JP2003324059A - 基板処理方法 - Google Patents
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
Abstract
(57)【要約】
【課題】 液処理装置においてダミーディスペンスを行
う場合に生じる、基板搬送手段による基板の搬送待機を
防ぐ技術を提供すること。 【解決手段】 カセットステーション２１のカセットＣ
内のウエハを受け渡し手段２４により処理部Ｓ１のＴＲ
Ｓ１に所定のタイミングで受け渡し、このＴＲＳ１のウ
エハを基板搬送手段２６Ａ，２６Ｂにより、塗布装置４
Ａや加熱、冷却を行う処理ユニット、現像装置４Ｂに順
次所定の経路で搬送する。塗布装置４Ａにて前ロットと
後ロットの間にダミーディスペンスを行う際、前ロット
の最後のウエハをカセットステーション２１からＴＲＳ
１を介して基板搬送手段２６Ａに受け渡した後、前記ダ
ミーディスペンスが終了してから、後ロットの最初のウ
エハがＣＰＬ１から当該塗布装置４Ａに搬送されるよう
に、前記受け渡し手段２４による前記ＴＲＳ１への後ロ
ットの最初のウエハの受け渡しを所定回数停止する。
う場合に生じる、基板搬送手段による基板の搬送待機を
防ぐ技術を提供すること。 【解決手段】 カセットステーション２１のカセットＣ
内のウエハを受け渡し手段２４により処理部Ｓ１のＴＲ
Ｓ１に所定のタイミングで受け渡し、このＴＲＳ１のウ
エハを基板搬送手段２６Ａ，２６Ｂにより、塗布装置４
Ａや加熱、冷却を行う処理ユニット、現像装置４Ｂに順
次所定の経路で搬送する。塗布装置４Ａにて前ロットと
後ロットの間にダミーディスペンスを行う際、前ロット
の最後のウエハをカセットステーション２１からＴＲＳ
１を介して基板搬送手段２６Ａに受け渡した後、前記ダ
ミーディスペンスが終了してから、後ロットの最初のウ
エハがＣＰＬ１から当該塗布装置４Ａに搬送されるよう
に、前記受け渡し手段２４による前記ＴＲＳ１への後ロ
ットの最初のウエハの受け渡しを所定回数停止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばレジスト液
が塗布され、露光処理がされた基板の表面に現像液を供
給して現像処理を行う基板処理方法に関する。
が塗布され、露光処理がされた基板の表面に現像液を供
給して現像処理を行う基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】 半導体デバイスの製造プロセスにおい
ては、半導体ウエハ（以下ウエハという）や液晶ディス
プレイのＬＣＤ基板などの基板にレジスト液を塗布し、
フォトマスクを用いてそのレジスト膜を露光し、それを
現像することによって所望のレジストパターンを基板上
に作製するフォトリソグラフィ技術が用いられている。
ては、半導体ウエハ（以下ウエハという）や液晶ディス
プレイのＬＣＤ基板などの基板にレジスト液を塗布し、
フォトマスクを用いてそのレジスト膜を露光し、それを
現像することによって所望のレジストパターンを基板上
に作製するフォトリソグラフィ技術が用いられている。
【０００３】このフォトリソグラフィは、図１０の概略
図に示す基板処理システムによって行われる。このシス
テムは、例えば１２インチサイズの半導体ウエハ（以下
ウエハという）を処理する場合を例にとると、ウエハカ
セットＣを搬入出するカセットステ−ジ１１と処理部１
Ａとインターフェイス部１Ｂと露光装置１Ｃとよりな
り、処理部１Ａには、ウエハにレジスト液を塗布するた
めの塗布ユニットや露光処理後のウエハに対して現像処
理を行うための現像ユニットを備えた液処理ユニット１
２，１３と、３個の棚ユニット１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ
と、棚ユニット１４Ａ〜１４Ｃと液処理ユニット１２，
１３との間でウエハの受け渡しを行う２個のメインアー
ム１５Ａ，１５Ｂと、を備えている。
図に示す基板処理システムによって行われる。このシス
テムは、例えば１２インチサイズの半導体ウエハ（以下
ウエハという）を処理する場合を例にとると、ウエハカ
セットＣを搬入出するカセットステ−ジ１１と処理部１
Ａとインターフェイス部１Ｂと露光装置１Ｃとよりな
り、処理部１Ａには、ウエハにレジスト液を塗布するた
めの塗布ユニットや露光処理後のウエハに対して現像処
理を行うための現像ユニットを備えた液処理ユニット１
２，１３と、３個の棚ユニット１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ
と、棚ユニット１４Ａ〜１４Ｃと液処理ユニット１２，
１３との間でウエハの受け渡しを行う２個のメインアー
ム１５Ａ，１５Ｂと、を備えている。
【０００４】前記棚ユニット１４Ａ〜１４Ｃには、例え
ばカセットステージ１１と処理部１Ａとの間や、棚ユニ
ット１４Ａ〜１４Ｃ同士の間でウエハの受け渡しを行う
ための受け渡しユニット（ＴＲＳ１〜ＴＲＳ４）や、ウ
エハの冷却を行うための冷却装置（ＣＰＬ１〜ＣＰＬ
３）、ウエハの加熱を行うための加熱装置（ＬＨＰ１，
ＬＨＰ２）、露光処理後の加熱処理を行うための加熱装
置（ＰＥＢ）などの装置が組み込まれている。
ばカセットステージ１１と処理部１Ａとの間や、棚ユニ
ット１４Ａ〜１４Ｃ同士の間でウエハの受け渡しを行う
ための受け渡しユニット（ＴＲＳ１〜ＴＲＳ４）や、ウ
エハの冷却を行うための冷却装置（ＣＰＬ１〜ＣＰＬ
３）、ウエハの加熱を行うための加熱装置（ＬＨＰ１，
ＬＨＰ２）、露光処理後の加熱処理を行うための加熱装
置（ＰＥＢ）などの装置が組み込まれている。
【０００５】そしてこのシステムでは、カセットステ−
ジ１１に載置されたカセットＣ内のウエハＷは、受け渡
しアーム１６を介して処理部１Ａに搬入され、この処理
部１Ａにおいて塗布ユニットにてレジスト液の塗布が行
われ、所定のレジスト膜が形成されたウエハＷはインタ
ーフェイス部１Ｂを介して露光装置１Ｃに送られ、ここ
で露光される。その後ウエハは処理部１Ａに戻されて、
現像ユニットにて所定の現像処理が行われて、その後受
け渡しアーム１６を介してカセットステージ１１に戻さ
れる。この際レジスト液の塗布処理や現像処理の前後に
はウエハの加熱処理や冷却処理が行われる。
ジ１１に載置されたカセットＣ内のウエハＷは、受け渡
しアーム１６を介して処理部１Ａに搬入され、この処理
部１Ａにおいて塗布ユニットにてレジスト液の塗布が行
われ、所定のレジスト膜が形成されたウエハＷはインタ
ーフェイス部１Ｂを介して露光装置１Ｃに送られ、ここ
で露光される。その後ウエハは処理部１Ａに戻されて、
現像ユニットにて所定の現像処理が行われて、その後受
け渡しアーム１６を介してカセットステージ１１に戻さ
れる。この際レジスト液の塗布処理や現像処理の前後に
はウエハの加熱処理や冷却処理が行われる。
【０００６】ここで前記メインアーム１５Ａ，１５Ｂ
は、ウエハを、図１１に示すように、往路はＴＲＳ１→
ＣＰＬ１→塗布ユニット（ＣＯＴ）→ＴＲＳ２→ＬＨＰ
１→ＣＰＬ２の経路でカセットステージ１１からインタ
ーフェイス部１Ｂに向けて搬送し、次いで復路は反対方
向に方向転換し、ＰＥＢ→ＣＰＬ３→現像ユニット（Ｄ
ＥＶ）→ＬＨＰ２→ＴＲＳ３→ＴＲＳ４の経路でインタ
ーフェイス部１Ｂからカセットステージ１１に向けて搬
送するように移動する。この内メインアーム１５Ａは、
図１１に示すように、ＴＲＳ１→ＣＰＬ１→塗布ユニッ
ト（ＣＯＴ）→ＴＲＳ２→ＴＲＳ３→ＴＲＳ４→ＴＲＳ
１の経路で1周（１サイクル）するように移動し、メイ
ンアーム１５Ｂは、ＴＲＳ２→ＬＨＰ１→ＣＰＬ２→Ｐ
ＥＢ→ＣＰＬ３→現像ユニット（ＤＥＶ）→ＬＨＰ２→
ＴＲＳ３→ＴＲＳ２の経路で1周（１サイクル）するよ
うに移動するようにプログラムが設定されている。なお
前記ＴＲＳ１，ＴＲＳ４はカセットステージ１１と処理
部１Ａとの間、前記ＴＲＳ２，ＴＲＳ３は棚ユニット１
４Ａ〜１４Ｃ同士の間で、夫々ウエハの受け渡しを行う
ための受け渡しユニットである。
は、ウエハを、図１１に示すように、往路はＴＲＳ１→
ＣＰＬ１→塗布ユニット（ＣＯＴ）→ＴＲＳ２→ＬＨＰ
１→ＣＰＬ２の経路でカセットステージ１１からインタ
ーフェイス部１Ｂに向けて搬送し、次いで復路は反対方
向に方向転換し、ＰＥＢ→ＣＰＬ３→現像ユニット（Ｄ
ＥＶ）→ＬＨＰ２→ＴＲＳ３→ＴＲＳ４の経路でインタ
ーフェイス部１Ｂからカセットステージ１１に向けて搬
送するように移動する。この内メインアーム１５Ａは、
図１１に示すように、ＴＲＳ１→ＣＰＬ１→塗布ユニッ
ト（ＣＯＴ）→ＴＲＳ２→ＴＲＳ３→ＴＲＳ４→ＴＲＳ
１の経路で1周（１サイクル）するように移動し、メイ
ンアーム１５Ｂは、ＴＲＳ２→ＬＨＰ１→ＣＰＬ２→Ｐ
ＥＢ→ＣＰＬ３→現像ユニット（ＤＥＶ）→ＬＨＰ２→
ＴＲＳ３→ＴＲＳ２の経路で1周（１サイクル）するよ
うに移動するようにプログラムが設定されている。なお
前記ＴＲＳ１，ＴＲＳ４はカセットステージ１１と処理
部１Ａとの間、前記ＴＲＳ２，ＴＲＳ３は棚ユニット１
４Ａ〜１４Ｃ同士の間で、夫々ウエハの受け渡しを行う
ための受け渡しユニットである。
【０００７】前記２個のメインアーム１５Ａ，１５Ｂは
各ユニットに対してウエハの搬出と搬入とを行うことが
できるように例えば上下２本のアームを備えており、例
えばメインアーム１５Ａを例にして説明すると、このメ
インアーム１５Ａはｎ枚目のウエハＷｎをＴＲＳ１から
受け取って次工程のＣＰＬ１へ搬送し、処理部１Ａ内を
上述の経路で1サイクルして戻ってきて、次の（（ｎ＋
１）枚目）のウエハＷ（ｎ＋１）をＴＲＳ１から受け取
って、同様に搬送する。このようにこの基板処理システ
ムでは、メインアーム１５Ａが１サイクルする毎に次の
ウエハがＴＲＳ１を介して処理部１Ａ内に搬送され、こ
うしてメインアーム１５Ａ，１５Ｂによりウエハが上述
の経路で搬送されて所定の処理が行われ、これによりロ
ットの全てのウエハに対して順次連続して所定の処理が
行われる。
各ユニットに対してウエハの搬出と搬入とを行うことが
できるように例えば上下２本のアームを備えており、例
えばメインアーム１５Ａを例にして説明すると、このメ
インアーム１５Ａはｎ枚目のウエハＷｎをＴＲＳ１から
受け取って次工程のＣＰＬ１へ搬送し、処理部１Ａ内を
上述の経路で1サイクルして戻ってきて、次の（（ｎ＋
１）枚目）のウエハＷ（ｎ＋１）をＴＲＳ１から受け取
って、同様に搬送する。このようにこの基板処理システ
ムでは、メインアーム１５Ａが１サイクルする毎に次の
ウエハがＴＲＳ１を介して処理部１Ａ内に搬送され、こ
うしてメインアーム１５Ａ，１５Ｂによりウエハが上述
の経路で搬送されて所定の処理が行われ、これによりロ
ットの全てのウエハに対して順次連続して所定の処理が
行われる。
【０００８】ところで前記塗布ユニットにおけるウエハ
表面へのレジスト液の塗布は、鉛直軸まわりに回転可能
に設けられたスピンチャックにウエハを略水平に保持さ
せた状態で、ノズルからウエハ表面のほぼ回転中心に所
定量のレジスト液を供給し、次いでウエハを回転させ、
回転の遠心力により前記レジスト液をウエハ表面に拡散
させることにより行われている。このときノズルへのレ
ジスト液の供給は、例えば貯留タンク内のレジスト液を
供給路を介してポンプにより圧送することによって行わ
れる。
表面へのレジスト液の塗布は、鉛直軸まわりに回転可能
に設けられたスピンチャックにウエハを略水平に保持さ
せた状態で、ノズルからウエハ表面のほぼ回転中心に所
定量のレジスト液を供給し、次いでウエハを回転させ、
回転の遠心力により前記レジスト液をウエハ表面に拡散
させることにより行われている。このときノズルへのレ
ジスト液の供給は、例えば貯留タンク内のレジスト液を
供給路を介してポンプにより圧送することによって行わ
れる。
【０００９】ここでウエハへのレジスト液の供給を停止
すると、ノズルや供給路内にレジスト液が残存するが、
レジスト液は長時間放置されると乾燥したり、変質した
りするので、例えばウエハのロットの処理の切れ目には
ダミーディスペンスを行い、ノズルや供給路内のレジス
ト液を排出するようにしている。ダミーディスペンス時
間は１０秒〜３０秒程度であるが、排出する液の蒸気が
ウエハに悪影響を与えるので、ダミーディスペンスはウ
エハを塗布ユニット内に搬入しない状態で行うことが好
ましい。
すると、ノズルや供給路内にレジスト液が残存するが、
レジスト液は長時間放置されると乾燥したり、変質した
りするので、例えばウエハのロットの処理の切れ目には
ダミーディスペンスを行い、ノズルや供給路内のレジス
ト液を排出するようにしている。ダミーディスペンス時
間は１０秒〜３０秒程度であるが、排出する液の蒸気が
ウエハに悪影響を与えるので、ダミーディスペンスはウ
エハを塗布ユニット内に搬入しない状態で行うことが好
ましい。
【００１０】
【発明が解決しようとしている課題】ところでメインア
ーム１５Ａ，１５Ｂが進行方向に対して前進したり、後
退したりして移動する経路のプログラムはかなり煩雑で
あるので、メインアーム１５Ａ，１５Ｂは既述のよう
に、夫々１サイクルする経路で処理部１Ａ内を後退する
ことなく移動するように搬送プログラムが作成されてい
る。このため塗布ユニットにてダミーディスペンスを行
う場合には、ダミーディスペンスが終了するまでウエハ
の搬送が停止してしまい、処理のスループットが悪化す
るという問題がある。この理由についてロットＡのウエ
ハの枚数を２５枚とし、ロットＡとロットＢとの間にダ
ミーディスペンスを行う場合を例にして具体的に説明す
ると、塗布ユニットにてロットＡの最後のウエハＡ２５
のレジスト塗布が終了した場合、メインアーム１５Ａの
一方のアームは次のロットＢの先頭ウエハＢ０１を前工
程のＣＰＬ１から取り出し、他方のアームが塗布ユニッ
トからウエハＡ２５を受け取る。一方塗布ユニットの次
工程のＴＲＳ２にはロットＡの最後から２枚目のウエハ
Ａ２４が入っているが、このウエハＡ２４はメインアー
ム１５Ｂにより次工程のＬＨＰ１に搬送されるので、Ｔ
ＲＳ２からウエハＡ２４が取り出された後、メインアー
ム１５Ａの他方のアームがウエハＡ２５をＴＲＳ２に受
け渡す。そしてメインアーム１５の一方のアームがウエ
ハＢ０１を塗布ユニットに受け渡そうとするが、塗布ユ
ニットにてダミーディスペンスを行う場合には、上述の
ようにウエハＢ０１を塗布ユニットに搬入できないの
で、メインアーム１５Ａは一方のアームにてウエハＢ０
１を保持したまま、塗布ユニットのダミーディスペンス
を待つことになる。これによりダミーディスペンスが終
了するまでメインアーム１５Ａによるウエハの搬送が停
止してしまう。
ーム１５Ａ，１５Ｂが進行方向に対して前進したり、後
退したりして移動する経路のプログラムはかなり煩雑で
あるので、メインアーム１５Ａ，１５Ｂは既述のよう
に、夫々１サイクルする経路で処理部１Ａ内を後退する
ことなく移動するように搬送プログラムが作成されてい
る。このため塗布ユニットにてダミーディスペンスを行
う場合には、ダミーディスペンスが終了するまでウエハ
の搬送が停止してしまい、処理のスループットが悪化す
るという問題がある。この理由についてロットＡのウエ
ハの枚数を２５枚とし、ロットＡとロットＢとの間にダ
ミーディスペンスを行う場合を例にして具体的に説明す
ると、塗布ユニットにてロットＡの最後のウエハＡ２５
のレジスト塗布が終了した場合、メインアーム１５Ａの
一方のアームは次のロットＢの先頭ウエハＢ０１を前工
程のＣＰＬ１から取り出し、他方のアームが塗布ユニッ
トからウエハＡ２５を受け取る。一方塗布ユニットの次
工程のＴＲＳ２にはロットＡの最後から２枚目のウエハ
Ａ２４が入っているが、このウエハＡ２４はメインアー
ム１５Ｂにより次工程のＬＨＰ１に搬送されるので、Ｔ
ＲＳ２からウエハＡ２４が取り出された後、メインアー
ム１５Ａの他方のアームがウエハＡ２５をＴＲＳ２に受
け渡す。そしてメインアーム１５の一方のアームがウエ
ハＢ０１を塗布ユニットに受け渡そうとするが、塗布ユ
ニットにてダミーディスペンスを行う場合には、上述の
ようにウエハＢ０１を塗布ユニットに搬入できないの
で、メインアーム１５Ａは一方のアームにてウエハＢ０
１を保持したまま、塗布ユニットのダミーディスペンス
を待つことになる。これによりダミーディスペンスが終
了するまでメインアーム１５Ａによるウエハの搬送が停
止してしまう。
【００１１】またウエハＢ０１を塗布ユニットに搬入し
てダミーディスペンスを行ったとしても、ウエハＢ０１
は塗布ユニット内にダミーディスペンス時間分余計に搬
入されているため、メインアーム１５ＡがウエハＢ０１
を取り出す際に、ダミーディスペンス時間分待機するこ
とになり、結局その間ウエハの搬送が停止してしまう。
てダミーディスペンスを行ったとしても、ウエハＢ０１
は塗布ユニット内にダミーディスペンス時間分余計に搬
入されているため、メインアーム１５ＡがウエハＢ０１
を取り出す際に、ダミーディスペンス時間分待機するこ
とになり、結局その間ウエハの搬送が停止してしまう。
【００１２】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は、液処理装置においてダミーディ
スペンスを行う場合であっても、ダミーディスペンスが
終了するまで基板搬送手段が処理ユニットに対しての基
板の授受を待機することによる基板の搬送停止を防ぐ技
術を提供することにある。
のであり、その目的は、液処理装置においてダミーディ
スペンスを行う場合であっても、ダミーディスペンスが
終了するまで基板搬送手段が処理ユニットに対しての基
板の授受を待機することによる基板の搬送停止を防ぐ技
術を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】このため本発明の基板処
理方法は、基板に処理液を供給する処理を行う液処理装
置と、液処理装置の前後の処理を行う処理ユニットと、
を含み、前記液処理装置と処理ユニットに所定の経路に
より順次基板を搬送する基板搬送手段と、を備えた処理
部に対して、複数枚の基板を収納した基板カセット内の
基板を前記基板搬送手段に所定のタイミングで順次連続
して受け渡し、前記基板に所定の処理を行う基板処理方
法において、液処理装置において前ロットと後ロットの
間に処理液を排出するダミーディスペンスを行う場合
に、前ロットの最後の基板を基板カセットから基板搬送
手段に受け渡した後、基板カセットから基板搬送手段へ
の後ロットの最初の基板の受け渡しを所定回数停止する
ことを特徴とする。この際例えば前記処理ユニットとし
ては、基板の加熱を行う加熱装置や、基板の冷却を行う
冷却装置、基板の受け渡しを行う受け渡しユニットなど
が相当する。このような方法では、液処理装置において
ダミーディスペンスを行うにあたり、ダミーディスペン
スが終了してから基板搬送手段により後ロットの最初の
基板が液処理装置に搬送されるので、基板搬送手段が基
板を保持した状態でダミーディスペンスが終了するまで
待機する状態が回避され、基板の搬送の一時停止を防
ぎ、基板搬送をスムーズに行うことができる。
理方法は、基板に処理液を供給する処理を行う液処理装
置と、液処理装置の前後の処理を行う処理ユニットと、
を含み、前記液処理装置と処理ユニットに所定の経路に
より順次基板を搬送する基板搬送手段と、を備えた処理
部に対して、複数枚の基板を収納した基板カセット内の
基板を前記基板搬送手段に所定のタイミングで順次連続
して受け渡し、前記基板に所定の処理を行う基板処理方
法において、液処理装置において前ロットと後ロットの
間に処理液を排出するダミーディスペンスを行う場合
に、前ロットの最後の基板を基板カセットから基板搬送
手段に受け渡した後、基板カセットから基板搬送手段へ
の後ロットの最初の基板の受け渡しを所定回数停止する
ことを特徴とする。この際例えば前記処理ユニットとし
ては、基板の加熱を行う加熱装置や、基板の冷却を行う
冷却装置、基板の受け渡しを行う受け渡しユニットなど
が相当する。このような方法では、液処理装置において
ダミーディスペンスを行うにあたり、ダミーディスペン
スが終了してから基板搬送手段により後ロットの最初の
基板が液処理装置に搬送されるので、基板搬送手段が基
板を保持した状態でダミーディスペンスが終了するまで
待機する状態が回避され、基板の搬送の一時停止を防
ぎ、基板搬送をスムーズに行うことができる。
【００１４】ここで前記基板カセットから前記基板搬送
手段に対しての基板の受け渡しは、例えば前記基板カセ
ット内の基板を受け渡し手段により処理部の受け渡し部
に搬送し、この受け渡し部の基板を基板搬送手段により
受け取ることにより行うようにしてもよい。前記受け渡
し部は、基板の受け渡しのみを行う受け渡しユニットの
他、基板の冷却を行う冷却装置や基板の加熱を行う加熱
装置であって、基板の冷却又は加熱と、基板の受け渡し
の両方を行う装置であってもよい。
手段に対しての基板の受け渡しは、例えば前記基板カセ
ット内の基板を受け渡し手段により処理部の受け渡し部
に搬送し、この受け渡し部の基板を基板搬送手段により
受け取ることにより行うようにしてもよい。前記受け渡
し部は、基板の受け渡しのみを行う受け渡しユニットの
他、基板の冷却を行う冷却装置や基板の加熱を行う加熱
装置であって、基板の冷却又は加熱と、基板の受け渡し
の両方を行う装置であってもよい。
【００１５】また前記ダミーディスペンスが行われる液
処理装置の一例を挙げると、基板にレジスト液の塗布処
理を行う塗布装置や、露光処理後の基板に現像液の塗布
処理を行う現像装置があり、液処理装置が現像装置であ
る場合には、前記基板カセットは露光処理後の複数の基
板を収納するものである。
処理装置の一例を挙げると、基板にレジスト液の塗布処
理を行う塗布装置や、露光処理後の基板に現像液の塗布
処理を行う現像装置があり、液処理装置が現像装置であ
る場合には、前記基板カセットは露光処理後の複数の基
板を収納するものである。
【００１６】さらに後ロットの最初の基板の基板搬送手
段への受け渡しの停止回数は、基板カセット内のｎ番目
の基板が基板カセットから前記基板搬送手段に受け渡さ
れてから、次の基板カセット内の（ｎ＋１）番目の基板
が基板カセットから前記基板搬送手段に受け渡されるま
での時間と、液処理装置のダミーディスペンス時間と、
に基づいて決定される。またオペレータが液処理装置の
ダミーディスペンス時間を予測して、後ロットの最初の
基板の基板搬送手段への受け渡しの停止回数を決定する
ようにしてもよい。
段への受け渡しの停止回数は、基板カセット内のｎ番目
の基板が基板カセットから前記基板搬送手段に受け渡さ
れてから、次の基板カセット内の（ｎ＋１）番目の基板
が基板カセットから前記基板搬送手段に受け渡されるま
での時間と、液処理装置のダミーディスペンス時間と、
に基づいて決定される。またオペレータが液処理装置の
ダミーディスペンス時間を予測して、後ロットの最初の
基板の基板搬送手段への受け渡しの停止回数を決定する
ようにしてもよい。
【００１７】
【発明の実施の形態】先ず本発明の基板処理方法が実施
される基板処理装置の一例の概略について図１の平面図
及び図２の斜視図を参照しながら説明する。図１及び図
２中、２１は基板である例えば１２インチサイズのウエ
ハＷが例えば１３枚密閉収納されたカセットＣを搬入出
するためのカセットステーションであり、このカセット
ステーション２１には前記カセットＣを載置する載置部
２２と、この載置部２２から見て前方の壁面に設けられ
る開閉部２３と、開閉部２３を介してカセットＣからウ
エハＷを取り出すための受け渡し手段２４とが設けられ
ている。この受け渡し手段２４は、アームが昇降自在、
左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構
成されていて、後述する制御部６からの指令に基づいて
コントローラ２４０（図１では図示せず）により駆動が
制御されるようになっている。
される基板処理装置の一例の概略について図１の平面図
及び図２の斜視図を参照しながら説明する。図１及び図
２中、２１は基板である例えば１２インチサイズのウエ
ハＷが例えば１３枚密閉収納されたカセットＣを搬入出
するためのカセットステーションであり、このカセット
ステーション２１には前記カセットＣを載置する載置部
２２と、この載置部２２から見て前方の壁面に設けられ
る開閉部２３と、開閉部２３を介してカセットＣからウ
エハＷを取り出すための受け渡し手段２４とが設けられ
ている。この受け渡し手段２４は、アームが昇降自在、
左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構
成されていて、後述する制御部６からの指令に基づいて
コントローラ２４０（図１では図示せず）により駆動が
制御されるようになっている。
【００１８】前記カセットステーション２１の奥側には
筐体にて周囲を囲まれる処理部Ｓ１が接続されており、
この処理部Ｓ１には手前側から順に加熱・冷却系のユニ
ットを多段化した３個の棚ユニット２５（２５Ａ，２５
Ｂ，２５Ｃ）と、後述する液処理ユニット間のウエハＷ
の受け渡しを行うための２個の基板搬送手段２６（２６
Ａ，２６Ｂ）とが交互に配列して設けられている。前記
基板搬送手段２６（２６Ａ，２６Ｂ）は、夫々例えば２
本のアーム２７を備えており、前記アーム２７が昇降自
在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在
に構成されていて、後述する制御部６からの指令に基づ
いてコントローラ２６０（２６０Ａ，２６０Ｂ、図１で
は図示せず）により駆動が制御されるようになってい
る。前記棚ユニット２５（２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ）及
び基板搬送手段２６（２６Ａ，２６Ｂ）はカセットステ
ーション２１側から見て前後一列に配列されており、各
々接続部位Ｇには図示しないウエハ搬送用の開口部が形
成されているため、この処理部Ｓ１内においてウエハＷ
は一端側の棚ユニット２５Ａから他端側の棚ユニット２
５Ｃまで自由に移動することができるようになってい
る。また基板搬送手段２６（２６Ａ，２６Ｂ）は、カセ
ットステーション２１から見て前後方向に配置される棚
ユニット２５（２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ）側の一面部
と、例えば右側の液処理装置側の一面部と、左側の一面
をなす背面部とで構成される区画壁により囲まれる空間
内に置かれている。
筐体にて周囲を囲まれる処理部Ｓ１が接続されており、
この処理部Ｓ１には手前側から順に加熱・冷却系のユニ
ットを多段化した３個の棚ユニット２５（２５Ａ，２５
Ｂ，２５Ｃ）と、後述する液処理ユニット間のウエハＷ
の受け渡しを行うための２個の基板搬送手段２６（２６
Ａ，２６Ｂ）とが交互に配列して設けられている。前記
基板搬送手段２６（２６Ａ，２６Ｂ）は、夫々例えば２
本のアーム２７を備えており、前記アーム２７が昇降自
在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在
に構成されていて、後述する制御部６からの指令に基づ
いてコントローラ２６０（２６０Ａ，２６０Ｂ、図１で
は図示せず）により駆動が制御されるようになってい
る。前記棚ユニット２５（２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ）及
び基板搬送手段２６（２６Ａ，２６Ｂ）はカセットステ
ーション２１側から見て前後一列に配列されており、各
々接続部位Ｇには図示しないウエハ搬送用の開口部が形
成されているため、この処理部Ｓ１内においてウエハＷ
は一端側の棚ユニット２５Ａから他端側の棚ユニット２
５Ｃまで自由に移動することができるようになってい
る。また基板搬送手段２６（２６Ａ，２６Ｂ）は、カセ
ットステーション２１から見て前後方向に配置される棚
ユニット２５（２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ）側の一面部
と、例えば右側の液処理装置側の一面部と、左側の一面
をなす背面部とで構成される区画壁により囲まれる空間
内に置かれている。
【００１９】基板搬送手段２６（２６Ａ，２６Ｂ）の棚
ユニット２５（２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ）が接続してい
ない部位例えば前述の右側面部には、塗布装置４Ａや現
像装置４Ｂなどの液処理装置を多段化した液処理ユニッ
ト２８（２８Ａ，２８Ｂ）が設けられている。この液処
理ユニット２８（２８Ａ，２８Ｂ）は例えば図２に示す
ように、塗布装置４Ａ等が収納される処理容器２９が複
数段例えば５段に積層された構成とされており、この処
理容器２９の基板搬送手段側の側面には、ウエハＷの搬
入出時にアーム２７が侵入できるように搬送口２９ａが
形成されていて、この搬送口２９ａには図示しない開閉
自在なシャッターが設けられている。
ユニット２５（２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ）が接続してい
ない部位例えば前述の右側面部には、塗布装置４Ａや現
像装置４Ｂなどの液処理装置を多段化した液処理ユニッ
ト２８（２８Ａ，２８Ｂ）が設けられている。この液処
理ユニット２８（２８Ａ，２８Ｂ）は例えば図２に示す
ように、塗布装置４Ａ等が収納される処理容器２９が複
数段例えば５段に積層された構成とされており、この処
理容器２９の基板搬送手段側の側面には、ウエハＷの搬
入出時にアーム２７が侵入できるように搬送口２９ａが
形成されていて、この搬送口２９ａには図示しない開閉
自在なシャッターが設けられている。
【００２０】また棚ユニット２５（２５Ａ，２５Ｂ，２
５Ｃ）については、例えば図３に示すように、ウエハの
受け渡しを行うための受け渡し台を備えた受け渡し部を
なす受け渡しユニット（ＴＲＳ１，ＴＲＳ２，ＴＲＳ
３，ＴＲＳ４）や、レジスト液の塗布後や現像液の塗布
後にウエハの加熱処理を行うための加熱装置をなす加熱
ユニット（ＬＨＰ１，ＬＨＰ２）や、レジスト液の塗布
の前後や現像処理の前にウエハの冷却処理を行うための
冷却装置をなす冷却ユニット（ＣＰＬ１，ＣＰＬ２，Ｃ
ＰＬ３）の他、露光処理後のウエハの加熱処理を行う加
熱装置をなす加熱ユニット（ＰＥＢ）などが例えば上下
１０段に割り当てられている。ここで前記ＴＲＳ１，Ｔ
ＲＳ４はカセットステーション２１と処理部Ｓ１との
間、ＴＲＳ２，ＴＲＳ３は２個の基板搬送手段２６Ａ，
２６Ｂ同士の間で、夫々ウエハの受け渡しを行うために
用いられる。
５Ｃ）については、例えば図３に示すように、ウエハの
受け渡しを行うための受け渡し台を備えた受け渡し部を
なす受け渡しユニット（ＴＲＳ１，ＴＲＳ２，ＴＲＳ
３，ＴＲＳ４）や、レジスト液の塗布後や現像液の塗布
後にウエハの加熱処理を行うための加熱装置をなす加熱
ユニット（ＬＨＰ１，ＬＨＰ２）や、レジスト液の塗布
の前後や現像処理の前にウエハの冷却処理を行うための
冷却装置をなす冷却ユニット（ＣＰＬ１，ＣＰＬ２，Ｃ
ＰＬ３）の他、露光処理後のウエハの加熱処理を行う加
熱装置をなす加熱ユニット（ＰＥＢ）などが例えば上下
１０段に割り当てられている。ここで前記ＴＲＳ１，Ｔ
ＲＳ４はカセットステーション２１と処理部Ｓ１との
間、ＴＲＳ２，ＴＲＳ３は２個の基板搬送手段２６Ａ，
２６Ｂ同士の間で、夫々ウエハの受け渡しを行うために
用いられる。
【００２１】この例では、受け渡しユニット（ＴＲＳ
１，ＴＲＳ２，ＴＲＳ３，ＴＲＳ４）や、加熱ユニット
（ＬＨＰ１，ＬＨＰ２）、冷却ユニット（ＣＰＬ１，Ｃ
ＰＬ２，ＣＰＬ３）、加熱ユニット（ＰＥＢ）や加熱ユ
ニットが特許請求の範囲の処理ユニットに相当し、また
受け渡しユニット（ＴＲＳ１，ＴＲＳ４）や、加熱ユニ
ット（ＰＥＢ）が特許請求の範囲の受け渡し部に相当す
る。またウエハの搬送経路によっては、基板の受け渡し
のみを行う受け渡しユニットの他、基板の冷却を行う冷
却装置や基板の加熱を行う加熱装置であって、基板の冷
却又は加熱と、基板の受け渡しの両方を行う装置を、基
板カセットから処理部へのウエハの受け渡しに用いても
よく、この場合にはこの装置が特許請求の範囲の受け渡
し部に相当する。
１，ＴＲＳ２，ＴＲＳ３，ＴＲＳ４）や、加熱ユニット
（ＬＨＰ１，ＬＨＰ２）、冷却ユニット（ＣＰＬ１，Ｃ
ＰＬ２，ＣＰＬ３）、加熱ユニット（ＰＥＢ）や加熱ユ
ニットが特許請求の範囲の処理ユニットに相当し、また
受け渡しユニット（ＴＲＳ１，ＴＲＳ４）や、加熱ユニ
ット（ＰＥＢ）が特許請求の範囲の受け渡し部に相当す
る。またウエハの搬送経路によっては、基板の受け渡し
のみを行う受け渡しユニットの他、基板の冷却を行う冷
却装置や基板の加熱を行う加熱装置であって、基板の冷
却又は加熱と、基板の受け渡しの両方を行う装置を、基
板カセットから処理部へのウエハの受け渡しに用いても
よく、この場合にはこの装置が特許請求の範囲の受け渡
し部に相当する。
【００２２】このような処理部Ｓ１における棚ユニット
２５Ｃの奥側には第１のインターフェイス部Ｓ２及び第
２のインターフェイス部Ｓ３を介して露光装置Ｓ４が接
続されている。第１のインターフェイス部Ｓ２は昇降自
在及び鉛直軸まわりに回転自在に構成され、後述するよ
うに処理部Ｓ１の棚ユニット２５ＣのＣＰＬ２やＰＥＢ
とに対してウエハの受け渡しを行う受け渡し手段３１
と、周辺露光装置と露光装置Ｓ４に搬入されるウエハを
一旦収納するためのイン用バッファカセットと露光装置
Ｓ４から搬出されたウエハを一旦収納するためのアウト
用バッファカセットが多段に配置された棚ユニット３２
Ａと、ウエハの受け渡しユニットと高精度温調ユニット
とが多段に配置された棚ユニット３２Ｂと、を備えてい
る。
２５Ｃの奥側には第１のインターフェイス部Ｓ２及び第
２のインターフェイス部Ｓ３を介して露光装置Ｓ４が接
続されている。第１のインターフェイス部Ｓ２は昇降自
在及び鉛直軸まわりに回転自在に構成され、後述するよ
うに処理部Ｓ１の棚ユニット２５ＣのＣＰＬ２やＰＥＢ
とに対してウエハの受け渡しを行う受け渡し手段３１
と、周辺露光装置と露光装置Ｓ４に搬入されるウエハを
一旦収納するためのイン用バッファカセットと露光装置
Ｓ４から搬出されたウエハを一旦収納するためのアウト
用バッファカセットが多段に配置された棚ユニット３２
Ａと、ウエハの受け渡しユニットと高精度温調ユニット
とが多段に配置された棚ユニット３２Ｂと、を備えてい
る。
【００２３】前記第２のインターフェイス部Ｓ３には、
略水平方向に移動自在、昇降自在及び鉛直軸まわりに回
転自在に構成された受け渡し手段３３が設けられてお
り、これにより第１のインターフェイス部Ｓ１の受け渡
しユニットや高精度温調ユニット、露光装置Ｓ４のイン
ステージ３４及びアウトステージ３５に対してウエハの
受け渡しを行うようになっている。
略水平方向に移動自在、昇降自在及び鉛直軸まわりに回
転自在に構成された受け渡し手段３３が設けられてお
り、これにより第１のインターフェイス部Ｓ１の受け渡
しユニットや高精度温調ユニット、露光装置Ｓ４のイン
ステージ３４及びアウトステージ３５に対してウエハの
受け渡しを行うようになっている。
【００２４】ここで処理部Ｓ１の内部での基板搬送手段
２６Ａ，２６Ｂの動きを説明すると、２個の基板搬送手
段２６Ａ，２６Ｂは、例えば図４に示すように、ＴＲＳ
１→ＣＰＬ１→塗布装置（ＣＯＴ）→ＴＲＳ２→ＬＨＰ
１→ＣＰＬ２の経路でカセットステーション２１から第
１のインターフェイス部Ｓ２に向けてウエハを搬送し、
この後ＰＥＢ→ＣＰＬ３→現像装置（ＤＥＶ）→ＬＨＰ
２→ＴＲＳ３→ＴＲＳ４の経路で第１のインターフェイ
ス部Ｓ２からカセットステーション２１に向けてウエハ
を搬送するように移動する。なお処理部Ｓ１と第1のイ
ンターフェイス部Ｓ２との間は、ＣＰＬ２とＰＥＢを介
してウエハの受け渡しが行われる。
２６Ａ，２６Ｂの動きを説明すると、２個の基板搬送手
段２６Ａ，２６Ｂは、例えば図４に示すように、ＴＲＳ
１→ＣＰＬ１→塗布装置（ＣＯＴ）→ＴＲＳ２→ＬＨＰ
１→ＣＰＬ２の経路でカセットステーション２１から第
１のインターフェイス部Ｓ２に向けてウエハを搬送し、
この後ＰＥＢ→ＣＰＬ３→現像装置（ＤＥＶ）→ＬＨＰ
２→ＴＲＳ３→ＴＲＳ４の経路で第１のインターフェイ
ス部Ｓ２からカセットステーション２１に向けてウエハ
を搬送するように移動する。なお処理部Ｓ１と第1のイ
ンターフェイス部Ｓ２との間は、ＣＰＬ２とＰＥＢを介
してウエハの受け渡しが行われる。
【００２５】この際この実施の形態では、図４に基板搬
送手段２６Ａ，２６Ｂの夫々の経路を点線で示すよう
に、基板搬送手段２６Ａは、例えばＴＲＳ１→ＣＰＬ１
→ＣＯＴ→ＴＲＳ２→ＴＲＳ３→ＴＲＳ４→ＴＲＳ１の
経路でウエハを搬送し、基板搬送手段２６Ｂは、ＴＲＳ
２→ＬＨＰ１→ＣＰＬ２→ＰＥＢ→ＣＰＬ３→ＤＥＶ→
ＬＨＰ２→ＴＲＳ３→ＴＲＳ２の経路でウエハを搬送す
る。このため例えば棚ユニット２５Ａ〜２５Ｃのレイア
ウトの一例を図３に示すように、ＴＲＳ１，ＴＲＳ４は
棚ユニット２５Ａ、ＴＲＳ２，ＴＲＳ３は棚ユニット２
５Ｂ、ＣＰＬ２やＰＥＢは棚ユニット２５Ｃ、ＣＰＬ１
は棚ユニット２５Ａ又は棚ユニット２５Ｂ、ＬＨＰ１、
ＬＨＰ２は棚ユニット２５Ｂ又は棚ユニット２５Ｃに、
夫々配置される。なお図３は棚ユニット２５Ａ，２５
Ｂ，２５Ｃに各ユニットを配列するイメージを示したも
のであり、既述の経路で基板搬送手段２６Ａ，２６Ｂ
が、反対方向に移動することなく、ウエハの搬送を行う
ものであれば、各ユニットの数や配置は自由にレイアウ
トすることができ、上述のユニット以外のユニットを配
置するようにしてもよい。
送手段２６Ａ，２６Ｂの夫々の経路を点線で示すよう
に、基板搬送手段２６Ａは、例えばＴＲＳ１→ＣＰＬ１
→ＣＯＴ→ＴＲＳ２→ＴＲＳ３→ＴＲＳ４→ＴＲＳ１の
経路でウエハを搬送し、基板搬送手段２６Ｂは、ＴＲＳ
２→ＬＨＰ１→ＣＰＬ２→ＰＥＢ→ＣＰＬ３→ＤＥＶ→
ＬＨＰ２→ＴＲＳ３→ＴＲＳ２の経路でウエハを搬送す
る。このため例えば棚ユニット２５Ａ〜２５Ｃのレイア
ウトの一例を図３に示すように、ＴＲＳ１，ＴＲＳ４は
棚ユニット２５Ａ、ＴＲＳ２，ＴＲＳ３は棚ユニット２
５Ｂ、ＣＰＬ２やＰＥＢは棚ユニット２５Ｃ、ＣＰＬ１
は棚ユニット２５Ａ又は棚ユニット２５Ｂ、ＬＨＰ１、
ＬＨＰ２は棚ユニット２５Ｂ又は棚ユニット２５Ｃに、
夫々配置される。なお図３は棚ユニット２５Ａ，２５
Ｂ，２５Ｃに各ユニットを配列するイメージを示したも
のであり、既述の経路で基板搬送手段２６Ａ，２６Ｂ
が、反対方向に移動することなく、ウエハの搬送を行う
ものであれば、各ユニットの数や配置は自由にレイアウ
トすることができ、上述のユニット以外のユニットを配
置するようにしてもよい。
【００２６】この装置のウエハの流れについて説明す
る。先ず外部からウエハＷが収納されたカセットＣが前
記カセットステーション２１に搬入されると、開閉部２
３と共にカセットＣの蓋体が外されて受け渡し手段２４
によりウエハＷが取り出される。そしてウエハＷは受け
渡し手段２４から棚ユニット２５Ａの一つである受け渡
しユニット（ＴＲＳ１）を介して基板搬送手段２６Ａへ
と受け渡され、この後基板搬送手段２６Ａ，２６Ｂとに
より、既述のようにＴＲＳ１→ＣＰＬ１→ＣＯＴ→ＴＲ
Ｓ２→ＬＨＰ１→ＣＰＬ２の経路で搬送されて、ＣＰＬ
２を介してレジスト液の塗布が行われたウエハが第１の
インターフェイス部Ｓ２に送られる。
る。先ず外部からウエハＷが収納されたカセットＣが前
記カセットステーション２１に搬入されると、開閉部２
３と共にカセットＣの蓋体が外されて受け渡し手段２４
によりウエハＷが取り出される。そしてウエハＷは受け
渡し手段２４から棚ユニット２５Ａの一つである受け渡
しユニット（ＴＲＳ１）を介して基板搬送手段２６Ａへ
と受け渡され、この後基板搬送手段２６Ａ，２６Ｂとに
より、既述のようにＴＲＳ１→ＣＰＬ１→ＣＯＴ→ＴＲ
Ｓ２→ＬＨＰ１→ＣＰＬ２の経路で搬送されて、ＣＰＬ
２を介してレジスト液の塗布が行われたウエハが第１の
インターフェイス部Ｓ２に送られる。
【００２７】第１のインターフェイス部Ｓ２内では、イ
ン用バッファカセット→周辺露光装置→高精度温調ユニ
ットの順序で受け渡し手段３１により搬送され、棚ユニ
ット３２Ｂの受け渡しユニットを介して第２のインター
フェイス部Ｓ３に搬送され、第２のインターフェイス部
Ｓ３のウエハは搬送手段３３により露光装置Ｓ４のイン
ステージ３４を介して露光装置Ｓ４に搬送され、露光が
行われる。
ン用バッファカセット→周辺露光装置→高精度温調ユニ
ットの順序で受け渡し手段３１により搬送され、棚ユニ
ット３２Ｂの受け渡しユニットを介して第２のインター
フェイス部Ｓ３に搬送され、第２のインターフェイス部
Ｓ３のウエハは搬送手段３３により露光装置Ｓ４のイン
ステージ３４を介して露光装置Ｓ４に搬送され、露光が
行われる。
【００２８】露光後ウエハは第２のインターフェイスＳ
３→第１のインターフェイス部Ｓ２を介して処理部Ｓ１
のＰＥＢを介して処理部Ｓ１まで搬送され、既述のよう
にＰＥＢ→ＣＰＬ３→ＤＥＶ→ＬＨＰ２→ＴＲＳ３→Ｔ
ＲＳ４の経路で搬送され、こうして現像装置にて所定の
現像処理が行われて、所定のレジストパターンが形成さ
れる。
３→第１のインターフェイス部Ｓ２を介して処理部Ｓ１
のＰＥＢを介して処理部Ｓ１まで搬送され、既述のよう
にＰＥＢ→ＣＰＬ３→ＤＥＶ→ＬＨＰ２→ＴＲＳ３→Ｔ
ＲＳ４の経路で搬送され、こうして現像装置にて所定の
現像処理が行われて、所定のレジストパターンが形成さ
れる。
【００２９】この際基板搬送手段２６Ａは、ロットのｎ
番目のウエハＷｎをＴＲＳ１を介して次工程のＣＰＬ１
に搬送し、次いでＣＯＴ→ＴＲＳ２→ＴＲＳ３→ＴＲＳ
４→ＴＲＳ１の経路で１サイクルして再びＴＲＳ１に戻
ってきて、次の（ｎ＋１）番目のウエハＷｎ＋１をＴＲ
Ｓ１を介してＣＰＬ１に搬送する。また基板搬送手段２
６Ｂは、ＴＲＳ２のウエハを次工程のＬＨＰ１に搬送
し、次いでＣＰＬ２→ＰＥＢ→ＣＰＬ３→ＤＥＶ→ＬＨ
Ｐ２→ＴＲＳ３→ＴＲＳ２の経路で１サイクルして再び
ＴＲＳ２に戻ってきて、次のウエハをＴＲＳ２を介して
ＬＨＰ１に搬送する。ここで前記塗布装置４Ａの一例に
ついて図５を参照しながら説明する。図中４１は基板保
持部であるスピンチャックであり、真空吸着によりウエ
ハＷを略水平に保持するように構成されている。このス
ピンチャック４１はモータ及び昇降部を含む駆動部４２
により略鉛直軸まわりに回転でき、かつ昇降できるよう
になっている。またスピンチャック４１の周囲にはウエ
ハＷからスピンチャック４１に跨る部分を囲い、かつ下
方側全周に亘って凹部が形成された液受けカップ４３が
設けられ、当該液受けカップ４３の底面には排気管４４
及びドレイン管４５が接続されている。液受けカップ４
３の上方側にはレジスト液の供給ノズル４６が設けられ
ており、この供給ノズル４６は図示しない移動機構によ
りウエハＷの中央部上方と前記液受けカップ４３の外側
の待機部４８との間で移動できるように構成されてい
る。
番目のウエハＷｎをＴＲＳ１を介して次工程のＣＰＬ１
に搬送し、次いでＣＯＴ→ＴＲＳ２→ＴＲＳ３→ＴＲＳ
４→ＴＲＳ１の経路で１サイクルして再びＴＲＳ１に戻
ってきて、次の（ｎ＋１）番目のウエハＷｎ＋１をＴＲ
Ｓ１を介してＣＰＬ１に搬送する。また基板搬送手段２
６Ｂは、ＴＲＳ２のウエハを次工程のＬＨＰ１に搬送
し、次いでＣＰＬ２→ＰＥＢ→ＣＰＬ３→ＤＥＶ→ＬＨ
Ｐ２→ＴＲＳ３→ＴＲＳ２の経路で１サイクルして再び
ＴＲＳ２に戻ってきて、次のウエハをＴＲＳ２を介して
ＬＨＰ１に搬送する。ここで前記塗布装置４Ａの一例に
ついて図５を参照しながら説明する。図中４１は基板保
持部であるスピンチャックであり、真空吸着によりウエ
ハＷを略水平に保持するように構成されている。このス
ピンチャック４１はモータ及び昇降部を含む駆動部４２
により略鉛直軸まわりに回転でき、かつ昇降できるよう
になっている。またスピンチャック４１の周囲にはウエ
ハＷからスピンチャック４１に跨る部分を囲い、かつ下
方側全周に亘って凹部が形成された液受けカップ４３が
設けられ、当該液受けカップ４３の底面には排気管４４
及びドレイン管４５が接続されている。液受けカップ４
３の上方側にはレジスト液の供給ノズル４６が設けられ
ており、この供給ノズル４６は図示しない移動機構によ
りウエハＷの中央部上方と前記液受けカップ４３の外側
の待機部４８との間で移動できるように構成されてい
る。
【００３０】前記供給ノズル４６は、レジスト液をノズ
ル４６に圧送するためのポンプＰやバルブＶが介装され
た供給路４９を介してレジスト液の供給源であるレジス
ト液タンク５０に連通接続されている。また前記待機部
４８には、例えばシンナーなどの洗浄液を貯留するため
の洗浄槽５１が設けられており、この洗浄槽５１は、当
該洗浄槽５１内に洗浄液を供給する洗浄液供給管５２
と、洗浄槽内の洗浄液等を排液するための排出管５３
と、を備えている。この待機部４８では、例えばダミー
ディスペンス時に、供給ノズル４６から洗浄槽５１内に
レジスト液を吐出し、当該吐出されたレジスト液は排出
管５３から排液され、また供給ノズル４６の待機時に、
洗浄液が満たされた洗浄槽５１内に当該ノズル４６を浸
漬させることにより、ノズル４６の洗浄が行われる。
ル４６に圧送するためのポンプＰやバルブＶが介装され
た供給路４９を介してレジスト液の供給源であるレジス
ト液タンク５０に連通接続されている。また前記待機部
４８には、例えばシンナーなどの洗浄液を貯留するため
の洗浄槽５１が設けられており、この洗浄槽５１は、当
該洗浄槽５１内に洗浄液を供給する洗浄液供給管５２
と、洗浄槽内の洗浄液等を排液するための排出管５３
と、を備えている。この待機部４８では、例えばダミー
ディスペンス時に、供給ノズル４６から洗浄槽５１内に
レジスト液を吐出し、当該吐出されたレジスト液は排出
管５３から排液され、また供給ノズル４６の待機時に、
洗浄液が満たされた洗浄槽５１内に当該ノズル４６を浸
漬させることにより、ノズル４６の洗浄が行われる。
【００３１】このように構成された塗布装置４Ａにおい
ては、前記基板搬送手段２６ＡによりウエハＷが搬入さ
れてからスピンチャック４１に受け渡される。そして供
給ノズル４６からウエハＷの中央部にレジスト液を供給
すると共に所定の回転数でスピンチャック４１を回転さ
せると、レジスト液はその遠心力によりウエハＷの径方
向に広がってウエハＷ表面にレジスト液の液膜が形成さ
れ、振り切られた分は液受けカップ４３へと流れ落ち
る。前記駆動部４２やバルブＶ，ポンプＰの動作はコン
トローラ４０により制御され、前記駆動部４２やバルブ
Ｖの開閉、ポンプＰの動作の開始，停止のタイミング
や、スピンチャック４１の回転数、レジスト液の吐出量
などの諸条件は後述の制御部６により設定されてコント
ローラ４０Ａに指示される。
ては、前記基板搬送手段２６ＡによりウエハＷが搬入さ
れてからスピンチャック４１に受け渡される。そして供
給ノズル４６からウエハＷの中央部にレジスト液を供給
すると共に所定の回転数でスピンチャック４１を回転さ
せると、レジスト液はその遠心力によりウエハＷの径方
向に広がってウエハＷ表面にレジスト液の液膜が形成さ
れ、振り切られた分は液受けカップ４３へと流れ落ち
る。前記駆動部４２やバルブＶ，ポンプＰの動作はコン
トローラ４０により制御され、前記駆動部４２やバルブ
Ｖの開閉、ポンプＰの動作の開始，停止のタイミング
や、スピンチャック４１の回転数、レジスト液の吐出量
などの諸条件は後述の制御部６により設定されてコント
ローラ４０Ａに指示される。
【００３２】図１に戻ると、前記基板処理装置は、各処
理ユニットのレシピの管理などを行う制御部６を備えて
いる。図６はこの制御部の構成を示すものであり、実際
にはＣＰＵ（中央処理ユニット）、プログラム及びメモ
リなどにより構成されるが、各機能をブロック化し構成
要素として説明するものとする。制御部６は各処理ユニ
ットのレシピの作成や管理を行うと共に、レシピに応じ
て各処理ユニットの制御を行うものであるが、この実施
の形態におけるその働きの要点は、液処理装置例えば塗
布装置にてダミーディスペンスを行う場合のウエハの搬
送の制御にある。従って以下ではこれに重点をおいて説
明する。
理ユニットのレシピの管理などを行う制御部６を備えて
いる。図６はこの制御部の構成を示すものであり、実際
にはＣＰＵ（中央処理ユニット）、プログラム及びメモ
リなどにより構成されるが、各機能をブロック化し構成
要素として説明するものとする。制御部６は各処理ユニ
ットのレシピの作成や管理を行うと共に、レシピに応じ
て各処理ユニットの制御を行うものであるが、この実施
の形態におけるその働きの要点は、液処理装置例えば塗
布装置にてダミーディスペンスを行う場合のウエハの搬
送の制御にある。従って以下ではこれに重点をおいて説
明する。
【００３３】図６中６１はレシピ作成部、６２はレシピ
格納部、６３はレシピ選択部であり、レシピ作成部６１
では、レジスト種類や現像液種類、加熱温度や時間、冷
却温度や時間、レジスト液の塗布時間、現像時間、ダミ
ーディスペンスのタイミング、１つのロットのウエハ枚
数などといった所定の膜を形成する処理に必要な処理条
件を組み合わせたプロセスレシピの入力を行うことがで
きるようになっており、ここで作成された各レシピはレ
シピ格納部６２へ格納される。このレシピ作成部６１
は、レシピ作成プログラム及びレシピの入力や編集のた
めの操作画面などからなる。
格納部、６３はレシピ選択部であり、レシピ作成部６１
では、レジスト種類や現像液種類、加熱温度や時間、冷
却温度や時間、レジスト液の塗布時間、現像時間、ダミ
ーディスペンスのタイミング、１つのロットのウエハ枚
数などといった所定の膜を形成する処理に必要な処理条
件を組み合わせたプロセスレシピの入力を行うことがで
きるようになっており、ここで作成された各レシピはレ
シピ格納部６２へ格納される。このレシピ作成部６１
は、レシピ作成プログラム及びレシピの入力や編集のた
めの操作画面などからなる。
【００３４】レシピ格納部６２は、図７に示すように、
既述のレシピ作成部６１で作成されたプロセスレシピ７
１や、ウエハの経路を指定した搬送レシピ７２、ポンプ
の動作に関するレシピ７３、ダミーディスペンスの吐出
量などを指定したダミーディスペンスレシピ７４などが
格納されるようになっている。レシピ選択部７３では、
オペレータが目的とする処理に応じて複数用意されたレ
シピから、プロセスレシピ７１、搬送レシピ７２、ポン
プレシピ７３、ダミーディスペンスレシピ７４を選択す
る。なおＢ１はバスである。
既述のレシピ作成部６１で作成されたプロセスレシピ７
１や、ウエハの経路を指定した搬送レシピ７２、ポンプ
の動作に関するレシピ７３、ダミーディスペンスの吐出
量などを指定したダミーディスペンスレシピ７４などが
格納されるようになっている。レシピ選択部７３では、
オペレータが目的とする処理に応じて複数用意されたレ
シピから、プロセスレシピ７１、搬送レシピ７２、ポン
プレシピ７３、ダミーディスペンスレシピ７４を選択す
る。なおＢ１はバスである。
【００３５】また制御部６は、サイクルタイム計算部６
４と、ダミーディスペンス時間計算部６５と、ウエハ受
け渡し停止回数計算部６６と、カウント部６７と、ダミ
ーディスペンス判断部６８と、を備えている。サイクル
タイム計算部６４は、ダミーディスペンスを行う液処理
装置へのウエハの搬送を行う基板搬送手段のサイクルタ
イム、この例では塗布装置へのウエハの搬送を行う基板
搬送手段２６Ａのサイクルタイムを計算する機能を有し
ている。ここでサイクルタイムとは、カセットステーシ
ョン２１のカセットＣ内のｎ番目のウエハが基板搬送手
段２６Ａに受け渡されてから、カセットＣ内の（ｎ＋
１）番目のウエハが再び基板搬送手段２６Ａに受け渡さ
れるまでの時間をいい、この例に当てはめると、カセッ
トステーション２１のカセットＣから受け渡し手段２４
により処理部Ｓ１のＴＲＳ１に受け渡されたｎ番目のウ
エハを基板搬送手段２６Ａが受け取り、処理部Ｓ１内を
所定の経路で移動して、再びＴＲＳ１にカセットステー
ション２１からＴＲＳ１に受け渡された（ｎ＋１）番目
のウエハを基板搬送手段２６Ａが受け取るまでの時間を
いう。このサイクルタイムは、例えばレシピ選択部６３
により選択されたプロセスレシピ７１と搬送レシピ７２
とに基づいて計算される。
４と、ダミーディスペンス時間計算部６５と、ウエハ受
け渡し停止回数計算部６６と、カウント部６７と、ダミ
ーディスペンス判断部６８と、を備えている。サイクル
タイム計算部６４は、ダミーディスペンスを行う液処理
装置へのウエハの搬送を行う基板搬送手段のサイクルタ
イム、この例では塗布装置へのウエハの搬送を行う基板
搬送手段２６Ａのサイクルタイムを計算する機能を有し
ている。ここでサイクルタイムとは、カセットステーシ
ョン２１のカセットＣ内のｎ番目のウエハが基板搬送手
段２６Ａに受け渡されてから、カセットＣ内の（ｎ＋
１）番目のウエハが再び基板搬送手段２６Ａに受け渡さ
れるまでの時間をいい、この例に当てはめると、カセッ
トステーション２１のカセットＣから受け渡し手段２４
により処理部Ｓ１のＴＲＳ１に受け渡されたｎ番目のウ
エハを基板搬送手段２６Ａが受け取り、処理部Ｓ１内を
所定の経路で移動して、再びＴＲＳ１にカセットステー
ション２１からＴＲＳ１に受け渡された（ｎ＋１）番目
のウエハを基板搬送手段２６Ａが受け取るまでの時間を
いう。このサイクルタイムは、例えばレシピ選択部６３
により選択されたプロセスレシピ７１と搬送レシピ７２
とに基づいて計算される。
【００３６】前記ダミーディスペンス時間計算部６５
は、塗布装置におけるダミーディスペンス時間を計算す
る機能を有しており、例えばダミーディスペンス時間は
レシピ選択部６３により選択されたポンプレシピ７３と
ダミーディスペンスレシピ７４とに基づいて計算され
る。
は、塗布装置におけるダミーディスペンス時間を計算す
る機能を有しており、例えばダミーディスペンス時間は
レシピ選択部６３により選択されたポンプレシピ７３と
ダミーディスペンスレシピ７４とに基づいて計算され
る。
【００３７】前記ウエハ受け渡し停止回数計算部６６
は、液処理装置において前ロットと後ロットの間にダミ
ーディスペンスを行う場合に、カセットステーション２
１の前ロットの最後のウエハを、ダミーディスペンスを
行う液処理装置へのウエハの搬送を行う基板搬送手段
（この例では基板搬送手段２６Ａ）に受け渡した後に、
後ロットの最初のウエハの前記基板搬送手段への受け渡
しを停止する回数を計算する機能を有している。この例
では、カセットステーション２１から処理部Ｓ１のＴＲ
Ｓ１を介して基板搬送手段２６Ａにウエハが受け渡され
るので、カセットステーション２１からＴＲＳ１へのウ
エハの受け渡しを停止する回数をいい、この回数は例え
ばサイクルタイムとダミーディスペンス時間とに基づい
て計算される。具体的には、サイクルタイムをＡ秒、ダ
ミーディスペンス時間をＢ秒とすると、Ａｘ＜Ｂを満た
すｘ（０を含む整数）を求め、（ｘ＋１）回がウエハ受
け渡し停止回数となる。具体例により説明する。サイク
ルタイムが例えば３０秒、ダミーディスペンス時間が２
０秒であって、サイクルタイムがダミーディスペンス時
間よりも長い場合（Ａ＞Ｂの場合）、ｘ＝０となり、ウ
エハ受け渡し停止回数は１回となる。またサイクルタイ
ムが例えば３０秒、ダミーディスペンス時間が４０秒で
ある場合、ｘ＝１となり、空サイクル数は２回となる。
なおダミーディスペンス時間とサイクルタイムとが同じ
時間である場合は、ウエハ受け渡し停止回数は１回とな
る。
は、液処理装置において前ロットと後ロットの間にダミ
ーディスペンスを行う場合に、カセットステーション２
１の前ロットの最後のウエハを、ダミーディスペンスを
行う液処理装置へのウエハの搬送を行う基板搬送手段
（この例では基板搬送手段２６Ａ）に受け渡した後に、
後ロットの最初のウエハの前記基板搬送手段への受け渡
しを停止する回数を計算する機能を有している。この例
では、カセットステーション２１から処理部Ｓ１のＴＲ
Ｓ１を介して基板搬送手段２６Ａにウエハが受け渡され
るので、カセットステーション２１からＴＲＳ１へのウ
エハの受け渡しを停止する回数をいい、この回数は例え
ばサイクルタイムとダミーディスペンス時間とに基づい
て計算される。具体的には、サイクルタイムをＡ秒、ダ
ミーディスペンス時間をＢ秒とすると、Ａｘ＜Ｂを満た
すｘ（０を含む整数）を求め、（ｘ＋１）回がウエハ受
け渡し停止回数となる。具体例により説明する。サイク
ルタイムが例えば３０秒、ダミーディスペンス時間が２
０秒であって、サイクルタイムがダミーディスペンス時
間よりも長い場合（Ａ＞Ｂの場合）、ｘ＝０となり、ウ
エハ受け渡し停止回数は１回となる。またサイクルタイ
ムが例えば３０秒、ダミーディスペンス時間が４０秒で
ある場合、ｘ＝１となり、空サイクル数は２回となる。
なおダミーディスペンス時間とサイクルタイムとが同じ
時間である場合は、ウエハ受け渡し停止回数は１回とな
る。
【００３８】また前記カウント部６７は、処理部Ｓ１に
おけるウエハの処理枚数をカウントする機能を有してお
り、例えばカセットステーションから処理部Ｓ１のＴＲ
Ｓ１にウエハを受け渡すときにカウントされる。さらに
前記ダミーディスペンス判断部６８は、例えば前記カウ
ント部６７によりカウントされたウエハの枚数に基づい
てダミーディスペンスを行うかどうかを判断する機能を
有している。
おけるウエハの処理枚数をカウントする機能を有してお
り、例えばカセットステーションから処理部Ｓ１のＴＲ
Ｓ１にウエハを受け渡すときにカウントされる。さらに
前記ダミーディスペンス判断部６８は、例えば前記カウ
ント部６７によりカウントされたウエハの枚数に基づい
てダミーディスペンスを行うかどうかを判断する機能を
有している。
【００３９】さらにまた制御部６は、制御対象である基
板搬送手段２６（２６Ａ，２６Ｂ）、受け渡し手段２
４、塗布装置４Ａや、現像装置４Ｂ、棚ユニット２５Ａ
〜２５Ｃに設けられるＣＰＬ、ＬＨＰ、ＰＥＢ等の加
熱、冷却系ユニット５４に対して、夫々のコントローラ
２６０，２４０，４０Ａ，４０Ｂ，５４０を介して接続
されており、これらのユニットの動作は制御部６の指令
に基づいて各コントローラにより制御される。
板搬送手段２６（２６Ａ，２６Ｂ）、受け渡し手段２
４、塗布装置４Ａや、現像装置４Ｂ、棚ユニット２５Ａ
〜２５Ｃに設けられるＣＰＬ、ＬＨＰ、ＰＥＢ等の加
熱、冷却系ユニット５４に対して、夫々のコントローラ
２６０，２４０，４０Ａ，４０Ｂ，５４０を介して接続
されており、これらのユニットの動作は制御部６の指令
に基づいて各コントローラにより制御される。
【００４０】次に本実施の形態における作用を上述の基
板処理装置によりレジストパターンを形成する場合を例
にして説明する。先ずレジストパターンを形成するに先
立って、オペレータがレシピ選択部６３により形成しよ
うとする膜のプロセスレシピ７１と、搬送レシピ７２
と、ポンプレシピ７３と、ダミーディスペンスレシピ７
４と、を選択する。ここで目的のレシピが例えばウエハ
Ａ０１からウエハＡ２５までの２５枚のウエハを有する
前ロットＡと、ロットＡの後続の後ロットＢとの間に塗
布装置４Ａにてダミーディスペンスを行うものであると
すると、制御部６ではサイクルタイム計算部６４におい
て、ロットＡのプロセスレシピ７１と搬送レシピ７２と
により、塗布装置４Ａへのウエハの搬送を行う基板搬送
手段２６Ａのサイクルタイムを計算し、ダミーディスペ
ンス時間計算部６５において、ロットＡのポンプレシピ
７３とダミーディスペンスレシピ７４とにより、塗布装
置４Ａのダミーディスペンス時間を計算する。
板処理装置によりレジストパターンを形成する場合を例
にして説明する。先ずレジストパターンを形成するに先
立って、オペレータがレシピ選択部６３により形成しよ
うとする膜のプロセスレシピ７１と、搬送レシピ７２
と、ポンプレシピ７３と、ダミーディスペンスレシピ７
４と、を選択する。ここで目的のレシピが例えばウエハ
Ａ０１からウエハＡ２５までの２５枚のウエハを有する
前ロットＡと、ロットＡの後続の後ロットＢとの間に塗
布装置４Ａにてダミーディスペンスを行うものであると
すると、制御部６ではサイクルタイム計算部６４におい
て、ロットＡのプロセスレシピ７１と搬送レシピ７２と
により、塗布装置４Ａへのウエハの搬送を行う基板搬送
手段２６Ａのサイクルタイムを計算し、ダミーディスペ
ンス時間計算部６５において、ロットＡのポンプレシピ
７３とダミーディスペンスレシピ７４とにより、塗布装
置４Ａのダミーディスペンス時間を計算する。
【００４１】そしてウエハ受け渡し停止回数計算部６６
において、前記基板搬送手段２６Ａのサイクルタイムと
ダミーディスペンス時間とにより、カセットステーショ
ン２１から処理部Ｓ１のＴＲＳ１へのウエハの受け渡し
を停止する回数を計算し、例えばカセットステーション
２１の受け渡しアーム２４のコントローラ２４０に、ロ
ットＡの最後のウエハＡ２５がＴＲＳ１へ受け渡された
後、前記計算された停止回数分、カセットＣからのウエ
ハの取り出し動作を停止し、この後ロットＢの最初のウ
エハＢ０１を取り出して、ＴＲＳ１に受け渡す旨の指令
を出力する。
において、前記基板搬送手段２６Ａのサイクルタイムと
ダミーディスペンス時間とにより、カセットステーショ
ン２１から処理部Ｓ１のＴＲＳ１へのウエハの受け渡し
を停止する回数を計算し、例えばカセットステーション
２１の受け渡しアーム２４のコントローラ２４０に、ロ
ットＡの最後のウエハＡ２５がＴＲＳ１へ受け渡された
後、前記計算された停止回数分、カセットＣからのウエ
ハの取り出し動作を停止し、この後ロットＢの最初のウ
エハＢ０１を取り出して、ＴＲＳ１に受け渡す旨の指令
を出力する。
【００４２】次いで制御部６はロットＡのスタート指示
を各部に出力する。こうして例えばカウント部６７によ
りカセットステーション２１の受け渡し手段２４によっ
て処理部Ｓ１のＴＲＳ１にウエハが受け渡される際のウ
エハの枚数をカウントしながら、基板搬送手段２６Ａ，
２６Ｂによりウエハを既述の経路で搬送して所定の処理
を行い、前記カウント枚数に基づいてダミーディスペン
スを行うか否かの判断を行う。この実施の形態では、予
め設定された枚数がカウントされたとき、例えばロット
Ａの最後のウエハＡ２５がカウントされたときに、ダミ
ーディスペンスを行う判定がなされる。ダミーディスペ
ンスを行わない判定がなされたときには、基板搬送手段
２６Ａ，２６Ｂによりウエハを既述の経路で搬送して所
定の処理を行う。
を各部に出力する。こうして例えばカウント部６７によ
りカセットステーション２１の受け渡し手段２４によっ
て処理部Ｓ１のＴＲＳ１にウエハが受け渡される際のウ
エハの枚数をカウントしながら、基板搬送手段２６Ａ，
２６Ｂによりウエハを既述の経路で搬送して所定の処理
を行い、前記カウント枚数に基づいてダミーディスペン
スを行うか否かの判断を行う。この実施の形態では、予
め設定された枚数がカウントされたとき、例えばロット
Ａの最後のウエハＡ２５がカウントされたときに、ダミ
ーディスペンスを行う判定がなされる。ダミーディスペ
ンスを行わない判定がなされたときには、基板搬送手段
２６Ａ，２６Ｂによりウエハを既述の経路で搬送して所
定の処理を行う。
【００４３】ダミーディスペンスを行う判定がなされた
ときは、制御部６により塗布装置４ＡのポンプＰ及びバ
ルブＶに指令が出力されて、前記ウエハＡ２５が塗布装
置４Ａから取り出されたときに、バルブＶが開き、ポン
プＰが作動されて、ダミーディスペンスが行われる。ま
たロットＡの最後のウエハＡ２５がカウントされると、
既述のように制御部６からの指令に基づいて、カセット
ステーション２１の受け渡し手段２４は計算された枚数
分のウエハの取り出しを停止し、これにより処理部Ｓ１
のＴＲＳ１へのウエハの受け渡し動作が前記回数分停止
される。
ときは、制御部６により塗布装置４ＡのポンプＰ及びバ
ルブＶに指令が出力されて、前記ウエハＡ２５が塗布装
置４Ａから取り出されたときに、バルブＶが開き、ポン
プＰが作動されて、ダミーディスペンスが行われる。ま
たロットＡの最後のウエハＡ２５がカウントされると、
既述のように制御部６からの指令に基づいて、カセット
ステーション２１の受け渡し手段２４は計算された枚数
分のウエハの取り出しを停止し、これにより処理部Ｓ１
のＴＲＳ１へのウエハの受け渡し動作が前記回数分停止
される。
【００４４】この後ロットＢの最初のウエハＢ０１がカ
セットステーション２１の受け渡しアーム２４によりＴ
ＲＳ１に搬送され、基板搬送手段２６Ａ，２６Ｂにより
既述の経路でウエハを搬送してロットＢのウエハに対し
て所定の処理を行う。なおダミーディスペンスが行われ
て、カセットステーション２１の受け渡し手段２４によ
るロットＢの最初のウエハＢ０１の取り出しが停止され
るとカウント数がリセットされ、次にロットＢの最初の
ウエハＢ０１が処理部Ｓ１のＴＲＳ１に搬送されたとき
に、次のカウントが始められる。
セットステーション２１の受け渡しアーム２４によりＴ
ＲＳ１に搬送され、基板搬送手段２６Ａ，２６Ｂにより
既述の経路でウエハを搬送してロットＢのウエハに対し
て所定の処理を行う。なおダミーディスペンスが行われ
て、カセットステーション２１の受け渡し手段２４によ
るロットＢの最初のウエハＢ０１の取り出しが停止され
るとカウント数がリセットされ、次にロットＢの最初の
ウエハＢ０１が処理部Ｓ１のＴＲＳ１に搬送されたとき
に、次のカウントが始められる。
【００４５】このような実施の形態では、ロットＡの最
後のウエハＡ２５とロットＢの最初のウエハＢ０１との
間に、カセットステーション２１からの受け渡し手段２
４による処理部Ｓ１のＴＲＳ１へのウエハの受け渡しを
所定回数行わないようにし、この間にダミーディスペン
スが行われる。つまり図８に塗布装置４Ａにおける処理
の様子とダミーディスペンスとの関係を示すように、塗
布装置４ＡにおけるロットＡの処理とロットＢの処理と
の間にウエハを搬送しない状態を作り、この間にダミー
ディスペンスが行われるので、塗布装置４Ａのダミーデ
ィスペンスが終了するまで基板搬送手段２６Ａがウエハ
を保持したまま待機するといった、ウエハ搬送の停止状
態が生じる恐れがない。具体的に、例えば既述のよう
に、サイクルタイムが３０秒、ダミーディスペンス時間
が２０秒の場合を例にして説明すると、この場合ウエハ
受け渡し停止回数は１回となり、図９に示すように、ウ
エハＡ２５とウエハＢ０１の間には、ウエハ１枚分搬送
しない状態が形成される。塗布装置４ＡにてウエハＡ２
５のレジスト塗布が終了し、ウエハＡ２５が塗布装置４
Ａの次工程であるＴＲＳ２に搬送されたときには、ウエ
ハＢ０１は塗布装置４Ａの前工程のＣＰＬ１に搬送され
ている。この状態で塗布装置４Ａにてダミーディスペン
スが行われるが、ダミーディスペンス時間が２０秒、サ
イクルタイムが３０秒であるので、ダミーディスペンス
が終了してからＣＰＬ１のウエハＢ０１が基板搬送手段
２６Ａにより塗布装置４Ａに搬送される。このためウエ
ハＢ０１は待機することなく直ちに塗布装置４Ａに受け
渡されるので、ダミーディスペンスの間、基板搬送手段
によるウエハの搬送が停止することがなく、スムーズな
搬送が行われ、スループットの向上を図ることができ
る。ここで目的とする膜の種類によっては、ダミーディ
スペンスを行う塗布装置の次工程がウエハの加熱処理を
行う加熱装置である場合があり、この加熱装置に塗布装
置から基板搬送手段にて従来の手法にてウエハを搬送す
る場合には、ダミーディスペンスが終了するまで塗布装
置へのウエハの受け渡しや塗布装置からのウエハの取り
出しを待機しなければならないので、これにより加熱装
置からの基板の取り出しがダミーディスペンス時間分遅
れ、ウエハのオーバーベークを招くことになる。
後のウエハＡ２５とロットＢの最初のウエハＢ０１との
間に、カセットステーション２１からの受け渡し手段２
４による処理部Ｓ１のＴＲＳ１へのウエハの受け渡しを
所定回数行わないようにし、この間にダミーディスペン
スが行われる。つまり図８に塗布装置４Ａにおける処理
の様子とダミーディスペンスとの関係を示すように、塗
布装置４ＡにおけるロットＡの処理とロットＢの処理と
の間にウエハを搬送しない状態を作り、この間にダミー
ディスペンスが行われるので、塗布装置４Ａのダミーデ
ィスペンスが終了するまで基板搬送手段２６Ａがウエハ
を保持したまま待機するといった、ウエハ搬送の停止状
態が生じる恐れがない。具体的に、例えば既述のよう
に、サイクルタイムが３０秒、ダミーディスペンス時間
が２０秒の場合を例にして説明すると、この場合ウエハ
受け渡し停止回数は１回となり、図９に示すように、ウ
エハＡ２５とウエハＢ０１の間には、ウエハ１枚分搬送
しない状態が形成される。塗布装置４ＡにてウエハＡ２
５のレジスト塗布が終了し、ウエハＡ２５が塗布装置４
Ａの次工程であるＴＲＳ２に搬送されたときには、ウエ
ハＢ０１は塗布装置４Ａの前工程のＣＰＬ１に搬送され
ている。この状態で塗布装置４Ａにてダミーディスペン
スが行われるが、ダミーディスペンス時間が２０秒、サ
イクルタイムが３０秒であるので、ダミーディスペンス
が終了してからＣＰＬ１のウエハＢ０１が基板搬送手段
２６Ａにより塗布装置４Ａに搬送される。このためウエ
ハＢ０１は待機することなく直ちに塗布装置４Ａに受け
渡されるので、ダミーディスペンスの間、基板搬送手段
によるウエハの搬送が停止することがなく、スムーズな
搬送が行われ、スループットの向上を図ることができ
る。ここで目的とする膜の種類によっては、ダミーディ
スペンスを行う塗布装置の次工程がウエハの加熱処理を
行う加熱装置である場合があり、この加熱装置に塗布装
置から基板搬送手段にて従来の手法にてウエハを搬送す
る場合には、ダミーディスペンスが終了するまで塗布装
置へのウエハの受け渡しや塗布装置からのウエハの取り
出しを待機しなければならないので、これにより加熱装
置からの基板の取り出しがダミーディスペンス時間分遅
れ、ウエハのオーバーベークを招くことになる。
【００４６】このようにオーバーベークすると膜厚が小
さくなり、同じ露光量の場合には線幅が変わってしまう
ので、膜質が変わってしまう。このように基板搬送手段
によるウエハの搬送が一時的に停止すると、プロセスに
悪影響を与える場合も多く、本発明のように基板搬送手
段によるウエハの搬送の一時停止が抑えられることは、
プロセスの悪影響の発生を防いで均一な処理を行う点か
ら見ても有効である。この際カセットステーション２１
からの基板搬送手段２６Ａへのウエハの受け渡しを停止
するといった手法を用いているので、基板搬送手段２６
Ａ，２６Ｂの搬送プログラムが複雑化が抑えられる。
さくなり、同じ露光量の場合には線幅が変わってしまう
ので、膜質が変わってしまう。このように基板搬送手段
によるウエハの搬送が一時的に停止すると、プロセスに
悪影響を与える場合も多く、本発明のように基板搬送手
段によるウエハの搬送の一時停止が抑えられることは、
プロセスの悪影響の発生を防いで均一な処理を行う点か
ら見ても有効である。この際カセットステーション２１
からの基板搬送手段２６Ａへのウエハの受け渡しを停止
するといった手法を用いているので、基板搬送手段２６
Ａ，２６Ｂの搬送プログラムが複雑化が抑えられる。
【００４７】以上のように、本発明は、塗布装置４Ａに
てダミーディスペンスを行うとの判断がなされたとき、
またはダミーディスペンスを行うと予測されたときに、
カセットステーション２１から処理部Ｓ１のＴＲＳ１に
後ロットの最初のウエハの受け渡しを停止して、前ロッ
トと後ロットとの間に、所定の間隔を空けることを特徴
とするものであるが、ダミーディスペンスを行うか否か
の判断は予測の場合も含めて、上述の実施の形態のよう
にウエハの処理枚数をカウントして行うようにしてもよ
いし、処理時間をカウントして行うようにしてもよい。
また基板処理装置の制御部６において前ロットの最後の
ウエハがどの工程にいるかを確認し、これに基づいて判
断するようにしてもよい。さらに前ロットの最後のウエ
ハと、後ロットの最初のウエハの認識も、直接ウエハを
カウントして行うようにしてもよいし、制御部６におい
てウエハがどの工程にいるかを確認して行うようにして
もよい。またウエハのカウント場所は、本実施の形態の
ように処理部Ｓ１のＴＲＳ１に限らず、カセットステー
ション２１のカセットＣであってもよい。
てダミーディスペンスを行うとの判断がなされたとき、
またはダミーディスペンスを行うと予測されたときに、
カセットステーション２１から処理部Ｓ１のＴＲＳ１に
後ロットの最初のウエハの受け渡しを停止して、前ロッ
トと後ロットとの間に、所定の間隔を空けることを特徴
とするものであるが、ダミーディスペンスを行うか否か
の判断は予測の場合も含めて、上述の実施の形態のよう
にウエハの処理枚数をカウントして行うようにしてもよ
いし、処理時間をカウントして行うようにしてもよい。
また基板処理装置の制御部６において前ロットの最後の
ウエハがどの工程にいるかを確認し、これに基づいて判
断するようにしてもよい。さらに前ロットの最後のウエ
ハと、後ロットの最初のウエハの認識も、直接ウエハを
カウントして行うようにしてもよいし、制御部６におい
てウエハがどの工程にいるかを確認して行うようにして
もよい。またウエハのカウント場所は、本実施の形態の
ように処理部Ｓ１のＴＲＳ１に限らず、カセットステー
ション２１のカセットＣであってもよい。
【００４８】ここで液処理装置にてダミーディスペンス
が行われるタイミングとしては、設定されたロット数が
処理される毎、プロセスレシピ変更時、前ロットと後ロ
ット開始までの時間が所定間隔以上空いたとき、設定さ
れた時間毎、設定された枚数を処理した時等がある。
が行われるタイミングとしては、設定されたロット数が
処理される毎、プロセスレシピ変更時、前ロットと後ロ
ット開始までの時間が所定間隔以上空いたとき、設定さ
れた時間毎、設定された枚数を処理した時等がある。
【００４９】またダミーディスペンスを行う液処理装置
は、塗布装置４Ａのほか、現像装置４Ｂや疎水化ユニッ
トであってもよく、現像装置４Ｂにてダミーディスペン
スを行う場合には、第１のインターフェイス部Ｓ２の受
け渡し手段３１が本発明の受け渡し手段に相当し、第１
のインターフェイス部Ｓ２のアウト用バッファカセット
が本発明の基板カセットに相当し、処理部Ｓ１のＰＥＢ
が本発明の受け渡し部に相当する。
は、塗布装置４Ａのほか、現像装置４Ｂや疎水化ユニッ
トであってもよく、現像装置４Ｂにてダミーディスペン
スを行う場合には、第１のインターフェイス部Ｓ２の受
け渡し手段３１が本発明の受け渡し手段に相当し、第１
のインターフェイス部Ｓ２のアウト用バッファカセット
が本発明の基板カセットに相当し、処理部Ｓ１のＰＥＢ
が本発明の受け渡し部に相当する。
【００５０】またダミーディスペンスが共通の基板搬送
手段で搬送する複数のユニットである場合には、もっと
も長い時間をダミーディスペンス時間として採用して、
このダミーディスペンス時間と基板搬送手段のサイクル
タイムとによりウエハの受け渡し停止回数が決定され
る。
手段で搬送する複数のユニットである場合には、もっと
も長い時間をダミーディスペンス時間として採用して、
このダミーディスペンス時間と基板搬送手段のサイクル
タイムとによりウエハの受け渡し停止回数が決定され
る。
【００５１】さらに本発明では、サイクルタイムやダミ
ーディスペンス時間を、プロセスレシピ７１と搬送レシ
ピ７２と、ポンプレシピ７３とダミーディスペンスレシ
ピ７４と、により夫々計算して求める代わりに、レシピ
作成部６１にてオペレータが設定したサイクルタイムや
ダミーディスペンス時間を直接入力するようにしてもよ
い。またオペレータが液処理装置のダミーディスペンス
時間を予測して、後ロットの最初の基板の基板搬送手段
への受け渡しの停止回数を決定するようにしてもよい。
ーディスペンス時間を、プロセスレシピ７１と搬送レシ
ピ７２と、ポンプレシピ７３とダミーディスペンスレシ
ピ７４と、により夫々計算して求める代わりに、レシピ
作成部６１にてオペレータが設定したサイクルタイムや
ダミーディスペンス時間を直接入力するようにしてもよ
い。またオペレータが液処理装置のダミーディスペンス
時間を予測して、後ロットの最初の基板の基板搬送手段
への受け渡しの停止回数を決定するようにしてもよい。
【００５２】さらにまた本発明では、基板カセットから
直接基板搬送手段でウエハを取り出し、当該ウエハを処
理部に搬送するようにしてもよく、この場合にはダミー
ディスペンス時には基板搬送手段の動作が制御されて、
後ロットの最初のウエハの取り出しが停止される。さら
に本発明は、基板搬送手段が２個の基板処理装置に限ら
ず、３個以上の基板搬送手段を用いた装置や、基板搬送
手段が１個である基板処理装置に適用することができ、
液処理ユニットや処理ユニットの種類や数、レイアウト
は適宜設定できる。
直接基板搬送手段でウエハを取り出し、当該ウエハを処
理部に搬送するようにしてもよく、この場合にはダミー
ディスペンス時には基板搬送手段の動作が制御されて、
後ロットの最初のウエハの取り出しが停止される。さら
に本発明は、基板搬送手段が２個の基板処理装置に限ら
ず、３個以上の基板搬送手段を用いた装置や、基板搬送
手段が１個である基板処理装置に適用することができ、
液処理ユニットや処理ユニットの種類や数、レイアウト
は適宜設定できる。
【００５３】
【発明の効果】本発明によれば、液処理装置においてダ
ミーディスペンスを行う場合であっても、基板搬送手段
による基板の搬送の一時停止を防ぐことができる。
ミーディスペンスを行う場合であっても、基板搬送手段
による基板の搬送の一時停止を防ぐことができる。
【図１】本発明の基板処理方法が実施される基板処理装
置の一実施の形態を表す平面図である。
置の一実施の形態を表す平面図である。
【図２】前記基板処理装置を示す斜視図である。
【図３】前記基板処理装置に設けられる棚ユニットの一
例を示す側面図である。
例を示す側面図である。
【図４】前記基板処理装置の処理部における基板の搬送
経路を示す平面図である。
経路を示す平面図である。
【図５】前記基板処理装置に設けられる塗布装置の一例
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図６】前記基板処理装置の制御部の機能の一例を示す
構成図である。
構成図である。
【図７】前記制御部のレシピ格納部の一例を示す説明図
である。
である。
【図８】本発明の基板処理方法の作用を説明するための
説明図である。
説明図である。
【図９】本発明の基板処理方法の作用を説明するための
説明図である。
説明図である。
【図１０】従来の基板処理装置を示す平面図である。
【図１１】前記基板処理装置内のウエハの搬送経路を示
す平面図である。
す平面図である。
Ｗ ウエハ
Ｃ カセット
Ｓ１ 処理部
２１ カセットステーション
２４ 受け渡しアーム
２５Ａ〜２５Ｃ 棚ユニット
２６Ａ，２６Ｂ 基板搬送手段
２８Ａ，２８Ｂ 液処理装置
４Ａ 塗布装置
４６ 供給ノズル
６ 制御部
６４ サイクルタイム計算部
６５ ダミーディスペンス時間計算部
６６ 受け渡し停止回数計算部
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｃ
Ｆターム(参考） 2H025 AB16 EA05
2H096 AA25 CA14 GA29
5F031 CA02 CA05 DA03 FA01 FA02
FA09 FA12 HA72 MA23 MA24
MA27 PA03 PA04
5F046 JA27 LA19
Claims (6)
- 【請求項１】 基板に処理液を供給する処理を行う液処
理装置と、液処理装置の前後の処理を行う処理ユニット
と、を含み、前記液処理装置と処理ユニットに所定の経
路により順次基板を搬送する基板搬送手段と、を備えた
処理部に対して、複数枚の基板を収納した基板カセット
内の基板を前記基板搬送手段に所定のタイミングで順次
連続して受け渡し、前記基板に所定の処理を行う基板処
理方法において、 前記液処理装置において前ロットと後ロットの間に処理
液を排出するダミーディスペンスを行う場合に、前ロッ
トの最後の基板を基板カセットから基板搬送手段に受け
渡した後、前記ダミーディスペンスが終了してから、後
ロットの最初のウエハが前工程から当該液処理装置に搬
送されるように、基板カセットから基板搬送手段への後
ロットの最初の基板の受け渡しを所定回数停止すること
を特徴とする基板処理方法。 - 【請求項２】 前記基板カセット内の基板を受け渡し手
段により処理部の受け渡し部に搬送し、この受け渡され
た基板を基板搬送手段により処理部内の各部に所定の経
路で搬送することを特徴とする請求項１記載の基板処理
方法。 - 【請求項３】 液処理装置は、基板にレジスト液の塗布
処理を行う塗布装置であることを特徴とする請求項１又
は２記載の基板処理方法。 - 【請求項４】 液処理装置は、露光処理後の基板に現像
液の塗布処理を行う現像装置であり、前記基板カセット
は露光処理後の複数の基板を収納するものであることを
特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処
理方法。 - 【請求項５】 後ロットの最初の基板の基板搬送手段へ
の受け渡しの停止回数は、基板カセット内のｎ番目の基
板が基板カセットから前記基板搬送手段に受け渡されて
から、次の基板カセット内の（ｎ＋１）番目の基板が基
板カセットから前記基板搬送手段に受け渡されるまでの
時間と、液処理装置のダミーディスペンス時間と、に基
づいて決定されることを特徴とする請求項１ないし４の
いずれかに記載の基板処理方法。 - 【請求項６】 オペレータが液処理装置のダミーディス
ペンス時間を予測して、後ロットの最初の基板の基板搬
送手段への受け渡しの停止回数を決定することを特徴と
する請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理方
法。
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