JP2022052165A - 半導体製造装置、基板搬送方法及びプログラム - Google Patents

半導体製造装置、基板搬送方法及びプログラム Download PDF

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Abstract

Figure 2022052165000001
【課題】複数の基板をシリアル搬送して所定処理を行う際に、複数の基板に対するプロセス結果のばらつきを抑制する技術を提供する。
【解決手段】複数の基板に対して所望の処理を行う複数のプロセスモジュールと、複数のプロセスモジュールに複数の基板をシリアル搬送する複数の搬送モジュールと、を有する半導体製造装置であって、それぞれの所望の処理の工程に要する時間の差が許容される時間の範囲内となるようにサイクルタイムを算出し、サイクルタイムに基づいて複数の基板の搬送計画を作成するスケジュール機能部と、作成した搬送計画に従って、複数の基板をプロセスモジュールでシリアル搬送するように複数の搬送モジュールを制御する搬送制御機能部と、を有することで上記課題を解決する。
【選択図】図4

Description

本開示は、半導体製造装置、基板搬送方法及びプログラムに関する。
例えば、それぞれ所定の処理を行う複数の処理モジュールに対して、基板を順次搬送して基板に一連の処理を行う際に、スループットの低下を抑制しつつ、基板による処理結果の不均一を抑制することができる技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開2020-9837号公報
本開示は、複数の基板をシリアル搬送して所望の処理を行う際に、複数の基板に対するプロセス結果のばらつきを抑制する技術を提供する。
本開示の一態様は、複数の基板に対して所望の処理を行う複数のプロセスモジュールと、前記複数のプロセスモジュールに前記複数の基板をシリアル搬送する複数の搬送モジュールと、を有する半導体製造装置であって、それぞれの前記所望の処理の工程に要する時間の差が許容される時間の範囲内となるようにサイクルタイムを算出し、前記サイクルタイムに基づいて前記複数の基板の搬送計画を作成するスケジュール機能部と、作成した前記搬送計画に従って、前記複数の基板を前記プロセスモジュールでシリアル搬送するように前記複数の搬送モジュールを制御する搬送制御機能部と、を有する。
本開示によれば、複数の基板をシリアル搬送して所望の処理を行う際に、複数の基板に対するプロセス結果のばらつきを抑制する技術を提供できる。
本実施形態に係る半導体製造装置の一例の概略断面図である。 本実施形態に係る半導体製造装置のウエハの搬送経路の一例を示した概略断面図である。 本実施形態に係る半導体製造装置の制御部の一例のハードウェア構成図である。 本実施形態に係る半導体製造装置の制御部の一例の機能ブロック図である。 搬出間隔指定機能及びサイクルタイム一定搬送機能を使用せずに作成したウエハの搬送計画に従ったシリアル搬送の制御について説明する一例の図である。 図5の場合に工程処理実績時間記憶部に保存される工程処理実績時間の一例の構成図である。 搬出間隔指定機能を使用して作成したウエハの搬送計画に従ったシリアル搬送の制御について説明する一例の図である。 図7の場合に工程処理実績時間記憶部に保存される工程処理実績時間の一例の構成図である。 搬出間隔指定機能及びサイクルタイム一定搬送機能を使用して作成したウエハの搬送計画、に従ったシリアル搬送の制御について説明する一例の図である。 サイクルタイム一定搬送機能のフェーズ(Phase)について説明する一例の図である。 2フェーズ搬送の一例を示す図である。 2フェーズ搬送の他の例を示す図である。 プロセス後待ちの一例について示した説明図である。 プロセス前待ちの一例について示した説明図である。 即搬出の一例について示した説明図である。 即搬出プロセスモジュールが無い場合におけるサイクルタイム内の各プロセスモジュール及び搬送モジュールの動作内容の一例を示した図である。 即搬出プロセスモジュールがある場合におけるサイクルタイム内の各プロセスモジュール及び搬送モジュールの動作内容の一例を示した図である。 図9の場合に工程処理実績時間記憶部に保存される工程処理実績時間の一例の構成図である。
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。
図1は本実施形態に係る半導体製造装置の一例の概略断面図である。半導体製造装置1は基板Wに対して複数の処理(エッチング、成膜、アッシング等の所望の処理)を施す。半導体製造装置1は処理部2と搬出入部3と制御部4とを有する。基板Wは特に限定しないが、例えば半導体ウエハ(以下では単にウエハと呼ぶ)である。
搬出入部3は処理部2に対しウエハを一例とする基板を搬出入する。処理部2は、ウエハに対して所望の真空処理を施す複数(本実施形態では10個)のプロセスモジュールPM1~PM10を有する。複数のプロセスモジュールPM1~PM10に対しては、第1の搬送装置11によりウエハがシリアル搬送(順次搬送)される。
第1の搬送装置11は複数の搬送モジュールTM1~TM5を有する。搬送モジュールTM1~TM5は、それぞれ真空に保持されている平面形状が六角状の容器30a、30b、30c、30d、及び30eを有する。また、搬送モジュールTM1~TM5は容器30a、30b、30c、30d、及び30eに設けられている多関節構造の搬送機構31a、31b、31c、31d、及び31eを有する。
搬送モジュールTM1~TM5の搬送機構31a、31b、31c、31d、及び31eの間には、それぞれ搬送バッファとしての受け渡し部41、42、43、44が設けられている。搬送モジュールTM1~TM5の容器30a、30b、30c、30d、及び30eは連通して一つの搬送室12を構成する。なお、搬送室12は図中Y方向に延びている。プロセスモジュールPM1~PM10は、開閉可能なゲートバルブGを介して搬送室12の両側に5個ずつ接続されている。プロセスモジュールPM1~PM10のゲートバルブGは、プロセスモジュールPM1~PM10に搬送モジュールTM1~TM5がアクセスする際に開かれ、所望の処理を行っている際に閉じられる。
搬出入部3は、処理部2の一端側に接続されている。搬出入部3は、大気搬送室(EFEM)21と、3つのロードポート22と、アライナーモジュール23と、2つのロードロックモジュールLLM1及びLLM2と、第2の搬送装置24とを有する。大気搬送室21はロードポート22と、アライナーモジュール23と、ロードロックモジュールLLM1及びLLM2と、接続されている。また、第2の搬送装置24は大気搬送室21内に設けられている。
大気搬送室21は、図中X方向を長手方向とする直方体状をなしている。3つのロードポート22は、大気搬送室21の処理部2と反対側の長辺壁部に設けられている。ロードポート22は載置台25と搬送口26とを有する。載置台25は複数のウエハを収容する基板収容容器であるFOUP20が載置される。載置台25上のFOUP20は、搬送口26を介して大気搬送室21に密閉した状態で接続される。アライナーモジュール23は大気搬送室21の一方の短辺壁部に接続されている。アライナーモジュール23においてウエハのアライメントが行われる。
2つのロードロックモジュールLLM1及びLLM2は、大気圧である大気搬送室21と真空雰囲気である搬送室12との間でウエハの搬送を可能にするためのものであり、大気圧と搬送室12と同程度の真空との間で圧力可変となっている。2つのロードロックモジュールLLM1及びLLM2は、それぞれ2つの搬送口を有している。一方の搬送口は大気搬送室21の処理部2側の長辺壁部にゲートバルブG2を介して接続される。他方の搬送口はゲートバルブG1を介して処理部2の搬送室12に接続されている。
ロードロックモジュールLLM1はウエハを搬出入部3から処理部2に搬送する際に用いられる。ロードロックモジュールLLM2はウエハを処理部2から搬出入部3に搬送する際に用いられる。なお、ロードロックモジュールLLM1及びLLM2で、デガス処理等の処理を行うようにしてもよい。
大気搬送室21内の第2の搬送装置24は、多関節構造を有しており、ロードポート22上のFOUP20と、アライナーモジュール23と、ロードロックモジュールLLM1及びLLM2と、に対するウエハの搬送を行う。具体的に、第2の搬送装置24はロードポート22のFOUP20から未処理のウエハを取り出し、アライナーモジュール23へ搬送し、アライナーモジュール23からロードロックモジュールLLM1へウエハを搬送する。また、第2の搬送装置24は、処理部2からロードロックモジュールLLM2に搬送された処理後のウエハを受け取り、ロードポート22のFOUP20へ搬送する。図1では、第2の搬送装置24のウエハを受け取るピックが1本の例を示しているが、ピックが2本であってもよい。
なお、上記の第1の搬送装置11と第2の搬送装置24とで、半導体製造装置1の搬送部が構成される。上記の処理部2は、搬送室12の一方側に、ロードロックモジュールLLM1側から順に、プロセスモジュールPM1、PM3、PM5、PM7、及びPM9が配置され、搬送室12の他方側に、ロードロックモジュールLLM2側から順に、プロセスモジュールPM2、PM4、PM6、PM8、及びPM10が配置されている。第1の搬送装置11においては、ロードロックモジュールLLM1及びLLM2側から順に搬送モジュールTM1、TM2、TM3、TM4、及びTM5が配置されている。
搬送モジュールTM1の搬送機構31aは、ロードロックモジュールLLM1及びLLM2、プロセスモジュールPM1及びPM2、並びに、受け渡し部41にアクセス可能である。搬送モジュールTM2の搬送機構31bは、処理モジュールPM1、PM2、PM3、及びPM4、並びに、受け渡し部41及び42にアクセス可能である。
搬送モジュールTM3の搬送機構31cは、処理モジュールPM3、PM4、PM5、及びPM6、並びに、受け渡し部42及び43にアクセス可能である。搬送モジュールTM4の搬送機構31dは、処理モジュールPM5、PM6、PM7、及びPM8、並びに受け渡し部43及び44にアクセス可能である。搬送モジュールTM5の搬送機構31eは、処理モジュールPM7、PM8、PM9、及びPM10、並びに、受け渡し部44にアクセス可能である。
第2の搬送装置24、及び第1の搬送装置11の搬送モジュールTM1~TM5は図1に示すように構成されている。このため、図2に示すように、FOUP20から取り出されたウエハは、処理部2において略U字状の経路Pに沿って一方向にシリアル搬送されて各プロセスモジュールPM1~PM10で処理され、FOUP20に戻される。すなわち、ウエハは、プロセスモジュールPM1、PM3、PM5、PM7、PM9、PM10、PM8、PM6、PM4、PM2の順にシリアル搬送されて、所望の処理がなされる。
半導体製造装置1は、例えば、MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)に用いられる積層膜(MTJ膜)の製造に用いることができる。MTJ膜の製造には、前洗浄処理、成膜処理、酸化処理、加熱処理、冷却処理等の複数の所望の処理が存在し、これら所望の処理のそれぞれを、プロセスモジュールPM1~PM10で行う。プロセスモジュールPM1~PM10の1つ以上がウエハを待機させる待機モジュールであってもよい。
制御部4は半導体製造装置1の各構成部、例えば搬送モジュールTM1~TM5(搬送機構31a~31e)と、第2の搬送装置24と、プロセスモジュールPM1~PM10と、ロードロックモジュールLLM1及びLLM2と、搬送室12と、ゲートバルブG、G1、及びG2と、を制御する。制御部4は、例えばコンピュータである。
図3は制御部の一例のハードウェア構成図である。図3の制御部4は、主制御部101と、入力装置102と、出力装置103と、表示装置104と、記憶装置105と、外部インターフェース106と、これらを互いに接続するバス107とを備えている。入力装置102はキーボード、マウス、タッチパネル等である。出力装置103はプリンタ等である。表示装置104はディスプレイ等である。
主制御部101は、CPU(Central Processing Unit)111と、RAM(Random Access Memory)112と、ROM(Read Only Memory)113とを有している。記憶装置105は制御に必要なプログラムや情報の記録および読み取りを行うようになっている。記憶装置105は、HDD(Hard Disk Drive)などのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を有している。記憶媒体には、ウエハに対する所望の処理のレシピ等が記憶されている。
制御部4では、CPU111が、RAM112を作業領域として用いて、ROM113又は記憶装置105の記憶媒体に格納されたプログラムを実行することにより、半導体製造装置1にウエハの処理を実行させる。
図4は制御部の一例の機能ブロック図である。図4は、主にウエハの搬送制御機能を示している。制御部4は、搬送制御機能部121と、ウエハ検知部122と、工程処理実績時間記憶部123と、スケジュール機能部124と、を有している。なお、制御部4は搬送制御機能以外の他の機能も有しているが、ここでは図示及び説明を省略する。
搬送制御機能部121はスケジュール機能部124が作成する後述のウエハの搬送計画に従って搬送モジュールTM1~TM5(搬送機構31a~31e)及び第2の搬送装置24を制御する。具体的に、搬送制御機能部121は、ウエハがFOUP20から搬出され、アライナーモジュール23、ロードロックモジュールLLM1を経て処理部2に至るように制御する。また、搬送制御機能部121はウエハが図2に示した順番で各プロセスモジュールPM1~PM10にシリアル搬送されるように制御する。さらに、搬送制御機能部121はウエハがロードロックモジュールLLM2を経てFOUP20に戻るように制御する。
ウエハ検知部122は半導体製造装置1内のウエハの位置を検知する。ウエハ検知部122により検知されたウエハの位置と、その位置に滞在した滞在時間とは、工程処理実績時間記憶部123に保存される。ウエハ検知部122により検知されたウエハの位置は表示装置104の装置画面に表示するようにしてもよい。また、ウエハ検知部122により検知されたウエハの位置は搬送制御機能部121及びスケジュール機能部124に通知するようにしてもよい。
工程処理実績時間記憶部123は、それぞれの所望の処理の工程に要した時間(工程処理実績時間)を保存する。工程処理実績時間は、後述するように、所望の処理の実績時間と搬送処理の実績時間とにより表すことができる。所望の処理の実績時間と搬送処理の実績時間とは、ウエハ検知部122により検知されたウエハの位置と、その位置に滞在した滞在時間と、により算出できる。
スケジュール機能部124は、後述の搬出間隔指定機能及びサイクルタイム一定搬送機能により、それぞれのウエハがプロセスモジュールPM1~PM10内に滞在する時間のばらつきを抑制するように、ウエハの搬送計画を作成する。
以下では、本実施形態の理解を容易とするために、後述の搬出間隔指定機能及びサイクルタイム一定搬送機能を使用せずに作成したウエハの搬送計画、後述の搬出間隔指定機能を使用して作成したウエハの搬送計画、及び後述の搬出間隔指定機能及びサイクルタイム一定搬送機能を使用して作成したウエハの搬送計画、に従ったシリアル搬送の制御について具体的に説明する。
図5は、搬出間隔指定機能及びサイクルタイム一定搬送機能を使用せずに作成したウエハの搬送計画に従ったシリアル搬送の制御について説明する一例の図である。なお、図5では図1及び図2に示した半導体製造装置1を概略的に示している。ここでは、プロセスモジュールPM7のプロセス時間が最長(最大プロセス時間)の例を説明する。
図5の例では所望の処理後、可能であれば、すぐにプロセスモジュールPM1~PM10から搬出される。そのため、図5の例では最大プロセス時間のプロセスモジュールPM7の手前で待ちが発生する。
図5(A)はプロセスモジュールPM7にウエハが無く、1枚目のウエハ「101」がプロセスモジュールPM5での所望の処理の完了後に、直ぐにプロセスモジュールPM7に搬入されている。図5(B)はプロセスモジュールPM7に所望の処理が完了していないウエハ「104」が有るため、5枚目のウエハ「105」がプロセスモジュールPM5での所望の処理を完了しても、直ぐにプロセスモジュールPM7に搬入することができない。このように、図5の例では1枚目のウエハと2枚目以降のウエハとで、プロセスモジュールPM7よりも前のプロセスモジュールPM1、PM3、及びPM5における滞在時間が異なって(ばらついて)しまい、ウエハ間におけるプロセス結果のばらつきが生じてしまう可能性がある。
図6は、図5の場合に工程処理実績時間記憶部に保存される工程処理実績時間の一例の構成図である。図6の縦軸は、ウエハがシリアル搬送される各種モジュールをウエハがシリアル搬送される順番に示している。図6の横軸は、所望の処理がなされるウエハを所望の処理がなされる順番に示している。また、図6の縦軸の「Before」は各種モジュールへの搬入時間を示している。図6の縦軸の「After」は各種モジュールからの搬出時間を示している。図6の縦軸の「Recipe」は各種モジュールにおけるプロセス時間を示している。
なお、図6はプロセスモジュールPM7が最大プロセス時間の例であるため、プロセスモジュールPM7の部分に「ボトルネックモジュール」と記載している。例えば、図6においてプロセスモジュールPM7の手前のプロセスモジュールPM5の搬出時間「After」を参照すると、1枚目のウエハ「101」の搬出時間が「12秒」であるが、2枚目以降が「43秒以上」掛かっていることが分かる。
このように、図5及び図6に示したシリアル搬送の制御では、プロセス時間が長いプロセスモジュールPM7の手前で待ちが発生し、1枚目のウエハと2枚目以降のウエハとで滞在時間が異なってしまう。
図7は、搬出間隔指定機能を使用して作成したウエハの搬送計画に従ったシリアル搬送の制御について説明する一例の図である。なお、図7では図1及び図2に示した半導体製造装置1を概略的に示している。ここでは、プロセスモジュールPM7のプロセス時間が最長(最大プロセス時間)の例を説明する。搬出間隔指定機能とは、ロードポート22からのウエハの搬出間隔を指定された時間とする機能である。
図7(A)はプロセスモジュールPM7にウエハが無く、1枚目のウエハ「105」がプロセスモジュールPM5での所望の処理の完了後に、直ぐにプロセスモジュールPM7に搬入されている。このように、図7(A)の例では、最大プロセス時間のプロセスモジュールPM7の手前で待ちが発生していない。
しかし、搬出間隔指定機能を使用して作成したウエハの搬送計画に従ったシリアル搬送の制御では、図7(B)に示したように、搬送モジュールTM1、TM2、TM3、TM4、及びTM5を取り合うタイミングがある。図7(B)の例ではウエハ「113」をプロセスモジュールPM1からプロセスモジュールPM3に搬送している。このため、プロセスモジュールPM4からプロセスモジュールPM4に搬送するウエハ「108」はウエハ「113」の搬送が終了するまで待機となる。
このように、図7の例では搬送モジュールTM1、TM2、TM3、TM4、及びTM5の取り合いによる待ちが発生する場合があり、搬送に待ちのあったウエハと搬送に待ちの無かったウエハとで滞在時間が異なって(ばらついて)しまい、ウエハ間におけるプロセス結果のばらつきが生じてしまう可能性がある。
図8は、図7の場合に工程処理実績時間記憶部に保存される工程処理実績時間の一例の構成図である。図8の縦軸は、図6と同様、ウエハがシリアル搬送される各種モジュールをウエハがシリアル搬送される順番に示している。図8の横軸は、図6と同様、所望の処理がなされるウエハを所望の処理がなされる順番に示している。
図8はプロセスモジュールPM7が最大プロセス時間の例であるが、図6に示したようなプロセスモジュールPM7の手前での待ちが発生していない。しかし、図8では搬送モジュールTM1、TM2、TM3、TM4、及びTM5の取り合いによる待ちが、例えばプロセスモジュールPM1のウエハ「112」「115」及び「116」の搬出時間やプロセスモジュールPM5のウエハ「109」「110」「122」及び「125」の搬出時間が他のウエハよりも時間が掛かっていることが分かる。
このように、図7及び図8に示したシリアル搬送の制御では搬送モジュールTM1、TM2、TM3、TM4、及びTM5の取り合いによる待ちが発生し、待ちが発生の有無により滞在時間が異なってしまう。
図9は、搬出間隔指定機能及びサイクルタイム一定搬送機能を使用して作成したウエハの搬送計画、に従ったシリアル搬送の制御について説明する一例の図である。なお、図9では図1及び図2に示した半導体製造装置1を概略的に示している。ここでは、プロセスモジュールPM7のプロセス時間が最長(最大プロセス時間)の例を説明する。サイクルタイム一定搬送機能とは、搬送モジュールTM1、TM2、TM3、TM4、及びTM5の取り合いが起きないように、フェーズ(Phase)のリズムに合うようにウエハを搬送する機能である。
まず、図10を用いてサイクルタイム一定搬送機能のフェーズ(Phase)の定義を行う。図10はサイクルタイム一定搬送機能のフェーズ(Phase)について説明する一例の図である。図10では右列搬送、列間搬送、及び左列搬送の3フェーズ搬送の例を示しており、右列搬送、列間搬送、及び左列搬送のような一連の搬送の塊をフェーズと呼んでいる。
図7(B)に示したような搬送モジュールTM2の取り合いは、同一の搬送モジュールTM2を利用(共有)するプロセスモジュールPM1及びPM4において、ウエハが同時に搬送可能になった場合に発生する。図7(B)に一例として示した搬送モジュールTM1、TM2、TM3、TM4、及びTM5の取り合いを防ぐため、図9のサイクルタイム一定搬送機能では、右列のプロセスモジュールPM2、PM4、PM6、PM8、及びPM10のウエハを搬送する右列搬送、プロセスモジュールPM9からPM10へウエハを搬送する列間搬送、左列のプロセスモジュールPM1、PM3、PM5、及びPM7のウエハを搬送する左列搬送、という流れでウエハを搬送する。図9(A)は右列搬送の様子を示している。図9(B)は左列搬送の様子を示している。
図9(A)及び図9(B)に示すように、左列搬送だけのシリアル搬送、及び右列搬送だけのシリアル搬送であれば、搬送モジュールTM1、TM2、TM3、TM4、及びTM5を共有しておらず、取り合いにならない。
搬送モジュールTM1、TM2、TM3、TM4、及びTM5は、ウエハの所望の処理に合わせて一斉にシリアル搬送できるタイミングがある。それぞれ同時にシリアル搬送できるタイミングを纏めたものがフェーズとなる。例えば図10に示したサイクルタイム一定搬送機能では、右列搬送→列間搬送→左列搬送のフェーズに合わせてウエハをシリアル搬送することで、全ウエハを一定サイクルで搬送し続けることができる。
図10はプロセスモジュールPM1、PM3、PM5、PM6、PM4、及びPM2の順番にU字でウエハを搬送するシリアル搬送の例を示している。例えば図10では、プロセスモジュールPM2、PM4、及びPM6を右列搬送、プロセスモジュールPM5を列間搬送、プロセスモジュールPM1及びPM3を左列搬送の3つのフェーズに分解して3フェーズ搬送している。図10の場合のプロセルモジュールPM5は後述の境界プロセスモジュールとなる。
なお、3フェーズ搬送は搬送パターンの一例であって、2フェーズ搬送や4フェーズ搬送も可能である。図11は2フェーズ搬送の一例を示す図である。図11の例では最後段を1つ外したU字搬送である2フェーズ搬送の例を示している。図11(A)はプロセスモジュールPM5を外した2フェーズ搬送の例である。また、図11(B)はプロセスモジュールPM6を外した2フェーズ搬送の例である。図11の2フェーズ搬送では同一の搬送モジュールTM3を2回連続で使用することで、右列搬送または左列搬送と同時に列間搬送を行っている。
図12は、2フェーズ搬送の他の例を示す図である。図12の例では、最後段のプロセスモジュールを使用しないU字搬送である2フェーズ搬送の例を示している。図12の2フェーズ搬送では、搬送モジュールTM3を列間搬送のみに使用することで、右列搬送または左列搬送と同時に列間搬送を行うことができる。
なお、4フェーズ搬送については図示しないが、最後段でパス(PASS)を使う場合に4フェーズ搬送となる。4フェーズ搬送では、例えば同一の搬送モジュールTM3を4回連続で利用する。また、本実施形態では時計回りのシリアル搬送の例を示したが、反時計回りのシリアル搬送にも適用できる。
次に、サイクルタイム一定搬送機能におけるサイクルタイムの定義を行う。サイクルタイム一定搬送機能におけるサイクルタイムとは、それぞれの所望の処理ごとの工程に要する時間のことである。サイクルタイムは、それぞれの所望の処理のウエハ搬送開始からウエハ搬送完了までの時間となる。
本実施形態に係るサイクルタイム一定搬送機能では、それぞれの所望の処理のサイクルタイムが一定になるように待機時間で調整する。所望の処理のサイクルタイムはプロセス時間、搬送時間、及び待機時間により後述のように算出できる。なお、所望の処理のサイクルタイムは通常プロセスモジュールとフェーズ境界プロセスモジュールとで異ならせる。
なお、通常プロセスモジュールとは、フェーズ境界プロセスモジュール以外のプロセスモジュールである。通常プロセスモジュールのサイクルタイムはプロセスモジュールからのウエハの搬出のリズムが合うように算出される。フェーズ境界プロセスモジュールのサイクルタイムは、通常のプロセスモジュールよりも搬送時間1回分、短く算出する。
フェーズ境界プロセスモジュールは、3フェーズ搬送、4フェーズ搬送、及び同一の搬送モジュールを連続して利用する2フェーズ搬送の一部において、例えば次のように定義する。フェーズ境界搬送モジュールは、ウエハの搬送計画において連続して利用された搬送モジュールと定義する。また、フェーズ境界プロセスモジュールはフェーズ境界搬送モジュールに挟まれたプロセスモジュールと定義する。例えば図10に示した例では、搬送モジュールTM3が連続して使用されているため、搬送モジュールTM3がフェーズ境界搬送モジュールとなる。また、図10に示した例では、フェーズ境界搬送モジュールである搬送モジュールTM3のシリアル搬送に挟まれたプロセスモジュールPM5がフェーズ境界プロセスモジュールとなる。
また、フェーズ境界プロセスモジュールは同一の搬送モジュールを連続して利用しない図12に示したような2フェーズ搬送において、例えば次のように定義する。また、該当する条件として、搬送モジュールの使用回数を数え、使用回数1回の搬送モジュールが1つであり、残りの搬送モジュールの使用回数が2回の場合に該当する。
フェーズ境界搬送モジュールは、最も奥の搬送モジュールと定義する。フェーズ境界搬送モジュールは、使用回数1回の搬送モジュールと定義してもよい。また、フェーズ境界プロセスモジュールは、フェーズ境界搬送モジュールによりウエハを搬入または搬出されるプロセスモジュールのうち、後述の即搬出プロセスモジュール、又はいずれも即搬出仕様でない場合、予測プロセス時間が短い方、と定義する。
例えば図12の例では、即搬出プロセスモジュールであるか否か、又はいずれも即搬出仕様でない場合、予測プロセス時間に従って、プロセスモジュールPM3及びPM4のうちからフェーズ境界プロセスモジュールが選択される。
前述したように、本実施形態に係るサイクルタイム一定搬送機能では、通常プロセスモジュールそれぞれの所望の処理のサイクルタイムが一定(通常プロセスモジュールそれぞれの所望の処理のサイクルタイムの差が許容される時間の範囲内)になるように、待機時間で調整する。しかしながら、プロセスモジュールの中には、MRAMのプロセス等における酸化を行うプロセスモジュールなど、所望の処理後、速やかにウエハを搬出する必要のあるプロセスモジュールが含まれる。
また、半導体製造装置1のハード構成によっては、ヒータやクーリング機構のある温度依存のプロセスモジュールも存在するため、プロセスモジュールでウエハを待機させるタイミングを所望の処理後でなく、所望の処理前に行いたいプロセスモジュールも含まれている。
そこで、本実施形態に係るサイクルタイム一定搬送機能では待機時間のバリエーションとして、プロセス後待ち、プロセス前待ち、即搬出を利用する。プロセス後待ちは、プロセスモジュール内に放置されることを気にしないプロセスモジュールでの使用を想定している。プロセス後待ちは、プロセスモジュールからのウエハの搬出タイミングを調整するための待ちを、所望の処理後に行う。
また、プロセス前待ちは、例えば温度処理依存のプロセスモジュールでの使用を想定している。プロセス前待ちは、プロセスモジュールからのウエハの搬出タイミングを調整するための待ちを所望の処理前に行い、所望の処理後にウエハ搬出を速やかに行う。
また、即搬出は、例えば酸化のプロセスモジュールのように、プロセスモジュール内に滞在するだけで所望の処理の結果(プロセス特性)が変わるプロセスモジュールを想定している。即搬出は、プロセスモジュールからのウエハの搬出タイミングを調整するための待ちを行わず、速やかに所望の処理を行い、所望の処理後にウエハ搬出を速やかに行う。
本実施形態に係るサイクルタイム一定搬送機能では、それぞれのプロセスモジュールが待機時間のバリエーションとしてプロセス後待ち、プロセス前待ち、又は即搬出の何れを利用するかをパラメータにより設定できるようにしてもよい。
図13はプロセス後待ちの一例について示した説明図である。プロセス後待ちのプロセスモジュールは所望の処理後、プロセスモジュールからのウエハの搬出タイミングを調整するための待ちを行う。図13の例では「E.PM待機時間 Wi」と「D.サイクルタイム一定搬送時のPM内待機時間 WPM」とを加算した時間が、プロセスモジュールからのウエハの搬出タイミングを調整するための待機時間となる。
図14はプロセス前待ちの一例について示した説明図である。プロセス前待ちのプロセスモジュールは所望の処理前、プロセスモジュールからのウエハの搬出タイミングを調整するための待ちを行う。図14の例では「E.PM待機時間 Wi」と「D.サイクルタイム一定搬送時のPM内待機時間 WPM」とを加算した時間が、プロセスモジュールからのウエハの搬出タイミングを調整するための待機時間となる。プロセス前待ちでは所望の処理後、ウエハを速やかにプロセスモジュールから搬出する。
図15は即搬出の一例について示した説明図である。即搬出のプロセスモジュールはプロセスモジュールからのウエハの搬出タイミングを調整するための待ちを行わず、速やかに所望の処理を行い、所望の処理後にウエハ搬出を速やかに行う。
このため、即搬出のプロセスモジュールは、「E.PM待機時間 Wi」と「D.サイクルタイム一定搬送時のPM内待機時間 WPM」とを加算した時間の分、通常プロセスモジュールのサイクルタイムよりもサイクルタイム「H.即搬出PMサイクルタイム CTimm」が短くなる。
図13~図15に示したように、サイクルタイムはウエハ搬入開始からウエハ搬出完了までとなる。本実施形態に係るサイクルタイム一定搬送機能では、待機時間を割り当てることで、それぞれのプロセスモジュールのサイクルタイムを一定にしつつ、フェーズ境界プロセスモジュールのサイクルタイムを1搬送時間短くすることで、フェーズのリズムに合うようにウエハをシリアル搬送できる。ただし、即搬出のプロセスモジュールは図15に示したように別のサイクルタイムで動作させる。
通常プロセスモジュールのサイクルタイムは、例えば最大プロセス時間+最大ウエハ搬送時間により算出できる。また、フェーズ境界プロセスモジュールのサイクルタイムは他のフェーズ(例えば図10の右列搬送及び左列搬送のフェーズ)とタイミングをずらすために、通常プロセスモジュールのサイクルタイムより1搬送時間、短くする。
例えば本実施形態に係るサイクルタイム一定搬送機能では、工程処理実績時間記憶部123に保存されている工程処理実績時間を用いて、通常プロセスモジュールのサイクルタイム、フェーズ境界プロセスモジュールのサイクルタイム、即搬出のプロセスモジュールのサイクルタイムを計算する。
ここでは図10の例において、工程処理実績時間が以下の条件であるときのサイクルタイムの算出について説明する。
搬送経路:PM1→PM3→PM4→PM2
最大搬送時間:20秒
プロセス時間:PM1)100秒、PM3)30秒、PM4)40秒、PM2)50秒
上記の条件の場合、通常プロセスモジュールのサイクルタイムは、最大プロセス時間100秒+最大搬送時間20秒から120秒となる。また、境界プロセスモジュールはプロセスモジュールPM3となる。各プロセスモジュールの待機時間をプロセス後待ちとして場合、プロセスモジュールPM1~PM4の待機時間は以下のようになる。
PM1)
待機時間0秒:プロセス時間100秒+待機時間0秒+搬送時間20秒=120秒
PM3)
待機時間50秒:プロセス時間30秒+待機時間50秒+搬送時間20秒=100秒
PM4)
待機時間60秒:プロセス時間40秒+待機時間60秒+搬送時間20秒=120秒
PM2)
待機時間50秒:プロセス時間50秒+待機時間50秒+搬送時間20秒=120秒
上記のようにプロセスモジュールPM3は境界プロセスモジュールであり、サイクルタイムが通常プロセスモジュールのサイクルタイム120秒よりも最大搬送時間20秒短くなる。なお、最大搬送時間はウエハの搬送時間の最大値である。ウエハの搬送時間はプロセスモジュールへのウエハの搬入時間と搬出時間との合計である。また、プロセス時間はプロセスモジュールが所望の処理を実行する時間であって、ウエハ搬入後のレシピ開始前の処理時間とレシピ終了後の搬出可能となるまでの処理時間とを含む。
図16及び図17はサイクルタイム内の各プロセスモジュール及び搬送モジュールの動作内容の一例を示した図である。図16は即搬出プロセスモジュールが無い場合を図示している。図17は即搬出プロセスモジュールがある場合を図示している。図16及び図17では、プロセスモジュールPM1~PM8及び搬送モジュールTM1~TM4に図示された円の1周分が、サイクルタイムを示しており、矢印の種別が、そのサイクルタイムを何に使用しているのかを示している。
図16に図示したように、即搬出プロセスモジュールが無い場合は、搬送モジュールTM1~TM4の全てで右列搬送、列間搬送、及び左列搬送が同じタイミングで実行されている。また、フェーズ境界プロセスモジュールPM7のウエハの搬入から搬出までは通常のプロセスモジュールと比べると最大ウエハ搬送時間1回分だけ短くなっている。
図17はプロセスモジュールPM3が即搬出プロセスモジュールである例を図示したものである。図17に示したように、即搬出プロセスモジュールであるプロセスモジュールPM3は通常プロセスモジュールのサイクルタイムに従わずにウエハを搬送する。図17に示したように、即搬出プロセスモジュールがあると、同じ列間であっても即搬出のプロセスモジュールを境に搬送タイミングがずれていることが分かる。しかし、図17に示したように、搬送モジュールTM1~TM4において競合は起きておらず、問題がないことが分かる。
図18は、図9の場合に工程処理実績時間記憶部に保存される工程処理実績時間の一例の構成図である。なお、図18の縦軸は図6と同様、ウエハがシリアル搬送される各種モジュールをウエハがシリアル搬送される順番に示している。また、図18の横軸は、図6と同様、所望の処理がなされるウエハを所望の処理がなされる順番に示している。
図18に示すように、搬出間隔指定機能及びサイクルタイム一定搬送機能を使用して作成したウエハの搬送計画、に従ったシリアル搬送の制御では、プロセスモジュールごとにプロセス後待ち、プロセス前待ち、即搬出が設定されており、プロセス後待ち、プロセス前待ち、即搬出を満たすようにウエハをシリアル搬送している。図18は図6及び図8に示したような待ちが発生しておらず、プロセスモジュールの滞在時間のウエハ毎のばらつきを抑制できる。
本実施例によれば、半導体製造装置1において複数のウエハをシリアル搬送して所望の処理を行う際に、プロセスモジュールにおけるウエハの滞在時間のばらつきを抑えることにより、複数のウエハに対するプロセス結果のばらつきを抑制できる。
以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
1 半導体製造装置
2 処理部
3 搬出入部
4 制御部
121 搬送制御機能部
122 ウエハ検知部
123 工程処理実績時間記憶部
124 スケジュール機能部
PM1~PM10 プロセスモジュール
TM1~TM5 搬送モジュール

Claims (8)

  1. 複数の基板に対して所望の処理を行う複数のプロセスモジュールと、前記複数のプロセスモジュールに前記複数の基板をシリアル搬送する複数の搬送モジュールと、を有する半導体製造装置であって、
    それぞれの前記所望の処理の工程に要する時間の差が許容される時間の範囲内となるようにサイクルタイムを算出し、前記サイクルタイムに基づいて前記複数の基板の搬送計画を作成するスケジュール機能部と、
    作成した前記搬送計画に従って、前記複数の基板を前記プロセスモジュールでシリアル搬送するように前記複数の搬送モジュールを制御する搬送制御機能部と、
    を有する半導体製造装置。
  2. 前記スケジュール機能部は、それぞれの前記所望の処理の工程に要する時間が前記サイクルタイムとなるように、それぞれの前記所望の処理の工程に要する時間に待機時間を割り当てること
    を特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
  3. 前記スケジュール機能部は、それぞれの前記所望の処理の最大プロセス時間及び最大搬送時間を基準に、前記サイクルタイムを算出すること
    を特徴とする請求項2に記載の半導体製造装置。
  4. 前記スケジュール機能部は、前記待機時間を、前記所望の処理の後に割り当てるプロセス後待ち、前記所望の処理の前に割り当てるプロセス前待ち、又は前記シリアル搬送内に割り当てる即搬出、の何れかにより割り当てること
    を特徴とする請求項2又は3に記載の半導体製造装置。
  5. 前記スケジュール機能部は、前記複数の搬送モジュールによる前記基板のシリアル搬送を複数のフェーズに分け、同一の前記フェーズに分けられた前記基板のシリアル搬送のタイミングを合わせるように前記複数の基板の搬送計画を作成すること
    を特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の半導体製造装置。
  6. 前記スケジュール機能部は、前記複数の搬送モジュールによる前記基板のシリアル搬送を、第1列の搬送と、第2列の搬送と、前記第1列及び前記第2列の列間の搬送とに分けて、前記第1列の搬送を行う第1フェーズ、前記列間の搬送を行う第2フェーズ、及び前記第2列の搬送を行う第3フェーズの順番に前記基板のシリアル搬送が実行されるように前記複数の基板の搬送計画を作成すること
    を特徴とする請求項5記載の半導体製造装置。
  7. 複数の基板に対して所望の処理を行う複数のプロセスモジュールと、前記複数のプロセスモジュールに前記複数の基板をシリアル搬送する複数の搬送モジュールと、を有する半導体製造装置の基板搬送方法であって、
    それぞれの前記所望の処理の工程に要する時間の差が許容される時間の範囲内となるようにサイクルタイムを算出し、前記サイクルタイムに基づいて前記複数の基板の搬送計画を作成する工程と、
    作成した前記搬送計画に従って、前記複数の基板を前記プロセスモジュールでシリアル搬送するように前記複数の搬送モジュールを制御する工程と、
    を有する基板搬送方法。
  8. 複数の基板に対して所望の処理を行う複数のプロセスモジュールと、前記複数のプロセスモジュールに前記複数の基板をシリアル搬送する複数の搬送モジュールと、を有する半導体製造装置を、
    それぞれの前記所望の処理の工程に要する時間の差が許容される時間の範囲内となるようにサイクルタイムを算出し、前記サイクルタイムに基づいて前記複数の基板の搬送計画を作成するスケジュール機能部、
    作成した前記搬送計画に従って、前記複数の基板を前記プロセスモジュールでシリアル搬送するように前記複数の搬送モジュールを制御する搬送制御機能部、
    として機能させるためのプログラム。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05144755A (ja) * 1991-09-27 1993-06-11 Fuji Electric Co Ltd 半導体製造装置制御システム
US6768930B2 (en) * 1998-12-31 2004-07-27 Asml Holding N.V. Method and apparatus for resolving conflicts in a substrate processing system
JP2001093955A (ja) * 1999-09-24 2001-04-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
WO2001054187A1 (fr) * 2000-01-17 2001-07-26 Ebara Corporation Appareil de commande de transfert de tranches et procede de transfert de tranches
JP2001351848A (ja) * 2000-06-07 2001-12-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理システム及び基板処理方法
WO2002047153A1 (fr) * 2000-12-08 2002-06-13 Tokyo Electron Limited Systeme de traitement de semi-conducteurs et procede de transfert de pieces
JP3862596B2 (ja) * 2002-05-01 2006-12-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
JP4568231B2 (ja) * 2003-12-01 2010-10-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP4353903B2 (ja) * 2005-01-07 2009-10-28 東京エレクトロン株式会社 クラスタツールの処理システム
JP6044977B2 (ja) * 2011-06-30 2016-12-14 国立大学法人 筑波大学 最適指標生成装置、最適指標生成方法、最適指標生成プログラム及び最適指標生成サーバ
JP5928283B2 (ja) * 2012-09-28 2016-06-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板搬送方法及び記憶媒体
CN105446281B (zh) * 2014-09-01 2019-04-26 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 工艺腔室的派货方法和系统
JP7149748B2 (ja) 2018-07-04 2022-10-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板搬送方法、および制御プログラム

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