JP2005243690A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 占有面積を小さくした基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の基板処理装置は、基板に所定の処理を施す処理部と、この処理部との間で基板の受渡しを行うための基板搬送手段とを備えた、基板処理装置を構成するための単位ユニットとしての基板処理装置用ユニット（セル）を、多段に積み上げて構成している、例えば、セル１２上にセル１５Ａを、セル１３上にセル１５Ｂを積み上げて構成しているので、基板処理装置の占有面積を小さくすることができ、基板処理装置の省フットプリント化が可能である。
【選択図】 図１２

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板などの基板（以下、単に基板と称する）に、一連の処理を施す基板処理装置に係り、特に、基板処理装置の占有面積を小さくするための技術に関する。

従来、このような基板処理装置は、例えば、フォトレジスト膜を基板に塗布形成して、塗布されたその基板に対して露光処理を行い、さらに露光処理後の基板を現像するフォトリソグラフィ工程に用いられている。

これを図１８の平面図に示し、以下に説明する。この基板処理装置は、未処理の複数枚（例えば２５枚）の基板Ｗを収納したカセット（図示省略）を投入する投入部１０１と、処理済の基板Ｗを収納したカセットを払い出す払出部１０２と、投入部１０１・払出部１０２および後述する処理部１０４間で基板Ｗの投入および払い出しを行うインデクサ１０３と、複数の処理部１０４と、複数の処理部１０４間で基板Ｗを搬送する経路である基板搬送経路１０５と、処理部１０４および外部処理装置１０７間で基板Ｗの受け渡しを中継するインターフェイス１０６とから構成されている。

外部処理装置１０７は、基板処理装置とは別体の装置であって、基板処理装置のインターフェイス１０６に対して着脱可能に構成されている。基板処理装置が、上述したレジスト塗布および現像処理を行う装置の場合、この外部処理装置１０７は、基板Ｗの露光処理を行う露光装置となる。

また、インデクサ１０３の搬送経路上を搬送する搬送機構１０８ａと、基板搬送経路１０５上を搬送する搬送機構１０８ｂと、インターフェイス１０６の搬送経路上を搬送する搬送機構１０８ｃとがそれぞれ配設されている。その他に、インデクサ１０３と基板搬送経路１０５との連結部には載置台１０９ａ、基板搬送経路１０５とインターフェイス１０６との連結部には載置台１０９ｂがそれぞれ配設されている。

上述した基板処理装置において、以下の手順で基板処理が行われる。未処理の基板Ｗを収納したカセットを投入部１０１に投入して、投入されたカセットから１枚の基板を搬送機構１０８ａが取り出して、搬送機構１０８ｂに基板Ｗを渡すために、載置台１０９ａまで搬送する。搬送機構１０８ｂは、載置台１０９ａに載置された基板Ｗを受け取った後、各処理部１０４内で所定の処理（例えば、レジスト塗布などの処理）をそれぞれ行うために、それらの処理部１０４に基板Ｗをそれぞれ搬入する。所定の各処理がそれぞれ終了すると、搬送機構１０８ｂはそれらの処理部１０４から基板Ｗをそれぞれ搬出して、次の処理を行うために別の処理部１０４に基板Ｗを搬入する。

このように露光までの一連の処理が終了すると、搬送機構１０８ｂは、処理部１０４で処理された基板Ｗを載置部１０９ｂまで搬送する。搬送機構１０８ｃに基板Ｗを渡すために、上述した載置台１０９ｂに基板Ｗを載置する。搬送機構１０８ｃは、載置台１０９ｂに載置された基板Ｗを受け取った後、外部処理装置１０７まで搬送する。外部処理装置１０７に搬入して、所定の処理（例えば、露光処理などの処理）が終了すると、搬送機構１０８ｃは外部処理装置１０７から基板Ｗを搬出して、載置部１０９ｂまで搬送する。後は、外部処理装置１０７までの処理とは逆の手順で基板Ｗの受け渡しおよび処理が行われる。そして、払出部１０２から払い出されて、一連の基板処理が終了する。

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。

すなわち、従来の基板処理装置では、図１８に示すように、複数個の処理部１０４が水平面内に並設されているので、基板処理装置の占有面積が大きくなるという問題がある。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、占有面積を小さくした基板処理装置を提供することを目的とする。

この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。

すなわち、請求項1に記載の発明は、基板に一連の処理を施す基板処理装置であって、前記基板処理装置を構成するための単位ユニットである基板処理装置用ユニットが、基板に所定の処理を施す処理部と、前記処理部との間で基板の受渡しを行うための基板搬送手段とを備え、前記基板処理装置用ユニットを多段に積み上げて基板処理装置を構成したことを特徴とするものである。

（作用・効果）請求項１に記載の発明によれば、基板処理装置用ユニットは、基板に所定の処理を施す処理部と、この処理部との間で基板の受渡しを行うための基板搬送手段とを備えた、基板処理装置を構成するための単位ユニットとしているので、基板処理装置用ユニットをユニット単位で容易に増設することができ、基板処理装置の拡張性を向上させることができる。また、この基板処理装置用ユニットを多段に積み上げて基板処理装置を構成しているので、基板処理装置の占有面積を小さくすることができ、基板処理装置の省フットプリント化が可能である。

また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記多段に積み上げられた基板処理装置用ユニットのうち、上側のユニットは、前記処理部として、基板に塗布液を塗布する塗布部を備え、下側のユニットは、前記処理部として、塗布液が塗布された基板を現像する現像部を備えていることを特徴とするものである。

（作用・効果）請求項２に記載の発明によれば、上側の基板処理装置用ユニットに設けられた塗布部で基板に塗布液を塗布することができ、下側の基板処理装置用ユニットに設けられた現像部で塗布液が塗布された基板を現像することができ、上下で異なる種類の基板処理を施すことができる。

また、請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記多段に積み上げられた基板処理装置用ユニットのうち、上側のユニットは、前記処理部として、塗布液が塗布された基板を現像する現像部を備え、下側のユニットは、前記処理部として、基板に塗布液を塗布する塗布部を備えていることを特徴とするものである。

（作用・効果）請求項３に記載の発明によれば、下側の基板処理装置用ユニットに設けられた塗布部で基板に塗布液を塗布することができ、上側の基板処理装置用ユニットに設けられた現像部で塗布液が塗布された基板を現像することができ、上下で異なる種類の基板処理を施すことができる。

また、高い清浄度が求められるクリーンルームでは、天井全面から空気が室内に流入し対向床面から流出するようにするダウンフロー方式が採用されている。基板処理装置は、ダウンフロー方式のクリーンルーム内に設置される。基板処理装置内の現像部は、高い清浄度が要求されていて、シビアに環境コントロールする必要があり、ダウンフロー方式のクリーンルーム内では床面側に比べて天井側の方が清浄度が高いことから、上側に現像部を配置することでこの現像部には清浄度の高い空気が供給されるので厳密にコントロールすることができる。また、塗布部は現像部に比べて環境コントロールがラフでよいことから、塗布部を下側に配置してもこの塗布部の方はダウンフローされた空気を取り込んで排気できる。言い換えれば、上側に塗布部を配置し、下側に現像部を配置してしまうと、ダウンフローされた空気を下側の現像部で取り込むことができず、高い清浄度の空気を現像部に供給するための専用装置が別途必要になるので好ましくない。

また、塗布部の方が塗布液飛散防止カップなどを良く洗う必要があり、下側に塗布部を位置させることでメンテナンスがし易くなり、効率よくメンテナンスを行うことができる。

また、請求項４に記載の発明は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記多段に積み上げられた基板処理装置用ユニットを並設し、同一階にある複数個の基板処理装置用ユニットの各基板搬送手段間で基板を受け渡しすることを特徴とするものである。

（作用・効果）請求項４に記載の発明によれば、同一階にある複数個の基板処理装置用ユニットの各基板搬送手段間で基板を受け渡しすることができるので、各階ごとに個別の基板搬送経路を形成することができ、各階で基板を並列処理することができ、基板処理装置の占有面積を拡大することなく基板処理装置のスループットを向上させることができる。

また、請求項５に記載の発明は、請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、前記基板搬送手段は、基板を保持する基板保持部を備え、前記基板保持部は、固定した昇降軸周りに回転可能で、前記昇降軸に沿って昇降移動可能で、かつ回転半径方向に進退移動可能に構成されていることを特徴とするものである。

（作用・効果）請求項５に記載の発明によれば、基板搬送手段は、固定した昇降軸方向とその軸周り方向と回転半径方向とに移動する基板保持部を備えているので、基板を３方向に移動させる搬送機構を簡易な構成で実現することができる。

本明細書は次のような課題解決手段も開示している。
（１）基板に一連の処理を施す基板処理装置を構成するための単位ユニットである基板処理装置用ユニットであって、
基板に所定の処理を施す処理部と、
前記処理部との間で基板の受渡しを行うための基板搬送手段と、
前記処理部と前記基板搬送手段とが配設され、前記基板処理装置を構成するための他の基板処理装置用ユニットとは分離独立した個別のフレームとを備え、
前記フレームは、前記他の基板処理装置用ユニットのフレームと上下方向または水平方向に連結するための構造を備えていることを特徴とする基板処理装置用ユニット。

従来例の基板処理装置では、大枠の単一のフレームに対して、装備予定している処理部や基板搬送手段等を取り付けていくことで、基板処理装置を構成するというように、大枠のフレームを共用していることから、処理部を増減するという基板処理装置の仕様変更要求があると、その要求に従って大枠のフレーム自体を作り変える等の必要があり、大幅な設計変更が必至であるという問題があった。しかしこれに対して、前記（１）に記載の基板処理装置用ユニットによれば、処理部と基板搬送手段とが配設されるフレームは、基板処理装置を構成するための他の基板処理装置用ユニットとは分離独立した個別のものとし、かつ、他の基板処理装置用ユニットのフレームと上下方向または水平方向に連結するための構造を備えているので、処理部を増減するという基板処理装置の仕様変更要求があったとしても、上下方向または水平方向に連結するべき基板処理装置用ユニット自体を増減することによってその要求に対応することができ、従来例装置のような大幅な設計変更は必要ないし、基板処理装置の自由度を向上させることができる。

この発明に係る基板処理装置によれば、基板処理装置用ユニットは、基板に所定の処理を施す処理部と、この処理部との間で基板の受渡しを行うための基板搬送手段とを備えた、基板処理装置を構成するための単位ユニットとしているので、基板処理装置用ユニットをユニット単位で容易に増設することができ、基板処理装置の拡張性を向上させることができる。また、この基板処理装置用ユニットを多段に積み上げて基板処理装置を構成しているので、基板処理装置の占有面積を小さくすることができ、基板処理装置の省フットプリント化が可能である。

以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。

図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す斜視図であり、図２は、基板処理装置の１階側を平面視したときのブロック図であり、図３は、基板処理装置の２階側を平面視したときのブロック図である。なお、紙面の都合上、図１では投入部および払出部を有するカセット載置台の図示を省略する。また、図２，３については、後述する上下に階層構造で構成された熱処理部やＩＦ用載置台などについては展開平面図で表す。なお、説明の都合上、図２，図３の各図に記載した後述するカセット載置台やインデクサやインターフェイスは、本実施例装置にそれぞれが１つ備えられたものであり、各階に設けられたものでないことに留意されたい。また、本実施例では、フォトリソグラフィ工程において基板を回転させながらレジスト塗布を行うスピンコータ、およびレジスト塗布されて、さらに露光処理が行われた基板を回転させながら現像処理を行うスピンデベロッパを例に採って、基板処理を説明する。

本実施例に係る基板処理装置は、図１〜３に示すように、カセット載置台１とインデクサ２と処理ブロック３とインターフェイス４とから構成されている。インターフェイス４は、本実施例に係る基板処理装置と別体の装置とを連結するように構成されている。本実施例の場合には、インターフェイス４は、レジスト塗布および現像処理を行う基板処理装置と、基板の露光処理を行う露光装置（例えば、ステップ露光を行うステッパなど）とを連結するように構成されている。

カセット載置台１は、図２，３に示すように、未処理の複数枚（例えば２５枚）の基板Ｗを収納したカセット（図示省略）を投入する投入部５と、処理済の基板Ｗを収納したカセットを払い出す払出部６とを備えている。投入部５には、カセットを載置する投入用の載置台５ａ，５ｂが、払出部６には、カセットを載置する払出用の載置台６ａ，６ｂが、それぞれ配設されている。

次に、インデクサ２の具体的構成について説明する。インデクサ２（以下、適宜『ＩＤ』と略記する）は、図１〜３に示すように、ＩＤ用搬送経路７とＩＤ用搬送機構８とから構成されている。ＩＤ用搬送経路７は、図２，３に示すように、カセット載置台１の投入用の載置台５ａ，５ｂ、払出用の載置台６ａ，６ｂに沿って形成されている。ＩＤ用搬送機構８は、ＩＤ用搬送経路７上を移動することで、カセット載置台１の投入部５および払出部６と、処理ブロック３（図２，３参照）との間で基板Ｗを搬送する。つまり、インデクサ２は、カセット載置台１と処理ブロック３との間で基板Ｗの投入と払い出しとを行う機能を備えている。

次に、ＩＤ用搬送機構８の具体的構成について、図４を参照して説明する。ＩＤ用搬送機構８は、図４（ａ）の平面図、および図４（ｂ）の右側面図に示すように、ＩＤ用搬送経路７の長手方向（ｙ方向）である矢印ＲＡの方向にアーム基台８ａを移動可能に構成するｙ軸移動機構８ｂ、矢印ＲＢの方向（ｚ方向）にアーム基台８ａを昇降移動可能に構成するｚ軸昇降機構８ｃ、およびｚ軸周り（矢印ＲＣの方向）にアーム基台８ａを回転可能に構成する回転駆動機構８ｄを備えている。このアーム基台８ａには基板Ｗを保持するアーム８ｅが備えられており、このアーム８ｅは、回転半径方向である矢印ＲＤの方向に進退移動可能に構成されている。

ｙ軸移動機構８ｂは、図４（ａ）に示すように、螺軸８ｆと、この螺軸８ｆを軸心周りに回転させるモータ８ｇとを備えており、この螺軸８ｆには上述したｚ軸昇降機構８ｃが取り付けられている。モータ８ｇの回転によって、螺軸８ｆに取り付けられたｚ軸昇降機構８ｃが矢印ＲＡの水平方向に移動される。

ｚ軸昇降機構８ｃは、図４（ｂ）に示すように、ｙ軸移動機構８ｂと同じく、螺軸８ｈと、この螺軸８ｈを軸心周りに回転させるモータ８ｉとを備えており、この螺軸８ｈには上述した回転駆動機構８ｄが取り付けられている。モータ８ｉの回転によって、螺軸８ｈに取り付けられた回転駆動機構８ｄが矢印ＲＢの方向に移動される。

回転駆動機構８ｄは、図４（ｂ）に示すように、上述したアーム基台８ａ、このアーム基台８ａを軸心周りに回転させるモータ８ｊ、および、アーム基台８ａとモータ８ｊとを支持する支持部材８ｋを備えている。モータ８ｊの回転によって、アーム基台８ａがアーム８ｅとともに矢印ＲＣの方向に回転される。

このように構成されることで、アーム基台８ａのアーム８ｅに保持された基板Ｗは、矢印ＲＡの方向に移動し、矢印ＲＢの方向に移動し、矢印ＲＣの方向に回転し、矢印ＲＤ方向に進退移動可能となる。これにより基板Ｗは、カセット載置台１の投入部５および払出部６と、処理ブロック３（図２，３参照）との間で搬送される。

図１〜３に戻って、処理ブロック３の具体的構成について説明する。処理ブロック３は、図２，３に示すように、第１の処理ユニット９と第２の処理ユニット１０と第３の処理ユニット１１とから構成されており、インデクサ２側から第１の処理ユニット９，第２の処理ユニット１０，第３の処理ユニット１１の順に並んで配設されている。

また、上述した第１〜第３の処理ユニット９〜１１は、例えば、１階部分と２階部分とからなる２段構成になっている。図２に示すように、第１の処理ユニット９の１階には、基板Ｗ上に形成されたフォトレジスト膜からの光の反射を防止するために下地用の反射防止膜（Bottom Ant-Reflection Coating）（以下、『ＢＡＲＣ』と呼ぶ）を基板Ｗに塗布形成するＢＡＲＣセル１２が配設されている。第２の処理ユニット１０の１階には、基板Ｗを回転させながらフォトレジスト膜を基板Ｗに塗布形成するスピンコータ（Spin Coater）（以下、『ＳＣ』と呼ぶ）のためのＳＣセル１３が配設されている。第３の処理ユニット１１の１階には、露光処理前に基板Ｗの端縁（エッジ）部分を露光するエッジ露光処理（Edge Exposure Unit）（以下、『ＥＥ』と呼ぶ）をするためのＰＥＢセル１４が配設されている。

一方、図３に示すように、第１の処理ユニット９の２階には、露光処理後の基板Ｗを回転させながら現像処理を行うスピンデベロッパ（Spin Developer）（以下、『ＳＤ』と呼ぶ）のためのＳＤセル１５Ａが配設されている。第２の処理ユニット１０の２階には、第１の処理ユニット９の２階のＳＤセル１５Ａと同様のＳＤセル１５Ｂが配設されている。第３の処理ユニット１１の２階には、露光処理後の基板Ｗを加熱する（Post Exposure Bake）（以下、『ＰＥＢ』と呼ぶ）ためのＰＥＢセル１４が配設されている。

以上のように、１階にあるＢＡＲＣセル１２とインデクサ２側で２階にあるＳＤセル１５Ａとで第１の処理ユニット９を、１階にあるＳＣセル１３とインターフェイス４側で２階にあるＳＤセル１５Ｂとで第２の処理ユニット１０を、２階側にあるＰＥＢセル１４と１階側にあるＰＥＢセル１４とで第３の処理ユニット１１をそれぞれ構成している。

なお、上述したＢＡＲＣセル１２とＳＤセル１５ＡとＳＣセル１３とＳＤセル１５Ｂとのそれぞれが本発明における基板処理装置用ユニットに相当する。

次に、ＢＡＲＣセル１２の具体的構成について説明する。ＢＡＲＣセル１２は、図２に示すように、３つの熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃと、これらの熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ間で基板Ｗの受け渡しを行う熱処理部用搬送機構１７と、ＢＡＲＣ（反射防止膜）を基板Ｗにそれぞれ塗布する２つのＳＣと、熱処理部１６Ａおよび２つのＳＣ間で基板Ｗの受け渡しを行うＳＣ用搬送機構１８とから構成されている。

なお、２つのＳＣが本発明における処理部に相当する。また、ＢＡＲＣセル１２に単一のＳＣを設ける場合には、この単一のＳＣが本発明における処理部に相当することになる。また、ＢＡＲＣセル１２に３つ以上のＳＣを設ける場合には、その設けた個数分のＳＣが本発明における処理部に相当することになる。

３つの熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃは、図２に示すような位置で熱処理部用搬送機構１７を挟んで、それぞれが配設されており、各々の熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃは上下に階層構造でそれぞれ構成されている。

インデクサ２側に配設されている熱処理部１６Ａは、インデクサ２にあるＩＤ用搬送機構８と、熱処理部用搬送機構１７と、さらにＳＣ用搬送機構１８との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置して、その受け渡しの間に熱処理を行う機能をも備えている。つまり、この熱処理部１６Ａには、ＩＤ用搬送機構８側と熱処理部用搬送機構１７側とＳＣ用搬送機構１８側との３方向に開口部１６ａ（図１，９参照）が、それぞれ各層に設けられている。そして、この開口部１６ａを介して、上述した基板Ｗの受け渡しが行われる。また、熱処理を行わずに基板Ｗを載置して基板を受け渡す（以下、『Ｐａｓｓ』と呼ぶ）ためのＰａｓｓ，基板Ｗとフォトレジスト膜との密着性を向上させるためのアドヒージョン処理（Adhesion）（以下、『ＡＨＬ』と呼ぶ）をそれぞれ行うための４つのＡＨＬ，加熱された基板を冷却して常温に保つ（以下、『ＣＰ』と呼ぶ）をそれぞれ行うための２つのＣＰを上から順に積層することで、熱処理部１６Ａは構成されている。なお、ＡＨＬ（アドヒージョン）処理では、ＨＭＤＳ〔(CH₃)₃SiNHSi(CH₃)₃〕を蒸気状にしてレジスト塗布前の基板Ｗを塗布する。この熱処理部１６Ａ内のＰａｓｓ、および後述する熱処理部１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｆ，１６Ｈ内のＰａｓｓは、基板受け渡し部に相当する。

ＳＣ側とは逆方向、すなわち奥側に配設されている熱処理部１６Ｂは、熱処理部用搬送機構１７側に開口部１６ａ（図１，９参照）が、それぞれ各層に設けられている。そして、熱処理部用搬送機構１７は、この開口部１６ａを介して、熱処理部１６Ｂに基板Ｗを搬入して、熱処理部１６Ｂから基板Ｗを搬出する。また、ＢＡＲＣ処理後の基板Ｗを加熱してベーク処理（以下、『ＨＰ』と呼ぶ）をそれぞれ行うための７つのＨＰを上から順に積層することで、熱処理部１６Ｂは構成されている。

第２の処理ユニット１０側に配設されている熱処理部１６Ｃを、ＢＡＲＣセル１２以外にＳＣセル１３とも共有しており、この熱処理部１６Ｃは、ＢＡＲＣセル１２の熱処理部用搬送機構１７と、ＳＣセル１３の後述する熱処理部用搬送機構１９との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板を載置して、その受け渡しの間に熱処理を行う機能をも備えている。つまり、この熱処理部１６Ｃには、熱処理部用搬送機構１７側と熱処理部用搬送機構１９側との両方向に開口部１６ａ（図１，９参照）が、それぞれ各層に設けられている。そして、この開口部１６ａを介して、上述した基板Ｗの受け渡しが行われる。また、インデクサ２側にある熱処理部１６Ａと同様のＰａｓｓ，奥側にある熱処理部１６Ｂと同様の３つのＨＰ，熱処理部１６Ａと同様の３つのＣＰを上から順に積層することで、この熱処理部１６Ｃは構成されている。

なお、上述した３個の熱処理部１６Ａ〜１６Ｃが本発明における処理部に相当する。また、ＢＡＲＣセル１２に単一の熱処理部（例えば、熱処理部１６Ａ〜１６Ｃのうちの１つ）を設ける場合には、この単一の熱処理部が本発明における処理部に相当することになる。また、ＢＡＲＣセル１２に複数個の熱処理部を設ける場合には、その複数個の熱処理部が本発明における処理部に相当することになる。

ＢＡＲＣセル１２内のＳＣは、上述したように基板Ｗを回転させながらＢＡＲＣ処理を行うように構成されている。詳述すると、基板Ｗを保持して水平面内に回転させるスピンチャック，反射防止液を吐出するノズルなどから構成されている。このスピンチャックに保持されて回転している基板Ｗの中心に向けてノズルから反射防止液を吐出することで、基板Ｗの遠心力により反射防止膜が基板Ｗの中心から全面にわたって塗布形成される。

熱処理部用搬送機構１７とＳＣ用搬送機構１８と、後述する熱処理部用搬送機構１９とＳＣ用搬送機構２０とＥＥ用搬送機構２１と熱処理部用搬送機構２３とＳＤ用搬送機構２４とは同じ構成からなる。これらの搬送機構の具体的構成については後で説明する。

次に、ＳＣセル１３の具体的構成について説明する。ＳＣセル１３は、図２に示すように、ＢＡＲＣセル１２と同じく、３つの熱処理部１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅと、これらの熱処理部１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅ間で基板Ｗの受け渡しを行う熱処理部用搬送機構１９と、フォトレジスト液を基板Ｗにそれぞれ塗布する２つのＳＣと、熱処理部１６Ｄおよび２つのＳＣ間で基板Ｗの受け渡しを行うＳＣ用搬送機構２０とから構成されている。

ＢＡＲＣセル１２と同じく、３つの熱処理部部１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅは、図２に示すような位置で熱処理部用搬送機構１９を挟んで、それぞれが配設されており、各々の熱処理部１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅは上下に階層構造でそれぞれ構成されている。

第３の処理ユニット１１側に配設されている熱処理部１６Ｄは、熱処理部用搬送機構１９と、ＳＣ用搬送機構２０と、さらにＰＥＢセル１４にある後述するＥＥ用搬送機構２１との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板を載置して、その受け渡しの間に熱処理を行う機能をも備えている。つまり、この熱処理部１６Ｄには、熱処理部用搬送機構１９側とＳＣ用搬送機構２０側とＥＥ用搬送機構２１側との３方向に開口部１６ａ（図１，９参照）が、それぞれ各層に設けられている。そして、この開口部１６ａを介して、上述した基板Ｗの受け渡しが行われる。ＢＡＲＣセル１２内の熱処理部１６Ａとほぼ同じような構成で、Ｐａｓｓ，６つのＨＰを上から順に積層することで、熱処理部１６Ｄは構成されている。

ＳＣ側と逆方向（奥側）に配設されている熱処理部１６Ｅは、熱処理部用搬送機構１７側に開口部１６ａ（図１，９参照）が、それぞれ各層に設けられている。そして、熱処理部用搬送機構１９は、この開口部１６ａを介して、熱処理部１６Ｅに基板Ｗを搬入して、熱処理部１６Ｅから基板Ｗを搬出する。ＢＡＲＣセル１２内の熱処理部１６Ｂとほぼ同じような構成で、３つのＨＰ，４つのＣＰを上から順に積層することで、熱処理部１６Ｅは構成されている。

第１の処理ユニット９側に配設されている熱処理部１６Ｃを、上述したようにＳＣセル１３以外にＢＡＲＣセル１２とも共有している。つまり、熱処理部１６ＣはＢＡＲＣセル１２内の熱処理部１６Ｃでもある。熱処理部１６Ｃの構成については説明を省略する。

なお、上述した３個の熱処理部１６Ｃ〜１６Ｅが本発明における処理部に相当する。また、ＳＣセル１３に単一の熱処理部（例えば、熱処理部１６Ｃ〜１６Ｅのうちの１つ）を設ける場合には、この単一の熱処理部が本発明における処理部に相当することになる。また、ＳＣセル１３に複数個の熱処理部を設ける場合には、その複数個の熱処理部が本発明における処理部に相当することになる。

ＳＣセル１３内のＳＣは、反射防止液の替わりにフォトレジスト液を吐出してフォトレジスト膜を塗布形成する以外には、ＢＡＲＣセル１２内のＳＣと同様の構成をしているので、ＳＣセル１３内のＳＣの説明を省略する。

なお、ＳＣセル１３内の２つのＳＣが本発明における処理部に相当し、さらに本発明における塗布部に相当する。また、ＳＣセル１３に単一のＳＣを設ける場合には、この単一のＳＣが本発明における処理部に相当し、さらに本発明における塗布部に相当することになる。また、ＳＣセル１３に３つ以上のＳＣを設ける場合には、その設けた個数分のＳＣが本発明における処理部に相当し、さらに本発明における塗布部に相当することになる。

次に、１階側にあるＰＥＢセル１４の具体的構成について説明する。ＰＥＢセル１４の１階部分は、図２に示すように、露光処理前に基板Ｗの端縁（エッジ）部分を露光するエッジ露光処理（『ＥＥ』）をそれぞれ行うための２つのＥＥと、熱処理部１６Ｄ，２つのＥＥ，およびインターフェイス４内の後述するＩＦ用載置台３０間で基板Ｗの受け渡しを行うＥＥ用搬送機構２１とから構成されている。

２つのＥＥは、図２に示すような位置でＥＥ用搬送機構２１の奥側に、それぞれが互いに上下に積層された状態で配設されている。他の熱処理部１６と同様に、各ＥＥには、ＥＥ用搬送機構２１側に開口部１６ａ（図１，９参照）がそれぞれ設けられている。そして、ＥＥ用搬送機構２１は、この開口部１６ａを介して、ＥＥに基板Ｗを搬入して、ＥＥから基板Ｗを搬出する。

次に、２階側にあるＰＥＢセル１４の具体的構成について説明する。ＰＥＢセル１４の２階部分は、図３に示すように、露光処理後の基板Ｗをそれぞれ加熱する８つのＰＥＢと、４つのＣＰと、これらのＰＥＢ，ＣＰ，インターフェイス４内の後述するＩＦ用載置台３０，およびＳＤセル１５Ｂ内の後述する熱処理部１６Ｆ間で基板Ｗの受け渡しを行うＰＥＢ用搬送機構２２とから構成されている。

８つのＰＥＢ，４つのＣＰのうち、４つのＰＥＢと，２つのＣＰとが上から順に積層された状態で、図３に示すような位置でＰＥＢ用搬送機構２２の奥側に配設されている。同様に、残りの４つのＰＥＢと，２つのＣＰとが上から順に積層された状態で、図３に示すような位置でＰＥＢ用搬送機構２２の手前側に配設されている。各ＰＥＢ，ＣＰには、ＰＥＢ用搬送機構２２側に開口部１６ａ（図１，９参照）がそれぞれ設けられている。そして、ＰＥＢ用搬送機構２２は、この開口部１６ａを介して、各ＰＥＢ，ＣＰに基板Ｗを搬入して、各ＰＥＢ，ＣＰから基板Ｗを搬出する。ＰＥＢ用搬送機構２２の具体的構成についても後で説明する。

次に、ＳＤセル１５Ｂの具体的構成について説明する。インターフェイス４側にあるＳＤセル１５Ｂは、図３に示すように、３つの熱処理部１６Ｆ、１６Ｇ，１６Ｈと、これらの熱処理部１６Ｆ，１６Ｇ，１６Ｈ間で基板Ｗの受け渡しを行う熱処理部用搬送機構２３と、露光処理後の基板Ｗを回転させながら現像処理をそれぞれ行う２つのＳＤと、熱処理部１６Ｆおよび２つのＳＤ間で基板Ｗの受け渡しを行うＳＤ用搬送機構２４とから構成されている。

なお、２つのＳＤが本発明における処理部に相当し、さらに本発明における現像部に相当する。また、ＳＤセル１５Ｂに単一のＳＤを設ける場合には、この単一のＳＤが本発明における処理部に相当し、さらに本発明における現像部に相当することになる。また、ＳＤセル１５Ｂに３つ以上のＳＤを設ける場合には、その設けた個数分のＳＤが本発明における処理部に相当し、さらに本発明における現像部に相当することになる。

第３の処理ユニット１１側、すなわちインターフェイス４側に配設されている熱処理部１６Ｆは、第３の処理ユニット１１の２階部分のＰＥＢセル１４にあるＰＥＢ用搬送機構２２と、熱処理部用搬送機構２３と、さらにＳＤ用搬送機構２４との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板を載置して、その受け渡しの間に熱処理を行う機能をも備えている。つまり、この熱処理部１６Ｆには、ＰＥＢ用搬送機構２２側と熱処理部用搬送機構２３側とＳＤ用搬送機構２４側との３方向に開口部１６ａ（図１，９参照）が、それぞれ各層に設けられている。そして、この開口部１６ａを介して、上述した基板Ｗの受け渡しが行われる。また、Ｐａｓｓ，４つのＣＰを上から順に積層することで、熱処理部１６Ｆは構成されている。

ＳＤ側とは逆方向、すなわち奥側に配設されている熱処理部１６Ｇは、熱処理部用搬送機構２３側に開口部１６ａ（図１，９参照）が、それぞれ各層に設けられている。そして、熱処理部用搬送機構２３は、この開口部１６ａを介して、熱処理部１６Ｇに基板Ｗを搬入して、熱処理部１６Ｇから基板Ｗを搬出する。また、３つのＨＰ，２つのＣＰを上から順に積層することで、熱処理部１６Ｇは構成されている。

インデクサ２側にあるＳＤセル１５Ａ側に配設されている熱処理部１６Ｈを、ＳＤセル１５Ｂ以外にＳＤセル１５Ａとも共有しており、この熱処理部１６Ｈは、ＳＤセル１５Ａ、およびＳＤセル１５Ｂの各々の熱処理部用搬送機構２３間で互いに基板Ｗの受け渡しを行うために基板を載置する機能をも備えている。つまり、この熱処理部１６Ｈには、ＳＤセル１５Ａ、およびＳＤセル１５Ｂの各々の熱処理部用搬送機構２３側の両方向に開口部１６ａ（図１，９参照）が、それぞれ各層に設けられている。そして、この開口部１６ａを介して、上述した基板Ｗの受け渡しが行われる。また、この熱処理部１６Ｈは、Ｐａｓｓのみで構成されている。

なお、上述した２個の熱処理部１６Ｆ，１６Ｇが本発明における処理部に相当する。また、ＳＤセル１５Ｂに単一の熱処理部（例えば、熱処理部１６Ｆ，１６Ｇのうちの１つ）を設ける場合には、この単一の熱処理部が本発明における処理部に相当することになる。また、ＳＤセル１５Ｂに複数個の熱処理部を設ける場合には、その複数個の熱処理部が本発明における処理部に相当することになる。

インデクサ２側にあるＳＤセル１５Ａは、それぞれの構成が左右逆（ｙｚ平面に対して左右対称）に配設されている以外には、インターフェイス４側にあるＳＤセル１５Ｂと同様の構成をしているので、ＳＤセル１５Ａの説明を省略する。なお、ＳＤセル１５Ａ内の熱処理部１６Ｆは、熱処理部用搬送機構２３と、ＳＤ用搬送機構２４と、さらにＩＤ用搬送機構８との間で基板の受け渡しを行うために基板を載置する機能を備え、この受け渡しは開口部１６ａを介して行われる。また、２つのＳＤセル１５を設けた理由は、一方のＳＤセル１５内にある２つのＳＤで基板Ｗがともに処理されているときに、ＰＥＢ後の別の基板Ｗを他方のＳＤセル１５内にあるＳＤで処理するためである。

このように、処理ブロック３は、ＢＡＲＣセル１２とＳＤセル１５Ａとからなる第１の処理ユニット９、ＳＣセル１３とＳＤセル１５Ｂとからなる第２の処理ユニット１０、２階側にあるＰＥＢセル１４と１階側にあるＰＥＢセル１４とからなる第３の処理ユニット１１から構成されている。

そして、１階側に関しては、熱処理部用搬送機構１７と熱処理部用搬送機構１９とが、熱処理部１６（１６Ａ〜１６Ｅ）のうち、熱処理部１６Ｃに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構１７，１９がその熱処理部１６Ｃを共有し、熱処理部用搬送機構１７とＳＣ用搬送機構１８とが、熱処理部１６Ａに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構１７，１８がその熱処理部１６Ａを共有し、熱処理部用搬送機構１９とＳＣ用搬送機構２０とＥＥ用搬送機構２１とが、熱処理部１６Ｄに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構１９，２０，２１がその熱処理部１６Ｄを共有する。つまり、これらの熱処理部１６Ａ，１６Ｃ，１６Ｄと、これらの搬送機構１７〜２１とを連ねることで、各熱処理部１６・ＳＣ間で基板Ｗを搬送する経路である処理部搬送経路２５を構成している。また、処理部搬送経路２５は、図２中の矢印の方向で基板Ｗが受け渡されて搬送される。また、これらの搬送機構１７〜２０によって共有された熱処理部１６Ａ，１６Ｃ，１６Ｄが配設されている位置は、隣接するセル１２，１３の境界部に相当する。

２階側に関しては、ＳＤセル１５ＡおよびＳＤセル１５Ｂの各々の熱処理部用搬送機構２３が、熱処理部１６（１６Ｆ〜１６Ｇ）のうち、熱処理部１６Ｈに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構２３がその熱処理部１６Ｈを共有し、ＰＥＢ用搬送機構２２とＳＤセル１５Ｂ内の熱処理部用搬送機構２３とＳＤセル１５Ｂ内のＳＤ用搬送機構２４とが、ＳＤセル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｆに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構２２〜２４がその熱処理部１６Ｆを共有し、ＳＤセル１５Ａ内の熱処理部用搬送機構２３とＳＤセル１５Ａ内のＳＤ用搬送機構２４とが、ＳＤセル１５Ａ内の熱処理部１６Ｆに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構２３，２４がその熱処理部１６Ｆを共有する。つまり、これらの熱処理部１６Ｆ，１６Ｈと、これらの搬送機構２２〜２４を連ねることで、各熱処理部１６・ＳＤ間で基板Ｗを搬送する経路である処理部搬送経路２６を構成している。また、処理部搬送経路２６は、図３中の矢印の方向で基板Ｗが受け渡されて搬送される。また、これらの搬送機構２２〜２４によって共有された熱処理部１６Ｆ，１６Ｈが配設されている位置も、隣接するセル１５Ａ，１５Ｂの境界部に相当する。

つまり、処理部搬送経路２５，２６が、上下に２階の階層構造で構成されていることになる。また、１階の処理部搬送経路２５および２階の処理部搬送経路２６が、インデクサ２にそれぞれ連結されるとともに、１階の処理部搬送経路２５および２階の処理部搬送経路２６が、インターフェイス４にそれぞれ連結されていることにより、これらの処理部搬送経路２５，２６が交互に逆方向に折り返して連結される。これらの処理部搬送経路２５，２６が交互に逆方向に折り返して連結されることにより、処理部搬送経路２５は、基板Ｗが順方向に搬送される行き専用経路で構成され、処理部搬送経路２６は、基板Ｗが逆方向に搬送される帰り専用経路で構成される。

次に、熱処理部用搬送機構１７，１９，２３，ＳＣ用搬送機構１８，２０，ＥＥ用搬送機構２１，ＳＤ用搬送機構２４の具体的構成について、図５〜図７を参照して説明する。なお、上述したように、これらの搬送機構は同じ構成からなるので、熱処理部用搬送機構１７のみについて説明する。熱処理部用搬送機構１７は、図５（ａ）の平面図、および図５（ｂ）の右側面図に示すように、固定した昇降軸であるｚ軸周り（矢印ＲＥの方向）にアーム基台１７ａを回転可能に構成する回転駆動機構１７ｂと、固定した昇降軸であるｚ軸（矢印ＲＦの方向）に沿ってアーム基台１７ａを昇降移動可能に構成するｚ軸昇降機構１７ｃとを備えている。このアーム基台１７ａには基板Ｗを保持するアーム１７ｄが備えられており、このアーム１７ｄは、回転半径方向である矢印ＲＧ方向に進退移動可能に構成されている。このアーム１７ｄは、本発明における基板保持部に相当する。

ＩＤ用搬送機構８の回転駆動機構８ｄと同様に、回転駆動機構１７ｂは、図５（ｂ）に示すように、上述したアーム基台１７ａ、アーム基台１７ａを軸心周りに回転させるモータ１７ｅ、および、アーム基台１７ａとモータ１７ｅとを支持する支持部材１７ｆを備えている。モータ１７ｅの回転によって、アーム基台１７ａがアーム１７ｄとともに矢印ＲＥの方向に回転される。

ｚ軸昇降機構１７ｃは、図５（ｂ）に示すように、螺軸１７ｇと、この螺軸１７ｇを軸心周りに回転させるモータ１７ｈとを備えており、この螺軸１７ｇには上述した回転駆動機構１７ｂが取り付けられている。モータ１７ｈの回転によって、螺軸１７ｇに取り付けられた回転駆動機構１７ｂが矢印ＲＦの方向に移動される。また、このｚ軸昇降機構１７ｃは、上述したように固定されているので、ＩＤ用搬送機構８のｚ軸昇降機構８ｃのようにｙ軸方向（矢印ＲＡの方向）には移動されない。

このように構成されることで、アーム基台１７ａのアーム１７ｄに保持された基板Ｗは、矢印ＲＥの方向に回転し、矢印ＲＦの方向に移動し、矢印ＲＧ方向に進退移動可能となる。また、ｚ軸昇降機構１７ｃは、図６（ａ）に示すように、熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ側への３方向以外である手前側への方向、すなわちＳＣ側への方向の所定位置に固定される。これにより基板Ｗは、熱処理部用搬送機構１７によって熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ間で受け渡される。

熱処理部用搬送機構１７と同様に、熱処理部用搬送機構１９，熱処理部用搬送機構２３のｚ軸昇降機構１９ｃ，２３ｃについても、図６（ａ）に示すような方向、すなわち熱処理部用搬送機構１９の場合はＳＣ側、熱処理部用搬送機構２３の場合はＳＤ側への方向の所定位置に固定される。

ＳＣ用搬送機構１８，インデクサ２側にあるＳＤセル１５Ａ内のＳＤ用搬送機構２４のｚ軸昇降機構１８ｃ，２４ｃについては、図６（ｂ）に示すような方向、すなわちインデクサ２側への方向の所定位置に固定され、これにより基板Ｗは、これらの各搬送機構１８，２４によって，ＳＣ用搬送機構１８の場合はＳＣと熱処理部１６Ａとの間で、ＳＤ用搬送機構２４の場合はＳＤと熱処理部１６Ｆとの間でそれぞれ受け渡される。

ＳＣ用搬送機構２０，インターフェイス４側にあるＳＤセル１５Ｂ内のＳＤ用搬送機構２４のｚ軸昇降機構２０ｃ，２４ｃについては、図７（ａ）に示すような方向、すなわちインターフェイス４側への方向の所定位置に固定され、これにより基板Ｗは、これらの各搬送機構２０，２４によって，ＳＣ用搬送機構２０の場合はＳＣと熱処理部１６Ｄとの間で、ＳＤ用搬送機構２４の場合はＳＤと熱処理部１６Ｆとの間でそれぞれ受け渡される。

ＥＥ用搬送機構２１のｚ軸昇降機構２１ｃについては、図７（ｂ）に示すような方向、すなわち手前側への方向の所定位置に固定され、これにより基板Ｗは、ＥＥ用搬送機構２１によって，熱処理部１６ＤとＥＥとインターフェイス４内の後述するＩＦ用載置台３０との間で受け渡される。

これらの搬送機構１７〜２０，２３，２４は、本発明における基板搬送手段に相当する。

次に、ＰＥＢ用搬送機構２２の具体的構成について、図８を参照して説明する。ＰＥＢ用搬送機構２２は、図８（ａ）の平面図、図８（ｂ）の側面図、および図８（ｃ）の正面図に示すように、矢印ＲＨの方向に（ｚ方向）にアーム基台２２ａを昇降移動可能に構成する筒状のｚ軸昇降機構２２ｂ、そのｚ軸昇降機構２２ｂをｚ軸周り（矢印ＲＩの方向）に回転可能に構成するモータ２２ｃを備えている。このアーム基台２２ａには基板Ｗを保持するアーム２２ｄが備えられており、このアーム２２ｄは、回転半径方向である矢印ＲＪ方向に進退移動可能に構成されている。

筒状のｚ軸昇降機構２２ｂは、図８（ａ）〜（ｃ）に示すように、空洞になっており、この空洞部に上述したアーム基台２２ａが収容されている。また、アーム２２ｄが進退移動する際に通過することができるように、ｚ軸昇降機構２２ｂに開口部２２ｅが設けられている。さらに、ｚ軸昇降機構２２ｂは、図８（ｂ）に示すように、螺軸２２ｆと、この螺軸２２ｆを軸心周りに回転させるモータ２２ｇとを備えており、この螺軸２２ｆにはアーム基台２２ａが取り付けられている。モータ２２ｇの回転によって、螺軸２２ｆに取り付けられたアーム基台２２ａが矢印ＲＨの方向に移動される。

ｚ軸昇降機構２２ｂの底部には、上述したモータ２２ｃが取り付けられており、モータ２２ｃの回転によって、ｚ軸昇降機構２２ｂ自体が、ｚ軸昇降機構２２ｂ内に収容されたアーム基台２２ａおよびアーム２２ｄとともに矢印ＲＩの方向に回転される。

このように構成されることで、アーム基台２２ａのアーム２２ｄに保持された基板Ｗは、矢印ＲＩの方向に回転し、矢印ＲＨの方向に移動し、矢印ＲＪ方向に進退移動可能となる。これにより基板Ｗは、ＰＥＢ用搬送機構２２によって、ＰＥＢ，ＣＰ，インターフェイス４内の後述するＩＦ用載置台３０，およびＳＤセル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｆ間で受け渡される。

また、搬送機構１７〜２１，２３，２４の場合には、固定した昇降軸で構成されたｚ軸昇降機構が取り付けられている方向には基板Ｗを受け渡すことができないが、ＰＥＢ用搬送機構２２の場合には、固定されたｚ軸昇降機構の替わりに筒状のｚ軸昇降機構２２ｂが取り付けられており、そのｚ軸昇降機構２２ｂ自体が回転可能となっているので、水平面内の全ての方向に基板Ｗを受け渡すことができる。

その反面、ｚ軸昇降機構２２ｂがｚ軸周り（矢印ＲＩの方向）に回転するので、搬送機構１７〜２１，２３，２４と比較して、構造が複雑になってしまう。また、搬送機構１７〜２１，２３，２４の場合には、固定した昇降軸で構成されたｚ軸昇降機構が取り付けられている方向以外から搬送機構１７〜２１，２３，２４を保守することができるのに対し、ＰＥＢ用搬送機構２２の場合には、ｚ軸昇降機構２２ｂが筒状になっており、その開口部２２ｅからしかＰＥＢ用搬送機構２２を保守することができない。従って、保守性の面においても搬送機構１７〜２１，２３，２４の方がＰＥＢ用搬送機構２２よりも優れている。

次に、熱処理部１６（１６Ａ〜１６Ｇ）の具体的構成について、図９，１０を参照して説明する。なお、図９では熱処理部１６の周辺にある搬送機構などについては、図示を省略する。図９に示すように、ＳＤセル１５Ａ内の熱処理部１６Ｆと、熱処理部１６Ａとが２階部分から１階部分まで上から順に積層されている。同様に、ＳＤセル１５Ａ内の熱処理部１６Ｇと、熱処理部１６Ｂとが上から順に積層されており、熱処理部１６Ｈと、熱処理部１６Ｃとが上から順に積層されており、ＳＤセル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｆと、熱処理部１６Ｄとが上から順に積層されており、ＳＤセル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｇと、熱処理部１６Ｅとが上から順に積層されている。

各熱処理部１６の底部には、レール２７がそれぞれ敷かれており、各々のレール２７は、定常位置でもある各搬送機構１７〜２０，２３，２４の手前の位置Ｃから退避位置Ｄまで延在するようにそれぞれ構成されている。各々のレール２７に各熱処理部１６が搭載されているので、実施例装置、特に各搬送機構１７〜２０，２３，２４をそれぞれ保守（メンテナンス）するときには、図１０に示すように、各々のレール２７上で各熱処理部１６を定常位置Ｃから退避位置Ｄまでそれぞれ移動することで、メンテナンスゾーンＥが確保される。

図１〜３に戻って、インターフェイス４の具体的構成について説明する。インターフェイス４（以下、適宜『ＩＦ』と略記する）は、ＩＦ用搬送経路２８とＩＦ用搬送機構２９とＩＦ用載置台３０とから構成されている。ＩＦ用搬送経路２８は、図２，３に示すように、インデクサ２のＩＤ用搬送経路７と平行に形成されている。ＩＦ用搬送機構２９は、ＩＦ用搬送経路２８上を移動することで、ＩＦ用載置台３０と、図２，３中の二点鎖線で示した露光装置（ステッパ）ＳＴＰとの間で基板Ｗを搬送する。この露光装置ＳＴＰは、本実施例装置とは別体の装置で構成されるとともに、かつ本実施例装置に連設可能に構成されており、本実施例装置と露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行わないときには、本実施例装置のインターフェイス４から露光装置ＳＴＰを退避させてもよい。

ＩＦ用搬送機構２９の具体的構成については、図４に示したＩＤ用搬送機構８のｚ軸昇降機構８ｃの取り付け位置が相違する以外には、ＩＤ用搬送機構８と同様の構成であるので、その説明を省略する。

ＩＦ用載置台３０は、図１に示すように、２階側にあるＰＥＢセル１４のＰＥＢ用搬送機構２２，ＩＦ用搬送機構２９間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２階専用のＰａｓｓと、１階側にあるＰＥＢセル１４のＥＥ用搬送機構２１，ＩＦ用搬送機構２９間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを１階専用のＰａｓｓとが積層されている。両Ｐａｓｓ間および１階専用のＰａｓｓの下側には、基板Ｗをそれぞれ仮置きするための複数のバッファ（以下、『ＢＦ』と呼ぶ）がそれぞれ積層されている。２階専用のＰａｓｓ，２階専用の複数の各ＢＦ，１階専用のＰａｓｓ，１階専用の各ＢＦが、熱処理部１６と同様に２階部分から１階部分まで上から順に積層されている。

両Ｐａｓｓおよび各ＢＦは、ＰＥＢセル１４側とＩＦ用搬送機構２９側との両方向にそれぞれ開口されており、これらの開口を介して、１階側のＰＥＢセル１４内のＥＥ用搬送機構２１、および２階側のＰＥＢセル１４内のＰＥＢ用搬送機構２２と、ＩＦ用搬送機構２９との間で基板Ｗの受け渡しがそれぞれ行われる。

続いて、基板処理装置用ユニットとしてのＢＡＲＣセル１２とＳＣセル１３とＳＤセル１５Ａ，１５Ｂのそれぞれのフレーム構成について、図１１，図１２を用いて説明する。図１１は、基板処理装置用ユニットとしてのＢＡＲＣセル１２とＳＣセル１３とＳＤセル１５Ａ，１５Ｂのそれぞれのフレーム構成を示す概略斜視図であり、図１２は、基板処理装置用ユニットとしてのセルを、左右に２個、上下に２個組み上げた状態を示す概略斜視図である。

すなわち、図１１に示すように、各セル１２，１３，１５Ａ，１５Ｂの右側面に開口部Ｆａを、左側面に開口部Ｆｂを、正面に開口部Ｆｃを、背面に開口部Ｆｄをそれぞれ設ける。これら開口部Ｆａ〜Ｆｄが設けられることで、開口部Ｆａ〜Ｆｄ以外の各セル１２，１３，１５Ａ，１５Ｂの外壁部分が、外枠のフレームＦとしてそれぞれ構成される。この実施例では、例えば、各セル１２，１３，１５Ａ，１５ＢのフレームＦは、同一形状で同一大きさのものとしており、その上面側に別のフレームＦを積載できる強度を有している。また、各セル１２，１３，１５Ａ，１５ＢのフレームＦの上面の四隅には、上方向に突出した嵌合ピンＰ１がそれぞれ設けられている。また、各セル１２，１３，１５Ａ，１５ＢのフレームＦの下面の四隅には、上述の嵌合ピンＰ１に嵌合させるための嵌合穴Ｐ２がそれぞれ設けられている。上下に積み上げる２つのセルのフレームＦ同士を、下側に位置させるフレームＦの上面の嵌合ピンＰ１と、このフレームＦに積み上げて上側に位置させるフレームＦの下面の嵌合穴Ｐ２とを勘合させて積み上げることで、上下方向に多数段のセルを組み上げていくことができるようになっている。本実施例では、例えば、ＢＡＲＣセル１２の上にＳＤセル１５Ａを積み上げ、ＳＣセル１３の上にＳＤセル１５Ｂを積み上げている。

なお、上述した嵌合ピンＰ１および嵌合穴Ｐ２からなる嵌合部材で上下方向のセル同士を連結させているが、例えば金具などの接続部材や、ボルトおよびナットなどの締結部材などで、上下方向のセル同士を連結させるようにしてもよい。

さらに、図１２に示すように、左右方向に隣接する２つのセルのフレームＦ同士を、互いに接続部材ｆ（例えば金具）で連結することで、一方のセルの右側面における開口部Ｆａが他方のセルの左側面における開口部Ｆｂに一致し、隣接するセルが連通接続される。これによって各セル内の処理部搬送経路２５，２６も、セル間にまたがって連通接続される。このように構成することで、基板処理装置用ユニットとしてのセル（例えば、セル１２，１３，１５Ａ，１５Ｂ）を、左右方向（基板Ｗの搬送方向）および上下方向に並べて配設することができる。また、基板の処理枚数に応じて、各セルを増加させることも容易に行うことができるし、必要であればセルを削減することも容易に行うことができる。

なお、上述した接続部材ｆで左右方向に隣接するセル同士を連結させているが、嵌合ピンＰ１および嵌合穴Ｐ２からなる嵌合部材や、ボルトおよびナットなどの締結部材などで、左右方向に隣接するセル同士を連結させるようにしてもよい。

続いて、この実施例の基板処理装置を組み立てる組立方法について、図１１〜図１３を用いて説明する。図１３（ａ）は、用力用の母管をセルに取り付けた状態を示す概略斜視図であり、図１３（ｂ）は、用力用の母管とセルとを接続した状態を示す概略斜視図である。なお、図１１〜図１３には、説明の便宜上、フレームＦ内に収納される処理部（ＳＣ、ＳＤ、熱処理部１６Ａ〜１６Ｈ）などの図示を省略している。

まず、図１１に示す基板処理装置用ユニットとしてのセル（例えば、セル１２，１３，１５Ａ，１５Ｂ）を、図１２に示すように、相互に連結して装置本体ＦＨを組み立てる。具体的には、ＢＡＲＣセル１２上にＳＤセル１５Ａを積み上げ、ＳＣセル１３上にＳＤセル１５Ｂを積み上げ、これらを左右方向（基板Ｗの搬送方向）に並べて連結させる。なお、組み上げの順番はこれに限定されるものではなく、セルを左右方向に連結させて１階部分を完成させてから、その上にセルを積み上げるなど、作業効率の良いように任意の順番に行えば良い。上述した装置本体ＦＨの組み立ては、基板処理装置の組立方法における組立過程に相当する。

また、多段（本実施例では例えば２段）に積み上げたうちの最下位のセルの下面側の四隅などに車輪部を設けたりして、移動性を向上させてもよい。各セルを個別に搬送し、現地で各セルを連結させて組み上げるようにしてもよいが、例えば、セルを多段（例えば２段）に積み上げて予め所定の大きさまで組み上げておき、その最下位のセルに上述の車輪部を設けて移動させ、多段に組まれたセルを現地で左右方向に連結させたり、あるいは、セルを左右方向に連結させて予め所定の大きさまで組み上げておき、その最下位のセルに上述の車輪部を設けて移動させ、左右方向に連結されたセルを現地で多段（例えば２段）に積み上げたりして、組み上げるようにしてもよい。

次に、図１３（ａ）に示すように、用力用の母管ＢＫを、セル間を貫通するように通す。例えば、用力用の母管ＢＫを、ＢＡＲＣセル１２およびＳＣセル１３の背面側に並設させる。用力用の母管ＢＫとは、例えば、基板処理装置で必要とされる、電力や窒素（Ｎ２ ）ガスや純水や排気系や排液系などの各種の管・ケーブルが管内に一括して挿入されたものである。この用力用の母管ＢＫの管内に通された、電力や窒素（Ｎ２ ）ガスや純水や排気系や排液系などの各種の管・ケーブルの一端は、用力用の母管ＢＫの外周部の各コネクタ部Ｃまで接続されていて、その他端は、この基板処理装置を設置する施設側に接続されている。上述した用力用の母管ＢＫの貫通は、基板処理装置の組立方法における貫通過程に相当する。

次に、図１３（ｂ）に示すように、各セル１２，１３，１５Ａ，１５Ｂと用力用の母管ＢＫとを接続する。例えば、各セル１２，１３，１５Ａ，１５Ｂからの各種の管・ケーブルＣＡを、用力用の母管ＢＫの外周部の各コネクタ部Ｃに接続する。上述した各セルと用力用の母管ＢＫとの接続は、基板処理装置の組立方法における接続過程に相当する。

このようにして基板処理装置を組み立てることで、基板処理装置を効率良く組み上げることができ、各セル１２，１３，１５Ａ，１５Ｂからの各種の管・ケーブルＣＡなどが散在することもないので、作業者などの安全性を向上させることができる。

続いて、本実施例の基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理について、図１４，図１５のフローチャートおよび図１６を参照して説明する。なお、各処理において複数枚の基板Ｗが並行して行われるが、１枚の基板Ｗのみに注目して説明する。

（ステップＳ１）インデクサでの搬送
未処理の複数枚の基板Ｗを収納したカセット（図示省略）を、カセット載置台１の投入部５の載置台５ａまたは５ｂに載置して投入する。投入されたカセットから１枚の基板Ｗを取り出すために、ＩＤ用搬送機構８のｙ軸移動機構８ｂは、ｚ軸昇降機構８ｃごとアーム基台８ａをＩＤ用搬送経路７上で矢印ＲＡの方向に移動させて、ｚ軸昇降機構８ｃはアーム基台８ａを矢印ＲＢの方向に下降させつつ、回転駆動機構８ｄはアーム基台８ａを矢印ＲＣの方向に回転させる。そして、アーム８ｅを矢印ＲＤの方向に前進させて、前進されたアーム８ｅがカセット内の１枚の基板Ｗを保持する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム８ｅを矢印ＲＤの方向に後退させる。

（ステップＳ２）Ｐａｓｓでの受け渡し
ＩＤ用搬送機構８は、ＢＡＲＣセル１２内の熱処理部用搬送機構１７またはＳＣ用搬送機構１８に基板Ｗを渡すために、ＢＡＲＣセル１２内の熱処理部１６ＡのＰａｓｓに基板Ｗを載置する。具体的に説明すると、ＩＤ用搬送機構８のｙ軸移動機構８ｂは、ｚ軸昇降機構８ｃごとアーム基台８ａをＩＤ用搬送経路７上で移動させて、ｚ軸昇降機構８ｃおよび回転駆動機構８ｄは、アーム基台８ａを上昇および回転させる。そして、アーム８ｅを前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板ＷをＰａｓｓに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム８ｅを後退させる。

（ステップＳ３）ＡＨＬ処理
Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１７のｚ軸昇降機構１７ｃは、回転駆動機構１７ｂごとアーム基台１７ａを矢印ＲＦの方向に上昇させて、回転駆動機構１７ｂはアーム基台１７ａを矢印ＲＥの方向に回転させる。そして、アーム１７ｄを矢印ＲＧの方向に前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板ＷをＰａｓｓから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム１７ｄを後退させる。

そして、熱処理部１６ＡのＡＨＬで処理するために、Ｐａｓｓの下に積層されているＡＨＬまで移動するように、熱処理部用搬送機構１７のｚ軸昇降機構１７ｃは、回転駆動機構１７ｂごとアーム基台１７ａを下降させる。そして、アーム１７ｄを前進させて、ＡＨＬの開口部１６ａを通して、基板ＷをＡＨＬに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１７ｄを後退させる。

ＡＨＬに載置された基板Ｗに対して、基板Ｗとフォトレジスト膜との密着性を向上させるためにＡＨＬ（アドヒージョン）処理が行われる。

なお、ＡＨＬから次のＣＰに基板Ｗを渡すときも、熱処理部用搬送機構１７によって行われるので、ＡＨＬ処理が終了するまで、ＡＨＬの前で熱処理部用搬送機構１７を待機させてもよいが、処理効率を向上させるために、熱処理部用搬送機構１７のｚ軸昇降機構１７ｃおよび回転駆動機構１７ｂはアーム基台１７ａを昇降および回転させて、ＡＨＬ処理が終了するまでの間、他の基板Ｗを搬送してもよい。

（ステップＳ４）ＣＰ処理
ＡＨＬ処理が終了すると、ＡＨＬに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１７のｚ軸昇降機構１７ｃおよび回転駆動機構１７ｂはアーム基台１７ａを昇降および回転させる。そして、アーム１７ｄを前進させて、ＡＨＬの開口部１６ａを通して、基板ＷをＡＨＬから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム１７ｄを後退させる。

そして、熱処理部１６ＡのＣＰで処理するために、ＡＨＬの下に積層されているＣＰまで移動するように、熱処理部用搬送機構１７のｚ軸昇降機構１７ｃは、回転駆動機構１７ｂごとアーム基台１７ａを下降させる。そして、アーム１７ｄを前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１７ｄを後退させる。

ＣＰに載置された基板Ｗに対して、ＡＨＬで加熱された基板Ｗを冷却して常温に保つためにＣＰ処理が行われる。

（ステップＳ５）ＢＡＲＣ処理
ＣＰ処理が終了すると、ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、ＳＣ用搬送機構１８のｚ軸昇降機構１８ｃは、回転駆動機構１８ｂごとアーム基台１８ａを矢印ＲＦの方向に昇降させて、回転駆動機構１８ｂはアーム基台１８ａを矢印ＲＥの方向に回転させる。そして、アーム１８ｄを矢印ＲＧの方向に前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム１８ｄを後退させる。

そして、ＢＡＲＣセル１２内のＳＣで処理するために、ＳＣ用搬送機構１８のｚ軸昇降機構１８ｃおよび回転駆動機構１８ｂは、アーム基台１８ａを下降および回転させる。そして、アーム１８ｄを前進させて、基板ＷをＳＣのスピンチャック（図示省略）に載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１８ｄを後退させる。

ＳＣに載置された基板Ｗに対して、基板Ｗを回転させながら反射防止膜を塗布形成するＢＡＲＣ処理が行われる。

（ステップＳ６）ＣＰでの受け渡し
ＢＡＲＣ処理が終了すると、ＳＣに載置された基板Ｗを受け取るために、ＳＣ用搬送機構１８のｚ軸昇降機構１８ｃおよび回転駆動機構１８ｂは、アーム基台１８ａを下降および回転させる。そして、アーム１８ｄを前進させて、基板ＷをＳＣから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム１８ｄを後退させる。

そして、熱処理部１６ＡのＣＰに搬入するために、ＳＣ用搬送機構１８のｚ軸昇降機構１８ｃおよび回転駆動機構１８ｂは、アーム基台１８ａを上昇および回転させる。そして、アーム１８ｄを前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１８ｄを後退させる。このとき、基板Ｗを冷却する必要があれば、このＣＰでＣＰ処理を行ってもよい。また、基板Ｗを冷却する必要がなければ、上記ステップＳ２のようにＰａｓｓに載置してもよい。

（ステップＳ７）ＨＰ処理
ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１７のｚ軸昇降機構１７ｃおよび回転駆動機構１７ｂは、アーム基台１７ａを昇降および回転させる。そして、アーム１７ｄを前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム１７ｄを後退させる。

そして、ＢＡＲＣセル１２内の熱処理部１６ＢのＨＰで処理するために、熱処理部用搬送機構１７のｚ軸昇降機構１７ｃおよび回転駆動機構１７ｂは、アーム基台１７ａを昇降および回転させる。そして、アーム１７ｄを前進させて、ＨＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＨＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１７ｄを後退させる。

ＨＰに載置された基板Ｗに対して、ＢＡＲＣ処理後の基板Ｗを加熱するＨＰ（ベーク）処理が行われる。

（ステップＳ８）Ｐａｓｓでの受け渡し
ＨＰ処理が終了すると、ＨＰに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１７のｚ軸昇降機構１７ｃおよび回転駆動機構１７ｂは、アーム基台１７ａを昇降および回転させる。そして、アーム１７ｄを前進させて、ＨＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＨＰから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム１７ｄを後退させる。

そして、ＳＣセル１３内の熱処理部用搬送機構１９に基板Ｗを渡すために、熱処理部用搬送機構１７は、熱処理部１６ＣのＰａｓｓに基板Ｗを載置する。具体的に説明すると、熱処理部用搬送機構１７のｚ軸昇降機構１７ｃおよび回転駆動機構１７ｂは、アーム基台１７ａを上昇および回転させる。そして、アーム１７ｄを前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板ＷをＰａｓｓに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１７ｄを後退させる。

（ステップＳ９）ＣＰでの受け渡し
Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１９のｚ軸昇降機構１９ｃは、回転駆動機構１９ｂごとアーム基台１９ａを矢印ＲＦの方向に上昇させて、回転駆動機構１９ｂはアーム基台１９ａを矢印ＲＥの方向に回転させる。そして、アーム１９ｄを矢印ＲＧの方向に前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板ＷをＰａｓｓから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム１９ｄを後退させる。

そして、熱処理部１６ＤのＣＰに搬入するために、熱処理部用搬送機構１９のｚ軸昇降機構１９ｃおよび回転駆動機構１９ｂは、アーム基台１９ａを下降および回転させる。そして、アーム１９ｄを前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１９ｄを後退させる。このとき、基板Ｗを冷却する必要があれば、このＣＰでＣＰ処理を行ってもよい。また、基板Ｗを冷却する必要がなければ、上記ステップＳ２，Ｓ６のようにＰａｓｓに載置してもよい。

（ステップＳ１０）ＳＣ処理
ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、ＳＣ用搬送機構２０のｚ軸昇降機構２０ｃは、回転駆動機構２０ｂごとアーム基台２０ａを矢印ＲＦの方向に昇降させて、回転駆動機構２０ｂはアーム基台２０ａを矢印ＲＥの方向に回転させる。そして、アーム２０ｄを矢印ＲＧの方向に前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２０ｄを後退させる。

そして、ＳＣセル１３内のＳＣで処理するために、ＳＣ用搬送機構２０のｚ軸昇降機構２０ｃおよび回転駆動機構２０ｂは、アーム基台２０ａを下降および回転させる。そして、アーム２０ｄを前進させて、基板ＷをＳＣのスピンチャック（図示省略）に載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２０ｄを後退させる。

ＳＣに載置された基板Ｗに対して、基板Ｗを回転させながらレジスト塗布を行うＳＣ処理が行われる。

（ステップＳ１１）ＣＰでの受け渡し
ＳＣ処理が終了すると、ＳＣに載置された基板Ｗを受け取るために、ＳＣ用搬送機構２０のｚ軸昇降機構２０ｃおよび回転駆動機構２０ｂは、アーム基台２０ａを下降および回転させる。そして、アーム２０ｄを前進させて、基板ＷをＳＣから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２０ｄを後退させる。

そして、熱処理部１６ＤのＣＰに搬入するために、ＳＣ用搬送機構１８のｚ軸昇降機構１８ｃおよび回転駆動機構１８ｂは、アーム基台２０ａを上昇および回転させる。そして、アーム２０ｄを前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２０ｄを後退させる。このとき、基板Ｗを冷却する必要があれば、このＣＰでＣＰ処理を行ってもよい。また、基板Ｗを冷却する必要がなければ、上記ステップＳ２，Ｓ６，Ｓ９のようにＰａｓｓに載置してもよい。

（ステップＳ１２）ＨＰ処理
ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１９のｚ軸昇降機構１９ｃおよび回転駆動機構１９ｂは、アーム基台１９ａを昇降および回転させる。そして、アーム１９ｄを前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム１９ｄを後退させる。

そして、ＢＡＲＣセル１３内の熱処理部１６ＥのＨＰで処理するために、熱処理部用搬送機構１９のｚ軸昇降機構１９ｃおよび回転駆動機構１９ｂは、アーム基台１９ａを昇降および回転させる。そして、アーム１９ｄを前進させて、ＨＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＨＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１９ｄを後退させる。

ＨＰに載置された基板Ｗに対して、ＳＣ処理後の基板Ｗを加熱するＨＰ（ベーク）処理が行われる。

（ステップＳ１３）ＣＰ処理
ＨＰ処理が終了すると、ＨＰに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１９のｚ軸昇降機構１９ｃおよび回転駆動機構１９ｂは、アーム基台１９ａを昇降および回転させる。そして、アーム１９ｄを前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム１９ｄを後退させる。

そして、熱処理部１６ＤのＣＰで処理するために、熱処理部用搬送機構１９のｚ軸昇降機構１９ｃおよび回転駆動機構１９ｂは、アーム基台１９ａを昇降および回転させる。そして、アーム１９ｄを前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１９ｄを後退させる。

ＣＰに載置された基板Ｗに対して、ＨＰで加熱された基板Ｗを冷却して常温に保つためにＣＰ処理が行われる。

（ステップＳ１４）ＥＥ処理
ＣＰ処理が終了すると、ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、ＥＥ用搬送機構２１のｚ軸昇降機構２１ｃは、回転駆動機構２１ｂごとアーム基台２１ａを矢印ＲＦの方向に昇降させて、回転駆動機構２１ｂはアーム基台２１ａを矢印ＲＥの方向に回転させる。そして、アーム２１ｄを矢印ＲＧの方向に前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２１ｄを後退させる。

そして、１階側にあるＰＥＢセル１４内のＥＥで処理するために、ＥＥ用搬送機構２１のｚ軸昇降機構２１ｃおよび回転駆動機構２１ｂは、アーム基台２１ａを昇降および回転させる。そして、アーム２１ｄを前進させて、ＥＥの開口部１６ａを通して、基板ＷをＥＥに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２１ａを後退させる。

ＥＥに載置された基板Ｗに対して、露光処理前に基板Ｗの端縁（エッジ）部分を露光するＥＥ（エッジ露光）処理が行われる。

（ステップＳ１５）ＢＦでの仮置き
ＥＥ処理が終了すると、ＥＥに載置された基板Ｗを受け取るために、ＥＥ用搬送機構２１のｚ軸昇降機構２１ｃおよび回転駆動機構２１ｂは、アーム基台２１ａを昇降および回転させる。そして、アーム２１ｄを前進させて、ＥＥの開口部１６ａを通して、基板ＷをＥＥから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２１ｄを後退させる。

そして、インターフェイス４内のＩＦ用搬送機構２９に渡すために、インターフェイス４内のＩＦ用載置台３０にある１階専用のＰａｓｓもしくはＢＦ（バッファ）に基板Ｗを載置する。具体的に説明すると、ＥＥ用搬送機構２１のｚ軸昇降機構２１ｃおよび回転駆動機構２１ｂは、アーム基台２１ａを昇降および回転させる。そして、アーム２１ｄを前進させて、ＰａｓｓもしくはＢＦの開口を通して、基板ＷをＰａｓｓに載置する、あるいはＢＦに仮置きする。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２１ｄを後退させる。本実施例では、別の基板の露光装置ＳＴＰでの露光処理によって、基板Ｗに待ち時間が発生する場合には、ＢＦに仮置きし、基板Ｗに待ち時間が発生せずにそのまま露光処理が行われる場合には、Ｐａｓｓを介して、ＩＦ用搬送機構２９に基板Ｗを渡すように制御する。

（ステップＳ１６）インターフェイスでの搬送
ＰａｓｓもしくはＢＦに載置された基板Ｗを受け取るために、ＩＦ用搬送機構２９のｙ軸移動機構２９ｂは、ｚ軸昇降機構２９ｃごとアーム基台２９ａをＩＦ用搬送経路２８上で矢印ＲＡの方向に移動させて、ｚ軸昇降機構２９ｃはアーム基台２９ａを矢印ＲＢの方向に昇降させつつ、回転駆動機構２９ｄはアーム基台２９ａを矢印ＲＣの方向に回転させる。そして、アーム２９ｅを矢印ＲＤの方向に前進させて、ＰａｓｓもしくはＢＦの開口を通して、基板ＷをＰａｓｓもしくはＢＦから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２９ｅを矢印ＲＤの方向に後退させる。

（ステップＳ１７）露光処理
インターフェイス４に連結された露光装置ＳＴＰで処理するために、ＩＦ用搬送機構２９のｙ軸移動機構２９ｂは、ｚ軸昇降機構２９ｃごとアーム基台２９ａをＩＦ用搬送経路２８上で移動させて、ｚ軸昇降機構２９ｃおよび回転駆動機構２９ｄは、アーム基台２９ａを昇降および回転させる。そして、アーム２９ｅを前進させて、露光装置ＳＴＰに搬入する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２９ｅを後退させる。露光装置ＳＴＰに搬入された基板Ｗに対して、基板Ｗの露光処理が行われる。

（ステップＳ１８）インターフェイスでの搬送
露光処理が終了すると、露光装置ＳＴＰから搬出するために、ＩＦ用搬送機構２９のｙ軸移動機構２９ｂは、ｚ軸昇降機構２９ｃごとアーム基台２９ａをＩＦ用搬送経路２８上で移動させて、ｚ軸昇降機構２９ｃおよび回転駆動機構２９ｄは、アーム基台２９ａを昇降および回転させる。そして、アーム２９ｅを前進させて、基板Ｗを露光装置ＳＴＰから取り出す。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２９ｅを後退させる。

（ステップＳ１９）ＢＦでの仮置き
２階側にあるＰＥＢセル１４内のＰＥＢ用搬送機構２２に渡すために、インターフェイス４内のＩＦ用載置台３０にある２階専用のＰａｓｓもしくはＢＦに基板Ｗを載置する。具体的に説明すると、ＩＦ用搬送機構２９のｙ軸移動機構２９ｂは、ｚ軸昇降機構２９ｃごとアーム基台２９ａをＩＦ用搬送経路２８上で移動させて、ｚ軸昇降機構２９ｃおよび回転駆動機構２９ｄは、アーム基台２９ａを上昇および回転させる。そして、アーム２９ｅを前進させて、ＰａｓｓもしくはＢＦの開口を通して、基板ＷをＰａｓｓに載置する、あるいはＢＦに仮置きする。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２９ｅを後退させる。

（ステップＳ２０）ＰＥＢ処理
ＰａｓｓもしくはＢＦに載置された基板Ｗを受け取るために、ＰＥＢ用搬送機構２２のｚ軸昇降機構２２ｂは、アーム基台２２ａを矢印ＲＨの方向に昇降させて、モータ２２ｃはｚ軸昇降機構２２ｂごとアーム基台２２ａを矢印ＲＩの方向に回転させる。そして、開口部２２ｅを通して、アーム２２ｄを矢印ＲＪの方向に前進させて、基板ＷをＰａｓｓもしくはＢＦから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２２ｄを後退させる。

そして、２階側にあるＰＥＢセル１４内のＰＥＢで処理するために、ＰＥＢ用搬送機構２２のｚ軸昇降機構２２ｂおよびモータ２２ｃはアーム基台２２ａを昇降および回転させる。そして、開口部２２ｅを通して、アーム２２ｄを前進させて、基板ＷをＰＥＢに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２２ａを後退させる。

ＰＥＢに載置された基板Ｗに対して、露光処理後の基板Ｗを加熱するＰＥＢ（Post Exposure Bake）処理が行われる。

（ステップＳ２１）ＣＰ処理
ＰＥＢ処理が終了すると、ＰＥＢに載置された基板Ｗを受け取るために、ＰＥＢ用搬送機構２２のｚ軸昇降機構２２ｂおよびモータ２２ｃはアーム基台２２ａを昇降および回転させる。そして、アーム２２ｄを前進させて、ＰＥＢの開口部１６ａを通して、基板ＷをＰＥＢから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２２ｄを後退させる。

そして、２階側にあるＰＥＢセル１４内のＣＰで処理するために、ＰＥＢの下に積層されているＣＰまで移動するように、ＰＥＢ用搬送機構２２のｚ軸昇降機構２２ｂは、アーム基台２２ａを下降させる。そして、アーム２２ｄを前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２２ｄを後退させる。

ＣＰに載置された基板Ｗに対して、ＰＥＢで加熱された基板Ｗを冷却して常温に保つためにＣＰ処理が行われる。

（ステップＳ２２）Ｐａｓｓでの受け渡し
ＣＰ処理が終了すると、ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、ＰＥＢ用搬送機構２２のｚ軸昇降機構２２ｂおよびモータ２２ｃはアーム基台２２ａを昇降および回転させる。そして、アーム２２ｄを前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２２ｄを後退させる。

そして、ＳＤセル１５Ｂ内のＳＤ用搬送機構２４に渡すために、ＳＤセル１５Ｂ内の熱処理部１６ＦのＰａｓｓに基板Ｗを載置する。具体的に説明すると、ＰＥＢ用搬送機構２２のｚ軸昇降機構２２ｂおよびモータ２２ｃはアーム基台２２ａを上昇および回転させる。そして、アーム２２ｄを前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板ＷをＰａｓｓに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２２ａを後退させる。

なお、ＳＤセル１５Ｂ内にある２つのＳＤで基板Ｗがともに処理されているときには、ＰＥＢ用搬送機構２２がＳＤセル１５Ｂ内の熱処理部１６ＦのＰａｓｓに基板Ｗを載置して、Ｐａｓｓに載置された基板ＷをＳＤセル１５Ｂ内の熱処理部用搬送機構２３が受け取り、さらに、ＳＤセル１５Ａ，１５Ｂが共有する熱処理部１６ＨのＰａｓｓにＳＤセル１５Ｂ内の熱処理部用搬送機構２３が基板Ｗを載置して、Ｐａｓｓに載置された基板ＷをＳＤセル１５Ａ内の熱処理部用搬送機構２３が受け取り、さらに、ＳＤセル１５Ａ内の熱処理部１６ＦのＰａｓｓにＳＤセル１５Ａ内の熱処理部用搬送機構２３が基板Ｗを載置して、ＳＤセル１５Ａ内のＳＤ用搬送機構２４が受け取った後にＳＤセル１５Ａ内のＳＤに載置して、ＳＤでＳＤ（現像）処理を行ってもよい。

（ステップＳ２３）ＳＤ処理
Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、ＳＤ用搬送機構２４のｚ軸昇降機構２４ｃは、回転駆動機構２４ｂごとアーム基台２４ａを矢印ＲＦの方向に上昇させて、回転駆動機構２４ｂはアーム基台２４ａを矢印ＲＥの方向に回転させる。そして、アーム２４ｄを矢印ＲＧの方向に前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板ＷをＰａｓｓから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２４ｄを後退させる。

そして、ＳＤセル１５Ｂ内のＳＤで処理するために、ＳＤ用搬送機構２４のｚ軸昇降機構２４ｃおよび回転駆動機構２４ｂは、アーム基台２４ａを下降および回転させる。そして、アーム２４ｄを前進させて、基板ＷをＳＤのスピンチャック（図示省略）に載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２４ｄを後退させる。

ＳＤに載置された基板Ｗに対して、基板Ｗを回転させながら現像処理を行うＳＤ（現像）処理が行われる。

（ステップＳ２４）Ｐａｓｓでの受け渡し
ＳＤ処理が終了すると、ＳＤに載置された基板Ｗを受け取るために、ＳＤ用搬送機構２４のｚ軸昇降機構２４ｃおよび回転駆動機構２４ｂは、アーム基台２４ａを下降および回転させる。そして、アーム２４ｄを前進させて、基板ＷをＳＤから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２４ｄを後退させる。

そして、ＳＤセル１５Ｂ内の熱処理部用搬送機構２３に基板Ｗを渡すために、ＳＤセル１５Ｂ内の熱処理部１６ＦのＰａｓｓに基板Ｗを載置する。具体的に説明すると、ＳＤ用搬送機構２４のｚ軸昇降機構２４ｃおよび回転駆動機構２４ｂは、アーム基台２４ａを上昇および回転させる。そして、アーム２４ｄを前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板ＷをＰａｓｓ上に載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２４ｄを後退させる。

（ステップＳ２５）ＨＰ処理
Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構２３のｚ軸昇降機構２３ｃは、回転駆動機構２３ｂごとアーム基台２３ａを矢印ＲＦの方向に上昇させて、回転駆動機構２３ｂはアーム基台２３ａを矢印ＲＥの方向に回転させる。そして、アーム２３ｄを矢印ＲＧの方向に前進させて、ＣＰの開口部２３ａを通して、基板ＷをＣＰから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２３ｄを後退させる。

そして、ＳＤセル１５Ｂ内の熱処理部１６ＧのＨＰで処理するために、熱処理部用搬送機構２３のｚ軸昇降機構２３ｃおよび回転駆動機構２３ｂは、アーム基台２３ａを昇降および回転させる。そして、アーム２３ｄを前進させて、ＨＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＨＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２３ｄを後退させる。

ＨＰに載置された基板Ｗに対して、ＳＤ処理後の基板Ｗを加熱するＨＰ（ベーク）処理が行われる。

（ステップＳ２６）ＣＰ処理
ＨＰ処理が終了すると、ＨＰに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構２３のｚ軸昇降機構２３ｃおよび回転駆動機構２３ｂは、アーム基台２３ａを昇降および回転させる。そして、アーム２３ｄを前進させて、ＨＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＨＰから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２３ｄを後退させる。

そして、熱処理部１６ＧのＣＰに基板Ｗで処理するために、ＨＰの下に積層されているＣＰまで移動するように、熱処理部用搬送機構２３のｚ軸昇降機構２３ｃは、アーム基台２３ａを下降させる。そして、アーム２３ｄを前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２３ｄを後退させる。

ＣＰに載置された基板Ｗに対して、ＨＰで加熱された基板Ｗを冷却して常温に保つためにＣＰ処理が行われる。

（ステップＳ２７）Ｐａｓｓでの受け渡し
ＣＰ処理が終了すると、ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構２３のｚ軸昇降機構２３ｃおよび回転駆動機構２３ｂは、アーム基台２３ａを昇降および回転させる。そして、アーム２３ｄを前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２３ｄを後退させる。

そして、ＳＤセル１５Ａ内のＳＤ用搬送機構２４に渡すために、熱処理部１６ＨのＰａｓｓに基板Ｗを載置する。具体的に説明すると、基板Ｗを熱処理部用搬送機構２３のｚ軸昇降機構２３ｃおよび回転駆動機構２３ｂは、アーム基台２３ａを昇降および回転させる。そして、アーム２３ｄを前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板ＷをＰａｓｓに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２３ｄを後退させる。

（ステップＳ２８）Ｐａｓｓでの受け渡し
Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、ＳＤセル１５Ａ内にある熱処理部用搬送機構２３のｚ軸昇降機構２３ｃおよび回転駆動機構２３ｂは、アーム基台２３ａを昇降および回転させる。そして、アーム２３ｄを前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板ＷをＰａｓｓから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２３ｄを後退させる。

そして、インデクサ２内のＩＤ用搬送機構８に渡すために、ＳＤセル１５Ａ内の熱処理部１６ＦのＰａｓｓに基板Ｗを載置する。具体的に説明すると、ＳＤセル１５Ａ内にある熱処理部用搬送機構２３のｚ軸昇降機構２３ｃおよび回転駆動機構２３ｂは、アーム基台２３ａを上昇および回転させる。そして、アーム２３ｄを前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板ＷをＰａｓｓに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２３ｄを後退させる。

（ステップＳ２９）インデクサでの搬送
Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを搬出するために、ＩＤ用搬送機構８のｙ軸移動機構８ｂは、ｚ軸昇降機構８ｃごとアーム基台８ａをＩＤ用搬送経路７上で移動させて、ｚ軸昇降機構８ｃおよび回転駆動機構８ｄは、アーム基台８ａを上昇および回転させる。そして、アーム８ｅを前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板ＷをＰａｓｓから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム８ｅを後退させる。

カセット載置台１の払出部６の載置台６ａまたは６ｂに載置されたカセットに基板を収納するために、ＩＤ用搬送機構８のｙ軸移動機構８ｂは、ｚ軸昇降機構８ｃごとアーム基台８ａをＩＤ用搬送経路７上で移動させて、ｚ軸昇降機構８ｃおよび回転駆動機構８ｄは、アーム基台８ａを下降および回転させる。そして、アーム８ｅを前進させて、前進されたアーム８ｅがカセットに処理済でもある基板Ｗを収納する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム８ｅを後退させる。

カセット内に所定枚数だけ処理済の基板Ｗが収納されると、カセットは、払出部６から払い出されて、一連の基板処理が終了する。

上述したように本実施例の基板処理装置用ユニットとしての各セル１２，１３，１５Ａ，１５Ｂは、基板Ｗに所定の処理を施す処理部と、この処理部との間で基板Ｗの受渡しを行うための基板搬送手段とを備えた、基板処理装置を構成するための単位ユニット（単位セル）としている。つまり、ＢＡＲＣセル１２では熱処理部１６Ａ〜１６Ｃに対する熱処理部用搬送機構１７とＳＣに対するＳＣ用搬送機構１８とを備えているし、ＳＣセル１３では熱処理部１６Ｃ〜１６Ｅに対する熱処理部用搬送機構１９とＳＣに対するＳＣ用搬送機構２０とを備えているし、ＳＤセル１５Ｂでは熱処理部１６Ｆ，１６Ｇに対する熱処理部用搬送機構２３とＳＤに対するＳＤ用搬送機構２４とを備えているし、ＳＤセル１５Ａでは熱処理部１６Ｆ，１６Ｇに対する熱処理部用搬送機構２３とＳＤに対するＳＤ用搬送機構２４とを備えていて、これらのセル１２，１３，１５Ａ，１５Ｂは、処理部（ＳＣ，ＳＤ，熱処理部等）と各処理部に個別に設けられた搬送機構１７〜２０，２３，２４とを備えていることから、それだけで基板Ｗに所定の処理を施すことができ、基板Ｗに一連の処理を施す基板処理装置を構成する単位ユニットとして取り扱うことができる。したがって、各セル１２，１３，１５Ａ，１５Ｂをセル単位で容易に増設することができ、基板処理装置の拡張性を向上させることができ、要求されるスループットに応じて自由に基板処理装置を構成することができる。また、セル１２，１３，１５Ａ，１５Ｂを多段に積み上げて基板処理装置を構成しているので、基板処理装置の占有面積を小さくすることができ、基板処理装置の省フットプリント化が可能である。

また、下側のセル１２，１３の処理部として、基板Ｗに塗布液（例えばフォトレジスト液）を塗布するＳＣを備え、上側のセル１５Ａ，１５Ｂの処理部として、塗布液が塗布された基板Ｗを現像するＳＤを備えているので、下側のセル１２，１３に設けられたＳＣで基板Ｗに塗布液を塗布することができ、上側のセル１５Ａ，１５Ｂに設けられたＳＤで塗布液が塗布された基板Ｗを現像することができ、上下で異なる種類の基板処理を施すことができる。

また、高い清浄度が求められるクリーンルームでは、天井全面から空気が室内に流入し対向床面から流出するようにするダウンフロー方式が採用されている。基板処理装置は、ダウンフロー方式のクリーンルーム内に設置される。基板処理装置内の現像部としてのＳＤは、高い清浄度が要求されていて、シビアに環境コントロールする必要があり、ダウンフロー方式のクリーンルーム内では床面側に比べて天井側の方が清浄度が高いことから、上側にＳＤを配置することでこのＳＤには清浄度の高い空気が供給されるので厳密にコントロールすることができる。また、塗布部としてのＳＣはＳＤに比べて環境コントロールがラフでよいことから、ＳＣを下側に配置してもこのＳＣの方はダウンフローされた空気を取り込んで排気できる。言い換えれば、上側にＳＣを配置し、下側にＳＤを配置してしまうと、ダウンフローされた空気を下側のＳＤで取り込むことができず、高い清浄度の空気をＳＤに供給するための専用装置が別途必要になるので好ましくない。また、ＳＣの方が塗布液飛散防止カップなどのカップを良く洗う必要があり、下側にＳＣを位置させることでメンテナンスがし易くなり、効率よくメンテナンスを行うことができる。

また、多段に積み上げられた基板処理装置用ユニットを並設し、同一階にある複数個の基板処理装置用ユニットの各基板搬送手段間で基板Ｗを受け渡しすることができる、つまり、１階のセル１２，１３のＳＣ用搬送機構１７，１９間で基板Ｗを受け渡しし、２階のセル１５Ａ，１５ＢのＳＤ用搬送機構２３間で基板Ｗを受け渡しすることができるので、各階ごとに個別の基板搬送経路としての処理部搬送経路２５，２６を形成することができ、各階で基板Ｗを並列処理することができ、基板処理装置の占有面積を拡大することなく基板処理装置のスループットを向上させることができる。

ＳＣ用の基板搬送手段としてのＳＣ用搬送機構１８，２０でそれに対応するＳＣに基板搬送を行い、ＳＤ用の基板搬送手段としてのＳＤ用搬送機構２４でそれに対応するＳＤに基板搬送を行い、熱処理用の基板搬送手段としての熱処理部用搬送機構１７，１９，２３でそれに対応する熱処理部（熱処理部１６Ａ〜１６Ｃ、熱処理部１６Ｃ〜１６Ｅ、熱処理部１６Ｆ，１６Ｇ）に基板搬送を行うこととしているので、熱処理部にアクセスすることで昇温される熱処理部用搬送機構１７，１９，２３で基板ＷをＳＣまたはＳＤに搬送することがないし、熱処理部用搬送機構１７，１９，２３から基板Ｗへの熱伝導によって基板温度が変化してＳＣまたはＳＤにその温度変化した基板Ｗが搬送されることを防止でき、熱分離することができる。

また、各搬送機構１７〜２１，２３，２４は、固定した昇降軸周りに回転可能、昇降軸に沿って昇降移動可能、かつ回転半径方向に進退移動可能に構成された、基板を保持するためのアーム（例えば、熱処理部用搬送機構１７の場合はアーム１７ｄ）を備えている。アームによって保持される基板Ｗは、アームとともに、固定した昇降軸であるｚ軸周り（矢印ＲＥの方向）に回転し、固定した昇降軸であるｚ軸（矢印ＲＦの方向）に沿って昇降移動し、かつ回転半径方向（矢印ＲＧ方向）に進退移動可能となる。

このように基板Ｗが移動することで、同一水平面内に連ねられた基板受け渡し部でもある、１階の熱処理部１６Ａ，１６Ｃ，１６Ｄが配設されている各位置（２階の場合には熱処理部１６Ｆ，１６Ｈが配設されている位置）を介して、同一水平面内に連ねられた搬送機構１７〜２１，２３，２４は基板を受け渡すことがそれぞれ可能となる。また、このように同一水平面内にこれらの熱処理部１６と搬送機構１７〜２１，２３，２４とを連ねることで、連ねられた熱処理部１６および搬送機構１７〜２１，２３，２４間で基板Ｗが搬送される。

すなわち、これら搬送機構１７〜２１，２３，２４のうち、１階側にある搬送機構１７〜２１と、熱処理部１６Ａ，１６Ｃ，１６Ｄとを連ねることで、各熱処理部１６・ＳＣ間で基板Ｗを搬送する経路である処理部搬送経路２５を構成している。また、これら搬送機構１７〜２１，２３，２４のうち、２階側にある搬送機構２３，２４（，ＰＥＢ用搬送機構２２）と、これらの熱処理部１６Ｆ，１６Ｈとを連ねることで、各熱処理部１６・ＳＤ間で基板Ｗを搬送する経路である処理部搬送経路２６を構成している。

このように処理部搬送経路２５，２６を構成しているので、これら搬送機構１７〜２１，２３，２４は、水平面内に関して、回転半径方向に進退移動可能のアームの他には、従来のように水平面内に移動させる、例えば螺軸などのような機構を必要としない。従って、螺軸などのような機構が処理部搬送経路２５，２６に沿って配設されることがない。これによって、処理部搬送経路２５，２６のような基板搬送経路の設計を自由に設定することができる。

また、これら搬送機構１７〜２１，２３，２４にそれぞれ備えられているアームおよびアーム基台（熱処理部用搬送機構１７の場合はアーム基台１７ａ）が固定した昇降軸のｚ軸昇降機構（熱処理部用搬送機構１７の場合はｚ軸昇降機構１７ｃ）を取り付けているので、固定した昇降軸で構成されたｚ軸昇降機構が取り付けられている方向以外から搬送機構１７〜２１，２３，２４を簡易に保守することができる。また、アーム基台が、固定した昇降軸周りに回転可能に構成された回転駆動機構（熱処理部用搬送機構１７の場合は回転駆動機構１７ｂ）、昇降軸に沿って昇降移動可能のｚ軸昇降機構、および回転半径方向に進退移動可能のアームのような３つの機構を備えるのみなので、搬送機構１７〜２１，２３，２４をそれぞれ簡易に構成することができる。

また、搬送機構１７〜２１，２３，２４および熱処理部１６を、それぞれに上下にも階層構造で配設し、各階（１階，２階）において搬送機構１７〜２１，２３，２４と熱処理部１６とを同一水平面内にそれぞれ連ねることで、処理部搬送経路２５，２６をそれぞれ構成している。

また、図２，３に示すように、さらには、図２，３をよりブロック化した図１７に示すように、第１〜第３の処理ユニット９〜１１の手前側には薬液処理のＳＣまたはＳＤが配設されており、第１〜第３の処理ユニット９〜１１の奥側には熱処理部１６が配設されている。すなわち、１階側においては熱処理部１６Ａ〜１６ＤとＳＣとを処理部搬送経路２５に沿って配設し、熱処理部１６Ａ〜１６ＤとＳＣとが熱的に区画されている、つまり、熱分離されている。また、２階側においては熱処理部１６Ｆ〜１６ＨとＳＤとを処理部搬送経路２６に沿って配設し、熱処理部１６Ｆ〜１６ＨとＳＤとが熱的に区画されている。このように区画することで、ＳＣまたはＳＤのような薬液処理部が熱処理部１６によって影響を受けずに、それぞれの基板処理を行うことができる。

基板処理装置用ユニットは、ＢＡＲＣ用のＳＣおよび熱処理部１６Ａ〜１６Ｃを備えたＢＡＲＣセル１２、ＳＣおよび熱処理部１６Ｃ〜１６Ｅを備えたＳＣセル１３、あるいは、ＳＤおよび熱処理部１６Ｆ，１６Ｇを備えたＳＤセル１５Ａ，１５Ｂとしているので、基板Ｗに対してＢＡＲＣおよび熱処理が行えるユニット、基板Ｗに対して塗布処理および熱処理が行えるユニット、あるいは、基板Ｗに対して現像処理および熱処理が行えるユニットを実現できる。

また、基板処理装置用ユニットを、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、基板Ｗ上に形成されたフォトレジスト膜の上部に反射防止膜（Top Ant-Reflection Coating）（以下、『ＴＡＲＣ』と呼ぶ）を基板Ｗに塗布形成するＴＡＲＣ部と、基板Ｗを熱処理するための熱処理部とを備えたＴＡＲＣセルとしてもよい。この場合には、基板Ｗに対してＴＡＲＣおよび熱処理が行えるユニットを実現できる。

また、水平面内で隣接する複数個の基板処理装置用ユニットの境界部、つまり、ＢＡＲＣセル１２とＳＣセル１３との境界に、基板Ｗを受け渡すための基板受け渡し部としての熱処理部１６Ｃの「Ｐａｓｓ」が設けられ、ＳＤセル１５Ａ，１５Ｂの境界に熱処理部１６Ｈの「Ｐａｓｓ」が設けられているので、「Ｐａｓｓ」に対して同じ距離でアクセス可能である。

隣接する複数個（本実施例では例えば２個）の基板処理装置用ユニットの処理部および基板搬送手段の配置を左右対称としている、つまり、１階側で隣接するＢＡＲＣセル１２およびＳＣセル１３の処理部および基板搬送手段の配置や、２階側で隣接するＳＤセル１５Ａ，１５Ｂの処理部および基板搬送手段の配置を左右対称としているので、各階層での基板搬送を左流れまたは右流れのどちらでも行うことができ、基板処理装置の配置の自由度を向上させることができる。

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した本実施例では、基板処理として、フォトリソグラフィ工程におけるレジスト塗布および現像処理を例に採って説明したが、上述した基板処理に限定されない。例えば、基板を処理液に浸漬して洗浄処理、乾燥処理を含む処理を施す薬液処理や、上述した浸漬タイプのエッチング以外のエッチング処理（例えばドライエッチングやプラズマエッチングなど）や、上述した浸漬タイプ以外であって基板を回転させて洗浄する洗浄処理（例えばソニック洗浄や化学洗浄など）、化学機械研磨（ＣＭＰ）処理や、スパッタリング処理や、化学気相成長（ＣＶＤ）処理や、アッシング処理などのように、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板を通常の手法でもって行う基板処理であれば、本発明に適用することができる。

（２）上述した本実施例では、基板受け渡し部に、熱処理部１６と、載置台であるＰａｓｓとの両方を配設したが、Ｐａｓｓを有さない熱処理部１６のみを基板受け渡し部に配設してもよいし、Ｐａｓｓのみを基板受け渡し部に配設してもよい。

（３）上述した本実施例では、ＰＥＢ用搬送機構２２は、搬送機構１７〜２１，２３，２４とは別の搬送機構で構成したが、搬送機構１７〜２１，２３，２４と同じ搬送機構で構成してもよい。この場合には、ＰＥＢ用搬送機構２２についても、固定した昇降軸で構成されたｚ軸昇降機構が取り付けられている方向以外から、保守することができる。

（４）上述した本実施例では、搬送機構１７〜２１，２３，２４は、回転半径方向（矢印ＲＧ方向）に進退移動可能に構成されたアームを備えており、このアームが進退移動することと、載置台でもあるＰａｓｓに載置することとで、Ｐａｓｓを介して互いに受け渡す各搬送機構がある程度離間しても、基板Ｗの受け渡しが可能である。その一方で、各搬送機構は固定した昇降軸で構成されたｚ軸昇降機構をそれぞれ備えているので、搬送機構１７〜２１，２３，２４によって搬送される基板Ｗは、回転半径方向以外には水平面内に移動することができない。従って、基板Ｗの受け渡しを行うことができないほど、Ｐａｓｓを介して互いに受け渡す各搬送機構が離間している場合には、Ｐａｓｓを水平面内に移動するように構成してもよい。Ｐａｓｓを構成する手段については、特に限定されないが、例えば隣接する２つの搬送機構に延在する、図９に示すようなレールにＰａｓｓを搭載して、そのレール上をＰａｓｓが移動することで、基板Ｗの受け渡しを行ってもよい。

（５）上述した本実施例では、図２，３，１７に示すように、第１〜第３の処理ユニット９〜１１の奥側に熱処理部１６が、手前側に薬液処理のＳＣまたはＳＤがそれぞれ配設されることで、熱処理部１６とＳＣ／ＳＤとが熱的に区画されていたが、それぞれの配設位置については上記図２，３，１７に限定されない。

また、薬液処理部が熱処理部によって影響を受けない、または影響を受けても薬液処理部に支障がない場合には、薬液処理部と熱処理部とが必ずしも熱的に区画されている必要はない。

（６）上述した本実施例では、搬送機構１７〜２１，２３，２４の各アーム基台は、固定した昇降軸であるｚ軸（矢印ＲＦの方向）に沿って構成されていたが、必ずしも固定されている必要はない。また、搬送機構１７〜２１，２３，２４の各アーム基台は、昇降移動可能に構成されていたが、必ずしも昇降移動可能に構成されている必要はなく、水平面内に回転可能、かつアームが回転半径方向に進退移動可能であればよい。また、水平面内に回転させる方法は、図５に示すようなモータに限定されず、例えば鉛直軸を別途備え、この鉛直軸をアーム基台に貫くように構成し、この鉛直軸を回転させることで、水平面内に回転させてもよい。

（７）上述した本実施例では、基板受け渡し部に各熱処理部１６Ｃ，１６Ｈをそれぞれ配設し、配設された各々の熱処理部と、搬送機構１７〜２１，２３，２４とを同一水平面内に連ねて構成していたが、必ずしも同一水平面内に並べて配設する必要はなく、例えば、上下に階層構造で配設された搬送機構１７〜２１，２３，２４と、基板受け渡し部とを並べて配設し、基板受け渡し部を昇降移動可能に構成することで、各搬送機構１７〜２１，２３，２４間での基板の受け渡しを行ってもよい。

（８）上述した本実施例では、上側の基板処理装置用ユニット（セル１５Ａ，１５Ｂ）の処理部として、塗布液が塗布された基板を現像するＳＤを備え、下側の基板処理装置用ユニット（セル１２，１３）の処理部として、基板に塗布液を塗布するＳＣを備えているが、上側の基板処理装置用ユニットとしてセル１２，１３を採用し、下側の基板処理装置用ユニットとしてセル１５Ａ，１５Ｂを採用してもよい。つまり、上側のセルの処理部としてＳＣを、下側のセルの処理部をＳＤとしてもよい。この場合には、上側のセルに設けられたＳＣで基板Ｗに塗布液を塗布することができ、下側のセルに設けられたＳＤで塗布液が塗布された基板Ｗを現像することができ、上下で異なる種類の基板処理を施すことができる。

（９）上述した本実施例では、基板処理装置用ユニットとしての各セル１２，１３，１５Ａ，１５Ｂには、複数個の処理部（ＳＣまたはＳＤと、熱処理部とからなる複数個の処理部）と、各処理部との間で基板の受渡しを行うための複数個の基板搬送手段（搬送機構１７，１８、搬送機構１９，２０、あるいは搬送機構２３，２４の複数個の処理部）とを備えているが、基板処理装置用ユニットとしてのセルは、単一の処理部（ＳＣ，ＳＤ，熱処理部などのうちの１つ）と、この処理部との間で基板の受渡しを行うための単一の基板搬送手段（搬送機構１７〜２０，２３，２４などのうちの１つ）とだけを備えたものとしてもよい。

（１０）上述した本実施例では、基板処理装置用ユニットとしてのセルを２段に積み上げているが、３個以上に積み上げて基板処理装置を構成するようにしてもよい。

以上のように、この発明は、基板に一連の処理を施す基板処理装置に適している。

本実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す斜視図である。 本実施例に係る基板処理装置の１階側を平面視したときのブロック図である。 本実施例に係る基板処理装置の２階側を平面視したときのブロック図である。 本実施例に係るＩＤ用搬送機構の概略構成を示す図であって、（ａ）はＩＤ用搬送機構の平面図、（ｂ）はその右側面図である。 本実施例に係る熱処理部用／ＳＣ用／ＥＥ用／ＳＤ用搬送機構の概略構成を示す図であって、（ａ）はそれらの搬送機構の平面図、（ｂ）はその右側面図である。 本実施例に係る搬送機構が固定される場所および周辺の位置関係を示す図であって、（ａ）は熱処理部用搬送機構が固定された場合の平面図、（ｂ）はインデクサ側にあるＳＣ用／ＳＤ用搬送機構が固定された場合の平面図である。 本実施例に係る搬送機構が固定される場所および周辺の位置関係を示す図であって、（ａ）はインターフェイス側にあるＳＣ用／ＳＤ用搬送機構が固定された場合の平面図、（ｂ）はＥＥ用搬送機構が固定された場合の平面図である。 本実施例に係るＰＥＢ用搬送機構の概略構成を示す図であって、（ａ）はＰＥＢ用搬送機構の平面図、（ｂ）はその側面図、（ｃ）はその正面図である。 本実施例に係る熱処理部の概略構成を示す斜視図である。 本実施例に係る熱処理部が退避位置にまで移動したときの様子を示す側面図である。 基板処理装置用ユニットとしての各セルのフレーム構成を示す概略斜視図である。 基板処理装置用ユニットとしてのセルを、左右に２個、上下に２個組み上げた状態を示す概略斜視図である。 （ａ）は用力用の母管をセルに取り付けた状態を示す概略斜視図であり、（ｂ）は用力用の母管とセルとを接続した状態を示す概略斜視図である。 本実施例に係る基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理を示すフローチャートである。 本実施例に係る基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理を示すフローチャートである。 一連の基板処理中の各処理における基板の位置とその基板を搬送する搬送機構との関係を示した図である。 本実施例に係る処理部搬送経路およびその周辺部の平面ブロック図である。 従来の基板処理装置の構成を示すブロック図である。

符号の説明

１２，１３，１５ａ，１５Ｂ … セル（基板処理装置用ユニット）
１６Ａ〜１６Ｇ … 熱処理部（処理部）
１７，１９，２３ … 熱処理部用搬送機構（基板搬送手段）
１７ｄ，１９ｄ，２３ｄ … アーム（基板保持部）
１８，２０ … ＳＣ用搬送機構（基板搬送手段）
１８ｄ，２０ｄ … アーム（基板保持部）
２４ … ＳＤ用搬送機構（基板搬送手段）
２４ｄ … アーム（基板保持部）
ＳＣ … スピンコータ（処理部、塗布部）
ＳＤ … スピンデベロッパ（処理部、現像部）
Ｗ … 基板

Claims (5)

1. 基板に一連の処理を施す基板処理装置であって、
   前記基板処理装置を構成するための単位ユニットである基板処理装置用ユニットが、基板に所定の処理を施す処理部と、前記処理部との間で基板の受渡しを行うための基板搬送手段とを備え、前記基板処理装置用ユニットを多段に積み上げて基板処理装置を構成したことを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記多段に積み上げられた基板処理装置用ユニットのうち、上側のユニットは、前記処理部として、基板に塗布液を塗布する塗布部を備え、
   下側のユニットは、前記処理部として、塗布液が塗布された基板を現像する現像部を備えていることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記多段に積み上げられた基板処理装置用ユニットのうち、上側のユニットは、前記処理部として、塗布液が塗布された基板を現像する現像部を備え、
   下側のユニットは、前記処理部として、基板に塗布液を塗布する塗布部を備えていることを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記多段に積み上げられた基板処理装置用ユニットを並設し、同一階にある複数個の基板処理装置用ユニットの各基板搬送手段間で基板を受け渡しすることを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記基板搬送手段は、基板を保持する基板保持部を備え、前記基板保持部は、固定した昇降軸周りに回転可能で、前記昇降軸に沿って昇降移動可能で、かつ回転半径方向に進退移動可能に構成されていることを特徴とする基板処理装置。
   

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