JP2005123249A - 基板処理装置およびその方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 様々な基板処理を柔軟に行うことができる基板処理装置およびその方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板の搬送順序を含んだフローレシピ３９，各フローレシピ４０において、その搬送順序を決定する情報には基板の処理情報であるパラメータが付随しており、この搬送順序に基づいて処理部に対する基板の受け渡しを行う。パラメータの１つであるスキップ制御フラグにおいて、「ＯＮ」に設定した場合にはフラグにおけるその処理部で基板の処理を行い、フラグを「ＯＦＦ」に設定した場合にはフラグにおけるその処理部で基板の処理を行わない。このように処理およびスキップする処理の双方についてスキップ制御フラグによって操作することができる。また、そのスキップ制御フラグは搬送順序を決定する情報に付随しているので、搬送順序自体、さらにはフローレシピ３９，各フローレシピ４０全体を変更する必要はなく、スキップ制御フラグの設定に合わせて様々な基板処理を柔軟に行うことができる。
【選択図】 図１２

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板（以下、単に基板と称する）に対して基板処理を行う基板処理装置およびその方法に関する。

従来の基板処理装置では、基板処理を行う処理部（ユニット）の温度・湿度や処理時間の条件などといった基板処理条件や、各々の処理部に対して基板の受け渡しを行う搬送機構による搬送順序などを設定するフローのレシピが複数個登録されている。オペレータ（術者）は、これら登録されたフローレシピを選択して基板処理を行っている。

これらのレシピについては、処理ユニットを制御する処理ステーションと全体を統括するコントローラ（管理ステーション）との間で送受信（アップロード・ダウンロード）を行えるようになっており、管理ステーション側で変更することも可能である（例えば、特許文献１参照）。
特開平９−１５３４４１号公報（第１−６頁、図１，２）

しかしながら、例えば、（１）機械的なテストを受けている処理ユニットを避けて基板処理を行う場合や、（２）逆に特定の処理ユニットを指定して基板処理を行う場合や、（３）基板を任意に選択して検査部（検査ユニット）において基板を検査する場合などのように、通常の基板処理とは違った特別の基板処理を行うときには、次のような問題がある。

すなわち、通常の基板処理に係るレシピは既製のものであるが、上述した特別の基板処理に係るレシピについては、従来の既製のレシピから変更するか、あるいは新規に作成する必要がある。例えば、上述した検査ユニットにおいて基板を検査する場合には、検査ユニットに基板を受け渡すフローや検査ユニットに係る検査条件を既製のレシピに追加したり、既製のレシピに設定されている値を書き換える、あるいは検査ユニットに基板を受け渡す検査用のレシピを専用に新たに作成する。しかし、既製のレシピを直接変更すると、それまで発生しなかった不具合が生じるなどの問題が生じる。かかる問題を防止するために通常のレシピは変更できないように書き込み禁止となっている。また、専用のレシピを作成する場合にも作成する手間や時間が生じる。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、様々な基板処理を柔軟に行うことができる基板処理装置およびその方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記の問題を解決するために鋭意研究した結果、次のような知見を得た。
すなわち、既製のレシピを変更せずに、かつ新規のレシピを作成する手間を省くには、既製のレシピをコピーしてコピーされたレシピを変更する手法が考えられる。しかし、この手法の場合には、特別の基板処理の全てにおいて汎用ではなく、既製のレシピと大きく異なるときには新規のレシピを作成する手間と変わらなくなってしまう。その一方で、かかる問題を解決するために本出願人は、特願2000-111772号を先に出願している。

この出願では、図１９に示すように、基板処理に関する選択肢ｆａ〜ｆｃを有したメインフローＭＦを作成し、指定された処理部に基づいてメインフローＭＦ中の１つの選択肢を選択して仮フローを作成する。ここで、図１９中の『ＰＡＳＳ１』，『ＰＡＳＳ３』は基板載置部を、『ＣＰ』は冷却プレートを，『ＢＡＲＣ』は反射防止膜用塗布処理部を、『ＨＰ』は加熱プレートを、『ＷＣＰ』は水冷式の冷却プレートをそれぞれ示す。選択肢ｆａおよびｆｃは、加熱プレートＨＰでの加熱処理をスキップする仮フローであって、選択肢ｆｂは、加熱プレートＨＰでの加熱処理を行う仮フローである。これらの選択肢ｆａ〜ｆｃについては指定された処理部ごとに選択して、仮フローを作成することができる。このように、メインフローＭＦに、各選択肢ｆａ〜ｆｃを有するようにしたので、メインフローＭＦ自体を作成し直したり、メインフローＭＦ自体を変更することなく、メインフローＭＦ中の１つの選択肢によって仮フローを作成することができる。その結果、メインフローＭＦ自体を作成し直したり、メインフローＭＦ自体を変更することなく、作成された仮フローに合わせて、様々な基板処理を柔軟に行うことができる。

かかる出願とは別の手法について本発明者らは考えてみた。近年の基板処理装置では、基板処理中にレシピの値（例えば、処理部の温度・湿度や処理時間などの基板処理の条件）を変更することが可能である可変レシピ機能を有するものが開発されつつある。本発明者らは、この機能に着目して搬送順序を決定する情報にフラグを付随させて、そのフラグによって処理のスキップを設定することに想到した。すなわち、各々の処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定する処理情報（処理情報の一例としてフラグ）によって基板処理を柔軟に行うという知見を得た。このような知見に基づく本発明は、次のような構成をとる。

すなわち、請求項１に記載の発明は、基板処理を行う複数の処理部と、各々の処理部に対して基板の受け渡しを行う搬送機構と、処理部および搬送機構を制御する制御手段とを備えた基板処理装置であって、搬送機構による基板の搬送順序を設定する搬送順序設定手段と、基板の処理情報を設定する処理情報設定手段とを備え、処理情報は、各々の処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定する情報であって、その処理情報が、搬送順序を決定する情報に付随して制御手段に与えられ、制御手段は、搬送順序を決定する情報と、これに付随する処理情報に基づき、次のように処理部および搬送機構を制御する、（Ａ）搬送順序を決定する情報に基づいて処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、（Ｂ₁ ）処理情報が「基板の処理を行う」ことを設定するものである場合には、処理情報に基づいてその処理部で基板の処理を行い、（Ｂ₂ ）処理情報が「基板の処理を行わない」ことを設定するものである場合には、その処理部で基板の処理を行わずに、次の処理部に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項1に記載の発明によれば、搬送順序設定手段が、搬送機構による基板の搬送順序を設定するとともに、処理情報設定手段が基板の処理情報を設定する。その搬送順序を決定する情報に処理情報が付随して制御手段に与えられる。これらの情報が与えられた制御手段は、搬送順序を決定する情報と、これに付随する処理情報に基づき、（Ａ）搬送順序を決定する情報に基づいて処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、（Ｂ₁ ）処理情報が「基板の処理を行う」ことを設定するものである場合には、処理情報に基づいてその処理部で基板の処理を行い、（Ｂ₂ ）処理情報が「基板の処理を行わない」ことを設定するものである場合には、その処理部で基板の処理を行わずに、次の処理部に対して基板の受け渡しを行うように、処理部および搬送機構を制御する。

処理情報は、各々の処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定する情報であるので、上述した（Ｂ₁ ），（Ｂ₂ ）のように「基板の処理を行う」および「基板の処理を行わない」（すなわち基板の処理をスキップする）の双方について処理情報によって操作することができる。また、その処理情報は搬送順序を決定する情報に付随しているので、搬送順序自体を変更する必要はなく、処理情報の設定に合わせて様々な基板処理を柔軟に行うことができる。

また、請求項２に記載の発明は、基板の検査を行う検査部と、基板処理を行う複数の処理部と、検査部および各々の処理部に対して基板の受け渡しを行う搬送機構と、検査部，処理部，および搬送機構を制御する制御手段とを備えた基板処理装置であって、搬送機構による基板の搬送順序を設定する搬送順序設定手段と、基板の検査情報を設定する検査情報設定手段とを備え、検査情報は、検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定する情報であって、その検査情報が、搬送順序を決定する情報に付随して制御手段に与えられ、制御手段は、搬送順序を決定する情報と、これに付随する検査情報に基づき、次のように検査部，処理部，および搬送機構を制御する、（Ｃ）搬送順序を決定する情報に基づいて検査部および処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、（Ｄ₁ ）検査情報が「基板の検査を行う」ことを設定するものである場合には、検査情報に基づいてその検査部で基板の検査を行い、（Ｄ₂ ）検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合には、その検査部で基板の検査を行わずに、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項２に記載の発明によれば、搬送順序設定手段が、搬送機構による基板の搬送順序を設定するとともに、検査情報設定手段が基板の検査情報を設定する。その搬送順序を決定する情報には基板の検査情報が付随して制御手段に与えられる。これらの情報が与えられた制御手段は、搬送順序を決定する情報と、これに付随する検査情報に基づき、（Ｃ）搬送順序を決定する情報に基づいて検査部および処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、（Ｄ₁ ）検査情報が「基板の検査を行う」ことを設定するものである場合には、検査情報に基づいてその検査部で基板の検査を行い、（Ｄ₂ ）検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合には、その検査部で基板の検査を行わずに、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行うように、検査部，処理部，および搬送機構を制御する。

検査情報は、検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定する情報であるので、上述した（Ｄ₁ ），（Ｄ₂ ）のように「基板の検査を行う」および「基板の検査を行わない」（すなわち基板の検査をスキップする）の双方について検査情報によって操作することができる。また、その検査情報は搬送順序を決定する情報に付随しているので、搬送順序自体を変更する必要はなく、検査情報の設定に合わせて検査部を含んだ様々な基板処理を柔軟に行うことができる。

上述した各発明において、基板処理装置の一例として、前記装置は、前記処理部と搬送機構とを含んで、あるいは前記検査部と処理部と搬送機構とを含んで単一の処理ブロックを構成し、処理ブロックを並設して構成されており、各処理ブロックには、その処理ブロックに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その処理ブロックから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられており、各処理ブロックの搬送機構は、入口基板載置部と出口基板載置部とを介して基板の受け渡しを行うものがある（請求項３に記載の発明）。

上述した装置によれば、基板処理あるいは基板の検査が並設された複数個の処理ブロックで順に行われる。各処理ブロックでは、各々の搬送機構が検査部または各々の処理部に対して基板の受け渡しを並行して行う。つまり、各処理ブロックの搬送機構が同時並行的に作動することによって、各処理部あるいは検査部に対する基板の受け渡しの速度が等価的に向上するので、基板処理装置のスループットを向上させることができる。しかも、入口基板載置部と出口基板載置部とが区別して設けられているので、その処理ブロックに受け入れる基板と、その処理ブロックから払い出す基板とが、基板載置部で干渉することがなく、各処理ブロック間の基板搬送を円滑に行うことができる。

また、基板処理装置の他の一例として、前記装置は、前記処理部と搬送機構とを含んで、あるいは前記検査部と処理部と搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構成し、前記被制御ユニットを並設して構成されており、各被制御ユニットには、その被制御ユニットに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その被制御ユニットから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられており、各被制御ユニットの搬送機構は、入口基板載置部と出口基板載置部とを介して基板の受け渡しを行い、かつ、各被制御ユニットの搬送機構の基板受け渡し動作を少なくとも制御するユニット制御手段を各被制御ユニットごとに備え、各ユニット制御手段は、処理部あるいは検査部に対する基板の受け渡しおよび基板載置部に対する基板の受け渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、各々独立して行うものがある（請求項４に記載の発明）。

上述した装置は、制御面からも基板処理装置のスループットを向上することを意図している。この装置の制御方式はいわゆる分散制御である。そのために、被制御ユニット間の基板の受け渡しを、区別された入口基板載置部と出口基板載置部とを介して行うようにしている。これにより、各被制御ユニットの制御手段は、入口基板載置部に置かれた基板の受け取りから始まって、出口基板載置部に基板を置くことによって完結する一連の制御を行うだけでよい。つまり、隣接する被制御ユニットの搬送機構の動きを考慮する必要がない。したがって、各被制御ユニットの制御手段の負担が少なくなり、基板処理装置のスループットを向上させることができる。また、被制御ユニットの増減を比較的簡単に行うこともできる。これに対して、従来の基板処理（請求項３に記載の発明）は、搬送機構や各処理部や検査部を集中制御している関係で、搬送機構や各処理部や検査部の動作順序の決定作業（スケジューリング）が複雑であり、そのことがスループットの向上を妨げる一因ともなっている。

また、この装置を請求項１または請求項２に記載の発明と組み合わせることで、以下のような効果をも奏する。すなわち、隣接する被制御ユニットの搬送機構の動きを考慮する必要がないことから、従来の基板処理（請求項３に記載の発明）と比較すると、請求項１または請求項２に記載の発明の効果である、検査部を含んだ柔軟な基板処理によって生じた相互の各被制御ユニット（請求項３では処理ブロックに相当）の影響が生じ難い。

また、上述した請求項３および請求項４に記載の各発明において、入口基板載置部および出口基板載置部は、１つの処理ブロック（または、被制御ユニット）を基準にして、基板載置部の機能を捉えたものである。つまり、ある処理ブロック（または、被制御ユニット）の出口基板載置部は、その処理ブロックに隣接する処理ブロック（または、被制御ユニット）を基準にすれば入口基板載置部に相当する。このように、隣接する処理ブロック（または、被制御ユニット）間では、出口基板載置部と入口基板載置部とが一致している。

また、請求項５に記載の発明は、各々の処理部に対して基板の受け渡しを行い、渡された処理部で基板処理を行う基板処理方法であって、各々の処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定する処理情報が基板の搬送順序を決定する情報に付随しており、（ａ）搬送順序を決定する情報に基づいて処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、（ｂ₁ ）処理情報が「基板の処理を行う」ことを設定するものである場合には、処理情報に基づいてその処理部で基板の処理を行い、（ｂ₂ ）処理情報が「基板の処理を行わない」ことを設定するものである場合には、その処理部で基板の処理を行わずに、次の処理部に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項５に記載の発明によれば、各々の処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定する処理情報が基板の搬送順序を決定する情報に付随しており、（ａ）搬送順序を決定する情報に基づいて処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、（ｂ₁ ）処理情報が「基板の処理を行う」ことを設定するものである場合には、処理情報に基づいてその処理部で基板の処理を行い、（ｂ₂ ）処理情報が「基板の処理を行わない」ことを設定するものである場合には、その処理部で基板の処理を行わずに、次の処理部に対して基板の受け渡しを行うので、上述した（ｂ₁ ），（ｂ₂ ）のように「基板の処理を行う」および「基板の処理を行わない」（すなわち基板の処理をスキップする）の双方について処理情報によって操作することができる。また、その処理情報は搬送順序を決定する情報に付随しているので、搬送順序自体を変更する必要はなく、処理情報の設定に合わせて様々な基板処理を柔軟に行うことができる。

上述した発明において、基板が処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定するように処理情報を設定する（請求項６に記載の発明）のが好ましい。基板が処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定するように処理情報を設定することで、最大限では基板が処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うことができるとともに、最小限では全ての処理部に対して基板の処理を行わずに搬送のみを行うことができるように、様々な基板処理をより一層柔軟に行うことができる。

上述した発明において、上述した（ｂ₂ ）の処理情報が「基板の処理を行わない」ことを設定するものである場合の一例は、その処理部に対して基板を受け渡した状態で基板の処理を行わずに、その処理部から次の処理部に対して基板の受け渡しを行うことである（請求項７に記載の発明）。他の一例は、その処理部に対して基板の受け渡しを行わずに通過して、次の処理部に対して基板の受け渡しを行うことである（請求項８に記載の発明）。

また、請求項９に記載の発明は、検査部および各々の処理部に対して基板の受け渡しを行い、渡された検査部で基板の検査を行うとともに、渡された処理部で基板処理を行う基板処理方法であって、検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定する検査情報が基板の搬送順序を決定する情報に付随しており、（ｃ）搬送順序を決定する情報に基づいて検査部および処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、（ｄ₁ ）検査情報が「基板の検査を行う」ことを設定するものである場合には、検査情報に基づいてその検査部で基板の検査を行い、（ｄ₂ ）検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合には、その検査部で基板の検査を行わずに、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項９に記載の発明によれば、検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定する検査情報が基板の搬送順序を決定する情報に付随しており、（ｃ）搬送順序を決定する情報に基づいて検査部および処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、（ｄ₁ ）検査情報が「基板の検査を行う」ことを設定するものである場合には、検査情報に基づいてその検査部で基板の検査を行い、（ｄ₂ ）検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合には、その検査部で基板の検査を行わずに、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行うので、上述した（ｄ₁ ），（ｄ₂ ）のように「基板の検査を行う」および「基板の検査を行わない」（すなわち基板の検査をスキップする）の双方について検査情報によって操作することができる。また、その検査情報は搬送順序を決定する情報に付随しているので、搬送順序自体を変更する必要はなく、検査情報の設定に合わせて検査部を含んだ様々な基板処理を柔軟に行うことができる。

上述した発明において、基板が検査し得る全ての検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定する（請求項１０に記載の発明）のが好ましい。基板が検査し得る全ての検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定するように検査情報を設定することで、最大限では基板が検査し得る全ての検査部に対して基板の検査を行うことができるとともに、最小限では全ての検査部に対して基板の検査を行わずに搬送のみを行うことができるように、検査部を含んだ様々な基板処理をより一層柔軟に行うことができる。

上述した発明において、上述した（ｄ₂ ）の検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合の一例は、その検査部に対して基板を受け渡した状態で基板の検査を行わずに、その検査部から次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行うことである（請求項１１に記載の発明）。他の一例は、その検査部に対して基板の受け渡しを行わずに通過して、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行うことである（請求項１２に記載の発明）。

上述した発明において、検査部で合格するまで「基板の検査を行う」検査情報を設定し、搬送順序を決定する情報に基づいてその検査部に対して基板を順に受け渡して、その検査情報に基づいてその検査部で検査を順に行い、検査部で基板が合格すれば「基板の検査を行わない」検査情報を設定し、その合格した基板よりも後続の基板については、検査部で基板の検査を行わずに、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行う（請求項１３に記載の発明）のが好ましい。検査部で合格するまで検査部に対して基板を順に受け渡して検査を行い、検査部で基板が合格すればその合格した基板よりも後続の基板については検査部で基板の検査を行わないので、基板の検査について正しく行うことができるとともに、合格した基板よりも後続の基板については検査部に対して基板の受け渡しを行わずに検査部を含んだ基板処理のスループットを向上させることができる。

本発明に係る基板処理装置およびその方法によれば、（Ａ）／（ａ）搬送順序を決定する情報に基づいて処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、（Ｂ₁ ）／（ｂ₁ ）処理情報が「基板の処理を行う」ことを設定するものである場合には、処理情報に基づいてその処理部で基板の処理を行い、（Ｂ₂ ）／（ｂ₂ ）処理情報が「基板の処理を行わない」ことを設定するものである場合には、その処理部で基板の処理を行わずに、次の処理部に対して基板の受け渡しを行う。あるいは、（Ｃ）／（ｃ）搬送順序を決定する情報に基づいて検査部および処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、（Ｄ₁ ）／（ｄ₁ ）検査情報が「基板の検査を行う」ことを設定するものである場合には、検査情報に基づいてその検査部で基板の検査を行い、（Ｄ₂ ）／（ｄ₂ ）検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合には、その検査部で基板の検査を行わずに、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行う。このように「基板の処理／検査を行う」および「基板の処理／検査を行わない」（すなわち基板の処理／検査をスキップする）の双方について処理情報／検査情報によって操作することができる。また、その処理情報／検査情報は搬送順序を決定する情報に付随しているので、搬送順序自体を変更する必要はなく、処理情報／検査情報の設定に合わせて検査部を含んだ様々な基板処理を柔軟に行うことができる。

以下、図面を参照して本発明の実施例1を説明する。
図１は実施例１に係る基板処理装置の平面図、図２はその正面図、図３はは熱処理部の正面図である。

ここでは、半導体ウエハ（以下、単に「基板」という）に、反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、露光された基板に現像処理などの薬液処理を行う基板処理装置を例に採って説明する。もちろん、本発明に係る基板処理装置が取り扱い得る基板は、半導体ウエハに限らず、液晶表示器用のガラス基板など種々の基板を含む。また、薬液処理は、フォトレジスト膜などの塗布形成処理や現像処理に限らず、種々の薬液処理を含む。

図１を参照する。本実施例１に係る基板処理装置は大きく分けて、インデクサブロック１と、基板に対して所要の薬液処理を行う３つの処理ブロック（具体的には反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、および現像処理ブロック４）と、インターフェイスブロック５とからなり、これらのブロックを並設して構成されている。インターフェイスブロック５には、本実施例１に係る基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置（ステッパー）ＳＴＰが並設される。以下、各ブロックの構成を説明する。

まず、インデクサブロック１について説明する。インンデクサブロック１は、基板Ｗを多段に収納するカセットＣからの基板の取り出しや、カセットＣへの基板Ｗの収納を行う機構である。具体的には、複数個のカッセトＣを並べて載置するカセット載置台６と、各カセットＣから未処理の基板Ｗを順に取り出すとともに、各カセットＣへ処理済の基板Ｗを順に収納するインデクサ用搬送機構７とを備えている。インデクサ用搬送機構７は、カセット載置台６に沿って（Ｙ方向に）水平移動可能な可動台７ａを備えている。この可動台７ａに基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム７ｂが搭載されている。保持アーム７ｂは、可動台７ａ上を昇降（Ｚ方向）移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。

上述したインデクサブロック１に隣接して反射防止膜処理ブロック２が設けられている。図４に示すように、インデクサブロック１と反射防止膜処理ブロック２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３にインデクサブロック１と反射防止膜処理ブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ１はインデクサブロック１から反射防止膜処理ブロック２へ基板Ｗを払い出すために、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は反射防止膜処理ブロック２からインデクサブロック１へ基板Ｗを戻すために、それぞれ設けられている。反射防止膜処理ブロック２を基準にして言えば、基板載置部ＰＡＳＳ１は、反射防止膜処理ブロック２に基板Ｗを受け入れるための入口基板載置部に相当する。特に、インデクサブロック１から露光装置ＳＴＰに向かって流れる基板Ｗの搬送方向を順方向とした場合に、基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗを順方向に搬送するときに使われる送り用入口基板載置部に相当する。一方、基板載置部ＰＡＳＳ２は、反射防止膜処理ブロック２から基板Ｗを払い出すための出口基板載置部であり、特に、基板Ｗを逆方向（本実施例では、露光装置ＳＴＰからインデクサブロック１に向かって流れる基板Ｗの搬送方向）に搬送するときに使われる戻り用出口基板載置部に相当する。

基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は、隔壁１３を部分的に貫通して設けられている。なお、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は、固定設置された複数本の支持ピンから構成されており、この点は後述する他の基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０も同様である。また、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する図示しない光学式のセンサが設けられており、各センサの検出信号に基づいてインデクサ用搬送機構７や、後述する反射防止膜用処理ブロック２の第１の主搬送機構１０Ａが、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対して基板を受け渡しできる状態であるかどうかを判断するようになっている。同様のセンサは他の基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０にも設けられている。

反射防止膜処理ブロック２について説明する。反射防止膜処理ブロック２は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下部に反射防止膜を塗布形成するための機構である。具体的には、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成する反射防止膜用塗布処理部８と、反射防止膜の塗布形成に関連して基板Ｗを熱処理する反射防止膜用熱処理部９と、反射防止膜用塗布処理部８および反射防止膜用熱処理部９に対して基板Ｗの受け渡しをする第１の主搬送機構１０Ａとを備える。

反射防止膜処理ブロック２は、第１の主搬送機構１０Ａを挟んで反射防止膜用塗布処理部８と反射防止膜用熱処理部９とが対向して配置されている。具体的には、塗布処理部８が装置正面側に、熱処理部９が装置背面側に、それぞれ位置している。このように薬液処理部と熱処理部とを主搬送機構を挟んで対向配置する点は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４においても同様である。このような配置にすれば、薬液処理部と熱処理部とが隔たるので、薬液処理部が熱処理部から受ける熱的影響を抑えることができる。また、本実施例１では、熱処理部９の正面側に図示しない熱隔壁を設けて、反射防止膜用塗布処理部８への熱的影響を回避している。同様な熱隔壁は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４にも設けられている。

反射防止膜用塗布処理部８は、図２に示すように、同様の構成を備えた３つの反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃ（以下、特に区別しない場合は符号「８」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各塗布処理部８は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１１や、このスピンチャック１１上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を供給するノズル１２などを備えている。

反射防止膜用熱処理部９は、図３に示すように、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する複数個の加熱プレートＨＰ、加熱された基板Ｗを常温にまで冷却する複数個の冷却プレートＣＰ、レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する複数個のアドヒージョン処理部ＡＨＬなどの熱処理部を含む。これらの熱処理部９の下部には、ヒータコントローラ（ＣＯＮＴ）が配設され、また熱処理部９の上部（図３中に「×」印で示した個所）には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている。

反射防止膜用熱処理部９は、各熱処理部（ＨＰ，ＣＰ，ＡＨＬ）を上下に積層配置して構成されているとともに、積層配置された一群の熱処理部が複数例（本実施例では２列）にわたり並設されている。薬液処理部を上下に積層配置している点、および上下に積層配置した一群の熱処理部を複数列にわたり並設している点は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４においても同様である。

上述したように各処理ブロック２〜４で薬液処理部や熱処理部を上下に積層配置することにより、基板処理装置の占有スペースを小さくすることができる。また、積層配置した一群の記熱処理部を複数列にわたり並設することにより、熱処理部のメンテナンスが容易になるとともに、熱処理部に必要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなるという利点がある。

第１の主搬送機構１０Ａについて説明する。なお、後述する他のレジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４、およびインターフェイスブロック５にそれぞれ備えられた第２、第３、第４の各主搬送機構１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄも同様に構成されている。以下、第１〜第４の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄを特に区別しない場合は、主搬送機構１０として説明する。

図６を参照する。同図（ａ）は主搬送機構１０の平面図、（ｂ）はその正面図である。主搬送機構１０は、基板Ｗを水平姿勢で保持する２個の保持アーム１０ａ、１０ｂを上下に近接して備えている。保持アーム１０ａ、１０ｂは、先端部が平面視で「Ｃ」の字状になっており、この「Ｃ」の字状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピン１０ｃで基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。主搬送機構１０の基台１０ｄは装置基台に対して固定設置されている。この基台１０ｄ上に螺軸１０ｅが回転可能に立設支持されている。基台１０ｄに螺軸１０ｅを回転駆動するモータ１０ｆが設けられている。螺軸１０ｅに昇降台１０ｇが螺合されており、モータ１０ｆが螺軸１０ｅを回転駆動することにより、昇降台１０ｇがガイド軸１０ｊに案内されて昇降移動するようになっている。昇降台１０ｇ上にアーム基台１０ｈが縦軸心周りに旋回可能に搭載されている。昇降台１０ｇにはアーム基台１０ｈを旋回駆動するモータ１０ｉが設けられている。アーム基台１０ｈ上に上述した２つの保持アーム１０ａ、１０ｂが上下に配設されている。各保持アーム１０ａ、１０ｂは、アーム基台１０ｈ内に装備された駆動機構（図示せず）によって、各々が独立してアーム基台１０ｈの旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。

上述した反射防止膜処理ブロック２に隣接してレジスト膜処理ブロック３が設けられている。図４に示すように、反射防止膜処理ブロック２とレジスト膜処理ブロック３との間にも、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３に反射防止膜処理ブロック２とレジスト膜処理ブロック３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられている。

上述した基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２の場合と同様に、上側の基板載置部ＰＡＳＳ３が基板Ｗの払出し用、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４が基板Ｗの戻し用になっているとともに、これらの基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４は隔壁１３を部分的に貫通している。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ３は、反射防止膜処理ブロック２を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、レジスト膜処理ブロック３を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ４は、反射防止膜処理ブロック２を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、レジスト膜処理ブロック３を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。これらの基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するために水冷式の２つの冷却プレートＷＣＰが隔壁１３を貫通して上下に設けられている。

レジスト膜用処理ブロック３について説明する。レジスト膜用処理ブロック３は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を塗布形成する機構である。なお、本実施例では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト膜用処理ブロック３は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗにフォトレジスト膜を塗布形成するレジスト膜用塗布処理部１５と、フォトレジスト膜の塗布形成に関連して基板を熱処理するレジスト膜用熱処理部１６と、レジスト膜用塗布処理部１５およびレジスト膜用熱処理部１６に対して基板Ｗの受け渡しをする第２の主搬送機構１０Ｂとを備える。

レジスト膜用塗布処理部１５は、図２に示すように、同様の構成を備えた３つのレジスト膜用塗布処理部１５ａ〜１５ｃ（以下、特に区別しない場合は符号「１５」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各塗布処理部１５は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１７や、このスピンチャック１７上に保持された基板Ｗ上にレジスト膜用の塗布液を供給するノズル１８などを備えている。

レジスト膜用熱処理部１６は、図３に示すように、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する基板仮置部付きの複数個の加熱部ＰＨＰ、基板Ｗを常温にまで高い精度で冷却する複数個の冷却プレートＣＰなどの熱処理部を含む。各熱処理部が上下に積層されるとともに並列配置されている点は、反射防止膜用処理ブロック２の場合と同様である。

基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰについて説明する。
図７を参照する。同図（ａ）は加熱部ＰＨＰの破断側面図、（ｂ）は破断平面図である。加熱部ＰＨＰは、基板Ｗを載置して加熱処理をする加熱プレートＨＰと、この加熱プレートＨＰから離れた上方位置または下方位置（本実施例では上方位置）に基板Ｗを載置しておく基板仮置部１９と、加熱プレートＨＰと基板仮置部１９との間で基板Ｗを搬送する熱処理部用のローカル搬送機構２０とを備えている。加熱プレートＨＰには、プレート表面に出没する複数本の可動支持ピン２１が設けられている。加熱プレートＨＰの上方には加熱処理時に基板Ｗを覆う昇降自在の上蓋２２が設けられている。基板仮置部１９には基板Ｗを支持する複数本の固定支持ピン２３が設けられている。

ローカル搬送機構２０は、基板Ｗを水平姿勢で保持する保持プレート２４を備え、この保持プレート２４がネジ送り駆動機構２５によって昇降移動されるとともに、ベルト駆動機構２６によって進退移動されるようになっている。保持プレート２４は、これが加熱プレートＨＰや基板仮置部１９の上方に進出したときに、可動支持ピン２１や固定支持ピン２３と干渉しないように複数本のスリット２４ａが形成されている。また、ローカル搬送機構２０は、加熱プレートＨＰから基板仮置部１９へ基板Ｗを搬送する過程で基板を冷却する手段を備えている。この冷却手段は、例えば保持プレート２４の内部に冷却水流路２４ｂを設け、この冷却水流路２４ｂに冷却水を流通させることによって構成されている。

上述したローカル搬送機構２０は、加熱プレートＨＰおよび基板仮置部１９を挟んで第２の主搬送機構１０Ｂとは反対側、すなわち装置背面側に設置されている。そして、加熱プレートＨＰおよび基板仮置部１９を覆う筐体２７の上部、すなわち基板仮置部１９を覆う部位には、その正面側に第２の主搬送機構１０Ｂの進入を許容する開口部１９ａが、その背面側にはローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｂが、それぞれ設けられている。また、筐体２７の下部、すなわち加熱プレートＨＰを覆う部位は、その正面側が閉塞し、その背面側にローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｃが設けられている。

上述した加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの出し入れは以下のようにして行われる。まず、主搬送機構１０（レジスト膜用処理ブロック３の場合は、第２の主搬送機構１０Ｂ）が基板Ｗを保持して、基板仮置部１９の固定支持ピン２３の上に基板Ｗを載置する。続いてローカル搬送機構２０の保持プレート２４が基板Ｗの下側に進入してから少し上昇することにより、固定支持ピン２３から基板Ｗを受け取る。基板Ｗを保持した保持プレート２４は筐体２７から退出して、加熱プレートＨＰに対向する位置にまで下降する。このとき加熱プレートＨＰの可動支持ピン２１は下降しているとともに、上蓋２２は上昇している。基板Ｗを保持した保持プレート２４は加熱プレートＨＰの上方に進出する。可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを受け取った後に保持プレート２４が退出する。続いて可動支持ピン２１が下降して基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に載せるとともに、上蓋２２が下降して基板Ｗを覆う。この状態で基板Ｗが加熱処理される。加熱処理が終わると上蓋２２が上昇するとともに、可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを持ち上げる。続いて保持プレート２４が基板Ｗの下に進出した後、可動支持ピン２３が下降することにより、基板Ｗが保持プレート２４に受け渡される。基板Ｗを保持した保持プレート２４が退出して、さらに上昇して基板Ｗを基板仮置部１９に搬送する。基板仮置部１９内で保持プレート２４に支持された基板Ｗが、保持プレート２４が有する冷却機能によって冷却される。保持プレート２４は、冷却した（常温に戻した）基板Ｗを基板仮置部１９の固定支持ピン２３上に移載する。この基板Ｗを主搬送機構１０が取り出して搬送する。

以上のように、主搬送機構１０は、基板仮置部１９に対して基板Ｗの受け渡しをするだけで、加熱プレートＨＰに対して基板の受け渡しをしないので、主搬送機構１０が温度上昇するのを回避することができる。また、加熱プレートＨＰに基板Ｗを出し入れするための開口部１９ｃが、主搬送機構１０が配置された側とは反対側に位置しているので、開口部１９ｃから漏れ出た熱雰囲気で主搬送機構１０が温度上昇することがなく、またレジスト膜用塗布処理部１５が開口部１９ｃから漏れ出た熱雰囲気で悪影響を受けることもない。

上述したレジスト膜処理ブロック３に隣接して現像処理ブロック４が設けられている。図４に示すように、レジスト膜処理ブロック３と現像処理ブロック４との間にも、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられており、この隔壁１３に両処理ブロック３、４間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，６と、基板Ｗを大まかに冷却するために水冷式の２つの冷却プレートＷＣＰが上下に積層して設けられている。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ５は、レジスト膜処理ブロック３を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、現像処理ブロック４を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ６は、レジスト膜処理ブロック３を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、現像処理ブロック４を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。

現像処理ブロック４について説明する。現像処理ブロック４は、露光された基板Ｗに対して現像処理をする機構である。具体的には、露光された基板Ｗに現像処理をする現像処理部３０と、現像処理に関連して基板を熱処理する現像用熱処理部３１と、現像処理部３０および現像用熱処理部３１に対して基板Ｗの受け渡しをする第３の主搬送機構１０Ｃとを備える。

現像処理部３０は、図２に示すように、同様の構成を備えた５つの現像処理部３０ａ〜３０ｅ（以下、特に区別しない場合は符号「３０」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各現像処理部３０は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３２や、このスピンチャック３２上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル３３などを備えている。

現像用熱処理部３１は、図３に示すように、各々複数個の加熱プレートＨＰ、基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰ、冷却プレートＣＰなどの熱処理部を含む。各熱処理部が上下に積層されるとともに並列配置されている点は、他の処理ブロック２、３の場合と同様である。現像用熱処理部３１の右側（インターフェイスブロック５に隣接している側）の熱処理部の列には、現像処理ブロック４と、これに隣接するインターフェイスブロック５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７が基板Ｗの払出し用、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８が基板Ｗの戻し用になっている。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理ブロック４を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、インターフェイスブロック５を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ８は、現像処理ブロック４を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、インターフェイスブロック５を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。

インターフェイスブロック５について説明する。インターフェイスブロック５は、本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受け渡しをする機構である。本実施例装置におけるインターフェイスブロック５には、露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しをするためのインターフェイス用搬送機構３５の他に、フォトレジストが塗布された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光部ＥＥＷと、現像処理ブロック４内に配設された基板仮置部付きの熱処理部ＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷに対して基板Ｗを受け渡しする第４の主搬送機構１０Ｄを備えている。

エッジ露光部ＥＥＷは、図２に示すように、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３６や、このスピンチャック３６上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器３７などを備えている。２つのエッジ露光部ＥＥＷは、インターフェイスブロック５の中央部に上下に積層配置されている。このエッジ露光部ＥＥＷと現像処理ブロック４の熱処理部とに隣接して配置されている第４の主搬送機構１０Ｄは、図６で説明した主搬送機構１０と同様の構成を備えている。

図２および図５を参照する。図５はインターフェイスブロック５の側面図である。２つのエッジ露光部ＥＥＷの下側に、基板戻し用のバッファＲＢＦがあり、さらにその下側に２つの基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０が積層配置されている。基板戻し用のバッファＲＢＦは、故障などのために現像処理ブロック４が基板Ｗの現像処理をすることができない場合に、現像処理ブロック４の加熱部ＰＨＰで露光後の加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。このバッファＲＢＦは、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０は、第４の主搬送機構１０Ｄとインターフェイス用搬送機構３５との間で基板Ｗの受け渡しを行うためのもので、上側が基板払出し用、下側が基板戻し用になっている。

インターフェイス用搬送機構３５は、図１および図５に示すように、Ｙ方向に水平移動可能な可動台３５ａを備え、この可動台３５ａ上に基板Ｗを保持する保持アーム３５ｂを搭載している。保持アーム３５ｂは、昇降・旋回および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。インターフェイス用搬送機構３５の搬送経路の一端（図５中に示す位置Ｐ１）は、積層された基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０の下方にまで延びており、この位置Ｐ１で露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行う。また、搬送経路の他端位置Ｐ２では、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、送り用バッファＳＢＦに対する基板Ｗの収納と取り出しとを行う。送り用バッファＳＢＦは、露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するもので、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。

以上のように構成された基板処理装置は、インデクサブロック１、各処理ブロック２、３、４、およびインターフェイスブロック５内に清浄空気がダウンフローの状態で供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれて、外部環境からのパーティクルや汚染物質の侵入などを防いでいる。特に、反射防止膜用処理ブロック２内の気圧はインデクサブロク１内の気圧よりも高くなるように設定されている。これにより、インデクサブロック１内の雰囲気が反射防止膜用処理ブロック２に流入しないので、外部の雰囲気の影響を受けずに各処理ブロック２、３、４で処理を行うことができる。

次に本実施例１に係る基板処理装置の制御系、特に基板搬送に係る制御手法について説明する。
上述したインデクサブロック１、反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４、およびインターフェイスブロック５は、本実施例１に係る基板処理装置を機構的に分割した要素である。具体的には、各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置が構成されている（図８（ａ）参照）。

一方、本発明の特徴の１つとして、基板搬送に係る被制御ユニットの単位を機械的要素である各ブロックとは別に構成している。すなわち、基板に所要の処理を行う処理部と、前記処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構成し、前記被制御ユニットを並設して基板処理装置を構成している。各被制御ユニットには、その被制御ユニットに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その被制御ユニットから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられている。そして、各被制御ユニットの主搬送機構は、入口基板載置部と出口基板載置部とを介して、互いに基板の受け渡しを行い、かつ、各被制御ユニットの主搬送機構の基板受け渡し動作を少なくとも制御するユニット制御手段を各被制御ユニットごとに備え、各ユニット制御手段は、前記処理部に対する基板の受け渡しおよび前記基板載置部に対する基板の受け渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、各々独立して行うようになっている。

以下、本実施例１での装置における被制御ユニットの単位を「セル」という。実施例装置の制御系を構成する各セルの配置を図８（ｂ）に示す。

インデクサセルＣ１は、カセット載置台６とインデクサ用搬送機構７とを含む。このセルＣ１は、結果として機械的に分割した要素であるインデクサブロック１と同じ構成になっている。反射防止膜用処理セルＣ２は、反射防止膜用塗布処理部８と反射防止膜用熱処理部９と第１の主搬送機構１０Ａとを含む。このセルＣ２も、結果として機械的に分割した要素である反射防止膜用処理ブロック２と同じ構成になっている。レジスト膜用処理セルＣ３は、レジスト膜用塗布処理部１５とレジスト膜用熱処理部１６と第２の主搬送機構１０Ｂとを含む。このセルＣ３も、結果として機械的に分割した要素であるレジスト膜用処理ブロック３と同じ構成になっている。

一方、現像処理セルＣ４は、現像処理部３０と、露光後加熱に使われる熱処理部（実施例１では、加熱部ＰＨＰ）を除いた現像用熱処理部３１と、第３の主搬送機構１０Ｃとを含む。このセルＣ３は、露光後加熱に使われる加熱部ＰＨＰを含んでいない点で、機械的に分割した要素である現像処理ブロック４とは異なる構成になっている。

露光後加熱用処理セルＣ５は、露光された基板Ｗを現像前に加熱処理する露光後加熱用の熱処理部（実施例では、現像処理ブロック４に設けられた加熱部ＰＨＰ）と、エッジ露光部ＥＥＷと、第４の主搬送機構１０Ｄとを含む。このセルＣ５は、機械的に分割した要素である現像処理ブロック４とインターフェイスブロック５とにまたがるもので、本実施例装置の特徴的なセルである。このように露光後加熱用の熱処理部（加熱部ＰＨＰ）と第４の主搬送機構１０Ｄとを含んで１つのセルを構成しているので、露光された基板を速やかに加熱部ＰＨＰに搬入して熱処理を行うことができる。これは露光後の加熱を速やかに行う必要がある化学増幅型フォトレジストを用いた場合に好適である。

なお、上述した基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８は、現像処理セルＣ４の第３の主搬送機構１０Ｃと、露光後加熱用処理セルＣ５の第４の主搬送機構１０Ｄとの間の基板Ｗの受け渡しに介在する。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理セルＣ４を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ８は、現像処理セルＣ４を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。

インターフェイスセルＣ６は、外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受け渡しをするインターフェイス用搬送機構３５を含む。このセルＣ６は、第４の主搬送機構１０Ｄやエッジ露光部ＥＥＷを含まない点で、機械的に分割した要素であるインターフェイスブロック５とは異なる構成になっている。なお、上述した基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０は、露光後加熱用処理セルＣ５の第４の主搬送機構１０Ｄと、インターフェイス用搬送機構３５との間の基板Ｗの受け渡しに介在する。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ９は、露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、インターフェイスセルＣ６を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ１０は、露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、インターフェイスセルＣ６を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。

本実施例1での装置は、上述した６つのセルＣ１〜Ｃ６を並設して構成されており、各セルＣ１〜Ｃ６間の基板の受け渡しは、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０を介して行われる。換言すれば、単一の被制御ユニット（セル）は、単一の主搬送機構を含み、その主搬送機構が、特定の入口基板載置部から受け取った基板を特定の出口基板載置部に置くまでに、基板の受け渡しを行う処理部を含んで構成される。

図９（ａ）に示すように、セルＣ１〜Ｃ６は、各々のセルの主搬送機構（インデクサ用搬送機構７およびインターフェイス用搬送機構３５を含む）の基板受け渡し動作を少なくとも制御するセルコントローラ（ユニット制御手段）ＣＴ１〜ＣＴ６を個別に備えている。各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、所定の入口基板載置部に置かれた基板の受け取りから始まって、所定の出口基板載置部に基板を置くことによって完結する一連の制御を、各々独立して行うようになっている。具体的には、各セルＣ１〜Ｃ６のセルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、所定の基板載置部に基板を置いたという情報を、隣のセルのセルコントラーラに送り、その基板を受け取ったセルのセルコントローラは、所定の基板載置部から基板を受け取ったという情報を元のセルのセルコントローラに返すという情報のやり取りを行う。このような情報のやり取りは、各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６に接続されて、これらを統括的に管理するメインコントローラ（主制御手段）ＭＣを介して行われる。メインコントローラＭＣは、後述するデータ設定部ＨＣに接続され、データ設定部ＨＣとの間で通信可能に構成されている。

各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、隣接するセル内での主搬送機構の動きを考慮することなく、各セル内の基板の受け渡しだけを対象にして制御を進めている。従って、各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６の制御の負担が少なくなる。これに対して、従来の基板処理装置の制御手法によると、図９（ｂ）に示すように、各ブロック１〜５が基板処理のスケジュール管理用のコントローラＣＴ０に基板搬送に係る情報を与えて、コントローラＣＴ０が統括的に基板搬送を管理しているので、コントローラＣＴ１０の負担が多くなる。

以上のように本実施例１によれば各セルのコントローラＣＴ１〜ＣＴ６の制御負担が少なくなるので、それだけ基板処理装置のスループットを向上させることができる。また、図９（ｂ）に示した従来の制御手法によると、新たに処理部を追加すると、コントローラＣＴ０のスケジュール管理用のプログラムを大幅に修正する必要が生じるが、本発明に係る制御手法によれば、新たにセルを追加しても、隣接するセルに影響を与えないので、セルの追加を容易に行うことができる。追加するセルの種類は特に限定されないが、例えば、レジスト膜用処理セルＣ３と現像処理セルＣ４との間に、基板Ｗに塗布されたレジスト膜の厚みを検査したり、あるいは現像後のレジスト膜の線幅を検査する検査用セルを追加してもよい。この場合、検査用セルは、本実施例１での装置の他のセルと同様に、基板を検査する基板検査部と、この検査部に対して基板を搬送する基板検査用の主搬送機構とを含んで構成される。また、検査用セルと隣接セルとの間の基板の受け渡しは、入口基板載置部と出口基板載置部とを介して行われる。

なお、図９（ａ）に示した制御手法は、いわゆる分散制御と呼ばれるものである。本実施例１では、この分散制御に本発明を適用しているが、図９（ｂ）に示した従来の制御手法にも本発明を適用することができる。

次に、データ設定部ＨＣの具体的構成について図１０を参照して説明する。データ設定部ＨＣの入力部３８は、マウスやキーボード３８ａやタッチパネル３８ｂやボタンなどのポインティングデバイスで構成されており、オペレータが入力したデータを、メインコントローラＭＣ、さらには各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６に転送して、各セルに関する基板制御をそれぞれ行っている。また、メインコントローラＭＣには、図示を省略するＲＡＭ（Random Access Memory）などに代表される記憶部を備えており、各種のデータが記憶されている。

データ設定部ＨＣの画面は、このタッチパネル３８ｂで表示され、タッチパネル３８ｂの操作表示にしたがって、オペレータはタッチパネル３８ｂに直接触って、データの入力を行う。

本実施例１の場合には、データ設定部ＨＣの入力部３８にオペレータが入力することで、後述するフローレシピ（図１２参照）内のパラメータ（例えばスキップ制御フラグや基板処理条件などの処理情報）を設定変更し、設定変更されたパラメータをフローレシピごとメインコントローラＭＣ、さらには各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６に転送している。また、フローレシピは上述した記憶部に記憶されており、必要に応じて適宜読み出し、読み出されたフローレシピ内のパラメータを変更する可変レシピ機能を備えている。マウスやキーボード３８ａやタッチパネル３８ｂやボタンなどの入力部３８は、本発明における搬送順序設定手段と処理情報設定手段とに相当し、メインコントローラＭＣは、本発明における制御手段に相当する。

次に、本実施例１に係る基板処理装置の基本的な動作について図１１を参照して説明する。図１１（ａ）は反射防止膜用処理セルＣ２に関する基板のフローチャート、図１１（ｂ）はレジスト膜用処理セルＣ３に関する基板のフローチャート、図１１（ｃ）は現像処理セルＣ４に関する基板のフローチャート、図１１（ｄ）は露光後加熱用処理セルＣ５に関する基板のフローチャートである。

まず、インデクサセルＣ１（インデクサブロック１）のインデクサ用搬送機構７が、所定のカセットＣに対向する位置にまで水平移動する。続いて、保持アーム７ｂが昇降および進退移動することにより、そのカセットＣに収納されている未処理の基板Ｗを取り出す。保持アーム７ｂに基板Ｗを保持した状態で、インデクサ用搬送機構７が、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置にまで水平移動する。そして、保持アーム７ｂ上の基板Ｗを基板払出し用の上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板戻し用の下側の基板載置部ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合、インデクサ用搬送機構７は、その処理済みの基板Ｗを保持アーム７ｂ上に受け取って、所定のカッセトＣに処理済みの基板Ｗを収納する。以下、同様にカセットＣから未処理基板Ｗを取り出して基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送するとともに、処理済み基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２から受け取ってカセットＣに収納するという動作を繰り返し行う。

図１１（ａ）に示すように反射防止膜用処理セルＣ２では、順方向においては、基板載置部ＰＡＳＳ１（反射防止膜用処理セルＣ２を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）、冷却プレートＣＰ、反射防止膜用塗布処理部８、加熱プレートＨＰ、冷却プレートＷＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ３（反射防止膜用処理セルＣ２を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」）の順に基板Ｗが処理される。逆方向においては、ＰＡＳＳ４（反射防止膜用処理セルＣ２を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」）、基板載置部ＰＡＳＳ２（反射防止膜用処理セルＣ２を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）の順に基板Ｗが処理される。なお、図１１（ａ）中の符号ＢＡＲＣは反射防止膜用塗布処理部８を示している。

基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理基板Ｗが置かれると、セルＣ２の第１の主搬送機構１０Ａは、保持アーム１０ａ、１０ｂを基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置にまで一体に昇降および旋回移動させる。そして、一方の保持アーム１０ｂに保持している処理済みの基板Ｗを下側の戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ２に置き、その後、上側の送り用入口基板載置部ＰＡＳＳ１に置かれている未処理基板Ｗを、空の状態になった一方の保持アーム１０ｂを再び駆動して、その保持アーム１０ｂ上に受け取るという、保持アーム１０ｂだけを使った処理済み基板Ｗおよび未処理基板Ｗの受け渡し動作を行う。

具体的には、保持アーム１０ｂを前進移動させて戻り用出口基板載置部ＰＡＳＳ２上に処理済みの基板Ｗを置く。処理済みの基板Ｗを渡した保持アーム１０ｂは元の位置にまで後退する。続いて、保持アーム１０ａ、１０ｂを一体に少し上昇させた後、空の状態になった保持アーム１０ｂを再び前進移動させて送り用入口基板載置部ＰＡＳＳ１上の未処理基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。基板Ｗを受け取った保持アーム１０ｂは元の位置にまで後退する。

上述したように、本実施例１では、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する処理済み基板Ｗおよび未処理基板Ｗの受け渡し動作を保持アーム１０ｂだけを使って行っている。一方の保持アーム１０ａに保持した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に渡した後は、両方の保持アーム１０ａ、１０ｂは空の状態になっているので、いずれの保持アーム１０ａ、１０ｂを使っても基板載置部ＰＡＳＳ１の基板Ｗを受け取ることができる。しかし、本実施例１では、後述する説明から明らかになるように、加熱プレートＨＰで処理されて加熱された基板Ｗを、上側に配置された保持アーム１０ａで受け取るために、元々空の状態にあった保持アーム１０ａを使わずに、保持アーム１０ｂを再駆動して基板載置部ＰＡＳＳ１の基板Ｗを受け取るように構成してある。この基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する未処理基板Ｗおよび処理済み基板Ｗの受け渡しは、図１１（ａ）中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（１）に相当する。

基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第１の主搬送機構１０Ａは、基板Ｗを保持していない空の状態の保持アーム１０ａと、未処理基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、反射防止膜用熱処理部９の所定の冷却プレートＣＰに対向させる。通常、この冷却プレートＣＰには、先行処理されている基板Ｗが入っている。そこで、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。続いて未処理基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。冷却プレートＣＰに載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に、常温にまで精度よく冷却される。この冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ａ）中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（２）に相当する。

冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、所定の反射防止膜用塗布処理部８に対向させる。通常、この反射防止膜用塗布処理部８には、先行処理されている基板Ｗが入っている。そこで、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その反射防止膜用塗布処理部８にあるスピンチャック１１上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。続いて基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、基板Ｗをそのスピンチャック１１上に置く。スピンチャック１１上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に、反射防止膜が塗布形成される。このスピンチャック１１に対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ａ）中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（３）に相当する。

スピンチャック１１への基板Ｗの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、反射防止膜が塗布された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、所定の加熱プレートＨＰに対向させる。通常、この加熱プレートＨＰにも先行処理されている基板Ｗが入っているので、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱プレートＨＰ上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に置く。加熱プレートＨＰ上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に熱処理されて、基板Ｗ上の反射防止膜に含まれる余剰の溶剤が除去される。この加熱プレートＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ａ）中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（４）に相当する。

加熱プレートＨＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、隔壁１３に設置された水冷式の冷却プレートＷＣＰに対向させる。上述したと同様に、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＷＣＰ上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。続いて、保持アーム１０ａを前進移動させて、基板Ｗを冷却プレートＷＣＰ上に置く。冷却プレートＷＣＰ上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に大まかに冷却処理される。この冷却プレートＷＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ａ）中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（５）に相当する。

冷却プレートＷＣＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、大まかに冷却された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に上昇させて、冷却プレートＷＣＰの上方に配設されている基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対向させる。そして、保持アーム１０ｂを前進移動させて上側の基板載置部ＰＡＳＳ３上に基板Ｗを置く。通常、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４に、レジスト膜用処理セルＣ３を介して現像処理セルＣ４から送られてきた現像処理済みの基板Ｗが置かれている。そこで、保持アーム１０ａ、１０ｂを一体に少し下降させた後、空の状態になった保持アーム１０ｂを再び前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ４上の現像処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。この基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ａ）中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（６）に相当する。

反射防止膜用処理セルＣ２に備えられた第１の主搬送機構１０Ａは、上述した各搬送工程を繰り返し行う。ここで、図１１（ａ）に示す順方向と逆方向とを合計すると、６つの搬送工程を負担することになる。

上述した説明から明らかなように、加熱プレートＨＰで加熱処理された基板Ｗは、常に上側の保持アーム１０ａで保持される。加熱された基板Ｗからの熱的影響は上方に強く及ぶので、加熱された基板Ｗの影響で下側の保持アーム１０ｂが温度上昇するのを抑制することができる。この熱的影響をあまり受けていない下側の保持アーム１０ｂを使って、反射防止膜用処理セルＣ２から次のレジスト膜用処理セルＣ３に基板Ｗを払い出すようにしているので、レジスト膜の塗付処理を受ける基板Ｗの温度変動を抑制することができる。

なお、本実施例１の反射防止膜用処理セルＣ２は、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する基板Ｗの受け渡しと、基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しとの間に、偶数回の基板Ｗの受け渡し（すなわち図１１（ａ）で「ＣＰ」、「ＢＡＲＣ」、「ＨＰ」、「ＷＣＰ」で表した各処理に伴う基板Ｗの受け渡し」を行う。このような場合、必ずしも上述したように、一方の保持アーム１０ｂだけを使って基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗの受け渡しを行う必要はなく、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対してそれぞれ２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを使って基板Ｗの受け渡しを行っても、加熱処理された直後の基板Ｗを保持する保持アームを、一方の保持アーム１０ａに固定することはできる。

しかし、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する基板Ｗの受け渡しと基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しとの間に行われる基板Ｗの受け渡し回数（基板の受け渡しを伴う処理の回数）が奇数回になった場合（後述する露光後加熱用処理セルＣ５のような場合）に、上記のように基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４の両方に対して２つの保持アーム１０ａ、１０ｂ（１つの保持アームのみを使う場合も同様であるが）を使って基板Ｗの受け渡しを行うと、搬送行程の１サイクルごとに、基板Ｗを扱う保持アームが交互に入れ代わるので、加熱処理後の基板Ｗを一方の保持アーム１０ａだけで取り扱うことができなくなる。その結果、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂが加熱された基板Ｗから熱的影響を受けて蓄熱し、他の基板Ｗに熱的悪影響を与えるという不具合を招く。

これに対して、本実施例１では、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂのいずれかに基板Ｗを保持した状態で、２つの基板載置部に対して基板Ｗの受け渡しを行うにあたり、一方の保持アーム上の基板Ｗを先に一方の基板載置部に渡すことにより、一時的に２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを空の状態にしているので、他方の基板載置部上の基板Ｗをいずれの保持アーム１０ａ、１０ｂを使っても受け取ることができる。従って、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する基板Ｗの受け渡しと基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しとの間に、奇数回の基板Ｗの受け渡し（基板の受け渡しを伴う処理）がある場合には、一方の２つの基板載置部（例えば、上下に近接配置された送り用入口基板載置部と戻り用出口基板載置部）に対しては１つの保持アーム（例えば、保持アーム１０ｂ）を使って基板Ｗの受け渡しを行い、他方の２つの基板載置部（例えば、送り用出口基板載置部と戻り用入口基板載置部）に対しては２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを使って基板Ｗの受け渡しを行うことにより、各処理に伴う基板Ｗの受け渡しを常に同じ保持アームを使って行うことができる。すなわち、保持アーム１０ａ、１０ｂのうち、加熱プレートＨＰで加熱処理がなされた基板Ｗを受け取る保持アームが毎搬送サイクルとも同じになるという条件を満たすように、空の状態の保持アーム１０ａ、１０ｂのうちの１つを駆動して、入口基板載置部に置かれている基板を受け取るようにしているのである。従って、保持アーム１０ａ、１０ｂから基板Ｗに与える熱的影響を抑制することができ、また、保持アーム１０ａ、１０ｂから基板Ｗに対して何らかの熱的影響が仮にあったとしても、その熱的影響が基板Ｗごとに変動するということがなく、基板Ｗに対する熱的影響の「変動」を最小限度に抑えることができ、もって基板処理の品質を安定させることができる。

上記のような２つの基板載置部に対して一方の保持アーム１０ｂだけを使って基板Ｗの受け渡しをする手法は、後述する他の処理セルＣ２〜Ｃ４（ただし、露光後加熱用処理セルＣ５を除く）においても同様である。なお、本発明はこのような基板Ｗの受け渡し手法に限定されるものでなく、保持アームから基板Ｗに与える熱的影響を考慮する必要がない場合などでは、全ての基板載置部に対して２つの保持アームを使って基板Ｗの受け渡しを行っても良い。

図１１（ｂ）に示すようにレジスト膜用処理セルＣ３では、順方向においては、基板載置部ＰＡＳＳ３（レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）、冷却プレートＣＰ、レジスト膜用塗布処理部１５、加熱部ＰＨＰ、冷却プレートＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ５（レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」）の順に基板Ｗが処理される。逆方向においては、基板載置部ＰＡＳＳ６（レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」）、基板載置部ＰＡＳＳ４（レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）の順に基板Ｗが処理される。なお、図１１（ｂ）中の符号ＰＲはレジスト膜用塗布処理部１５を示している。

反射防止膜が塗付形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に置かれると、セルＣ３の第２の主搬送機構１０Ｂは、上述した第１の主搬送機構１０Ａの場合と同様に、一方の保持アーム１０ｂに保持した現像処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４上に置く。そして、基板載置部ＰＡＳＳ３上の基板Ｗを再び保持アーム１０ｂ上に受け取る。この基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｂ）中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（１）に相当する。

基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第２の主搬送機構１０Ｂは、空の状態の保持アーム１０ａと基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用熱処理部１６の所定の冷却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｂ）中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（２）に相当する。

冷却プレートＣＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、所定のレジスト膜用塗布処理部１５に対向する位置にまで移動させる。先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、そのレジスト膜用塗布処理部１５にあるスピンチャック１７上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、その基板Ｗをスピンチャック１７上に置く。スピンチャック１７上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｂが他の搬送動作を行っている間に、レジスト膜が塗布形成される。このスピンチャック１７に対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｂ）中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（３）に相当する。

スピンチャック１７への基板Ｗの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、レジスト膜が塗布形成された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、所定の基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰに対向させる。先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱部ＰＨＰ上の基板仮置部１９に載置されている処理済みの基板Ｗを受け取る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗを基板仮置部１９上に置く。基板仮置部１９上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｂが他の搬送動作を行っている間に、その加熱部ＰＨＰのローカル搬送機構２０によって、その加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰ上に移されて熱処理される。この加熱プレートＨＰ上で熱処理された基板Ｗは、同じローカル搬送機構２０によって基板仮置部１９に戻される。その基板Ｗは、ローカル搬送機構２０の保持プレート２４に保持されて基板仮置部１９に戻され、基板載置部２０内で保持プレート２４の冷却機構によって冷却される。この加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｂ）中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（４）に相当する。

加熱部ＰＨＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用熱処理部１６の冷却プレートＣＰに対向させる。そして、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗを冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｂ）中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（５）に相当する。

冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、冷却された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対向させる。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ５上に基板Ｗを置くとともに、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ６に載置されている現像処理済みの基板Ｗを再び保持アーム１０ｂで受け取る。この基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｂ）中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（６）に相当する。

レジスト膜用処理セルＣ３に備えられた第２の主搬送機構１０Ｂは、上述した各搬送工程を繰り返し行う。ここで、図１１（ｂ）に示す順方向と逆方向とを合計すると、第１の主搬送機構１０Ａと同様に６つの搬送工程を負担することになる。

図１１（ｃ）に示すように現像処理セルＣ４では、順方向においては、基板載置部ＰＡＳＳ５（現像処理セルＣ４を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）、基板載置部ＰＡＳＳ７（現像処理セルＣ４を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」）の順に基板Ｗが処理される。逆方向においては、ＰＡＳＳ８（現像処理セルＣ４を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」）、冷却プレートＣＰ、現像処理部３０、加熱プレートＨＰ、冷却プレートＷＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ６（現像処理セルＣ４を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）の順に基板Ｗが処理される。なお、図１１（ｃ）中の符号ＳＤは現像処理部３０を示している。

レジスト膜が塗付形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に置かれると、セルＣ４の第３の主搬送機構１０Ｃは、先ず保持アーム１０ｂに保持した現像処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６上に置き、その後、基板載置部ＰＡＳＳ５上の基板Ｗを再び保持アーム１０ｂ上に受け取る。この基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｃ）中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（１）に相当する。

基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第３の主搬送機構１０Ｃは、空の状態の保持アーム１０ａと基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の積層構造の中に配設された基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対向する位置にまで移動させる。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ７上に、レジスト膜が塗付形成された基板Ｗを置き、その後、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ８に載置されている露光後の加熱処理済みの基板Ｗを再び保持アーム１０ｂで受け取る。この基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｃ）中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（２）に相当する。

基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第３の主搬送機構１０Ｃは、空の状態の保持アーム１０ａと、露光後の加熱処理済みの基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の所定の冷却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｃ）中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（３）に相当する。

冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、所定の現像処理部３０に対向する位置にまで移動させる。先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その現像処理部３０にあるスピンチャック３２上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、その基板Ｗをスピンチャック３２上に置く。スピンチャック３２上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｃが他の搬送動作を行っている間に、現像処理される。このスピンチャック３２に対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｃ）中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（４）に相当する。

スピンチャック３２への基板Ｗの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、現像処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の所定の加熱プレートＨＰに対向させる。先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱プレートＨＰ上に載置されている処理済みの基板Ｗを受け取る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に置く。この加熱プレートＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｃ）中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（５）に相当する。

加熱プレートＨＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、加熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用処理セルＣ３の側にある隔壁１３に設置された水冷式の冷却プレートＷＣＰに対向させる。そして、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＷＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗを冷却プレートＷＣＰ上に置く。この冷却プレートＷＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｃ）中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（６）に相当する。

現像処理セルＣ４に備えられた第３の主搬送機構１０Ｃは、上述した各搬送工程を繰り返し行う。ここで、図１１（ｃ）に示す順方向と逆方向とを合計すると、第１、第２の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂと同様に６つの搬送工程を負担することになる。

図１１（ｄ）に示すように露光後加熱用処理セルＣ５では、順方向においては、基板載置部ＰＡＳＳ７（露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）、エッジ露光部ＥＥＷ、冷却プレートＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ９（露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」）の順に基板Ｗが処理される。逆方向においては、基板載置部ＰＡＳＳ１０（露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」）、加熱部ＰＨＰ、基板載置部ＰＡＳＳ８（露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）の順に基板Ｗが処置される。なお、図１１（ｄ）中の符号ＰＥＢは、露光済みの基板Ｗを加熱するための加熱部ＰＨＰを示しており、露光後加熱（Post Exposure Bake）を行うためのものである。

レジスト膜が塗付形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ７に置かれると、セルＣ５の第４の主搬送機構１０Ｄは、保持アーム１０ｂに保持した露光後加熱処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８上に置き、その後で基板載置部ＰＡＳＳ７上の基板Ｗを再び保持アーム１０ｂ上に受け取る。この基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｄ）中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（１）に相当する。

基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、空の状態の保持アーム１０ａと基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、所定のエッジ露光部ＥＥＷに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、そのエッジ露光部ＥＥＷのスピンチャック３６上にある周辺露光済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗをそのスピンチャック３６上に置く。スピンチャック３６上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｄが他の搬送動作を行っている間に、その周縁部が露光される。このスピンチャック３６に対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｄ）中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（２）に相当する。

スピンチャック３６に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、周辺露光された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１にある冷却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ａを前進移動させて、周辺露光された基板Ｗを冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｄ）中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（３）に相当する。

冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、空の状態の保持アーム１０ａと、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対向する位置にまで移動させる。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ９上に基板Ｗを置くとともに、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置されている、露光装置ＳＴＰで露光された基板Ｗを保持アーム１０ａで受け取る。この基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｄ）中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（４）に相当する。

なお、本実施例では、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対してだけ、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを使って基板Ｗの受け渡しを行っている。これは、反射防止膜用処理セルＣ２で説明したように、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８との間に後述する加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの受け渡しを（１回：奇数回）行う関係で、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対して一方の保持アーム１０ｂだけを使って基板の受け渡しを行うと、基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しに使う保持アームが、搬送行程の１サイクルごとに入れ代わるので、これを避けるためである。

基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｃは、露光済みの基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１にある所定の基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その加熱部ＰＨＰ（具体的には、基板仮置部１９の上）にある露光後の加熱処理済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ａを前進移動させて、露光済みの基板Ｗを加熱部ＰＨＰ（具体的には、基板仮置部１９の上）に置く。基板仮置部１９に置かれた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｄが他の搬送動作を行っている間に、ローカル搬送機構２０によって加熱プレートＨＰに移されて加熱処理された後に、同じくローカル搬送機構２０によって基板仮置部１９に戻され、基板仮置部１９内で冷却される。この加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｄ）中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（５）に相当する。

露光後加熱用処理セルＣ５に備えられた第４の主搬送機構１０Ｄは、上述した各搬送工程を繰り返し行う。ここで、図１１（ｄ）に示す順方向と逆方向とを合計すると、第１〜第３の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｃよりも１つ少ない５つの搬送工程を負担することになる。

インターフェイスセルＣ６の動作を説明する。周辺露光された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ９（インターフェイスセルＣ６を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）に置かれると、インターフェイスセルＣ６のインターフェイス用搬送機構３５が基板載置部ＰＡＳＳ９から基板Ｗを受け取って、隣接する露光装置ＳＴＰに渡す。さらに、インターフェイス用搬送機構３５は、露光装置ＳＴＰから露光済みの基板Ｗを受け取って、その基板を基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ１０（インターフェイスセルＣ６を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）に載せる。インターフェイス用搬送機構３５は、このような基板搬送動作を繰り返し行う。

次に、フローレシピおよびパラメータについて図１２を参照して説明する。図１２（ａ）は、フローレシピの全体の概要を示す図であって、図１２（ｂ）は、各フローレシピおよびパラメータの内容を示す図であって、図１２（ｃ）は、基板処理条件に係るパラメータの内容を示す図である。フローレシピは、処理部の温度・湿度や処理時間の条件などといった基板処理条件や、各々の処理部に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送順序などを設定するものであって、パラメータは、例えば後述するスキップ制御フラグや上述した基板処理条件などの処理情報であって、基板処理中に変更することが可能になるように構成されている。

図１２（ａ）に示すように、フローレシピ３９は、レシピ番号と各フローレシピとから構成されているとともに、レシピ番号の種類だけ各フローレシピを設定登録することができるように構成されている。上述したようにフローレシピ３９は、メインコントローラＭＣに備えられた記憶部に記憶されており、マウスやキーボード３８ａやタッチパネル３８ｂやボタンなどの入力部３８によって各フローレシピを設定することができる。

図１２（ｂ）に示すように、各々のフローレシピ４０は、搬送順序を決定する情報とそれに付随したパラメータとから構成されているとともに、パラメータは、基板処理条件とスキップ制御フラグとから構成されている。スキップ制御フラグは、各々の処理部に対して基板Ｗの処理を行うか否かを設定するものである。搬送順序は、例えば図１１（ａ）〜図１１（ｄ）に示すフローが設定されている。図１２（ｂ）の搬送順序では、レシピ番号の「１」には図１１（ａ）の反射防止膜用処理セルＣ２に関する順方向のフローが登録されており、レシピ番号の「２」には図１１（ｂ）のレジスト膜用処理セルＣ３に関する順方向のフローが登録されている。

パラメータのうち、基板処理条件に係るパラメータには、各々の搬送順序ごとに番号が割り当てられており、割り当てられた番号は、図１２（ｃ）に示すように具体的な基板処理条件４１にさらに割り当てられている。例えば、レシピ番号の「１」の搬送順序「ＣＰ」には、図１２（ｂ）に示すように基板処理条件の欄に番号「１」が割り当てられているが、「ＣＰ」の具体的な基板処理条件４１については、図１２（ｃ）に示すように「冷却温度」や「冷却時間」などが記載されており、割り当てられた番号「１」に対応する箇所に「冷却温度」や「冷却時間」などのように具体的な基板処理条件４１がさらに割り当てられる。同じように、レシピ番号の「１」の搬送順序「ＢＡＲＣ」には、図１２（ｂ）に示すように基板処理条件の欄に番号「２」が割り当てられているが、「ＢＡＲＣ」の具体的な基板処理条件４１については、図１２（ｃ）に示すように「塗布液の種類」や「スピンチャックの回転数」などが記載されており、割り当てられた番号「２」に対応する箇所に「塗布液の種類」や「スピンチャックの回転数」などのように具体的な基板処理条件４１がさらに割り当てられる。つまり、図１２（ｃ）に示す、これらの具体的な基板処理条件４１が、図１２（ｂ）に示す基板処理条件に対応することになる。

パラメータのうち、スキップ制御フラグには、各々の搬送順序における処理部ごとに「ＯＮ」または「ＯＦＦ」のいずれか１つが割り当てられており、フラグが「ＯＦＦ」の場合には、そのフラグにおける処理部で基板の処理を行い、フラグが「ＯＮ」の場合には、そのフラグにおける処理部で基板Ｗの処理を行わずに、次の処理部に対して基板Ｗの受け渡しを行う。すなわち、フラグが「ＯＮ」の場合には、そのフラグにおける処理部でスキップする。例えば、図１１（ａ）での反射防止膜用処理セルＣ２に関する順方向のフローにおいて加熱プレートＨＰでの加熱処理をスキップする場合には、図１２（ｂ）に示すレシピ番号の「１」におけるフローレシピ４０では、搬送順序「ＨＰ」におけるフラグは「ＯＮ」となり、それ以外の搬送順序「ＰＡＳＳ１」，「ＣＰ」，「ＢＡＲＣ」，「ＷＣＰ」，「ＰＡＳＳ３」における各フラグは「ＯＦＦ」となる。図１１（ｂ）でのレジスト膜用処理セルＣ３に関する順方向のフローにおいて冷却プレートＣＰでの冷却処理をスキップする場合には、図１２（ｂ）に示すレシピ番号の「２」におけるフローレシピ４０では、搬送順序「ＣＰ」におけるフラグは「ＯＮ」となり、それ以外の搬送順序「ＰＡＳＳ３」，「ＰＲ」，「ＰＨＰ」，「ＰＡＳＳ５」における各フラグは「ＯＦＦ」となる。レシピ番号の「２」の場合には、冷却プレートＣＰでの冷却処理は、「ＰＡＳＳ３」と「ＰＲ」との間の「ＣＰ」と、「ＰＨＰ」と「ＰＡＳＳ５」との間の「ＣＰ」と２つある。例えば「ＰＡＳＳ３」と「ＰＲ」との間の「ＣＰ」をスキップして、「ＰＨＰ」と「ＰＡＳＳ５」との間の「ＣＰ」を行う場合には、「ＰＡＳＳ３」と「ＰＲ」との間の「ＣＰ」におけるフラグを「ＯＮ」として、「ＰＨＰ」と「ＰＡＳＳ５」との間の「ＣＰ」におけるフラグを「ＯＦＦ」とすればよい。

これらの搬送順序およびスキップ制御フラグといったパラメータは基板処理中に変更することも可能となっており、マウスやキーボード３８ａやタッチパネル３８ｂやボタンなどの入力部３８によって各パラメータを設定変更することができる。なお、本実施例１では、並設しているセル間で基板Ｗの受け渡しが行われることから基板Ｗは基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ５を必ず通る。したがって、本実施例１では「ＰＡＳＳ１」，「ＰＡＳＳ３」，「ＰＡＳＳ５」における各フラグについては、入力部３８の設定に関わらず常に「ＯＦＦ」にするのが好ましい。

このように設定された基板処理条件やスキップ制御フラグなどのパラメータは、搬送順序を決定する情報に付随されて、記憶部に記憶されたフローレシピ３９を読み出して、設定されたこれらのパラメータに書き換える。スキップ制御フラグを例に採ると、図１３に示すように、入力部３８からの設定により「ＯＮ」または「ＯＦＦ」の設定が行われ、搬送順序を決定する情報に付随してメインコントローラＭＣに与えられて、記憶部に記憶されたフローレシピ３９を読み出して、設定されたフラグに関して「ＯＮ」または「ＯＦＦ」に書き換える。

書き換えられたフローレシピ３９内の各フローレシピ４０は、各セルに対応したセルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６に送られる。例えば、各フローレシピ４０において、レシピ番号の「１」には図１１（ａ）の反射防止膜用処理セルＣ２に関する順方向のフローが、レシピ番号の「２」には図１１（ｂ）のレジスト膜用処理セルＣ３に関する順方向のフローが、それぞれ登録されているが、図１３に示すように、レシピ番号「１」に係るフローレシピ４０が、反射防止膜用処理セルＣ２に対応したセルコントローラＣＴ２に送られるとともに、レシピ番号の「２」に係るフローレシピ４０が、レジスト膜用処理セルＣ３に対応したセルコントローラＣＴ３に送られる。このとき、各フローレシピ４０内のパラメータも搬送順序を決定する情報に付随して各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６に送られる。したがって、スキップする命令であるスキップ制御フラグの「ＯＮ」、または基板Ｗの処理を行う命令であるスキップ制御フラグの「ＯＦＦ」も搬送順序を決定する情報に付随して各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６に送られる。フローレシピ４０に関する各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６への送信は、基板処理の開始のときに行われる。

また、これらのパラメータは上述したように基板処理中に変更することができる。すなわち、基板処理の開始時にメインコントローラＭＣを介して各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６に送られた各フローレシ４０ピ内のパラメータは、各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６内の図示を省略する記憶部に一時的に記憶され、基板処理中にこれらのパラメータを書き換えることが可能である。スキップ制御フラグを例に採ると、レシピ番号の「２」に係るフローレシピ４０において、基板処理前に設定された冷却プレートＣＰでのスキップ制御フラグ「ＯＮ」（図１２（ｂ）参照）を、基板処理中に「ＯＦＦ」に変更するとともに、基板処理前に設定されたレジスト膜用塗布処理部１５でのスキップ制御フラグ「ＯＦＦ」（図１２（ｂ）では「ＰＲ」はレジスト膜用塗布処理部１５）を、基板処理中に「ＯＮ」に変更する場合には、基板処理中に入力部３８からの設定により「ＯＮ」または「ＯＦＦ」の設定が行われ、搬送順序「ＣＰ」，「ＰＲ」に付随されてメインコントローラＭＣを介してレジスト膜用処理セルＣ３に対応したセルコントローラＣＴ３に送られて、セルコントローラＣＴ３内の記憶部に記憶されたレシピ番号の「２」に係るフローレシピ４０を読み出して、設定されたフラグに関して「ＯＮ」または「ＯＦＦ」に書き換える。

次に、スキップ制御フラグが「ＯＮ」の場合、すなわち基板処理をスキップする場合での搬送について、反射防止膜用処理セルＣ２を例に採って説明する。ここで、反射防止膜用処理セルＣ２に関する順方向のフローにおいて加熱プレートＨＰでの加熱処理をスキップする（図１２（ｂ）を参照）場合、すなわちレシピ番号の「１」におけるフローレシピ４０において搬送順序「ＨＰ」における制御フラグを「ＯＮ」にして、それ以外の搬送順序「ＰＡＳＳ１」，「ＣＰ」，「ＢＡＲＣ」，「ＷＣＰ」，「ＰＡＳＳ３」における各フラグを「ＯＦＦ」にする場合での搬送について説明する。基板Ｗが「ＰＡＳＳ１」，「ＣＰ」，「ＢＡＲＣ」の順に搬送されて処理されるが、ここでの搬送における基板Ｗの受け渡しは、図１１（ａ）で説明した基板処理装置の基本的な動作と同じであるのでその説明を省略する。

「ＢＡＲＣ」、すなわち反射防止膜用塗布処理部８にあるスピンチャック１１上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂが受け取り、それに続いて未処理の基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、基板Ｗをそのスピンチャック１１上に置くと、空の状態の保持アーム１０ａと、反射防止膜が塗布された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、加熱プレートＨＰに対向させる。そして、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱プレートＨＰ上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取り、それに続いて保持アーム１０ｂを前進移動させて、基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に置く。通常の基板処理では、加熱プレートＨＰ上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に熱処理されて、基板Ｗ上の反射防止膜に含まれる余剰の溶剤が除去されるが、搬送順序「ＨＰ」における制御フラグが「ＯＮ」で加熱プレートＨＰでの加熱処理を行わずにスキップするので、他の搬送動作を行っている間に加熱プレートＨＰ上に基板Ｗを載せた状態で加熱処理を行わないように加熱プレートＨＰのヒータコントローラ（ＣＯＮＴ）（図３を参照）を制御する。

その後、基板Ｗは「ＷＣＰ」，「ＰＡＳＳ３」の順に搬送されて処理されるが、ここでの搬送における基板Ｗの受け渡しは、図１１（ａ）で説明した基板処理装置の基本的な動作と同じであるのでその説明を省略する。なお、処理を行わずにスキップする場合において、スキップの対象である加熱プレートＨＰに基板Ｗを載置せずに加熱プレートＨＰを通過して、「ＨＰ」の次の搬送順序である「ＷＣＰ」、すなわち水冷式の冷却プレートＷＣＰに基板Ｗを渡してもよい。

以上のように、本実施例１によれば、入力部３８が、主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄによる基板Ｗの搬送順序を含んだフローレシピ３９、各フローレシピ４０を設定するとともに、基板Ｗの処理情報であるパラメータも設定する。その搬送順序を決定する情報に図１２（ｂ）に示すようにパラメータが付随して、メインコントローラＭＣに転送されて与えられる。これらの情報が与えられたメインコントローラＭＣは、搬送順序を決定する情報と、これに付随する処理情報であるパラメータに基づき、（α）搬送順序を決定する情報に基づいて処理部に対して基板Ｗの受け渡しを行うとともに、（β₁ ）パラメータが「基板の処理を行う」ことを設定するものである場合には、すなわち本実施例１ではパラメータの１つであるスキップ制御フラグを「ＯＦＦ」に設定した場合には、そのフラグに基づいてフラグにおけるその処理部で基板Ｗの処理を行い、（β₂ ）パラメータが「基板の処理を行わない」ことを設定する場合には、すなわち本実施例１ではスキップ制御フラグを「ＯＮ」に設定した場合には、そのフラグにおける処理部で基板Ｗの処理を行わずに、次の処理部に対して基板Ｗの受け渡しを行うように、処理部および主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄを制御する。

スキップ制御フラグは、各々の処理部に対して基板Ｗの処理を行うか否かを設定する情報であるので、上述した（β₁ ），（β₂ ）のように「基板の処理を行う」および「基板の処理を行わない」（すなわち基板Ｗの処理をスキップする）の双方についてスキップ制御フラグによって操作することができる。また、そのスキップ制御フラグは搬送順序を決定する情報に付随しているので、搬送順序自体、さらにはフローレシピ３９，各フローレシピ４０全体を変更する必要はなく、スキップ制御フラグの設定に合わせて様々な基板処理を柔軟に行うことができる。

また、本実施例１では図９（ａ）に示した分散制御に本発明を適用していることで、隣接するセル間の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄの動きを考慮する必要がなくなる。すなわち、図９（ｂ）に示した従来の制御手法に本発明を適用した場合には、柔軟な基板処理によって生じた相互のセル（従来の場合ではブロック）の影響が生じ易い。例えば、図１２（ｂ）において、反射防止膜用処理セルＣ２に関する順方向のフローにおいて加熱プレートＨＰでの加熱処理をスキップする場合には「ＰＡＳＳ１」，「ＣＰ」，「ＢＡＲＣ」，「ＷＣＰ」，「ＰＡＳＳ３」の順で搬送が行われ、レジスト膜用処理セルＣ３に関する順方向のフローにおいて冷却プレートＣＰでの冷却処理をスキップする場合には「ＰＡＳＳ３」，「ＰＲ」，「ＰＨＰ」，「ＰＡＳＳ５」の順で搬送が行われ、搬送工程の数がブロック間で異なってくる。一方、分散制御の場合では、搬送工程の数が異なることで生じる待ち時間はセル間での基板載置部に基板Ｗを載置することで吸収されるので、以上の理由から、従来の制御手法と比較すると、搬送工程の数がセル間で異なったとしても、柔軟な基板処理によって生じた相互の各セルの影響が生じ難くなる。

なお、本実施例１では、反射防止膜用処理セルＣ２に関する順方向のフローおよびレジスト膜用処理セルＣ３に関する順方向のフローを例に採って説明したが、逆方向のフロー、あるいは他のセルに関する順方向または逆方向のフローについても同様である。

次に、本発明の実施例２を、図１４を参照して説明する。図１４（ａ）は、レジスト膜用処理セルＣ３でのレジスト膜用熱処理部１６に基板検査部Ｔ１を追加して配設した正面図であって、図１４（ｂ）は、反射防止膜処理セルＣ２とレジスト膜用処理セルＣ３との間にある基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に基板検査部Ｔ１を追加して配設した正面図である。

なお、本実施例２でのパラメータは、基板Ｗの処理情報のみならず、基板Wの検査を行うか否かを設定する検査情報も含んでいる。また、上述した実施例１でのスキップ制御フラグは、各々の処理部に対して基板Ｗの処理を行うか否かを設定するものであったが、本実施例２でのスキップ制御フラグは、実施例１でのフラグの機能の他に、基板検査部に対して基板Ｗの検査を行うか否かを設定する情報も備えている。したがって、本実施例２での入力部３８は、本発明における搬送順序設定手段と処理情報設定手段と検査情報設定手段とに相当する。

実施例２では、図１４（ａ）に示すように、レジスト膜用処理セルＣ３でのレジスト膜用熱処理部１６に、基板Ｗに塗布された反射防止膜の厚みを検査する基板検査部Ｔ１を配設している。具体的には、加熱部ＰＨＰや冷却プレートＣＰなどによる熱の影響を防止するために、配管配線部や、予備の空きスペース（図１４（ａ）中に「×」印で示した個所）を間に介在させてもっとも上部に基板検査部Ｔ１を配設している。膜厚の断面を行って膜厚を測定する走査顕微鏡（ＳＥＭ）または、膜厚を形成する領域とそれ例外の領域とからの分光反射スペクトルに基づいて膜厚を測定する分光器で構成されている。なお、図１４（ｂ）に示すように、反射防止膜処理セルＣ２とレジスト膜用処理セルＣ３との間で基板Ｗの受け渡しを行う基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４の上部あるいは下部に近接して基板検査部Ｔを配設してもよい。

次に、本実施例２でのフローレシピおよびパラメータについて図１５を参照して説明するとともに、スキップ制御フラグの設定の手順について図１６を参照して説明する。図１５は、基板検査部Ｔ１を追加したときのフローレシピおよびパラメータの内容を示す図であって、図１５（ａ）は、スキップ制御フラグの「ＯＦＦ」の設定時での内容、図１５（ｂ）は、スキップ制御フラグの「ＯＮ」の設定時での内容をそれぞれ示す図であって、図１６は、スキップ制御フラグの設定を示すフローチャートである。

図１５に示すレシピ番号の「２」に係るフローレシピ４０は、実施例１における図１２（ｂ）に示すレシピ番号の「２」に係るフローレシピ４０と同様に、搬送順序を決定する情報とそれに付随したパラメータとから構成されているとともに、パラメータは、基板処理条件とスキップ制御フラグとから構成されている。搬送順序は、図１２（ｂ）に示す搬送順序に、搬送順序「Ｔ１」を追加した形となっており、レジスト膜用熱処理部１６に基板検査部Ｔ１を配設する場合（図１４（ａ）参照）には、図１５に示すように基板載置部ＰＡＳＳ３での受け渡し後であって、冷却プレートＣＰによる冷却処理前に基板検査部Ｔ１による反射防止膜の厚みの検査を行うように設定されている。なお、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４の上部あるいは下部に近接して基板検査部Ｔを配設する場合（図１４（ｂ）参照）には、基板載置部ＰＡＳＳ３での受け渡し前に基板検査部Ｔ１による検査を行う、あるいは受け渡しを兼用して基板検査部Ｔ１による検査を行うように搬送順序を設定すればよい。以下、レジスト膜用熱処理部１６に基板検査部Ｔ１を配設する場合において説明する。

基板処理の開始前において、図１５（ａ）に示すように、搬送順序「Ｔ１」も含めて全ての搬送順序でスキップ制御フラグを「ＯＦＦ」に設定する（ステップＳ１）。これにより基板処理中において基板Ｗは「ＰＡＳＳ３」，「Ｔ１」，「ＣＰ」，「ＰＲ」，「ＰＨＰ」，「ＣＰ」，「ＰＡＳＳ５」の順に搬送されて検査および処理が行われる。これらの設定によってフローレシピ４０を、レジスト膜用処理セルＣ３に対応したセルコントローラＣＴ３に送信して、基板検査および基板処理を開始する。基板処理を開始し、反射防止膜塗布形成後の最初の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されたら、この最初の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３から受け取る（ステップＳ２）。

一連の反射膜用塗布処理が終了した基板Ｗが基板検査部Ｔ１で検査で合格したか否かを判断する（ステップＳ３）。基板Ｗが合格していなければ、反射防止膜塗布形成後の後続の基板Ｗについても基板Ｗの検査を行う必要があることから、搬送順序「Ｔ１」でのスキップ制御フラグを「ＯＦＦ」のままで設定する。後続の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されたら、この後続の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３から受け取る（ステップＳ４）。そしてステップＳ３に戻って後続の基板Ｗについても検査を行う。基板Ｗが合格するまでステップＳ３とＳ４との処理を繰り返し行う。なお、検査時には前の基板Ｗとは別の条件で検査を行うようにする。また、不合格の基板Ｗについてはレジスト膜用塗布処理を行わないように待機状態にする。

基板Ｗが合格していれば、後続の基板Ｗについては基板Ｗの検査を行う必要がないので、搬送順序「Ｔ１」でのスキップ制御フラグを「ＯＮ」に変える（ステップＳ５）。この時点では、基板処理中であるので可変レシピ機能を利用する。すなわち、基板処理開始時にメインコントローラＭＣを介してセルコントローラＣＴ３に送られたフローレシピ４０内のパラメータは、セルコントローラＣＴ３内の図示を省略する記憶部に一時的に記憶され、基板処理中におけるスキップ制御フラグの「ＯＮ」の設定変更時に、フラグを「ＯＦＦ」から「ＯＮ」に書き換える。このときのフローレシピ４０およびパラメータは、図１５（ｂ）に示すような内容となる。なお、スキップ制御フラグを「ＯＮ」に変える場合には、入力部３８から入力を手動で行う形態であってもよいし、基板Ｗの合格後にフラグを「ＯＮ」に自動的に設定してセルコントローラＣＴ３に送信する手順のプログラムをデータ設定部ＨＣに記憶してそのプログラムから実行するようにしてもよい。

搬送順序「Ｔ１」でのスキップ制御フラグを「ＯＮ」に変えて後続の基板Ｗについて基板検査部Ｔ１での検査をスキップして、検査をスキップした後続の基板Ｗについては、通常のレジスト膜用塗布処理を行うべく「ＣＰ」，「ＰＲ」，「ＰＨＰ」，「ＣＰ」，「ＰＡＳＳ５」の順で搬送して処理を行う（ステップＳ６）。

このことから明らかなように、基板検査部Ｔ１で合格するまで「基板の検査を行う」スキップ制御フラグを設定、すなわち基板検査部Ｔ１でのフラグを「ＯＦＦ」に設定し、その基板検査部Ｔ１に対して基板Ｗを順に受け渡して、そのフラグに基づいてその基板検査部Ｔ１で検査を順に行い、基板検査部Ｔ１で基板Ｗが合格すれば「基板の検査を行わない」スキップ制御フラグを設定、すなわち基板検査部Ｔ１でのフラグを「ＯＮ」に設定し、その合格した基板Ｗよりも後続の基板Ｗについては、基板検査部Ｔ１で基板Ｗの検査を行わずに、基板検査部が他にあれば次の基板検査部または処理部（本実施例２では「ＣＰ」，「ＰＲ」，「ＰＨＰ」，「ＣＰ」，「ＰＡＳＳ５」）に対して基板の受け渡しを行う。基板検査部Ｔ１で合格するまで基板検査部Ｔ１に対して基板Ｗを順に受け渡して検査を行い、基板検査部Ｔ１で基板Ｗが合格すればその合格した基板Ｗよりも後続の基板Ｗについては基板検査部Ｔ１で基板Ｗの検査を行わないので、基板Ｗの検査について正しく行うことができるとともに、合格した基板Ｗよりも後続の基板Ｗについては基板検査部Ｔ１に対して基板Ｗの受け渡しを行わずに基板検査部Ｔ１を含んだ基板処理のスループットを向上させることができる。

以上のように、本実施例２によれば、入力部３８が、主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄによる基板Ｗの搬送順序を含んだフローレシピ４０を設定するとともに、基板Ｗの処理情報／検査情報であるパラメータも設定する。その搬送順序を決定する情報には図１２（ｂ）に示すように基板の処理情報／検査情報であるパラメータが付随して、メインコントローラＭＣに転送されて与えられる。これらの情報が与えられたメインコントローラＭＣは、搬送順序を決定する情報と、これに付随する処理情報／検査情報であるパラメータに基づき、（γ）搬送順序を決定する情報に基づいて基板検査部および処理部に対して基板Ｗの受け渡しを行うとともに、（δ₁ ）パラメータが「基板の検査を行う」ことを設定するものである場合には、すなわち本実施例２ではパラメータの１つであるスキップ制御フラグを「ＯＦＦ」に設定した場合には、そのフラグに基づいてフラグにおけるその基板検査部で基板Ｗの検査を行い、（δ₂ ）パラメータが「基板の検査を行わない」ことを設定する場合には、すなわち本実施例２ではスキップ制御フラグを「ＯＮ」に設定した場合には、そのフラグにおける基板検査部で基板Ｗの検査を行わずに、基板検査部が他にあれば次の基板検査部または処理部に対して基板Ｗの受け渡しを行うように、基板検査部，処理部，および主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄを制御する。

スキップ制御フラグは、各々の処理部に対して基板Ｗの処理を行うか否かを設定する情報であるとともに、基板検査部に対して基板Ｗの検査を行うか否かを設定する情報でもあるので、上述した（δ₁ ），（δ₂ ）のように「基板の検査を行う」および「基板の検査を行わない」（すなわち基板Ｗの検査をスキップする）の双方についてスキップ制御フラグによって操作することができる。また、そのスキップ制御フラグは搬送順序を決定する情報に付随しているので、搬送順序自体、さらにはフローレシピ４０全体を変更する必要はなく、スキップ制御フラグの設定に合わせて基板検査部を含んだ様々な基板処理を柔軟に行うことができる。

なお、基板検査部Ｔ１で基板Ｗの検査を行わずに、次の基板検査部または処理部に対して基板Ｗの受け渡しを行う場合には、基板検査部Ｔ１に対して基板Ｗを載置した状態で基板Ｗの検査を行わずに、その基板検査部Ｔ１から次の基板検査部または処理部に基板Ｗを受け渡してもよいし、その基板検査部Ｔ１に対して基板Ｗの受け渡しを行わずに通過して、次の基板検査部または処理部に対して基板Ｗを受け渡してもよい。ただ、基板Ｗの検査を行わない処理が通常の基板処理であるので、後者のように基板検査部Ｔ１に対して基板Ｗの受け渡しを行わずに通過して受け渡しを行うのが好ましく、基板処理のスループットを向上させることができる。

また、上述した実施例１，２から明らかなように、基板検査部Ｔによる基板Ｗの検査を追加することによって実施例１と実施例２との間で搬送工程の数が異なる。通常の基板処理は、基板Ｗの検査を行わない実施例１に係る処理であって、実施例２に係る処理は、検査を追加した特別の処理である。したがって、実施例１に係るフローレシピで実施例２に係る検査を追加した処理を行おうとすると、新たにフローレシピを作成しなければならない。これは、基板の検査のみ限定されずに、基板の処理を新たに追加して特別の処理を行う場合にも同様のことが言える。そこでかかる特別の処理を考慮して、基板Ｗが処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定する、あるいは基板Ｗが検査し得る全ての基板検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定するようにスキップ制御フラグを設定するのが好ましい。つまり、特別の基板処理をも考慮してフローレシピを作成するのが好ましい。そして、通常の基板処理を行う場合には、特別の基板処理に係る搬送順序のスキップ制御フラグを「ＯＮ」にして、特別の基板処理を行う場合には、特別の基板処理に係る搬送順序のスキップ制御フラグを「ＯＦＦ」にすればよい。

このように、基板Ｗが処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定する、あるいは基板Ｗが検査し得る全ての基板検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定するようにスキップ制御フラグを設定することで、以下のような効果を奏する。すなわち、処理部の場合には、最大限では基板Ｗが処理し得る全ての処理部に対して基板Ｗの処理を行うことができるとともに、最小限では全ての処理部に対して基板Ｗの処理を行わずに搬送のみを行うことができるように、様々な基板処理をより一層柔軟に行うことができる。そして基板検査部の場合には、最大限では基板Ｗが検査し得る全ての基板検査部に対して基板Ｗの検査を行うことができるとともに、最小限では全ての基板検査部に対して基板Ｗの検査を行わずに搬送のみを行うことができるように、基板検査部を含んだ様々な基板処理をより一層柔軟に行うことができる。

本実施例２では、基板Ｗに塗布された反射防止膜の厚みを検査する基板検査部Ｔ１を例に採って説明したが、他の検査を行う検査部、例えば基板Ｗに塗布されたレジスト膜の厚みを検査したり、あるいは現像後のレジスト膜の線幅を検査する検査部についても同様である。また、同一セルに基板検査部を２つ以上備えた場合にも本発明を適用することができる。

本発明は、上述した実施例のものに限らず、例えば次のように変形実施することができる。

（１）上述した実施例１，２では、各々のセルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６が、各セル内の基板の受け渡しだけを対象にした制御、いわゆる分散制御であったが、処理ブロックを並設して構成される基板処理装置にも本発明を適用することができる。この場合には、並設された複数個の処理ブロックで順に行われる。各処理ブロックでは各々の主搬送機構が、隣接する処理ブロックから入口基板載置部を介して受け入れられた基板の搬送、処理部に対して基板の受け渡し、および隣接する処理ブロックへ出口基板載置部を介して払い出す基板の搬送を並行して行う。つまり、各処理ブロックの主搬送機構は同時並行的に作動する。

（２）上述した実施例１，２では、各セルＣ１〜Ｃ６内のフローレシピについて搬送順序を決定する情報にパラメータを付随させたが、各セルを処理部の単位としてみた場合には、基板処理は、インデクサセルＣ１、反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、露光後加熱用処理セルＣ５、インターフェイスセルＣ６、露光後加熱用処理セルＣ５、現像処理セルＣ４、インデクサセルＣ１の順に処理されるフローレシピからなるとも言える。したがって、図１７に示すように、フローレシピ４２を、セル間に関する搬送順序を決定する情報とそれに付随したパラメータとで構成してもよい。パラメータについては、実施例１でも説明したように、基板処理条件とスキップ制御フラグとで構成する。例えば、反射防止膜用処理セルＣ２での一連の反射防止膜塗布処理をスキップする場合には、図１７に示すように、スキップ制御フラグを「ＯＮ」にすればよい。また、各セル間に検査用セルを追加する場合もそのセルを基板検査部として取り扱えば、実施例２と同じように検査用セルについてもスキップ制御フラグを設定することができる。

（３）上述した実施例１，２と、変形例（２）とを組み合わせてもよい。すなわち、図１８（ａ）に示すように、フローレシピ４２を、変形例（２）と同じようにセル間に関する搬送順序を決定する情報とそれに付随したスキップ制御フラグとで構成し、搬送順序とレシピ番号とをそれぞれ対応させる。そして、図１８（ｂ）に示すように各セルでのレシピに対応して各フローレシピ４３を、実施例１，２と同じように搬送順序とそれに付随したパラメータとでさらに構成する。図１８（ｂ）では、レシピ番号の「３」に係るフローレシピ、すなわちレジスト膜用処理セルＣ３に関する順方向のフローを図示している。

本発明の一実施例に係る基板処理装置の概略構成を示した平面図である。 実施例１での装置の概略構成を示した正面図である。 熱処理部の正面図である。 隔壁に設けられた基板載置部の周辺構成を示す破断正面図である。 インターフェイスブロックの概略構成を示す側面図である。 （ａ）は主搬送機構の概略構成を示す平面図、（ｂ）はその正面図である。 （ａ）は基板仮置部付きの加熱部の破断側面図、（ｂ）は破断平面図である。 （ａ）は実施例１での装置のブロック配置を示した平面図、（ｂ）は実施例１での装置のセル配置を示した平面図である。 （ａ）は実施例１での装置の制御系を示したブロック図、（ｂ）は比較のために示した従来装置の制御系のブロック図である。 実施例１での装置のデータ設定部の構成を示した図である。 （ａ）〜（ｄ）は、基板処理装置の基本的な動作の説明に供するフローチャートである。 （ａ）は、フローレシピの全体の概要を示す図であって、（ｂ）は、各フローレシピおよびパラメータの内容を示す図であって、（ｃ）は、基板処理条件に係るパラメータの内容を示す図である。 制御系における各データの流れを示す図である。 （ａ）は、レジスト膜用処理セルでのレジスト膜用熱処理部に基板検査部を追加して配設した正面図であって、（ｂ）は、反射防止膜処理セルとレジスト膜用処理セルとの間にある基板載置部に基板検査部を追加して配設した正面図である。 （ａ）は、スキップ制御フラグの「ＯＦＦ」の設定時での内容を示す図であって、（ｂ）は、スキップ制御フラグの「ＯＮ」の設定時での内容を示す図である。 実施例２に係るスキップ制御フラグの設定を示すフローチャートである。 変形例に係るフローレシピおよびパラメータの内容を示す図である。 （ａ），（ｂ）は、さらなる変形例に係るフローレシピおよびパラメータの内容を示す図である。 本発明とは別の発明に係る基板のフローチャートである。

符号の説明

ＣＴ１〜ＣＴ６ …セルコントローラ
ＭＣ …メインコントローラ
ＨＣ …データ設定部
３８ …入力部
３９，４０ …フローレシピ
Ｗ …基板

Claims (13)

1. 基板処理を行う複数の処理部と、各々の処理部に対して基板の受け渡しを行う搬送機構と、処理部および搬送機構を制御する制御手段とを備えた基板処理装置であって、
   搬送機構による基板の搬送順序を設定する搬送順序設定手段と、
   基板の処理情報を設定する処理情報設定手段とを備え、
   処理情報は、各々の処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定する情報であって、
   その処理情報が、搬送順序を決定する情報に付随して制御手段に与えられ、
   制御手段は、搬送順序を決定する情報と、これに付随する処理情報に基づき、次のように処理部および搬送機構を制御する、
   （Ａ）搬送順序を決定する情報に基づいて処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、
   （Ｂ₁ ）処理情報が「基板の処理を行う」ことを設定するものである場合には、処理情報に基づいてその処理部で基板の処理を行い、
   （Ｂ₂ ）処理情報が「基板の処理を行わない」ことを設定するものである場合には、その処理部で基板の処理を行わずに、次の処理部に対して基板の受け渡しを行う
   ことを特徴とする基板処理装置。
2. 基板の検査を行う検査部と、基板処理を行う複数の処理部と、検査部および各々の処理部に対して基板の受け渡しを行う搬送機構と、検査部，処理部，および搬送機構を制御する制御手段とを備えた基板処理装置であって、
   搬送機構による基板の搬送順序を設定する搬送順序設定手段と、
   基板の検査情報を設定する検査情報設定手段とを備え、
   検査情報は、検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定する情報であって、
   その検査情報が、搬送順序を決定する情報に付随して制御手段に与えられ、
   制御手段は、搬送順序を決定する情報と、これに付随する検査情報に基づき、次のように検査部，処理部，および搬送機構を制御する、
   （Ｃ）搬送順序を決定する情報に基づいて検査部および処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、
   （Ｄ₁ ）検査情報が「基板の検査を行う」ことを設定するものである場合には、検査情報に基づいてその検査部で基板の検査を行い、
   （Ｄ₂ ）検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合には、その検査部で基板の検査を行わずに、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行う
   ことを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
   前記装置は、前記処理部と搬送機構とを含んで、あるいは前記検査部と処理部と搬送機構とを含んで単一の処理ブロックを構成し、処理ブロックを並設して構成されており、
   各処理ブロックには、その処理ブロックに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その処理ブロックから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられており、
   各処理ブロックの搬送機構は、入口基板載置部と出口基板載置部とを介して基板の受け渡しを行うことを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
   前記装置は、前記処理部と搬送機構とを含んで、あるいは前記検査部と処理部と搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構成し、前記被制御ユニットを並設して構成されており、
   各被制御ユニットには、その被制御ユニットに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その被制御ユニットから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられており、
   各被制御ユニットの搬送機構は、入口基板載置部と出口基板載置部とを介して基板の受け渡しを行い、
   かつ、各被制御ユニットの搬送機構の基板受け渡し動作を少なくとも制御するユニット制御手段を各被制御ユニットごとに備え、
   各ユニット制御手段は、処理部あるいは検査部に対する基板の受け渡しおよび基板載置部に対する基板の受け渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、各々独立して行うことを特徴とする基板処理装置。
5. 各々の処理部に対して基板の受け渡しを行い、渡された処理部で基板処理を行う基板処理方法であって、
   各々の処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定する処理情報が基板の搬送順序を決定する情報に付随しており、
   （ａ）搬送順序を決定する情報に基づいて処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、
   （ｂ₁ ）処理情報が「基板の処理を行う」ことを設定するものである場合には、処理情報に基づいてその処理部で基板の処理を行い、
   （ｂ₂ ）処理情報が「基板の処理を行わない」ことを設定するものである場合には、その処理部で基板の処理を行わずに、次の処理部に対して基板の受け渡しを行う
   ことを特徴とする基板処理方法。
6. 請求項５に記載の基板処理方法において、
   基板が処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定するように前記処理情報を設定することを特徴とする基板処理方法。
7. 請求項５または請求項６に記載の基板処理方法において、
   前記（ｂ₂ ）の処理情報が「基板の処理を行わない」ことを設定するものである場合には、その処理部に対して基板を受け渡した状態で基板の処理を行わずに、その処理部から次の処理部に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とする基板処理方法。
8. 請求項５または請求項６に記載の基板処理方法において、
   前記（ｂ₂ ）の処理情報が「基板の処理を行わない」ことを設定するものである場合には、その処理部に対して基板の受け渡しを行わずに通過して、次の処理部に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とする基板処理方法。
9. 検査部および各々の処理部に対して基板の受け渡しを行い、渡された検査部で基板の検査を行うとともに、渡された処理部で基板処理を行う基板処理方法であって、
   検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定する検査情報が基板の搬送順序を決定する情報に付随しており、
   （ｃ）搬送順序を決定する情報に基づいて検査部および処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、
   （ｄ₁ ）検査情報が「基板の検査を行う」ことを設定するものである場合には、検査情報に基づいてその検査部で基板の検査を行い、
   （ｄ₂ ）検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合には、その検査部で基板の検査を行わずに、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行う
   ことを特徴とする基板処理方法。
10. 請求項９に記載の基板処理方法において、
    基板が検査し得る全ての検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定するように前記検査情報を設定することを特徴とする基板処理方法。
11. 請求項９または請求項１０に記載の基板処理方法において、
    前記（ｄ₂ ）の検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合には、その検査部に対して基板を受け渡した状態で基板の検査を行わずに、その検査部から次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とする基板処理方法。
12. 請求項９または請求項１０に記載の基板処理方法において、
    前記（ｄ₂ ）の検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合には、その検査部に対して基板の受け渡しを行わずに通過して、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とする基板処理方法。
13. 請求項９から請求項１２のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記検査部で合格するまで「基板の検査を行う」検査情報を設定し、搬送順序を決定する情報に基づいてその検査部に対して基板を順に受け渡して、その検査情報に基づいてその検査部で検査を順に行い、
    検査部で基板が合格すれば「基板の検査を行わない」検査情報を設定し、その合格した基板よりも後続の基板については、検査部で基板の検査を行わずに、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とする基板処理方法。
    

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