JP5132920B2 - 塗布・現像装置および基板搬送方法、ならびにコンピュータプログラム - Google Patents

塗布・現像装置および基板搬送方法、ならびにコンピュータプログラム Download PDF

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Description

本発明は、基板に対してレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、該レジスト膜に露光装置により露光処理が施された後に現像処理を行う塗布・現像装置および基板搬送方法に関し、特にレジスト膜に対し液体に浸漬させた状態で露光する液浸露光装置に好適に用いられる塗布・現像装置および基板搬送方法、ならびにコンピュータプログラムに関する。
半導体デバイスの製造においては、半導体ウエハ（以下、単にウエハと言う）上に回路パターンを形成するためにフォトリソグラフィ技術が用いられている。フォトリソグラフィを用いた回路パターンの形成は、ウエハ上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、このレジスト膜に光を照射して回路パターンに対応するようにレジスト膜を露光した後、これを現像処理するといった手順で行われる。このようなフォトリソグラフィ工程は、レジスト等の塗布および露光後の現像の一連の処理を施す塗布・現像装置に露光装置を組み合わせたシステムにより行われる。
一方、近時、益々パターンが微細化し、レジストとしてより高い感度を有する化学増幅型レジストが用いられている。化学増幅型レジストを用いた場合、露光後に露光後ベークユニット（ＰＥＢ）により加熱処理することによって反応を促進させるが、露光してから加熱処理を開始する間にも反応が進むため、露光してから露光後ベークユニット（ＰＥＢ）による加熱が開始されるまでの時間がばらつくと、線幅の均一性が低下してしまう。このため、この時間を一定にすることが望まれる。しかしながら、塗布・現像装置における露光装置とのインターフェイス部において半導体ウエハを搬送する搬送アームは露光装置から露光後ベークユニット（ＰＥＢ）への搬送のみならず、種々の搬送を行っているため、搬送アームの都合により露光装置から露光後ベークユニットで加熱処理を開始するまでの時間がウエハによって必然的にばらついてしまう。
このようなことを防止する技術として、特許文献１には、露光装置により露光が終了してから露光後ベークユニットで加熱が開始されるまでの露光後遅延時間を各ウエハで一定とするために、搬送開始遅延時間の最大値Ｔｍａｘに最短時間Ｔｍｉｎを加えた値から実搬送時間Ｔｒを引いて求められる待機時間Ｔｔの間、露光後ベークユニット（ＰＥＢ）にて非加熱状態で待機させることが記載されている。これにより、全てのウエハにおいて、露光装置により露光が終了してから露光後ベークユニットで加熱が開始されるまでを一定にすることができる。
ところで、半導体デバイスは近時、動作速度の向上等の観点から高集積化の傾向にあるため、フォトリソグラフィ技術においては、ウエハ上に形成される回路パターンの微細化が要求されている。そこで、４５ｎｍノードの高解像度を実現するフォトリソグラフィ技術として、ウエハと露光用の投影レンズとの間に空気よりも高い屈折率を有する純水等の露光液を供給し、露光液の屈折率を利用して投影レンズからの照射光の波長を短くすることにより露光の線幅をより狭くすることができる液浸（Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ）露光が提案されている（例えば特許文献２参照）。
この液浸露光においては、ウエハが露光装置から濡れた状態で搬出され、その濡れたウエハが塗布・現像装置に戻されるため、ウエハにウォーターマークが形成される等の不都合が生じないように、インターフェイス部にて洗浄・乾燥処理を行う必要がある。
このため、液浸露光を行う場合には、露光終了後から露光後ベークを行うまでの間にインターフェイス部において上記搬送待機時間の他に洗浄・乾燥処理の時間も加算されることとなり、上述した搬送開始遅延時間の最大値は極めて長いものとなる。
したがって、液浸露光処理を行う場合に上記特許文献１に記載された方法で上述のような方法で露光後遅延時間を各ウエハで一定とすると露光後ベークユニット（ＰＥＢ）でのウエハの待機時間が長くなってしまうため、同じスループットを維持しようとすると、塗布・現像装置における露光後ベークユニット（ＰＥＢ）の必要台数が増加してしまう。露光後ベークユニット（ＰＥＢ）は高価なものであるため、その必要台数を増加させずに露光後ベーク処理までの時間を揃える方法が望まれている。
特開２００４−１９３５９７号公報 国際公開２００５−０２９５５９号パンフレット
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、露光後ベークユニットの台数を増加させずに、露光後遅延時間を各ウエハで一定とすることができる、液浸露光用として好適な、塗布・現像装置および基板搬送方法を提供することを目的とする。また、そのようなことを実現可能な露光後の基板を露光後ベークユニットへ搬送させるためのコンピュータプログラムを提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点では、基板に対してレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対し液体に浸漬させた状態で露光する液浸露光装置により液浸露光処理が施された後に現像処理を行う塗布・現像装置であって、レジスト塗布および現像を行うための一連の処理を行う複数の処理ユニットを備えた処理部と、前記処理部と前記液浸露光装置との間に配置され、前記液浸露光装置との間で基板の受け渡しを行うとともに、液浸露光後の基板を洗浄する洗浄ユニットを有するインターフェイス部と、前記処理部で基板の搬送を行う主搬送機構と、前記インターフェイス部で基板を搬送するインターフェイス部搬送機構と、基板の搬送を制御する制御部とを具備し、前記処理部は、露光後の基板に現像に先立ってベーク処理を施す、待機部を有する複数の露光後ベークユニットを有し、前記インターフェイス部搬送機構は、処理部との間で基板の受け渡しを行うとともに、露光後の基板を前記露光後ベークユニットへ搬入する第１の搬送機構と、前記液浸露光装置との間で基板の受け渡しを行うとともに、前記洗浄ユニットに対する基板の搬入出を行う第２の搬送機構とを有し、前記インターフェイス部は、前記第２の搬送機構により搬送してきた基板を載置し、前記第１の搬送機構により受け取り可能とする受け渡し部をさらに有し、前記制御部は、前記液浸露光装置での露光終了後、露光後ベークユニットで露光後ベーク処理が開始されるまでの露光後遅延時間が基板毎に一定になるように前記受け渡し部および前記露光後ベークユニットの前記待機部の２箇所で基板を待機させるとともに、前記露光後遅延時間を、前記第１の搬送機構および前記第２の搬送機構それぞれに分担し、前記露光後遅延時間が基板毎に一定になるように設けられる待機時間のうち、前記第２の搬送機構担当分の露光後遅延時間に対応する待機時間を前記受け渡し部に持たせ、前記第１の搬送機構担当分の露光後遅延時間に対応する待機時間を前記待機部に持たせて、前記待機部における待機時間を短縮することを特徴とする塗布・現像装置を提供する。
上記第１の観点において、前記制御部は、前記液浸露光装置において基板が搬出可能状態になってから前記第２の搬送機構が前記洗浄ユニットへ基板を搬送し、前記洗浄ユニットで基板の洗浄処理を行い、前記洗浄処理終了後前記洗浄ユニットから前記受け渡し部へ基板を搬送するまでの時間が一定になるように前記受け渡し部での基板の待機時間を設定し、前記受け渡し部へ第１の搬送機構がアクセス可能になってから前記第１の搬送機構が前記露光後ベークユニットへ搬送して加熱が開始されるまでの時間が一定になるように前記露光後ベークユニットの前記待機部での基板の待機時間を設定するものとすることができる。
この場合に、前記制御部は、前記受け渡し部での基板の待機時間として、前記液浸露光装置において基板が搬出可能状態になってから、前記第２の搬送機構が前記洗浄ユニットへ基板を搬送し、前記洗浄ユニットで基板の洗浄処理を行い、前記洗浄処理終了後前記洗浄ユニットから前記受け渡し部へ基板を搬送するまでの最長時間から実際にかかった時間を減じた値を用い、前記露光後ベークユニットの前記待機部での基板の待機時間として、前記受け渡し部へ第１の搬送機構がアクセス可能になってから前記第１の搬送機構が前記露光後ベークユニットへ搬送して加熱が開始されるまでの最長時間から実際にかかった時間を減じた値を用いることができる。
上記第１の観点において、前記インターフェイス部は、基板上のレジスト膜の周縁部を露光する周縁露光装置と、バッファ部とを有し、前記第１の搬送機構は、前記処理部から基板を受け取ってから前記周縁露光装置に搬送し、基板の周縁露光処理が終わった後に必要に応じて前記バッファ部へ基板を搬送するように構成することができる。
また、前記インターフェイス部は、前記第１の搬送機構により処理部から搬送してきた基板を載置するとともに温調し、前記第２の搬送機構により前記露光装置へその基板を搬送可能とする温調ユニットをさらに有する構成とすることができる。
さらに、前記露光後ベークユニットは、基板を載置して加熱する加熱プレートと、前記加熱プレートに隣接する冷却位置と前記加熱プレートの上方位置との間で移動可能に設けられ、前記加熱プレートに対する基板の受け渡しおよび加熱後の基板の冷却を行う冷却プレートと、前記冷却位置にある前記冷却プレートに対して突没可能に設けられ前記冷却プレートへの基板の受け渡しを行う第１の昇降ピンと、前記加熱プレートに対して突没可能に設けられ前記加熱プレートへの基板の受け渡しを行う第２の昇降ピンとを有し、前記待機部は、前記冷却プレート上、上昇した状態の前記第１の昇降ピン上、上昇した状態の前記第２の昇降ピン上のいずれかである構成とすることができる。
本発明の第２の観点は、基板に対してレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対し液体に浸漬させた状態で露光する液浸露光装置により液浸露光処理が施された後に現像処理を行う塗布・現像装置であって、レジスト塗布および現像を行うための一連の処理を行う複数の処理ユニットを備えた処理部と、前記処理部と前記液浸露光装置との間に配置され、前記液浸露光装置との間で基板の受け渡しを行うとともに、液浸露光後の基板を洗浄する洗浄ユニットを有するインターフェイス部と、前記処理部で基板の搬送を行う主搬送機構と、前記インターフェイス部で基板を搬送するインターフェイス部搬送機構とを具備し、前記処理部は、露光後の基板に現像に先立ってベーク処理を施す、待機部を有する複数の露光後ベークユニットを有し、前記インターフェイス部搬送機構は、処理部との間で基板の受け渡しを行うとともに、露光後の基板を前記露光後ベークユニットへ搬入する第１の搬送機構と、前記液浸露光装置との間で基板の受け渡しを行うとともに、前記洗浄ユニットに対する基板の搬入出を行う第２の搬送機構とを有し、前記インターフェイス部は、前記第２の搬送機構により搬送してきた基板を載置し、前記第１の搬送機構により受け取り可能とする受け渡し部をさらに有する塗布・現像装置を用いて露光後の基板を露光後ベークユニットへ搬送する基板搬送方法であって、前記液浸露光装置での露光終了後、露光後ベークユニットで露光後ベーク処理が開始されるまでの露光後遅延時間が基板毎に一定になるように前記受け渡し部および前記露光後ベークユニットの前記待機部の２箇所で基板を待機させるとともに、前記露光後遅延時間を、前記第１の搬送機構および前記第２の搬送機構それぞれに分担し、前記露光後遅延時間が基板毎に一定になるように設けられる待機時間のうち、前記第２の搬送機構担当分の露光後遅延時間に対応する待機時間を前記受け渡し部に持たせ、前記第１の搬送機構担当分の露光後遅延時間に対応する待機時間を前記待機部に持たせて、前記待機部における待機時間を短縮しながら基板を搬送することを特徴とする基板搬送方法を提供する。
上記第２の観点において、前記液浸露光装置において基板が搬出可能状態になってから前記第２の搬送機構が前記洗浄ユニットへ基板を搬送し、前記洗浄ユニットで基板の洗浄処理を行い、前記洗浄処理終了後前記洗浄ユニットから前記受け渡し部へ基板を搬送するまでの時間が一定になるように前記受け渡し部での基板の待機時間を設定し、前記受け渡し部へ第１の搬送機構がアクセス可能になってから前記第１の搬送機構が前記露光後ベークユニットへ搬送して加熱が開始されるまでの時間が一定になるように前記露光後ベークユニットの前記待機部での基板の待機時間を設定するようにすることができる。
この場合に、前記受け渡し部での基板の待機時間として、前記液浸露光装置において基板が搬出可能状態になってから、前記第２の搬送機構が前記洗浄ユニットへ基板を搬送し、前記洗浄ユニットで基板の洗浄処理を行い、前記洗浄処理終了後前記洗浄ユニットから前記受け渡し部へ基板を搬送するまでの最長時間から実際にかかった時間を減じた値を用い、前記露光後ベークユニットの前記待機部での基板の待機時間として、前記受け渡し部へ第１の搬送機構がアクセス可能になってから前記第１の搬送機構が前記露光後ベークユニットへ搬送して加熱が開始されるまでの最長時間から実際にかかった時間を減じた値を用いることができる。
本発明の第３の観点では、基板に対してレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対し液体に浸漬させた状態で露光する液浸露光装置により液浸露光処理が施された後に現像処理を行う塗布・現像装置であって、レジスト塗布および現像を行うための一連の処理を行う複数の処理ユニットを備えた処理部と、前記処理部と前記液浸露光装置との間に配置され、前記液浸露光装置との間で基板の受け渡しを行うとともに、液浸露光後の基板を洗浄する洗浄ユニットを有するインターフェイス部と、前記処理部で基板の搬送を行う主搬送機構と、前記インターフェイス部で基板を搬送するインターフェイス部搬送機構とを具備し、前記処理部は、露光後の基板に現像に先立ってベーク処理を施す、待機部を有する複数の露光後ベークユニットを有し、前記インターフェイス部搬送機構は、処理部との間で基板の受け渡しを行うとともに、露光後の基板を前記露光後ベークユニットへ搬入する第１の搬送機構と、前記液浸露光装置との間で基板の受け渡しを行うとともに、前記洗浄ユニットに対する基板の搬入出を行う第２の搬送機構とを有し、前記インターフェイス部は、前記第２の搬送機構により搬送してきた基板を載置し、前記第１の搬送機構により受け取り可能とする受け渡し部をさらに有する塗布・現像装置を用いて露光後の基板を露光後ベークユニットへ搬送させるためのコンピュータプログラムであって、前記液浸露光装置での露光終了後、露光後ベークユニットで露光後ベーク処理が開始されるまでの露光後遅延時間が基板毎に一定になるように前記受け渡し部および前記露光後ベークユニットの前記待機部の２箇所で基板を待機させるとともに、前記露光後遅延時間を、前記第１の搬送機構および前記第２の搬送機構それぞれに分担し、前記露光後遅延時間が基板毎に一定になるように設けられる待機時間のうち、前記第２の搬送機構担当分の露光後遅延時間に対応する待機時間を前記受け渡し部に持たせ、前記第１の搬送機構担当分の露光後遅延時間に対応する待機時間を前記待機部に持たせて、前記待機部における待機時間を短縮するように、前記第１および第２の搬送機構をコンピュータに制御させることを特徴とするコンピュータプログラムを提供する。
上記第３の観点において、前記液浸露光装置において基板が搬出可能状態になってから前記第２の搬送機構が前記洗浄ユニットへ基板を搬送し、前記洗浄ユニットで基板の洗浄処理を行い、前記洗浄処理終了後前記洗浄ユニットから前記受け渡し部へ基板を搬送するまでの時間が一定になるように前記受け渡し部での基板の待機時間を設定し、前記受け渡し部へ第１の搬送機構がアクセス可能になってから前記第１の搬送機構が前記露光後ベークユニットへ搬送して加熱が開始されるまでの時間が一定になるように前記露光後ベークユニットの前記待機部での基板の待機時間を設定するようにすることができる。
この場合に、前記受け渡し部での基板の待機時間として、前記液浸露光装置において基板が搬出可能状態になってから、前記第２の搬送機構が前記洗浄ユニットへ基板を搬送し、前記洗浄ユニットで基板の洗浄処理を行い、前記洗浄処理終了後前記洗浄ユニットから前記受け渡し部へ基板を搬送するまでの最長時間から実際にかかった時間を減じた値を用い、前記露光後ベークユニットの前記待機部での基板の待機時間として、前記受け渡し部へ第１の搬送機構がアクセス可能になってから前記第１の搬送機構が前記露光後ベークユニットへ搬送して加熱が開始されるまでの最長時間から実際にかかった時間を減じた値を用いることができる。
本発明によれば、露光装置での露光終了後、露光後ベークユニットで露光後ベーク処理が開始されるまでの時間が基板毎に一定になるように前記受け渡し部および前記露光後ベークユニットの前記待機部の２箇所で基板を待機させるので、露光後ベークユニットでの待機時間を短くすることができ、露光後ベークユニットの台数を増加させずに、露光後遅延時間を各ウエハで一定とすることができる。
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
図１は本発明の一実施例に係る塗布・現像装置を備えたパターン形成装置の概略平面図であり、図２はその概略斜視図である。
パターン形成装置１は、半導体基板であるウエハＷに所定のレジストパターンを形成するためのものであり、ウエハＷにレジスト等を塗布し、かつ露光後の現像を行う塗布・現像装置２と、ウエハＷに露光処理を施す液浸露光装置３とを備えている。塗布・現像装置２は、ウエハＷの搬送ステーションであるカセットステーション１１と、ウエハＷに所定の処理を施す複数の処理ユニットを有する処理ステーション１２と、処理ステーション１２および露光装置３の間でウエハＷを受け渡すためのインターフェイスステーション１３とを備えている。カセットステーション１１、処理ステーション１２、インターフェイスステーション１３および露光装置３、この順にパターン形成装置１の長さ方向（Ｙ方向）に直列に配置されている。
カセットステーション１１は、複数枚、例えば１３枚のウエハＷが収容されたウエハカセット（ＣＲ）を載置するカセット載置台１１ａと、カセット載置台１１ａ上のウエハカセット（ＣＲ）と後述する処理ステーション１２の第３処理ユニット群Ｇ3に設けられたトランジションユニットとの間でウエハＷを搬送するためのウエハ搬送部１１ｃとをＹ方向に直列に有している。カセット載置台１１ａ上には、ウエハカセット（ＣＲ）を位置決めするための位置決め部１１ｂが、パターン形成装置１の幅方向（Ｘ方向）に複数、例えば５個設けられており、ウエハカセット（ＣＲ）は、その開口がウエハ搬送部１１ｃの筐体の壁面に設けられた開閉部１１ｅと対向するように、位置決め部１１ｂ位置に載置される。ウエハ搬送部１１ｃは、その筐体内に配置された、ウエハＷを保持可能な搬送ピック１１ｄを有し、この搬送ピック１１ｄによりカセット載置台１１ａ上の各ウエハカセット（ＣＲ）とトランジションユニットとの間でウエハＷを搬送するように構成されている。
処理ステーション１２は、筐体１５内に配置されており、その前面側（図１下側）に、カセットステーション１１側からインターフェイスステーション１３側に向かって順に、第１処理ユニット群Ｇ１と第２処理ユニット群Ｇ２とを有し、その背面側（図１上方）に、カセットステーション１１側からインターフェイスステーション１３側に向かって順に、第３処理ユニット群Ｇ３、第４処理ユニット群Ｇ４および第５処理ユニット群Ｇ５を有している。また、処理ステーション１２は、第３処理ユニット群Ｇ３と第４処理ユニット群Ｇ４との間に第１主搬送部Ａ1を有し、第４処理ユニット群Ｇ４と第５処理ユニット群Ｇ５との間に第２主搬送部Ａ2を有している。また、第１主搬送部Ａ１の裏面側には、第６処理ユニット群Ｇ６が設けられている。
図２に示すように、第１処理ユニット群Ｇ１は、ウエハＷに露光時の光の反射を防止する反射防止膜を形成する２つのボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）と、ウエハＷにレジスト膜を形成する３つのレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）とが積み重ねられて構成されている。第２処理ユニット群Ｇ２は、ウエハＷに現像処理を施す例えば３つの現像ユニット（ＤＥＶ）と、ウエハＷに形成されたレジスト膜の表面に撥水性を有する保護膜（トップコート膜）を形成する例えば２つのトップコーティングユニット（ＩＴＣ）とが積み重ねられて構成されている。
第３処理ユニット群Ｇ３、第４処理ユニット群Ｇ４、第５処理ユニット群Ｇ５は、例えば、レジスト塗布後のウエハＷに加熱処理を施すプリベークユニット（ＰＡＢ）、現像処理後のウエハＷに加熱処理を施すポストベークユニット（ＰＯＳＴ）、露光後現像前のウエハＷに加熱処理を施す露光後ベークユニット（ＰＥＢ）、疎水化処理またはプリベークされたウエハＷを所定温度に調整するための温調ユニットである冷却ユニット（ＣＰＬ１）と、露光後ベークユニット（ＰＥＢ）で加熱されたウエハＷを所定温度に調整する温調ユニットである冷却ユニット（ＣＰＬ３）とポストベークユニット（ＰＯＳＴ）で加熱されたウエハＷを冷却する冷却ユニット（ＣＰＬ４）等が例えば１０段に積み重ねて構成されている。また、第６処理ユニット群Ｇ６は、ウエハＷに疎水化処理を施すアドヒージョンユニットを例えば２段積み重ねて構成されている。これらは、例えば図３に示すように配置されている。図３に示すように、第３処理ユニット群Ｇ３はカセットステーション１１と第１主搬送部Ａ1との間でのウエハＷの受け渡し部となる受け渡しユニット（ＴＲＳ１）を有し、第５処理ユニット群Ｇ５は第２主搬送部Ａ２とインターフェイスステーション１３の後述する第１インターフェイスステーション搬送機構２１との間でのウエハＷの受け渡し部となる受け渡しユニット（ＴＲＳ２）を有している。
プリベークユニット（ＰＡＢ）およびポストベークユニット（ＰＯＳＴ）は、いずれも加熱プレートを備え、第１主搬送部Ａ１および第２主搬送部Ａ２の双方からアクセスすることができるように構成されている。
一方、露光後ベークユニット（ＰＥＢ）は、ウエハＷを加熱する加熱プレートおよび加熱後のウエハを冷却する冷却プレートを備え、やはり第１主搬送部Ａ１および第２主搬送部Ａ２の双方からアクセスすることができるように構成されている。露光後ベークユニット（ＰＥＢ）は、本発明において重要であるため、その構造を後で詳細に説明する。
第１主搬送部Ａ１は、ウエハＷを保持可能な第１主ウエハ搬送アーム１６を有し、この第１主ウエハ搬送アーム１６は、第１処理ユニット群Ｇ１、第３処理ユニット群Ｇ３および第４処理ユニット群Ｇ４、第６処理ユニット群Ｇ６の各ユニットに選択的にアクセスできるようになっている。第２主搬送部Ａ２は、ウエハＷを保持可能な第２主ウエハ搬送アーム１７を有し、この第２主ウエハ搬送アーム１７は、第２処理ユニット群Ｇ２、第４処理ユニット群Ｇ４および第５処理ユニット群Ｇ５の各ユニットに選択的にアクセスできるようになっている。
第１処理ユニット群Ｇ１とカセットステーション１１との間および第２処理ユニット群Ｇ２とインターフェイスステーション１３との間にはそれぞれ、第１および第２処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２に供給される処理液の温度調節装置や温度湿度調節用のダクト等を備えた温度湿度調節ユニット１８が設けられている（図１参照）。また、第１および第２処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２の下側にはそれぞれ、これらに薬液を供給するケミカルユニット（ＣＨＭ）が設けられている（図２参照）。
インターフェイスステーション１３は、処理ステーション１２側の第１インターフェイスステーション１３ａと、露光装置３側の第２インターフェイスステーション１３ｂとを有している。第１インターフェイスステーション１３ａには、第５処理ユニット群Ｇ5の開口部と対面するように、ウエハＷを搬送するための第１インターフェイスステーション搬送機構２１が設けられており、第２インターフェイスステーション１３ｂには、Ｘ方向に移動可能なウエハＷを搬送するための第２インターフェイスステーション搬送機構２２が設けられている。
図４にも示すように、第１インターフェイスステーション１３ａの背面側には、ウエハ周辺部の余分なレジストを除去するためにウエハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置（ＷＥＥ）と、露光装置３に搬送されるウエハＷを一時収容するイン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）と、露光装置３から搬送されたウエハＷを一時収容するアウト用バッファカセット（ＯＵＴＢＲ）とが積み重ねて構成された第７処理ユニット群Ｇ７が配置されている。また、第１インターフェイスステーション１３ａの正面側には、ウエハＷを露光装置３へ搬送する際に高精度に温調する高精度温調ユニット（ＣＰＬ）と、露光後のウエハが載置される受け渡しユニット（ＴＲＳ）とがそれぞれ２段ずつ合計４段に積み重ねられて構成された第８処理ユニット群Ｇ８が配置されている。
一方、図５に示すように、第２インターフェイスステーション１３ｂの正面側には、液浸露光後のウエハＷを洗浄し、乾燥させる洗浄ユニット（ＰＩＲ）が２段に積み重ねられて構成された第９処理ユニット群Ｇ９が配置されている。洗浄ユニット（ＰＩＲ）は、スピンチャックに水平状態でウエハＷを保持させ、ウエハＷを回転させながらウエハＷの表面中心部に洗浄液を供給しながら洗浄処理を行い、その後振り切り乾燥を行うものである。
上記第１インターフェイスステーション搬送機構２１は、ウエハＷを受け渡すためのフォーク２１ａを有している。このフォーク２１ａは、上下動および旋回が可能であり、第５処理ユニット群Ｇ５、第６処理ユニット群Ｇ６、第７処理ユニット群Ｇ７の各ユニットにアクセス可能であり、これにより各ユニット間でのウエハＷの搬送を行う。
上記第２インターフェイスステーション搬送機構２２は、ウエハＷを受け渡すための上下２本のフォーク２２ａ、２２ｂを有している。これらフォーク２２ａ、２２ｂは、図１のＹ方向に沿った水平移動、上下動および旋回が可能であり、第７処理ユニット群Ｇ７の各ユニットおよび露光装置３の後述するインステージ３ａおよびアウトステージ３ｂにアクセス可能であり、これら各部の間でウエハＷの搬送を行う。上段のフォーク２２ａは露光装置３に搬入する際に用いられ、下段のフォーク２２ｂは露光装置３から搬出する際に用いられる。このように、濡れた状態のウエハＷを扱うフォーク２２ｂを設けこのフォーク２２ｂを下段に設けることにより、フォーク２２ａに載置された乾燥ウエハＷに液滴が付着するおそれを回避することができる。
第１インターフェイスステーション１３ａの上部には、第１インターフェイスステーション１３ａまたはインターフェイスステーション１３の気流を調整する気流調整部２３が設けられ、第２インターフェイスステーション１３ｂの上部には、露光装置３から搬送されたウエハＷが乾燥しないように第２インターフェイスステーション１３ｂまたはインターフェイスステーション１３を加湿する加湿部２４が設けられている（図２参照）。
露光装置３は、インターフェイスステーション１３から搬送されたウエハＷを載置するインステージ３ａと、インターフェイスステーション１３に搬送されるウエハＷを載置するアウトステージ３ｂと、レジスト膜が形成されたウエハＷを所定の液体に浸漬させた状態でレジスト膜を露光する液浸露光部３０と、インステージ３ａ、液浸露光部３０およびアウトステージ３ｂの間でウエハＷを搬送するウエハ搬送機構２５とを有している。
図２に示すように、カセットステーション１１の下部には塗布・現像装置２の全体を制御する制御部２０が設けられている。この制御部２０の詳細は後述する。また、露光装置３にも図示しない制御部が設けられている。
このように構成された塗布・現像装置２および露光装置３を備えたパターン形成装置１において実ウエハの処理を行う場合には、まず、ウエハ搬送部１１ｃの搬送ピック１１ｄにより、ウエハカセット（ＣＲ）から１枚のウエハＷを取り出し、処理ステーション１２の第３処理ユニット群Ｇ３に設けられた受け渡しユニット（ＴＲＳ１）に搬送する。次に、第１および第２主搬送部Ａ１、Ａ２により、レシピの順序に従って、第１〜６処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ６の所定のユニットにウエハＷを順次搬送し、ウエハＷに一連の処理を施す。例えば、アドヒージョンユニット（ＡＤＨ）でのアドヒージョン処理、ボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）での反射防止膜の形成、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）でのレジスト膜の形成、トップコーティングユニット（ＩＴＣ）での保護膜の形成、プリベークユニット（ＰＡＢ）でのプリベーク処理を行う。なお、アドヒージョン処理は必要に応じて実施される。
その後、第２主搬送部Ａ２によりウエハＷを第５の処理ユニット群Ｇ５の受け渡しユニット（ＴＲＳ２）に搬送し、第１インターフェイスステーション１３ａの第１インターフェイスステーション搬送機構２１によりウエハＷを受け取って、周辺露光装置（ＷＥＥ）に搬送し、そこで周辺露光処理を行い、さらに高精度温調ユニット（ＣＰＬ）に搬送し、そこで温調処理行う。次いで、第２インターフェイスステーション１３ｂの第２インターフェイスステーション搬送機構２２（フォーク２２ａ）によってウエハＷを高精度温調ユニット（ＣＰＬ）から露光装置３のインステージ３ａに搬送する。その後、露光装置３のウエハ搬送機構２５によってウエハＷを液浸露光部３０に搬送してウエハＷに液浸露光処理を施す。その後、ウエハ搬送機構２５によってウエハＷをアウトステージ３ｂに搬送し、次いで、第２インターフェイスステーション１３ｂにて第２インターフェイスステーション搬送機構２２（フォーク２２ｂ）によってウエハＷを洗浄ユニット（ＰＩＲ）に搬送してウエハＷを洗浄・乾燥し、次いで第１インターフェイスステーション１３ａの受け渡しユニット（ＴＲＳ）に搬送する。その後、第１インターフェイスステーション１３ａの第１インターフェイスステーション搬送機構２１によって受け渡しユニット（ＴＲＳ）のウエハＷを第５処理ユニット群Ｇ５の露光後ベークユニット（ＰＥＢ）に搬送する。
露光後ベークユニット（ＰＥＢ）で露光後ベーク処理を行った後、第１、第２主搬送部Ａ１、Ａ２により、レシピの順序に従って、所定のユニットにウエハＷを順次搬送し所定の処理を行う。例えば、露光後ベーク処理の後、現像ユニット（ＤＥＶ）での現像処理、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ）でのポストベーク処理、冷却ユニット（ＣＰＬ４）での冷却処理を順次行い、その後、ウエハＷを、第３処理ユニット群Ｇ３に設けられた受け渡しユニット（ＴＲＳ１）を介してカセットステーション１１のウエハカセット（ＣＲ）へ搬送する。
以上の工程において、化学増幅型レジストは、露光してから加熱処理を開始する間にも反応が進むため、露光装置３での露光処理終了後から露光後ベーク処理ユニット（ＰＥＢ）で加熱するまでの露光後遅延時間（ＰＥＤ時間）がばらつくと、線幅の均一性が低下してしまう。しかし、インターフェイスステーション１３における第１および第２インターフェイスステーション搬送機構２１、２２は互いに非同期で独立して制御されるため、搬送の都合により基板毎にＰＥＤ時間が必然的にばらついてしまう。したがって、線幅均一性を確保するには、上記特許文献１のように露光後ベークユニット（ＰＥＢ）にて加熱前にウエハＷを待機させてＰＥＤ時間を一定にすることが有効であるが、液浸露光処理を行う場合には、洗浄ユニット（ＰＩＲ）にて洗浄処理を行うため、露光後ベークユニット（ＰＥＢ）での待機時間が増加し、同じスループットを維持するための露光後ベークユニット（ＰＥＢ）の必要台数が増加してしまう。
本実施形態は、露光後ベーク（ＰＥＢ）の台数を増加させることなく、ＰＥＤ時間を一定にする手法を提供するものであり、以下、その点について説明する。
まず、露光後ベークユニット（ＰＥＢ）について説明する。
図６の（ａ）、（ｂ）に示すように、露光後ベークユニット（ＰＥＢ）は、筐体６２内に、加熱プレート６３と、搬送アームを兼用する冷却プレート６４とが並置されており、筐体６２の両側面の冷却プレート６４に対応する部分に、それぞれ第１主搬送部Ａ１および第２主搬送部Ａ２からアクセス可能な搬入出口５１ａ，５１ｂが設けられている。そして、搬入されたウエハＷは、まず冷却プレート６４に載置されるようになっている。冷却プレート６４は、図示しない移動機構により、図示の基準位置と加熱プレート６３の直上位置との間で移動可能に構成されている。冷却プレート６４の基準位置に対応する部分および加熱プレート６３に対応する部分には、それぞれウエハＷの受け渡しを行うための昇降ピン６５、６６が設けられている。また、冷却プレート６４には昇降ピン６５、６６が通過するための切り欠き６７が形成されている。そして、加熱プレート６３に対するウエハＷの受け渡しは、冷却プレート６４を介して行われるようになっている。また、基準位置にある冷却プレート６４にウエハＷを載置させた状態で待機させることが可能となっている。また、昇降ピン６５または６６を突出させた状態でその上に待機させることもできる。なお、搬入出口５１ａ，５１ｂは図示しないシャッタで開閉可能となっている。
次に、制御部２０について説明する。図７は制御部２０の要部を示すブロック図である。
この制御部２０は、塗布・現像装置２の各ユニットおよび各搬送機構等の各構成部を制御するマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）を備えたコントローラ７１と、工程管理者がパターン形成装置１の各構成部を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、パターン形成装置１の各構成部の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェイス７２と、処理に必要なレシピ等の情報が記憶された記憶部７３とを有している。
制御部２０は、塗布・現像装置２の全体を制御するものであり、図７に示すように、塗布・現像装置２の各構成部を制御するコントローラ７１を有している。コントローラ７１には、オペレータが塗布・現像装置２の各構成部を管理するためにコマンドの入力操作などを行うキーボードや、塗布・現像装置２の各構成部の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェイス７２が接続されている。さらに、コントローラ７１には、塗布・現像装置２で実行される各種処理をコントローラ７１の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて塗布・現像装置２の各構成部に所定の処理を実行させるための制御プログラムすなわちレシピ等が格納された記憶部７３が接続されている。レシピ等の制御プログラムは記憶部７３の中の記憶媒体に記憶されている。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよいし、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。
制御部２０は、このように塗布・現像装置２の全体を制御するものであるが、以下、実施形態の要部に関連するインターフェイスステーション１３における搬送系の制御を中心に説明する。
コントローラ７１は、インターフェイスステーション１３の第１インターフェイスステーション搬送機構２１を制御する第１インターフェイスステーション搬送機構制御部８１と、第２インターフェイスステーション搬送機構２２を制御する第２インターフェイスステーション搬送機構制御部８２と、第８処理ユニット群Ｇ８の受け渡しユニット（ＴＲＳ）でウエハＷを待機させる待機時間を演算するＴＲＳ待機時間演算部８３と、露光後ベークユニット（ＰＥＢ）にてウエハを待機させる待機時間を演算するＰＥＢ待機時間演算部８４とを有している。
ＴＲＳ待機時間演算部８３は、露光装置３から第２インターフェイスステーション搬送機構２２がウエハＷを受け取って第８処理ユニット群Ｇ８の受け渡しユニット（ＴＲＳ）に載置し、この受け渡しユニット（ＴＲＳ）から第１インターフェイスステーション搬送機構２１が受け取るまでの第２インターフェイスステーション搬送機構２２担当分の露光後遅延時間（第２ＰＥＤ時間）が常に最大値となるように受け渡しユニット（ＴＲＳ）でのウエハＷの待機時間を演算する。
また、ＰＥＢ待機時間演算部８４は、第１インターフェイスステーション搬送機構２１が受け渡しユニット（ＴＲＳ）からウエハＷを受け取って、露光後ベークユニット（ＰＥＢ）にウエハを搬送し、露光後ベーク処理が開始されるまでの第１インターフェイスステーション搬送機構２１担当分の露光後遅延時間（第１ＰＥＤ時間）が常に最大値となるように露光後ベークユニット（ＰＥＢ）でのウエハＷの待機時間を演算する。
また、記憶部７３は、ウエハＷの搬送レシピを複数格納しており、これら搬送レシピからウエハＷの搬送スケジュールを作成する搬送スケジュール作成プログラム８５を有している。搬送スケジュールは、ウエハＷが載置されるモジュール（例えば処理ユニットや受け渡しユニット）と各ウエハとの対応関係を時系列的に表したものである。
次に、制御部２０による本実施形態のＰＥＤ時間の制御について詳細に説明する。上述のように、各ウエハＷによって露光終了後から露光後ベーク処理までのＰＥＤ時間がばらつくことを回避するために、ウエハＷの待機時間を設けて各ウエハでのＰＥＤ時間を一定にするが、露光後ベークユニット（ＰＥＢ）での待機だけではＰＥＤ時間自体が長くなってしまい、露光後ベークユニット（ＰＥＢ）の必要台数が増加してしまうため、本実施形態では、第２インターフェイスステーション搬送機構２２と第１インターフェイスステーション搬送機構２１とで別個に最大遅延時間を把握して、それぞれに待機時間を持たせることにより、露光後ベークユニット（ＰＥＢ）における待機時間を短縮する。すなわち、図８に示すように、第２インターフェイスステーション搬送機構２２に対応するウエハ待機部として第８処理ユニットＧ８の受け渡しユニット（ＴＲＳ）を用い、第１インターフェイスステーション搬送機構２１に対応するウエハ待機部として露光後ベークユニット（ＰＥＢ）を用いるようにし、制御部２０によって露光装置３での露光終了後、露光後ベークユニット（ＰＥＢ）で露光後ベーク処理が開始されるまでの時間がウエハ毎に一定になるようにする。
図９は、制御部２０によってＰＥＤ時間の制御する際のフローを説明するためのフローチャートである。
まず、露光後、露光装置３のアウトステージ３ｂにウエハＷが載置された後、アウトレディ信号が出力された時点から第２インターフェイスステーション搬送機構２２がウエハＷを受け渡しステージ（ＴＲＳ）に搬送するまでに実際にかかった時間Ｔｒ２を計測する（ステップ１）。続いてステップ１で計測されたＴｒ２に基づいて、受け渡しユニット（ＴＲＳ）での待機時間Ｔｔ２を演算する（ステップ２）。このときの待機時間Ｔｔ２の演算は、予め求められている第２インターフェイスステーション搬送機構２２担当分の露光後遅延時間（第２ＰＥＤ時間）Ｔｐ２の最大値Ｔｐ２ｍａｘから上記Ｔｒ２を減ずることにより求められる。すなわち
Ｔｔ２＝Ｔｐ２ｍａｘ−Ｔｒ２
となる。
第２ＰＥＤ時間Ｔｐ２の最大値Ｔｐ２ｍａｘが生じるのは、露光装置３のアウトステージ３ｂにウエハＷが載置されてアウトレディ信号が出力された時点で、第２インターフェイスステーション搬送機構２２が洗浄ユニット（ＰＩＲ）から第８処理ユニット群Ｇ８の受け渡しユニット（ＴＲＳ）へウエハＷを搬送し、引き続き第８処理ユニット群Ｇ８の高精度温調ユニット（ＣＰＬ）からウエハＷを受け取って露光装置のインステージ３ａへ搬送し、これらの動作を終了後にアウトステージ３ｂにアクセスして洗浄ユニット（ＰＩＲ）へ搬送し、洗浄終了時点で第２インターフェイスステーション搬送機構２２が他のウエハＷをアウトステージ３ｂから他の洗浄ユニット（ＰＩＲ）へ搬送し、さらに高精度温調ユニット（ＣＰＬ）のウエハＷをインステージ３ａへ搬送し、これらの動作を終了後に洗浄ユニット（ＰＩＲ）から受け渡しステージ（ＴＲＳ）へ搬送する場合である。Ｔｒ２＝Ｔｐ２ｍａｘの場合には、待機時間Ｔｔ２＝０となる。
一方、第２ＰＥＤ時間Ｔｐ２の最小値Ｔｐ２ｍｉｎは、露光装置３のアウトステージ３ｂにウエハＷが載置されてアウトレディ信号が出力された時点で第２インターフェイスステーション搬送機構２２がすぐにアウトステージ３ｂにアクセスでき、かつ洗浄ユニット（ＰＩＲ）での洗浄終了時点で第２インターフェイスステーション搬送機構２２がすぐに洗浄ユニット（ＰＩＲ）にアクセスできる場合であり、このとき待機時間Ｔｔ２が最大値Ｔｔ２ｍａｘとなる。すなわち、通常の処理時は０≦Ｔｔ２≦Ｔｔ２ｍａｘとなる。
次に、上記演算結果に基づいて待機が実行され（ステップ３）、待機時間が所定の時間となったか否かが判断されて（ステップ４）、所定の時間に達した後、第１インターフェイスステーション搬送機構２１の受け渡しステージ（ＴＲＳ）へのアクセスを許可する信号が出力される（ステップ５）。そして、搬送を許可する信号が出力された時点から第１インターフェイスステーション搬送機構２１がウエハＷを露光後ベークユニット（ＰＥＢ）へ搬送するまでに実際にかかった時間Ｔｒ１を計測する（ステップ６）。続いてステップ６で計測されたＴｒ１に基づいて、露光後ベークユニット（ＰＥＢ）での待機時間Ｔｔ１を演算する（ステップ７）。このときの待機時間Ｔｔ１の演算は、予め求められている第１インターフェイスステーション搬送機構２１担当分の露光後遅延時間（第１ＰＥＤ時間）Ｔｐ１の最大値Ｔｐ１ｍａｘから上記Ｔｒ１を減ずることにより求められる。
すなわち
Ｔｔ１＝Ｔｐ１ｍａｘ−Ｔｒ１
となる。
第１ＰＥＤ時間Ｔｐ１の最大値Ｔｐ１ｍａｘが生じるのは、ステップ５のアクセス許可信号が出された時点で、第１インターフェイスステーション搬送機構２１が第５処理ユニット群Ｇ５の受け渡しユニット（ＴＲＳ２）へウエハＷを取りに行き、そのウエハＷを第７処理ユニット群Ｇ７の周辺露光装置（ＷＥＥ）に受け渡すとともにその中のウエハＷをイン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）に入れ、これらの動作を終了後に第１インターフェイスステーション搬送機構２１により第８処理ユニット群Ｇ８の受け渡しユニット（ＴＲＳ）から露光後ベークユニット（ＰＥＢ）へウエハＷを搬送する場合である。Ｔｒ１＝Ｔｐ１ｍａｘの場合には、待機時間Ｔｔ１＝０となる。
一方、第１ＰＥＤ時間Ｔｐ１の最小値Ｔｐ１ｍｉｎは、ステップ５のアクセス許可信号が出された時点で、第１インターフェイスステーション搬送機構２１がすぐに受け渡しユニット（ＴＲＳ）にアクセスできる場合である。
次に、上記演算結果に基づいて待機が実行され（ステップ８）、待機時間が所定の時間となったか否かが判断されて（ステップ９）、所定の時間に達した後、加熱処理を許可する信号が出力され（ステップ１０）、露光後ベークユニット（ＰＥＢ）内でウエハＷが加熱プレート６３上に載置されて露光後ベーク処理が開始される（ステップ１１）。
このように、ＰＥＤ時間の最大値から実際の搬送時間を引いた時間を全て露光後ベークユニット（ＰＥＢ）にて待機させるのではなく、第１および第２インターフェイスステーション搬送機構２１，２２それぞれにＰＥＤ時間を分担し、第２インターフェイスステーション搬送機構２２担当分のＰＥＤ時間に対応する待機時間を露光後ベークユニット（ＰＥＢ）とは別個の受け渡しステージ（ＴＲＳ）に持たせたので、露光後ベークユニット（ＰＥＢ）での待機時間を短縮させることができる。したがって、露光後ベークユニット（ＰＥＢ）の必要台数の増加を回避させることができる。
次に、具体例について説明する。図１０はＰＥＤ時間管理のタイムチャートの具体例を示す図であり、（ａ）はＰＥＤ時間が最短のケース、（ｂ）はＰＥＤ時間が最長のケースである。
（ａ）のＰＥＤ時間が最短のケースでは、露光装置３のアウトステージ３ｂにウエハＷが載置されてアウトレディ信号が出力されて第２インターフェイスステーション搬送機構２２がアウトステージ３ｂから洗浄ユニット（ＰＩＲ）へ搬送する時間（図中（１））が７．０ｓｅｃ、洗浄ユニット（ＰＩＲ）で処理する時間（図中（２））が２７．０ｓｅｃ、洗浄終了後、第２インターフェイスステーション搬送機構２２が洗浄ユニット（ＰＩＲ）から受け渡しユニット（ＴＲＳ）へ搬送する時間（図中（３））が７．０ｓｅｃであり、第２ＰＥＤ時間Ｔｐ２の最小値Ｔｐ２ｍｉｎ＝（１）＋（２）＋（３）＝４１．０ｓｅｃである。また、ステップ５のアクセス許可信号が出されてから第１インターフェイスステーション搬送機構２１が受け渡しユニット（ＴＲＳ）から露光後ベークユニット（ＰＥＢ）へウエハＷを搬送する時間（図中（４））が６．０ｓｅｃであり、第１ＰＥＤ時間Ｔｐ１の最小値Ｔｐ１ｍｉｎ＝（４）＝６．０ｓｅｃである。
一方、（ｂ）のＰＥＤ時間最長のケースでは、露光装置３のアウトステージ３ｂにウエハＷが載置されてアウトレディ信号が出力された時点で、第２インターフェイスステーション搬送機構２２はすぐにはそのウエハＷを取りに行けず、まず洗浄ユニット（ＰＩＲ）のウエハＷを第８処理ユニット群Ｇ８の受け渡しユニット（ＴＲＳ）へ搬送する時間（図中（ｉ））：７．０ｓｅｃ、引き続き第８処理ユニット群Ｇ８の高精度温調ユニット（ＣＰＬ）からウエハＷを受け取って露光装置のインステージ３ａへ搬送する時間（図中（ii））：７．０ｓｅｃという（ｉ）＋（ii）の１４．０ｓｅｃ経過後に（１）の搬送を行い、また、（２）の洗浄処理終了時点で第２インターフェイスステーション搬送機構２２はすぐにはそのウエハＷを取りに行けず、第２インターフェイスステーション搬送機構２２が他のウエハＷをアウトステージ３ｂから他の洗浄ユニット（ＰＩＲ）へ搬送する時間（図中（iii））：７．０ｓｅｃ、さらに高精度温調ユニット（ＣＰＬ）のウエハＷをインステージ３ａへ搬送する時間（図中（iv））：７．０ｓｅｃという（iii）＋（iv）の１４．０ｓｅｃ経過後に（３）の搬送を行う。したがって、図中（II）で示す、第２ＰＥＤ時間Ｔｐ２の最大値Ｔｐ２ｍａｘ＝（１）＋（２）＋（３）＋（ｉ）＋（ii）＋（iii）＋（iv）＝６９ｓｅｃである。また、ステップ５のアクセス許可信号が出された時点で、第１インターフェイスステーション搬送機構２１はすぐには第８処理ユニット群Ｇ８の受け渡しユニット（ＴＲＳ）にウエハＷを取りに行けず、第５処理ユニット群Ｇ５の受け渡しユニット（ＴＲＳ２）へウエハＷを取りに行き、そのウエハＷを第７処理ユニット群Ｇ７の周辺露光装置（ＷＥＥ）に受け渡すとともにその中のウエハＷをイン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）に入れる時間（図中（ｖ））：１１．８ｓｅｃ経過後に（４）の搬送を行う。したがって、図中（Ｉ）で示す、第１ＰＥＤ時間Ｔｐ１の最大値Ｔｐ１ｍａｘ＝（４）＋（ｖ）＝１７．８ｓｅｃである。
このように、（ａ）のＰＥＤ時間が最短のケースでは、第２インターフェイスステーション搬送機構２２担当分では最長のケースよりも６９．０−４１．０＝２８．０ｓｅｃ短く、第１インターフェイスステーション搬送機構担当分では最長のケースよりも１７．８−６．０＝１１．８すなわち約１２．０ｓｅｃ短いため、第２インターフェイスステーション搬送機構２２担当分のばらつき最大２８．０ｓｅｃを第８処理ユニット群Ｇ８の受け渡しステージ（ＴＲＳ）で待機させることにより調整し、第１インターフェイスステーション搬送機構２１担当分のばらつき最大１２．０ｓｅｃを露光後ベークユニット（ＰＥＢ）の前待機で調整する。
この場合に、特許文献１のようにＰＥＤ時間のばらつきを全て露光後ベークユニット（ＰＥＢ）の前待機で調整すると、待機時間は２８．０＋１２．０＝４０．０ｓｅｃと極めて長くなってしまうが、上記例では露光後ベークユニット（ＰＥＢ）での待機時間は１２．０ｓｅｃで済む。露光後ベークユニット（ＰＥＢ）の必要台数は、ＰＥＢでの処理時間、待機時間、搬送時間等と、目標サイクルタイムにより決定され、処理時間＋待機時間が長くなると必要台数が多くなる方向となる。上記例では、目標サイクルタイムを２４ｓｅｃとすると、露光後ベークユニット（ＰＥＢ）の必要台数は７台となるが、同じ条件で全ての待機時間を露光後ベークユニット（ＰＥＢ）に持たせると必要台数は８台となる。すなわち、本実施形態の方法を用いることにより、特許文献１の方法を用いた場合よりも露光後ベークユニット（ＰＥＢ）の必要台数を削減することができることが確認される。
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、インターフェイスステーション１３において洗浄ユニット（ＰＩＲ）に対するウエハＷの受け渡しを第２インターフェイスステーション搬送機構２２で行う例について示したが、第１インターフェイスステーション搬送機構２１で行うようにしてもよい。また、上記実施形態では、２つの搬送機構を用いた場合について示したが、搬送機構の数はこれに限るものではなく、３つ以上であってもよい。さらに、上記実施形態では液浸露光装置用の塗布・現像装置に本発明を適用したが、これに限るものではない。
本発明の一実施例に係る塗布・現像装置を備えたパターン形成装置の概略平面図。 図１に示すパターン形成装置を示す概略斜視図。 図１に示すパターン形成装置の塗布・現像装置における主に第３処理ユニット群Ｇ3、第４処理ユニット群Ｇ４、第５処理ユニット群Ｇ５の構成を説明するための模式図。 図１に示すパターン形成装置の塗布・現像装置における第１インターフェイスステーションを示す側面図。 図１に示すパターン形成装置の塗布・現像装置における第２インターフェイスステーションを示す側面図。 図１に示すパターン形成装置の塗布・現像装置における露光後ベークユニットを示す水平断面図および垂直断面図。 図１に示すパターン形成装置の塗布・現像装置における制御部の要部を示すブロック図。 露光終了後、露光後ベークユニットで露光後ベーク処理が開始されるまでの第１および第２インターフェイスステーション搬送機構の制御を説明するための模式図。 制御部によってＰＥＤ時間の制御する際のフローを説明するためのフローチャート。 ＰＥＤ時間管理のタイムチャートの具体例を示す図。
符号の説明
１；パターン形成装置
２；塗布・現像装置
３；露光装置
２０；集中制御部
２１；第１インターフェイスステーション搬送機構
２２；第２インターフェイスステーション搬送機構
７１；コントローラ
７２；ユーザーインターフェイス
７３；記憶部
８１；第１インターフェイスステーション搬送機構制御部
８２；第２インターフェイスステーション搬送機構制御部
８３；ＴＲＳ待機時間演算部
８４；ＰＥＢ待機時間演算部
８５；搬送スケジュール作成プログラム
ＰＥＢ；露光後ベークユニット
ＰＩＲ；洗浄ユニット
ＴＲＳ；受け渡しユニット
Ｗ；半導体ウエハ

Claims (12)

  1. 基板に対してレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対し液体に浸漬させた状態で露光する液浸露光装置により液浸露光処理が施された後に現像処理を行う塗布・現像装置であって、
    レジスト塗布および現像を行うための一連の処理を行う複数の処理ユニットを備えた処理部と、
    前記処理部と前記液浸露光装置との間に配置され、前記液浸露光装置との間で基板の受け渡しを行うとともに、液浸露光後の基板を洗浄する洗浄ユニットを有するインターフェイス部と、
    前記処理部で基板の搬送を行う主搬送機構と、
    前記インターフェイス部で基板を搬送するインターフェイス部搬送機構と、
    基板の搬送を制御する制御部と
    を具備し、
    前記処理部は、露光後の基板に現像に先立ってベーク処理を施す、待機部を有する複数の露光後ベークユニットを有し、
    前記インターフェイス部搬送機構は、処理部との間で基板の受け渡しを行うとともに、露光後の基板を前記露光後ベークユニットへ搬入する第１の搬送機構と、前記液浸露光装置との間で基板の受け渡しを行うとともに、前記洗浄ユニットに対する基板の搬入出を行う第２の搬送機構とを有し、
    前記インターフェイス部は、前記第２の搬送機構により搬送してきた基板を載置し、前記第１の搬送機構により受け取り可能とする受け渡し部をさらに有し、
    前記制御部は、前記液浸露光装置での露光終了後、露光後ベークユニットで露光後ベーク処理が開始されるまでの露光後遅延時間が基板毎に一定になるように前記受け渡し部および前記露光後ベークユニットの前記待機部の２箇所で基板を待機させるとともに、
    前記露光後遅延時間を、前記第１の搬送機構および前記第２の搬送機構それぞれに分担し、前記露光後遅延時間が基板毎に一定になるように設けられる待機時間のうち、前記第２の搬送機構担当分の露光後遅延時間に対応する待機時間を前記受け渡し部に持たせ、前記第１の搬送機構担当分の露光後遅延時間に対応する待機時間を前記待機部に持たせて、前記待機部における待機時間を短縮することを特徴とする塗布・現像装置。
  2. 前記制御部は、前記液浸露光装置において基板が搬出可能状態になってから前記第２の搬送機構が前記洗浄ユニットへ基板を搬送し、前記洗浄ユニットで基板の洗浄処理を行い、前記洗浄処理終了後前記洗浄ユニットから前記受け渡し部へ基板を搬送するまでの時間が一定になるように前記受け渡し部での基板の待機時間を設定し、
    前記受け渡し部へ第１の搬送機構がアクセス可能になってから前記第１の搬送機構が前記露光後ベークユニットへ搬送して加熱が開始されるまでの時間が一定になるように前記露光後ベークユニットの前記待機部での基板の待機時間を設定することを特徴とする請求項１に記載の塗布・現像装置。
  3. 前記制御部は、前記受け渡し部での基板の待機時間として、前記液浸露光装置において基板が搬出可能状態になってから、前記第２の搬送機構が前記洗浄ユニットへ基板を搬送し、前記洗浄ユニットで基板の洗浄処理を行い、前記洗浄処理終了後前記洗浄ユニットから前記受け渡し部へ基板を搬送するまでの最長時間から実際にかかった時間を減じた値を用い、
    前記露光後ベークユニットの前記待機部での基板の待機時間として、前記受け渡し部へ第１の搬送機構がアクセス可能になってから前記第１の搬送機構が前記露光後ベークユニットへ搬送して加熱が開始されるまでの最長時間から実際にかかった時間を減じた値を用いることを特徴とする請求項２に記載の塗布・現像装置。
  4. 前記インターフェイス部は、基板上のレジスト膜の周縁部を露光する周縁露光装置と、バッファ部とを有し、前記第１の搬送機構は、前記処理部から基板を受け取ってから前記周縁露光装置に搬送し、基板の周縁露光処理が終わった後に必要に応じて前記バッファ部へ基板を搬送することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の塗布・現像装置。
  5. 前記インターフェイス部は、前記第１の搬送機構により処理部から搬送してきた基板を載置するとともに温調し、前記第２の搬送機構により前記液浸露光装置へその基板を搬送可能とする温調ユニットをさらに有することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の塗布・現像装置。
  6. 前記露光後ベークユニットは、基板を載置して加熱する加熱プレートと、前記加熱プレートに隣接する冷却位置と前記加熱プレートの上方位置との間で移動可能に設けられ、前記加熱プレートに対する基板の受け渡しおよび加熱後の基板の冷却を行う冷却プレートと、前記冷却位置にある前記冷却プレートに対して突没可能に設けられ前記冷却プレートへの基板の受け渡しを行う第１の昇降ピンと、前記加熱プレートに対して突没可能に設けられ前記加熱プレートへの基板の受け渡しを行う第２の昇降ピンとを有し、前記待機部は、前記冷却プレート上、上昇した状態の前記第１の昇降ピン上、上昇した状態の前記第２の昇降ピン上のいずれかであることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の塗布・現像装置。
  7. 基板に対してレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対し液体に浸漬させた状態で露光する液浸露光装置により液浸露光処理が施された後に現像処理を行う塗布・現像装置であって、レジスト塗布および現像を行うための一連の処理を行う複数の処理ユニットを備えた処理部と、前記処理部と前記液浸露光装置との間に配置され、前記液浸露光装置との間で基板の受け渡しを行うとともに、液浸露光後の基板を洗浄する洗浄ユニットを有するインターフェイス部と、前記処理部で基板の搬送を行う主搬送機構と、前記インターフェイス部で基板を搬送するインターフェイス部搬送機構とを具備し、前記処理部は、露光後の基板に現像に先立ってベーク処理を施す、待機部を有する複数の露光後ベークユニットを有し、前記インターフェイス部搬送機構は、処理部との間で基板の受け渡しを行うとともに、露光後の基板を前記露光後ベークユニットへ搬入する第１の搬送機構と、前記液浸露光装置との間で基板の受け渡しを行うとともに、前記洗浄ユニットに対する基板の搬入出を行う第２の搬送機構とを有し、前記インターフェイス部は、前記第２の搬送機構により搬送してきた基板を載置し、前記第１の搬送機構により受け取り可能とする受け渡し部をさらに有する塗布・現像装置を用いて露光後の基板を露光後ベークユニットへ搬送する基板搬送方法であって、
    前記液浸露光装置での露光終了後、露光後ベークユニットで露光後ベーク処理が開始されるまでの露光後遅延時間が基板毎に一定になるように前記受け渡し部および前記露光後ベークユニットの前記待機部の２箇所で基板を待機させるとともに、
    前記露光後遅延時間を、前記第１の搬送機構および前記第２の搬送機構それぞれに分担し、前記露光後遅延時間が基板毎に一定になるように設けられる待機時間のうち、前記第２の搬送機構担当分の露光後遅延時間に対応する待機時間を前記受け渡し部に持たせ、前記第１の搬送機構担当分の露光後遅延時間に対応する待機時間を前記待機部に持たせて、前記待機部における待機時間を短縮しながら基板を搬送することを特徴とする基板搬送方法。
  8. 前記液浸露光装置において基板が搬出可能状態になってから前記第２の搬送機構が前記洗浄ユニットへ基板を搬送し、前記洗浄ユニットで基板の洗浄処理を行い、前記洗浄処理終了後前記洗浄ユニットから前記受け渡し部へ基板を搬送するまでの時間が一定になるように前記受け渡し部での基板の待機時間を設定し、
    前記受け渡し部へ第１の搬送機構がアクセス可能になってから前記第１の搬送機構が前記露光後ベークユニットへ搬送して加熱が開始されるまでの時間が一定になるように前記露光後ベークユニットの前記待機部での基板の待機時間を設定することを特徴とする請求項７に記載の基板搬送方法。
  9. 前記受け渡し部での基板の待機時間として、前記液浸露光装置において基板が搬出可能状態になってから、前記第２の搬送機構が前記洗浄ユニットへ基板を搬送し、前記洗浄ユニットで基板の洗浄処理を行い、前記洗浄処理終了後前記洗浄ユニットから前記受け渡し部へ基板を搬送するまでの最長時間から実際にかかった時間を減じた値を用い、
    前記露光後ベークユニットの前記待機部での基板の待機時間として、前記受け渡し部へ第１の搬送機構がアクセス可能になってから前記第１の搬送機構が前記露光後ベークユニットへ搬送して加熱が開始されるまでの最長時間から実際にかかった時間を減じた値を用いることを特徴とする請求項８に記載の基板搬送方法。
  10. 基板に対してレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対し液体に浸漬させた状態で露光する液浸露光装置により液浸露光処理が施された後に現像処理を行う塗布・現像装置であって、レジスト塗布および現像を行うための一連の処理を行う複数の処理ユニットを備えた処理部と、前記処理部と前記液浸露光装置との間に配置され、前記液浸露光装置との間で基板の受け渡しを行うとともに、液浸露光後の基板を洗浄する洗浄ユニットを有するインターフェイス部と、前記処理部で基板の搬送を行う主搬送機構と、前記インターフェイス部で基板を搬送するインターフェイス部搬送機構とを具備し、前記処理部は、露光後の基板に現像に先立ってベーク処理を施す、待機部を有する複数の露光後ベークユニットを有し、前記インターフェイス部搬送機構は、処理部との間で基板の受け渡しを行うとともに、露光後の基板を前記露光後ベークユニットへ搬入する第１の搬送機構と、前記液浸露光装置との間で基板の受け渡しを行うとともに、前記洗浄ユニットに対する基板の搬入出を行う第２の搬送機構とを有し、前記インターフェイス部は、前記第２の搬送機構により搬送してきた基板を載置し、前記第１の搬送機構により受け取り可能とする受け渡し部をさらに有する塗布・現像装置を用いて露光後の基板を露光後ベークユニットへ搬送させるためのコンピュータプログラムであって、
    前記液浸露光装置での露光終了後、露光後ベークユニットで露光後ベーク処理が開始されるまでの露光後遅延時間が基板毎に一定になるように前記受け渡し部および前記露光後ベークユニットの前記待機部の２箇所で基板を待機させるとともに、
    前記露光後遅延時間を、前記第１の搬送機構および前記第２の搬送機構それぞれに分担し、前記露光後遅延時間が基板毎に一定になるように設けられる待機時間のうち、前記第２の搬送機構担当分の露光後遅延時間に対応する待機時間を前記受け渡し部に持たせ、前記第１の搬送機構担当分の露光後遅延時間に対応する待機時間を前記待機部に持たせて、前記待機部における待機時間を短縮するように、前記第１および第２の搬送機構をコンピュータに制御させることを特徴とするコンピュータプログラム。
  11. 前記液浸露光装置において基板が搬出可能状態になってから前記第２の搬送機構が前記洗浄ユニットへ基板を搬送し、前記洗浄ユニットで基板の洗浄処理を行い、前記洗浄処理終了後前記洗浄ユニットから前記受け渡し部へ基板を搬送するまでの時間が一定になるように前記受け渡し部での基板の待機時間を設定し、
    前記受け渡し部へ第１の搬送機構がアクセス可能になってから前記第１の搬送機構が前記露光後ベークユニットへ搬送して加熱が開始されるまでの時間が一定になるように前記露光後ベークユニットの前記待機部での基板の待機時間を設定することを特徴とする請求項１０に記載のコンピュータプログラム。
  12. 前記受け渡し部での基板の待機時間として、前記液浸露光装置において基板が搬出可能状態になってから、前記第２の搬送機構が前記洗浄ユニットへ基板を搬送し、前記洗浄ユニットで基板の洗浄処理を行い、前記洗浄処理終了後前記洗浄ユニットから前記受け渡し部へ基板を搬送するまでの最長時間から実際にかかった時間を減じた値を用い、
    前記露光後ベークユニットの前記待機部での基板の待機時間として、前記受け渡し部へ第１の搬送機構がアクセス可能になってから前記第１の搬送機構が前記露光後ベークユニットへ搬送して加熱が開始されるまでの最長時間から実際にかかった時間を減じた値を用いることを特徴とする請求項１１に記載のコンピュータプログラム。
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