JPH0485812A - 処理装置 - Google Patents
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- JPH0485812A JPH0485812A JP2198690A JP19869090A JPH0485812A JP H0485812 A JPH0485812 A JP H0485812A JP 2198690 A JP2198690 A JP 2198690A JP 19869090 A JP19869090 A JP 19869090A JP H0485812 A JPH0485812 A JP H0485812A
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- wafers
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は半導体製造装置に関する。
(従来の技術)
ホトレジスト加工装置において、塗布スピナ一部、プリ
ベーク部、感光部、現像スピナ一部。
ベーク部、感光部、現像スピナ一部。
ポストベーク間でエアーベアリングを用いたウェハ搬送
装置でウェハを搬送するものとして、特開昭52−27
367号公報がある。また、搬送ベルトを2つのプーリ
ー間に張設し、上記搬送ベルト上に載置されたウェハを
搬送ベルトの移動により搬送するものとして特開昭56
−91427号公報がある。
装置でウェハを搬送するものとして、特開昭52−27
367号公報がある。また、搬送ベルトを2つのプーリ
ー間に張設し、上記搬送ベルト上に載置されたウェハを
搬送ベルトの移動により搬送するものとして特開昭56
−91427号公報がある。
また、ウェハをアームに保持して搬送するロボット部が
レール上移動可能に設けられ、塗布機構、現像機構、熱
処理機構の間でウェハを搬送するものとして特開平1−
209737号公報がある。
レール上移動可能に設けられ、塗布機構、現像機構、熱
処理機構の間でウェハを搬送するものとして特開平1−
209737号公報がある。
(発明が解決しようとする課題)
前記文献からなるホトレジスト加工装置は、ウェハを搬
送路上エアーベアリングを用いて直線的に移動させてお
り、多くの処理装置間ウェハを搬送するため、ウェハの
搬送系路が長く装置全体が大型化して、ウェハの移載時
間が不要に増大して効率が低下するという改善点を有す
る。
送路上エアーベアリングを用いて直線的に移動させてお
り、多くの処理装置間ウェハを搬送するため、ウェハの
搬送系路が長く装置全体が大型化して、ウェハの移載時
間が不要に増大して効率が低下するという改善点を有す
る。
次の文献の搬送ベルトを用いたウェハの搬送方法は、ウ
ェハの搬送系路が直線的に構成されるためウェハの搬送
系路が長く、上記文献と同様に装置が大型化してウェハ
の移載時間が増大して効率が低下するという改善点を有
する。
ェハの搬送系路が直線的に構成されるためウェハの搬送
系路が長く、上記文献と同様に装置が大型化してウェハ
の移載時間が増大して効率が低下するという改善点を有
する。
最後の文献の技術は、複数の処理機構が離間して設けら
れ、上記処理機構間でウェハを搬入搬出するウェハ移載
機構は、ウェハをアームに保持して移載するロボット部
がレール上移動可能に設けられており、ウェハ搬送系路
が長く装置が大型化してウェハの載置時間が不要に増大
して効率が低下するという改善点を有する。
れ、上記処理機構間でウェハを搬入搬出するウェハ移載
機構は、ウェハをアームに保持して移載するロボット部
がレール上移動可能に設けられており、ウェハ搬送系路
が長く装置が大型化してウェハの載置時間が不要に増大
して効率が低下するという改善点を有する。
この発明は上記点に鑑みなされたもので、複数の処理機
構間でウェハを移載する際、ウェハの搬送系路が短かく
装置を小型に構成することが可能で、もってウェハの移
載を短時間で行うことができ装置効率の高い半導体製造
装置を提供するものである。
構間でウェハを移載する際、ウェハの搬送系路が短かく
装置を小型に構成することが可能で、もってウェハの移
載を短時間で行うことができ装置効率の高い半導体製造
装置を提供するものである。
(課題を解決するための手段)
この発明は、ウェハに所定の処理を施す塗布処理部、現
像処理部、加熱処理部および上記処理部にウェハを搬送
する移載機構を備えた半導体製造装置において、少なく
とも上記処理部は上記移載機構を中心とする円周の周囲
に複数配置し一処理平面とし、この処理平面を多段に設
けたものである。
像処理部、加熱処理部および上記処理部にウェハを搬送
する移載機構を備えた半導体製造装置において、少なく
とも上記処理部は上記移載機構を中心とする円周の周囲
に複数配置し一処理平面とし、この処理平面を多段に設
けたものである。
(作用)
この発明は、ウェハ移載機構を中心とする円周の周囲に
処理部を複数設けて一処理平面とし、この処理平面を多
段に設けているため、上記各処理部間でウェハを搬入搬
出する際、同一平面内に設けられた各処理部へのウェハ
搬入搬出は、ウェハ移載機構のウェハを保持するアーム
の水平回転と移動により行うことができ、多段に設けら
れた各処理部へのウェハ搬入搬出は上記アームの水平移
動に加えてウェハ移載機構を昇降移動することにより行
うことができ、ウェハを移載する際のウェハ移動距離が
短かくすることができるようにしたものである。
処理部を複数設けて一処理平面とし、この処理平面を多
段に設けているため、上記各処理部間でウェハを搬入搬
出する際、同一平面内に設けられた各処理部へのウェハ
搬入搬出は、ウェハ移載機構のウェハを保持するアーム
の水平回転と移動により行うことができ、多段に設けら
れた各処理部へのウェハ搬入搬出は上記アームの水平移
動に加えてウェハ移載機構を昇降移動することにより行
うことができ、ウェハを移載する際のウェハ移動距離が
短かくすることができるようにしたものである。
(実施例)
以下、本発明に係る半導体製造装置の一実施例について
図面を参照して具体的に説明する。
図面を参照して具体的に説明する。
第1図において処理前の半導体ウェハが25枚収容され
たキャリアを載置するローダ部1と半導体製造装置で所
定の処理が施こされた半導体ウェハが収容されるキャリ
アを載置するアンローダ部2と、図示しない露光装置に
ウェハを搬入搬出するインターフェース部3と、ウェハ
を冷却する冷却部4と、所定のウェハ処理前もしくは処
理後において一時つエバを保管するバッファ部5と、載
置されたウェハの位置調整を行うアライメントステージ
部6とが設けられ、上記各部の間でウェハをアームに保
持して搬入搬出するウェハ搬送部7は水平回転、水平移
動、垂直移動可能に設けられている。
たキャリアを載置するローダ部1と半導体製造装置で所
定の処理が施こされた半導体ウェハが収容されるキャリ
アを載置するアンローダ部2と、図示しない露光装置に
ウェハを搬入搬出するインターフェース部3と、ウェハ
を冷却する冷却部4と、所定のウェハ処理前もしくは処
理後において一時つエバを保管するバッファ部5と、載
置されたウェハの位置調整を行うアライメントステージ
部6とが設けられ、上記各部の間でウェハをアームに保
持して搬入搬出するウェハ搬送部7は水平回転、水平移
動、垂直移動可能に設けられている。
また、半導体ウェハにフォトレジストを塗布処理するレ
ジスト塗布機構8と、塗布されたフォトレジスト中に残
存する溶剤を加熱蒸発処理するプリベーク機構9と、露
光されたウェハのフォトレジストを現像処理する現像機
構10と、現像によってパターン形成されたフォトレジ
ストに残留する現像液や洗浄水を蒸発除去しウェハとフ
ォトレジストの密着性を強化処理するためのボストベー
ク機構11とが略同−平面に設けられ、さらに第2図に
示す如く上記各処理機構平面は多段に積み重ねて構成さ
れており、上記各処理機構及び上記アライメントステー
ジ部6の間でウェハを搬入搬出するウェハ移載機構12
が上下方向に2組設けられている。
ジスト塗布機構8と、塗布されたフォトレジスト中に残
存する溶剤を加熱蒸発処理するプリベーク機構9と、露
光されたウェハのフォトレジストを現像処理する現像機
構10と、現像によってパターン形成されたフォトレジ
ストに残留する現像液や洗浄水を蒸発除去しウェハとフ
ォトレジストの密着性を強化処理するためのボストベー
ク機構11とが略同−平面に設けられ、さらに第2図に
示す如く上記各処理機構平面は多段に積み重ねて構成さ
れており、上記各処理機構及び上記アライメントステー
ジ部6の間でウェハを搬入搬出するウェハ移載機構12
が上下方向に2組設けられている。
上記各処理機構は上記ウェハ移載機構12を中心とする
一平面内に例えば同一半径の円周の周囲に設けられてい
る。
一平面内に例えば同一半径の円周の周囲に設けられてい
る。
また、上記ウェハ移載機構12には半導体ウェハを保持
する複数組例えば2組のアーム13が設けられ、これら
アーム13は各々独立に水平方向に伸縮移動可能に構成
されており、上記各処理機構に半導体ウェハを搬入搬出
する際、一方のアーム13で処理済みの半導体ウェハを
上記各処理機構から搬出した後、他方のアーム13に保
持された処理前の半導体ウェハを上記各処理機構に搬入
するようにして効率良くウェハの搬入搬出が可能の如く
構成されている。このようなローディング操作はアーム
13の軸からみて同一平面内で前後動する。この同一平
面に各処理機構で多少の上下動はある。
する複数組例えば2組のアーム13が設けられ、これら
アーム13は各々独立に水平方向に伸縮移動可能に構成
されており、上記各処理機構に半導体ウェハを搬入搬出
する際、一方のアーム13で処理済みの半導体ウェハを
上記各処理機構から搬出した後、他方のアーム13に保
持された処理前の半導体ウェハを上記各処理機構に搬入
するようにして効率良くウェハの搬入搬出が可能の如く
構成されている。このようなローディング操作はアーム
13の軸からみて同一平面内で前後動する。この同一平
面に各処理機構で多少の上下動はある。
2組のウェハ移載機構12の各々上部には例えばHEP
Aフィルタからなる清浄気体流を供給するフィルタ部1
4が設けられ、半導体ウェハを各処理機構へ搬入搬出す
る際ウェハ移載機構12から発生する塵が半導体ウェハ
に付着して半導体素子の歩留りを低下することのないよ
うな例えばダウンフローの清浄気体雰囲気で半導体ウェ
ハの移載ができるように構成されている。
Aフィルタからなる清浄気体流を供給するフィルタ部1
4が設けられ、半導体ウェハを各処理機構へ搬入搬出す
る際ウェハ移載機構12から発生する塵が半導体ウェハ
に付着して半導体素子の歩留りを低下することのないよ
うな例えばダウンフローの清浄気体雰囲気で半導体ウェ
ハの移載ができるように構成されている。
また、第3図に示す如く装置本体と分離可能に構成され
た側板16には、滑車17が設けられ上記側板16の移
動が容易に構成されており、上記側板16には図示しな
いモータによってレール上に各々独立に昇降移動可能に
構成された昇降機構18が2組設けられ、この昇降機構
18に上記ウェハ移載機構12が設けられている。上記
側板16の周囲4ケ所に位置決めピン19が設けられ、
装置本体に設けられて図示しない凹部と嵌合して±10
0.以下の取付再現性が得られ1組立や装置の点検、修
理が容易な如く構成されている。また1例えば上記塗布
機構8は第4図に示す如く点検、修理が容易に行なえる
ように、支持軸20を中心に回転して上記塗布機構8を
装置本体から取り出すことができるように構成されてい
る。
た側板16には、滑車17が設けられ上記側板16の移
動が容易に構成されており、上記側板16には図示しな
いモータによってレール上に各々独立に昇降移動可能に
構成された昇降機構18が2組設けられ、この昇降機構
18に上記ウェハ移載機構12が設けられている。上記
側板16の周囲4ケ所に位置決めピン19が設けられ、
装置本体に設けられて図示しない凹部と嵌合して±10
0.以下の取付再現性が得られ1組立や装置の点検、修
理が容易な如く構成されている。また1例えば上記塗布
機構8は第4図に示す如く点検、修理が容易に行なえる
ように、支持軸20を中心に回転して上記塗布機構8を
装置本体から取り出すことができるように構成されてい
る。
上記プリベーク機構9、現像機構10.ホストベーク機
構11にも上記と同様に支持軸20を中心に回転して上
記各処理機構を取り出し可能に構成されている。
構11にも上記と同様に支持軸20を中心に回転して上
記各処理機構を取り出し可能に構成されている。
以上の如く半導体製造装置は構成されている。
次に上記実施例の半導体製造装置で半導体ウェハを塗布
、露光、現像処理する場合の動作について説明する。ま
ず、ローダ部1に載置されたキャリア内の処理前の半導
体ウェハは、上記搬送部7に設けられたアームに保持し
て搬出され、アライメントステージ部6に搬入載置され
る。
、露光、現像処理する場合の動作について説明する。ま
ず、ローダ部1に載置されたキャリア内の処理前の半導
体ウェハは、上記搬送部7に設けられたアームに保持し
て搬出され、アライメントステージ部6に搬入載置され
る。
アライメントステージ部6に載置された半導体ウェハは
図示しない位置合せ機構により半導体ウェハがアライメ
ントステージ部6の所定の位置に位置決めされ、ウェハ
移載機構12に設けられたアーム13の水平方向の伸縮
と回転動作により半導体ウェハがアーム13に保持して
搬出され、塗布機構8に搬入載置される。塗布機構8に
搬入装置された半導体ウェハは、フォトレジストが塗布
されスピン処理が行なわれ半導体ウェハ表面に均一にフ
ォトレジストが塗布される。
図示しない位置合せ機構により半導体ウェハがアライメ
ントステージ部6の所定の位置に位置決めされ、ウェハ
移載機構12に設けられたアーム13の水平方向の伸縮
と回転動作により半導体ウェハがアーム13に保持して
搬出され、塗布機構8に搬入載置される。塗布機構8に
搬入装置された半導体ウェハは、フォトレジストが塗布
されスピン処理が行なわれ半導体ウェハ表面に均一にフ
ォトレジストが塗布される。
フォトレジストが塗布された半導体ウェハは。
上記と同様にウェハ移載機構12に設けられたアーム1
3の水平方向の伸縮と回転動作により、塗布機構8から
搬出されプリベーク機構9に搬入載置される。
3の水平方向の伸縮と回転動作により、塗布機構8から
搬出されプリベーク機構9に搬入載置される。
プリベーク機構9に載置された半導体ウェハは所定の熱
処理が行なわれ、ウェハ移載機構12により搬出されア
ライメントステージ部6に搬入載置される。アライメン
トステージ部で所定の位置合せが行なわれた半導体ウェ
ハは、搬送部7の所定の動作によりインターフェイス部
3に搬入される。
処理が行なわれ、ウェハ移載機構12により搬出されア
ライメントステージ部6に搬入載置される。アライメン
トステージ部で所定の位置合せが行なわれた半導体ウェ
ハは、搬送部7の所定の動作によりインターフェイス部
3に搬入される。
インターフェイス部3に搬入された半導体ウェハは図示
しない露光装置に搬出され、所定の露光処理が施され、
インターフェイス部に再び搬入される。
しない露光装置に搬出され、所定の露光処理が施され、
インターフェイス部に再び搬入される。
露光処理が施された半導体ウェハは上記と同様の搬送部
7.ウェハ移載機構12の動作により、現像機構10、
ボストベーク機構11で所定のウェハ処理が施された後
、アンローダ部2に載置されたキャリア内に半導体ウェ
ハを搬入載置して一連の塗布、露光、現像処理が終了す
る。
7.ウェハ移載機構12の動作により、現像機構10、
ボストベーク機構11で所定のウェハ処理が施された後
、アンローダ部2に載置されたキャリア内に半導体ウェ
ハを搬入載置して一連の塗布、露光、現像処理が終了す
る。
本実施例では同一の処理機構が複数組多段に設けられて
いるため、処理の終了した上記各処理機構を選択し・て
半導体ウェハを搬入搬出して短時間に多数枚の半導体ウ
ェハを効率良く処理するように構成されている。
いるため、処理の終了した上記各処理機構を選択し・て
半導体ウェハを搬入搬出して短時間に多数枚の半導体ウ
ェハを効率良く処理するように構成されている。
また、例えば清浄化気体を供給するフィルタ部14が設
けられた上部の各処理機構部分を塗布処理工程として、
例えば半導体ウェハの洗浄機構、水分を乾燥除去する疎
水熱処理機構、半導体ウェハとフォトレジスト膜との密
着性を向上するためのHMDS処理機構、そして塗布機
構とプリベーク機構を設け、またフィルタ部14が設け
られた下部各処理機構部分を現像処理工程として、例え
ば現像機構、ポストベーク機構、フォトレジストパター
ンの耐熱性を向上させるためのレジストキュア機構を設
けるようにしてもよい。
けられた上部の各処理機構部分を塗布処理工程として、
例えば半導体ウェハの洗浄機構、水分を乾燥除去する疎
水熱処理機構、半導体ウェハとフォトレジスト膜との密
着性を向上するためのHMDS処理機構、そして塗布機
構とプリベーク機構を設け、またフィルタ部14が設け
られた下部各処理機構部分を現像処理工程として、例え
ば現像機構、ポストベーク機構、フォトレジストパター
ンの耐熱性を向上させるためのレジストキュア機構を設
けるようにしてもよい。
また、処理機構を追加して設ける場合には、上記ウェハ
移載機構12のアーム13の移動範囲内に例えばバッフ
ァ一部21を設け1本実施例の半導体製造装置の側面に
別の処理装置を設けて、半導体ウェハを搬入搬出して処
理を施すようにしてもよい。
移載機構12のアーム13の移動範囲内に例えばバッフ
ァ一部21を設け1本実施例の半導体製造装置の側面に
別の処理装置を設けて、半導体ウェハを搬入搬出して処
理を施すようにしてもよい。
以上説明したように、本実施例の半導体製造装置はウェ
ハ移載機構12を中心とする円周の周囲に複数の処理部
を多段に設けて構成されているため。
ハ移載機構12を中心とする円周の周囲に複数の処理部
を多段に設けて構成されているため。
同一平面上に設けられた処理機構への半導体ウェハの搬
入搬出は上記ウェハ移載機構の水平回転とアーム13の
伸縮動作(前後動作)により行うことができ、多段に積
み重ねられた処理機構へ半導体ウェハを搬入搬出する際
は昇降機構18を作動させればよい。
入搬出は上記ウェハ移載機構の水平回転とアーム13の
伸縮動作(前後動作)により行うことができ、多段に積
み重ねられた処理機構へ半導体ウェハを搬入搬出する際
は昇降機構18を作動させればよい。
上記ウェハ移載機構12の水平回転部分はシール機構を
設は回転部分からの塵が飛散しないように構成されてい
る。またアーム13の伸冷部分はカバーで被われており
上記伸縮部分で発生した塵が半導体ウェハに付着するこ
とを防止するため、上記カバー内をファン等によって負
圧にして装置外に排気するようにしてもよい。
設は回転部分からの塵が飛散しないように構成されてい
る。またアーム13の伸冷部分はカバーで被われており
上記伸縮部分で発生した塵が半導体ウェハに付着するこ
とを防止するため、上記カバー内をファン等によって負
圧にして装置外に排気するようにしてもよい。
上記した動作はマスタコンピュータとローカルコンピュ
ータにより同−水平面内及び垂直方向立体的にプロセス
を実行できプロセスを高速化できる。これらプロセスは
ウェハに設けられてIDコードにより処理工程を記憶し
ておくことができる。
ータにより同−水平面内及び垂直方向立体的にプロセス
を実行できプロセスを高速化できる。これらプロセスは
ウェハに設けられてIDコードにより処理工程を記憶し
ておくことができる。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく本発
明の要旨の範囲内で種々変形実施が可能である。ウェハ
を保持するアームは、ウェハを載置して保持するか、ま
たはウェハの裏面の一部を真空吸着により保持するよう
にしてもよい。
明の要旨の範囲内で種々変形実施が可能である。ウェハ
を保持するアームは、ウェハを載置して保持するか、ま
たはウェハの裏面の一部を真空吸着により保持するよう
にしてもよい。
被処理体は半導体ウェハに限らずガラス基板等でもよく
、形状も円形に限らず、四角形や長方形等どのような形
状でもよい。
、形状も円形に限らず、四角形や長方形等どのような形
状でもよい。
上記の半導体製造装置は液晶基板製造装置の工程におい
ても有効に利用することができる。
ても有効に利用することができる。
以上説明したように、本発明によれば各処理機構間での
ウェハ移載距離を短縮することが可能となり、もってウ
ェハの移載を短時間で効率良く行うことのできる半導体
製造装置を提供することができる。
ウェハ移載距離を短縮することが可能となり、もってウ
ェハの移載を短時間で効率良く行うことのできる半導体
製造装置を提供することができる。
第1図は本発明に係る半導体製造装置の一実施例説明図
、第2図は第1図の側面図、第3図。 第4図は第1図の部分説明図である。 8・・・塗布機構 9・・・プリベーク機構1
0・・・現像機構 11・・・ボストベーク機
構12・・・ウェハ移載機構 第1図 第 図 徨!!決jし°ン 第 図
、第2図は第1図の側面図、第3図。 第4図は第1図の部分説明図である。 8・・・塗布機構 9・・・プリベーク機構1
0・・・現像機構 11・・・ボストベーク機
構12・・・ウェハ移載機構 第1図 第 図 徨!!決jし°ン 第 図
Claims (1)
- ウェハに所定の処理を施す塗布処理部、現像処理部、加
熱処理部および上記処理部にウェハを搬送する移載機構
を備えた半導体製造装置において、少なくとも1つの上
記処理部は上記移載機構を中心とする円周の周囲に複数
配置して一処理平面とし、この処理平面を多段に設けた
ことを特徴とする半導体製造装置。
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