方において位置調整部２３０によって支持される。

計測部２１０は、たとえばレーザ変位計であり、所定の測定基準位置から第２保持部１５０の保持面までの距離または測定基準位置と第２保持部１５０の保持面との間に介在する物体までの距離を計測する。計測部２１０による計測結果は、制御装置６０（図１参照）へ送信される。

切込部２２０は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの接合部分、つまり、接着剤Ｇの部分に対して切り込みを入れる。ここで、切込部２２０の構成について図１９を参照して説明する。図１９は、切込部２２０の構成を示す摸式斜視図である。

図１９に示すように、切込部２２０は、本体部２２１と、鋭利部材２２２と、気体噴出部２２３とを備える。

本体部２２１は、重合基板Ｔ等の基板の側面に合わせて弓なりに形成される。かかる本体部２２１の右側部２２１Ｒには固定部２２４を介して鋭利部材２２２が取り付けられ、中央部２２１Ｃには気体噴出部２２３が取り付けられる。

鋭利部材２２２は、たとえば刃物であり、先端がＤＦ付重合基板Ｔへ向けて突出するように位置調整部２３０に支持される。かかる鋭利部材２２２を被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの接合部分である接着剤Ｇへ進入させ、接着剤Ｇに切り込みを入れることにより、ＤＦ付重合基板Ｔの剥離の起点を生成することができる。

第３の実施形態において、鋭利部材２２２は片刃の刃物であり、刃先角を形成する傾斜面が上面側、すなわち、支持基板Ｓ側に設けられる。このように、支持基板Ｓ側に鋭利部材２２２の傾斜面を向ける、言い換えれば、被処理基板Ｗ側に鋭利部材２２２の平坦面を向けることにより、鋭利部材２２２を接着剤Ｇへ進入させた場合に、製品基板である被処理基板Ｗへのダメージを抑えることができる。

なお、刃物としては、たとえば、カミソリ刃やローラ刃あるいは超音波カッター等を用いることができる。また、セラミック樹脂系の刃物あるいはフッ素コーティングされた刃物を用いることで、ＤＦ付重合基板Ｔに対して切り込みを入れた際のパーティクルの発生を抑えることができる。固定部２２４は、右側部２２１Ｒに対して着脱自在であり、切込部２２０は、固定部２２４を取り替えることにより、鋭利部材２２２の交換を容易に行うことができる。

なお、ここでは、本体部２２１の右側部２２１Ｒにのみ鋭利部材２２２を取り付けた場合の例を示したが、切込部２２０は、本体部２２１の左側部２２１Ｌにも鋭利部材２２２を備えていてもよい。切込部２２０は、右側部２２１Ｒと左側部２２１Ｌとで、異なる種類の鋭利部材２２２を備えていてもよい。

気体噴出部２２３は、鋭利部材２２２によって切り込みが入れられた接合部分の切り込み箇所へ向けて空気や不活性ガス等の気体を噴出する。すなわち、気体噴出部２２３は、鋭利部材２２２による切り込み箇所からＤＦ付重合基板Ｔの内部へ気体を注入することにより、ＤＦ付重合基板Ｔの剥離をさらに促進させる。

図１８に戻り、位置調整部２３０について説明する。位置調整部２３０は、駆動装置２３１とロードセル２３２とを備える。駆動装置２３１は、切込部２２０を鉛直方向または水平方向に沿って移動させる。位置調整部２３０は、かかる駆動装置２３１を用いて切込部２２０を鉛直方向へ移動させることにより、切込部２２０の接着剤Ｇへの切り込み位置を調整する。また、位置調整部２３０は、駆動装置２３１を用いて切込部２２０を水平方向へ移動させることにより、鋭利部材２２２の先端を接着剤Ｇへ進入させる。また、ロードセル２３２は、切込部２２０にかかる負荷を検知する。

鋭利部材２２２の接着剤Ｇへの進入は、上記駆動装置２３１およびロードセル２３２を用いて制御されるが、かかる点については、後述する。

また、第３の実施形態に係る制御装置６０（図１参照）は、図示しない記憶部に、外部装置によって予め取得されたＤＦ付重合基板Ｔの厚みに関する情報（以下、「事前厚み情報」と記載する）を記憶する。かかる事前厚み情報には、ＤＦ付重合基板Ｔの厚み、被処理基板Ｗの厚み、支持基板Ｓの厚み、接着剤Ｇの厚みおよびダイシングテープＰの厚みが含まれる。

制御装置６０は、計測部２１０から取得した計測結果と、記憶部に記憶された事前厚み情報とに基づき、接着剤Ｇの厚み範囲内に収まるように切込部２２０の切り込み位置を決定する。そして、制御装置６０は、決定した切り込み位置に鋭利部材２２２の先端が位置するように位置調整部２３０を制御して切込部２２０を移動させる。かかる位置調整処理の具体的な内容については、後述する。

フレーム保持部１６０は、図１８に示すように、第２保持部１５０よりも低い位置でダイシングフレームＦを保持する。これにより、第２保持部１５０に保持されたＤＦ付重合基板Ｔへ向けて切込部２２０が移動するためのスペースを確保することができる。

次に、第３の実施形態に係る剥離装置５Ａが実行する切込部２２０の位置調整処理について図２０および図２１Ａ，２１Ｂを参照して説明する。図２０は、切込部２２０の位置調整処理の処理手順を示すフローチャートである。また、図２１Ａおよび図２１Ｂは、剥離装置５Ａの動作説明図である。なお、剥離装置５Ａは、制御装置６０の制御に基づき、図２０に示す各処理手順を実行する。

図２０に示すように、剥離装置５Ａは、まず、切込部診断処理を行う（ステップＳ３０１）。かかる切込部診断処理では、計測部２１０を用い、鋭利部材２２２の損傷（たとえば、刃こぼれ等）の有無が診断される。

具体的には、図２１Ａに示すように、剥離装置５Ａは、位置調整部２３０を用いて切込部２２０を水平方向へ移動させながら、計測部２１０を用いて鋭利部材２２２の上面までの距離Ｄ１を計測し、計測結果を制御装置６０へ送信する。そして、制御装置６０は、たとえば距離Ｄ１の変化率が所定の範囲を超える場合、あるいは、新品の鋭利部材２２２を用いて予め計測しておいた基準距離と距離Ｄ１との誤差が所定の範囲を超える場合に、鋭利部材２２２が損傷していると判定する。

ステップＳ３０１の切込部診断処理において鋭利部材２２２が損傷していると判定された場合（ステップＳ３０２，Ｙｅｓ）、剥離装置５Ａは、その後の処理を中止する（ステップＳ３０３）。このように、剥離装置５Ａは、切込部２２０を水平移動させた場合における、測定基準位置から切込部２２０までの距離Ｄ１の変化に基づいて鋭利部材２２２の損傷を検出する。これにより、損傷した鋭利部材２２２を用いてＤＦ付重合基板Ｔへの切り込みを行うことで、被処理基板Ｗにダメージを与えてしまうことを未然に防ぐことができる。

一方、ステップＳ３０１の切込部診断処理において鋭利部材２２２の損傷が検出されなかった場合（ステップＳ３０２，Ｎｏ）、剥離装置５Ａは、計測部２１０を用いて第２保持部１５０の保持面までの距離Ｄ２（図２１Ｂ参照）を計測する（ステップＳ３０４）。このとき、剥離装置５Ａには、ＤＦ付重合基板Ｔが未だ搬入されていない状態である。

なお、図２１Ｂに示すＤＦ付重合基板Ｔの厚みＤ４、被処理基板Ｗの厚みＤ４ｗ、接着剤Ｇの厚みＤ４g、支持基板Ｓの厚みＤ４ｓおよびダイシングテープＰの厚みＤ４pは、事前厚み情報として制御装置６０の記憶部に記憶された情報である。

つづいて、剥離装置５Ａは、第１搬送装置３０によって剥離ステーション１５へ搬入されたＤＦ付重合基板ＴのダイシングフレームＦをフレーム保持部１６０を用いて下方から吸着保持する（ステップＳ３０５）。さらに、剥離装置５Ａは、移動機構１６３（図１３参照）を用いてフレーム保持部１６０を降下させる（ステップＳ３０６）。これにより、ＤＦ付重合基板Ｔのうちの被処理基板Ｗが、ダイシングテープＰを介して第２保持部１５０に当接する。その後、剥離装置５Ａは、第２保持部１５０を用いてＤＦ付重合基板Ｔを吸着保持する（ステップＳ３０７）。これにより、ＤＦ付重合基板Ｔは、第２保持部１５０によって被処理基板Ｗが保持され、フレーム保持部１６０によってダイシングフレームＦが保持された状態となる。

その後、剥離装置５Ａは、第２保持部１５０によって吸着保持されたＤＦ付重合基板Ｔの上面、すなわち、支持基板Ｓの非接合面Ｓｎまでの距離Ｄ３（図２１Ｂ参照）を計測する（ステップＳ３０８）。かかる計測結果は、制御装置６０へ送信される。制御装置６０は、計測部２１０の計測結果より算出されるＤＦ付重合基板Ｔの厚み（Ｄ２−Ｄ３）と、事前厚み情報に含まれるＤＦ付重合基板Ｔの厚み（Ｄ４）との差が所定範囲内であるか否かを判定する。

ここで、計測部２１０の計測結果より算出されるＤＦ付重合基板Ｔの厚み（Ｄ２−Ｄ３）と、事前厚み情報（Ｄ４）との誤差が所定範囲を超える場合には、たとえば本来搬入されるべきＤＦ付重合基板Ｔとは異なるＤＦ付重合基板Ｔが誤って搬入された可能性がある。このような場合には、事前厚み情報に基づき算出される接着剤Ｇの厚み範囲が実際の厚み範囲からずれ、鋭利部材２２２の先端が被処理基板Ｗや支持基板Ｓに接触して被処理基板Ｗや支持基板Ｓが損傷するおそれがある。このため、計測部２１０の計測結果を用いて算出されるＤＦ付重合基板Ｔの厚みと、事前厚み情報に含まれるＤＦ付重合基板Ｔの厚みとの誤差が所定範囲内を超える場合には（ステップＳ３０９，Ｎｏ）、剥離装置５Ａは、その後の処理を中止する（ステップＳ３０３）。

一方、事前厚み情報との誤差が所定範囲内である場合（ステップＳ３０９，Ｙｅｓ）、制御装置６０は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの接合部分である接着剤Ｇの厚み範囲を事前厚み情報に基づいて算出する。

たとえば、図２１Ｂに示すように、計測部２１０の測定基準位置から第１保持部１１０の保持面、すなわち、吸着パッド１１２の下面までの距離をＤ５とすると、第１保持部１１０によってＤＦ付重合基板Ｔが吸着保持された場合における接着剤Ｇの厚み範囲は、Ｄ５＋Ｄ４ｗ〜Ｄ５＋Ｄ４ｗ＋Ｄ４ｇとなる。そして、制御装置６０は、かかる厚み範囲内に切込部２２０の切り込み位置を決定する。たとえば、制御装置６０は、上記厚み範囲の中央であるＤ５＋Ｄ４ｗ＋Ｄ４ｇ／２を切り込み位置として決定する。なお、測定基準位置から本体部１１１の下面までの距離Ｄ５は、図示しない記憶部に予め記憶されているものとする。

制御装置６０によって切込部２２０の切り込み位置が決定されると、剥離装置５Ａは、制御装置６０の制御に基づき、位置調整部２３０を用いて切込部２２０を移動させることによって、接着剤Ｇの厚み範囲内に切込部２２０の切り込み位置を調整する（ステップＳ３１０）。すなわち、剥離装置５Ａは、制御装置６０によって決定された切り込み位置に鋭利部材２２２の先端が位置するように、位置調整部２３０を用いて切込部２２０を鉛直方向に移動させる。

その後、剥離装置５Ａは、図１６のステップＳ２０４以降の処理を行う。そして、剥離装置５Ａは、ステップＳ２０６において局所移動部１３０を用いて第１保持部１１０の外周部の一部を引っ張る際に、位置調整部２３０を用いて切込部２２０を水平移動させることによって鋭利部材２２２を接着剤Ｇへ進入させる。これにより、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの接合部分である接着剤Ｇに切り込みが入り、局所移動部１３０によるＤＦ付重合基板Ｔの剥離が促進される。

なお、鋭利部材２２２の接着剤Ｇへの進入距離は、たとえば２ｍｍ程度である。また、鋭利部材２２２を接着剤Ｇへ進入させるタイミングは、ステップＳ２０５とステップＳ２０６との間でもよいし、ステップＳ２０６とステップＳ２０７との間でもよし、ステップＳ２０６と同時でもよい。

また、上述したように、鋭利部材２２２の接着剤Ｇのへの進入は、上記駆動装置２３１およびロードセル２３２を用いて制御される。具体的には、鋭利部材２２２は、駆動装置２３１によって所定の速度で接着剤Ｇへ進入する。また、切り込み開始位置（鋭利部材２２２の先端が接着剤Ｇに接触した位置）がロードセル２３２によって検知され、かかる切り込み開始位置から予めプログラムされた量だけ、駆動装置２３１を用いて鋭利部材２２２を進入させる。

このように、第３の実施形態に係る剥離装置５Ａは、切込部２２０による接着剤Ｇへの切り込みを行うことにより、ＤＦ付重合基板Ｔの剥離の起点を生成することができる。

また、第３の実施形態に係る剥離装置５Ａは、計測部２１０の計測結果と事前厚み情報とに基づいて切込部２２０の位置を調整することとしたため、鋭利部材２２２の先端を接着剤Ｇへより確実に進入させることができる。

すなわち、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび接着剤Ｇは非常に薄いため、切込部２２０の位置合わせを肉眼で行うことは困難である。これに対し、計測部２１０を用いることとすれば、接着剤Ｇの位置を容易に且つ正確に検出して切込部２２０の切り込み位置を合わせることができる。また、カメラ等による画像認識によって切り込み位置を確認することも考えられるが、重合基板Ｔ等の基板の側面部は曲面であるため焦点が合い難く、基板からの反射があり、接着剤Ｇも透明であるため、画像認識により接着剤Ｇの位置を確認することは難しい。これに対し、計測部２１０を用いることとすれば、上記のような問題点を生じることなく、接着剤Ｇの位置を容易に確認することができる。

また、切込部２２０は、測定基準位置から第２保持部１５０の保持面までの距離Ｄ２と測定基準位置から第１保持部１１０に保持されたＤＦ付重合基板Ｔまでの距離Ｄ３とを用いて算出されるＤＦ付重合基板Ｔの厚みと、予め取得されたＤＦ付重合基板Ｔの厚みとの差が所定の範囲内である場合に、接着剤Ｇへの切り込みを行う。これにより、鋭利部材２２２による被処理基板Ｗや支持基板Ｓの損傷を未然に防ぐことができる。

なお、ここでは、鋭利部材２２２が片刃の刃物である場合の例について説明したが、鋭利部材は両刃の刃物であってもよい。また、必ずしも刃物である必要はなく、皮下針等の管状の針体やワイヤー等であってもよい。

ところで、第３の実施形態に係る剥離装置５Ａは、計測部２１０を用いて、第２保持部１５０の傾きを検出することもできる。具体的には、剥離装置５Ａは、第２保持部１５０を回転機構１８０によって回転させながら、測定基準位置から第２保持部１５０の保持面までの距離Ｄ２（図２１Ｂ参照）を計測する。そして、剥離装置５Ａは、かかる距離Ｄ２の変化量が所定以上である場合、たとえば２０μｍ以上である場合には、第２保持部１５０の保持面が傾斜していると判定し、その後の処理を中止する。

このように、剥離装置５Ａは、第２保持部１５０を回転させた場合における、測定基準位置から第２保持部１５０の保持面までの距離Ｄ２の変化に基づいて第２保持部１５０の保持面の傾斜を検出することもできる。

第２保持部１５０の保持面が傾斜している場合、事前厚み情報を用いて算出される接着剤Ｇの厚み範囲と実際の接着剤Ｇの厚み範囲とに誤差が生じ、鋭利部材２２２を接着剤Ｇに対して適切に進入させることができない可能性がある。そこで、第２保持部１５０の保持面が傾斜している場合に、その後の処理を中止することで、鋭利部材２２２による被処理基板Ｗや支持基板Ｓの損傷を未然に防ぐことができる。なお、第２保持部１５０の傾きを検出する処理は、ＤＦ付重合基板Ｔが剥離装置５Ａへ搬入される前に行えばよい。

（第４の実施形態）
ところで、上述してきた剥離装置は、第１保持部が、中心から径方向に伸びる複数の線と、複数の円弧とによって吸着領域が分割された吸着パッド１１２（図１４Ｂ参照）を備える場合の例について説明した。しかし、第１保持部が備える吸着パッドの構成は、これに限ったものではない。そこで、以下では、第１保持部が備える吸着パッドの他の構成例について図２２Ａ〜２２Ｃを参照して説明する。図２２Ａ〜２２Ｃは、吸着パッドの他の構成例を示す摸式平面図である。

図２２Ａに示すように、吸着パッド１１２Ａの吸着領域は、剥離の進行方向ｄに対して直交する線で分割されてもよい。図２２Ａに示す例では、吸着パッド１１２Ａの吸着領域が、剥離の進行方向ｄに対して直交する２つの直線Ｌ３，Ｌ４によって個別領域Ｒ５〜Ｒ７に分割される。

このように、吸着パッドの吸着領域は、剥離の進行方向ｄに対して直交する線で分割されてもよい。なお、かかる構成の吸着パッドは、一方向から剥離する場合に好適である。

なお、図１４Ｂに示す吸着パッド１１２と同様、吸着パッド１１２Ａの各個別領域Ｒ５〜Ｒ７には、吸気口１１４ａ〜１１４ｃがそれぞれ形成され、各吸気口１１４ａ〜１１４ｃは、吸気管を介して吸気装置へ接続される。これにより、図１４Ｂに示す吸着パッド１１２同様、支持基板Ｓを適切に保持しておくことができる。

また、図１４Ｂに示す吸着パッド１１２と同様、各個別領域Ｒ５〜Ｒ７は、剥離の進行方向ｄの基端側に設けられる個別領域Ｒ５よりも進行方向ｄの先端側に設けられる個別領域Ｒ７が大きく形成される。これにより、図１４Ｂに示す吸着パッド１１２と同様、剥離動作中における支持基板Ｓの第１保持部１１０からの剥がれ落ちを防止することができる。

ここでは、吸着パッド１１２Ａの吸着領域を３つの個別領域Ｒ５〜Ｒ７に分割する場合の例を示したが、吸着領域の分割数は、３つに限定されない。

また、図２２Ｂに示すように、吸着パッド１１２Ｂの吸着領域は、格子状に分割されてもよい。図２２Ｂでは、吸着パッド１１２Ｂの吸着領域が９つの個別領域Ｒ８〜Ｒ１６に分割される場合の例を示している。図１４Ｂに示す吸着パッド１１２と同様、各個別領域Ｒ８〜Ｒ１６には、吸気口１１５ａ〜１１５ｉがそれぞれ形成され、各吸気口１１５ａ〜１１５ｉは、吸気管を介して吸気装置へ接続される。

このように、吸着パッドの吸着領域は、格子状に分割されてもよい。なお、ここでは、吸着パッド１１２Ｂの吸着領域を分割する直線が、剥離の進行方向ｄに対して斜めである場合の例を示したが、吸着パッドは、剥離の進行方向ｄに対して平行な直線と、剥離の進行方向ｄに直行する直線とによって格子状に分割されてもよい。

また、上述してきた各実施形態では、剥離の進行方向が１方向である場合の例について説明したが、局所移動部１３０を複数設けることによって複数の方向から剥離を行なってもよい。

かかる場合には、図２２Ｃに示すように、中心から径方向に伸びる複数の線によって吸着パッドの吸着領域を剥離の進行方向ｄ１〜ｄ３ごとに分割し、さらに、進行方向ごとに分割された各吸着領域を円弧によってさらに複数の個別領域に分割してもよい。たとえば、図２２Ｃに示す吸着パッド１１２Ｃの吸着領域は、剥離の進行方向ｄ１〜ｄ３ごとに３つに分割され、さらに、各進行方向に対応する吸着領域が円弧によって３つの分割領域に分割されている。

具体的には、進行方向ｄ１に対応する吸着領域は、個別領域Ｒ１７〜Ｒ１９に分割され、進行方向ｄ２に対応する吸着領域は、個別領域Ｒ２０〜Ｒ２２に分割され、進行方向ｄ３に対応する吸着領域は、個別領域Ｒ２３〜Ｒ２５に分割される。各個別領域Ｒ１７〜Ｒ２５には、吸気口１１６ａ〜１１６ｃ、１１７ａ〜１１７ｃ、１１８ａ〜１１８ｃがそれぞれ形成され、各吸気口１１６ａ〜１１６ｃ、１１７ａ〜１１７ｃ、１１８ａ〜１１８ｃは、吸気管を介して吸気装置へ接続される。なお、吸気口１１６ａ〜１１６ｃ、１１７ａ〜１１７ｃ、１１８ａ〜１１８ｃは、単一の吸気装置に接続されてもよいし、剥離の進行方向ｄ１〜ｄ３ごとに設けられた吸気装置にそれぞれ接続されてもよい。

（第５の実施形態）
ところで、上述した剥離システムは、図１に示す処理ステーション以外の処理ステーションをさらに備えていてもよい。かかる場合の剥離システムの例について図２３を用いて説明する。図２３は、第５の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。

図２３に示すように、第５の実施形態に係る剥離システム１Ａは、上述した剥離システム１が備える第１処理ブロック１０に代えて、第１処理ブロック１０Ａを備える。そして、第１処理ブロック１０Ａは、第１処理ブロック１０の構成に加え、第３洗浄ステーション１７と、反転ステーション１８とを備える。具体的には、剥離システム１Ａは、剥離システム１が備える第１搬送領域１２よりもＸ軸方向に長い第１搬送領域１２Ａを備え、かかる第１搬送領域１２ＡのＹ軸方向正方向側に第３洗浄ステーション１７が、Ｙ軸方向不方向側に反転ステーション１８がそれぞれ追加される。

第３洗浄ステーション１７には、被処理基板Ｗの裏面、すなわち、非接合面Ｗｎを洗浄する第３洗浄装置が設置される。第３洗浄装置は、たとえば図６Ａ，６Ｂに示す第１洗浄装置８０と同様の洗浄装置である。また、反転ステーション１８には、第３受渡ステーション１３に設置される反転装置と同様の反転装置が設置される。

かかる剥離システム１Ａでは、たとえば第１洗浄ステーション１６において被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの洗浄が行われた後、第３洗浄ステーション１７において被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎの洗浄が行われる。

具体的には、第１搬送装置３０は、制御装置６０の制御に基づき、第１洗浄ステーション１６の第１洗浄装置８０から被処理基板Ｗを搬出して、反転ステーション１８へ搬送する。つづいて、反転ステーション１８では、反転装置が、制御装置６０の制御に基づき、被処理基板Ｗを反転させる。これにより、被処理基板Ｗは、非接合面Ｗｎが上面に位置した状態となる。

つづいて、第１搬送装置３０は、制御装置６０の制御に基づき、反転ステーション１８から反転後の被処理基板Ｗを搬出して、第３洗浄ステーション１７の第３洗浄装置へ搬送する。そして、第３搬送装置は、制御装置６０の制御に基づき、被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎの洗浄を行う。その後の処理は、上述した剥離システム１におけるステップＳ１０６以降の処理と同様である。なお、ここでは、第１洗浄ステーション１６での洗浄処理の後で、第３洗浄ステーション１７での洗浄処理を行うこととしたが、第３洗浄ステーション１７での洗浄処理を行った後で第１洗浄ステーション１６での洗浄処理を行なってもよい。

このように、剥離システム１Ａは、被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎを洗浄する第３洗浄装置が配置される第３洗浄ステーションをさらに備えていてもよい。なお、剥離システムには、第３洗浄ステーション以外にも、たとえば検査装置等を追加することも可能である。検査装置は、被処理基板Ｗに対し、接合面Ｗｊに形成された電子回路に損傷がないか、あるいは、接着剤Ｇの残渣がないか等の表面検査を行う装置である。

ところで、重合基板Ｔには、結晶方向、反り方向、パターン等によって最適な切り込み方向がある。そこで、第２の実施形態では、重合基板Ｔの種類に応じて鋭利部材２２２の周方向の位置を変更することとしてもよい。かかる場合、たとえば、ダイシングフレームＦをフレーム保持部１６０で保持した後、回転機構１８０を所定の位置に回転させることによって鋭利部材２２２の周方向における切り込み位置を調整し、その後、鋭利部材２２２を進入させればよい。これにより、鋭利部材２２２を周方向の任意の位置に設定することができるため、いかなる種類の重合基板Ｔであっても、その重合基板Ｔに応じた最適な位置で切り込みを入れることができる。なお、重合基板Ｔの剥離後は、再び回転機構１８０を回転させて元の回転位置に戻す。

また、第１の回転位置において剥離不能の場合、回転機構１８０を第２の回転位置に回転させて剥離をトライすることも可能である。剥離不能か否かは、たとえば、第１保持部１１０および第２保持部１５０による吸着保持が外れた場合や、回転機構１８０の駆動部にモータを用いた場合にはモータの過負荷などで判定することができる。このようなリトライ機能を設けることで、接着剤Ｇの部分的変質や第１保持部１１０・第２保持部１５０による剥離不能状態が生じた場合であっても、剥離処理を中断することなく完遂させることができる。

上述した実施形態では、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを接着剤Ｇを用いて接合する場合の例について説明したが、接合面Ｗｊ，Ｓｊを複数の領域に分け、領域ごとに異なる接着力の接着剤を塗布してもよい。

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。

１ 剥離システム
３ 剥離装置
１０ 第１処理ブロック
１１ 搬出ステーション
１２ 第１搬送領域
１３ 第３受渡ステーション
１４ 貼付ステーション
１５ 剥離ステーション
１６ 第１洗浄ステーション
２０ 第２処理ブロック
２１ 搬入出ステーション
２２ 第２搬送領域
２３ エッジカットステーション
２４ 第２受渡ステーション
２５ 第１受渡ステーション
２６ 第２洗浄ステーション
３０ 第１搬送装置
３５ 第４搬送装置
４０ 第２搬送装置
５０ 第３搬送装置
６０ 制御装置
Ｆ ダイシングフレーム
Ｐ ダイシングテープ
Ｓ 支持基板
Ｔ 重合基板
Ｗ 被処理基板

Claims (14)

1. 第１基板と第２基板とが接合された重合基板を前記第１基板と前記第２基板とに剥離する剥離システムであって、
   前記重合基板または剥離後の第１基板に対する処理を行う第１処理ブロックと、前記重合基板または剥離後の第２基板に対する処理を行う第２処理ブロックと
   を備え、
   前記第１処理ブロックは、
   前記重合基板または剥離後の第１基板を搬送する第１搬送装置と、
   前記第１搬送装置によって搬送された重合基板を、該重合基板を加熱しながら前記第１基板と前記第２基板との接合面に沿ってずらすことによって、前記第１基板と前記第２基板とに剥離する剥離装置が設置される剥離ステーションと、
   前記第１搬送装置によって搬送された剥離後の第１基板を洗浄する第１洗浄装置が設置される第１洗浄ステーションと、
   前記第１基板よりも大径の開口部を有するフレームと、該フレームの開口部に配置された剥離後の第１基板の板面とに対してテープを貼り付ける貼付装置が配置される貼付ステーションと、
   前記フレームおよび前記テープが取り付けられた第１基板が載置される搬出ステーションと
   を備え、
   前記第２処理ブロックは、
   剥離後の第２基板を洗浄する第２洗浄装置が設置される第２洗浄ステーションと、
   前記第２洗浄ステーションと前記剥離ステーションとの間に配置され、剥離後の第２基板を剥離ステーションから受け取って前記第２洗浄ステーションへ渡す第１受渡ステーションと、
   前記重合基板または剥離後の第２基板が載置される搬入出ステーションと、
   前記第２洗浄装置によって洗浄された第２基板または前記搬入出ステーションに載置された重合基板を搬送する第２搬送装置と、
   前記第２搬送装置によって搬送された重合基板を受け取って前記第１搬送装置へ渡す第２受渡ステーションと
   を備えることを特徴とする剥離システム。
2. 前記第１処理ブロックは、
   前記第１搬送装置が設置される第１搬送領域および前記貼付ステーションに隣接して配置され、前記第１搬送装置によって搬送される剥離後の第１基板が載置される第３受渡ステーション
   をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の剥離システム。
3. 前記貼付ステーションは、
   前記第３受渡ステーションに載置された剥離後の第１基板を保持し、保持した剥離後の第１基板を前記貼付装置へ渡す第４搬送装置がさらに配置されること
   を特徴とする請求項２に記載の剥離システム。
4. 前記第３受渡ステーションは、
   前記剥離後の第１基板の位置合わせを行う位置合わせ装置が設置されることを特徴とする請求項２または３に記載の剥離システム。
5. 前記第３受渡ステーションは、
   前記剥離後の第１基板を反転させる反転装置が設置されることを特徴とする請求項２、３または４に記載の剥離システム。
6. 前記第１搬送装置は、
   前記フレームおよび前記テープが取り付けられた剥離後の第１基板を保持する第１基板保持部と、
   前記フレームおよび前記テープが取り付けられる前の剥離後の第１基板を保持する第２基板保持部と
   を備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の剥離システム。
7. 前記第２基板保持部は、
   前記フレームおよび前記テープが取り付けられる前の剥離後の第１基板を非接触状態で保持する非接触保持部であること
   を特徴とする請求項６に記載の剥離システム。
8. 前記第１基板と前記第２基板とは、接着剤によって接合されており、
   前記第２処理ブロックは、
   前記接着剤の周縁部を溶剤によって溶解させて除去するエッジカット装置が配置されるエッジカットステーション
   をさらに備えることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の剥離システム。
9. 前記第１受渡ステーションは、
   剥離後の第２基板を非接触で保持して搬送する第３搬送装置が設置されること
   を特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の剥離システム。
10. 前記搬出ステーションと前記搬入出ステーションとが、同じ側に配置され、
    前記剥離ステーションと前記第１洗浄ステーションとが、前記第１搬送装置が設置される第１搬送領域を挟んで前記搬出ステーションの反対側に並べて配置され、
    前記第２洗浄ステーションが、前記第２搬送装置が設置される第２搬送領域を挟んで前記搬入出ステーションの反対側に並べて配置されること
    を特徴とする請求項１〜９のいずれか一つに記載の剥離システム。
11. 前記第１受渡ステーションと前記第２受渡ステーションとが、並べて配置されること
    を特徴とする請求項１〜１０のいずれか一つに記載の剥離システム。
12. 前記第２受渡ステーションは、
    処理待ちの前記重合基板を一時的に待機させておく一時待機部が設置される待機ステーションをさらに備えることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一つに記載の剥離システム。
13. 前記剥離ステーションは、
    前記第２基板の外周部の一部を前記第１基板の接合面から離す方向へ鉛直向きに移動させることによって、前記第１基板と前記第２基板とを剥離する第２剥離装置が、前記剥離装置の上段または下段に配置されること
    を特徴とする請求項１〜１２のいずれか一つに記載の剥離システム。
14. 前記第１洗浄装置は、
    前記第１基板の接合面を洗浄するものであって、
    前記第１処理ブロックは、
    前記第１基板の非接合面を洗浄する第３洗浄装置が配置される第３洗浄ステーション
    をさらに備えることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一つに記載の剥離システム。

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