JP2024006924A - 基板搬送方法、基板処理装置及びプログラム - Google Patents

Abstract

【課題】露光後の基板間での搬送状態のばらつきを抑制し、現像によって基板に形成されるパターンのばらつきを抑制する。【解決手段】基板をモジュール群及び露光機を経由してキャリアに搬送する搬送機構群を備え、搬送機構群には、前段モジュール、露光機、第１後段モジュールの順で基板を搬送する第１搬送機構と、第１後段モジュール、加熱モジュール、現像モジュール、第２後段モジュールの順で基板を搬送する第２搬送機構と、後段搬送機構と、が含まれる基板処理装置を用いた基板処理方法において、露光機において基板を搬入してから当該基板が搬出可能となる間隔を露光機サイクルタイムとすると、第２搬送機構による搬送区間から後段搬送機構による搬送区間へと基板を搬送する区間搬送時間と、露光機サイクルタイムと、を比較する比較工程と、比較工程の結果に応じて区間搬送時間を変更する変更設定工程と、を行う。【選択図】図５

Description

本開示は、基板搬送方法、基板処理装置及びプログラムに関する。

半導体デバイスを製造するにあたり、半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）に対してフォトリソグラフィが行われる。具体的には、露光機においてレジスト膜を所定のパターンに沿って露光した後、ＰＥＢ（Post Exposure Bake）と呼ばれる加熱、現像の順で処理が行われるように、ウエハは基板処理装置内におけるモジュール間を搬送される。特許文献１では露光後、ＰＥＢを行うまでの時間が一定となるようにウエハを搬送することが示されている。

特開２００８－１３０８５７公報

本開示は、露光機による露光後の基板間での搬送状態のばらつきを抑制し、現像によって基板に形成されるパターンのばらつきを抑制することができる技術を提供する。

本開示の基板搬送方法は、キャリアから取り出した基板をモジュール群及び露光機を経由して前記キャリアに搬送する搬送機構群を備え、
前記モジュール群には、前記露光機の前段で前記基板を載置する前段モジュールと、
前記露光機の後段で前記基板を載置する第１～第２後段モジュールと、加熱モジュールと、現像モジュールと、が含まれ、
前記搬送機構群には、前記前段モジュール、前記露光機、前記第１後段モジュールの順で前記基板を搬送する第１搬送機構と、前記第１後段モジュール、前記加熱モジュール、前記現像モジュール、前記第２後段モジュールの順で前記基板を搬送する第２搬送機構と、前記第２後段モジュールから前記キャリアへ向けて前記基板を搬送する１つ以上の後段搬送機構と、が含まれる基板処理装置を用いた基板搬送方法において、
前記露光機において前記基板を搬入してから当該基板が搬出可能となる間隔を露光機サイクルタイムとすると、
前記露光機に搬送予定の前記基板について取得される、前記第２搬送機構による搬送区間から前記後段搬送機構による搬送区間へと前記基板を搬送する区間搬送時間と、前記露光機サイクルタイムと、を比較する比較工程と、
前記比較工程の結果に応じて、前記区間搬送時間を設定する設定工程と、
を備える。

本開示は、露光機による露光後の基板間での搬送状態のばらつきを抑制し、現像によって基板に形成されるパターンのばらつきを抑制することができる。

本開示の一実施形態に係る塗布、現像装置の平面図である。 前記塗布、現像装置の縦断側面図である。 前記塗布、現像装置における搬送経路を示す説明図である。 露光機の後段側の前記搬送経路を示す説明図である。 前記塗布、現像装置にて行われる第１及び第２搬送制御の概要を示すための説明図である。 第１搬送制御の流れを示すフロー図である。 第２搬送制御の流れを示すフロー図である。 前記第１搬送制御の例を示すための塗布、現像装置におけるＤＥＶ層の模式図である。 前記第１搬送制御の例を示すための前記ＤＥＶ層の模式図である。 前記第１搬送制御の例を示すための前記ＤＥＶ層の模式図である。 前記第１搬送制御の例を示すための前記ＤＥＶ層の模式図である。 前記第１搬送制御の例を示すための前記ＤＥＶ層の模式図である。 前記第２搬送制御に関わるＰＪを示す説明図である。 前記第２搬送制御に関する説明図である。 前記塗布、現像装置にて行われる第３搬送制御に関する説明図である。 前記第３搬送制御の説明図である。 前記第３搬送制御の説明図である。 搬送経路を示すブロック図である。 バッファモジュールの役割を示すための説明図である。 バッファモジュールの役割を示すための説明図である。 塗布、現像装置の他の例を示す平面図である。

〔塗布、現像装置の構成〕
本開示の基板処理装置の一実施形態である塗布、現像装置１について、図１の平面図、図２の縦断側面図を夫々参照しながら説明する。塗布、現像装置１は、キャリアブロックＤ１と、中間ブロックＤ２と、処理ブロックＤ３と、インターフェイスブロックＤ４と、を左右に一列に接続して構成されている。インターフェイスブロックＤ４の右側（キャリアブロックＤ１が位置する側とは逆側）に露光機Ｄ５が接続されている。

キャリアブロックＤ１はステージ１０を備えており、当該ステージ１０には、複数枚のウエハＷを格納可能なＦＯＵＰ(Front Opening Unify Pod）と呼ばれる搬送容器であるキャリアＣを載置可能である。また、キャリアブロックＤ１は搬送機構１２を備え、ステージ１０上のキャリアＣに対して、ウエハＷの受け渡しを行う。

中間ブロックＤ２には、多数のモジュールが積層されたタワーＴ１が設けられている。タワーＴ１の各モジュールには、上記の搬送機構１２及びタワーＴ１の後方側に配置された搬送機構１３と、上記の搬送機構１２とがアクセス可能であり、搬送機構１２、１３の連携で、後述の処理ブロックＤ３の各階層とキャリアＣとの間でのウエハＷの受け渡しが可能である。

処理ブロックＤ３は、ウエハＷに液処理及び加熱処理を行う階層Ｅ１～Ｅ６が下から順に積層されて構成されている。この例では、階層Ｅ１～Ｅ３は互いに同様に構成されており、液処理として、レジストの塗布によるレジスト膜の形成を行う。また、階層Ｅ４～Ｅ６は互いに同様に構成されており、液処理として現像によるレジストパターンの形成を行う。各階層Ｅ（Ｅ１～Ｅ６）において、互いに並行してウエハＷの搬送及び処理が行われる。

階層Ｅ１～Ｅ６のうち代表して、図１に示す階層Ｅ６について説明する。階層Ｅ６の前後の中央には、左右に伸びるウエハＷの搬送路１４が形成されている。搬送路１４の前方には、複数の現像モジュール１５が左右に並んで設けられている。搬送路１４の後方には、ウエハＷを加熱する加熱モジュールが積層され、この加熱モジュールの積層体が左右に多数並べて設けられている。この加熱モジュールとしては、ＰＥＢを行うもの、及び現像後の加熱処理（ポストベーク）を行うものが含まれる。加熱モジュールについて、ここでは１Ａ、１Ｂの２種類が搭載されているものとし、特に記載無い限りは加熱モジュール１ＡがＰＥＢを、加熱モジュール１Ｂがポストベークを夫々行うものとする。

上記の搬送路１４には、階層Ｅ６でウエハＷを搬送する搬送機構３６が設けられている。搬送機構３６は、搬送路１４を移動する基台と、当該基台上を進退する２つの基板保持部を備える。一方の基板保持部が進退することでモジュールからウエハＷを受け取り、続いて他方の基板保持部が当該モジュールに進入してウエハＷを送ることで、モジュールにてウエハＷを入れ替えるように受け渡すことができる。このモジュールに対する入れ替えを入れ替え搬送と記載する場合がある。なお、モジュールとは搬送機構以外でのウエハＷが載置される場所であり、ウエハＷに処理を行うモジュールについては処理モジュールと記載する場合が有る。

階層Ｅ１～Ｅ３について階層Ｅ６との差異点を中心に説明すると、階層Ｅ１～Ｅ３は、現像モジュールの代わりに、ウエハＷにレジストを供給してレジスト膜を形成する塗布モジュールを備えている。そして階層Ｅ１～Ｅ３における加熱モジュールは、レジスト膜形成後のウエハＷを加熱する。また、搬送機構３６に相当する各階層Ｅ１～Ｅ５の搬送機構については、３１～３５とする。

続いて、インターフェイスブロックＤ４について説明する。インターフェイスブロックＤ４には、タワーＴ２及び搬送機構２１、２２が設けられている。タワーＴ２には、タワーＴ１と同様に多数のモジュールが積層されている。搬送機構２１はタワーＴ２のモジュール間の搬送用であり、搬送機構２２はタワーＴ２のモジュールと露光機Ｄ５との搬送用である。なお、実際にはインターフェイスブロックＤ４には、例えば図で示すよりも多くのモジュール、タワー及び搬送機構が設けられるが、説明の複雑化を避けるために簡素化して示している。上記した処理ブロックＤ３についても一部のモジュールについての説明、図示を省略している。

タワーＴ１、Ｔ２について説明する。タワーＴ１、Ｔ２には、受け渡しモジュールＴＲＳ及び温度調整モジュールＳＣＰＬが設けられており、これらのモジュールは、階層Ｅ１～Ｅ６に対する搬入出、ブロック間やブロックと露光機Ｄ５間でのウエハＷの受け渡しに用いられる。ＳＣＰＬについてはウエハＷを温度調整するモジュールであり、上記の搬入出やブロック間等の受け渡しの用途以外に、階層を搬送中のウエハＷの温度調整を行う用途のもの、露光機に搬送直前のウエハＷの温度調整を行うものが含まれる。そのように露光機Ｄ５に搬送直前のウエハＷを温度調整するＳＣＰＬについてはＩＣＰＬと表記する。以上の各用途のＴＲＳ、ＳＣＰＬは複数ずつ設けられる。また、以降の説明では図２に示しているように、ＴＲＳ、ＳＣＰＬに適宜、番号を付すことで配置場所が異なるもの同士を区別する場合が有る。

〔露光機について〕
露光機Ｄ５については、ウエハＷを搬入可能になるとその旨の信号（インレディ信号）を出力し、ウエハＷが搬出可能になるとその旨の信号（アウトレディ信号）を出力する。後述の制御部４はこれらの信号を受信して搬送機構２２の動作を制御し、インターフェイスブロックＤ４と露光機Ｄ５との間でのウエハＷの受け渡しが行われる。一のウエハＷが露光機Ｄ５に搬入されてから、当該ウエハＷの露光が終了してアウトレディ信号が出力されるまでの間隔を、露光機サイクルタイムとする。ウエハＷを露光機Ｄ５に順次搬送するにあたり、露光機サイクルタイム（露光機ＣＴと略して記載する場合が有る）は一定ないしは概ね一定であり、一定の周期でウエハＷを搬送するとした場合、一定ないしは概ね一定の周期でアウトレディ信号が出力される。

〔ＰＪについて〕
塗布、現像装置１にキャリアＣが搬入されると、後述の制御部４によって当該キャリアＣ内のウエハＷには、プロセスジョブ（ＰＪ）の設定がなされる。ＰＪは、ウエハＷにおける処理レシピ（どの種類モジュールに搬送して処理するか、同じ種類のモジュールうちのどのモジュールに搬送するか、という搬送レシピも含む）及び搬送するウエハＷを指定する情報である。このようにＰＪによって、塗布、現像装置１におけるウエハＷの搬送経路が指定され、同じＰＪのウエハＷについては同じ処理を受けるので、同じＰＪのウエハＷは同じロットのウエハＷである。

なお、ＰＪによって指定される処理レシピには、モジュールを構成する各部を動作させるための情報を含む。さらに具体的に述べると、当該情報としては、モジュールにおける各部の動作に要する時間、ウエハＷを加熱する場合には加熱の温度、ウエハＷに液処理を行う場合には各液をウエハＷに供給するタイミングや順番などが含まれる。そのため、ＰＪの設定によって、後述する各搬送制御のためのパラメータ（ＭＳＣＴ、ＡＣＴなど）を算出可能である。

また、一のＰＪのウエハＷ、他のＰＪのウエハＷが各々複数有るとすると、一のＰＪのウエハＷが連続して装置に搬入された後、他のＰＪのウエハＷが連続して装置に搬入されるように、後述の制御部４によって各搬送機構の動作が制御される。つまり、先行のＰＪのウエハＷがまとまって装置に搬入された後、後続のＰＪのウエハＷがまとまって装置に搬入される。そして各ウエハＷは夫々のＰＪで指定される搬送経路で搬送され、夫々のＰＪで指定される処理レシピにより搬送経路中の各処理モジュールにて処理を受ける。先に搬送されたＰＪのウエハＷは、先にキャリアＣに戻される。一つのＰＪについて、当該ＰＪのウエハＷがすべてキャリアＣに戻された場合には、当該ＰＪについては終了する。

〔層について〕
既述した装置中の搬送機構について互いを区別するために、個別の名称を付す場合が有る。具体的に、搬送機構１１、１２を夫々ＰＲＡ１１、ＭＰＲＡ１２とし、搬送機構３１～３６をＰＲＡ３１～３６、搬送機構２１、２２を夫々ＩＦＢ２１、ＩＦＢＳ２２として記載する場合が有る。また搬送経路において、異なる搬送機構によって搬送が行われる各区間を「層」とする。ＰＲＡ（ＰＲＡ３１～ＰＲＡ３６）以外の搬送機構に対応する層は、その搬送機構と同じ名称を付して示す。従って当該各層を、ＣＲＡ層、ＭＰＲＡ層、ＩＦＢ層、ＩＦＢＳ層とする。そしてＰＲＡ３１～ＰＲＡ３３に対応する層はＣＯＴ層、ＰＲＡ３４～ＰＲＡ３６に対応する層はＤＥＶ層とする。ＤＥＶ層については「層」を省略して、単にＤＥＶとして表記する場合が有る。

また、互いにウエハＷに対して同じ処理を行う区画を複数含む層をマルチスタックであるものとする。即ち、マルチスタックである層は、同じステップで同じ処理を行うモジュールを各々含むことになり、この区画をスタックとする。後に搬送経路Ｈ１でウエハＷを搬送する例を示すが、この搬送経路Ｈ１ではＣＯＴ層、ＤＥＶ層が各々マルチスタックの層をなす。なお、このマルチスタックをなす層については、全体で一つの層として説明する。つまり、階層Ｅ４、Ｅ５、Ｅ６が各々同様に構成されていると述べたが、この３つの階層（スタック）が各々層をなして３つのＤＥＶ層を形成するのではなく、階層Ｅ４～Ｅ６で一つのＤＥＶ層をなすものとして説明する。なお図４等でＤＥＶ層のモジュール構成を示しているが、ＤＥＶ層全体ではなく、階層一つ分のモジュールのみを表示している。

ＣＯＴ層及びＤＥＶ層については、各層の搬送機構が層内のモジュールを順番に繰り返し移動し、層の入口のモジュール及び出口のモジュールを除いた各モジュールに対して上記のウエハＷの入れ替えを行う。従って搬送機構が搬送路１４を周回移動する。このような搬送機構の動作により、ウエハＷが１枚ずつ、上流側のモジュールから下流側のモジュールへ順次搬送される。なおＰＪの切り替わり時においては、モジュールへのウエハＷの搬送間隔が空くことで入れ替え搬送とはならない場合が有る。また、他の層については、例えば上流側のモジュールにウエハＷが搬送されると、層内の搬送機構がウエハＷを受け取り、下流側のモジュールへ搬送する。このような搬送を非同期搬送とする。

〔搬送経路の説明〕
ＰＪで指定される搬送経路のうちの一つをＨ１として説明する。図３は層を単位とした搬送経路Ｈ１を表している。なお、露光機Ｄ５、キャリアＣについては層とは別個に示している。図４は搬送経路Ｈ１のうち、露光機Ｄ５の直前のモジュールからＤＥＶ層の出口（ＤＥＶ層の次の層の入口）に至るまでのモジュールの搬送順を示したものである。この搬送経路Ｈ１については、ウエハＷが階層Ｅ１～Ｅ３のうちのいずれかと、露光機Ｄ５と、階層Ｅ４～Ｅ６のいずれかと、を通過する経路であり、当該ウエハＷにレジストパターンが形成される。

キャリアＣからＣＲＡ１２により払い出されたウエハＷは、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１に搬送された後、ＭＰＲＡ１３によりタワーＴ１で階層Ｅ１～Ｅ３の各高さの受け渡しモジュールＴＲＳ２に振り分けられる。そして当該ウエハＷは、ＰＲＡ３１～３３により受け取られ、温度調整モジュールＳＣＰＬ１→塗布モジュール→加熱モジュールの順で搬送される。そのように搬送されてレジスト膜が形成されたウエハＷは、タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ３に搬送され、ＩＦＢ２１→タワーＴ２のＴＲＳ４→ＩＦＢ２１→ＩＣＰＬ→ＩＦＢＳ２２→露光機Ｄ５の順で搬送され、レジスト膜が所定のパターンに沿って露光される。

露光後のウエハＷは、ＩＦＢＳ２２→タワーＴ２のＴＲＳ５の順で搬送された後、ＩＦＢ２１により、階層Ｅ４～Ｅ６の各高さの受け渡しモジュールＴＲＳ６に振り分けられる。そしてＰＲＡ３４～３６により、加熱モジュール１Ａ→ＳＣＰＬ２→現像モジュール１５の順で搬送される。それによりレジスト膜が現像されて、ウエハＷにレジストパターンが形成される。その後ウエハＷは、加熱モジュール１Ｂ→タワーＴ１のＳＣＰＬ３に搬送され、ＭＰＲＡ１３→受け渡しモジュールＴＲＳ７→ＣＲＡ１２→キャリアＣの順で搬送される。従って層を単位として見ると搬送経路Ｈ１は、ＣＲＡ層→ＭＰＲＡ層→ＣＯＴ層→ＩＦＢ層→ＩＦＢＳ層→露光機Ｄ５→ＩＦＢＳ層→ＩＦＢ層→ＤＥＶ層→ＭＰＲＡ層→ＣＲＡ層の順に搬送される。

ところで層において、搬送経路上での次の各層へウエハＷを搬送する時間間隔を層のＣＴ（サイクルタイム）とする。さらに詳しく述べると、層において１サイクル分の搬送に要する時間、即ち、搬送機構が受け持つ各モジュール間の搬送を１回ずつ行うために必要な時間であり、後段の層へとウエハＷを搬送する予想の時間間隔に相当する。具体的に上記の搬送経路Ｈ１においては、ＤＥＶ層に関してはウエハＷの搬送先がＭＰＲＡ層であるが、このＭＰＲＡ層にウエハＷを１枚搬送する時間間隔がＤＥＶ層のＣＴである。そして、ＭＰＲＡ層に関しては、ＣＯＴ層、ＣＲＡ層の各々へウエハＷを搬送するが、これらの両方の層にウエハＷを１枚ずつ搬送する時間の合計がＭＰＲＡのＣＴである。また、ＤＥＶ層、ＣＯＴ層については上記したようにＰＲＡがモジュール間を周回移動するが、層のＣＴはこれらの周回移動が１回行われる時間（周回移動時間）に対応する。具体的には、ＤＥＶ層あるいはＣＯＴ層については、ＰＲＡの周回移動時間／スタックの数＝層のＣＴである。つまりＤＥＶ層のＣＴに関しては、入口のモジュールであるＴＲＳ６にＰＲＡがアクセスしてから次にＴＲＳ６にＰＲＡがアクセスするまでの時間をスタックの数で除した値が、当該ＤＥＶ層のＣＴである。スタックの数は、即ちＤＥＶ層の入口をなすＴＲＳ６、ＤＥＶ層の出口をなすＳＣＰＬ３、現像モジュール１５、加熱モジュール１Ａ、１Ｂ及びＰＲＡを組としたときの組の数である。

以上の搬送経路Ｈ１において、温度調整モジュールＩＣＰＬは、露光機Ｄ５の前段で基板を載置する前段モジュールに相当し、受け渡しモジュールＴＲＳ５、ＴＲＳ６が第１後段モジュールに相当し、ＳＣＰＬ３が第２後段モジュールに相当する。搬送機構２１、２２はＩＣＰＬ、露光機Ｄ５、ＴＲＳ５、６間でウエハＷを搬送する第１搬送機構、ＰＲＡ３４～３６は第２搬送機構、搬送機構１１、１２はＤＥＶ層からキャリアＣへ向けてウエハＷを搬送する後段搬送機構に相当する。

〔マルチモジュールについて〕
一つの層において、搬送経路上でキャリアＣから見たステップ（搬送の順番）が同じであり、ウエハＷに各々同一の種類の処理を行うことができる複数の処理モジュールについて、マルチモジュールとする。例えば、図４で示している４つの加熱モジュール１Ａについては同じマルチモジュールを構成し、２つの温度調整モジュールＳＣＰＬ２については同じマルチモジュールを構成する。上記したＰＪはマルチモジュールのうち、いくつの処理モジュールを使用するかについても指定する。マルチモジュールについて、ハイフンの後に番号を付すことで互いに区別して示す場合が有る。

〔制御部について〕
図１に示すように塗布、現像装置１は、コンピュータにより構成されている制御部４を備えている。制御部４はプログラム４１を備えている。プログラム４１は、後述するウエハＷの搬送、各モジュールでのウエハＷの処理が行われるようにステップ群が組まれており、各モジュールやウエハＷの各搬送機構に制御信号を出力する。その制御信号に応じて、各モジュールや搬送機構が動作する。プログラム４１は、例えばコンパクトディスク、ハードディスク、ＤＶＤなどの記憶媒体に格納されて、制御部４にインストールされる。さらにプログラム４１は、後述する各搬送制御を行う上で必要な各種の演算、比較及び判定を行うことで、当該各搬送制御を実行することができる。なおここでいう比較には、数値同士の減算を行う場合も含まれる。

また制御部４には、装置のユーザーが各種の設定を行うための設定部４２が設けられており、マウス、キーボード、タッチパネルなどにより構成されている。後に詳述する各搬送制御の選択、モジュール及び／または層のブロッキング、各搬送制御を行う上で実施可能な各種の設定、選択を設定部４２から行うことができる。なお、図示は省略しているが制御部４は、各搬送制御を実行するにあたって必要な各種のパラメータを記憶する記憶部が設けられている。また、制御部４には音や画面表示などでアラームを出力するアラーム出力部が設けられる。例えば後述するようにウエハＷを露光機Ｄ５へと搬入できない状態となった場合などに、アラームが出力される。

〔搬送制御の概要〕
以下、制御部４によって行われる搬送制御の概要について説明する。この搬送制御としては、搬送経路Ｈ１として例示したように、露光後に各ＤＥＶ層でウエハＷの処理を行うにあたり、露光機Ｄ５のアウトレディ信号の出力時点からＰＥＢを開始するまでの時間（Post Exposure Delay：ＰＥＤ時間）を、ウエハＷ間で一定ないしは概ね一定とするように行われる。なお、同じＰＪ内のみならず、異なるＰＪ間でもＰＥＤ時間が、所定の範囲に収まるようにする。以上のように各ウエハＷ間でのＰＥＤ時間の変動を抑えることで、露光機Ｄ５での露光により化学増幅型レジストに生じた酸の拡散をウエハＷ間で揃えて、レジストパターンの幅の均一性を高める。

さらに搬送制御の概要について述べる。図３、図４で示したように各ＰＪのウエハＷが順番に装置内を搬送されるとする。ここで仮に搬送経路Ｈ１における露光機Ｄ５の後段側（下流側）のいずれかの層でウエハＷの搬送が遅延し、当該ウエハＷが滞留することで、その上流側の層でもウエハＷの搬送が遅延してしまうおそれが有る。それ故に、露光機Ｄ５から後段へのウエハＷの搬送間隔が制御されないとすると、例えばウエハＷをＤＥＶ層の入口であるタワーＴ２のＴＲＳに滞留させなければならない状態が発生するおそれが有る。上記したようにＤＥＶ層のＰＲＡ３４～３６はサイクリックに移動してウエハＷを搬送する。それ故にＰＲＡ３４～３６は、ＤＥＶ層の入口のＴＲＳから１枚ウエハＷを受け取ったら、周回を終えるまで当該ＴＲＳから次のウエハＷを受け取ることができない。従って、当該ＴＲＳに搬送されてからＰＲＡ３４～ＰＲＡ３６に受け取られるまでの時間間隔が比較的大きいものとなり、加熱モジュール１Ａへの搬送も遅れてしまうことで、ＰＥＤ時間のばらつきが発生するおそれが有る。

そこで本実施形態の搬送制御では、露光機Ｄ５の後段側の各層のうち、次の層へのウエハＷの予想搬送時間が最も長い層の当該予想搬送時間と同じになるように、露光機Ｄ５からのウエハＷの搬出間隔が制御される。なお、搬送経路上の最終層（ＣＲＡ層）に関しては、上記の「次の層」とはキャリアＣが該当する。このように露光機Ｄ５からの搬出間隔が制御され、ＤＥＶ層へのウエハＷの流入量が制御されることで、ＤＥＶ層の入口でウエハＷが滞留することを防止してＰＥＤ時間が長くなることを防ぎ、当該ＰＥＤ時間を所定の範囲内に収める。

以上のように本実施形態の搬送制御では、露光機Ｄ５からＰＥＢを行う加熱モジュール１Ａまでの搬送状況のみならず、当該加熱モジュール１Ａよりも後段側の搬送状況に応じて、露光機Ｄ５に対するウエハＷの搬送制御がなされていることになる。そのように各層の搬送状況に応じたものとなることで、ＰＥＤ時間のばらつきについて、より確実に抑制することができる。また、そのように各層の搬送状況が考慮されることで、モジュールのブロッキングが行われたとしても、ＰＥＤ時間の変動を抑制することができる。このようにＰＥＤ時間の変動を抑制する搬送制御としては、第１搬送制御と、第２搬送制御とが有り、これらのうちのいずれかが塗布、現像装置１のユーザーにより選択されて実行される。

〔搬送制御に用いるパラメータ（ＭＵＴＣＴ、ＭＳＣＴ、ＡＣＴ）について〕
さらに詳しい第１、第２搬送制御の概略説明を行うにあたり、これらの搬送制御で用いられるパラメータであるMax Step Cycle Time（ＭＳＣＴ）及びArm Cycle Time（ＡＣＴ）について説明する。ＰＪにより指定される処理レシピから、各モジュールについて「ウエハＷの処理時間」＋「処理の前後に必要な時間（ＯＨＴ：Over Head Time）」＝「モジュールにおいて必要なウエハＷの滞在時間（ＭＵＴ：Module Using Time）」が算出される。そして下記の式１による演算が行われる。
（ＭＵＴ÷使用可能モジュール数）×搬送比率・・・式１

式１中の使用可能モジュール数とは、ＭＵＴを算出したステップの使用可能モジュール数であり、１つのスタック中の数であり、ＰＪで設定されるモジュールの数から、トラブルの発生やブロッキングを行うことによって使用されない状態とされたモジュールの数を減じたものである。また上記式中の搬送比率とは、１つのスタックへのウエハＷの搬送枚数／マルチスタックを構成していて使用可能な全スタックへのウエハＷの搬送枚数である。任意のステップのモジュールについて、スタック毎に式１の演算が行われ、その算出された各値のうちの最大値が、ＭＵＴサイクルタイム（ＭＵＴＣＴ）とされる。一つの層において、入口のモジュール及び出口のモジュール（つまり他の層と兼用されているモジュール）を除いた各モジュールから上記のＭＵＴＣＴが算出される。

具体的には、ＤＥＶ層は３つのスタックからなり、その３つがいずれも使用可能であり、これらの３つに均等にウエハＷが搬送されるようにＰＪにより指定されているとする。従って、搬送比率としては１／３である。その条件で、この現像モジュール１５のＭＵＴがＪ秒であり、各スタックとも４つの現像モジュールが使用可能であったとすると、式１より、Ｊ秒／４×１／３＝Ｊ／１２秒として算出される。搬送比率が各スタック間で同じため、各スタック間で同様に計算されるので、式１で算出される値の最大値はＪ／１２秒である。このため現像モジュール１５のＭＵＴＣＴ（Module Using Time Cycle Time）が、Ｊ／１２秒として算出される。

当該ＤＥＶ層において、同様にして加熱モジュール１Ａ等に関しても各モジュールのＭＵＴＣＴが算出される。なお、上記したようにＭＵＴＣＴが算出されるのは、層の入口、出口をなすモジュール以外のモジュールであるため、ＤＥＶ層に関しては、加熱モジュール１Ａ、１Ｂ、ＳＣＰＬ２、現像モジュール１５についてのＭＵＴＣＴが算出される。

なお、ＭＵＴＣＴの算出に用いられるモジュールの処理時間はＰＪ毎に設定されているため、当該ＭＵＴＣＴはＰＪ毎に算出されることになる。また、式１において、マルチスタック以外の層及び非同期搬送の層（本例ではマルチスタック以外の層＝非同期搬送の層）に関して搬送比率は１として計算する。取得対象となる層（後述する）から取得されたＭＵＴＣＴのうち最大のものを、Max Step Cycle Time（ＭＳＣＴ）と呼ぶ。

続いて、Arm Cycle Time（ＡＣＴ）について説明する。層の入口から出口までに搬送機構（搬送アーム）がウエハＷを何回搬送するかという工程数を搬送工程数とする。搬送経路Ｈ１について、ＤＥＶ層ではＴＲＳ６→加熱モジュール１Ａ→温度調整モジュールＳＣＰＬ２→現像モジュール１５→加熱モジュール１Ｂ→ＳＣＰＬ３というように５回搬送が行われるので、搬送工程数は５である。他の層についても例示しておくと、ＭＰＲＡ層ではＴＲＳ１→ＴＲＳ２、ＳＣＰＬ３→ＴＲＳ７というように２回搬送が行われるので、搬送工程数は２である。

１つの搬送工程に要する設定時間は予め決められており、例えばＫ秒とする。そして、ＡＣＴ＝搬送工程数×設定時間÷ウエハＷを搬送可能なマルチスタック数である。上記のＤＥＶ層についてはスタックが３つであり、これらすべてにウエハＷが搬送可能であるものとして、ＡＣＴ＝５×Ｋ÷３＝５Ｋ／３秒として算出される。なお、マルチスタック以外の層及び非同期搬送の層に関しては、マルチスタック数は１として計算する。ここまでにおいては搬送経路については、図３、図４で搬送経路Ｈ１のみを例示しているが、ＰＪによって各種の搬送経路が設定される。即ち、搬送工程数はＰＪによって異なるので、ＡＣＴについてもＰＪ毎に算出される。

なお上記した層のサイクルタイムとしては、一つの層のうちの各モジュールから取得されるＭＵＴＣＴの最大値及びＡＣＴのうちの大きい方の時間以上の長さに設定することができる。そのようにＭＵＴＣＴ及びＡＣＴから取得される層のサイクルタイムは、次の層へのウエハＷの搬送に要する予想搬送時間に該当する。

〔第１及び第２搬送制御の概要について〕
上記したようにウエハＷはＰＪ毎にまとまって塗布、現像装置１内に搬送される。そのため搬送経路Ｈ１で搬送される任意のＰＪのウエハＷを、温度調整モジュールＩＣＰＬから露光機Ｄ５に搬送、あるいは露光機Ｄ５から搬出するにあたり、その搬送経路Ｈ１の露光機Ｄ５の後段側の各層には、そのウエハＷと同じＰＪのウエハＷか、当該ＰＪよりも先発のＰＪのウエハＷが位置し得る。その任意のＰＪが露光機Ｄ５の後段で通過予定の各層からＭＵＴＣＴ（Module Using Time Cycle Time）ひいてはＭＳＣＴ（Max Step Cycle Time）を得ると共にＡＣＴ（Arm Cycle Time）を得る。そして、ＭＳＣＴ及びＡＣＴのうち、最大のものを露光後最大サイクルタイムとする。

この露光後最大サイクルタイム（以降、露光後最大ＣＴと表記する場合が有る）が得られた層が、次の層へのウエハＷの予想搬送時間が最も長い層であるため、露光機Ｄ５の後段の搬送を行う上で、いわゆるボトルネックとなる層である。そして、露光後最大ＣＴがその予想搬送時間であり、第１搬送制御及び第２搬送制御では、この露光後最大ＣＴに基づいて露光機Ｄ５からのウエハＷの搬出、あるいは露光機Ｄ５へのウエハＷの搬送が行われる。第１搬送制御では露光機Ｄ５からのウエハＷの搬出のタイミングが制御され、第２搬送制御では露光機Ｄ５へのウエハＷの搬送のタイミングが制御される。なお、ＰＪによってＭＵＴＣＴ、ＡＣＴは異なり得るため、これらのＭＵＴＣＴ、ＡＣＴはＰＪ毎に算出されて、露光後最大ＣＴが決定されることになる。一つの層について、ＭＵＴＣＴの最大値、ＡＣＴのうちの大きい方が１枚のウエハＷを次の層へと搬送するために要する区間搬送時間に該当する。そして、一つの層におけるＭＵＴＣＴ、ＡＣＴは、夫々区間搬送時間の第１候補、第２候補に該当する。また、露光後最大ＣＴは区間搬送時間のうち、最も長い最大区間搬送時間に該当する。

図５の上段、下段に夫々第１搬送制御、第２搬送制御の概要を示している。また、図６では第１搬送制御の概要を、図７では第２搬送制御の概要を、夫々図５とは別の態様で示している。各図において、露光後最大ＣＴをＸ秒、露光機ＣＴをＹ秒としている。図５中の点線の矢印上に、露光機Ｄ５へのウエハＷの搬入間隔及びアウトレディ信号Ｒ１が出力される間隔を示しており、また、鎖線の矢印上に露光機Ｄ５からのウエハＷの搬出間隔を示している。

第１搬送制御では、インレディ信号が出力されている状態でＩＣＰＬから露光機Ｄ５に順次ウエハＷが搬送される（図６上段）。そして露光機Ｄ５においては、Ｙ秒を１サイクルとしてウエハＷの処理がなされる。任意の一のウエハＷについてのアウトレディ信号Ｒ１が出力されると（図６中段）、その出力からＺ秒経過後（即ち、露光機Ｄ５にてウエハＷをＺ秒待機させた後）、ＩＦＢＳ２２が当該ウエハＷを受け取り、後段のＴＲＳ５へと搬送する（図６下段）。この待機時間Ｚ秒＝Ｘ秒－Ｙ秒である。

以上のような搬送態様であるため、図５に示すように露光機Ｄ５へのウエハＷの搬入間隔及びアウトレディ信号Ｒ１が出力される間隔はＹ秒であるが、Ｘ秒間隔でウエハＷがＤＥＶ層へと搬送される。その搬送制御により、露光機Ｄ５からの搬出から加熱モジュール１Ａに搬送するまでの時間がウエハＷ間で一定ないしは概ね一定となり、当該ウエハＷ間でＰＥＤ時間が揃う。なお、この第１搬送制御ではアウトレディ信号Ｒ１の出力間隔が、露光機ＣＴとして取り扱われる。従って、この第１搬送制御では、露光機Ｄ５からのウエハＷの搬出が可能となる搬出間隔と、露光機最大ＣＴと、に基づいて、当該露光機Ｄ５からのウエハＷの搬出が行われる。

一方、第２搬送制御ではインレディ信号Ｒ２が出力された後（図７上段）、Ｚ秒経過したら（即ち、ＩＣＰＬにてウエハＷＺ秒待機させた後）、ＩＦＢＳ２２がＩＣＰＬからウエハＷを受け取り、露光機Ｄ５に搬送する（図７中段）。Ｚ秒＝Ｘ秒－Ｙ秒である。このようにインレディ信号Ｒ２の出力に遅れてウエハＷが搬送されることで、アウトレディ信号Ｒ１が出力される間隔としては露光機ＣＴよりも長く、Ｘ秒となる。そして、アウトレディ信号Ｒ１が出力され次第、ＩＦＢＳ２２がウエハＷを後段のＴＲＳ５へと搬送する（図７下段）。

第２搬送制御についてはこのような態様であるため、図５に示すように露光機Ｄ５へのウエハＷの搬入間隔及びアウトレディ信号Ｒ１が出力される間隔としてはＸ秒となり、そのＸ秒間隔でウエハＷがＤＥＶ層へと搬送されるように制御がなされる。そのためアウトレディ信号Ｒ１の出力から加熱モジュール１Ａに搬送するまでの間隔がウエハＷ間で一定ないしは概ね一定となり、当該ウエハＷ間でＰＥＤ時間が揃う。なお、この第２搬送制御はアウトレディ信号の出力後、速やかにウエハＷの搬送がなされるので、露光後のウエハＷがＰＥＢを行うまでに空気に曝される時間を短くすることができる。そのため、レジストパターンの幅について、設計値に対するずれをより確実に抑えることができる利点が有る。

〔ブロッキング〕
ところで、モジュールまたは層を構成するスタックについては、制御部４の操作部からユーザーが指定することで、ブロッキングを行うことができる。このブロッキングがなされたモジュールやスタックにはウエハＷが搬送されない。上記したようにＭＳＣＴ及びＡＣＴは、これらのマルチモジュールのうちの使用モジュール数や使用されるスタック数に基づいて算出がなされるため、ブロッキングがなされた際には、このＭＳＣＴが再計算され、露光後最大ＣＴの再設定がなされることになる。なお、このようにユーザーがブロッキングを行うことの他に、トラブルが検出されることにより使用不可のモジュールや使用不可のスタックが発生した場合にも、同様に再計算がなされる。このように使用されるモジュール数、使用可能なスタックの数が変化した場合には、変化した後の数に基づいて露光後最大ＣＴが再設定されることで、ＰＥＤ時間のばらつきがより確実に抑制される。なお、ユーザーは、制御部４の操作部からは搬送機構に対して動作の停止を指示するブロッキングを行うことも可能である。この搬送機構の動作の停止をアームブロッキングとして記載する。

〔第３搬送制御の概要について〕
ところで、ＰＥＢ終了から現像開始までの時間をＰＰＤ（Post PEB Delay）時間と呼称する。第２搬送制御が実行されている状況の下、同じＰＪ内でのＰＰＤ時間の変動を抑制するための第３搬送制御の実行を可能とするか否かを、ユーザーが選択可能である。このＰＰＤ時間の変動によってもウエハＷのパターンの形状が変化する場合が有る。特にレジスト膜が金属を含有するレジストにより構成される場合は、その変化が比較的大きいことが懸念され、この第３搬送制御が特に有効となり得る。

上記したように同じＰＪの各ウエハＷを搬送するにあたり、ＤＥＶ層のＰＲＡ３４～ＰＲＡ３６はサイクリックに動作し、ウエハＷの入れ替え搬送を行う。この周回が１回行われる時間に対応する時間が、ＤＥＶ層のＣＴ（サイクルタイム）である。ＰＲＡ３４～３６の各々の１回の周回で１枚のウエハＷが各スタックから次の層へ搬送されるので、上記したようにＤＥＶ層のＣＴ＝ＰＲＡ３４～３６の周回移動時間／スタックの数である。

ここで露光機ＣＴが長く、搬送を行う上でのボトルネックになっているとする。つまり、一のＰＪについて露光機Ｄ５を通過してＤＥＶ層を搬送されるにあたり、当該ＤＥＶ層にて算出される各ＭＵＴＣＴ（Module Using Time Cycle Time）及びＡＣＴ（Arm Cycle Time）に関しては比較的小さいものとする。そのようにＤＥＶ層において、各ＭＵＴＣＴ及びＡＣＴが小さくても上記の入れ替え搬送を行うために、少なくともそのＰＪのウエハＷが全て露光機Ｄ５を通過するまで、ＤＥＶ層のＣＴが露光機ＣＴとなるようにＰＲＡ３４～ＰＲＡ３６の動作が調整される。従って、仮に露光機ＣＴが５０秒であるとすれば、ＰＲＡ３４～ＰＲＡ３６の周回移動時間が１５０秒とされ、ＤＥＶ層のＣＴが露光機ＣＴと同じ５０秒（１５０秒／スタック数：３）となるように合わせ込まれる。

仮にそのＰＪのウエハＷが全て露光機Ｄ５を通過してＤＥＶ層へ搬送された後、例えば高スループットを得るためにＤＥＶ層のＣＴの露光機ＣＴへの合わせ込みを解除することを考える。つまり、本来のＤＥＶ層のＣＴ（ＤＥＶ層におけるＭＵＴＣＴの最大値及びＡＣＴのうちの大きい方の時間）となるように、ＰＲＡ３４～ＰＲＡ３６のＤＥＶ層での周回速度が変更されるとする。しかし、そうなるとＰＪの後段のウエハＷ、少なくともＰＪの最後のウエハＷについては、ＰＪの前段のウエハＷに比べて、ＤＥＶ層内を早く搬送されるので、同じＰＪのウエハＷ間で、ＰＰＤ時間がばらついてしまう。

第３搬送制御に関しては、ＤＥＶ層に搬送される同じＰＪのウエハＷについて、先頭のウエハＷがＤＥＶ層に搬送されてから最後のウエハＷがその出口のモジュールに搬送されるまでの間、当該ＤＥＶ層のＣＴが変化しないように制御され、当該ＰＪのウエハＷ間のＰＰＤ時間の変動を抑制する。ＤＥＶ層がこれまでに述べたようにマルチスタックであるとすると、一のスタックに搬送されるＰＪのウエハＷで先頭のウエハＷが当該スタックへ搬入されてから、最後のウエハＷが当該スタックの出口のモジュールに搬送されるまで、当該スタックにてＰＲＡが周回する時間が維持される。

なお、ＤＥＶ層のＣＴの露光機ＣＴへの合わせ込みは条件次第で実施されるので、この合わせ込みが行われない場合も有る。その場合においても同様に、同じＰＪの最後のウエハＷが、ＤＥＶ層のスタックの出口のモジュールに搬送されるまで、ＤＥＶ層のＣＴが変化せず、ＰＰＤ時間の変動が抑制される。

〔異フローの説明〕
各搬送制御の具体的な説明の前に、異フローについて説明しておく。露光機Ｄ５の後段のステップについて、以下のいずれかの条件を満たすＰＪ同士が異フローであるとされる。１つは、先発のＰＪと後発のＰＪとで、ステップ数が異なる場合が挙げられる。具体的には例えば、いずれか一方のＰＪでは通過するモジュールを他方のＰＪでは通過しない場合が挙げられる。

他の１つは、同一ステップで使用するモジュールが異なる場合である。これは具体的には、先発ＰＪ、後発ＰＪとも同じステップでウエハＷを加熱モジュールに搬送するが、先発ＰＪでは加熱モジュールとして１Ａを、後発ＰＪでは加熱モジュールとして１Ｂを使用する例が挙げられる。その他に、先発ＰＪと後発ＰＪとで同じマルチモジュールを使用するが、マルチモジュールのうち異なる番号のもの（つまり異なる箇所に位置するもの）を使用する例が挙げられる。さらに異フローとなる他の１つとしては、マルチモジュールのうち、先発ＰＪと後発ＰＪとで使用するモジュールとして設定される数が異なる場合がある。以上に述べたように、異フローとなるＰＪについては、互いに搬送経路が異なる。

以下、各搬送制御について詳しく説明する。説明にあたり先発のＰＪ－ＡのウエハＷ、後発のＰＪ－ＢのウエハＷについて夫々Ａ１、Ａ２、Ａ３・・・・、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３・・・と表記する場合が有る。英字はＰＪを表し、数字は一つのＰＪにおける装置への搬入順である。なお、後述するようにＰＪによっては露光機Ｄ５を経由しない搬送経路となる場合が有るが、ここでは各ＰＪが図３、図４で説明した露光機Ｄ５を経由する搬送経路Ｈ１で搬送されるものとする。

〔第１搬送制御の詳細〕
以下、第１搬送制御について詳しく説明する。第１搬送制御を行うにあたり、露光後最大ＣＴの決定がなされるが、これまでに述べたように第１搬送制御は、露光機Ｄ５から搬出されるウエハＷの搬送経路上でのボトルネックに応じて露光機Ｄ５からの搬出タイミングを制御するものである。そのため、露光後最大ＣＴの決定のために必要なＭＳＣＴ（Max Step Cycle Time）及びＡＣＴ（Arm Cycle Time）の算出対象となるＰＪとしては、露光機Ｄ５から搬出されるＰＪが属するＰＪ（説明の便宜上、搬出ＰＪとする）か、あるいは搬出ＰＪよりも先発のＰＪであり、終了しておらず、且つ搬出ＰＪが露光機Ｄ５以降に通過するいずれかの層を通過するＰＪである。この先発のＰＪとしては、１つであることには限られず、複数の場合が有る。

さらにそのＭＳＣＴの元になるＭＵＴＣＴ（Module Using Time Cycle Time）及びＡＣＴの算出について述べる。層に関して見ると、上記のボトルネックに応じた搬送を行う目的から、上記の搬出ＰＪが露光機Ｄ５の後段で通過する層が算出対象となる。従ってＩＦＢＳ層、ＩＦＢ層、ＤＥＶ層、ＭＰＲＡ層、ＣＲＡ層が対象の層である。算出対象のＰＪのウエハＷが存在し、且つ算出対象である層からＭＵＴＣＴ及びＡＣＴが算出される。そして各層から得られるＭＵＴＣＴの最大値であるＭＳＣＴと、各層から得られるＡＣＴのうちの最大値と、について最大となるものが、露光後最大ＣＴとして決定される。露光機Ｄ５からアウトレディ信号が出力されると、その露光後最大ＣＴの決定と、そのアウトレディ信号からの露光機ＣＴの取得と、が行われる。

この露光機ＣＴについては、当該アウトレディ信号Ｒ１が出力されたタイミングと、その直前にアウトレディ信号Ｒ１が出力されたタイミングとの間隔を、露光機ＣＴとみなすことで取得する。そして、当該露光機ＣＴと、露光後最大ＣＴとの比較がなされ、露光機Ｄ５からのウエハＷの搬出抑制を行うか否かの決定がなされる。搬出抑制を行う場合には、アウトレディ信号Ｒ１出力時点から露光機Ｄ５からの搬送を行うまでの露光機Ｄ５における待機時間が決定される。この待機時間は、図６で説明したＺ秒に相当し、露光機ＣＴと露光後最大ＣＴとの差分に相当する時間である。

図８は、ＰＪ－ＡのウエハＷが露光機Ｄ５を順次通過し、ＤＥＶ層に搬入されている状態を示している。そして露光機Ｄ５からアウトレディ信号Ｒ１が出力され、ウエハＡ９を露光機Ｄ５から搬出するものとする。そのアウトレディ信号Ｒ１が出力されてからその直前にアウトレディ信号が出されるまでの間隔（即ち、ウエハＡ８、Ａ９について夫々のアウトレディ信号が出された間隔）が２０秒であったとすると、この２０秒が露光機ＣＴとみなされる。そして、ウエハＡ９のアウトレディ信号Ｒ１が出された時点で、取得された露光後最大ＣＴが２２秒であったとする。

つまり、図８に示す状況は、露光後最大ＣＴ＞露光機ＣＴである。露光後最大ＣＴと露光機ＣＴとがこのような関係の場合は、露光機Ｄ５からのウエハＷの搬出抑制を行うと決定される。さらにウエハＡ９についてのアウトレディ信号Ｒ１の出力時点から、露光機ＣＴ－露光後最大ＣＴの差分の時間が経過した時点でウエハＡ９が露光機Ｄ５から搬出されるように決定される。従って具体的に、この図８の状況では、アウトレディ信号Ｒ１が出力されてから２２秒-２０秒＝２秒後にウエハＡ９が露光機Ｄ５から搬出されるようにＩＦＢＳ２２の動作が制御される。

この図８の状況は、上記したように露光機Ｄ５の後段の各層のうち、次の層へウエハＷを１枚搬送するために露光機ＣＴの２０秒よりも長い、２２秒を要する層が有るということである。アウトレディ信号Ｒ１の出力後、速やかに露光機Ｄ５からウエハＡ９を搬出すると、ＤＥＶ層の加熱モジュール１Ａへ搬送されるまでの経路で滞留してしまうおそれが有るため、このように露光機Ｄ５からの搬出を遅らせる。

図９は、露光機ＣＴが２２秒であること、及び取得される露光後最大ＣＴが２０秒であることについて、図８で説明した状況とは異なっている。従って、図９では露光後最大ＣＴ＜露光機ＣＴである。このような関係の場合、アウトレディ信号Ｒ１が出力され次第、ＩＦＢＳ２２はウエハＡ９を受け取り、後段のＴＲＳへと搬送する。つまり、図８で説明したアウトレディ信号Ｒ１出力後の露光機Ｄ５からのウエハＷの搬出抑制は行われない。これは、露光機Ｄ５が搬送のボトルネックとなっており、露光機Ｄ５よりも後段でのウエハＷの滞留は抑制されることによる。なお同様の主旨により、露光後最大ＣＴ＝露光機ＣＴである場合についても、露光機Ｄ５からの搬出抑制は行われない

図１０は加熱モジュール１Ａ－１のブロッキングがなされたことで、露光後最大サイクルタイムが２２秒から２４秒に変化している点が、図８で説明した状態とは異なっている。ブロッキングによって再計算がなされたため、図８の状態に対して露光後最大ＣＴに変化が生じている。この図１０の状態は図８の状態と同様、露光後最大ＣＴ＞露光機ＣＴであるため、露光機Ｄ５からのウエハＷの搬出抑制がなされ、アウトレディ信号Ｒ１の出力から露光後最大ＣＴ－露光機ＣＴの時間経過後に、露光機Ｄ５からのウエハＷの搬出が行われる。具体的には、アウトレディ信号Ｒ１の出力後、２４秒-２０秒＝４秒後に露光機Ｄ５からウエハＷが搬出される。

図１１は、ＤＥＶ層の一つのスタックにてＰＪ－Ａ、ＰＪ－Ｂが各々搬送中であり、ウエハＢ７が露光機Ｄ５から搬出される状態を示しており、露光機ＣＴは２０秒である。ＰＪ－Ａ、ＰＪ－Ｂは同じ搬送経路Ｈ１で搬送されるため、ＤＥＶ層のＡＣＴ（Arm Cycle Time）については同じであるが、ＰＪ－Ａ、ＰＪ－Ｂ間でのＤＥＶ層のＭＵＴＣＴ（Module Using Time Cycle Time）の最大値は異なる。ＰＪ－ＡについてのＤＥＶ層のＭＵＴＣＴ、ＡＣＴのうちで最大の時間は２２秒であり、ＰＪ－ＢについてのＤＥＶ層のＭＵＴＣＴ、ＡＣＴのうちで最大の時間は１９秒である。なお、露光機Ｄ５の後段でＤＥＶ層以外の各層から取得されるＭＵＴＣＴ及びＡＣＴはいずれも１９秒よりも小さいものとする。

この場合、既述したルールにより露光後最大ＣＴは、ＰＪ－Ａから算出された２２秒として決定される。そして、露光後最大ＣＴ＞露光機ＣＴであるため、ウエハＢ７の露光機Ｄ５からの搬出抑制が行われ、アウトレディ信号Ｒ１の出力後、２２秒－２０秒＝２秒後に当該ウエハＷＢ７の露光機Ｄ５からの搬出が行われる。このように一つの層に複数のＰＪ（即ち複数のロットのウエハＷ）が位置する場合、ＰＪ毎にＭＵＴＣＴが算出されて、露光後最大ＣＴが決定されることになる。

図１２はＰＪ－Ａ、ＰＪ－Ｂが互いに異フローであり、ＰＪ－Ａが露光機Ｄ５を通過して、ＤＥＶ層を含む露光機Ｄ５の後段の各層を搬送中の状態を示している。この場合、ＰＪ－Ｂは露光機Ｄ５には搬送されず、露光機Ｄ５の前段側のモジュールで待機する。つまりＰＪ－Ｂの各ウエハＷは、露光機Ｄ５の直前のモジュールであるＩＣＰＬまでは搬送されるが、露光機Ｄ５には搬送されない。ＰＪ－ＡのウエハＷがすべてキャリアＣ内に格納されてＰＪ－Ａが終了すると、露光機Ｄ５及びその後段へと、ＰＪ－Ｂの各ウエハＷが順次搬送されて、これまでに説明したように搬送制御がなされる。

異フローである各ＰＪが露光機Ｄ５の後段に混在してしまうと、ＰＪの切り替わりに各搬送機構の搬送動作が変化することによって、比較的大きなＰＥＤ時間の変動が発生するおそれが有る。その変動を防止するために、このように先発ＰＪ（第１ロット）と後発ＰＪ（第２ロット）とが異フローの関係である場合、先発ＰＪが終了するまで、後発ＰＪの露光機Ｄ５への搬送が行われないようにする。

〔第２搬送制御の詳細〕
続いて、第２搬送制御について詳しく説明する。第２搬送制御を行うにあたっても露光後最大ＣＴの決定がなされる。既述したように第２搬送制御についても第１搬送制御と同様に、露光機Ｄ５以降のウエハＷの搬送経路でのボトルネックに応じて露光機Ｄ５からの搬送間隔を制御するものである。そのため露光後最大ＣＴの決定のために必要なＭＵＴＣＴ（Module Using Time Cycle Time）及びＡＣＴ（Arm Cycle Time）の算出対象となるＰＪとしては、以下の条件αまたは条件βに適合するウエハＷである。なお、条件βに適合するＰＪは、第１搬送制御の場合と同様、１つとは限られない。図１３は、ウエハＷに設定されたＰＪを、先発のものから順にＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄとして表し、これらのＰＪＡ～Ｄと、条件α、βとの対応を示したものである。条件αに適合するものがＰＪ－Ｄ、条件βに適合するものがＰＪ－Ａ～ＰＪ－Ｃである。
条件α：露光機Ｄ５へ次に搬入予定のＰＪが属するＰＪ（説明の便宜上、搬入ＰＪとする）
条件β：搬入ＰＪよりも先発のＰＪであり、終了しておらず、且つ搬入ＰＪが露光機Ｄ５以降に通過するいずれかの層を通過するＰＪ

さらにそのＭＵＴＣＴ、ＡＣＴの算出について層に関して見ると、上記のボトルネックに応じた搬送を行う目的から、上記の搬入ＰＪが露光機Ｄ５以降で通過する層が算出対象となる。第２搬送制御においても第１搬送制御と同様、算出対象のＰＪのウエハＷが存在し、且つ算出対象である層からＭＵＴＣＴ、ＡＣＴが算出され、そのうちの最大値が露光後最大ＣＴとして決定されることになる。

この決定について、より具体的に説明すると、図１３に示したＰＪ－Ａ～ＰＪ－Ｄはいずれも、搬送経路Ｈ１で搬送されるものとして、ＩＣＰＬにＰＪ－ＤのウエハＷが位置した状態となっている。つまり、このＰＪ－ＤのウエハＷが次に露光機Ｄ５に搬入予定のウエハＷに該当し、このＰＪ－ＤのウエハＷの搬送先である、ＩＦＢＳ層、ＤＥＶ層、ＭＰＲＡ層、ＣＲＡ層が算出対象の層である。そのうちのＩＦＢＳ層、ＤＥＶ層、ＭＰＲＡ層にＰＪ－Ａ～ＰＪ－ＤのウエハＷが位置し、ＣＲＡ層にはいずれのウエハＷも位置しないとすれば、ＩＦＢＳ層、ＤＥＶ層、ＭＰＲＡ層からＭＵＴＣＴ、ＡＣＴが算出され、露光後最大ＣＴが決定されることになる。なお、以上に述べた露光後最大ＣＴの決定は、第１搬送制御においても同様である。

そして、露光機Ｄ５からインレディ信号が出力され、且つＩＣＰＬにウエハＷが載置された状態で、上記の露光後最大ＣＴが算出される。そして、直前にウエハＷを露光機Ｄ５へ搬送してから経過した時間をＧ１、ＩＣＰＬから露光機Ｄ５へのウエハＷの搬送に要する時間をＧ２とすると、Ｇ１、Ｇ２の合計時間が算出され、その合計時間（Ｇ１＋Ｇ２）と、露光後最大ＣＴとの比較がなされる。比較の結果、露光後最大ＣＴ＞時間Ｇ１＋時間Ｇ２である場合（図１４上段に示す場合）は、ＩＣＰＬにおけるウエハＷについて、当該ＩＣＰＬにて待機させるように決定する。なお、時間Ｇ２を算出するためのパラメータ（搬送機構２２が露光機Ｄ５、ＩＣＰＬ間の移動に要する時間、及び搬送機構２２の基板保持部の進退により露光機Ｄ５、ＩＣＰＬの各々に対してウエハＷの受け渡しに要する時間）は制御部４に記憶されることで、当該時間Ｇ２については算出可能である。また制御部４は、インレディ信号の出力された時刻を記憶し、時間Ｇ１についても取得可能であるとする。

そのようにＩＣＰＬでウエハＷの待機を行うと決定された場合は、そのＩＣＰＬでの待機時間が、露光後最大ＣＴ－時間Ｇ１－時間Ｇ２として算出される。つまり、露光後最大ＣＴと時間Ｇ１、Ｇ２の合計時間との差分に応じた時間だけ、ＩＣＰＬにおけるウエハＷの待機を行う。なお、このように算出される待機時間は、図７で説明したＺ秒に相当する。このように待機時間を露光後最大ＣＴに基づいた時間として算出することで、第１搬送制御を行う場合と同様、露光機Ｄ５からウエハＷが搬出される間隔を調整し、ＰＥＢがなされる前にウエハＷが滞留することを防止する。

一方、露光後最大ＣＴ≦時間Ｇ１＋時間Ｇ２と判定された場合は、ＩＣＰＬに搬送されたウエハＷについて、当該ＩＣＰＬでの待機を行わずに露光機Ｄ５へ搬送する。図１４下段に示す例は、露光後最大ＣＴ＜時間Ｇ１＋時間Ｇ２であるため、ＩＣＰＬでの待機が行わないケースを示している。このように待機を行わないのは、露光機Ｄ５が搬送のボトルネックになっている（即ち、露光機Ｄ５よりも後段が搬送のボトルネックになっていない）ので、露光機Ｄ５から搬出されたウエハＷについて、ＰＥＢ用の加熱モジュール１Ａへ至るまでに、搬送の停滞が起こらないと予想されるためである。

〔露光機への搬送停止条件〕
第２搬送制御の実行中においても第１搬送制御の実行中と同様、ＰＥＤ時間の変動をより確実に抑制するために、先発ＰＪと後発ＰＪとが異フローの関係である場合、先発ＰＪのウエハＷがすべてキャリアＣに搬送されて当該ＰＪが終了するまで、後発のＰＪは露光機Ｄ５へは搬送されない。従って図１２で示したように、ＰＪ－Ａ、ＰＪ－Ｂが互いに異フローであり、ＰＪ－Ａが露光機Ｄ５を通過して、ＤＥＶ層を含む露光機Ｄ５の後段を搬送中は、ＰＪ－Ｂは露光機Ｄ５の直前のモジュールであるＩＣＰＬまでは搬送されるが、露光機Ｄ５には搬送されない。そしてＰＪ－Ａの終了後に、露光機Ｄ５へ順次ＰＪ－Ｂが搬送される。

また第２搬送制御の実行中、ＩＣＰＬに位置するウエハＷが露光機Ｄ５以降に通過するステップ及び／または層であって、以下の条件１～条件４のいずれかを満たす場合は、当該ウエハＷの露光機Ｄ５への搬送を行わない。条件１としては、マルチスタックのすべてのスタックの搬送機構に対してアームブロッキングの指示をしていることである。具体的には、既述したように３つ存在するＤＥＶ層のスタックうちのＰＲＡ３４～３６のすべてにアームブロッキングの指示をしている場合である。条件２としては、アームブロッキングを指定していないが、同じ層で同じステップのすべてのモジュールが使用不可になっていることである。具体的には上記の搬送経路Ｈ１でウエハＷを搬送して処理を行うにあたり、ＤＥＶ層の中でのすべての現像モジュール１５（即ち、３つのスタックすべての現像モジュール１５）が使用不可であるとする。その場合は、この条件２に該当する。

条件３、４を説明する前にバイパス対象モジュール及び検査モジュールについて説明する。一のモジュールについて使用不可となった場合に、その一のモジュールを経由せずに当該一のモジュールの後段のモジュールへとウエハＷを搬送することができるように設定されたモジュールをバイパス対象モジュールとする。そのような搬送を行うことが不可のモジュールをバイパス対象外モジュールとする。つまり、バイパス対象モジュールは、当該モジュールへウエハＷを搬送しないということが許容されるモジュールであるが、既述の搬送経路Ｈ１上のモジュールは、いずれもバイパス対象外モジュールであるものとする。また、塗布、現像装置１についてはＤＥＶ層など任意の層にウエハＷを撮像して所定の検査を行うための検査モジュールを搭載してもよい。そのように検査を行うことが目的であるため、検査モジュールへの搬送は省くことも可能である。条件３としては露光機Ｄ５の後段において、モジュールブロッキングが未指示の状態で、あるステップにおけるバイパス対象外モジュールがいずれも使用不可の場合である。条件４としては露光機Ｄ５の後段のあるステップにおける、検査モジュール以外のバイパス対象外モジュールがいずれも搬送不可の場合である。

このように条件１～４は、ＩＣＰＬに位置するウエハＷが通過する予定の層及び/または通過する予定のモジュールへの搬送が行えず、仮に露光機Ｄ５に搬送したら、露光機Ｄ５の後段にて搬送を停止しなければならない状態である場合に、露光機Ｄ５への搬入停止がなされるように設定されている。即ち、露光機の後段における一のモジュールと、当該一のモジュールの後段の他のモジュールとの間でウエハＷの搬送が行えない場合は露光機Ｄ５へウエハＷを搬送しない。そして、上記の条件１～４をいずれにも該当せず、搬送を停止しなければならない状態が解消されたら、ＩＣＰＬから露光機Ｄ５へのウエハＷの搬送を行う。

〔パラメータ算定対象となる層の説明の補足〕
第２搬送制御を行うにあたり、後発ＰＪに対して先発ＰＪが異フローである場合には、後発ＰＪの露光機Ｄ５への搬送は行わないものとして述べた。しかし、そのように異フローの存在によって露光機Ｄ５への搬送停止を行うか否かは、ユーザーが選択可能である。さらに具体的には、先発ＰＪと後発ＰＪとで通過する層及び／またはモジュールが異なっていても先発のＰＪの終了前に後発のＰＪを露光機Ｄ５へ搬送できるように設定することが可能である。当該設定を、異フロー許容設定とする。異フロー許容設定により、先発のＰＪが終了するまでの露光機Ｄ５での後発ＰＪの待機が行われないようにし、スループットを高めることができる。後発ＰＪが搬送経路Ｈ１で説明した各層を通過するものとして、この後発ＰＪのウエハＷがＩＣＰＬに搬送された場合に、上記したように第２搬送制御に必要な露光後最大ＣＴを取得するために必要なＭＵＴＣＴ、ＡＣＴを取得する対象の層について、説明を補足する。

ここでは先発ＰＪとしては下記の搬送経路Ｈ１と同じ層を通過するか、あるいは以下の搬送経路Ｈ２～Ｈ５で搬送される場合が有るものとする。なお、先発ＰＪで使用される処理モジュールとしては、搬送経路Ｈ１で使用される処理モジュールと同じ種類の処理モジュールであることには限られず、一部のモジュールを通過しなかったり、図１等では説明を省略しているモジュールに搬送されたりしてよい。
搬送経路Ｈ２：キャリアＣ→ＣＲＡ層→ＭＰＲＡ層→ＣＯＴ層→ＩＦＢ層→ＩＦＢＳ層→ＩＦＢＳ層→ＩＦＢ層→ＤＥＶ層→ＭＰＲＡ層→ＣＲＡ層→キャリアＣ
搬送経路Ｈ３：キャリアＣ→ＣＲＡ層→ＭＰＲＡ層→ＣＯＴ層→ＩＦＢ層→ＩＦＢ層→ＤＥＶ層→ＭＰＲＡ層→ＣＲＡ層→キャリアＣ
搬送経路Ｈ４：キャリアＣ→ＣＲＡ層→ＭＰＲＡ層→ＣＯＴ層→ＭＰＲＡ層→ＣＲＡ層→キャリアＣ
搬送経路Ｈ５：キャリアＣ→ＣＲＡ層→ＭＰＲＡ層→ＤＥＶ層→ＭＰＲＡ層→ＣＲＡ層→キャリアＣ

このように先発ＰＪと後発ＰＪとで搬送経路が違う場合であっても、露光機の後段でのウエハＷの搬送経路におけるボトルネックに応じてＩＣＰＬでの待機を行うようにする主旨から、露光機Ｄ５に次に搬送されるウエハＷの通過する予定の層がＭＵＴＣＴ及びＡＣＴの取得対象の層となる。従って取得対象の層としては、先発ＰＪが搬送経路Ｈ１、Ｈ２で搬送される場合は、ＩＦＢＳ層、ＩＦＢ層、ＤＥＶ層、ＭＰＲＡ層及びＣＲＡ層であり、搬送経路Ｈ３で搬送される場合は、ＩＦＢ層、ＤＥＶ層、ＭＰＲＡ層及びＣＲＡ層であり、搬送経路Ｈ４で搬送される場合は、ＭＰＲＡ層及びＣＲＡ層であり、搬送経路Ｈ５で搬送される場合、ＩＦＢ層、ＤＥＶ層、ＭＰＲＡ層及びＣＲＡ層である。

以上のように異フロー許容設定がなされていても、算定対象となる各層からこれまでに述べたように、各ＰＪのＭＵＴＣＴ、ＡＣＴが取得されて露光後最大ＣＴが決定される。そして、その露光後最大ＣＴに応じて、ＩＣＰＬにてウエハＷが待機する。この異フロー許容設定が行われている場合、後発ＰＪのウエハＷが通過しないステップがボトルネックとなる先発ＰＪが存在する場合であっても、後発ＰＪが先発ＰＪを追い越しできずにＤＥＶ層の入口などで待機する状態となってＰＥＤ時間が乱れることが防止されることになる。

ところで、露光機Ｄ５への搬送を停止する行う第１～第４条件及び異フロー許容設定について、第２搬送制御に関する事項として説明したが、第１搬送制御についても適用される。つまり、第１搬送制御を行うにあたり、第１～第４条件のいずれかに該当する場合は、露光機Ｄ５へのウエハＷの搬送を停止する。また、第１搬送制御を行うにあたり、搬送される層、モジュールが異なる先発ＰＪの終了前に、後発ＰＪのウエハＷを露光機Ｄ５に搬送可能な設定とすることができる。

〔第３搬送制御の説明〕
続いて、第３搬送制御について説明する。この第３搬送制御を行うにあたっては、予め露光機ＣＴの設定がなされる。第１搬送制御の説明で、アウトレディ信号の出力間隔を露光機ＣＴとみなすことを述べたが、ＰＰＤ時間をより精度高く制御するために、露光機ＣＴは予め用意した設定値を用いるか、露光機Ｄ５から取得することが好ましい。露光機Ｄ５から取得する場合は、例えば塗布、現像装置１で処理を開始する際に、塗布、現像装置１の制御部４と露光機Ｄ５の図示しない制御部とを統括するホストコンピュータを経由することで制御部４が取得可能であるようにする。

ユーザーによって第３搬送制御を行う選択がなされた状態で、上記の第２搬送制御が実行される。例えば任意のＰＪが搬送経路Ｈ１で搬送されるにあたり、露光機Ｄ５に搬入される前に当該ＰＪのＤＥＶ層のＣＴと、露光機ＣＴと、が比較される。なお、ここでのＤＥＶ層のＣＴとは、ＰＪで指定されるＤＥＶ層におけるＡＣＴ、及び入口及び出口以外のモジュールから取得されるＭＵＴＣＴのうちの最大値であり、以降は本来のＤＥＶ層のＣＴとして表記する場合が有る。なお、この本来のＤＥＶ層のＣＴは、これまでに述べてきたようにＰＲＡ３４～３６の周回移動時間とスタック数とから算出される時間であり、ＰＪによって予め設定された、ＰＲＡの周回移動時間に対応する区間搬送時間に該当する。ウエハＷの搬送にあたって、この本来のＤＥＶ層のＣＴが設定されるとは限られないため、この本来のＤＥＶ層のＣＴとは、制御部４が演算によって取得することができ、ＤＥＶ層のＣＴとして設定され得る候補値である。露光機ＣＴも、この本来のＤＥＶ層のＣＴと同じく、ＤＥＶ層のＣＴとして設定され得る候補値である。

比較の結果、露光機ＣＴの方が長い（露光機ＣＴ＞ＤＥＶ層のＣＴ）場合は、ＩＣＰＬよりも後段において露光機Ｄ５及びＤＥＶ層のうち、露光機Ｄ５の方が搬送のボトルネックとなる。この場合、上記のＰＪのウエハＷは、ＩＣＰＬ、露光機Ｄ５を介してＤＥＶ層へ搬入された後、ＤＥＶ層では、区間搬送時間である当該ＤＥＶ層のＣＴが露光機ＣＴへの合わせ込まれた状態で、出口のモジュールであるＳＣＰＬ３へ向けて搬送される（図１５）。従って、当該ＰＪのウエハＷは、本来のＤＥＶ層のＣＴよりも長いＣＴが設定された状態で、ＤＥＶ層内を搬送される。さらに詳しく述べると、ＤＥＶ層のＰＲＡ３４～３６は、ＰＪによって予め決められた時間とは異なる時間での周回動作を行うことで、ＤＥＶ層における搬送が行われていることになる。先述したように同じＰＪのウエハＷのうち、少なくとも当該ＤＥＶ層にて搬送される最後のウエハＷがＳＣＰＬ３に搬送されるまで（即ち、当該ＰＪの当該ＤＥＶ層での搬送が終わるまで）、ＤＥＶ層のＣＴは変化しない。後発のＰＪ次第では、ＤＥＶ層のＣＴは露光機ＣＴのまま維持される。

なお、以上のように搬送が行われる間、第２搬送制御の実行中のため、ＩＣＰＬから露光機Ｄ５へウエハＷを搬送するにあたり、図１４で説明した計算がなされることで、ＩＣＰＬにおけるウエハＷの待機が適宜行われることになる。ただし、露光機Ｄ５が搬送のボトルネックであることで、インレディ信号の出力間隔が比較的長いことから、インレディ信号が出力された時点で露光後最大ＣＴ＜時間Ｇ１＋時間Ｇ２の傾向となる。そのためＩＣＰＬでのウエハＷの待機は行われ難い傾向である。

このように搬送制御がなされることで、同じＰＪのすべてのウエハＷがＤＥＶ層内を一定間隔で搬送されるため、当該ＰＪのウエハＷ間でＰＰＤ時間が揃う。また、露光機サイクルタイム（即ち、露光機Ｄ５からのウエハＷの搬出間隔）と、ＤＥＶ層のサイクルタイムとが同じであるため、各ウエハＷは一定間隔で加熱モジュール１Ａへ搬送されるので、同じＰＪのウエハＷ間でＰＥＤ時間も揃う。

一方、露光機Ｄ５に搬入される前のＰＪについてのＤＥＶ層のＣＴと、露光機ＣＴとの比較の結果、露光機ＣＴの方が長い場合（露光機ＣＴ≦ＤＥＶ層のＣＴの場合）は、露光機Ｄ５及びＤＥＶ層のうち、ＤＥＶ層の方が搬送のボトルネックとなる。この場合は、上記のＰＪのウエハＷは、ＩＣＰＬ、露光機Ｄ５を介してＤＥＶ層へ搬入された後、ＤＥＶ層では、本来のＤＥＶ層のＣＴが設定された状態で、出口のモジュールであるＳＣＰＬ３へ向けて搬送される（図１６）。つまり、ＤＥＶ層のＣＴの露光機ＣＴへの合わせ込みは行われない。この場合も第２搬送制御が実行されているため、図１４で説明した計算によりＩＣＰＬにおけるウエハＷの待機が適宜行われる。

上記のように第２搬送制御が実行されていることで、露光機Ｄ５からのウエハＷの搬出間隔、ひいてはＤＥＶ層への搬入間隔が一定ないしは概ね一定である。そして、ＤＥＶ層内では一定間隔（本来のＤＥＶ層のＣＴ）で順次、ウエハＷが搬送されるので、この場合においてもＰＥＤ時間及びＰＰＤ時間がウエハＷ間で揃う。このように本来のＤＥＶ層のＣＴでウエハＷが搬送される場合も、同じＰＪのウエハＷのうち、当該ＤＥＶ層にて搬送される最後のウエハＷがＤＥＶ層の出口のモジュールに搬送されるまで、ＤＥＶ層のＣＴは変化しない。

〔露光機へのウエハの搬入制限〕
第３搬送制御が行われる設定とした場合、先発ＰＪと後発ＰＪとが異フローであると、先発ＰＪが終了するまで後発ＰＪのウエハＷは露光機Ｄ５には搬送されず、第１搬送制御及び第２搬送制御で説明したように、後発ＰＪは先発ＰＪの終了後にＩＣＰＬから順次露光機Ｄ５に搬送される。従って、先発ＰＪの終了までにＩＣＰＬに搬送されたウエハＷは、ＩＣＰＬで待機する。これは第１搬送制御及び第２搬送制御で述べた異フローの後発ＰＪを露光機Ｄ５への搬入を防ぐ理由と同様、先発ＰＪが終了するまでに後発ＰＪのウエハＷを露光機Ｄ５に搬送してしまうと、当該後発ＰＪのウエハＷをＤＥＶ層の入口で待機させる場合が発生して、ＰＥＤ時間が伸びるおそれが有るためである。

また後発ＰＪと先発ＰＪとについて、ＤＥＶ層のＣＴが変更される関係となる場合においても後発ＰＪのウエハＷは露光機Ｄ５へは搬送されず、先発ＰＪが終了するまで後発ＰＪのウエハＷは露光機Ｄ５には搬送されない。これは先発ＰＪの先頭のウエハＷから最後のウエハＷまで一定のサイクルでＤＥＶ層内を搬送されるので、その間、ＤＥＶ層のＣＴが異なる後発のＰＪについてはＤＥＶ層内を搬送できないためである。

具体例を挙げると、先発ＰＪについて露光機ＣＴ＞露光後最大ＣＴという関係で、ＤＥＶ層のＣＴが露光機ＣＴへ合わせ込まれて搬送が行われているとする。そして、ＩＣＰＬに搬送された後発ＰＪについては、ＤＥＶ層のＣＴ＞露光機ＣＴになるものであるとする。即ち、後発ＰＪのＤＥＶ層搬送時には合わせ込みが行われず、ＤＥＶ層のＣＴが変化することになる。そのため後発ＰＪは、先発ＰＪの終了まで露光機Ｄ５へは搬送されない。また他の例を挙げると、先発ＰＪについてＤＥＶ層のＣＴが本来のＣＴで搬送されており、ＩＣＰＬに搬送された後発のＰＪについて、ＤＥＶ層のＣＴがその先発のＰＪのＤＥＶのＣＴとは異なるように設定されているものとする。その場合も後発ＰＪのＤＥＶ層搬送時にＤＥＶ層のＣＴが変化することになるので、後発ＰＪは、先発ＰＪの終了まで露光機Ｄ５へは搬送されない。このように先発ＰＪの搬送時に対して、ＤＥＶ層におけるＰＲＡ３４～３６の周回移動の時間が変更されることになる場合、後発ＰＪの露光機Ｄ５への搬送は停止される。

〔使用モジュール数の制限について〕
仮にＤＥＶ層の一つのスタックにおいて任意の一のステップのマルチモジュールをすべて使用する場合を考える。その場合は、マルチモジュールのうちの一のモジュールに搬送されたウエハＷは、マルチモジュールの数の分だけＤＥＶ層のサイクル（即ち、ＰＲＡの周回）が行われた後、当該マルチモジュールの次のモジュールへと搬送される。従って、当該ウエハＷは、ＤＥＶ層のＣＴ×マルチモジュールの数の時間分だけ、当該一のモジュールに滞在する。具体的に、図１５、図１６に示すように加熱モジュール１Ａとしては１Ａ－１～１Ａ－４の４個が設けられているため、加熱モジュール１Ａ－１に搬送されたウエハＷは４サイクル経過後に次のＳＣＰＬ２へと搬送される。図１５等で述べたＤＥＶ層のＣＴの合わせ込みが行われる場合は、ウエハＷは加熱モジュール１Ａ－１に、露光機ＣＴ×４サイクル分の時間滞在することになる。

そのＤＥＶ層のＣＴについては露光機ＣＴへの合わせ込みにより、本来のＣＴから見て延長されている。従ってウエハＷの各モジュールへの滞在時間についても延長され、ＰＰＤ時間についても長期化する傾向となる。このＰＰＤ時間が長くなることを抑制するために、この合わせ込みの実行時に、ＤＥＶ層におけるマルチモジュールにおける使用モジュール数を制限することができる。より詳しくはＤＥＶ層の入口及び出口を除いた各ステップのモジュールについての数を制限することができ、この制限は、使用モジュール数が露光機ＣＴでＤＥＶ層の搬送を行うために最低限必要な数（必要モジュール数とする）になるように行われる。つまりＤＥＶ層の各ステップにおいて、当該ＤＥＶ層の１サイクルにあたり１枚のウエハＷを次のステップへ搬送可能な最低のモジュールの数が必要モジュール数であり、ここでの１サイクルの時間は露光機ＣＴの時間である。なお、この使用モジュール数の制限を行うか否かは、ユーザーが選択可能である。

図１７はそのように使用モジュール数を制限してＤＥＶ層の搬送を行う例を示しており、使用しないモジュールに×印を付している。説明の煩雑化を防ぐために、先ず、ＤＥＶ層がマルチスタックでは無いものとして、必要モジュール数の算出方法を述べると、当該必要モジュール数としては、各モジュールのＭＵＴ／露光機ＣＴの値とし、算出値が小数値を含む場合はその小数値を切り上げて整数とする。例えば露光機ＣＴが１００秒であるとする。そして任意のＰＪについて、加熱モジュール１ＡのＭＵＴは９０秒、ＳＣＰＬ２のＭＵＴは４０秒、現像モジュール１５のＭＵＴは１３０秒、加熱モジュール１ＢのＭＵＴは９０秒と算出されるとする。この場合、加熱モジュール１Ａの必要モジュール数は、９０秒／１００秒の小数点以下を切り上げることで、１として算出される。同様の計算で、ＳＣＰＬ２、現像モジュール１５、加熱モジュール１Ｂについての必要モジュール数は、夫々１、２、１と算出される。

上記したようにこれは使用されるＤＥＶ層のスタックの数を１とした場合の値である。これまで述べてきたように使用されるＤＥＶ層のマルチスタック数を３とするなら、例えば既述したＭＵＴＣＴを求める式１と同様、搬送比率を用いてスタック毎の必要モジュール数を決めればよい。つまり３つの各スタックに均等にウエハＷが搬送されるものとして、１つのスタックの現像モジュール１５の必要モジュール数は、１３０秒／マルチスタックの数（＝３）／露光機ＣＴ＝１として決定すればよい。

以上のように各ステップのマルチモジュールについて、算出された必要モジュール数に応じて、いずれのモジュールを使用するかを決定する。例えば、番号の若い順からその算出された数のモジュールが使用されるようにする。そして、そのように使用が決定されたモジュールに限定して、この必要モジュール数の算出の元になったＰＪのウエハＷを搬送し、処理を行う。このようにマルチモジュールのうち、使用されるモジュール数が限られることで、そのように使用されるモジュールにおけるウエハＷの滞在時間は、露光機ＣＴ×必要モジュール数となるので、モジュール数を限らない場合に比べてウエハＷは速やかに次のステップのモジュールに搬送される。それ故に、ＰＰＤ時間が短縮化される。

なお、先発ＰＪと後発ＰＪとで算出される必要モジュール数が異なる場合がある。具体例を挙げると、加熱モジュール１Ａにおいて、先発のＰＪでは処理時間が７５秒、後発のＰＪでは処理時間が１００秒であることで、先発のＰＪ、後発のＰＪとの間でＭＵＴ、ひいてはＭＵＴから算出される必要モジュール数が異なる場合が有る。このように算出される必要モジュール数が異なる場合、既述した先発ＰＪと後発ＰＪとが異フローとなる条件に該当するため、後発ＰＪについては先発ＰＪが終了するまで、露光機Ｄ５への搬送が行われない。

上記したように使用モジュール数の制限を行うか否かは選択可能である。この選択の一例として、ＰＰＤ時間が比較的長くてもウエハＷに形成されるパターンへの影響が無い、ないしは小さい場合は、必要モジュール数の変動によって後発のウエハＷが露光機Ｄ５へ搬送不可になることでのスループットの低下が防止されるように、使用モジュール数の制限を行わない設定とする。そして、ＰＰＤ時間が比較的長いと、ウエハＷに形成されるパターンへの影響が比較的大きい場合には、使用モジュール数の制限を行う設定とすることで、ＰＰＤ時間を抑制すればよい。

〔補足事項〕
以上のように第１搬送制御と、第２搬送制御及び第３搬送制御とは別個に行われるので、第１～第３搬送制御のうち、第１搬送制御のみ、あるいは第２搬送制御及び第３搬送制御のみが行われるように制御部４が構成されていてもよい。なお、第２搬送制御及び第３搬送制御については、第２搬送制御のみ行われるようにしてもよい。

第３搬送制御を行うにあたって露光機ＣＴを設定することを述べた。そして、第１搬送制御を行う際にアウトレディ信号の出力間隔を露光機ＣＴとみなすと述べたが、第１～第３搬送制御を実行可能であるとした場合には、第１搬送制御において、そのアウトレディ信号の出力間隔を用いる代わりに、第３搬送制御を行うために設定される露光機ＣＴを利用してもよい。なお、精度高くＰＰＤ時間の制御を行うために第３搬送制御では既述したように露光機ＣＴを設定しているが、その既述のように設定することには限られない。第１搬送制御と同様にアウトレディ信号の出力間隔を、露光機ＣＴとみなして使用してもよい。また、露光機Ｄ５に適切な間隔でウエハＷを搬入出すると、アウトレディ信号の出力間隔だけでなく、インレディ信号の出力間隔も概ね露光機ＣＴと同じになることから、適切なタイミングで取得したインレディ信号の出力間隔を露光機ＣＴとみなして使用してもよい。以上のように露光機ＣＴの取得方法は任意である。

第１搬送制御、第２搬送制御で既述したように演算を行い、取得した時間だけ、露光機Ｄ５、ＩＣＰＬに待機をさせるように述べたが、適宜オフセットの時間を設定してもよい。従って、取得した時間に応じた時間、ウエハＷを待機させることができ、ここでいう取得した時間に応じた時間には、取得した時間そのものも含まれる。

〔バッファモジュール〕
図１８においては露光機Ｄ５による露光後でＤＥＶ層に搬送する前のウエハＷを一旦格納するバッファモジュール５をインターフェイスブロックＤ４に設け、このバッファモジュール５を利用した搬送が行われる例を示しており、上記したＰＰＤ時間を揃えるための第３搬送制御が行われた状態で当該搬送がなされる。この搬送の概要を述べると、ウエハＷは露光機Ｄ５から搬出されてＴＲＳ５に受け渡される。そして、このＴＲＳ５のウエハＷは条件次第で、ＤＥＶ層の入口であるＴＲＳ６に直接搬送されるか、あるいは格納モジュールであるバッファモジュール５に一旦格納された後にＴＲＳ６に搬送される。なお、ＴＲＳ６への搬送後には、ウエハＷはこれまでに説明したようにＤＥＶ層内の各モジュールを順番に搬送される。

バッファモジュール５は側方からウエハＷを搬入出可能な筐体を備えており、例えば筐体内にウエハＷを上下方向に並べて格納可能である。この筐体内にはＮ_２ガスを供給する供給口が開口しており、筐体内をＮ_２ガス雰囲気とする。従って、当該筐体内におけるウエハＷを格納する領域の雰囲気は、筐体の外側の大気雰囲気とは異なる。ＰＥＤ時間の変動によってレジストパターンのＣＤが変動することを述べたが、これは塗布、現像装置１が設置されるクリーンルーム内の大気中の成分の作用による。後述するように第３搬送制御を行うにあたり、露光機ＣＴの変動に起因して、ＰＥＤ時間が同じＰＪのウエハＷ間でずれる場合がある。必要に応じてバッファモジュール５に当該ウエハＷが格納されることでウエハＷが大気に曝されることを防止し、それによってこのＰＥＤ時間のずれによるＣＤのばらつきが抑制されるようにする。

図１９、図２０のタイミングチャートを用いて、バッファモジュール５の役割をさらに詳しく説明する。なお、ここでも説明の便宜上、ＤＥＶ層のスタックの数は１つであるものとするが、スタックが複数の場合であっても同様に搬送を行うことができる。図１９、図２０のチャートは、ＰＪ－ＡのウエハＡ１～Ａ３の搬送例を示すものであり、図１９、図２０で各々異なる搬送例を示し、また同じ図内でも上段、下段で各々異なる搬送例を示している。

チャート図中のＫ１は、ウエハＷが露光機Ｄ５に搬入されてからアウトレディ信号が出力されるまでの期間＋インターフェイスブロックＤ４（ＩＦＢ層、ＩＦＢＳ層）を搬送される期間である。従って、この期間Ｋ１は露光機ＣＴに応じて長さが変化する期間であり、露光機ＣＴ対応期間として呼称する。図中のＫ２は、ＤＥＶ層のＰＲＡ３６によってウエハＷが搬送される期間であり、ＤＥＶ層搬送期間として呼称する。図中のＫ３は、ＤＥＶ層においてウエハＷがモジュールにて処理を受ける期間と、ＰＲＡ３６による受け取りを待つ期間とを合わせた期間である。従って、この期間Ｋ３はＰＲＡ３６の周回移動時間に応じて長さが変化する期間であり、非搬送期間として呼称する。

ＤＥＶ層搬送期間Ｋ２及び非搬送期間Ｋ３の合計の長さの期間が、ウエハＷのＤＥＶ層での滞在期間である。実際には、ウエハＡ１～Ａ３の各々について、期間Ｋ２、Ｋ３は時間が経過するにつれて交互に繰り返し出現することになるが、チャートでは煩雑化を防ぐために期間Ｋ２を一まとめにすると共に、期間Ｋ３を一まとめにして示している。そのように一まとめにしたＤＥＶ層搬送期間Ｋ２の開始のタイミングは、ＰＲＡ３６がＤＥＶ層の入口でウエハＷを受け取るタイミングを示している。またチャート中、一定間隔で時刻ｔ１～ｔ４を示している。

図１９上段の搬送例は、第３搬送制御が行われる上で露光機ＣＴが一定である状態を示し、時刻ｔ１、ｔ２、ｔ３の各々でウエハＡ１、Ａ２、Ａ３はＤＥＶ層のＰＲＡ３６に受け取られる。そして、露光機ＣＴと同じ周回移動時間をもってＰＲＡ３６が周回し、ウエハＡ１～Ａ３に対してＤＥＶ層での搬送、処理が行われる。そして、時刻ｔ２、ｔ３、ｔ４の各々でウエハＡ１、Ａ２、Ａ３はＤＥＶ層から搬出される。このように搬送がなされることで、ＰＥＤ時間及びＰＰＤ時間についてウエハＡ１～Ａ３間で揃っている。

図１９下段及び図２０の各段の搬送例は、露光機ＣＴの変動が生じた場合の搬送例について示したものである。具体的にはウエハＡ２についてのアウトレディ信号が、予定されるタイミングよりも早く出力された場合の搬送例を示している。図１９下段の搬送例では、そのウエハＡ２について図１９の上段の例と同じく時刻ｔ２でＰＲＡ３６に受け取られるように搬送制御が行われている。従って、このウエハＡ２は図１９上段の例よりも長く露光機Ｄ５にて待機しており、それ故にウエハＡ２のＰＥＤ時間は、ウエハＡ１、Ａ３のＰＥＤ時間と異なってしまっている。なお、ＰＲＡ３６は一定の周回移動時間をもってウエハＡ１～Ａ３を搬送しているため、ＰＰＤ時間についてはウエハＡ１～Ａ３間で揃っている。

図２０上段は、ウエハＡ１～Ａ３でＰＥＤ時間が揃うように搬送制御が行われる例を示している。ウエハＡ１についてはモジュールにて待機する時間を短縮させる。即ち、ウエハＡ１の期間Ｋ３について短縮する。それによってＰＲＡ３６が時刻ｔ２よりも早いタイミングでＤＥＶ層の入口（ＴＲＳ６）でウエハＡ２を受け取る。そして、このウエハＡ２の期間Ｋ３については延長し、ウエハＡ３については図１９上段と同様、時刻ｔ３でＤＥＶ層の入口にてＰＲＡ３６に受け取られるようにする。しかし、このように期間Ｋ３をウエハＡ１～Ａ３間で変動させることは、ＰＲＡ３６の周回移動時間が変動することであるためＰＰＤ時間のばらつきが生じてしまう。

そこでウエハＡ１、Ａ２の期間Ｋ３を変更する代わりに、図２０下段に示すようにウエハＡ２をＤＥＶ層の入口（ＴＲＳ６）に搬送する前に、バッファモジュール５に一旦格納する。その後、ウエハＡ２をＤＥＶ層の入口へ搬送し、露光機ＣＴが一定の場合と同様、時刻ｔ２でＰＲＡ３６がウエハＡ２を受け取るようにする。なお、ウエハＡ１、Ａ３については図１９上段の例と同様に搬送されることで、時刻ｔ１、ｔ３で夫々ＰＲＡ３６に受け取られる。このように搬送制御が行われることで、図２０下段の搬送例では図１９下段で述べたＰＥＤ時間がウエハＡ１～Ａ３間で変動することの影響が抑えられる。なお、図１９下段の搬送例と同様、図２０下段の搬送例についてもＰＲＡ３６は一定の周回移動時間をもってウエハＡ１～Ａ３を搬送しているため、ＰＰＤ時間についてはウエハＡ１～Ａ３間で揃っている。従って、この図２０下段に示す搬送例では、ウエハＡ１～Ａ３間でレジストパターンのＣＤの均一性が低下することが防止される。

以上の図２０下段の搬送例が、図１８に示した搬送例に該当する。この搬送例ついてさらに詳しく説明すると、制御部４により、露光機Ｄ５のアウトレディ信号の出力タイミングについて、露光機ＣＴに基づいた予定の出力タイミング（予定の搬出可能タイミング）よりも実際のアウトレディ信号の出力タイミング（実際の搬出可能タイミング）が早いか否かの判定がなされる。そして、予定の出力タイミングよりも実際の出力タイミングが早くないと判定されたウエハＡ１、Ａ３については、バッファモジュール５を経由せずにＤＥＶ層の入口（ＴＲＳ６）に搬送される。予定の出力タイミングよりも実際の出力タイミングが早いと判定されたウエハＡ２については、上記したようにバッファモジュール５を経由してＤＥＶ層の入口に搬送される。このようにアウトレディ信号の出力タイミングのずれに応じて、バッファモジュール５に搬送するか否かの判定が行われ、その判定結果に従ってウエハＡ１、Ａ３と、ウエハＡ２とで搬送経路が異なるように搬送制御が行われる。

時刻ｔ２でＰＲＡ３６がウエハＡ２を受け取れるようにするために、バッファモジュール５でウエハＡ２は、アウトレディ信号についての予定の出力タイミングと実際の出力タイミングとのずれの時間に対応する時間だけ待機される。具体的には例えば、このずれの時間からＴＲＳ５からバッファモジュール５への搬送に要する時間及びバッファモジュール５からＤＥＶ層の入口のＴＲＳ６への搬送に要する時間を差し引いた時間だけ待機されることになる。

図２１には、バッファモジュール５を搭載したインターフェイスブロックＤ４の構成例を示している。図１で示した例とは異なり、ＩＦＢＳ２２がタワーＴ２の右側に配置され、ＩＦＢ２１がタワーＴ２の前方側に配置されており、ＩＦＢ２１の前方側にバッファモジュール５が配置されている。なお、このようなレイアウトとすることには限られず、例えばタワーＴ２を構成するモジュールとしてバッファモジュール５を設けてもよい。ＩＦＢ２１、ＩＦＢＳ２２についても、既述した各モジュール、露光機Ｄ５に対してウエハＷの受け渡しが行えればよいので、配置を適宜変更可能である。インターフェイスブロックＤ４における搬送機構の数についても、ＩＦＢ２１、ＩＦＢＳ２２の２つのみを設けることに限られず、設置されるモジュールの数や配置に応じて適切な数を設ければよい。

なお、ＰＥＤ時間によるレジストパターンのＣＤの変動は、上記したように大気中の成分によって引き起こされるが、その成分の中では水分の作用が大きいと考えられている。そのためバッファモジュール５を構成する筐体内に供給するガスとしては、筐体の内外で雰囲気が異なるようにするガスであって、より具体的には筐体の外側に比べて筐体内の相対湿度を低くするガスが好ましく用いられる。故に、筐体内に供給されるガスとしてはＮ_２ガスには限られず、アルゴンガスなどのＮ_２ガス以外の不活性ガスや、筐体の周囲の大気よりも水の含有率が低いドライエアなどのガスであってもよい。また、バッファモジュール５は複数枚のウエハＷを格納可能であるように述べたが、露光機サイクルタイムが比較的安定する露光機Ｄ５を用い、バッファモジュール５への搬送が散発的になる場合、１枚のみのウエハＷを格納可能な構成としてもよい。

ところでこれまでの説明で示されるように、同じＰＪのウエハＷについて、ＤＥＶ層のサイクルが一定であり、ＤＥＶ層のＰＲＡの受け取りまでの間に、Ｎ_２ガス雰囲気でウエハＷを待機させてＰＥＤ時間のばらつきの影響を抑えることで、当該ウエハＷ間でのパターンのＣＤを均一化させることができる。そのためＤＥＶ層の入口、即ちＴＲＳ６について、バッファモジュール５によって構成されていてもよい。即ち、バッファモジュール５としては、露光機Ｄ５からＤＥＶ層の入口に至るまでの搬送経路上に設けられていればよく、この場合での入口に至る、とは入口そのものも含む。

なお基板処理装置としては塗布、現像装置に限られない。例えば、レジスト塗布を行わず、露光、現像以降の処理のみを行う構成の装置であってもよい。基板としてもウエハＷに限られず、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）基板であってもよい。そして、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更及び組み合わせがなされてもよい。

Ｃ キャリア
ＩＣＰＬ 温度調整モジュール
ＴＲＳ 受け渡しモジュール
Ｗ ウエハ
１Ａ 加熱モジュール
１１ ＣＲＡ（搬送機構）
１２ ＭＰＲＡ（搬送機構）
１５ 現像モジュール
２１ ＩＦＢ（搬送機構）
２２ ＩＦＢＳ（搬送機構）
３４～３６ ＰＲＡ（搬送機構）

Claims (16)

1. キャリアから取り出した基板をモジュール群及び露光機を経由して前記キャリアに搬送する搬送機構群を備え、
   前記モジュール群には、前記露光機の前段で前記基板を載置する前段モジュールと、
   前記露光機の後段で前記基板を載置する第１～第２後段モジュールと、加熱モジュールと、現像モジュールと、が含まれ、
   前記搬送機構群には、前記前段モジュール、前記露光機、前記第１後段モジュールの順で前記基板を搬送する第１搬送機構と、前記第１後段モジュール、前記加熱モジュール、前記現像モジュール、前記第２後段モジュールの順で前記基板を搬送する第２搬送機構と、前記第２後段モジュールから前記キャリアへ向けて前記基板を搬送する１つ以上の後段搬送機構と、が含まれる基板処理装置を用いた基板搬送方法において、
   前記露光機において前記基板を搬入してから当該基板が搬出可能となる間隔を露光機サイクルタイムとすると、
   前記露光機に搬送予定の前記基板について取得される、前記第２搬送機構による搬送区間から前記後段搬送機構による搬送区間へと前記基板を搬送する区間搬送時間と、前記露光機サイクルタイムと、を比較する比較工程と、
   前記比較工程の結果に応じて、前記区間搬送時間を設定する設定工程と、
   を備える基板搬送方法。
2. 前記設定工程は、
   前記比較工程において前記露光機サイクルタイムが、前記区間搬送時間よりも長い場合に、前記区間搬送時間が、当該露光機サイクルタイムとなるように設定する工程である請求項１記載の基板搬送方法。
3. 前記露光機から搬出され、前記第１後段モジュールに搬送される前の前記基板を格納モジュールに搬送し、周囲とは異なる雰囲気を形成した領域に前記基板を格納する格納工程を含む請求項２記載の基板搬送方法。
4. 前記露光機サイクルタイムに基づいた前記露光機からの前記基板の予定の搬出可能タイミングと、実際の搬出可能タイミングとのずれに応じて、前記格納工程が行われるか否かが決定される請求項３記載の基板搬送方法。
5. 前記格納工程は、
   前記ずれの時間に対応する時間、前記基板を前記格納モジュールに滞留させる工程を含む請求項４記載の基板搬送方法。
6. 前記基板に対して同種の処理を行うモジュールをマルチモジュールとすると、
   前記第２搬送機構の搬送区間におけるマルチモジュールについて、モジュールにおける前記基板の滞在時間と、前記露光機サイクルタイムと、に基づいて、使用するモジュールの数を決定する工程と、
   前記設定工程が実行された状態で、前記決定された数のモジュールに前記基板を搬送する工程と、
   を含む請求項２記載の基板搬送方法。
7. 前記比較工程において、前記露光機サイクルタイムが前記区間搬送時間以下である場合に、前記設定工程が行われない請求項３記載の基板搬送方法。
8. 複数の前記基板を含むロットを搬送するにあたり、前記ロットの先頭の基板を前記第２搬送機構により搬送してから、当該第２搬送機構で当該ロットの最後の基板を前記第２後段モジュールに搬送するまで、前記区間搬送時間が変更されない請求項７記載の基板搬送方法。
9. 前記露光機の後段側の搬送経路にて、前記基板の搬送を行う前記各搬送機構に対応する搬送区間毎に、前記基板を次の搬送区間へと搬送するために要する区間搬送時間を取得する工程と、
   前記区間搬送時間のうちで最も長い最大区間搬送時間に基づいて、前記第１搬送機構による前記露光機に対する前記基板の搬入を行う搬入工程と、を備え、
   前記搬入工程は、
   前記前段モジュールから前記露光機への前記基板の搬送に要する時間と、前記露光機へ直前に搬送された前記基板の当該搬送後の経過時間と、の合計時間と、前記最大区間搬送時間と、を比較する時間比較工程と、
   前記時間比較工程により、最大区間搬送時間が前記合計時間よりも長い場合は、当該合計時間と当該最大区間搬送時間との差分に応じた時間、次に前記露光機に搬送する基板を前記前段モジュールにて待機させた後に、当該基板を前記露光機に搬送する工程と、
   を含む請求項８記載の基板搬送方法。
10. 前記区間搬送時間を取得する工程は、前記搬送区間に位置する前記基板の各モジュールでの滞在時間と、マルチモジュールにおけるモジュールの使用数と、に応じて、当該区間搬送時間の第１候補を取得する工程と、
    当該搬送区間における前記搬送機構の搬送工程数に対応する、前記区間搬送時間の第２候補を取得する工程と、
    を含み、
    各搬送区間から取得される前記第１候補及び前記第２候補のうち最も長いものが前記最大区間搬送時間である請求項９記載の基板搬送方法。
11. 前記マルチモジュールにおけるモジュールの使用数が変動した場合に、前記最大区間搬送時間を再取得する工程を含む請求項１０記載の基板搬送方法。
12. 前記露光機の後段に先に搬送される前記基板の第１ロット、次に搬送される前記基板の第２ロットについて、
    前記第１のロットを搬送する際の前記第２搬送機構の区間搬送時間と、第２のロットを搬送する際の前記第２搬送機構の区間搬送時間とが異なるか、あるいは第１ロットと第２ロットとで前記露光機の後段における搬送経路が異なる場合、
    前記第１ロットの最後の基板が前記キャリアに搬送されるまで、前記第２ロットの前記露光機への搬送を停止する請求項１記載の基板搬送方法。
13. キャリアから取り出した基板をモジュール群及び露光機を経由して前記キャリアに搬送する搬送機構群を備え、
    前記モジュール群には、前記露光機の前段で前記基板を載置する前段モジュールと、
    前記露光機の後段で前記基板を載置する第１～第２後段モジュールと、加熱モジュールと、現像モジュールと、が含まれ、
    前記搬送機構群には、前記前段モジュール、前記露光機、前記第１後段モジュールの順で前記基板を搬送する第１搬送機構と、前記第１後段モジュール、前記加熱モジュール、前記現像モジュール、前記第２後段モジュールの順で前記基板を搬送する第２搬送機構と、前記第２後段モジュールから前記キャリアへ向けて前記基板を搬送する１つ以上の後段搬送機構と、が含まれる基板処理装置において、
    前記露光機において前記基板を搬入してから当該基板が搬出可能となる間隔を露光機サイクルタイムとすると、
    前記露光機に搬送予定の前記基板について取得される、前記第２搬送機構による搬送区間から前記後段搬送機構による搬送区間へと前記基板を搬送する区間搬送時間と、前記露光機サイクルタイムと、を比較する比較ステップと、前記比較工程の結果に応じて、前記区間搬送時間を設定する設定ステップと、が行われるように制御信号を出力する制御部を備える基板処理装置。
14. 前記設定ステップは、前記比較工程において前記露光機サイクルタイムが、前記区間搬送時間よりも長い場合に、前記区間搬送時間が、当該露光機サイクルタイムとなるように変更するステップである請求項１３記載の基板処理装置。
15. 前記露光機から搬出され、前記第１後段モジュールに搬送される前の前記基板を格納する格納モジュールが設けられ、
    前記格納モジュールは、周囲とは異なる雰囲気を形成した領域に前記基板を格納する請求項１４記載の基板処理装置。
16. 基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムであって、
    前記コンピュータプログラムは、請求項１に記載された基板搬送方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とするプログラム。

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