JP2012165026A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理装置は処理ブロックを備え、処理ブロックは積層される複数のセル11、13(12、14)を有する。セルはそれぞれ、処理ユニットBARC、RESIST(DEV)と、主搬送機構を備える。処理ユニットは、液処理ユニットBARC、RESIST(DEV)と熱処理ユニットを含む。液処理ユニットBARC、RESIST(DEV)の側面視におけるレイアウトは、各セル11、13(12、14)の間で略同じである。また、主搬送機構および処理ユニットの平面視におけるレイアウト、および、熱処理ユニットの側面視におけるレイアウトは、それぞれ各セルの間で略同じである。各セルのそれぞれにおいて、基板に行う処理は同じである。
【選択図】図2
Description
すなわち、従来の装置では、ブロック内で一枚の基板を処理するために主搬送機構は5〜10の搬送工程を要し、各搬送工程はそれぞれ数秒程度かかる。仮に搬送工程数を6工程とし、それぞれ5秒かかるとすると、ブロック内のスループットは基板1枚当り30秒(1時間で120枚)まで可能である。しかし、すでに単一の主搬送機構の搬送工程数を低減したり各搬送工程の所要時間を短縮する余地があまりないので、ブロック内のスループットをさらに高めることは困難になってきている。このため、装置全体のスループットを改善することが困難になっているという不都合がある。これに対して、主搬送機構を増やすことが考えられる。しかしながら、ブロック内の主搬送機構の台数を増やすと、それに応じて薬液処理ユニットや加熱部の増加も伴ってフットプリントが増大するという不都合がある。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置であって、処理ブロックを備え、前記処理ブロックは、積層される複数のセルを有し、前記セルはそれぞれ、基板に処理を行う処理ユニットと、搬送スペースに設けられ、前記処理ユニットに基板を搬送する単一の主搬送機構と、を備え、前記処理ユニットは、基板に液処理を行う液処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニットとを含み、前記液処理ユニットは、前記搬送スペースの一側方に配置され、前記熱処理ユニットは、前記搬送スペースの他側方に配置され、前記主搬送機構および前記処理ユニットの平面視におけるレイアウトは、各セルの間で略同じであり、液処理ユニットの側面視におけるレイアウトは、各セルの間で略同じであり、熱処理ユニットの側面視におけるレイアウトは、各セルの間で略同じであり、各セルのそれぞれにおいて、基板に行う処理は同じである基板処理装置である。
図1は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図2と図3は基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図であり、図4ないし図7は、図1におけるa−a矢視、b−b矢視、c−c矢視およびd−d矢視の各垂直断面図である。
以下、ID部1から順について説明する。カセット載置台9は4個のカセットCを1列に並べて載置可能に構成される。ID用搬送機構TIDはカセット載置台9の側方をカセットCの並び方向に水平移動する可動台21と、可動台21に対して鉛直方向に伸縮する昇降軸23と、この昇降軸23に対して旋回するとともに旋回半径方向に進退して基板Wを保持する保持アーム25とを備えて、各カセットC、載置部PASS1及び載置部PASS3との間で基板Wを搬送可能に構成されている。
基板Wを搬送するための搬送スペースA1は、この第1セル11の中央を通り、セル11、12の並び方向に平行な帯状に形成されている。第1セル11の処理ユニットは、基板Wに処理液を塗布する塗布処理ユニット31と、基板Wに熱処理を行う熱処理ユニット41である。塗布処理ユニット31は搬送スペースA1の一方側に配置されており、他方側には熱処理ユニット41が配置されている。
第3セル13について説明する。なお、第1セル11と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。第3セル13内の主搬送機構T3および処理ユニットの平面視でのレイアウトは第1セル11のそれと略同じである。このため、塗布処理ユニット31は、第1セル11と第3セル13の各階層にわたって上下方向に積層されていると言うことができる。同様に、熱処理ユニット41も各階層にわたって積層されていると言うことができる。また、主搬送機構T3から見た第3セル13の各種処理ユニットの配置も主搬送機構T1から見た第1セル11の各種処理ユニットの配置と略同じである。
第1セル11及び第3セル13に関連する構成についてまとめて説明する。載置部PASS1はID部1と第1セル11との間に配置されている。載置部PASS3はID部1と第3セル13との間に配置されている。平面視では載置部PASS1、PASS3はそれぞれ搬送スペースA1、A3のID部1側に配置されている。断面視では載置部PASS1は主搬送機構T1の下部付近の高さに配置され、載置部PASS3は主搬送機構T3の上部付近の高さに配置されている。このため、載置部PASS1と載置部PASS3との位置が近接しており、ID用搬送機構TIDは少ない昇降量で載置部PASS1と載置部PASS3とに移動することができる。
第2セル12について説明する。第1セル11と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。第2セル12の搬送スペースA2は搬送スペースA1の延長上となるように形成されている。
第1、第2セル11、12と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。第4セル14内の主搬送機構T4および処理ユニットの平面視でのレイアウトは第2セル12のそれと略同じである。また、主搬送機構T4から見た第4セル14の各種処理ユニットの配置も主搬送機構T2から見た第2セル12の各種処理ユニットの配置と略同じである。このため、第2セル12と第4セル14の各現像処理ユニットDEVは上下に積層されている。同様に、第2セル12と第4セル14の各熱処理ユニット42等は上下に積層されている。
第2セル12及び第4セル14に関連する構成も第1、第3セル11、13に関連する構成と略同様であり簡略に説明する。第2、第4セル12、14の搬送スペースA2、A4にも、第1吹出ユニット61や排出ユニット62等に相当する構成がそれぞれ設けられている。また、第2、第4セル12、14の現像処理ユニットDEVには、第2吹出ユニット67や第2気体排出管66等に相当する構成がそれぞれ設けられている。
第1搬送機構TIFAと第2搬送機構TIFBとは、セル11、12(13、14)の並び方向と直交する方向に並んで設けられている。第1搬送機構TIFAは第2、4セル12、14の熱処理ユニット42等が位置する側に配置されている。第2搬送機構TIFBは第2、4セル12、14の現像処理ユニットDEVが位置する側に配置されている。これら第1、第2搬送機構TIFA、TIFBの間には基板Wを載置して冷却する載置部PASS−CPと、基板Wを載置する載置部PASS7と、基板Wを一時的に収容するバッファBFが多段に積層されている。
ID用搬送機構TIDは一のカセットCに対向する位置に移動し、カセットCに収容される一枚の未処理の基板Wを保持アーム25に保持してカセットCから搬出する。ID用搬送機構TIDは保持アーム25を旋回し昇降軸23を昇降して載置部PASS1に対向する位置に移動し、保持している基板Wを載置部PASS1Aに載置する(図8におけるステップS1aに対応する。以下、ステップの番号のみ付記する。)。このとき、載置部PASS1Bには通常、基板Wが載置されており、この基板Wを受け取ってカセットCに収納する(ステップS23)。載置部PASS1Bに基板Wがない場合はそのままカセットCにアクセスする。そして、カセットCに収容される基板Wを載置部PASS3Aへ搬送する(ステップS1b)。ここでも、載置部PASS3Bに基板Wが載置されていれば、この基板WをカセットCに収納する(ステップS23)。
主搬送機構T3の動作は主搬送機構T1の動作と略同じであるので、主搬送機構T1についてのみ説明する。主搬送機構T1は載置部PASS1に対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構T1は直前に載置部PASS2Bから受け取った基板Wを一方の保持アーム57(例えば57b)に保持している。主搬送機構T1は保持している基板Wを載置部PASS1Bに載置するとともに(ステップS22)、他方の保持アーム57(例えば57a)で載置部PASS1Aに載置されている基板Wを保持する。
主搬送機構T4の動作は主搬送機構T2の動作と略同じであるので、主搬送機構T2についてのみ説明する。主搬送機構T2は載置部PASS2に対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構T2は直前にアクセスした冷却ユニットCP2から受け取った基板Wを保持している。主搬送機構T2は保持している基板Wを載置部PASS2Bに載置するとともに(ステップS21)、載置部PASS2Aに載置されている基板Wを保持する(ステップS9)。
第1搬送機構TIFAは載置部PASS5にアクセスし、載置部PASS5Aに載置される基板Wを受け取る(ステップS11a)。第1搬送機構TIFAは受け取った基板Wを保持して載置部PASS−CPに移動し、載置部PASS−CP内に搬入する(ステップS12)。
第2搬送機構TIFBは載置部PASS−CPから基板Wを取り出して、露光機EXPに搬送する。そして、露光機EXPから払い出される露光済みの基板Wを受け取ると、載置部PASS7に搬送する。
3 …処理部
5 …インターフェイス部(IF部)
11 …第1セル
12 …第2セル
13 …第3セル
14 …第4セル
31 …塗布処理ユニット
41 …熱処理ユニット
61 …第1吹出ユニット
61a …第1吹出口
62 …第2排出ユニット
62a …排出口
65 …第2気体供給管
66 …第2気体排出管
91 …メインコントローラ
93〜98 …第1ないし第6コントローラ
BARC …反射防止膜用塗布処理ユニット
RESIST …レジスト膜用塗布処理ユニット
DEV …現像処理ユニット
EEW …エッジ露光ユニット
TID…ID用搬送機構
T1、T2、T3、T4 …主搬送機構
TIF …IF用搬送機構
PASS、PASS−CP …載置部
BF …バッファ
A1、A2、A3、A4 …搬送スペース
EXP …露光機
C …カセット
W …基板
Claims (2)
- 基板に処理を行う基板処理装置であって、
処理ブロックを備え、
前記処理ブロックは、積層される複数のセルを有し、
前記セルはそれぞれ、
基板に処理を行う処理ユニットと、
搬送スペースに設けられ、前記処理ユニットに基板を搬送する単一の主搬送機構と、
を備え、
前記処理ユニットは、基板に液処理を行う液処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニットとを含み、
前記液処理ユニットは、前記搬送スペースの一側方に配置され、
前記熱処理ユニットは、前記搬送スペースの他側方に配置され、
前記主搬送機構および前記処理ユニットの平面視におけるレイアウトは、各セルの間で略同じであり、
液処理ユニットの側面視におけるレイアウトは、各セルの間で略同じであり、
熱処理ユニットの側面視におけるレイアウトは、各セルの間で略同じであり、
各セルのそれぞれにおいて、基板に行う処理は同じである基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記液処理ユニットは、基板にレジスト膜を形成するレジスト膜用塗布処理ユニット、反射防止膜用の処理液を基板に塗布する反射防止膜用塗布処理ユニット、及び、基板を現像する現像処理ユニットの少なくともいずれかを含む基板処理装置。
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