JPH09148238A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH09148238A JPH09148238A JP32965195A JP32965195A JPH09148238A JP H09148238 A JPH09148238 A JP H09148238A JP 32965195 A JP32965195 A JP 32965195A JP 32965195 A JP32965195 A JP 32965195A JP H09148238 A JPH09148238 A JP H09148238A
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- Japan
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- heating
- wafers
- cooling
- wafer
- sequentially
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数のウエハに対して光照射、加熱及び冷却
の処理を行う際、設置床面積が小さく、処理条件の変更
が簡単で、かつ、処理能力が高い装置を得る。 【解決手段】 第１搬送アーム８１によりウエハキャリ
ア１からウエハ９を紫外線照射部３に順次搬送し、３枚
のウエハ９に各々独立して紫外線を照射する。照射後の
各ウエハ９を第２搬送アーム８２により回転移送部４の
搬入口６に順次搬送する。回転移送部４では複数の載置
板４１ａ〜４１ｈが鉛直面に沿った循環経路で回転移動
しており、各ウエハ９を載置板４１ａ〜４１ｈに載置し
て順次移送する。加熱区間４３で複数の加熱用ランプ４
４により各ウエハ９を所定の温度勾配で順次加熱し、空
冷区間４６でフィルター４７を通過した空気により各ウ
エハ９を順次予冷する。回転移送部４の搬出口７から各
ウエハ９を第３搬送アーム８３により冷却架台５に順次
搬送し、所定温度まで順次冷却する。冷却後の各ウエハ
９を第１搬送アーム８１によりウエハキャリア１に順次
収納する。
の処理を行う際、設置床面積が小さく、処理条件の変更
が簡単で、かつ、処理能力が高い装置を得る。 【解決手段】 第１搬送アーム８１によりウエハキャリ
ア１からウエハ９を紫外線照射部３に順次搬送し、３枚
のウエハ９に各々独立して紫外線を照射する。照射後の
各ウエハ９を第２搬送アーム８２により回転移送部４の
搬入口６に順次搬送する。回転移送部４では複数の載置
板４１ａ〜４１ｈが鉛直面に沿った循環経路で回転移動
しており、各ウエハ９を載置板４１ａ〜４１ｈに載置し
て順次移送する。加熱区間４３で複数の加熱用ランプ４
４により各ウエハ９を所定の温度勾配で順次加熱し、空
冷区間４６でフィルター４７を通過した空気により各ウ
エハ９を順次予冷する。回転移送部４の搬出口７から各
ウエハ９を第３搬送アーム８３により冷却架台５に順次
搬送し、所定温度まで順次冷却する。冷却後の各ウエハ
９を第１搬送アーム８１によりウエハキャリア１に順次
収納する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
工程における例えばフォトレジストパターンの形状改善
や耐熱性向上等の処理に用いられる紫外線ベーク装置の
ような半導体製造装置に関する。
工程における例えばフォトレジストパターンの形状改善
や耐熱性向上等の処理に用いられる紫外線ベーク装置の
ような半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば紫外線ベーク装置には、紫
外線照射、加熱及び冷却等の処理を、複数枚のウエハに
対して同時に行うバッチ式の装置と、１枚のウエハずつ
個別に行う枚葉式の装置とがある。
外線照射、加熱及び冷却等の処理を、複数枚のウエハに
対して同時に行うバッチ式の装置と、１枚のウエハずつ
個別に行う枚葉式の装置とがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
バッチ式装置においては、複数枚のウエハを同時に処理
するので、各処理手段がそれぞれ大型化して装置全体の
設置床面積が大きくなり、しかもウエハカセット毎のウ
エハ処理条件の変更が難しいという問題があった。また
逆に、枚葉式装置においては、ウエハを１枚ずつ処理す
るので、装置全体の設置床面積は比較的小さく、ウエハ
カセット毎のウエハ処理条件の変更も比較的簡単ではあ
るが、ウエハ処理能力が低くなってしまうという問題が
あった。
バッチ式装置においては、複数枚のウエハを同時に処理
するので、各処理手段がそれぞれ大型化して装置全体の
設置床面積が大きくなり、しかもウエハカセット毎のウ
エハ処理条件の変更が難しいという問題があった。また
逆に、枚葉式装置においては、ウエハを１枚ずつ処理す
るので、装置全体の設置床面積は比較的小さく、ウエハ
カセット毎のウエハ処理条件の変更も比較的簡単ではあ
るが、ウエハ処理能力が低くなってしまうという問題が
あった。
【０００４】そこで本発明は、複数の半導体基板に対し
て光照射、加熱及び冷却等の処理を行う際に、設置床面
積が小さく、処理条件の変更が簡単で、かつ、処理能力
が高い半導体製造装置を提供することを目的とする。
て光照射、加熱及び冷却等の処理を行う際に、設置床面
積が小さく、処理条件の変更が簡単で、かつ、処理能力
が高い半導体製造装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による半導体製造装置は、所定波長の光を複
数の半導体基板に対して個別に照射する光照射手段と、
前記光照射手段にて処理された各々の半導体基板をほぼ
鉛直面に沿った循環経路で一方向へ順次移送する移送手
段と、前記移送手段により各々の半導体基板を順次移送
する間に、これら各々の半導体基板を順次加熱する加熱
手段と、前記加熱手段で加熱された各々の半導体基板を
前記移送手段の循環経路を順次移送する間に順次冷却す
る冷却手段と、を具備することを特徴とする。
に、本発明による半導体製造装置は、所定波長の光を複
数の半導体基板に対して個別に照射する光照射手段と、
前記光照射手段にて処理された各々の半導体基板をほぼ
鉛直面に沿った循環経路で一方向へ順次移送する移送手
段と、前記移送手段により各々の半導体基板を順次移送
する間に、これら各々の半導体基板を順次加熱する加熱
手段と、前記加熱手段で加熱された各々の半導体基板を
前記移送手段の循環経路を順次移送する間に順次冷却す
る冷却手段と、を具備することを特徴とする。
【０００６】また、前記の半導体製造装置において、前
記加熱手段は、前記移送手段の循環経路における各々の
半導体基板の移送位置によって、これら各々の半導体基
板の温度上昇の勾配を制御可能に構成されていることを
特徴とする。
記加熱手段は、前記移送手段の循環経路における各々の
半導体基板の移送位置によって、これら各々の半導体基
板の温度上昇の勾配を制御可能に構成されていることを
特徴とする。
【０００７】また、前記各々の半導体製造装置におい
て、前記加熱手段が、加熱後の各々の半導体基板を前記
冷却手段による冷却の前に予め順次冷却する予冷機能を
有することを特徴とする。
て、前記加熱手段が、加熱後の各々の半導体基板を前記
冷却手段による冷却の前に予め順次冷却する予冷機能を
有することを特徴とする。
【０００８】さらに、前記各々の半導体製造装置におい
て、前記移送手段は、各々の半導体基板を所定間隔を置
いて順次載置する複数の載置部を有し、これら複数の載
置部を前記循環経路に沿って一方向へ回転駆動させるよ
うに構成されていることを特徴とする。
て、前記移送手段は、各々の半導体基板を所定間隔を置
いて順次載置する複数の載置部を有し、これら複数の載
置部を前記循環経路に沿って一方向へ回転駆動させるよ
うに構成されていることを特徴とする。
【０００９】
【作用】上記のように構成された本発明においては、複
数の半導体基板の各々に対して、光照射手段による例え
ば紫外線の個別照射、その後の移送手段による移送時に
加熱手段による加熱、その後の冷却手段による冷却が行
われるので、各手段の小型化が可能で、処理条件の変更
も簡単に行うことができる。特に、各々の半導体基板の
加熱が移送手段による移送の間に行われ、しかも、その
移送がほぼ鉛直面に沿った循環経路で行われるので、ス
ペースファクターを大幅に向上させることができる。ま
た、各々の半導体基板を各処理の途中で待機させること
なく、光照射、加熱、冷却が順次行われるので、スルー
プットを著しく高めることができる。
数の半導体基板の各々に対して、光照射手段による例え
ば紫外線の個別照射、その後の移送手段による移送時に
加熱手段による加熱、その後の冷却手段による冷却が行
われるので、各手段の小型化が可能で、処理条件の変更
も簡単に行うことができる。特に、各々の半導体基板の
加熱が移送手段による移送の間に行われ、しかも、その
移送がほぼ鉛直面に沿った循環経路で行われるので、ス
ペースファクターを大幅に向上させることができる。ま
た、各々の半導体基板を各処理の途中で待機させること
なく、光照射、加熱、冷却が順次行われるので、スルー
プットを著しく高めることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を紫外線ベーク装置
に適用した実施の形態について図１及び図２を用いて説
明する。図１は装置の概略平面図、図２は装置の処理動
作順に展開した概略正面図である。
に適用した実施の形態について図１及び図２を用いて説
明する。図１は装置の概略平面図、図２は装置の処理動
作順に展開した概略正面図である。
【００１１】まず、図１に示すように、本装置は、複数
枚のウエハ９が収納されたウエハキャリア１を載置可能
で上下に移動される架台２（本実施形態では２台配置）
と、例えば３枚のウエハ９に各々独立して紫外線を照射
できる積層型の紫外線照射部３と、紫外線照射後の各ウ
エハ９をほぼ鉛直な面に沿って配設された循環経路で順
次移送する回転移送部４と、この回転移送部４において
各ウエハ９を順次加熱及び空冷する温度制御手段と、加
熱及び空冷後の各ウエハ９を順次冷却する冷却架台５
と、ウエハ９をウエハキャリア１から紫外線照射部３へ
搬送すると共に冷却架台５からウエハキャリア１へ搬送
する第１搬送アーム８１と、ウエハ９を紫外線照射部３
から回転移送部４の搬入口６へ搬送する第２搬送アーム
８２と、ウエハ９を回転移送部４の搬出口７から冷却架
台５へ搬送する第３搬送アーム８３とを備えて構成され
ている。
枚のウエハ９が収納されたウエハキャリア１を載置可能
で上下に移動される架台２（本実施形態では２台配置）
と、例えば３枚のウエハ９に各々独立して紫外線を照射
できる積層型の紫外線照射部３と、紫外線照射後の各ウ
エハ９をほぼ鉛直な面に沿って配設された循環経路で順
次移送する回転移送部４と、この回転移送部４において
各ウエハ９を順次加熱及び空冷する温度制御手段と、加
熱及び空冷後の各ウエハ９を順次冷却する冷却架台５
と、ウエハ９をウエハキャリア１から紫外線照射部３へ
搬送すると共に冷却架台５からウエハキャリア１へ搬送
する第１搬送アーム８１と、ウエハ９を紫外線照射部３
から回転移送部４の搬入口６へ搬送する第２搬送アーム
８２と、ウエハ９を回転移送部４の搬出口７から冷却架
台５へ搬送する第３搬送アーム８３とを備えて構成され
ている。
【００１２】次に、本装置において、ウエハキャリア１
から所望のウエハ９を順次取り出し、紫外線照射部３、
回転移送部４、冷却架台５において順次処理する動作に
ついて、図２を参照して説明する。
から所望のウエハ９を順次取り出し、紫外線照射部３、
回転移送部４、冷却架台５において順次処理する動作に
ついて、図２を参照して説明する。
【００１３】ウエハキャリア１から第１搬送アーム８１
により取り出されたウエハ９ａは、紫外線照射部３の第
１照射台３０ａに載置され、第１照射台３０ａの真上に
取付けられた第１紫外線ランプ３１ａにて紫外線が所定
時間、例えば２０〜１００秒間照射される。第１搬送ア
ーム８１は、ウエハ９ａを第１照射台３０ａに載置した
後、ウエハキャリア１から次のウエハ９ｂを第２照射台
３０ｂに載置し、さらにウエハキャリア１から次のウエ
ハ９ｃを第３照射台３０ｃに載置する。そして、第１照
射台３０ａと同様に、第２照射台３０ｂ及び第３照射台
３０ｃ上のウエハ９ｂ及び９ｃに、第２紫外線ランプ３
１ｂ及び第３紫外線ランプ３１ｃによって紫外線が所定
時間照射される。各々のウエハ９への紫外線照射が独立
しているので、照射時間は適宜に変更することが可能で
ある。なお、紫外線照射部３は、ウエハ９への紫外線照
射効率を向上させると共に紫外線が外部に漏洩するのを
防止するため、内面が鏡面状態の保護カバー３２により
覆われ、各照射台３０ａ、３０ｂ及び３０ｃ毎に設けた
図示しない扉が開閉されて、ウエハ９の搬入及び搬出が
行われる。
により取り出されたウエハ９ａは、紫外線照射部３の第
１照射台３０ａに載置され、第１照射台３０ａの真上に
取付けられた第１紫外線ランプ３１ａにて紫外線が所定
時間、例えば２０〜１００秒間照射される。第１搬送ア
ーム８１は、ウエハ９ａを第１照射台３０ａに載置した
後、ウエハキャリア１から次のウエハ９ｂを第２照射台
３０ｂに載置し、さらにウエハキャリア１から次のウエ
ハ９ｃを第３照射台３０ｃに載置する。そして、第１照
射台３０ａと同様に、第２照射台３０ｂ及び第３照射台
３０ｃ上のウエハ９ｂ及び９ｃに、第２紫外線ランプ３
１ｂ及び第３紫外線ランプ３１ｃによって紫外線が所定
時間照射される。各々のウエハ９への紫外線照射が独立
しているので、照射時間は適宜に変更することが可能で
ある。なお、紫外線照射部３は、ウエハ９への紫外線照
射効率を向上させると共に紫外線が外部に漏洩するのを
防止するため、内面が鏡面状態の保護カバー３２により
覆われ、各照射台３０ａ、３０ｂ及び３０ｃ毎に設けた
図示しない扉が開閉されて、ウエハ９の搬入及び搬出が
行われる。
【００１４】各々の照射台３０ａ、３０ｂ及び３０ｃ毎
に独立して紫外線照射が終了したウエハ９ａ、９ｂ及び
９ｃは、順次、第２搬送アーム８２によって回転移送部
４の搬入口６に搬送される。
に独立して紫外線照射が終了したウエハ９ａ、９ｂ及び
９ｃは、順次、第２搬送アーム８２によって回転移送部
４の搬入口６に搬送される。
【００１５】回転移送部４は、ほぼ鉛直な面に沿って配
設された循環経路を有している。即ち、例えば８個の載
置板４１ａ〜４１ｈが所定の間隔で回転チェーン４２に
支持されており、回転チェーン４２は一方向へ所定の速
度、例えば０．３〜０．５ｒｐｍにて循環駆動されてい
る。これにより、各載置板４１ａ〜４１ｈがほぼ水平状
態で一方向に所定速度で循環移動されており、例えば載
置板４１ａが搬入口６の下方側から上方へ回転移動する
際、搬入口６に搬送されたウエハ９ａが載置される。そ
の後、同様にウエハ９ｂ及び９ｃも、第２搬送アーム８
２によって照射台３０ｂ及び３０ｃから回転移送部４の
搬入口６に順次搬送され、載置板４１ｂ及び４１ｃに順
次載置される。このように、複数の載置板４１ａ〜４１
ｈを一方向へ回転駆動させる簡単な構造で、各々のウエ
ハ９は自動的に載置板４１ａ〜４１ｈに順次載置されて
上方へ順次移送されていく。なお、照射台３０ａ〜３０
ｃからウエハ９が搬出される毎に、第１搬送アーム８１
は順次ウエハキャリア１から照射台３０ａ〜３０ｃにウ
エハ９を搬入する。
設された循環経路を有している。即ち、例えば８個の載
置板４１ａ〜４１ｈが所定の間隔で回転チェーン４２に
支持されており、回転チェーン４２は一方向へ所定の速
度、例えば０．３〜０．５ｒｐｍにて循環駆動されてい
る。これにより、各載置板４１ａ〜４１ｈがほぼ水平状
態で一方向に所定速度で循環移動されており、例えば載
置板４１ａが搬入口６の下方側から上方へ回転移動する
際、搬入口６に搬送されたウエハ９ａが載置される。そ
の後、同様にウエハ９ｂ及び９ｃも、第２搬送アーム８
２によって照射台３０ｂ及び３０ｃから回転移送部４の
搬入口６に順次搬送され、載置板４１ｂ及び４１ｃに順
次載置される。このように、複数の載置板４１ａ〜４１
ｈを一方向へ回転駆動させる簡単な構造で、各々のウエ
ハ９は自動的に載置板４１ａ〜４１ｈに順次載置されて
上方へ順次移送されていく。なお、照射台３０ａ〜３０
ｃからウエハ９が搬出される毎に、第１搬送アーム８１
は順次ウエハキャリア１から照射台３０ａ〜３０ｃにウ
エハ９を搬入する。
【００１６】回転移送部４の搬入口６から上方にかけて
は加熱区間４３となっており、この加熱区間４３に複数
の加熱用ランプ４４、例えば赤外線ランプ、ハロゲンラ
ンプ等が配置されている。これら加熱用ランプ４４の発
熱温度は、最下位置では低温、例えば１００℃に設定さ
れ、上方位置では高温、例えば１３０〜１５０℃に設定
されている。これにより、載置板４１ａ〜４１ｈ上のウ
エハ９が加熱区間４３の最上位置に達するまでに、所定
の温度勾配にて所定温度に達して所定の時間加熱され
る。このように加熱区間４３での加熱に温度勾配をつけ
ておくと、急激な加熱によるレジストのダレ等を効果的
に防止することができる。また、移送される各ウエハ９
毎に温度上昇の勾配を変化させることも可能である。な
お、ウエハ９への加熱効率を向上させるために、加熱用
ランプ４４群の外周囲は、内面が鏡面状態で断熱効果の
高い例えばステンレスで外側にグラスウール等を被施し
た断熱カバー４５にて覆われ、加熱区間４３のウエハ搬
入側及び排出側のみが開口されている。
は加熱区間４３となっており、この加熱区間４３に複数
の加熱用ランプ４４、例えば赤外線ランプ、ハロゲンラ
ンプ等が配置されている。これら加熱用ランプ４４の発
熱温度は、最下位置では低温、例えば１００℃に設定さ
れ、上方位置では高温、例えば１３０〜１５０℃に設定
されている。これにより、載置板４１ａ〜４１ｈ上のウ
エハ９が加熱区間４３の最上位置に達するまでに、所定
の温度勾配にて所定温度に達して所定の時間加熱され
る。このように加熱区間４３での加熱に温度勾配をつけ
ておくと、急激な加熱によるレジストのダレ等を効果的
に防止することができる。また、移送される各ウエハ９
毎に温度上昇の勾配を変化させることも可能である。な
お、ウエハ９への加熱効率を向上させるために、加熱用
ランプ４４群の外周囲は、内面が鏡面状態で断熱効果の
高い例えばステンレスで外側にグラスウール等を被施し
た断熱カバー４５にて覆われ、加熱区間４３のウエハ搬
入側及び排出側のみが開口されている。
【００１７】次に、各載置板４１ａ〜４１ｈに載置され
て所定の温度勾配で加熱処理された各々のウエハ９は、
連続して空冷区間４６に移送される。この空冷区間４６
は循環経路の最上位置から下方へ向かう区間で、上部に
ＨＥＰＡ（High EfficiencyParticulate Air ）フィル
ター４７が設置され、このフィルター４７を通過した清
浄な空気が鉛直方向に層流となるように外装カバー４８
が設置されている。各々のウエハ９は、この空冷区間４
６を下方へ移送されることにより空冷される。このよう
に、回転移送部４での移送時における加熱の後に各ウエ
ハ９を予め冷却しておくと、後の冷却架台５における各
ウエハ９の冷却時間を短縮することができる。そして、
載置板４１ａ〜４１ｈが下方に移動されて搬出口７に到
達すると、搬出口７に待機している第３搬送アーム８３
にウエハ９が移載される。
て所定の温度勾配で加熱処理された各々のウエハ９は、
連続して空冷区間４６に移送される。この空冷区間４６
は循環経路の最上位置から下方へ向かう区間で、上部に
ＨＥＰＡ（High EfficiencyParticulate Air ）フィル
ター４７が設置され、このフィルター４７を通過した清
浄な空気が鉛直方向に層流となるように外装カバー４８
が設置されている。各々のウエハ９は、この空冷区間４
６を下方へ移送されることにより空冷される。このよう
に、回転移送部４での移送時における加熱の後に各ウエ
ハ９を予め冷却しておくと、後の冷却架台５における各
ウエハ９の冷却時間を短縮することができる。そして、
載置板４１ａ〜４１ｈが下方に移動されて搬出口７に到
達すると、搬出口７に待機している第３搬送アーム８３
にウエハ９が移載される。
【００１８】上述のように、回転移送部４の循環経路が
ほぼ鉛直な面に沿って配設されているので、加熱区間４
３及び空冷区間４６の距離を必要十分に確保しながら、
回転移送部４の平面的な占有面積（図１参照）を小さく
することができる。
ほぼ鉛直な面に沿って配設されているので、加熱区間４
３及び空冷区間４６の距離を必要十分に確保しながら、
回転移送部４の平面的な占有面積（図１参照）を小さく
することができる。
【００１９】次に、第３搬送アーム８３によりウエハ９
が冷却架台５に搬送される。冷却架台５は例えば水冷さ
れており表面は約１５℃に保たれているため、冷却架台
５上でウエハ９を１０秒程度放置することにより、ウエ
ハ９は５０℃以下に冷却される。回転移送部４から搬出
されるウエハ９が１枚ずつで、このウエハ９が予冷され
ていることもあって、冷却架台５は１台でよく、この点
からもスペースファクターの向上が図られている。な
お、第３搬送アーム８３はウエハ９を冷却架台５に搬送
したら直ちに回転移送部４の搬出口７に戻り、次の載置
板４１ａ〜４１ｈが下降してきてウエハ９が移載される
のを待機する。
が冷却架台５に搬送される。冷却架台５は例えば水冷さ
れており表面は約１５℃に保たれているため、冷却架台
５上でウエハ９を１０秒程度放置することにより、ウエ
ハ９は５０℃以下に冷却される。回転移送部４から搬出
されるウエハ９が１枚ずつで、このウエハ９が予冷され
ていることもあって、冷却架台５は１台でよく、この点
からもスペースファクターの向上が図られている。な
お、第３搬送アーム８３はウエハ９を冷却架台５に搬送
したら直ちに回転移送部４の搬出口７に戻り、次の載置
板４１ａ〜４１ｈが下降してきてウエハ９が移載される
のを待機する。
【００２０】冷却架台５により冷却されたウエハ９は、
第１搬送アーム８１によって、ウエハキャリア１から取
り出された時と同一溝に収納される。第１搬送アーム８
１は、ウエハキャリア１に対するウエハ９の授受に共用
されているので、機構の簡略化を図ることができる。以
上の動作をウエハキャリア１内の全てのウエハ９が完了
するまで繰り返し行い、本装置における一連の紫外線照
射、加熱及び冷却の処理動作が完了する。
第１搬送アーム８１によって、ウエハキャリア１から取
り出された時と同一溝に収納される。第１搬送アーム８
１は、ウエハキャリア１に対するウエハ９の授受に共用
されているので、機構の簡略化を図ることができる。以
上の動作をウエハキャリア１内の全てのウエハ９が完了
するまで繰り返し行い、本装置における一連の紫外線照
射、加熱及び冷却の処理動作が完了する。
【００２１】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、本発明は上記実施形態に限定されることなく、本
発明の技術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応
用が可能である。例えば、実施形態では回転移送部の循
環経路に加熱区間と空冷区間とを設けたが、加熱だけを
行うものでもよい。また、実施形態では紫外線照射につ
いて説明したが、半導体基板に対する処理に好適な各種
の光を照射することができる。
たが、本発明は上記実施形態に限定されることなく、本
発明の技術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応
用が可能である。例えば、実施形態では回転移送部の循
環経路に加熱区間と空冷区間とを設けたが、加熱だけを
行うものでもよい。また、実施形態では紫外線照射につ
いて説明したが、半導体基板に対する処理に好適な各種
の光を照射することができる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光照射手段により複数の半導体基板に各々独立して所定
波長の光を照射し、照射後の各々の半導体基板を移送手
段によりほぼ鉛直面に沿った循環経路で順次移送しつ
つ、加熱手段により順次加熱、好ましくは連続して順次
予冷し、この後に冷却手段により各々の半導体基板を順
次冷却し、これら各処理手段の間で各々の半導体基板を
効率よく搬送することによって、各手段の小型化が可能
で装置全体の設置床面積が小さく、各々の半導体基板の
処理条件の変更が簡単で、かつ、処理能力が高い半導体
製造装置を得ることができる。
光照射手段により複数の半導体基板に各々独立して所定
波長の光を照射し、照射後の各々の半導体基板を移送手
段によりほぼ鉛直面に沿った循環経路で順次移送しつ
つ、加熱手段により順次加熱、好ましくは連続して順次
予冷し、この後に冷却手段により各々の半導体基板を順
次冷却し、これら各処理手段の間で各々の半導体基板を
効率よく搬送することによって、各手段の小型化が可能
で装置全体の設置床面積が小さく、各々の半導体基板の
処理条件の変更が簡単で、かつ、処理能力が高い半導体
製造装置を得ることができる。
【図１】本発明を紫外線ベーク装置に適用した実施の形
態における装置の概略平面図である。
態における装置の概略平面図である。
【図２】上記実施形態における装置の処理動作順に展開
した概略正面図である。
した概略正面図である。
３ 紫外線照射部 ３０ａ 第１照射台 ３０ｂ 第２照射台 ３０ｃ 第３照射台 ３１ａ 第１紫外線ランプ ３１ｂ 第２紫外線ランプ ３１ｃ 第３紫外線ランプ ４ 回転移送部 ４１ａ〜４１ｈ 載置板 ４３ 加熱区間 ４４ 加熱用ランプ ４６ 空冷区間 ５ 冷却架台 ８１ 第１搬送アーム ８２ 第２搬送アーム ８３ 第３搬送アーム ９、９ａ〜９ｃ ウエハ
Claims (4)
- 【請求項１】 所定波長の光を複数の半導体基板に対し
て個別に照射する光照射手段と、 前記光照射手段にて処理された各々の半導体基板をほぼ
鉛直面に沿った循環経路で一方向へ順次移送する移送手
段と、 前記移送手段により各々の半導体基板を順次移送する間
に、これら各々の半導体基板を順次加熱する加熱手段
と、 前記加熱手段で加熱された各々の半導体基板を前記移送
手段の循環経路を順次移送する間に順次冷却する冷却手
段と、を具備することを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記加熱手段は、前記移送手段の循環経
路における各々の半導体基板の移送位置によって、これ
ら各々の半導体基板の温度上昇の勾配を制御可能に構成
されていることを特徴とする請求項１記載の半導体製造
装置。 - 【請求項３】 前記加熱手段が、加熱後の各々の半導体
基板を前記冷却手段による冷却の前に予め順次冷却する
予冷機能を有することを特徴とする請求項１または２記
載の半導体製造装置。 - 【請求項４】 前記移送手段は、各々の半導体基板を所
定間隔を置いて順次載置する複数の載置部を有し、これ
ら複数の載置部を前記循環経路に沿って一方向へ回転駆
動させるように構成されていることを特徴とする請求項
１、２または３記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32965195A JPH09148238A (ja) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32965195A JPH09148238A (ja) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148238A true JPH09148238A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=18223733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32965195A Withdrawn JPH09148238A (ja) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09148238A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010021358A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Lintec Corp | 光照射装置 |
| JP2010087132A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布現像処理システム |
| US8960266B2 (en) | 2010-11-30 | 2015-02-24 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor wafer transport method and semiconductor wafer transport apparatus |
| CN113161258A (zh) * | 2021-01-08 | 2021-07-23 | 浙江旭盛电子有限公司 | 一种单晶硅抛光片热处理装置 |
-
1995
- 1995-11-24 JP JP32965195A patent/JPH09148238A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010021358A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Lintec Corp | 光照射装置 |
| JP2010087132A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布現像処理システム |
| US8960266B2 (en) | 2010-11-30 | 2015-02-24 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor wafer transport method and semiconductor wafer transport apparatus |
| CN113161258A (zh) * | 2021-01-08 | 2021-07-23 | 浙江旭盛电子有限公司 | 一种单晶硅抛光片热处理装置 |
| CN113161258B (zh) * | 2021-01-08 | 2023-12-12 | 浙江旭盛电子有限公司 | 一种单晶硅抛光片热处理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030204 |