KR20240003732A - 기판 반송 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체 - Google Patents

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켄이치로 마츠야마
쇼 카노
사오리 코사키
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Abstract

노광 후의 기판 간에서의 반송 상태의 불균일을 억제하여, 현상에 의해 기판에 형성되는 패턴의 불균일을 억제한다. 기판을 모듈군 및 노광기를 경유하여 캐리어로 반송하는 반송 기구군을 구비하고, 반송 기구군에는, 전단 모듈, 노광기, 제 1 후단 모듈의 순으로 기판을 반송하는 제 1 반송 기구와, 제 1 후단 모듈, 가열 모듈, 현상 모듈, 제 2 후단 모듈의 순으로 기판을 반송하는 제 2 반송 기구와, 후단 반송 기구가 포함되는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 있어서, 노광기에 있어서 기판을 반입하고 나서 당해 기판이 반출 가능하게 되는 간격을 노광기 사이클 타임으로 하면, 제 2 반송 기구에 의한 반송 구간으로부터 후단 반송 기구에 의한 반송 구간으로 기판을 반송하는 구간 반송 시간과, 노광기 사이클 타임을 비교하는 비교 공정과, 비교 공정의 결과에 따라 구간 반송 시간을 변경하는 변경 설정 공정을 행한다.

Description

기판 반송 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체 {SUBSTRATE TRANSFER METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND RECORDING MEDIUM}
본 개시는 기판 반송 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체에 관한 것이다.
반도체 디바이스를 제조함에 있어, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 기재함)에 대하여 포토리소그래피가 행해진다. 구체적으로, 노광기에 있어서 레지스트막을 정해진 패턴을 따라 노광한 후, PEB(Post Exposure Bake)라 불리는 가열, 현상의 순으로 처리가 행해지도록, 웨이퍼는 기판 처리 장치 내에 있어서의 모듈 간을 반송된다. 특허 문헌 1에서는 노광 후, PEB를 행하기까지의 시간이 일정하게 되도록 웨이퍼를 반송하는 것이 나타나 있다.
일본특허공개공보 2008-130857
본 개시는, 노광기에 의한 노광 후의 기판 간에서의 반송 상태의 불균일을 억제하여, 현상에 의해 기판에 형성되는 패턴의 불균일을 억제할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 기판 반송 방법은, 캐리어로부터 취출한 기판을 모듈군 및 노광기를 경유하여 상기 캐리어로 반송하는 반송 기구군을 구비하고,
상기 모듈군에는, 상기 노광기의 전단에서 상기 기판을 배치하는 전단 모듈과,
상기 노광기의 후단에서 상기 기판을 배치하는 제 1 ~ 제 2 후단 모듈과, 가열 모듈과, 현상 모듈이 포함되고,
상기 반송 기구군에는, 상기 전단 모듈, 상기 노광기, 상기 제 1 후단 모듈의 순으로 상기 기판을 반송하는 제 1 반송 기구와, 상기 제 1 후단 모듈, 상기 가열 모듈, 상기 현상 모듈, 상기 제 2 후단 모듈의 순으로 상기 기판을 반송하는 제 2 반송 기구와, 상기 제 2 후단 모듈로부터 상기 캐리어를 향해 상기 기판을 반송하는 1 개 이상의 후단 반송 기구가 포함되는 기판 처리 장치를 이용한 기판 반송 방법에 있어서,
상기 노광기에 있어서 상기 기판을 반입하고 나서 상기 기판이 반출 가능하게 되는 간격을 노광기 사이클 타임으로 하면,
상기 노광기로 반송 예정인 상기 기판에 대하여 취득되는, 상기 제 2 반송 기구에 의한 반송 구간으로부터 상기 후단 반송 기구에 의한 반송 구간으로 상기 기판을 반송하는 구간 반송 시간과, 상기 노광기 사이클 타임을 비교하는 비교 공정과,
상기 비교 공정의 결과에 따라, 상기 구간 반송 시간을 설정하는 설정 공정
을 구비한다.
본 개시는, 노광기에 의한 노광 후의 기판 간에서의 반송 상태의 불균일을 억제하여, 현상에 의해 기판에 형성되는 패턴의 불균일을 억제할 수 있다.
도 1은 본 개시의 일실시 형태에 따른 도포, 현상 장치의 평면도이다.
도 2는 상기 도포, 현상 장치의 종단 측면도이다.
도 3은 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 반송 경로를 나타내는 설명도이다.
도 4는 노광기의 후단측의 상기 반송 경로를 나타내는 설명도이다.
도 5는 상기 도포, 현상 장치에서 행해지는 제 1 및 제 2 반송 제어의 개요를 나타내기 위한 설명도이다.
도 6은 제 1 반송 제어의 흐름을 나타내는 순서도이다.
도 7은 제 2 반송 제어의 흐름을 나타내는 순서도이다.
도 8은 상기 제 1 반송 제어의 예를 나타내기 위한 도포, 현상 장치에 있어서의 DEV층의 모식도이다.
도 9는 상기 제 1 반송 제어의 예를 나타내기 위한 상기 DEV층의 모식도이다.
도 10은 상기 제 1 반송 제어의 예를 나타내기 위한 상기 DEV층의 모식도이다.
도 11은 상기 제 1 반송 제어의 예를 나타내기 위한 상기 DEV층의 모식도이다.
도 12는 상기 제 1 반송 제어의 예를 나타내기 위한 상기 DEV층의 모식도이다.
도 13은 상기 제 2 반송 제어에 관련되는 PJ를 나타내는 설명도이다.
도 14는 상기 제 2 반송 제어에 관한 설명도이다.
도 15는 상기 도포, 현상 장치에서 행해지는 제 3 반송 제어에 관한 설명도이다.
도 16은 상기 제 3 반송 제어의 설명도이다.
도 17은 상기 제 3 반송 제어의 설명도이다.
도 18은 반송 경로를 나타내는 블록도이다.
도 19는 버퍼 모듈의 역할을 나타내기 위한 설명도이다.
도 20은 버퍼 모듈의 역할을 나타내기 위한 설명도이다.
도 21은 도포, 현상 장치의 다른 예를 나타내는 평면도이다.
〔도포, 현상 장치의 구성〕
본 개시의 기판 처리 장치의 일실시 형태인 도포, 현상 장치(1)에 대하여, 도 1의 평면도, 도 2의 종단 측면도를 각각 참조하여 설명한다. 도포, 현상 장치(1)는, 캐리어 블록(D1)과, 중간 블록(D2)과, 처리 블록(D3)과, 인터페이스 블록(D4)을 좌우로 일렬로 접속하여 구성되어 있다. 인터페이스 블록(D4)의 우측(캐리어 블록(D1)이 위치하는 측과는 반대측)에 노광기(D5)가 접속되어 있다.
캐리어 블록(D1)은 스테이지(10)를 구비하고 있고, 당해 스테이지(10)에는, 복수 매의 웨이퍼(W)를 저장 가능한 FOUP(Front Opening Unify Pod)이라 불리는 반송 용기인 캐리어(C)를 배치 가능하다. 또한, 캐리어 블록(D1)은 반송 기구(12)를 구비하고, 스테이지(10) 상의 캐리어(C)에 대하여, 웨이퍼(W)의 전달을 행한다.
중간 블록(D2)에는, 다수의 모듈이 적층된 타워(T1)가 마련되어 있다. 타워(T1)의 각 모듈에는, 상기의 반송 기구(12) 및 타워(T1)의 후방측에 배치된 반송 기구(13)가 액세스 가능하며, 반송 기구(12, 13)의 제휴로, 후술하는 처리 블록(D3)의 각 계층과 캐리어(C)와의 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달이 가능하다.
처리 블록(D3)은, 웨이퍼(W)에 액 처리 및 가열 처리를 행하는 계층(E1 ~ E6)이 아래로부터 차례로 적층되어 구성되어 있다. 이 예에서는, 계층(E1 ~ E3)은 서로 동일하게 구성되어 있고, 액 처리로서, 레지스트의 도포에 의한 레지스트막의 형성을 행한다. 또한, 계층(E4 ~ E6)은 서로 동일하게 구성되어 있고, 액 처리로서 현상에 의한 레지스트 패턴의 형성을 행한다. 각 계층(E(E1 ~ E6))에 있어서, 서로 병행하여 웨이퍼(W)의 반송 및 처리가 행해진다.
계층(E1 ~ E6) 중 대표로, 도 1에 나타내는 계층(E6)에 대하여 설명한다. 계층(E6)의 전후의 중앙에는, 좌우로 연장되는 웨이퍼(W)의 반송로(14)가 형성되어 있다. 반송로(14)의 전방에는, 복수의 현상 모듈(15)이 좌우로 배열되어 마련되어 있다. 반송로(14)의 후방에는, 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 모듈이 적층되고, 이 가열 모듈의 적층체가 좌우로 다수 배열되어 마련되어 있다. 이 가열 모듈로서는, PEB를 행하는 것, 및 현상 후의 가열 처리(포스트 베이크)를 행하는 것이 포함된다. 가열 모듈에 대하여, 여기서는 1A, 1B의 2 종류가 탑재되어 있는 것으로 하며, 특별히 기재가 없는 이상 가열 모듈(1A)이 PEB를, 가열 모듈(1B)이 포스트 베이크를 각각 행하는 것으로 한다.
상기의 반송로(14)에는, 계층(E6)에서 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 기구(36)가 마련되어 있다. 반송 기구(36)는, 반송로(14)를 이동하는 기대와, 당해 기대 상을 진퇴하는 2 개의 기판 유지부를 구비한다. 일방의 기판 유지부가 진퇴함으로써 모듈로부터 웨이퍼(W)를 수취하고, 이어서 타방의 기판 유지부가 당해 모듈로 진입하여 웨이퍼(W)를 보냄으로써, 모듈에서 웨이퍼(W)를 교체하도록 전달할 수 있다. 이 모듈에 대한 교체를 교체 반송이라 기재하는 경우가 있다. 또한, 모듈이란 반송 기구 이외에서의 웨이퍼(W)가 배치되는 장소이며, 웨이퍼(W)에 처리를 행하는 모듈에 대해서는 처리 모듈이라 기재하는 경우가 있다.
계층(E1 ~ E3)에 대하여 계층(E6)과의 차이점을 중심으로 설명하면, 계층(E1 ~ E3)은, 현상 모듈 대신에, 웨이퍼(W)에 레지스트를 공급하여 레지스트막을 형성하는 도포 모듈을 구비하고 있다. 그리고 계층(E1 ~ E3)에 있어서의 가열 모듈은, 레지스트막 형성 후의 웨이퍼(W)를 가열한다. 또한, 반송 기구(36)에 상당하는 각 계층(E1 ~ E5)의 반송 기구에 대해서는 31 ~ 35로 한다.
이어서, 인터페이스 블록(D4)에 대하여 설명한다. 인터페이스 블록(D4)에는, 타워(T2) 및 반송 기구(21, 22)가 마련되어 있다. 타워(T2)에는, 타워(T1)와 마찬가지로 다수의 모듈이 적층되어 있다. 반송 기구(21)는 타워(T2)의 모듈 간의 반송용이며, 반송 기구(22)는 타워(T2)의 모듈과 노광기(D5)와의 반송용이다. 또한, 실제로는 인터페이스 블록(D4)에는, 예를 들면 도면에서 나타내는 것보다도 많은 모듈, 타워 및 반송 기구가 마련되지만, 설명의 복잡화를 피하기 위하여 간소화하여 나타내고 있다. 상기한 처리 블록(D3)에 대해서도 일부의 모듈에 대한 설명, 도시를 생략하고 있다.
타워(T1, T2)에 대하여 설명한다. 타워(T1, T2)에는, 전달 모듈(TRS) 및 온도 조정 모듈(SCPL)이 마련되어 있고, 이들 모듈은, 계층(E1 ~ E6)에 대한 반입반출, 블록 간 또는 블록과 노광기(D5) 간에서의 웨이퍼(W)의 전달에 이용된다. SCPL에 대해서는 웨이퍼(W)를 온도 조정하는 모듈이며, 상기의 반입반출 또는 블록 간 등의 전달의 용도 이외에, 계층을 반송 중인 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행하는 용도의 것, 노광기로 반송 직전인 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행하는 것이 포함된다. 그와 같이 노광기(D5)로 반송 직전인 웨이퍼(W)를 온도 조정하는 SCPL에 대해서는 ICPL이라 표기한다. 이상의 각 용도의 TRS, SCPL은 복수씩 마련된다. 또한, 이후의 설명에서는 도 2에 나타내고 있는 바와 같이, TRS, SCPL에 적절히, 번호를 부여함으로써 배치 장소가 상이한 것끼리를 구별하는 경우가 있다.
〔노광기에 대하여〕
노광기(D5)에 대해서는, 웨이퍼(W)를 반입 가능하게 되면 그 취지의 신호(인 레디 신호)를 출력하고, 웨이퍼(W)가 반출 가능하게 되면 그 취지의 신호(아웃 레디 신호)를 출력한다. 후술하는 제어부(4)는 이들 신호를 수신하여 반송 기구(22)의 동작을 제어하고, 인터페이스 블록(D4)과 노광기(D5)와의 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달이 행해진다. 하나의 웨이퍼(W)가 노광기(D5)로 반입되고 나서, 당해 웨이퍼(W)의 노광이 종료되어 아웃 레디 신호가 출력되기까지의 간격을, 노광기 사이클 타임으로 한다. 웨이퍼(W)를 노광기(D5)로 순차 반송함에 있어, 노광기 사이클 타임(노광기 CT라 축약하여 기재하는 경우가 있음)은 일정 내지는 대략 일정하며, 일정한 주기로 웨이퍼(W)를 반송한다고 한 경우, 일정 내지는 대략 일정한 주기로 아웃 레디 신호가 출력된다.
〔PJ에 대하여〕
도포, 현상 장치(1)로 캐리어(C)가 반입되면, 후술하는 제어부(4)에 의해 당해 캐리어(C) 내의 웨이퍼(W)에는, 프로세스 잡(PJ)의 설정이 이루어진다. PJ는, 웨이퍼(W)에 있어서의 처리 레시피(어느 종류 모듈로 반송하여 처리하는지, 동일한 종류의 모듈 중 어느 모듈로 반송하는지와 같은 반송 레시피도 포함함) 및 반송하는 웨이퍼(W)를 지정하는 정보이다. 이와 같이 PJ에 의해, 도포, 현상 장치(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로가 지정되고, 동일한 PJ의 웨이퍼(W)에 대해서는 동일한 처리를 받으므로, 동일한 PJ의 웨이퍼(W)는 동일한 로트의 웨이퍼(W)이다.
또한, PJ에 의해 지정되는 처리 레시피에는, 모듈을 구성하는 각 부를 동작시키기 위한 정보를 포함한다. 더 구체적으로 기술하면, 당해 정보로서는, 모듈에 있어서의 각 부의 동작에 요하는 시간, 웨이퍼(W)를 가열하는 경우에는 가열의 온도, 웨이퍼(W)에 액 처리를 행하는 경우에는 각 액을 웨이퍼(W)에 공급하는 타이밍 및 순서 등이 포함된다. 이 때문에, PJ의 설정에 의해, 후술하는 각 반송 제어를 위한 파라미터(MSCT, ACT 등)를 산출 가능하다.
또한, 하나의 PJ의 웨이퍼(W), 다른 PJ의 웨이퍼(W)가 각각 복수 있다고 하면, 하나의 PJ의 웨이퍼(W)가 연속하여 장치에 반입된 후, 다른 PJ의 웨이퍼(W)가 연속하여 장치에 반입되도록, 후술하는 제어부(4)에 의해 각 반송 기구의 동작이 제어된다. 즉, 선행의 PJ의 웨이퍼(W)가 일괄하여 장치에 반입된 후, 후속의 PJ의 웨이퍼(W)가 일괄하여 장치에 반입된다. 그리고 각 웨이퍼(W)는 각각의 PJ로 지정되는 반송 경로로 반송되어, 각각의 PJ로 지정되는 처리 레시피에 의해 반송 경로 중의 각 처리 모듈에서 처리를 받는다. 먼저 반송된 PJ의 웨이퍼(W)는, 먼저 캐리어(C)로 되돌려진다. 하나의 PJ에 대하여, 당해 PJ의 웨이퍼(W)가 모두 캐리어(C)로 되돌려진 경우에는, 당해 PJ에 대해서는 종료한다.
〔층에 대하여〕
기술한 장치 중 반송 기구에 대하여 서로를 구별하기 위하여, 개별의 명칭을 부여하는 경우가 있다. 구체적으로, 반송 기구(12, 13)를 각각 CRA12, MPRA13으로 하고, 반송 기구(31 ~ 36)를 PRA31 ~ 36, 반송 기구(21, 22)를 각각 IFB21, IFBS22로서 기재하는 경우가 있다. 또한 반송 경로에 있어서, 상이한 반송 기구에 의해 반송이 행해지는 각 구간을 '층'으로 한다. PRA(PRA31 ~ PRA36) 이외의 반송 기구에 대응하는 층은, 그 반송 기구와 동일한 명칭을 부여하여 나타낸다. 따라서 당해 각 층을, CRA층, MPRA층, IFB층, IFBS층으로 한다. 그리고 PRA31 ~ PRA33에 대응하는 층은 COT층, PRA34 ~ PRA36에 대응하는 층은 DEV층으로 한다. DEV층에 대해서는 '층'을 생략하여, 단순히 DEV로서 표기하는 경우가 있다.
또한, 서로 웨이퍼(W)에 대하여 동일한 처리를 행하는 구획을 복수 포함하는 층을 멀티 스택인 것으로 한다. 즉, 멀티 스택인 층은, 동일한 단계에서 동일한 처리를 행하는 모듈을 각각 포함하게 되고, 이 구획을 스택으로 한다. 이후에 반송 경로(H1)로 웨이퍼(W)를 반송하는 예를 나타내는데, 이 반송 경로(H1)에서는 COT층, DEV층이 각각 멀티 스택의 층을 이룬다. 또한, 이 멀티 스택을 이루는 층에 대해서는, 전체로 하나의 층으로서 설명한다. 즉, 계층(E4, E5, E6)이 각각 동일하게 구성되어 있다고 기술했지만, 이 3 개의 계층(스택)이 각각 층을 이루어 3 개의 DEV층을 형성하는 것이 아니라, 계층(E4 ~ E6)으로 하나의 DEV층을 이루는 것으로서 설명한다. 또한 도 4 등에서 DEV층의 모듈 구성을 나타내고 있는데, DEV층 전체는 아니며, 계층 하나분의 모듈만을 표시하고 있다.
COT층 및 DEV층에 대해서는, 각 층의 반송 기구가 층 내의 모듈을 차례로 반복 이동하여, 층의 입구의 모듈 및 출구의 모듈을 제외한 각 모듈에 대하여 상기의 웨이퍼(W)의 교체를 행한다. 따라서 반송 기구가 반송로(14)를 주회 이동한다. 이러한 반송 기구의 동작에 의해, 웨이퍼(W)가 1 매씩, 상류측의 모듈로부터 하류측의 모듈로 순차 반송된다. 또한 PJ의 전환 시에 있어서는, 모듈로의 웨이퍼(W)의 반송 간격이 벌어짐으로써 교체 반송이 되지 않는 경우가 있다. 또한, 다른 층에 대해서는, 예를 들면 상류측의 모듈로 웨이퍼(W)가 반송되면, 층 내의 반송 기구가 웨이퍼(W)를 수취하여, 하류측의 모듈로 반송한다. 이러한 반송을 비동기 반송으로 한다.
〔반송 경로의 설명〕
PJ로 지정되는 반송 경로 중 하나를 H1으로서 설명한다. 도 3은 층을 단위로 한 반송 경로(H1)를 나타내고 있다. 또한, 노광기(D5), 캐리어(C)에 대해서는 층과는 별개로 나타내고 있다. 도 4는 반송 경로(H1) 중, 노광기(D5)의 직전의 모듈로부터 DEV층의 출구(DEV층의 다음 층의 입구)에 이르기까지의 모듈의 반송순을 나타낸 것이다. 이 반송 경로(H1)에 대해서는, 웨이퍼(W)가 계층(E1 ~ E3) 중 어느 하나와, 노광기(D5)와, 계층(E4 ~ E6) 중 어느 하나를 통과하는 경로이며, 당해 웨이퍼(W)에 레지스트 패턴이 형성된다.
캐리어(C)로부터 CRA12에 의해 내보내진 웨이퍼(W)는, 타워(T1)의 전달 모듈(TRS1)로 반송된 후, MPRA13에 의해 타워(T1)에서 계층(E1 ~ E3)의 각 높이의 전달 모듈(TRS2)로 분배된다. 그리고 당해 웨이퍼(W)는, PRA31 ~ 33에 의해 수취되어, 온도 조정 모듈(SCPL1) → 도포 모듈 → 가열 모듈의 순으로 반송된다. 그와 같이 반송되어 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 타워(T2)의 전달 모듈(TRS3)로 반송되고, IFB21 → 타워(T2)의 TRS4 → IFB21 → ICPL → IFBS22 → 노광기(D5)의 순으로 반송되어, 레지스트막이 정해진 패턴을 따라 노광된다.
노광 후의 웨이퍼(W)는, IFBS22 → 타워(T2)의 TRS5의 순으로 반송된 후, IFB21에 의해, 계층(E4 ~ E6)의 각 높이의 전달 모듈(TRS6)로 분배된다. 그리고 PRA34 ~ 36에 의해, 가열 모듈(1A) → SCPL2 → 현상 모듈(15)의 순으로 반송된다. 그에 의해 레지스트막이 현상되어, 웨이퍼(W)에 레지스트 패턴이 형성된다. 이 후 웨이퍼(W)는, 가열 모듈(1B) → 타워(T1)의 SCPL3로 반송되고, MPRA13 → 전달 모듈(TRS7) → CRA12 → 캐리어(C)의 순으로 반송된다. 따라서 층을 단위로서 보면 반송 경로(H1)는, CRA층 → MPRA층 → COT층 → IFB층 → IFBS층 → 노광기(D5) → IFBS층 → IFB층 → DEV층 → MPRA층 → CRA층의 순으로 반송된다.
그런데 층에 있어서, 반송 경로 상에서의 다음의 각 층으로 웨이퍼(W)를 반송하는 시간 간격을 층의 CT(사이클 타임)로 한다. 더 상세하게 기술하면, 층에 있어서 1 사이클분의 반송에 요하는 시간, 즉, 반송 기구가 담당하는 각 모듈 간의 반송을 1 회씩 행하기 위하여 필요한 시간이며, 후단의 층으로 웨이퍼(W)를 반송하는 예상의 시간 간격에 상당한다. 구체적으로 상기의 반송 경로(H1)에 있어서는, DEV층에 관해서는 웨이퍼(W)의 반송처가 MPRA층이지만, 이 MPRA층에 웨이퍼(W)를 1 매 반송하는 시간 간격이 DEV층의 CT이다. 그리고, MPRA층에 관해서는, COT층, CRA층의 각각으로 웨이퍼(W)를 반송하는데, 이들 양방의 층으로 웨이퍼(W)를 1 매씩 반송하는 시간의 합계가 MPRA의 CT이다. 또한, DEV층, COT층에 대해서는 상기한 바와 같이 PRA가 모듈 간을 주회 이동하는데, 층의 CT는 이들 주회 이동이 1 회 행해지는 시간(주회 이동 시간)에 대응한다. 구체적으로, DEV층 혹은 COT층에 대해서는, PRA의 주회 이동 시간 / 스택의 수 = 층의 CT이다. 즉 DEV층의 CT에 관해서는, 입구의 모듈인 TRS6에 PRA가 액세스하고 나서 다음으로 TRS6에 PRA가 액세스할 때까지의 시간을 스택의 수로 나눈 값이, 당해 DEV층의 CT이다. 스택의 수는, 즉 DEV층의 입구를 이루는 TRS6, DEV층의 출구를 이루는 SCPL3, 현상 모듈(15), 가열 모듈(1A, 1B) 및 PRA를 조로 했을 때의 조의 수이다.
이상의 반송 경로(H1)에 있어서, 온도 조정 모듈(ICPL)은, 노광기(D5)의 전단에서 기판을 배치하는 전단 모듈에 상당하고, 전달 모듈(TRS5, TRS6)이 제 1 후단 모듈에 상당하고, SCPL3가 제 2 후단 모듈에 상당한다. 반송 기구(21, 22)는 ICPL, 노광기(D5), TRS5, 6 간에서 웨이퍼(W)를 반송하는 제 1 반송 기구, PRA34 ~ 36은 제 2 반송 기구, 반송 기구(12, 13)는 DEV층으로부터 캐리어(C)를 향해 웨이퍼(W)를 반송하는 후단 반송 기구에 상당한다.
〔멀티 모듈에 대하여〕
하나의 층에 있어서, 반송 경로 상에서 캐리어(C)로부터 본 단계(반송의 순서)가 동일하며, 웨이퍼(W)에 각각 동일한 종류의 처리를 행할 수 있는 복수의 처리 모듈에 대하여, 멀티 모듈로 한다. 예를 들면, 도 4에서 나타내고 있는 4 개의 가열 모듈(1A)에 대해서는 동일한 멀티 모듈을 구성하고, 2 개의 온도 조정 모듈(SCPL2)에 대해서는 동일한 멀티 모듈을 구성한다. 상기한 PJ는 멀티 모듈 중, 몇 개의 처리 모듈을 사용할지에 대해서도 지정한다. 멀티 모듈에 대하여, 하이픈 뒤에 번호를 부여함으로써 서로 구별하여 나타내는 경우가 있다.
〔제어부에 대하여〕
도 1에 나타내는 바와 같이 도포, 현상 장치(1)는, 컴퓨터에 의해 구성되어 있는 제어부(4)를 구비하고 있다. 제어부(4)는 프로그램(41)을 구비하고 있다. 프로그램(41)은, 후술하는 웨이퍼(W)의 반송, 각 모듈에서의 웨이퍼(W)의 처리가 행해지도록 단계군이 짜여 있고, 각 모듈 또는 웨이퍼(W)의 각 반송 기구에 제어 신호를 출력한다. 그 제어 신호에 따라, 각 모듈 또는 반송 기구가 동작한다. 프로그램(41)은, 예를 들면 콤팩트 디스크, 하드 디스크, DVD 등의 기억 매체에 저장되어, 제어부(4)에 인스톨된다. 또한 프로그램(41)은, 후술하는 각 반송 제어를 행함에 있어 필요한 각종 연산, 비교 및 판정을 행함으로써, 당해 각 반송 제어를 실행할 수 있다. 또한 여기서 말하는 비교에는, 수치끼리의 감산을 행하는 경우도 포함된다.
또한 제어부(4)에는, 장치의 유저가 각종 설정을 행하기 위한 설정부(42)가 마련되어 있고, 마우스, 키보드, 터치 패널 등에 의해 구성되어 있다. 이후에 상술하는 각 반송 제어의 선택, 모듈 및 층 중 적어도 하나의 블로킹, 각 반송 제어를 행함에 있어 실시 가능한 각종 설정, 선택을 설정부(42)로부터 행할 수 있다. 또한, 도시는 생략하고 있지만 제어부(4)는, 각 반송 제어를 실행함에 있어 필요한 각종 파라미터를 기억하는 기억부가 마련되어 있다. 또한, 제어부(4)에는 소리 또는 화면 표시 등으로 알람을 출력하는 알람 출력부가 마련된다. 예를 들면 후술하는 바와 같이 웨이퍼(W)를 노광기(D5)로 반입할 수 없는 상태가 된 경우 등에, 알람이 출력된다.
〔반송 제어의 개요〕
이하, 제어부(4)에 의해 행해지는 반송 제어의 개요에 대하여 설명한다. 이 반송 제어로서는, 반송 경로(H1)로서 예시한 바와 같이, 노광 후에 각 DEV층에서 웨이퍼(W)의 처리를 행함에 있어, 노광기(D5)의 아웃 레디 신호의 출력 시점부터 PEB를 개시하기까지의 시간(Post Exposure Delay : PED 시간)을, 웨이퍼(W) 간에서 일정 내지는 대략 일정하게 하도록 행해진다. 또한, 동일한 PJ 내뿐 아니라, 상이한 PJ 간에서도 PED 시간이, 정해진 범위에 들어가도록 한다. 이상과 같이 각 웨이퍼(W) 간에서의 PED 시간의 변동을 억제함으로써, 노광기(D5)에서의 노광에 의해 화학 증폭형 레지스트에 생긴 산의 확산을 웨이퍼(W) 간에서 일치시켜, 레지스트 패턴의 폭의 균일성을 높인다.
또한 반송 제어의 개요에 대하여 기술한다. 도 3, 도 4에서 나타낸 바와 같이 각 PJ의 웨이퍼(W)가 차례로 장치 내를 반송된다고 한다. 여기서 가령 반송 경로(H1)에 있어서의 노광기(D5)의 후단측(하류측)의 어느 하나의 층에서 웨이퍼(W)의 반송이 지연되어, 당해 웨이퍼(W)가 체류함으로써, 그 상류측의 층에서도 웨이퍼(W)의 반송이 지연되어 버릴 우려가 있다. 그러므로, 노광기(D5)로부터 후단으로의 웨이퍼(W)의 반송 간격이 제어되지 않는다고 하면, 예를 들면 웨이퍼(W)를 DEV층의 입구인 타워(T2)의 TRS에 체류시켜야 하는 상태가 발생할 우려가 있다. 상기한 바와 같이 DEV층의 PRA34 ~ 36은 사이클릭으로 이동하여 웨이퍼(W)를 반송한다. 그러므로 PRA34 ~ 36은, DEV층의 입구의 TRS로부터 1 매 웨이퍼(W)를 수취하면, 주회를 끝낼 때까지 당해 TRS로부터 다음의 웨이퍼(W)를 수취할 수 없다. 따라서, 당해 TRS로 반송되고 나서 PRA34 ~ PRA36에 수취되기까지의 시간 간격이 비교적 큰 것이 되어, 가열 모듈(1A)로의 반송도 늦어 버림으로써, PED 시간의 불균일이 발생할 우려가 있다.
이에 본 실시 형태의 반송 제어에서는, 노광기(D5)의 후단측의 각 층 중, 다음 층으로의 웨이퍼(W)의 예상 반송 시간이 가장 긴 층의 당해 예상 반송 시간과 동일하게 되도록, 노광기(D5)로부터의 웨이퍼(W)의 반출 간격이 제어된다. 또한, 반송 경로 상의 최종 층(CRA층)에 관해서는, 상기의 '다음 층'이란 캐리어(C)가 해당된다. 이와 같이 노광기(D5)로부터의 반출 간격이 제어되고, DEV층으로의 웨이퍼(W)의 유입량이 제어됨으로써, DEV층의 입구에서 웨이퍼(W)가 체류하는 것을 방지하여 PED 시간이 길어지는 것을 방지하여, 당해 PED 시간을 정해진 범위 내에 들어가게 한다.
이상과 같이 본 실시 형태의 반송 제어에서는, 노광기(D5)로부터 PEB를 행하는 가열 모듈(1A)까지의 반송 상황뿐 아니라, 당해 가열 모듈(1A)보다 후단측의 반송 상황에 따라, 노광기(D5)에 대한 웨이퍼(W)의 반송 제어가 이루어지고 있게 된다. 그와 같이 각 층의 반송 상황을 따른 것이 됨으로써, PED 시간의 불균일에 대하여, 보다 확실하게 억제할 수 있다. 또한, 그와 같이 각 층의 반송 상황이 고려됨으로써, 모듈의 블로킹이 행해졌다 하더라도, PED 시간의 변동을 억제할 수 있다. 이와 같이 PED 시간의 변동을 억제하는 반송 제어로서는, 제 1 반송 제어와 제 2 반송 제어가 있으며, 이들 중 어느 하나가 도포, 현상 장치(1)의 유저에 의해 선택되어 실행된다.
〔반송 제어에 이용하는 파라미터(MUTCT, MSCT, ACT)에 대하여〕
더 상세한 제 1, 제 2 반송 제어의 개략 설명을 행함에 있어, 이들 반송 제어에서 이용되는 파라미터인 Max Step Cycle Time(MSCT) 및 Arm Cycle Time(ACT)에 대하여 설명한다. PJ에 의해 지정되는 처리 레시피로부터, 각 모듈에 대하여 '웨이퍼(W)의 처리 시간' + '처리의 전후에 필요한 시간(OHT : Over Head Time)' = '모듈에 있어서 필요한 웨이퍼(W)의 체재 시간(MUT : Module Using Time)'이 산출된다. 그리고 하기의 식 1에 의한 연산이 행해진다.
(MUT ÷ 사용 가능 모듈수) × 반송 비율 ··· 식 1
식 1 중 사용 가능 모듈수란, MUT를 산출한 단계의 사용 가능 모듈수이며, 1 개의 스택 중의 수이며, PJ로 설정되는 모듈의 수로부터, 트러블의 발생 및 블로킹을 행하는 것에 의해 사용되지 않는 상태가 된 모듈의 수를 뺀 것이다. 또한 상기 식 중 반송 비율이란, 1 개의 스택으로의 웨이퍼(W)의 반송 매수 / 멀티 스택을 구성하고 있어 사용 가능한 전 스택으로의 웨이퍼(W)의 반송 매수이다. 임의의 단계의 모듈에 대하여, 스택마다 식 1의 연산이 행해지고, 그 산출된 각 값 중 최대값이, MUT 사이클 타임(MUTCT)으로 간주된다. 하나의 층에 있어서, 입구의 모듈 및 출구의 모듈(즉 다른 층과 겸용되고 있는 모듈)을 제외한 각 모듈로부터 상기의 MUTCT가 산출된다.
구체적으로, DEV층은 3 개의 스택으로 이루어지고, 그 3 개가 모두 사용 가능하며, 이들 3 개로 균등하게 웨이퍼(W)가 반송되도록 PJ에 의해 지정되어 있다고 한다. 따라서, 반송 비율로서는 1/3이다. 그 조건으로, 이 현상 모듈(15)의 MUT가 J 초이며, 각 스택 모두 4 개의 현상 모듈이 사용 가능했다고 하면, 식 1로부터, J 초 / 4 × 1 / 3 = J/12 초로서 산출된다. 반송 비율이 각 스택 간에서 동일하기 때문에, 각 스택 간에서 동일하게 계산되므로, 식 1에서 산출되는 값의 최대값은 J/12 초이다. 이 때문에 현상 모듈(15)의 MUTCT(Module Using Time Cycle Time)가, J/12 초로서 산출된다.
당해 DEV층에 있어서, 동일하게 하여 가열 모듈(1A) 등에 관해서도 각 모듈의 MUTCT가 산출된다. 또한, 상기한 바와 같이 MUTCT가 산출되는 것은, 층의 입구, 출구를 이루는 모듈 이외의 모듈이기 때문에, DEV층에 관해서는, 가열 모듈(1A, 1B), SCPL2, 현상 모듈(15)에 대한 MUTCT가 산출된다.
또한, MUTCT의 산출에 이용되는 모듈의 처리 시간은 PJ마다 설정되어 있기 때문에, 당해 MUTCT는 PJ마다 산출되게 된다. 또한, 식 1에 있어서, 멀티 스택 이외의 층 및 비동기 반송의 층(본 예에서는 멀티 스택 이외의 층 = 비동기 반송의 층)에 관하여 반송 비율은 1로서 계산한다. 취득 대상이 되는 층(후술함)으로부터 취득된 MUTCT 중 최대의 것을, Max Step Cycle Time(MSCT)이라 부른다.
이어서, Arm Cycle Time(ACT)에 대하여 설명한다. 층의 입구에서 출구까지 반송 기구(반송 암)가 웨이퍼(W)를 몇 회 반송하는가 라고 하는 공정수를 반송 공정 수로 한다. 반송 경로(H1)에 대하여, DEV층에서는 TRS6 → 가열 모듈(1A) → 온도 조정 모듈(SCPL2) → 현상 모듈(15) → 가열 모듈(1B) → SCPL3와 같이 5 회 반송이 행해지므로, 반송 공정수는 5이다. 다른 층에 대해서도 예시해 두면, MPRA층에서는 TRS1 → TRS2, SCPL3 → TRS7와 같이 2 회 반송이 행해지므로, 반송 공정수는 2이다.
하나의 반송 공정에 요하는 설정 시간은 미리 정해져 있으며, 예를 들면 K 초로 한다. 그리고, ACT = 반송 공정수 × 설정 시간 ÷ 웨이퍼(W)를 반송 가능한 멀티 스택수이다. 상기의 DEV층에 대해서는 스택이 3 개이며, 이들 모두로 웨이퍼(W)가 반송 가능한 것으로서, ACT = 5 × K ÷ 3 = 5K/3 초로서 산출된다. 또한, 멀티 스택 이외의 층 및 비동기 반송의 층에 관해서는, 멀티 스택수는 1로서 계산한다. 여기까지에 있어서는 반송 경로에 대해서는, 도 3, 도 4에서 반송 경로(H1)만을 예시하고 있지만, PJ에 의해 각종 반송 경로가 설정된다. 즉, 반송 공정수는 PJ에 따라 상이하므로, ACT에 대해서도 PJ마다 산출된다.
또한 상기한 층의 사이클 타임으로서는, 하나의 층 중 각 모듈로부터 취득되는 MUTCT의 최대값 및 ACT 중 큰 것의 시간 이상의 길이로 설정할 수 있다. 그와 같이 MUTCT 및 ACT로부터 취득되는 층의 사이클 타임은, 다음 층으로의 웨이퍼(W)의 반송에 요하는 예상 반송 시간에 해당한다.
〔제 1 및 제 2 반송 제어의 개요에 대하여〕
상기한 바와 같이 웨이퍼(W)는 PJ마다 일괄하여 도포, 현상 장치(1) 내로 반송된다. 이 때문에 반송 경로(H1)로 반송되는 임의의 PJ의 웨이퍼(W)를, 온도 조정 모듈(ICPL)로부터 노광기(D5)로 반송, 혹은 노광기(D5)로부터 반출함에 있어, 그 반송 경로(H1)의 노광기(D5)의 후단측의 각 층에는, 그 웨이퍼(W)와 동일한 PJ의 웨이퍼(W)나, 당해 PJ보다 선발의 PJ의 웨이퍼(W)가 위치할 수 있다. 그 임의의 PJ가 노광기(D5)의 후단에서 통과 예정인 각 층으로부터 MUTCT(Module Using Time Cycle Time) 나아가서는 MSCT(Max Step Cycle Time)를 얻고 또한 ACT(Arm Cycle Time)를 얻는다. 그리고, MSCT 및 ACT 중, 최대의 것을 노광 후 최대 사이클 타임으로 한다.
이 노광 후 최대 사이클 타임(이후, 노광 후 최대 CT라 표기하는 경우가 있음)이 얻어진 층이, 다음 층으로의 웨이퍼(W)의 예상 반송 시간이 가장 긴 층이기 때문에, 노광기(D5)의 후단의 반송을 행함에 있어, 이른바 보틀 넥이 되는 층이다. 그리고, 노광 후 최대 CT가 그 예상 반송 시간이며, 제 1 반송 제어 및 제 2 반송 제어에서는, 이 노광 후 최대 CT에 기초하여 노광기(D5)로부터의 웨이퍼(W)의 반출, 혹은 노광기(D5)로의 웨이퍼(W)의 반송이 행해진다. 제 1 반송 제어에서는 노광기(D5)로부터의 웨이퍼(W)의 반출의 타이밍이 제어되고, 제 2 반송 제어에서는 노광기(D5)로의 웨이퍼(W)의 반송의 타이밍이 제어된다. 또한, PJ에 따라 MUTCT, ACT는 상이할 수 있기 때문에, 이들 MUTCT, ACT는 PJ마다 산출되어, 노광 후 최대 CT가 결정되게 된다. 하나의 층에 대하여, MUTCT의 최대값, ACT 중 큰 것이 1 매의 웨이퍼(W)를 다음 층으로 반송하기 위하여 요하는 구간 반송 시간에 해당한다. 그리고, 하나의 층에 있어서의 MUTCT, ACT는, 각각 구간 반송 시간의 제 1 후보, 제 2 후보에 해당한다. 또한, 노광 후 최대 CT는 구간 반송 시간 중, 가장 긴 최대 구간 반송 시간에 해당한다.
도 5의 상단, 하단에 각각 제 1 반송 제어, 제 2 반송 제어의 개요를 나타내고 있다. 또한, 도 6에서는 제 1 반송 제어의 개요를, 도 7에서는 제 2 반송 제어의 개요를, 각각 도 5와는 다른 태양으로 나타내고 있다. 각 도면에 있어서, 노광 후 최대 CT를 X 초, 노광기 CT를 Y 초로 하고 있다. 도 5 중 점선의 화살표 상에, 노광기(D5)로의 웨이퍼(W)의 반입 간격 및 아웃 레디 신호(R1)가 출력되는 간격을 나타내고 있고, 또한, 쇄선의 화살표 상에 노광기(D5)로부터의 웨이퍼(W)의 반출 간격을 나타내고 있다.
제 1 반송 제어에서는, 인 레디 신호가 출력되어 있는 상태에서 ICPL로부터 노광기(D5)로 순차 웨이퍼(W)가 반송된다(도 6 상단). 그리고 노광기(D5)에 있어서는, Y 초를 1 사이클로서 웨이퍼(W)의 처리가 이루어진다. 임의의 하나의 웨이퍼(W)에 대한 아웃 레디 신호(R1)가 출력되면(도 6 중단), 그 출력으로부터 Z 초 경과 후(즉, 노광기(D5)에서 웨이퍼(W)를 Z 초 대기시킨 후), IFBS22가 당해 웨이퍼(W)를 수취하여, 후단의 TRS5로 반송한다(도 6 하단). 이 대기 시간 Z 초 = X 초 - Y 초이다.
이상과 같은 반송 태양이기 때문에, 도 5에 나타내는 바와 같이 노광기(D5)로의 웨이퍼(W)의 반입 간격 및 아웃 레디 신호(R1)가 출력되는 간격은 Y 초인데, X 초 간격으로 웨이퍼(W)가 DEV층으로 반송된다. 그 반송 제어에 의해, 노광기(D5)로부터의 반출부터 가열 모듈(1A)로 반송하기까지의 시간이 웨이퍼(W) 간에서 일정 내지는 대략 일정하게 되어, 당해 웨이퍼(W) 간에서 PED 시간이 일치된다. 또한, 이 제 1 반송 제어에서는 아웃 레디 신호(R1)의 출력 간격이, 노광기 CT로서 취급된다. 따라서, 이 제 1 반송 제어에서는, 노광기(D5)로부터의 웨이퍼(W)의 반출이 가능하게 되는 반출 간격과, 노광기 최대 CT에 기초하여, 당해 노광기(D5)로부터의 웨이퍼(W)의 반출이 행해진다.
한편, 제 2 반송 제어에서는 인 레디 신호(R2)가 출력된 후(도 7 상단), Z 초 경과하면(즉, ICPL에서 웨이퍼(W) Z 초 대기시킨 후), IFBS22가 ICPL로부터 웨이퍼(W)를 수취하여, 노광기(D5)로 반송한다(도 7 중단). Z 초 = X 초 - Y 초이다. 이와 같이 인 레디 신호(R2)의 출력에 늦어 웨이퍼(W)가 반송됨으로써, 아웃 레디 신호(R1)가 출력되는 간격으로서는 노광기 CT보다 길어, X 초가 된다. 그리고, 아웃 레디 신호(R1)가 출력되는 대로, IFBS22가 웨이퍼(W)를 후단의 TRS5로 반송한다(도 7 하단).
제 2 반송 제어에 대해서는 이러한 태양이기 때문에, 도 5에 나타내는 바와 같이 노광기(D5)로의 웨이퍼(W)의 반입 간격 및 아웃 레디 신호(R1)가 출력되는 간격으로서는 X 초가 되고, 그 X 초 간격으로 웨이퍼(W)가 DEV층으로 반송되도록 제어가 이루어진다. 이 때문에 아웃 레디 신호(R1)의 출력으로부터 가열 모듈(1A)로 반송하기까지의 간격이 웨이퍼(W) 간에서 일정 내지는 대략 일정하게 되어, 당해 웨이퍼(W) 간에서 PED 시간이 일치된다. 또한, 이 제 2 반송 제어는 아웃 레디 신호의 출력 후, 신속하게 웨이퍼(W)의 반송이 이루어지므로, 노광 후의 웨이퍼(W)가 PEB를 행하기까지 공기에 노출되는 시간을 짧게 할 수 있다. 이 때문에, 레지스트 패턴의 폭에 대하여, 설계값에 대한 오차를 보다 확실하게 억제할 수 있는 이점이 있다.
〔블로킹〕
그런데, 모듈 또는 층을 구성하는 스택에 대해서는, 제어부(4)의 조작부로부터 유저가 지정함으로써, 블로킹을 행할 수 있다. 이 블로킹이 이루어진 모듈 또는 스택으로는 웨이퍼(W)가 반송되지 않는다. 상기한 바와 같이 MSCT 및 ACT는, 이들 멀티 모듈 중 사용 모듈수 및 사용되는 스택수에 기초하여 산출이 이루어지기 때문에, 블로킹이 이루어졌을 시에는, 이 MSCT가 재계산되어, 노광 후 최대 CT의 재설정이 이루어지게 된다. 또한, 이와 같이 유저가 블로킹을 행하는 것 외에, 트러블이 검출되는 것에 의해 사용 불가의 모듈 및 사용 불가의 스택이 발생한 경우에도, 동일하게 재계산이 이루어진다. 이와 같이 사용되는 모듈수, 사용 가능한 스택의 수가 변화한 경우에는, 변화한 후의 수에 기초하여 노광 후 최대 CT가 재설정됨으로써, PED 시간의 불균일이 보다 확실하게 억제된다. 또한 유저는, 제어부(4)의 조작부로부터는 반송 기구에 대하여 동작의 정지를 지시하는 블로킹을 행하는 것도 가능하다. 이 반송 기구의 동작의 정지를 암 블로킹으로서 기재한다.
〔제 3 반송 제어의 개요에 대하여〕
그런데, PEB 종료부터 현상 개시까지의 시간을 PPD(Post PEB Delay) 시간으로 호칭한다. 제 2 반송 제어가 실행되고 있는 상황 하에서, 동일한 PJ 내에서의 PPD 시간의 변동을 억제하기 위한 제 3 반송 제어의 실행을 가능으로 할지 여부를, 유저가 선택 가능하다. 이 PPD 시간의 변동에 의해서도 웨이퍼(W)의 패턴의 형상이 변화하는 경우가 있다. 특히 레지스트막이 금속을 함유하는 레지스트에 의해 구성되는 경우에는, 그 변화가 비교적 큰 것이 염려되어, 이 제 3 반송 제어가 특히 유효해질 수 있다.
상기한 바와 같이 동일한 PJ의 각 웨이퍼(W)를 반송함에 있어, DEV층의 PRA34 ~ PRA36는 사이클릭으로 동작하고, 웨이퍼(W)의 교체 반송을 행한다. 이 주회가 1 회 행해지는 시간에 대응하는 시간이, DEV층의 CT(사이클 타임)이다. PRA34 ~ 36의 각각의 1 회의 주회로 1 매의 웨이퍼(W)가 각 스택으로부터 다음 층으로 반송되므로, 상기한 바와 같이 DEV층의 CT = PRA34 ~ 36의 주회 이동 시간 / 스택의 수이다.
여기서 노광기 CT가 길어, 반송을 행함에 있어서의 보틀 넥이 되어 있다고 한다. 즉, 하나의 PJ에 대하여 노광기(D5)를 통과하여 DEV층을 반송됨에 있어, 당해 DEV층에서 산출되는 각 MUTCT(Module Using Time Cycle Time) 및 ACT(Arm Cycle Time)에 관해서는 비교적 작은 것으로 한다. 그와 같이 DEV층에 있어서, 각 MUTCT 및 ACT가 작아도 상기의 교체 반송을 행하기 위하여, 적어도 그 PJ의 웨이퍼(W)가 모두 노광기(D5)를 통과할 때까지, DEV층의 CT가 노광기 CT가 되도록 PRA34 ~ PRA36의 동작이 조정된다. 따라서, 가령 노광기 CT가 50 초라고 하면, PRA34 ~ PRA36의 주회 이동 시간이 150 초가 되어, DEV층의 CT가 노광기 CT와 동일한 50 초(150 초 / 스택수 : 3)가 되도록 맞춰진다.
가령 그 PJ의 웨이퍼(W)가 모두 노광기(D5)를 통과하여 DEV층으로 반송된 후, 예를 들면 고스루풋을 얻기 위하여 DEV층의 CT의 노광기 CT에 대한 맞춤을 해제하는 것을 상정한다. 즉, 본래의 DEV층의 CT(DEV층에 있어서의 MUTCT의 최대값 및 ACT 중 큰 것의 시간)가 되도록, PRA34 ~ PRA36의 DEV층에서의 주회 속도가 변경된다고 한다. 그러나, 그렇게 되면 PJ의 후단의 웨이퍼(W), 적어도 PJ의 마지막 웨이퍼(W)에 대해서는, PJ의 전단의 웨이퍼(W)에 비해, DEV층 내를 빠르게 반송되므로, 동일한 PJ의 웨이퍼(W) 간에서, PPD 시간이 불균일해져 버린다.
제 3 반송 제어에 관해서는, DEV층으로 반송되는 동일한 PJ의 웨이퍼(W)에 대하여, 선두의 웨이퍼(W)가 DEV층으로 반송되고 나서 마지막 웨이퍼(W)가 그 출구의 모듈로 반송되기까지의 사이, 당해 DEV층의 CT가 변화하지 않도록 제어되어, 당해 PJ의 웨이퍼(W) 간의 PPD 시간의 변동을 억제한다. DEV층이 지금까지 기술한 바와 같이 멀티 스택이라고 하면, 하나의 스택으로 반송되는 PJ의 웨이퍼(W)에서 선두의 웨이퍼(W)가 당해 스택으로 반입되고 나서, 마지막 웨이퍼(W)가 당해 스택의 출구의 모듈로 반송되기까지, 당해 스택에서 PRA가 주회하는 시간이 유지된다.
또한, DEV층의 CT의 노광기 CT에 대한 맞춤은 조건에 따라 실시되므로, 이 맞춤이 행해지지 않는 경우도 있다. 그 경우에 있어서도 마찬가지로, 동일한 PJ의 마지막 웨이퍼(W)가, DEV층의 스택의 출구의 모듈로 반송될 때까지, DEV층의 CT가 변화하지 않고, PPD 시간의 변동이 억제된다.
〔이(異)플로우의 설명〕
각 반송 제어의 구체적인 설명의 전에, 이플로우에 대하여 설명해 둔다. 노광기(D5)의 후단의 단계에 대하여, 이하의 어느 하나의 조건을 충족하는 PJ끼리가 이플로우라 간주된다. 하나는, 선발의 PJ와 후발의 PJ에서, 단계수가 상이한 경우를 들 수 있다. 구체적으로 예를 들면, 어느 일방의 PJ에서는 통과하는 모듈을 타방의 PJ에서는 통과하지 않는 경우를 들 수 있다.
다른 하나는, 동일 단계에서 사용하는 모듈이 상이한 경우이다. 이는 구체적으로, 선발 PJ, 후발 PJ 모두 동일한 단계에서 웨이퍼(W)를 가열 모듈로 반송하지만, 선발 PJ에서는 가열 모듈로서 1A를, 후발 PJ에서는 가열 모듈로서 1B를 사용하는 예를 들 수 있다. 그 외에, 선발 PJ와 후발 PJ에서 동일한 멀티 모듈을 사용하지만, 멀티 모듈 중 상이한 번호의 것(즉 상이한 개소에 위치하는 것)을 사용하는 예를 들 수 있다. 또한 이플로우가 되는 다른 하나로서는, 멀티 모듈 중, 선발 PJ와 후발 PJ에서 사용하는 모듈로서 설정되는 수가 상이한 경우가 있다. 이상에 기술한 바와 같이, 이플로우가 되는 PJ에 대해서는, 서로 반송 경로가 상이하다.
이하, 각 반송 제어에 대하여 상세하게 설명한다. 설명에 있어 선발의 PJ-A의 웨이퍼(W), 후발의 PJ-B의 웨이퍼(W)에 대하여 각각 A1, A2, A3 ···, B1, B2, B3 ···라 표기하는 경우가 있다. 영문자는 PJ를 나타내며, 숫자는 하나의 PJ에 있어서의 장치에 대한 반입순이다. 또한, 후술하는 바와 같이 PJ에 따라서는 노광기(D5)를 경유하지 않는 반송 경로가 되는 경우가 있는데, 여기서는 각 PJ가 도 3, 도 4에서 설명한 노광기(D5)를 경유하는 반송 경로(H1)로 반송되는 것으로 한다.
〔제 1 반송 제어의 상세〕
이하, 제 1 반송 제어에 대하여 상세하게 설명한다. 제 1 반송 제어를 행함에 있어, 노광 후 최대 CT의 결정이 이루어지는데, 지금까지 기술한 바와 같이 제 1 반송 제어는, 노광기(D5)로부터 반출되는 웨이퍼(W)의 반송 경로 상에서의 보틀 넥에 따라 노광기(D5)로부터의 반출 타이밍을 제어하는 것이다. 이 때문에, 노광 후 최대 CT의 결정을 위하여 필요한 MSCT(Max Step Cycle Time) 및 ACT(Arm Cycle Time)의 산출 대상이 되는 PJ로서는, 노광기(D5)로부터 반출되는 PJ가 속하는 PJ(설명의 편의 상, 반출 PJ로 함)이거나, 혹은 반출 PJ보다 선발의 PJ이며, 종료되어 있지 않고, 또한 반출 PJ가 노광기(D5) 이후에 통과하는 어느 하나의 층을 통과하는 PJ이다. 이 선발의 PJ로서는, 1 개인 것에는 한정되지 않으며, 복수인 경우가 있다.
또한 그 MSCT의 바탕이 되는 MUTCT(Module Using Time Cycle Time) 및 ACT의 산출에 대하여 기술한다. 층에 관하여 보면, 상기의 보틀 넥에 따른 반송을 행하는 목적으로부터, 상기의 반출 PJ가 노광기(D5)의 후단에서 통과하는 층이 산출 대상이 된다. 따라서 IFBS층, IFB층, DEV층, MPRA층, CRA층이 대상의 층이다. 산출 대상인 PJ의 웨이퍼(W)가 존재하고, 또한 산출 대상인 층으로부터 MUTCT 및 ACT가 산출된다. 그리고 각 층으로부터 얻어지는 MUTCT의 최대값인 MSCT와, 각 층으로부터 얻어지는 ACT 중 최대값에 대하여 최대가 되는 것이, 노광 후 최대 CT로서 결정된다. 노광기(D5)로부터 아웃 레디 신호가 출력되면, 그 노광 후 최대 CT의 결정과, 그 아웃 레디 신호로부터의 노광기 CT의 취득이 행해진다.
이 노광기 CT에 대해서는, 당해 아웃 레디 신호(R1)가 출력된 타이밍과, 그 직전에 아웃 레디 신호(R1)가 출력된 타이밍과의 간격을, 노광기 CT로 간주함으로써 취득한다. 그리고, 당해 노광기 CT와, 노광 후 최대 CT와의 비교가 이루어지고, 노광기(D5)로부터의 웨이퍼(W)의 반출 억제를 행할지 여부의 결정이 이루어진다. 반출 억제를 행하는 경우에는, 아웃 레디 신호(R1) 출력 시점으로부터 노광기(D5)로부터의 반송을 행하기까지의 노광기(D5)에 있어서의 대기 시간이 결정된다. 이 대기 시간은, 도 6에서 설명한 Z 초에 상당하며, 노광기 CT와 노광 후 최대 CT와의 차분에 상당하는 시간이다.
도 8은 PJ-A의 웨이퍼(W)가 노광기(D5)를 순차 통과하여, DEV층에 반입되어 있는 상태를 나타내고 있다. 그리고 노광기(D5)로부터 아웃 레디 신호(R1)가 출력되어, 웨이퍼(A9)를 노광기(D5)로부터 반출하는 것으로 한다. 그 아웃 레디 신호(R1)가 출력되고 나서 그 직전에 아웃 레디 신호가 나오기까지의 간격(즉, 웨이퍼(A8, A9)에 대하여 각각의 아웃 레디 신호가 나온 간격)이 20 초였다고 하면, 이 20 초가 노광기 CT로 간주된다. 그리고, 웨이퍼(A9)의 아웃 레디 신호(R1)가 나온 시점에서, 취득된 노광 후 최대 CT가 22 초였다고 한다.
즉, 도 8에 나타내는 상황은, 노광 후 최대 CT > 노광기 CT이다. 노광 후 최대 CT와 노광기 CT가 이러한 관계인 경우에는, 노광기(D5)로부터의 웨이퍼(W)의 반출 억제를 행한다고 결정된다. 또한 웨이퍼(A9)에 대한 아웃 레디 신호(R1)의 출력 시점으로부터, 노광기 CT - 노광 후 최대 CT의 차분의 시간이 경과한 시점에서 웨이퍼(A9)가 노광기(D5)로부터 반출되도록 결정된다. 따라서 구체적으로, 이 도 8의 상황에서는, 아웃 레디 신호(R1)가 출력되고 나서 22 초 - 20 초 = 2 초 후에 웨이퍼(A9)가 노광기(D5)로부터 반출되도록 IFBS22의 동작이 제어된다.
이 도 8의 상황은, 상기한 바와 같이 노광기(D5)의 후단의 각 층 중, 다음 층으로 웨이퍼(W)를 1 매 반송하기 위하여 노광기 CT의 20 초보다 긴, 22 초를 요하는 층이 있다고 하는 것이다. 아웃 레디 신호(R1)의 출력 후, 신속하게 노광기(D5)로부터 웨이퍼(A9)를 반출하면, DEV층의 가열 모듈(1A)로 반송되기까지의 경로에서 체류해 버릴 우려가 있기 때문에, 이와 같이 노광기(D5)로부터의 반출을 늦춘다.
도 9는 노광기 CT가 22 초인 것, 및 취득되는 노광 후 최대 CT가 20 초인 것에 대하여, 도 8에서 설명한 상황과는 상이하다. 따라서, 도 9에서는 노광 후 최대 CT < 노광기 CT이다. 이러한 관계인 경우, 아웃 레디 신호(R1)가 출력되는 대로, IFBS22는 웨이퍼(A9)를 수취하여, 후단의 TRS로 반송한다. 즉, 도 8에서 설명한 아웃 레디 신호(R1) 출력 후의 노광기(D5)로부터의 웨이퍼(W)의 반출 억제는 행해지지 않는다. 이는, 노광기(D5)가 반송의 보틀 넥이 되어 있어, 노광기(D5)보다 후단에서의 웨이퍼(W)의 체류는 억제되는 것에 의한다. 또한 동일한 주지에 의해, 노광 후 최대 CT = 노광기 CT인 경우에 대해서도, 노광기(D5)로부터의 반출 억제는 행해지지 않는다
도 10은 가열 모듈(1A-1)의 블로킹이 이루어짐으로써, 노광 후 최대 사이클 타임이 22 초에서 24 초로 변화하고 있는 점이, 도 8에서 설명한 상태와는 상이하다. 블로킹에 의해 재계산이 이루어졌기 때문에, 도 8의 상태에 대하여 노광 후 최대 CT에 변화가 생겨 있다. 이 도 10의 상태는 도 8의 상태와 마찬가지로, 노광 후 최대 CT > 노광기 CT이기 때문에, 노광기(D5)로부터의 웨이퍼(W)의 반출 억제가 이루어지고, 아웃 레디 신호(R1)의 출력으로부터 노광 후 최대 CT - 노광기 CT의 시간 경과 후에, 노광기(D5)로부터의 웨이퍼(W)의 반출이 행해진다. 구체적으로, 아웃 레디 신호(R1)의 출력 후, 24 초 - 20 초 = 4 초 후에 노광기(D5)로부터 웨이퍼(W)가 반출된다.
도 11은 DEV층의 하나의 스택에서 PJ-A, PJ-B가 각각 반송 중이며, 웨이퍼(B7)가 노광기(D5)로부터 반출되는 상태를 나타내고 있고, 노광기 CT는 20 초이다. PJ-A, PJ-B는 동일한 반송 경로(H1)로 반송되기 때문에, DEV층의 ACT(Arm Cycle Time)에 대해서는 동일하지만, PJ-A, PJ-B 간에서의 DEV층의 MUTCT(Module Using Time Cycle Time)의 최대값은 상이하다. PJ-A에 대한 DEV층의 MUTCT, ACT 중에서 최대의 시간은 22 초이며, PJ-B에 대한 DEV층의 MUTCT, ACT 중에서 최대의 시간은 19 초이다. 또한, 노광기(D5)의 후단에서 DEV층 이외의 각 층으로부터 취득되는 MUTCT 및 ACT는 모두 19 초보다 작은 것으로 한다.
이 경우, 기술한 룰에 의해 노광 후 최대 CT는, PJ-A로부터 산출된 22 초로서 결정된다. 그리고, 노광 후 최대 CT > 노광기 CT이기 때문에, 웨이퍼(B7)의 노광기(D5)로부터의 반출 억제가 행해지고, 아웃 레디 신호(R1)의 출력 후, 22 초 - 20 초 = 2 초 후에 당해 웨이퍼(WB7)의 노광기(D5)로부터의 반출이 행해진다. 이와 같이 하나의 층에 복수의 PJ(즉 복수의 로트의 웨이퍼(W))가 위치하는 경우, PJ마다 MUTCT가 산출되어, 노광 후 최대 CT가 결정되게 된다.
도 12는 PJ-A, PJ-B가 서로 이플로우이며, PJ-A가 노광기(D5)를 통과하여, DEV층을 포함하는 노광기(D5)의 후단의 각 층을 반송 중인 상태를 나타내고 있다. 이 경우, PJ-B는 노광기(D5)로는 반송되지 않고, 노광기(D5)의 전단측의 모듈에서 대기한다. 즉 PJ-B의 각 웨이퍼(W)는, 노광기(D5)의 직전의 모듈인 ICPL까지는 반송되지만, 노광기(D5)로는 반송되지 않는다. PJ-A의 웨이퍼(W)가 모두 캐리어(C) 내에 저장되어 PJ-A가 종료되면, 노광기(D5) 및 그 후단으로, PJ-B의 각 웨이퍼(W)가 순차 반송되어, 지금까지 설명한 바와 같이 반송 제어가 이루어진다.
이플로우인 각 PJ가 노광기(D5)의 후단에 혼재해 버리면, PJ의 전환에 각 반송 기구의 반송 동작이 변화하는 것에 의해, 비교적 큰 PED 시간의 변동이 발생할 우려가 있다. 그 변동을 방지하기 위하여, 이와 같이 선발 PJ(제 1 로트)와 후발 PJ(제 2 로트)가 이플로우의 관계인 경우, 선발 PJ가 종료될 때까지, 후발 PJ의 노광기(D5)로의 반송이 행해지지 않도록 한다.
〔제 2 반송 제어의 상세〕
이어서, 제 2 반송 제어에 대하여 상세하게 설명한다. 제 2 반송 제어를 행함에 있어서도 노광 후 최대 CT의 결정이 이루어진다. 기술한 바와 같이 제 2 반송 제어에 대해서도 제 1 반송 제어와 마찬가지로, 노광기(D5) 이후의 웨이퍼(W)의 반송 경로에서의 보틀 넥에 따라 노광기(D5)로부터의 반송 간격을 제어하는 것이다. 이 때문에 노광 후 최대 CT의 결정을 위하여 필요한 MUTCT(Module Using Time Cycle Time) 및 ACT(Arm Cycle Time)의 산출 대상이 되는 PJ로서는, 이하의 조건 α 또는 조건 β에 적합한 웨이퍼(W)이다. 또한, 조건 β에 적합한 PJ는, 제 1 반송 제어의 경우와 마찬가지로, 1 개라고는 한정되지 않는다. 도 13은 웨이퍼(W)에 설정된 PJ를, 선발의 것부터 차례로 A, B, C, D로서 나타내고, 이들 PJA ~ D와, 조건 α, β와의 대응을 나타낸 것이다. 조건 α에 적합한 것이 PJ-D, 조건 β에 적합한 것이 PJ-A ~ PJ-C이다.
조건 α : 노광기(D5)에 다음으로 반입 예정인 PJ가 속하는 PJ(설명의 편의 상, 반입 PJ로 함)
조건 β : 반입 PJ보다 선발의 PJ이며, 종료되어 있지 않고, 또한 반입 PJ가 노광기(D5) 이후에 통과하는 어느 하나의 층을 통과하는 PJ
또한 그 MUTCT, ACT의 산출에 대하여 층에 관하여 보면, 상기의 보틀 넥에 따른 반송을 행하는 목적으로부터, 상기의 반입 PJ가 노광기(D5) 이후에 통과하는 층이 산출 대상이 된다. 제 2 반송 제어에 있어서도 제 1 반송 제어와 마찬가지로, 산출 대상인 PJ의 웨이퍼(W)가 존재하고, 또한 산출 대상인 층으로부터 MUTCT, ACT가 산출되어, 그 중 최대값이 노광 후 최대 CT로서 결정되게 된다.
이 결정에 대하여, 보다 구체적으로 설명하면, 도 13에 나타낸 PJ-A ~ PJ-D는 모두, 반송 경로(H1)로 반송되는 것으로서, ICPL에 PJ-D의 웨이퍼(W)가 위치한 상태로 되어 있다. 즉, 이 PJ-D의 웨이퍼(W)가 다음으로 노광기(D5)에 반입 예정인 웨이퍼(W)에 해당하며, 이 PJ-D의 웨이퍼(W)의 반송처인, IFBS층, DEV층, MPRA층, CRA층이 산출 대상인 층이다. 그 중 IFBS층, DEV층, MPRA층에 PJ-A ~ PJ-D의 웨이퍼(W)가 위치하고, CRA층에는 어느 웨이퍼(W)도 위치하지 않는다고 하면, IFBS층, DEV층, MPRA층으로부터 MUTCT, ACT가 산출되고, 노광 후 최대 CT가 결정되게 된다. 또한, 이상에 기술한 노광 후 최대 CT의 결정은, 제 1 반송 제어에 있어서도 동일하다.
그리고, 노광기(D5)로부터 인 레디 신호가 출력되고, 또한 ICPL에 웨이퍼(W)가 배치된 상태에서, 상기의 노광 후 최대 CT가 산출된다. 그리고, 직전에 웨이퍼(W)를 노광기(D5)로 반송하고 나서 경과한 시간을 G1, ICPL로부터 노광기(D5)로의 웨이퍼(W)의 반송에 요하는 시간을 G2로 하면, G1, G2의 합계 시간이 산출되고, 그 합계 시간(G1 + G2)과, 노광 후 최대 CT와의 비교가 이루어진다. 비교 결과, 노광 후 최대 CT > 시간(G1) + 시간(G2)인 경우(도 14 상단에 나타내는 경우)에는, ICPL에 있어서의 웨이퍼(W)에 대하여, 당해 ICPL에서 대기시키도록 결정한다. 또한, 시간(G2)을 산출하기 위한 파라미터(반송 기구(22)가 노광기(D5), ICPL 간의 이동에 요하는 시간, 및 반송 기구(22)의 기판 유지부의 진퇴에 의해 노광기(D5), ICPL의 각각에 대하여 웨이퍼(W)의 전달에 요하는 시간)는 제어부(4)에 기억됨으로써, 당해 시간(G2)에 대해서는 산출 가능하다. 또한 제어부(4)는, 인 레디 신호의 출력된 시각을 기억하고, 시간(G1)에 대해서도 취득 가능하다고 한다.
그와 같이 ICPL에서 웨이퍼(W)의 대기를 행한다고 결정된 경우에는, 그 ICPL에서의 대기 시간이, 노광 후 최대 CT - 시간(G1) - 시간(G2)으로서 산출된다. 즉, 노광 후 최대 CT와 시간(G1, G2)의 합계 시간과의 차분에 따른 시간만큼, ICPL에 있어서의 웨이퍼(W)의 대기를 행한다. 또한, 이와 같이 산출되는 대기 시간은, 도 7에서 설명한 Z 초에 상당한다. 이와 같이 대기 시간을 노광 후 최대 CT에 기초한 시간으로서 산출함으로써, 제 1 반송 제어를 행하는 경우와 마찬가지로, 노광기(D5)로부터 웨이퍼(W)가 반출되는 간격을 조정하여, PEB가 되기 전에 웨이퍼(W)가 체류하는 것을 방지한다.
한편, 노광 후 최대 CT ≤ 시간(G1) + 시간(G2)으로 판정된 경우에는, ICPL로 반송된 웨이퍼(W)에 대하여, 당해 ICPL에서의 대기를 행하지 않고 노광기(D5)로 반송한다. 도 14 하단에 나타내는 예는, 노광 후 최대 CT < 시간(G1) + 시간(G2)이기 때문에, ICPL에서의 대기를 행하지 않는 케이스를 나타내고 있다. 이와 같이 대기를 행하지 않는 것은, 노광기(D5)가 반송의 보틀 넥이 되어 있으므로(즉, 노광기(D5)보다 후단이 반송의 보틀 넥이 되어 있지 않으므로), 노광기(D5)로부터 반출된 웨이퍼(W)에 대하여, PEB용의 가열 모듈(1A)에 도달하기까지, 반송의 정체가 일어나지 않는다고 예상되기 때문이다.
〔노광기에 대한 반송 정지 조건〕
제 2 반송 제어의 실행 중에 있어서도 제 1 반송 제어의 실행 중과 마찬가지로, PED 시간의 변동을 보다 확실하게 억제하기 위하여, 선발 PJ와 후발 PJ가 이플로우의 관계인 경우, 선발 PJ의 웨이퍼(W)가 모두 캐리어(C)로 반송되어 당해 PJ가 종료될 때까지, 후발의 PJ는 노광기(D5)로는 반송되지 않는다. 따라서 도 12에서 나타낸 바와 같이, PJ-A, PJ-B가 서로 이플로우이며, PJ-A가 노광기(D5)를 통과하여, DEV층을 포함하는 노광기(D5)의 후단을 반송 중에는, PJ-B는 노광기(D5)의 직전의 모듈인 ICPL까지는 반송되지만, 노광기(D5)로는 반송되지 않는다. 그리고 PJ-A의 종료 후에, 노광기(D5)로 순차 PJ-B가 반송된다.
또한 제 2 반송 제어의 실행 중, ICPL에 위치하는 웨이퍼(W)가 노광기(D5) 이후에 통과하는 단계 및 층 중 적어도 하나로서, 이하의 조건 1 ~ 조건 4 중 어느 하나를 충족하는 경우에는, 당해 웨이퍼(W)의 노광기(D5)로의 반송을 행하지 않는다. 조건 1로서는, 멀티 스택의 모든 스택의 반송 기구에 대하여 암 블로킹의 지시를 하고 있는 것이다. 구체적으로, 기술한 바와 같이 3 개 존재하는 DEV층의 스택 중 PRA34 ~ 36의 모두에 암 블로킹의 지시를 하고 있는 경우이다. 조건 2로서는, 암 블로킹을 지정하고 있지 않지만, 동일한 층에서 동일한 단계의 모든 모듈이 사용 불가로 되어 있는 것이다. 구체적으로 상기의 반송 경로(H1)로 웨이퍼(W)를 반송하여 처리를 행함에 있어, DEV층 중에서의 모든 현상 모듈(15)(즉, 3 개의 스택 모든 현상 모듈(15))이 사용 불가라고 한다. 그 경우에는, 이 조건 2에 해당한다.
조건 3, 4를 설명하기 전에 바이패스 대상 모듈 및 검사 모듈에 대하여 설명한다. 하나의 모듈에 대하여 사용 불가가 된 경우에, 그 하나의 모듈을 경유하지 않고 당해 하나의 모듈의 후단의 모듈로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록 설정된 모듈을 바이패스 대상 모듈로 한다. 그러한 반송을 행하는 것이 불가인 모듈을 바이패스 대상 외 모듈로 한다. 즉, 바이패스 대상 모듈은, 당해 모듈로 웨이퍼(W)를 반송하지 않는다고 하는 것이 허용되는 모듈이지만, 기술한 반송 경로(H1) 상의 모듈은, 모두 바이패스 대상 외 모듈인 것으로 한다. 또한, 도포, 현상 장치(1)에 대해서는 DEV층 등 임의의 층에 웨이퍼(W)를 촬상하여 정해진 검사를 행하기 위한 검사 모듈을 탑재해도 된다. 그와 같이 검사를 행하는 것이 목적이기 때문에, 검사 모듈로의 반송은 생략하는 것도 가능하다. 조건 3으로서는 노광기(D5)의 후단에 있어서, 모듈 블로킹이 미지시인 상태로, 어느 단계에 있어서의 바이패스 대상 외 모듈이 모두 사용 불가인 경우이다. 조건 4로서는 노광기(D5)의 후단의 어느 단계에 있어서의, 검사 모듈 이외의 바이패스 대상 외 모듈이 모두 반송 불가인 경우이다.
이와 같이 조건 1 ~ 4는, ICPL에 위치하는 웨이퍼(W)가 통과할 예정인 층 및 통과할 예정인 모듈 중 적어도 하나로의 반송을 행하지 못하고, 가령 노광기(D5)로 반송하면, 노광기(D5)의 후단에서 반송을 정지해야 하는 상태인 경우에, 노광기(D5)로의 반입 정지가 이루어지도록 설정되어 있다. 즉, 노광기의 후단에 있어서의 하나의 모듈과, 당해 하나의 모듈의 후단의 다른 모듈과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행할 수 없는 경우에는 노광기(D5)로 웨이퍼(W)를 반송하지 않는다. 그리고, 상기의 조건 1 ~ 4를 어느 것에도 해당하지 않고, 반송을 정지해야 하는 상태가 해소되면, ICPL로부터 노광기(D5)로의 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
〔파라미터 산정 대상이 되는 층의 설명의 보충〕
제 2 반송 제어를 행함에 있어, 후발 PJ에 대하여 선발 PJ가 이플로우인 경우에는, 후발 PJ의 노광기(D5)로의 반송은 행하지 않는 것으로서 기술했다. 그러나, 그와 같이 이플로우의 존재에 의해 노광기(D5)로의 반송 정지를 행할지 여부는, 유저가 선택 가능하다. 더 구체적으로, 선발 PJ와 후발 PJ에서 통과하는 층 및 모듈 중 적어도 하나가 상이해도 선발의 PJ의 종료 전에 후발의 PJ를 노광기(D5)로 반송할 수 있도록 설정하는 것이 가능하다. 당해 설정을, 이플로우 허용 설정으로 한다. 이플로우 허용 설정에 의해, 선발의 PJ가 종료될 때까지의 노광기(D5)에서의 후발 PJ의 대기가 행해지지 않도록 하여, 스루풋을 높일 수 있다. 후발 PJ가 반송 경로(H1)에서 설명한 각 층을 통과하는 것으로서, 이 후발 PJ의 웨이퍼(W)가 ICPL로 반송된 경우에, 상기한 바와 같이 제 2 반송 제어에 필요한 노광 후 최대 CT를 취득하기 위하여 필요한 MUTCT, ACT를 취득하는 대상의 층에 대하여, 설명을 보충한다.
여기서는 선발 PJ로서는 하기의 반송 경로(H1)와 동일한 층을 통과하거나, 혹은 이하의 반송 경로(H2 ~ H5)로 반송되는 경우가 있는 것으로 한다. 또한, 선발 PJ에서 사용되는 처리 모듈로서는, 반송 경로(H1)에서 사용되는 처리 모듈과 동일한 종류의 처리 모듈인 것에는 한정되지 않으며, 일부의 모듈을 통과하지 않거나, 도 1 등에서는 설명을 생략하고 있는 모듈로 반송되어도 된다.
반송 경로(H2) : 캐리어(C) → CRA층 → MPRA층 → COT층 → IFB층 → IFBS층 → IFBS층 → IFB층 → DEV층 → MPRA층 → CRA층 → 캐리어(C)
반송 경로(H3) : 캐리어(C) → CRA층 → MPRA층 → COT층 → IFB층 → IFB층 → DEV층 → MPRA층 → CRA층 → 캐리어(C)
반송 경로(H4) : 캐리어(C) → CRA층 → MPRA층 → COT층 → MPRA층 → CRA층 → 캐리어(C)
반송 경로(H5) : 캐리어(C) → CRA층 → MPRA층 → DEV층 → MPRA층 → CRA층 → 캐리어(C)
이와 같이 선발 PJ와 후발 PJ에서 반송 경로가 다른 경우라도, 노광기의 후단에서의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 있어서의 보틀 넥에 따라 ICPL에서의 대기를 행하도록 하는 주지로부터, 노광기(D5)에 다음으로 반송되는 웨이퍼(W)가 통과할 예정인 층이 MUTCT 및 ACT의 취득 대상의 층이 된다. 따라서 취득 대상의 층으로서는, 선발 PJ가 반송 경로(H1, H2)로 반송되는 경우에는, IFBS층, IFB층, DEV층, MPRA층 및 CRA층이며, 반송 경로(H3)로 반송되는 경우에는, IFB층, DEV층, MPRA층 및 CRA층이며, 반송 경로(H4)로 반송되는 경우에는, MPRA층 및 CRA층이며, 반송 경로(H5)로 반송되는 경우, IFB층, DEV층, MPRA층 및 CRA층이다.
이상과 같이 이플로우 허용 설정이 이루어져 있어도, 산정 대상이 되는 각 층으로부터 지금까지 기술한 바와 같이, 각 PJ의 MUTCT, ACT가 취득되어 노광 후 최대 CT가 결정된다. 그리고, 그 노광 후 최대 CT에 따라, ICPL에서 웨이퍼(W)가 대기한다. 이 이플로우 허용 설정이 행해지고 있는 경우, 후발 PJ의 웨이퍼(W)가 통과하지 않는 단계가 보틀 넥이 되는 선발 PJ가 존재하는 경우라도, 후발 PJ가 선발 PJ를 추월하지 못하고 DEV층의 입구 등에서 대기하는 상태가 되어 PED 시간이 흐트러지는 것이 방지되게 된다.
그런데, 노광기(D5)로의 반송을 정지하는 행하는 제 1 ~ 제 4 조건 및 이플로우 허용 설정에 대하여, 제 2 반송 제어에 관한 사항으로서 설명했지만, 제 1 반송 제어에 대해서도 적용된다. 즉, 제 1 반송 제어를 행함에 있어, 제 1 ~ 제 4 조건 중 어느 하나에 해당하는 경우에는, 노광기(D5)로의 웨이퍼(W)의 반송을 정지한다. 또한, 제 1 반송 제어를 행함에 있어, 반송되는 층, 모듈이 상이한 선발 PJ의 종료 전에, 후발 PJ의 웨이퍼(W)를 노광기(D5)로 반송 가능한 설정으로 할 수 있다.
〔제 3 반송 제어의 설명〕
이어서, 제 3 반송 제어에 대하여 설명한다. 이 제 3 반송 제어를 행함에 있어서는, 미리 노광기 CT의 설정이 이루어진다. 제 1 반송 제어의 설명에서, 아웃 레디 신호의 출력 간격을 노광기 CT로 간주하는 것을 기술했지만, PPD 시간을 보다 정밀도 높게 제어하기 위하여, 노광기 CT는 미리 준비한 설정값을 이용하거나, 노광기(D5)로부터 취득하는 것이 바람직하다. 노광기(D5)로부터 취득하는 경우는, 예를 들면 도포, 현상 장치(1)에서 처리를 개시할 시에, 도포, 현상 장치(1)의 제어부(4)와 노광기(D5)의 도시하지 않는 제어부를 통괄하는 호스트 컴퓨터를 경유함으로써 제어부(4)가 취득 가능하도록 한다.
유저에 의해 제 3 반송 제어를 행하는 선택이 이루어진 상태에서, 상기의 제 2 반송 제어가 실행된다. 예를 들면 임의의 PJ가 반송 경로(H1)로 반송됨에 있어, 노광기(D5)로 반입되기 전에 당해 PJ의 DEV층의 CT와, 노광기 CT가 비교된다. 또한, 여기서의 DEV층의 CT란, PJ로 지정되는 DEV층에 있어서의 ACT, 및 입구 및 출구 이외의 모듈로부터 취득되는 MUTCT 중 최대값이며, 이후는 본래의 DEV층의 CT로서 표기하는 경우가 있다. 또한, 이 본래의 DEV층의 CT는, 지금까지 기술한 바와 같이 PRA34 ~ 36의 주회 이동 시간과 스택수로부터 산출되는 시간이며, PJ에 의해 미리 설정된, PRA의 주회 이동 시간에 대응하는 구간 반송 시간에 해당한다. 웨이퍼(W)의 반송에 있어, 이 본래의 DEV층의 CT가 설정된다고는 한정되지 않기 때문에, 이 본래의 DEV층의 CT란, 제어부(4)가 연산에 의해 취득할 수 있어, DEV층의 CT로서 설정될 수 있는 후보값이다. 노광기 CT도, 이 본래의 DEV층의 CT와 같이, DEV층의 CT로서 설정될 수 있는 후보값이다.
비교 결과, 노광기 CT가 긴(노광기 CT > DEV층의 CT) 경우에는, ICPL보다 후단에 있어서 노광기(D5) 및 DEV층 중, 노광기(D5)가 반송의 보틀 넥이 된다. 이 경우, 상기의 PJ의 웨이퍼(W)는, ICPL, 노광기(D5)를 거쳐 DEV층으로 반입된 후, DEV층에서는, 구간 반송 시간인 당해 DEV층의 CT가 노광기 CT에 대하여 맞춰진 상태에서, 출구의 모듈인 SCPL3를 향해 반송된다(도 15). 따라서, 당해 PJ의 웨이퍼(W)는, 본래의 DEV층의 CT보다 긴 CT가 설정된 상태에서, DEV층 내를 반송된다. 더 상세하게 기술하면, DEV층의 PRA34 ~ 36은, PJ에 의해 미리 정해진 시간과는 상이한 시간에서의 주회 동작을 행함으로써, DEV층에 있어서의 반송이 행해지고 있게 된다. 전술한 바와 같이 동일한 PJ의 웨이퍼(W) 중, 적어도 당해 DEV층에서 반송되는 마지막 웨이퍼(W)가 SCPL3로 반송될 때까지(즉, 당해 PJ의 당해 DEV층에서의 반송이 끝날 때까지), DEV층의 CT는 변화하지 않는다. 후발의 PJ에 따라서는, DEV층의 CT는 노광기 CT인 채로 유지된다.
또한, 이상과 같이 반송이 행해지는 동안, 제 2 반송 제어의 실행 중이기 때문에, ICPL로부터 노광기(D5)로 웨이퍼(W)를 반송함에 있어, 도 14에서 설명한 계산이 이루어짐으로써, ICPL에 있어서의 웨이퍼(W)의 대기가 적절히 행해지게 된다. 단, 노광기(D5)가 반송의 보틀 넥임으로써, 인 레디 신호의 출력 간격이 비교적 긴 것으로 인해, 인 레디 신호가 출력된 시점에서 노광 후 최대 CT < 시간(G1) + 시간(G2)의 경향이 된다. 이 때문에 ICPL에서의 웨이퍼(W)의 대기는 행해지기 어려운 경향이다.
이와 같이 반송 제어가 이루어짐으로써, 동일한 PJ의 모든 웨이퍼(W)가 DEV층 내를 일정 간격으로 반송되기 때문에, 당해 PJ의 웨이퍼(W) 간에서 PPD 시간이 일치된다. 또한, 노광기 사이클 타임(즉, 노광기(D5)로부터의 웨이퍼(W)의 반출 간격)과, DEV층의 사이클 타임이 동일하기 때문에, 각 웨이퍼(W)는 일정 간격으로 가열 모듈(1A)로 반송되므로, 동일한 PJ의 웨이퍼(W) 간에서 PED 시간도 일치된다.
한편, 노광기(D5)로 반입되기 전의 PJ에 대한 DEV층의 CT와, 노광기 CT와의 비교 결과, 노광기 CT가 긴 경우(노광기 CT ≤ DEV층의 CT의 경우)에는, 노광기(D5) 및 DEV층 중, DEV층이 반송의 보틀 넥이 된다. 이 경우에는, 상기의 PJ의 웨이퍼(W)는, ICPL, 노광기(D5)를 거쳐 DEV층으로 반입된 후, DEV층에서는, 본래의 DEV층의 CT가 설정된 상태에서, 출구의 모듈인 SCPL3를 향해 반송된다(도 16). 즉, DEV층의 CT의 노광기 CT에 대한 맞춤은 행해지지 않는다. 이 경우에도 제 2 반송 제어가 실행되고 있기 때문에, 도 14에서 설명한 계산에 의해 ICPL에 있어서의 웨이퍼(W)의 대기가 적절히 행해진다.
상기와 같이 제 2 반송 제어가 실행되고 있음으로써, 노광기(D5)로부터의 웨이퍼(W)의 반출 간격, 나아가서는 DEV층으로의 반입 간격이 일정 내지는 대략 일정하다. 그리고, DEV층 내에서는 일정 간격(본래의 DEV층의 CT)으로 순차, 웨이퍼(W)가 반송되므로, 이 경우에 있어서도 PED 시간 및 PPD 시간이 웨이퍼(W) 간에서 일치된다. 이와 같이 본래의 DEV층의 CT로 웨이퍼(W)가 반송되는 경우에도, 동일한 PJ의 웨이퍼(W) 중, 당해 DEV층에서 반송되는 마지막 웨이퍼(W)가 DEV층의 출구의 모듈로 반송될 때까지, DEV층의 CT는 변화하지 않는다.
〔노광기에 대한 웨이퍼의 반입 제한〕
제 3 반송 제어가 행해지는 설정으로 한 경우, 선발 PJ와 후발 PJ가 이플로우이면, 선발 PJ가 종료될 때까지 후발 PJ의 웨이퍼(W)는 노광기(D5)로는 반송되지 않고, 제 1 반송 제어 및 제 2 반송 제어에서 설명한 바와 같이, 후발 PJ는 선발 PJ의 종료 후에 ICPL로부터 순차 노광기(D5)로 반송된다. 따라서, 선발 PJ의 종료까지 ICPL로 반송된 웨이퍼(W)는, ICPL에서 대기한다. 이는 제 1 반송 제어 및 제 2 반송 제어에서 기술한 이플로우의 후발 PJ를 노광기(D5)로의 반입을 방지하는 이유와 마찬가지로, 선발 PJ가 종료될 때까지 후발 PJ의 웨이퍼(W)를 노광기(D5)로 반송해 버리면, 당해 후발 PJ의 웨이퍼(W)를 DEV층의 입구에서 대기시키는 경우가 발생하여, PED 시간이 늘어날 우려가 있기 때문이다.
또한 후발 PJ와 선발 PJ에 대하여, DEV층의 CT가 변경되는 관계가 되는 경우에 있어서도 후발 PJ의 웨이퍼(W)는 노광기(D5)로는 반송되지 않고, 선발 PJ가 종료될 때까지 후발 PJ의 웨이퍼(W)는 노광기(D5)로는 반송되지 않는다. 이는 선발 PJ의 선두의 웨이퍼(W)로부터 마지막 웨이퍼(W)까지 일정한 사이클로 DEV층 내가 반송되므로, 그 동안, DEV층의 CT가 상이한 후발의 PJ에 대해서는 DEV층 내를 반송할 수 없기 때문이다.
구체예를 들면, 선발 PJ에 대하여 노광기 CT > 노광 후 최대 CT라고 하는 관계로, DEV층의 CT가 노광기 CT에 맞춰져 반송이 행해지고 있다고 한다. 그리고, ICPL로 반송된 후발 PJ에 대해서는, DEV층의 CT > 노광기 CT가 되는 것이라고 한다. 즉, 후발 PJ의 DEV층 반송 시에는 맞춤이 행해지지 않아, DEV층의 CT가 변화하게 된다. 이 때문에 후발 PJ는, 선발 PJ의 종료까지 노광기(D5)로는 반송되지 않는다. 또한 다른 예를 들면, 선발 PJ에 대하여 DEV층의 CT가 본래의 CT로 반송되고 있고, ICPL로 반송된 후발의 PJ에 대하여, DEV층의 CT가 그 선발의 PJ의 DEV의 CT와는 상이하도록 설정되어 있는 것으로 한다. 그 경우에도 후발 PJ의 DEV층 반송 시에 DEV층의 CT가 변화하게 되므로, 후발 PJ는, 선발 PJ의 종료까지 노광기(D5)로는 반송되지 않는다. 이와 같이 선발 PJ의 반송 시에 대하여, DEV층에 있어서의 PRA34 ~ 36의 주회 이동의 시간이 변경되게 되는 경우, 후발 PJ의 노광기(D5)로의 반송은 정지된다.
〔사용 모듈수의 제한에 대하여〕
가령 DEV층의 하나의 스택에 있어서 임의의 하나의 단계의 멀티 모듈을 모두 사용하는 경우를 상정한다. 그 경우에는, 멀티 모듈 중 하나의 모듈로 반송된 웨이퍼(W)는, 멀티 모듈의 수의 분만큼 DEV층의 사이클(즉, PRA의 주회)이 행해진 후, 당해 멀티 모듈의 다음의 모듈로 반송된다. 따라서, 당해 웨이퍼(W)는, DEV층의 CT × 멀티 모듈의 수의 시간분만큼, 당해 하나의 모듈에 체재한다. 구체적으로, 도 15, 도 16에 나타내는 바와 같이 가열 모듈(1A)로서는 1A-1 ~ 1A-4의 4 개가 마련되어 있기 때문에, 가열 모듈(1A-1)로 반송된 웨이퍼(W)는 4 사이클 경과 후에 다음의 SCPL2로 반송된다. 도 15 등에서 기술한 DEV층의 CT의 맞춤이 행해지는 경우에는, 웨이퍼(W)는 가열 모듈(1A-1)에, 노광기 CT × 4 사이클분의 시간 체재하게 된다.
그 DEV층의 CT에 대해서는 노광기 CT에 대한 맞춤에 의해, 본래의 CT에서 봤을 때 연장되어 있다. 따라서 웨이퍼(W)의 각 모듈에 대한 체재 시간에 대해서도 연장되어, PPD 시간에 대해서도 장기화되는 경향이 된다. 이 PPD 시간이 길어지는 것을 억제하기 위하여, 이 맞춤의 실행 시에, DEV층에 있어서의 멀티 모듈에 있어서의 사용 모듈수를 제한할 수 있다. 보다 상세하게는 DEV층의 입구 및 출구를 제외한 각 단계의 모듈에 대한 수를 제한할 수 있고, 이 제한은, 사용 모듈수가 노광기 CT로 DEV층의 반송을 행하기 위하여 최저한 필요한 수(필요 모듈수로 함)가 되도록 행해진다. 즉 DEV층의 각 단계에 있어서, 당해 DEV층의 1 사이클당 1 매의 웨이퍼(W)를 다음의 단계로 반송 가능한 최저의 모듈의 수가 필요 모듈수이며, 여기서의 1 사이클의 시간은 노광기 CT의 시간이다. 또한, 이 사용 모듈수의 제한을 행할지 여부는, 유저가 선택 가능하다.
도 17은 그와 같이 사용 모듈수를 제한하여 DEV층의 반송을 행하는 예를 나타내고 있고, 사용하지 않는 모듈에 ×표를 부여하고 있다. 설명의 번잡화를 방지하기 위하여, 먼저, DEV층이 멀티 스택은 아닌 것으로 하여, 필요 모듈수의 산출 방법을 기술하면, 당해 필요 모듈수로서는, 각 모듈의 MUT / 노광기 CT의 값으로 하고, 산출값이 소수값을 포함하는 경우에는 그 소수값을 잘라내고 정수로 한다. 예를 들면 노광기 CT가 100 초라고 한다. 그리고 임의의 PJ에 대하여, 가열 모듈(1A)의 MUT는 90 초, SCPL2의 MUT는 40 초, 현상 모듈(15)의 MUT는 130 초, 가열 모듈(1B)의 MUT는 90 초로 산출된다고 한다. 이 경우, 가열 모듈(1A)의 필요 모듈수는, 90 초 / 100 초의 소수점 이하를 잘라냄으로써, 1로서 산출된다. 동일한 계산으로, SCPL2, 현상 모듈(15), 가열 모듈(1B)에 대한 필요 모듈수는, 각각 1, 2, 1로 산출된다.
상기한 바와 같이 이는 사용되는 DEV층의 스택의 수를 1로 한 경우의 값이다. 지금까지 기술한 바와 같이 사용되는 DEV층의 멀티 스택수를 3으로 한다면, 예를 들면 기술한 MUTCT를 구하는 식 1과 마찬가지로, 반송 비율을 이용하여 스택마다의 필요 모듈수를 정하면 된다. 즉 3 개의 각 스택으로 균등하게 웨이퍼(W)가 반송되는 것으로 하여, 1 개의 스택의 현상 모듈(15)의 필요 모듈수는, 130 초 / 멀티 스택의 수(= 3) / 노광기 CT = 1로서 결정하면 된다.
이상과 같이 각 단계의 멀티 모듈에 대하여, 산출된 필요 모듈수에 따라, 어느 모듈을 사용할지를 결정한다. 예를 들면, 번호가 빠른 순으로부터 그 산출된 수의 모듈이 사용되도록 한다. 그리고, 그와 같이 사용이 결정된 모듈에 한정하여, 이 필요 모듈수의 산출의 바탕이 된 PJ의 웨이퍼(W)를 반송하여, 처리를 행한다. 이와 같이 멀티 모듈 중, 사용되는 모듈수가 한정됨으로써, 그와 같이 사용되는 모듈에 있어서의 웨이퍼(W)의 체재 시간은, 노광기 CT × 필요 모듈수가 되므로, 모듈수를 한정하지 않는 경우에 비해 웨이퍼(W)는 신속하게 다음의 단계의 모듈로 반송된다. 그러므로, PPD 시간이 단축화된다.
또한, 선발 PJ와 후발 PJ에서 산출되는 필요 모듈수가 상이한 경우가 있다. 구체예를 들면, 가열 모듈(1A)에 있어서, 선발의 PJ에서는 처리 시간이 75 초, 후발의 PJ에서는 처리 시간이 100 초임으로써, 선발의 PJ, 후발의 PJ와의 사이에서 MUT, 나아가서는 MUT로부터 산출되는 필요 모듈수가 상이한 경우가 있다. 이와 같이 산출되는 필요 모듈수가 상이한 경우, 기술한 선발 PJ와 후발 PJ가 이플로우가 되는 조건에 해당하기 때문에, 후발 PJ에 대해서는 선발 PJ가 종료될 때까지, 노광기(D5)로의 반송이 행해지지 않는다.
상기한 바와 같이 사용 모듈수의 제한을 행할지 여부는 선택 가능하다. 이 선택의 일례로서, PPD 시간이 비교적 길어도 웨이퍼(W)에 형성되는 패턴에 대한 영향이 없거나 내지는 작은 경우에는, 필요 모듈수의 변동에 의해 후발의 웨이퍼(W)가 노광기(D5)로 반송 불가가 됨으로써의 스루풋의 저하가 방지되도록, 사용 모듈수의 제한을 행하지 않는 설정으로 한다. 그리고, PPD 시간이 비교적 길면, 웨이퍼(W)에 형성되는 패턴에 대한 영향이 비교적 큰 경우에는, 사용 모듈수의 제한을 행하는 설정으로 함으로써, PPD 시간을 억제하면 된다.
〔보충 사항〕
이상과 같이 제 1 반송 제어와 제 2 반송 제어 및 제 3 반송 제어와는 별개로 행해지므로, 제 1 ~ 제 3 반송 제어 중, 제 1 반송 제어만, 혹은 제 2 반송 제어 및 제 3 반송 제어만이 행해지도록 제어부(4)가 구성되어 있어도 된다. 또한, 제 2 반송 제어 및 제 3 반송 제어에 대해서는, 제 2 반송 제어만 행해지도록 해도 된다.
제 3 반송 제어를 행함에 있어 노광기 CT를 설정하는 것을 기술했다. 그리고, 제 1 반송 제어를 행할 시에 아웃 레디 신호의 출력 간격을 노광기 CT로 간주한다고 했지만, 제 1 ~ 제 3 반송 제어를 실행 가능하다고 한 경우에는, 제 1 반송 제어에 있어서, 그 아웃 레디 신호의 출력 간격을 이용하는 대신에, 제 3 반송 제어를 행하기 위하여 설정되는 노광기 CT를 이용해도 된다. 또한, 정밀도 높게 PPD 시간의 제어를 행하기 위하여 제 3 반송 제어에서는 기술한 바와 같이 노광기 CT를 설정하고 있지만, 그 기술한 바와 같이 설정하는 것에는 한정되지 않는다. 제 1 반송 제어와 마찬가지로 아웃 레디 신호의 출력 간격을, 노광기 CT로 간주해 사용해도 된다. 또한, 노광기(D5)에 적절한 간격으로 웨이퍼(W)를 반입반출하면, 아웃 레디 신호의 출력 간격뿐 아니라, 인 레디 신호의 출력 간격도 대략 노광기 CT와 동일하게 되는 점에서, 적절한 타이밍에 취득한 인 레디 신호의 출력 간격을 노광기 CT로 간주해 사용해도 된다. 이상과 같이 노광기 CT의 취득 방법은 임의이다.
제 1 반송 제어, 제 2 반송 제어에서 기술한 바와 같이 연산을 행하여, 취득한 시간만큼, 노광기(D5), ICPL에 대기를 시키도록 기술했지만, 적절히 오프셋의 시간을 설정해도 된다. 따라서, 취득한 시간에 따른 시간, 웨이퍼(W)를 대기시킬 수 있으며, 여기서 말하는 취득한 시간에 따른 시간에는, 취득한 시간 그 자체도 포함된다.
〔버퍼 모듈〕
도 18에 있어서는 노광기(D5)에 의한 노광 후이며 DEV층으로 반송하기 전의 웨이퍼(W)를 일단 저장하는 버퍼 모듈(5)을 인터페이스 블록(D4)에 마련하고, 이 버퍼 모듈(5)을 이용한 반송이 행해지는 예를 나타내고 있으며, 상기한 PPD 시간을 일치시키기 위한 제 3 반송 제어가 행해진 상태에서 당해 반송이 이루어진다. 이 반송의 개요를 말하면, 웨이퍼(W)는 노광기(D5)로부터 반출되어 TRS5로 전달된다. 그리고, 이 TRS5의 웨이퍼(W)는 조건에 따라, DEV층의 입구인 TRS6로 직접 반송되거나, 혹은 저장 모듈인 버퍼 모듈(5)에 일단 저장된 후에 TRS6로 반송된다. 또한, TRS6로의 반송 후에는, 웨이퍼(W)는 지금까지 설명한 바와 같이 DEV층 내의 각 모듈을 차례로 반송된다.
버퍼 모듈(5)은 측방으로부터 웨이퍼(W)를 반입반출 가능한 하우징을 구비하고 있으며, 예를 들면 하우징 내에 웨이퍼(W)를 상하 방향으로 배열하여 저장 가능하다. 이 하우징 내에는 N2 가스를 공급하는 공급구가 개구되어 있고, 하우징 내를 N2 가스 분위기로 한다. 따라서, 당해 하우징 내에 있어서의 웨이퍼(W)를 저장하는 영역의 분위기는, 하우징의 외측의 대기 분위기와는 상이하다. PED 시간의 변동에 의해 레지스트 패턴의 CD가 변동하는 것을 기술했지만, 이는 도포, 현상 장치(1)가 설치되는 클린룸 내의 대기 중의 성분의 작용에 의한다. 후술하는 바와 같이 제 3 반송 제어를 행함에 있어, 노광기 CT의 변동에 기인하여, PED 시간이 동일한 PJ의 웨이퍼(W) 간에서 어긋나는 경우가 있다. 필요에 따라 버퍼 모듈(5)에 당해 웨이퍼(W)가 저장됨으로써 웨이퍼(W)가 대기에 노출되는 것을 방지하고, 그에 따라 이 PED 시간의 어긋남에 따른 CD의 불균일이 억제되도록 한다.
도 19, 도 20의 타이밍 차트를 이용하여, 버퍼 모듈(5)의 역할을 더 상세하게 설명한다. 또한, 여기서도 설명의 편의 상, DEV층의 스택의 수는 1 개인 것으로 하지만, 스택이 복수의 경우라도 동일하게 반송을 행할 수 있다. 도 19, 도 20의 차트는, PJ-A의 웨이퍼(A1 ~ A3)의 반송예를 나타내는 것이며, 도 19, 도 20에서 각각 상이한 반송예를 나타내고, 또한 동일한 도면 내에서도 상단, 하단에서 각각 상이한 반송예를 나타내고 있다.
차트 도면 중 K1은, 웨이퍼(W)가 노광기(D5)로 반입되고 나서 아웃 레디 신호가 출력되기까지의 기간 + 인터페이스 블록(D4)(IFB층, IFBS층)을 반송되는 기간이다. 따라서, 이 기간(K1)은 노광기 CT에 따라 길이가 변화하는 기간이며, 노광기 CT 대응 기간으로서 호칭한다. 도면 중 K2는, DEV층의 PRA36에 의해 웨이퍼(W)가 반송되는 기간이며, DEV층 반송 기간으로서 호칭한다. 도면 중 K3는, DEV층에 있어서 웨이퍼(W)가 모듈에서 처리를 받는 기간과, PRA36에 의한 수취를 기다리는 기간을 합친 기간이다. 따라서, 이 기간(K3)은 PRA36의 주회 이동 시간에 따라 길이가 변화하는 기간이며, 비반송 기간으로서 호칭한다.
DEV층 반송 기간(K2) 및 비반송 기간(K3)의 합계의 길이의 기간이, 웨이퍼(W)의 DEV층에서의 체재 기간이다. 실제로는, 웨이퍼(A1 ~ A3)의 각각에 대하여, 기간(K2, K3)은 시간이 경과함에 따라 교호로 반복하여 출현하게 되는데, 차트에서는 번잡화를 방지하기 위하여 기간(K2)을 하나로 합치고, 또한 기간(K3)을 하나로 합쳐 나타내고 있다. 그와 같이 하나로 합친 DEV층 반송 기간(K2)의 개시의 타이밍은, PRA36가 DEV층의 입구에서 웨이퍼(W)를 수취하는 타이밍을 나타내고 있다. 또한 차트 중, 일정 간격으로 시각(t1 ~ t4)을 나타내고 있다.
도 19 상단의 반송예는, 제 3 반송 제어가 행해짐에 있어 노광기 CT가 일정한 상태를 나타내고, 시각(t1, t2, t3)의 각각에서 웨이퍼(A1, A2, A3)는 DEV층의 PRA36에 수취된다. 그리고, 노광기 CT와 동일한 주회 이동 시간을 가지고 PRA36가 주회 하고, 웨이퍼(A1 ~ A3)에 대하여 DEV층에서의 반송, 처리가 행해진다. 그리고, 시각(t2, t3, t4)의 각각에서 웨이퍼(A1, A2, A3)는 DEV층으로부터 반출된다. 이와 같이 반송이 이루어짐으로써, PED 시간 및 PPD 시간에 대하여 웨이퍼(A1 ~ A3) 간에서 일치되어 있다.
도 19 하단 및 도 20의 각 단의 반송예는, 노광기 CT의 변동이 생긴 경우의 반송예에 대하여 나타낸 것이다. 구체적으로 웨이퍼(A2)에 대한 아웃 레디 신호가, 예정되는 타이밍보다 빠르게 출력된 경우의 반송예를 나타내고 있다. 도 19 하단의 반송예에서는, 그 웨이퍼(A2)에 대하여 도 19의 상단의 예와 마찬가지로 시각(t2)에서 PRA36에 수취되도록 반송 제어가 행해지고 있다. 따라서, 이 웨이퍼(A2)는 도 19 상단의 예보다 길게 노광기(D5)에서 대기하고 있고, 그러므로 웨이퍼(A2)의 PED 시간은, 웨이퍼(A1, A3)의 PED 시간과 상이해져 있다. 또한, PRA36는 일정한 주회 이동 시간을 가지고 웨이퍼(A1 ~ A3)를 반송하고 있기 때문에, PPD 시간에 대해서는 웨이퍼(A1 ~ A3) 간에서 일치되어 있다.
도 20 상단은, 웨이퍼(A1 ~ A3)에서 PED 시간이 일치되도록 반송 제어가 행해지는 예를 나타내고 있다. 웨이퍼(A1)에 대해서는 모듈에서 대기하는 시간을 단축시킨다. 즉, 웨이퍼(A1)의 기간(K3)에 대하여 단축한다. 그에 따라 PRA36가 시각(t2)보다 빠른 타이밍에 DEV층의 입구(TRS6)에서 웨이퍼(A2)를 수취한다. 그리고, 이 웨이퍼(A2)의 기간(K3)에 대해서는 연장하여, 웨이퍼(A3)에 대해서는 도 19 상단과 마찬가지로, 시각(t3)에서 DEV층의 입구에서 PRA36에 수취되도록 한다. 그러나, 이와 같이 기간(K3)을 웨이퍼(A1 ~ A3) 간에서 변동시키는 것은, PRA36의 주회 이동 시간이 변동하는 것이기 때문에 PPD 시간의 불균일이 생겨 버린다.
따라서 웨이퍼(A1, A2)의 기간(K3)을 변경하는 대신에, 도 20 하단에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(A2)를 DEV층의 입구(TRS6)로 반송하기 전에, 버퍼 모듈(5)에 일단 저장한다. 이 후, 웨이퍼(A2)를 DEV층의 입구로 반송하고, 노광기 CT가 일정한 경우와 마찬가지로, 시각(t2)에서 PRA36가 웨이퍼(A2)를 수취하도록 한다. 또한, 웨이퍼(A1, A3)에 대해서는 도 19 상단의 예와 마찬가지로 반송됨으로써, 시각(t1, t3)에서 각각 PRA36에 수취된다. 이와 같이 반송 제어가 행해짐으로써, 도 20 하단의 반송예에서는 도 19 하단에서 기술한 PED 시간이 웨이퍼(A1 ~ A3) 간에서 변동하는 것의 영향이 억제된다. 또한, 도 19 하단의 반송예와 마찬가지로, 도 20 하단의 반송예에 대해서도 PRA36는 일정한 주회 이동 시간을 가지고 웨이퍼(A1 ~ A3)를 반송하고 있기 때문에, PPD 시간에 대해서는 웨이퍼(A1 ~ A3) 간에서 일치되어 있다. 따라서, 이 도 20 하단에 나타내는 반송예에서는, 웨이퍼(A1 ~ A3) 간에서 레지스트 패턴의 CD의 균일성이 저하되는 것이 방지된다.
이상의 도 20 하단의 반송예가, 도 18에 나타낸 반송예에 해당한다. 이 반송예에 대하여 더 상세하게 설명하면, 제어부(4)에 의해, 노광기(D5)의 아웃 레디 신호의 출력 타이밍에 대하여, 노광기 CT에 기초한 예정의 출력 타이밍(예정의 반출 가능 타이밍)보다 실제의 아웃 레디 신호의 출력 타이밍(실제의 반출 가능 타이밍)이 빠른지 여부의 판정이 이루어진다. 그리고, 예정의 출력 타이밍보다 실제의 출력 타이밍이 빠르지 않다고 판정된 웨이퍼(A1, A3)에 대해서는, 버퍼 모듈(5)을 경유하지 않고 DEV층의 입구(TRS6)로 반송된다. 예정의 출력 타이밍보다 실제의 출력 타이밍이 빠르다고 판정된 웨이퍼(A2)에 대해서는, 상기한 바와 같이 버퍼 모듈(5)을 경유하여 DEV층의 입구로 반송된다. 이와 같이 아웃 레디 신호의 출력 타이밍의 어긋남에 따라, 버퍼 모듈(5)로 반송할지 여부의 판정이 행해지고, 그 판정 결과에 따라 웨이퍼(A1, A3)와, 웨이퍼(A2)에서 반송 경로가 상이하도록 반송 제어가 행해진다.
시각(t2)에서 PRA36가 웨이퍼(A2)를 수취할 수 있도록 하기 위하여, 버퍼 모듈(5)에서 웨이퍼(A2)는, 아웃 레디 신호에 대한 예정의 출력 타이밍과 실제의 출력 타이밍과의 어긋남의 시간에 대응하는 시간만큼 대기된다. 구체적으로 예를 들면, 이 어긋남의 시간으로부터 TRS5부터 버퍼 모듈(5)로의 반송에 요하는 시간 및 버퍼 모듈(5)부터 DEV층의 입구의 TRS6로의 반송에 요하는 시간을 뺀 시간만큼 대기되게 된다.
도 21에는, 버퍼 모듈(5)을 탑재한 인터페이스 블록(D4)의 구성예를 나타내고 있다. 도 1에서 나타낸 예와는 달리, IFBS22가 타워(T2)의 우측에 배치되고, IFB21가 타워(T2)의 전방측에 배치되어 있으며, IFB21의 전방측에 버퍼 모듈(5)이 배치되어 있다. 또한, 이러한 레이아웃으로 하는 것에는 한정되지 않으며, 예를 들면 타워(T2)를 구성하는 모듈로서 버퍼 모듈(5)을 마련해도 된다. IFB21, IFBS22에 대해서도, 기술한 각 모듈, 노광기(D5)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있으면 되므로, 배치를 적절히 변경 가능하다. 인터페이스 블록(D4)에 있어서의 반송 기구의 수에 대해서도, IFB21, IFBS22의 2 개만을 마련하는 것에 한정되지 않으며, 설치되는 모듈의 수 및 배치에 따라 적절한 수를 마련하면 된다.
또한, PED 시간에 의한 레지스트 패턴의 CD의 변동은, 상기한 바와 같이 대기 중의 성분에 의해 야기되는데, 그 성분 중에서는 수분의 작용이 크다고 상정되고 있다. 이 때문에 버퍼 모듈(5)을 구성하는 하우징 내로 공급하는 가스로서는, 하우징의 내외에서 분위기가 상이하도록 하는 가스로서, 보다 구체적으로 하우징의 외측에 비해 하우징 내의 상대 습도를 낮게 하는 가스가 바람직하게 이용된다. 따라서, 하우징 내로 공급되는 가스로서는 N2 가스에는 한정되지 않고, 아르곤 가스 등의 N2 가스 이외의 불활성 가스, 또는 하우징의 주위의 대기보다 물의 함유율이 낮은 드라이 에어 등의 가스여도 된다. 또한, 버퍼 모듈(5)은 복수 매의 웨이퍼(W)를 저장 가능하도록 기술했지만, 노광기 사이클 타임이 비교적 안정되는 노광기(D5)를 이용하여, 버퍼 모듈(5)로의 반송이 산발적으로 되는 경우, 1 매만의 웨이퍼(W)를 저장 가능한 구성으로 해도 된다.
그런데 지금까지의 설명에서 나타나는 바와 같이, 동일한 PJ의 웨이퍼(W)에 대하여, DEV층의 사이클이 일정하며, DEV층의 PRA의 수취까지의 사이에, N2 가스 분위기에서 웨이퍼(W)를 대기시켜 PED 시간의 불균일의 영향을 억제함으로써, 당해 웨이퍼(W) 간에서의 패턴의 CD를 균일화시킬 수 있다. 이 때문에 DEV층의 입구, 즉 TRS6에 대하여, 버퍼 모듈(5)에 의해 구성되어 있어도 된다. 즉, 버퍼 모듈(5)로서는, 노광기(D5)로부터 DEV층의 입구에 이르기까지의 반송 경로 상에 마련되어 있으면 되며, 이 경우에서의 입구에 이른다 라는 것은 입구 그 자체도 포함한다.
또한 기판 처리 장치로서는 도포, 현상 장치에 한정되지 않는다. 예를 들면, 레지스트 도포를 행하지 않고, 노광, 현상 이후의 처리만을 행하는 구성의 장치여도 된다. 기판으로서도 웨이퍼(W)에 한정되지 않고, FPD(플랫 패널 디스플레이) 기판이어도 된다. 그리고, 금회 개시된 실시 형태는, 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시 형태는, 첨부한 특허 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경 및 조합이 이루어져도 된다.

Claims (16)

  1. 캐리어로부터 취출한 기판을 모듈군 및 노광기를 경유하여 상기 캐리어로 반송하는 반송 기구군을 구비하고,
    상기 모듈군에는, 상기 노광기의 전단에서 상기 기판을 배치하는 전단 모듈과,
    상기 노광기의 후단에서 상기 기판을 배치하는 제 1 ~ 제 2 후단 모듈과, 가열 모듈과, 현상 모듈이 포함되고,
    상기 반송 기구군에는, 상기 전단 모듈, 상기 노광기, 상기 제 1 후단 모듈의 순으로 상기 기판을 반송하는 제 1 반송 기구와, 상기 제 1 후단 모듈, 상기 가열 모듈, 상기 현상 모듈, 상기 제 2 후단 모듈의 순으로 상기 기판을 반송하는 제 2 반송 기구와,
    상기 제 2 후단 모듈로부터 상기 캐리어를 향해 상기 기판을 반송하는 1 개 이상의 후단 반송 기구가 포함되는 기판 처리 장치를 이용한 기판 반송 방법에 있어서,
    상기 노광기에 있어서 상기 기판을 반입하고 나서 상기 기판이 반출 가능하게 되는 간격을 노광기 사이클 타임으로 하면,
    상기 노광기로 반송 예정인 상기 기판에 대하여 취득되는, 상기 제 2 반송 기구에 의한 반송 구간으로부터 상기 후단 반송 기구에 의한 반송 구간으로 상기 기판을 반송하는 구간 반송 시간과, 상기 노광기 사이클 타임을 비교하는 비교 공정과,
    상기 비교 공정의 결과에 따라, 상기 구간 반송 시간을 설정하는 설정 공정
    을 구비하는 기판 반송 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 설정 공정은,
    상기 비교 공정에 있어서 상기 노광기 사이클 타임이, 상기 구간 반송 시간보다 긴 경우에, 상기 구간 반송 시간이, 상기 노광기 사이클 타임이 되도록 설정하는 공정인 기판 반송 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 노광기로부터 반출되어, 상기 제 1 후단 모듈로 반송되기 전의 상기 기판을 저장 모듈로 반송하고, 주위와는 상이한 분위기를 형성한 영역에 상기 기판을 저장하는 저장 공정을 포함하는 기판 반송 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 노광기 사이클 타임에 기초한 상기 노광기로부터의 상기 기판의 예정의 반출 가능 타이밍과, 실제의 반출 가능 타이밍과의 어긋남에 따라, 상기 저장 공정이 행해질지 여부가 결정되는 기판 반송 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 저장 공정은,
    상기 어긋남의 시간에 대응하는 시간동안, 상기 기판을 상기 저장 모듈에 체류시키는 공정을 포함하는 기판 반송 방법.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 기판에 대하여 동종의 처리를 행하는 모듈을 멀티 모듈로 하면,
    상기 제 2 반송 기구의 반송 구간에 있어서의 멀티 모듈에 대하여, 모듈에 있어서의 상기 기판의 체재 시간과, 상기 노광기 사이클 타임에 기초하여, 사용하는 모듈의 수를 결정하는 공정과,
    상기 설정 공정이 실행된 상태에서, 상기 결정된 수의 모듈로 상기 기판을 반송하는 공정
    을 포함하는 기판 반송 방법.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 비교 공정에 있어서, 상기 노광기 사이클 타임이 상기 구간 반송 시간 이하인 경우에, 상기 설정 공정이 행해지지 않는 기판 반송 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    복수의 상기 기판을 포함하는 로트를 반송함에 있어, 상기 로트의 선두의 기판을 상기 제 2 반송 기구에 의해 반송하고 나서, 상기 제 2 반송 기구로 상기 로트의 마지막 기판을 상기 제 2 후단 모듈로 반송하기까지, 상기 구간 반송 시간이 변경되지 않는 기판 반송 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 노광기의 후단측의 반송 경로에서, 상기 기판의 반송을 행하는 상기 각 반송 기구에 대응하는 반송 구간마다, 상기 기판을 다음의 반송 구간으로 반송하기 위하여 요하는 구간 반송 시간을 취득하는 공정과,
    상기 구간 반송 시간 중에서 가장 긴 최대 구간 반송 시간에 기초하여, 상기 제 1 반송 기구에 의한 상기 노광기에 대한 상기 기판의 반입을 행하는 반입 공정을 구비하고,
    상기 반입 공정은,
    상기 전단 모듈로부터 상기 노광기로의 상기 기판의 반송에 요하는 시간과, 상기 노광기로 직전에 반송된 상기 기판의 상기 반송 후의 경과 시간과의 합계 시간과, 상기 최대 구간 반송 시간을 비교하는 시간 비교 공정과,
    상기 시간 비교 공정에 의해, 최대 구간 반송 시간이 상기 합계 시간보다 긴 경우에는, 상기 합계 시간과 상기 최대 구간 반송 시간과의 차분에 따른 시간동안, 다음으로 상기 노광기로 반송하는 기판을 상기 전단 모듈에서 대기시킨 후에, 상기 기판을 상기 노광기로 반송하는 공정
    을 포함하는 기판 반송 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 구간 반송 시간을 취득하는 공정은, 상기 반송 구간에 위치하는 상기 기판의 각 모듈에서의 체재 시간과, 멀티 모듈에 있어서의 모듈의 사용수에 따라, 상기 구간 반송 시간의 제 1 후보를 취득하는 공정과,
    상기 반송 구간에 있어서의 상기 반송 기구의 반송 공정수에 대응하는, 상기 구간 반송 시간의 제 2 후보를 취득하는 공정
    을 포함하고,
    각 반송 구간으로부터 취득되는 상기 제 1 후보 및 상기 제 2 후보 중 가장 긴 것이 상기 최대 구간 반송 시간인 기판 반송 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 멀티 모듈에 있어서의 모듈의 사용수가 변동한 경우에, 상기 최대 구간 반송 시간을 재취득하는 공정을 포함하는 기판 반송 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 노광기의 후단으로 먼저 반송되는 상기 기판의 제 1 로트, 다음으로 반송되는 상기 기판의 제 2 로트에 대하여,
    상기 제 1 로트를 반송할 시의 상기 제 2 반송 기구의 구간 반송 시간과, 제 2 로트를 반송할 시의 상기 제 2 반송 기구의 구간 반송 시간이 상이하거나, 혹은 제 1 로트와 제 2 로트에서 상기 노광기의 후단에 있어서의 반송 경로가 상이한 경우,
    상기 제 1 로트의 마지막 기판이 상기 캐리어로 반송될 때까지, 상기 제 2 로트의 상기 노광기로의 반송을 정지하는 기판 반송 방법.
  13. 캐리어로부터 취출한 기판을 모듈군 및 노광기를 경유하여 상기 캐리어로 반송하는 반송 기구군을 구비하고,
    상기 모듈군에는, 상기 노광기의 전단에서 상기 기판을 배치하는 전단 모듈과,
    상기 노광기의 후단에서 상기 기판을 배치하는 제 1 ~ 제 2 후단 모듈과, 가열 모듈과, 현상 모듈이 포함되고,
    상기 반송 기구군에는, 상기 전단 모듈, 상기 노광기, 상기 제 1 후단 모듈의 순으로 상기 기판을 반송하는 제 1 반송 기구와, 상기 제 1 후단 모듈, 상기 가열 모듈, 상기 현상 모듈, 상기 제 2 후단 모듈의 순으로 상기 기판을 반송하는 제 2 반송 기구와,
    상기 제 2 후단 모듈로부터 상기 캐리어를 향해 상기 기판을 반송하는 1 개 이상의 후단 반송 기구가 포함되는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 노광기에 있어서 상기 기판을 반입하고 나서 상기 기판이 반출 가능하게 되는 간격을 노광기 사이클 타임으로 하면,
    상기 노광기로 반송 예정인 상기 기판에 대하여 취득되는, 상기 제 2 반송 기구에 의한 반송 구간으로부터 상기 후단 반송 기구에 의한 반송 구간으로 상기 기판을 반송하는 구간 반송 시간과, 상기 노광기 사이클 타임을 비교하는 비교 단계와, 상기 비교 공정의 결과에 따라, 상기 구간 반송 시간을 설정하는 설정 단계가 행해지도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비하는 기판 처리 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 설정 단계는, 상기 비교 공정에 있어서 상기 노광기 사이클 타임이, 상기 구간 반송 시간보다 긴 경우에, 상기 구간 반송 시간이, 상기 노광기 사이클 타임이 되도록 변경하는 단계인 기판 처리 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 노광기로부터 반출되어, 상기 제 1 후단 모듈로 반송되기 전의 상기 기판을 저장하는 저장 모듈이 마련되고,
    상기 저장 모듈은, 주위와는 상이한 분위기를 형성한 영역에 상기 기판을 저장하는 기판 처리 장치.
  16. 기판 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체로서,
    상기 컴퓨터 프로그램은, 제 1 항에 기재된 기판 반송 방법을 실행하도록 단계군이 짜여 있는 것을 특징으로 하는, 기억 매체.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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