JP4702446B2 - 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 - Google Patents

Description

本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）などの基板に対してレジスト液の塗布処理及び露光後の現像処理を行う塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体に関する。

半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。このような処理は、一般にレジストの塗布、現像を行う塗布、現像装置に露光機を接続したシステムを用いて行われる。

塗布、現像装置としては複数の半導体ウエハ（以下ウエハという）を含んだキャリアが搬入されるキャリアブロックと、露光機との間でウエハの受け渡しを行うインターフェイスブロックと、キャリアブロックとインターフェイスブロックとの間に設けられた処理ブロックと、により構成されるものが知られている。このような塗布、現像装置は特許文献１などに記載されており、前記処理ブロックは、例えばウエハにレジストの塗布を行う塗布モジュール（ＣＯＴ）を含んだ塗布ブロックと、レジスト塗布後のウエハに現像液を供給して現像を行う現像モジュール（ＤＥＶ）を含んだ現像ブロックとが積層されることにより構成されている。また塗布ブロック及び現像ブロックは夫々塗布処理及び現像処理の前後で加熱、温調処理を行う加熱モジュール及び温調モジュールと、各モジュール間でウエハの搬送を行う搬送アームとを含んでいる。

スループットの向上を図るために、塗布ブロック及び現像ブロックにおいて塗布モジュール、現像モジュール、加熱モジュール及び温調モジュールなどのウエハに処理を行うモジュールは、夫々複数設けられており、キャリアから順次払い出されたウエハは、ウエハが搬入されておらず空いている処理モジュールに搬送される。そして、各処理モジュールで並行して処理が行われ、然る後、処理が終わったものから順に空いている後段の処理モジュールへと払い出される。そして、その後段の処理モジュールでも並行してウエハの処理が行われ、処理を終えたものから順にウエハは、さらに後段のモジュールへと搬送される。

ただし、このような搬送においてウエハはキャリアから払い出された順に後段のモジュールへと搬送され、処理を受けてキャリアに戻されるように制御される。これは、後述するように異なるロットが搬入されたキャリアが搬送され、先発ロットに続いて後発ロットを処理する場合があり、その場合に塗布、現像処理終了後、キャリア内にロットの異なるウエハが混在することや、後述するように各モジュールにて整定処理を行ったときにロット内で処理がばらつくなどの不具合を防ぐためである。

図１５は塗布ブロックであるＣＯＴ層（ＣＯＴブロック）Ｆ２の一例を示した平面図であり、棚ユニットＵ５にはウエハを温調する受け渡しモジュールＣＰＬ２１Ａ，２１Ｂ、複数枚のウエハを収納できるバッファモジュールＳＢＵ２４が積層されている。塗布部２０にはレジストを塗布する３基の塗布モジュール（ＣＯＴ）２２Ａ〜２２Ｃが設けられている。棚ユニットＵ１〜Ｕ４にはウエハＷを加熱処理（ＰＡＢ処理）する加熱モジュールＰＡＢ２３Ａ〜２３Ｅが含まれている。図中Ｅ２は、重なるように２つのウエハの保持部を備えた搬送アームであり、上記モジュールの間を順番にサイクリックに移動してウエハをＣＰＬ→ＣＯＴ→ＰＡＢ→ＳＢＵの順に受け渡すサイクル搬送を行い、これによりウエハが順番にモジュール間を移動していくことになる。バッファモジュールＳＢＵ２４に搬送されたウエハは、不図示の搬送手段により当該バッファモジュールＳＢＵ２４に搬送された順に露光機へと搬入される。

このＣＯＴブロックＦ２における搬送制御について図１６の搬送スケジュール表を参照しながら説明する。この搬送スケジュール表の縦軸は搬送アームＥ２がその搬送路を１周するサイクル、横軸は各ウエハが搬送されるモジュールを夫々示している。そして、Ａ１〜Ａ１０は同じロットのウエハを示しており、キャリアから払い出される順に若い番号が割り当てられている。つまり、この表はあるサイクルにおいてどのウエハがどのタイミングでどのモジュールに搬送されるかを表しており、塗布、現像装置においては処理予定のすべてのウエハについてこのような搬送スケジュールが処理を受ける前に予め設定される。

具体的に一例として表中のサイクルｎ＋８における搬送アームＥ２の動作を説明しておく。このサイクルｎ＋８では、受け渡しモジュールＣＰＬ２１Ａまたは２１ＢからウエハＡ９が搬送アームＥ２の一の保持部により取り出された後、搬送アームＥ２はＣＯＴ２２Ｃに移動し、そこで搬送アームＥ２は他の保持部によりレジスト塗布処理を終えたウエハＡ６を受け取る一方で、前記一の保持部により当該ＣＯＴ２２ＣにウエハＡ９を受け渡す。然る後、搬送アームＥ２はＰＡＢ２３Ａへ移動し、一の保持部によりそのＰＡＢ２３Ａから加熱処理を終えたウエハＡ１を受け取る一方で、他の保持部により当該ＰＡＢ２９にウエハＡ６を受け渡す。そして、搬送アームＥ２はウエハＡ１をＳＢＵ２４へと搬送する。

ところで、この図１６の搬送スケジュールはＣＯＴ層Ｆ２に設けられた５基のＰＡＢ２３Ａ〜２３Ｅをすべて使用するために、ウエハＡをＰＡＢ２３Ａ〜２３Ｅに順に繰り返し搬送するように設定されている。そして、あるＰＡＢ２３にウエハＡを搬送すると共にそのＰＡＢ２３で処理済みのウエハＡを取り出せるように各ウエハＡは加熱処理に要するサイクル数よりも長いＰＡＢ２３の数と同じ５サイクル分、当該ＰＡＢ２３に滞留されるように設定されている。

ここで、搬送アームＥ２がＣＯＴ層Ｆ２を一周するサイクルタイムを２０秒、ＰＡＢ２３の加熱処理時間が６０秒であるものとする。この場合、ウエハＡ１〜Ａ１０の加熱処理は３サイクルで終了し、各ウエハは処理終了後４０秒（２サイクル分）待機してから、バッファモジュールＳＢＵ２４に搬送されていることになる。表中では各ＰＡＢ２３においてウエハに処理が行われずに当該ウエハが搬入されて待機しているサイクルについて多数の点を付して示している。

つまり、この表の搬送スケジュールでは、例えばｎ＋６サイクル目でウエハＡ１をＰＡＢ２３から搬出することもできる。しかし、そのｎ＋６サイクル目でＣＯＴ２２Ａから搬出されるウエハＡ４をＰＡＢ２３Ｄに搬入しているため、ウエハＡ１を搬出してＰＡＢ２３Ａについてウエハを受け入れる状態にしておく意味がない。従って、ウエハＡ１は加熱処理後もＰＡＢ２３に滞留されていた。また前記サイクルタイムが２０秒、ＰＡＢの加熱処理時間が６０秒である場合には５基あるＰＡＢ２３の中で３基のみを使うように設定し、それら設定した３基のＰＡＢ２３に順にウエハＡを搬入することも考えられるが、既述のようにスループットを増加させるためにはそのようにするよりも５基すべてのＰＡＢ２３を用いることが得策であると考えられていた。

ところで、既述のように塗布、現像装置においては、キャリアごとに異なるロットのウエハが収納され、それらのキャリアが続けて装置に搬入されて、先発ロットのウエハ群に続いて後発ロットのウエハ群を処理する場合がある。その場合に、各加熱モジュールにおいては先発ロットと後発ロットとを互いに異なる温度で加熱するために、当該加熱モジュールに設けられたウエハを加熱する熱板の温度整定（温度変更）を行うことが必要になることがある。この熱板の温度整定は、その加熱モジュールで処理される先発ロットの最後のウエハが搬出された後に行われ、この熱板の温度整定中は後発ロットを当該加熱モジュールに搬送することができない。

各ＰＡＢ２３の温度整定に必要なサイクル数（＝ＰＡＢ２３の温度整定に要する時間÷搬送アームＥ２のサイクルタイム）が３であり、そして既述のように先発ロットＡであるウエハＡ１〜ウエハＡ１０が装置に搬入された後に後発ロットＢであるウエハＢ群が塗布、現像装置に搬入される場合に設定される搬送スケジュール表を図１７に示している。このスケジュール表では加熱モジュール毎に熱板の温度変更が行われているサイクルについて斜線を付して示しており、表に示されるように各ＰＡＢ２３には温度変更が終了した次のサイクルからウエハＢが搬入されるように設定されている。

ところで、既述のように各ウエハは各ＰＡＢ２３で加熱終了後２サイクル分余計に滞留される。この余計な滞留があることにより、滞留がないとした場合に比べて各ＰＡＢ２３で前記温度変更が行われるサイクルが遅れ、その結果としてウエハＢ群がＰＡＢ２３に搬入されるサイクルも遅れてしまう。このようにウエハＢ群の加熱処理が遅れることにより、表中に網目を付して示すようにＳＢＵ２４におけるウエハＡ群の最後のウエハＡ１０の搬入からウエハＢ群の先頭のウエハＢ１の搬入までの間隔が、温度変更に要したサイクル数分だけ空いてしまう。このようにＳＢＵ２４にウエハが搬入される間隔が空くと、その間隔分だけ露光機にウエハが搬入される間隔も空いてしまい、露光機がウエハに処理を行わない時間が長くなる、つまり露光機の生産性が低下する。従って塗布、現像装置のスループットが低下してしまう。

塗布ブロックの加熱モジュールＰＡＢの熱板の温度整定を行う場合について説明してきたが、現像ブロックの加熱モジュール（ＰＥＢ）でもロットに応じて熱板の温度を変更して加熱処理（ＰＥＢ処理）を行う場合がある。図１８は、現像ブロックにおけるロットＡ、ロットＢの搬送スケジュール表の一例である。現像ブロックの搬送アームＥ１は、当該現像ブロックのモジュールの間を順番にサイクリックに移動してウエハを受け渡しモジュールＴＲＳ１１Ａ，１１Ｂ→加熱モジュールＰＥＢ１２Ａ〜１２Ｅ→受け渡しモジュールＣＰＬ１３Ａ，１３Ｂ→現像モジュールＤＥＶ１４Ａ〜１４Ｃ→受け渡しモジュールＣＰＬ１５Ａ，１５Ｂの順に受け渡すサイクル搬送を行い、ウエハが順番にモジュール間を移動していくことになる。そして、ＣＰＬ１５Ａ及び１５Ｂに搬送されたウエハは、そのウエハが払い出されたキャリアへ戻される。

この例で搬送アームＥ１のサイクルタイムは、搬送アームＥ２のサイクルタイムと同じ２０秒であり、ＰＥＢ１２の温度整定に要するサイクルはＰＡＢ２３と同じ３サイクルである。つまり、ＰＡＢ２３と同様にウエハはこのＰＥＢ１２に加熱終了後２サイクル分余計に滞留されている。その結果として、ＰＥＢ１２での加熱処理後にウエハを温調するＣＰＬ１５Ａ，１５ＢにおいてウエハＡ９、ウエハＡ１０の搬入からウエハＢ１，Ｂ２の搬入までの間隔が、表中に網目を付して示したように温度整定に要したサイクルと同じ３サイクル分空いてしまっている。従って、この場合も塗布、現像装置のスループットが低下してしまっている。
特開２００６−２２９１８３

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が加熱モジュールに搬送される前に当該加熱モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置において、その整定によりその加熱モジュールの後段のモジュールへの基板の搬入間隔が広がることを防ぎ、スループットを向上させることができる塗布、現像装置、塗布、現像方法及びその方法を実行するプログラムを含んだ記憶媒体を提供することにある。

本発明の塗布、現像装置は、複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台と、このキャリア載置台上のキャリアとの間で基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含む受け渡しブロックと、
塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次１枚ずつ搬送して１周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置において、
Ａ．前記塗布ブロックにおけるモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、当該塗布ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
こうして塗布ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードＳ１を実行する制御部を設けたことを特徴とする。

また、前記制御部は、前記Ａに従って滞在サイクル数を決定して、モードＳ１を実行する代わりに、
Ｂ．前記現像ブロックにおけるモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、当該現像ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
こうして現像ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードＳ２を実行してもよい。

本発明の塗布、現像装置は、複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台と、このキャリア載置台上のキャリアとの間で基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含む受け渡しブロックと、
塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次１枚ずつ搬送して１周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置において、
Ａ．露光機をモジュールとして取り扱い、
前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、
前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を塗布ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロック内の基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
こうして塗布ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードＳ３を実行する制御部を設けたことを特徴とする。

前記制御部は、前記Ａに従って滞在サイクル数を決定して、モードＳ３を実行する代わりに、
Ｂ．前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、
前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を現像ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
こうして現像ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードＳ４を実行してもよい。

本発明の塗布、現像装置は、複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台と、このキャリア載置台上のキャリアとの間で基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含む受け渡しブロックと、
塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次１枚ずつ搬送して１周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置において、
Ａ．前記塗布ブロックにおけるモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、当該塗布ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
こうして塗布ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードＳ５を実行する制御部を設けたことを特徴とする。

前記制御部は、前記Ａに従って滞在サイクル数を決定して、モードＳ５を実行する代わりに、
Ｂ．前記現像ブロックにおけるモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、当該現像ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
こうして現像ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードＳ６を実行することを特徴としてもよい。

本発明の塗布、現像装置は、複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台と、このキャリア載置台上のキャリアとの間で基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含む受け渡しブロックと、
塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次１枚ずつ搬送して１周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置において、
Ａ．露光機をモジュールとして取り扱い、
前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、
前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を塗布ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロック内の基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
こうして塗布ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードＳ７を実行する制御部を設けたことを特徴とする。

前記制御部は、前記Ａに従って滞在サイクル数を決定して、モードＳ７を実行する代わりに、
Ｂ．前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、
前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を現像ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
こうして現像ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードＳ８を実行することを特徴としてもよい。

これらの塗布、現像装置には例えばモードＳ１〜モードＳ８のいずれかを選択して実行する選択手段が設けられており、また、例えば塗布ブロック及び現像ブロックは互いに上下に積層され、受け渡し手段から受け渡された基板を塗布ブロックの受け渡し台に搬送するための補助搬送手段を備えている。さらに塗布ブロックとして、レジスト膜を形成するための塗布ブロックと、レジスト膜を形成する前または後に塗布膜を形成するための塗布ブロックと、が設けられ、これら塗布ブロックは互いに上下に積層されていてもよい。

本発明の塗布、現像方法は、複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台と、このキャリア載置台上のキャリアとの間で基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含む受け渡しブロックと、
塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次１枚ずつ搬送して１周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
Ａ．前記塗布ブロックにおけるモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、当該塗布ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
こうして塗布ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードＳ１を実行する工程と、を備えたことを特徴とする。

前記Ａ工程及びモードＳ１を実行する工程を備える代わりに
Ｂ．前記現像ブロックにおけるモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、当該現像ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
こうして現像ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードＳ２を実行する工程と、を備えていてもよい。

本発明の塗布、現像方法は、複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台と、このキャリア載置台上のキャリアとの間で基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含む受け渡しブロックと、
塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次１枚ずつ搬送して１周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
Ａ．露光機をモジュールとして取り扱い、
前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、
前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を塗布ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロック内の基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
こうして塗布ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードＳ３を実行する工程と、を備えたことを特徴とする。

前記Ａ工程及びモードＳ３を実行する工程を備える代わりに、
Ｂ．前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、
前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を現像ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
こうして現像ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードＳ４を実行する工程と、を備えていてもよい。

本発明の塗布、現像方法は、複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台と、このキャリア載置台上のキャリアとの間で基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含む受け渡しブロックと、
塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次１枚ずつ搬送して１周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
Ａ．前記塗布ブロックにおけるモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、当該塗布ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
こうして塗布ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードＳ５を実行する工程と、を備えている。

前記Ａ工程及びモードＳ５を実行する工程を備える代わりに、
Ｂ．前記現像ブロックにおけるモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、当該現像ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
こうして現像ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードＳ６を実行する工程と、
を備えていてもよい。

本発明の塗布、現像方法は、複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台と、このキャリア載置台上のキャリアとの間で基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含む受け渡しブロックと、
塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次１枚ずつ搬送して１周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
Ａ．露光機をモジュールとして取り扱い、
前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、
前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を塗布ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロック内の基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
こうして塗布ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードＳ７を実行する工程と、を備えている。

前記Ａ工程及びモードＳ７を実行する工程を備える代わりに、
Ｂ．前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、
前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を現像ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
こうして現像ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードＳ８を実行する工程と、を備えている。

本発明の記憶媒体は、処理部にて、複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台から受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、前記プログラムは、上述の塗布、現像方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。

本発明によれば先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が加熱モジュールに搬送される前にその加熱モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置において、塗布ブロックに設けられた加熱モジュールでの滞在サイクル数、あるいはその滞在サイクル数に加えて使用する加熱モジュールの台数を制御することによって、その加熱モジュールの後段のモジュールへの基板の搬入間隔が広がることを防ぐことができ、その結果として基板の露光機への搬入間隔を短くすることができるのでスループットの向上を図ることができる。
また、現像ブロックに設けられた加熱モジュールでの滞在サイクル数、あるいはその滞在サイクル数に加えて使用する加熱モジュールの台数を制御することによって、その加熱モジュールの後段のモジュールへの搬入間隔が広がることを防ぐことができ、その結果としてキャリアへと戻る基板の搬入間隔を短くすることができるのでスループットの向上を図ることができる。

先ず、本発明に係る塗布、現像装置１に露光機Ｃ４が接続されたシステムについて図面を参照しながら説明する。図１，図２は夫々前記システムの平面図、斜視図であり、図３は塗布、現像装置１の縦断側面図である。この塗布、現像装置１にはキャリアＣの受け渡しブロックであるキャリアブロックＣ１が設けられており、その載置台４１上に載置された密閉型のキャリアＣから受け渡しアーム４２がウエハＷを取り出して処理ブロックＣ２に受け渡し、処理ブロックＣ２から受け渡し手段をなす受け渡しアーム４２が処理済みのウエハＷを受け取ってキャリアＣに戻すように構成されている。

前記処理ブロックＣ２は、図２及び図３に示すようにこの例では現像処理を行うためのＤＥＶブロック（ＤＥＶ層）Ｆ１、レジスト膜の塗布を行うためのＣＯＴブロック（ＣＯＴ層）Ｆ２、レジスト膜の下層に形成される反射防止膜の形成処理を行うためのＢＣＴブロック（ＢＣＴ層）Ｆ３、を下から順に積層して構成されている。

ＣＯＴブロックＦ２は、背景技術の欄でその概略構成を説明したように、レジストを夫々スピンコーティングにより塗布するレジスト塗布モジュールＣＯＴ２２Ａ〜２２Ｃを含んだ塗布部２０と、これらＣＯＴ２２にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱処理モジュール群を構成する棚ユニットＵ１〜Ｕ４と、前記塗布部２０と棚ユニットＵ１〜Ｕ４との間に設けられ、これらの間でウエハＷの受け渡しを行う搬送アームＥ２と、で構成されている。前記棚ユニットＵ１〜Ｕ４は搬送アームＥ２が移動する搬送領域Ｒ１に沿って配列される。これら棚ユニットＵ１〜Ｕ４は、ＰＡＢ処理を行う加熱モジュールＰＡＢ２２Ａ〜２２Ｅを含み、これらＰＡＢは搬送領域Ｒ１の上下と伸長方向とに沿って配置される。ところで、この塗布、現像装置１でウエハＷが置かれる個所をモジュールと呼ぶ。

基板搬送手段である搬送アームＥ２は搬送領域Ｒ１に沿った移動、鉛直軸周りに回転自在及び昇降自在な基部６０と、その基部に対して夫々独立に進退すると共にウエハＷの裏面を保持するフォーク状の２枚の基板保持部６１，６１とを備えている。この搬送アームＥ２及び後述の各搬送アームは搬送路を周回し、各モジュール内のウエハＷを順次一つ順番が後のモジュールに移し替えて、順番の小さいウエハが順番の大きいウエハよりも下流側のモジュールに位置する状態を形成する一つのサイクル（搬送サイクル）を実行し、当該サイクルを終了した後、次のサイクルに移行し、各サイクルを順次実行することにより、後述の経路で順番にウエハが順次搬送されて所定の処理が行われるようになっている。

ＢＣＴブロックＦ３についてはＣＯＴブロックＦ２と平面視同様のレイアウトで構成されており、ＣＯＴ２２Ａ〜２２Ｃに対応する反射防止膜を形成するための薬液塗布モジュール３２Ａ〜３２Ｃと、加熱モジュールＰＡＢ２３Ａ〜２３Ｅに対応する加熱モジュールＨＰ３３Ａ〜３３Ｅと、搬送アームＥ２に対応する搬送アームＥ３とを備えている。

一方、ＤＥＶブロックＦ１についても、平面視ＣＯＴブロックＦ２及びＢＣＴブロックＦ３と同様のレイアウトで構成されている。一つのＤＥＶブロックＦ１内に前記塗布モジュールに対応する現像モジュールＤＥＶ１４Ａ〜１４Ｆが２段に積層されている。また、加熱モジュールＰＡＢ２３Ａ〜２３Ｅに対応する露光後現像前に加熱処理（ＰＥＢ処理）を行う加熱モジュールＰＥＢ１２Ａ〜１２Ｅが設けられている。そしてＤＥＶブロックＦ１には、これら２段の現像モジュールＤＥＶ１４Ａ〜１４Ｆと、前記搬送アームＥ２に対応する搬送アームＥ１が設けられている。つまり２段の現像モジュールに対して搬送アームＥ１が共通化されている構成となっている。ただし、この実施形態において後述の各モードではＤＥＶ１４Ａ〜１４Ｃの３基のみが使用される。

更に処理ブロックＣ２には、図１及び図３に示すように各層の搬送アームＥがアクセスできる位置に棚ユニットＵ５が設けられている。この棚ユニットＵ５は、各ブロックＦ１〜Ｆ３の搬送アームＥ１〜Ｅ３との間でウエハＷの受け渡しを行うように、受け渡しモジュールＴＲＳと、温調機能を備えた受け渡しモジュールＣＰＬと、複数枚のウエハを一時滞留させることができるバッファモジュールＳＢＵと、を備えている。棚ユニットＵ５の近傍には昇降自在な層間搬送手段をなす層間搬送アームＤ１が設けられ、棚ユニットＵ５に設けられたモジュールにアクセスすることができる。また、受け渡しアーム４２もＣＯＴブロックＦ２及びＤＥＶブロックＦ１に対応する高さ位置に設けられたステージにアクセスできる。

また、処理ブロックＣ２には搬送領域Ｒ１のインターフェイスブロックＣ３と隣接する領域において、図３に示すように搬送アームＡ１及び後述のシャトル４５がアクセスできる位置に棚ユニットＵ６が設けられている。前記棚ユニットＵ６は、棚ユニットＵ５と同様に受け渡しモジュールＴＲＳ及びＣＰＬを備えている。図示の便宜上、図３では棚ユニットＵ５、Ｕ６に設けられる同種のモジュールを一つのモジュールとして示しているが、実際にはこれらのモジュールは上下に積層されて設けられている。

ＤＥＶブロックＦ１内の上部には、棚ユニットＵ５に設けられたバッファモジュールＳＢＵ４４からインターフェイスブロックＣ３にウエハＷを直接搬送するための専用の搬送手段であるシャトル４５が設けられている。また、インターフェイスブロックＣ３には棚ユニットＵ６の各モジュールと露光機Ｃ４との間でウエハＷを受け渡す基板移載機構であるインターフェイスアーム４６が設けられている。露光機Ｃ４は露光前のウエハＷを搬入する搬入用ステージ４７及び露光後のウエハＷを搬出する搬出用ステージ４８を備えており、これらステージ４７，４８にインターフェイスアーム４６がアクセスする。

この塗布、現像装置１におけるウエハの搬送経路について図４、図５を参照しながら説明する。図４（ａ）、（ｂ）には搬送経路の概略を矢印で示している。また、図５はウエハＷが搬送されるモジュールを左側から右側へと並べて示した表であり、この表で各モジュールの下側にはそのモジュールへウエハＷを搬送する搬送アームの符号を示している。ウエハＷが収納されたキャリアＣが載置部４１に載置され、キャリアＣから搬出されたウエハＷは、受け渡しアーム４２により棚ユニットＵ５の受け渡しモジュールＴＲＳ４３Ａまたは４３Ｂに搬送され、続いて層間搬送アームＤ１により受け渡しモジュールＣＰＬ３１Ａまたは３１Ｂへ搬送される。然る後、ウエハＷは搬送アームＥ３により薬液塗布モジュールＢＣＴ３２Ａ〜３２Ｃのいずれかに搬送され、そこで薬液塗布処理を受け、然る後加熱モジュールＨＰ３３Ａ〜３３Ｅのいずれかに搬送されて加熱処理を受けて反射防止膜が形成される。

反射防止膜が形成されたウエハＷは、搬送アームＥ３→バッファモジュールＳＢＵ３４→層間搬送アームＤ１→受け渡しモジュールＣＰＬ２１Ａまたは２１Ｂの順に搬送され、然る後、搬送アームＥ２によりレジスト塗布モジュールＣＯＴ２２Ａ〜２２Ｃのいずれかに搬送される。そのＣＯＴ２２Ａ〜２２ＣでウエハＷはレジスト塗布処理を受け、加熱モジュールＰＡＢ２３Ａ〜２３Ｅのいずれかに搬送されて加熱処理を受けて、レジスト膜が形成される。レジスト膜が形成されたウエハＷは、搬送アームＥ２により棚ユニットＵ５のバッファモジュールＳＢＵ２４に搬送される。

バッファモジュールＳＢＵ２４からウエハＷは、層間搬送アームＤ１→バッファモジュールＳＢＵ４４→シャトル４５→インターフェイスアーム４６の順に搬送され、インターフェイスアーム４６により露光機Ｃ４に搬入される。

露光機Ｃ４にて露光処理を終えたウエハＷは、インターフェイスアーム４６により、棚ユニットＵ６の受け渡しモジュールＴＲＳ１１Ａまたは１１Ｂに載置され、搬送アームＥ１によりＤＥＶブロックＦ１の加熱モジュールＰＥＢ１２Ａ〜１２Ｅのいずれかに搬送されて加熱処理を受ける。然る後、ウエハＷは搬送アームＥ１により棚ユニットＵ６の受け渡しモジュールＣＰＬ１３Ａまたは１３Ｂ→現像モジュールＤＥＶ１４Ａ〜１４Ｅのいずれかに搬送され、現像処理を受けた後、搬送アームＥ１により棚ユニットＵ５の受け渡しモジュールＣＰＬ１５ＡまたはＣＰＬ１５Ｂに搬送される。その後、ウエハＷは受け渡しアーム４２を介してキャリアＣに戻される。

上記の搬送経路は、ウエハＷに処理を行うために搬送スケジュールとして予め設定されており、後述するオペレータにより選択されるモードによりこの搬送スケジュールに沿って、どの順番のウエハＷをどのタイミングでどの番号のモジュールに搬送するかが決定される。図４（ａ）に示すようにキャリアＣから露光機Ｃ４までの搬送経路をＣＯＴフロー、図４（ｂ）に示すように露光機Ｃ４からキャリアＣまでの搬送経路をＤＥＶフローと夫々呼ぶ。また、ＣＰＬ２１Ａ，２１ＢからバッファモジュールＳＢＵ２４までの一連のモジュールは、ＣＯＴブロックＦ２に設けられており、これらのモジュール間での搬送がＣＯＴブロックＦ２における搬送である。受け渡しモジュールＴＲＳ１１Ａまたは１１Ｂから受け渡しモジュールＣＰＬ１５Ａ，１５Ｂまでの一連のモジュールはＤＥＶブロックＦ１に設けられており、これらのモジュール間での搬送がＤＥＶブロックＦ１における搬送である。

塗布、現像装置１は例えばコンピュータからなる制御部５を備えており、この制御部５はプログラム、メモリ、ＣＰＵなどを含んでいる。図６は、この制御部５の構成を示したものである。５０はバスであり、このバス５０にプログラム格納部５１、演算部５２、搬送スケジュール作成部５３及び記憶部５４が接続されている。演算部５２は、プログラム格納部５１から選択されたプログラムのモードに応じて後述の各演算を行う役割を果たす。搬送スケジュール作成部５３は、演算部５２により演算された結果に基づいて搬送スケジュールを作成し、その搬送スケジュールに基づいて、各モジュールの動作及びウエハを搬送する各搬送手段の動作が制御される。

記憶部５４には、各モジュールでのウエハＷの処理に必要なプロセス時間であるＭＵＴと、後述のＡＳＴを算出するために用いるアームのモジュール間での移動時間及び各モジュールでアームがウエハをモジュールに搬入出するために要する時間と、が記憶されている。この移動時間及び搬入出に要する時間は、例えばウエハＷの連続して処理する枚数など、処理を行う条件毎に記憶されており、装置のオペレータが処理を行う前にそのような処理条件を入力手段５５から入力し、その入力された条件に応じて記憶部５４から読み出される。また、記憶部５４にはＰＡＢ２３及びＰＥＢ１２の熱板の温度整定に要する時間が記憶されている。

プログラム格納部５１は搬送スケジュールを決定するための４つのモードを夫々実行するためのプログラム５１Ａ〜５１Ｄを格納しており、例えばバス５０に接続されたキーボードなどの入力手段（選択手段）５５から塗布、現像装置１のオペレータが入力した情報に基づいて、プログラム５１Ａ〜５１Ｄのうちいずれか一つが選択され、モードＭ１〜モードＭ４のいずれかが実行される。各プログラムには後述のように搬送スケジュールを設定し、制御部５から塗布、現像装置１の各部に制御信号を送り、既述の塗布、現像処理を進行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。これらのプログラム５１Ａ〜５１Ｄは、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）等に格納されて制御部５にインストールされる。

ところで、以下の説明において、一連の塗布、現像工程でのウエハＷに対してある段階で処理を行うために用意されている同種のモジュールの台数を指定マルチ数と呼ぶ。つまり、例えば上記の塗布、現像装置１においてＰＡＢは２３Ａ〜２３Ｅの５基が設けられているので、その指定マルチ数を５とする。また、既述のようにウエハＷが連続で搬入される場合にウエハＷが搬入されてから次のウエハＷが搬入されるまでの時間であるモジュール使用時間、つまり１枚のウエハＷに処理を行うために必要なプロセス時間をＭＵＴと呼び、当該ＭＵＴをそのモジュールの指定マルチ数で割った時間をＭＵＴＣ（モジュールサイクル使用時間）と呼ぶ。また、このＭＵＴＣを算出するにあたっては露光機Ｃ４においても一つのモジュールとみなし、その露光機Ｃ４のＭＵＴは、ウエハＷが前記搬入用ステージ４７に載置されてからそのウエハＷが前記搬出用ステージ４８に払い出されるまでの時間とする。

そして、既述のように各搬送を行うアームはウエハＷを上流側のモジュールから下流側のモジュールに搬送するために各搬送路を周回しており、各アームがそのようにモジュール群に対して上流側から下流側にウエハＷを受け渡すために、その搬送路を１周するときの最短搬送時間をＡＳＴ（アームサービス時間）と呼ぶ。つまり、ＡＳＴはこの搬送路において所定のアームがウエハＷを保持する保持部を伸ばしていない状態（待機状態）から、搬送路を１周してモジュールへ移動してウエハの受け渡しを終了するまでの最短時間である。このＡＳＴは後述するように所定のアームがアクセスする各モジュールへのサービス時間を合計することで算出され、この各モジュールへのサービス時間は、当該モジュールへの前段のモジュールからの移動時間と、その当該モジュールでウエハＷの搬入出を行う時間との合計時間である。各アームは例えばモジュールでのウエハＷの処理終了を待つために停止する場合があり、このような場合にサイクルタイムはＡＳＴよりも長くなる。

また、一のキャリアから払い出された複数の同種のウエハＷの集合をロットＡといい、そのロットＡのウエハＷをウエハＡとする。そして、他のキャリアから払い出された、ロットＡの後続のロットをロットＢとし、そのロットＢのウエハＷをウエハＢとする。そして、制御部５は各ロットＡ、ロットＢのウエハについて夫々キャリアから払い出される順に番号を割り当てるものとする。この例ではロットＡは１０枚のウエハＡ、ロットＢは５枚のウエハＢで構成されている。

ここでこの塗布、現像装置１により実行される各モードについてその概略を説明する。モードＭ１ではＣＯＴブロックＦ２、ＤＥＶブロックＦ１において夫々ＡＳＴと、各モジュールのＭＵＴＣとが求められ、これらＡＳＴ及びＭＵＴＣに基づいてＰＡＢ及びＰＥＢにおけるウエハＡ及びウエハＢの滞在サイクル数が決定される。ロットＡ及びロットＢを処理するＰＡＢモジュール及びＰＥＢモジュールの数は指定マルチ数である５に固定されている。

モードＭ２では、ＣＯＴフロー、ＤＥＶフローにおいて夫々ＡＳＴと、各モジュールのＭＵＴＣとが求められ、これらＡＳＴ及びＭＵＴＣに基づいて、ＰＡＢ及びＰＥＢにおけるウエハＡ及びウエハＢの滞在サイクル数が決定される。そして、モードＭ１と同様にロットＡ及びロットＢを処理するＰＡＢモジュール及びＰＥＢモジュールの数は指定マルチ数である５に固定されている。

モードＭ３では、モードＭ１と同様にＣＯＴブロックＦ２、ＤＥＶブロックＦ１においてＡＳＴと、各モジュールのＭＵＴＣとが求められ、これらＡＳＴ及びＭＵＴＣに基づいて、ＰＡＢ及びＰＥＢにおけるウエハＡ及びウエハＢの滞在サイクル数が決定される他に、ウエハＡ及びウエハＢの加熱処理に使用されるＰＡＢ及びＰＥＢの数は５に固定されておらず、ＡＳＴ及びＭＵＴＣに基づいて決定される。

モードＭ４では、モードＭ２と同様にＣＯＴフロー、ＤＥＶフローにおいてＡＳＴと、各モジュールのＭＵＴＣとが求められ、これらＡＳＴ及びＭＵＴＣに基づいて、ＰＡＢ及びＰＥＢにおけるウエハＡ及びウエハＢの滞在サイクル数が決定される他に、モードＭ３と同様にウエハＡ及びウエハＢの加熱処理に使用されるＰＡＢ及びＰＥＢの数は５に固定されておらず、ＡＳＴ及びＭＵＴＣに基づいて決定される。

続いて、この塗布、現像装置１にてオペレータが各モードを選択したときにウエハＷの搬送されるモジュールが決定されるプロセスについてモードＭ１から順に説明する。この例では制御部５の記憶部５４にてＣＰＬ３１、ＢＣＴ３２、ＨＰ３３、ＳＢＵ３４、ＣＰＬ２１、ＣＯＴ２２、ＰＡＢ２３、ＳＢＵ２４、ＳＢＵ４４、シャトル４５、露光機Ｃ４のＭＵＴが夫々３０秒、６３秒、７５秒、０秒、３０秒、６３秒、６０秒、０秒、０秒、１５秒、２２秒として記憶されているものとする。また、この塗布、現像装置１ではＰＡＢ及びＰＥＢの温度整定に要する時間は例えば６０秒に設定されているものとする。

（モードＭ１）
ＣＯＴブロックＦ２のモジュール及びそのＭＵＴを示した図７の表と、モードＭ１が選択されたときに搬送スケジュールが設定される工程を示した図８のフローチャートとを参照しながら説明する。オペレータが入力手段からモードＭ１を選択すると（ステップＳ１）、制御部５は指定マルチ数と、記憶部５４に記憶されているＣＯＴブロックＦ２における各モジュールのＭＵＴと、から次式（１）を実行し、各モジュールについてＭＵＴＣ（Ｔ）を算出する（ステップＳ２）。
ＭＵＴＣ＝ＭＵＴ÷指定マルチ数・・・（１）
従って、受け渡しモジュールＣＰＬ２１のＭＵＴＣ＝３０秒÷２＝１５秒、塗布モジュールＣＯＴ２２のＭＵＴＣ＝６６秒÷３＝２２秒、加熱モジュールＰＡＢ２３のＭＵＴＣ＝６０秒÷５＝１２秒、バッファモジュールＳＢＵ２４のＭＵＴＣ＝０秒÷１＝０秒として演算される。

続いて、制御部５は算出したＭＵＴＣから最大のものを最大ＭＵＴＣとして決定する（ステップＳ３）。従って、制御部５は塗布モジュールＣＯＴ２２の２２秒を最大ＭＵＴＣ（ＴＭＡＸ）として決定する。

続いて制御部５は、温度整定を行う加熱モジュールＰＡＢ２３にウエハＷを搬送する搬送アームＥ２についてのＡＳＴを算出する（ステップＳ４）。このＡＳＴを算出する工程について具体的に説明する。先ず、ＳＢＵ２４→ＣＰＬ２１のアームＥ２の移動時間と、ＣＰＬ２１からウエハＷを搬出する時間と、が合計されてＣＰＬ２１へのサービス時間として決定され、続いてＣＰＬ２１→ＣＯＴ２２のアームＥ２の移動時間と、ＣＯＴ２２でウエハＷを入れ替える時間と、が合計されて、ＣＯＴ２２へのサービス時間として決定される。そして、ＣＯＴ２２→ＰＡＢ２３へのアームＥ２の移動時間と、ＰＡＢ２３でウエハＷを入れ替える時間と、が合計されＰＡＢ２３へのサービス時間として決定され、さらに、ＰＡＢ２３→ＳＢＵ２４のアームＥ２の移動時間と、ＳＢＵ２４へウエハＷを搬入する時間と、が演算され、ＳＢＵ２４のサービス時間として決定される。

このように搬送アームＥ２がアクセスする各モジュールへのサービス時間が演算されると、それらが合計されてその合計値が搬送アームＥ２のＡＳＴとして決定される。具体的にＳＢＵ２４→ＣＰＬ２１、ＣＰＬ２１→ＣＯＴ２２、ＣＯＴ２２→ＰＡＢ２３、ＰＡＢ２３→ＳＢＵ２４におけるアームＥ２の各移動時間が夫々１．０秒であり、ＣＰＬ２１からの前記搬出時間、ＣＯＴ２２での入れ替え時間、ＰＡＢ２３での入れ替え時間、ＳＢＵ２４への搬入時間が夫々１．５秒、２．５秒、２．５秒、１．５秒であるとすると、ＣＰＬ２１へのサービス時間は１．０＋１．５＝２．５秒、ＣＯＴ２２へのサービス時間は１．０＋２．５＝３．５秒、ＰＡＢ２３へのサービス時間は１．０＋２．５＝３．５秒、ＳＢＵ２４へのサービス時間は１．０＋１．５＝２．５秒として決定される。そして、制御部５はこれら各モジュールへのサービス時間を合計してその合計値をＡＳＴとして決定する。上記のように各搬入出時間及び移動時間が設定されていると、そのＡＳＴは２．５＋３．５＋３．５＋２．５＝１２秒となる。

続いて制御部５はこのＡＳＴと最大ＭＵＴＣとを比較し、時間が長い方をＰＡＢ２３のサイクルタイム、つまりＰＡＢ２３にアクセスする搬送アームＥ２のサイクルタイムとして決定する（ステップＳ５）。この場合は最大ＭＵＴＣが２２秒であり、ＡＳＴの１２秒よりも長いので、制御部５はこの２２秒をＰＡＢのサイクルタイムとして決定する。

続いて、制御部５は下記の式（２）を実行する。この式（２）の演算結果に小数点以下の端数が生じる場合は、その端数を繰り上げて、ＰＡＢ２３におけるウエハ滞在サイクルを整数で算出する（ステップＳ６）。
加熱モジュールＰＡＢでのウエハ滞在サイクル数
＝加熱モジュールＰＡＢのウエハの処理時間
÷加熱モジュールＰＡＢのサイクルタイム・・・（２）
ここでは、ＰＡＢ２３の処理時間は６０秒、ＰＡＢ２３のサイクルタイムは２２秒であるため、ＰＡＢ２３でのウエハ滞在サイクル数は６０秒÷２２秒＝２．７・・・≒３サイクルとなる。

続いて、制御部５はＣＯＴブロックＦ２同様にＤＥＶブロックＦ１の各モジュールのＭＵＴＣを算出して、そのＭＵＴＣが最も大きいものを最大ＭＵＴＣとして決定し、続いてステップＳ４と同様の計算でＰＥＢ１２にアクセスする搬送アームＥ１のＡＳＴを決定する。その後、前記最大ＭＵＴＣと、前記ＡＳＴとを比較して大きい方をＰＥＢ１２のサイクルタイム、つまり搬送アームＥ１のサイクルタイムとして決定する。続いて、制御部５は下記の式（３）を実行する。この式（３）の演算結果に端数が生じる場合は、その端数を繰り上げて、ＰＥＢ１２おけるウエハ滞在サイクル数を整数で算出する（ステップＳ７）。
加熱モジュールＰＥＢでのウエハ滞在サイクル数
＝加熱モジュールＰＥＢのウエハの処理時間
÷加熱モジュールＰＥＢのサイクルタイム・・・（３）
この例ではＰＥＢでの滞在サイクル数は３として演算されたものとする。

また、制御部５は、下記の式（４）を実行してＰＡＢ２３、ＰＥＢ１２の温度整定に要するサイクル数を夫々決定する。演算結果に端数が生じる場合は、その端数を繰り上げて、整定に要するサイクル数を整数で算出する
ＰＡＢ、ＰＥＢでの夫々の温度整定に要するサイクル数
＝ＰＡＢ、ＰＥＢの夫々の温度整定に要する時間
÷ＰＡＢ、ＰＥＢの夫々のサイクルタイム・・・（４）
そして、制御部５の搬送スケジュール作成部５３は、この演算されたＰＡＢ２３及びＰＥＢ１２でのウエハ滞在サイクル数と、ＰＡＢ２３及びＰＥＢ１２での温度変更に要するサイクル数と、搬送アームＥ２及びＥ１のサイクルタイムとに基づいて、搬送スケジュールを設定する（ステップＳ８）。

図９、図１０は、上記のように制御部５によりＰＡＢ２３、ＰＥＢ１２でのウエハ滞在サイクル数が夫々３、またＰＡＢ２３、ＰＥＢ１２での温度整定に要するサイクル数が夫々３である場合に設定されるＣＯＴブロックＦ２、ＤＥＶブロックＦ１夫々の搬送スケジュール表を示しており、背景技術の欄のスケジュール表と同様に表の縦軸は実行されるサイクルの番号、横軸はモジュールを夫々示している。表中の斜線は各ＰＡＢ２３及びＰＥＢ１２において熱板の温度整定が行われるサイクルを示している。

以下に図９の表においてＣＯＴへのウエハＡの搬送が開始されるサイクル及び各ＰＡＢでの温度整定が開始されてから後発のウエハＢが各ＰＡＢ２３に搬送されるサイクルを中心に説明する。この表において、１サイクルの時間はステップＳ５で決定されたように２２秒である。

［サイクルｎ〜ｎ＋２］
搬送アームＥ２によりウエハＡ１，Ａ２，Ａ３がＣＰＬ２１ＡまたはＣＰＬ２１ＢからＣＯＴ２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃに順に搬送される。
［サイクルｎ＋３］
搬送アームＥ２がウエハＡ４をＣＰＬ２１Ａから受け取り、その後ＣＯＴ２２ＡからウエハＡ１を受け取った後、ＣＯＴ２２ＡにウエハＡ４を受け渡す。そして、搬送アームＥ２はウエハＡ１をＰＡＢ２３Ａに受け渡す。

［サイクルｎ＋４、ｎ＋５］
サイクルｎ＋３と同様に、各サイクルで搬送アームＥ２がウエハＡ５，Ａ６をＣＰＬ２１Ａまたは２１Ｂから受け取り、その後ＣＯＴ２２Ｂ，２２ＣからウエハＡ２，Ａ３を受け取った後、ＣＯＴ２２Ｂ，２２ＣにウエハＡ５，Ａ６を受け渡す。そして、搬送アームＥ２はウエハＡ２，Ａ３をＰＡＢ２３Ｂ，２３Ｃに受け渡す。

［サイクルｎ＋６］
搬送アームＥ２がウエハＡ７をＣＰＬ２１Ａから受け取り、その後ＣＯＴ２２ＡからウエハＡ４を受け取った後、ＣＯＴ２２ＡにウエハＡ７を受け渡す。そして、搬送アームＥ２はＰＡＢ２３Ａから加熱処理済みのウエハＡ１を受け取った後ウエハＡ４をＰＡＢ２３Ｄに受け渡し、然る後ウエハＡ１をＳＢＵ２４に受け渡す。

［サイクルｎ＋７］
搬送アームＥ２がウエハＡ８をＣＰＬ２１Ａから受け取り、その後ＣＯＴ２２ＢからウエハＡ５を受け取った後、ＣＯＴ２２ＢにウエハＡ８を受け渡す。そして、搬送アームＥ２はＰＡＢ２３Ｂから加熱処理済みのウエハＡ２を受け取った後ウエハＡ５をＰＡＢ２３Ｅに受け渡し、然る後ウエハＡ２をＳＢＵ２４に受け渡す。
サイクルｎ＋８〜ｎ＋１０ではサイクルｎ＋６、ｎ＋７と略同様にＣＰＬ２１、ＣＯＴ２２、ＰＡＢ２３、ＳＢＵ２４間で搬送が行われるので詳細な説明を省略する。
［サイクルｎ＋１１］
搬送アームＥ２がウエハＢ１をＣＰＬ２１Ａから受け取り、ＣＯＴ２２ＢにそのウエハＢ１を受け渡した後、ＣＯＴ２２ＣからウエハＡ９を受け取る。その後、搬送アームＥ２はＰＡＢ２３Ａから加熱処理済みのウエハＡ６を受け取り、ウエハＡ６が搬出されたＰＡＢ２３ＡではロットＢの処理温度への整定が開始される。然る後、搬送アームＥ２はウエハＡ９をＰＡＢ２３Ｄに受け渡した後、ウエハＡ６をＳＢＵ２４に受け渡す。

［サイクルｎ＋１２］
搬送アームＥ２がウエハＢ２をＣＰＬ２１Ａまたは２１Ｂから受け取り、続いてＣＯＴ２２ＡからウエハＡ１０を受け取った後、ウエハＢ２をＣＯＴ２２Ｃに受け渡す。その後、搬送アームＥ２はＰＡＢ２３Ｂから加熱処理済みのウエハＡ７を受け取り、ウエハＡ７が搬出されたＰＡＢ２３Ｂでは熱板の温度整定が開始される。然る後、搬送アームＥ２はウエハＡ１０をＰＡＢ２３Ｅに受け渡した後、ウエハＡ７をＳＢＵ２４に受け渡す。

［サイクルｎ＋１３］
搬送アームＥ２がウエハＢ３をＣＰＬ２１Ａから受け取り、ＣＯＴ２２Ａに受け渡す。その後、搬送アームＥ２はＰＡＢ２３Ｃから加熱処理済みのウエハＡ８を受け取り、ウエハＡ８が搬出されたＰＡＢ２３Ｃでは温度整定が開始される。然る後、搬送アームＥ２はウエハＡ８をＳＢＵ２４に受け渡す。また、ＰＡＢ２３Ａでの温度整定が終了する。

［サイクルｎ＋１４］
搬送アームＥ２がウエハＢ４をＣＰＬ２１Ａから受け取り、続いてＣＯＴ２２ＢからウエハＢ１を受け取った後、ＣＯＴ２２ＢにウエハＢ４を受け渡す。その後、搬送アームＥ２はＰＡＢ２３ＡにウエハＢ１を受け渡し、続いてＰＡＢ２３Ｄから加熱処理済みのウエハＡ９を受け取り、ウエハＡ９が搬出されたＰＡＢ２３Ｄでは熱板の温度整定が開始される。然る後、搬送アームＥ２はウエハＡ９をＳＢＵ２４に受け渡す。また、ＰＡＢ２３Ｂでの温度整定が終了する。

［サイクルｎ＋１５］
搬送アームＥ２がウエハＢ５をＣＰＬ２１Ａから受け取り、続いてＣＯＴ２２ＣからウエハＢ２を受け取った後、ウエハＢ５をＣＯＴ２２Ｃに受け渡す。その後、搬送アームＥ２はＰＡＢ２３ＢにウエハＢ２を受け渡し、続いてＰＡＢ２３Ｅから加熱処理済みのウエハＡ１０を受け取り、ウエハＡ１０が搬出されたＰＡＢ２３Ｅでは熱板の温度整定が開始される。然る後、搬送アームＥ２はウエハＡ１０をＳＢＵ２４に受け渡す。また、ＰＡＢ２３Ｃでの温度整定が終了する。

［サイクルｎ＋１６］
搬送アームＥ２がＣＯＴ２２ＡからウエハＢ３を受け取り、ＰＡＢ２３Ｃに受け渡す。また、ＰＡＢ２３Ｄでの温度整定が終了する。
［サイクルｎ＋１７］
搬送アームＥ２がＣＯＴ２２ＢからウエハＢ４を受け取り、続いてＰＡＢ２３Ａから加熱処理されたウエハＢ１を受け取る。その後、搬送アームＥ２がＰＡＢ２３ＤにウエハＢ４を搬送した後、ウエハＢ１をＳＢＵ２４に搬送する。また、ＰＡＢ２３Ｅでの温度整定が終了する。
ｎ＋１８以降のサイクルではこのサイクルｎ＋１７と同様にウエハの搬送が行われるので詳細な説明を省略する。

続いてＤＥＶブロックＦ１における搬送について図１０のスケジュール表を参照しながら説明する。このＤＥＶブロックＦ１ではＣＯＴブロックＦ２と同様に搬送スケジュール表に従って、モジュール間でのウエハＷの搬送及びモジュールでのウエハＷの入れ替えが行われるので、ここではＰＥＢ１２で温度整定が行われる前後のサイクルを中心にウエハの搬送手順を説明する。表中の１サイクルの時間はステップＳ７で決定された搬送アームＥ１のサイクルタイムであり、例えば搬送アームＥ２のサイクルタイムと同じ２２秒である。

［サイクルｍ＋８］
搬送アームＥ１がウエハＡ９をＴＲＳ１１Ａまたは１１Ｂから受け取り、然る後ＰＥＢ１２Ａから加熱処理済みのウエハＡ６を受け取り、ウエハＡ６が搬出されたＰＥＢ１２Ａでは温度整定が開始される。搬送アームＥ１はＣＰＬ１３ＢからウエハＡ４を受け取り、ウエハＡ６をＣＰＬ１３Ｂに受け渡す。そして、ＤＥＶ１４ＡからウエハＡ１を受け取り、ウエハＡ４を当該ＤＥＶ１４Ａに受け渡す。然る後搬送アームＥ１はウエハＡ１をＣＰＬ１５Ａに受け渡す。

サイクルｍ＋９はサイクルｍ＋８と同様に進行し、ＰＥＢ１２ＢからウエハＡ７が取り出された後、ＰＥＢ１２Ｂで温度整定が開始される。

［サイクルｍ＋１０］
搬送アームＥ１がＰＥＢ１２Ｃから加熱処理済みのウエハＡ８を受け取り、ウエハＡ８が搬出されたＰＥＢ１２Ｃでは温度整定が開始される。搬送アームＥ１はＣＰＬ１３ＢからウエハＡ６を受け取り、ウエハＡ８をＣＰＬ１３Ｂに受け渡す。そして、ＤＥＶ１４ＣからウエハＡ３を受け取り、ウエハＡ６を当該ＤＥＶ１４Ｃに受け渡す。然る後搬送アームＥ１はウエハＡ３をＣＰＬ１５Ａに受け渡す。また、ＰＥＢ１２Ａで温度整定が終了する。

［サイクルｍ＋１１］
搬送アームＥ１がウエハＢ１をＴＲＳ１１Ａから受け取り、ＰＥＢ１２Ａに受け渡し、然る後ＰＥＢ１２ＤからウエハＡ９を取り出すと、ＰＥＢ１２Ｄで温度整定が開始される。搬送アームＥ１はＣＰＬ１３ＡからウエハＡ７を受け取り、ウエハＡ９をＣＰＬ１３Ａに受け渡す。そして、ＤＥＶ１４ＡからウエハＡ４を受け取り、ウエハＡ７を当該ＤＥＶ１４Ａに受け渡す。然る後、搬送アームＥ１はウエハＡ４をＣＰＬ１５Ｂに受け渡す。また、ＰＥＢ１２Ｂで温度整定が終了する。

以降のサイクルのＰＥＢでの温度整定とＰＥＢでのウエハの受け渡しとについて簡単に説明すると、サイクルｍ＋１２ではウエハＢ２がＰＥＢ１２Ｂに搬入され、ＰＥＢ１２ＥからウエハＡ１０が搬出され、当該ＰＥＢ１２Ｅで温度整定が開始されると共にＰＥＢ１２Ｃで温度整定が終了する。サイクルｍ＋１３ではウエハＢ３がＰＥＢ１２Ｃに搬入されると共にＰＥＢ１２Ｄで温度整定が終了する。サイクルｍ＋１４ではウエハＢ４がＰＥＢ１２Ｄに搬入されると共にＰＥＢ１２Ｅで温度整定が終了する。サイクルｍ＋１５ではウエハＢ５がＰＥＢ１２Ｅに搬入される。

上記のようにウエハＡ及びウエハＢは、制御部５により割り当てられた順番で塗布、現像装置１に搬入され、ＣＯＴブロックＦ２においてＰＡＢ２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃ，２３Ｄ，２３Ｅにこの順に繰り返し搬送される。そして、各ウエハは決定された滞在サイクル数だけ各ＰＡＢ２３に滞在し、その後ＳＢＵ２４に搬送され、ＳＢＵ２４に搬送されたウエハは順次露光機Ｃ４へ向けて搬送される。また、ＤＥＶブロックＦ１においてウエハＡ及びウエハＢは前記順番でＰＥＢ１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ，１２Ｅにこの順に繰り返し搬送される。ここでも各ウエハは決定された滞在サイクル数だけ各ＰＥＢ１２に滞在し、後段の各モジュールへ順次搬送される。

そして、あるＰＡＢ２３またはＰＥＢ１２にて処理されたウエハＡが、ロットＡの中でそのＰＡＢ２３またはＰＥＢ１２にて処理を受ける最後のウエハＡではない場合は、そのＰＡＢ２３またはＰＥＢ１２に次のウエハＡが搬入されるまで５−決定された滞在サイクル数のサイクル分の間隔が空く。そして、あるＰＡＢ２３またはＰＥＢ１２にて処理されたウエハＡが、ロットＡの中でそのＰＡＢ２３またはＰＥＢ１２にて処理を受ける最後のウエハＡである場合は、そのウエハＡの搬出後に温度整定が行われ、その温度整定に必要なサイクルが経過して温度整定終了したサイクルの次のサイクルで、ロットＢのウエハＢが搬入される。このような規則を持って図９及び図１０に示した搬送スケジュールが設定されている。

ところで、背景技術の欄で示した図１７及び図１８の搬送スケジュールと比較すると、このモードＭ１の実行により設定された図９及び図１０の搬送スケジュールのＰＡＢ２３及びＰＥＢ１２での温度整定は、当該温度整定に必要な３サイクルのうち、２サイクルはウエハが搬出されてから次のウエハが搬入されるまでの間隔を利用して行っているものと見ることができる。そして、そのように温度整定を行うことによってＰＡＢ２３Ａ〜２３Ｅ及びＰＥＢ１２Ａ〜１２ＥにてロットＡの処理後、ロットＢの処理開始までに要するサイクル数が短縮される。その結果として、図９、図１０の表中に網目を付して示すようにＳＢＵ２４においてはｎ＋１６サイクルでのみ、ＣＰＬ１５においてはｍ＋１８、ｍ＋１９サイクルでのみ、ロットの切り替わり時に夫々ウエハが搬入されないサイクルが設定されている。

（モードＭ２）
続いてモードＭ２が選択されたときの搬送スケジュールが設定される工程について、ＣＯＴフローの各モジュールとその各モジュールのＭＵＴとを示した表である図１１及び前記設定工程を示したフローチャートである図１２を参照しながらモードＭ１との差異点を中心に説明する。ただし、説明の便宜上ＣＯＴ２２のＭＵＴはモードＭ１の説明とは異なり、６３秒として記憶部５４に記憶されているものとする。

オペレータが入力手段５５からモードＭ２を選択すると（ステップＴ１）、モードＭ１と同様に制御部５が式（１）から各モジュールについてＭＵＴＣを算出する。ただし、モードＭ１と異なり図１１に示すようにＣＯＴフロー中の各モジュールについてこのＭＵＴＣの計算が行われる（ステップＴ２）。

続いて、制御部５は算出したＭＵＴＣから最大のものを最大ＭＵＴＣとして決定する（ステップＴ３）。図１１に示すようにこの場合、露光機Ｃ４のＭＵＴＣである２２秒（露光機Ｃ４のＭＵＴ：２２秒÷露光機の指定マルチ数：１）が最も長いＭＵＴＣなのでこれを最大ＭＵＴＣとして決定する。

その後、制御部５は、ＣＯＴフローで用いられるすべてのアームのＡＳＴを演算し、その中で最も長いＡＳＴを最大ＡＳＴとして決定する。具体的にウエハＷをキャリアＣから露光機Ｃ４に搬送するまでに使用されるアームは、受け渡しアーム４２、層間搬送アームＤ１、搬送アームＡ２，Ａ３、インターフェイスアーム４６なので、制御部５はこれらのアームのＡＳＴについて最も長いものを最大ＡＳＴとして決定する（ステップＴ４）。例えばモードＭ１と同様の計算の結果、受け渡しアーム４２、層間搬送アームＤ１、搬送アームＥ２，Ｅ３、インターフェイスアーム４６のＡＳＴが夫々１０秒、１２秒、１６秒、１４秒、１０秒であったとすると、制御部５は搬送アームＡ３のＡＳＴである１６秒を最大ＡＳＴとして決定する。

その後、制御部５は前記最大ＭＵＴＣと、前記最大ＡＳＴとを比較し、大きい方をＰＡＢ２３のサイクルタイムとして決定する（ステップＴ５）。この場合は最大ＭＵＴＣの方が大きいため、この最大ＭＵＴＣである２２秒をＰＡＢ２３のサイクルタイムとして決定する。

そして、モードＭ１と同様に上記の式（２）によりＰＡＢ２３でのウエハ滞在サイクル数を演算する（ステップＴ６）。モードＭ１と同様に式（２）の演算結果に端数が生じる場合は、その端数を繰り上げてウエハ滞在サイクル数を整数で算出する。この場合は、ＰＡＢ２３のＭＵＴ６０秒÷最大ＭＵＴＣ２２秒≒３サイクルをＰＡＢ２３でのウエハ滞在サイクル数として決定する。

続いて、制御部５はＣＯＴフロー同様にＤＥＶフローの各モジュールのＭＵＴＣを算出して、そのＭＵＴＣが最も大きいものを最大ＭＵＴＣとして決定し、続いてＤＥＶフローにおける各アームのＡＳＴを決定する。具体的に、ＤＥＶフローで用いられるアームは図５に示すようにインターフェイスアーム４６、搬送アームＥ１、層間搬送アームＤ１及び受け渡しアーム４２であるため、これらについてＡＳＴが決定される。そして制御部５は、これらのＡＳＴから最も長いものを最大ＡＳＴとして決定する。

その後、ＤＥＶフローの最大ＭＵＴＣと、ＤＥＶフローの最大ＡＳＴとを比較して大きい方をＰＥＢ１２のサイクルタイムとして決定する。続いて、モードＭ１と同様に制御部５は上記の式（３）を実行して、ＰＥＢ１２での滞在サイクル数を決定する（ステップＴ７）。そして、制御部５は式（４）を実行してＰＡＢ２３，ＰＥＢ１２での温度変更に要するサイクル数を算出し、モードＭ１と同様に演算されたＰＡＢ２３及びＰＥＢ１２でのウエハ滞在サイクル数と、ＰＡＢ２３及びＰＥＢ１２で温度変更に要するサイクル数と、搬送アームＥ２及びＥ１のサイクルタイムとに基づいて、搬送スケジュールを設定する（ステップＴ８）。ＰＡＢ及びＰＥＢの滞在サイクル数が３、ＰＡＢ及びＰＥＢの温度整定に要するサイクル数が３である場合、モードＭ１実行時と同じ図９及び図１０に示す搬送スケジュールが設定される。

（モードＭ３）
続いてモードＭ３が選択されたときの搬送スケジュールが設定される工程についてモードＭ１が選択されたときとの差異点を中心に説明する。オペレータによりモードＭ３が選択されると、制御部５は上記のステップＳ２〜Ｓ７を実行して、ＰＡＢ及びＰＥＢでのウエハ滞在サイクル数を決定する。

そして、モードＭ１と同様に演算されたＰＡＢ２３及びＰＥＢ１２でのウエハ滞在サイクル数と、ＰＡＢ２３及びＰＥＢ１２で温度変更に要するサイクル時間と、搬送アームＥ２及びＥ１のサイクルタイムとに基づいて、搬送スケジュールが決定される。ただしモードＭ１と異なり、このＰＡＢ２３のウエハ滞在サイクル数と同じ数だけのＰＡＢ２３が一つのロットを処理するように設定される。つまり、決定されたＰＡＢ２３での滞在サイクル数がａであるとすると、ＰＡＢ２３Ａ〜２３Ｅのうち、ａ個がロットＡを加熱処理するために使用される。また、ロットＡを処理するために使われなかった（５−ａ）個のＰＡＢ２３は、ロットＡが加熱処理を受けるためにＰＡＢ２３に搬入される前に予め、ロットＢを加熱する温度に整定される。そして、そのロットＡを処理するために使われなかった（５−ａ）個のＰＡＢ２３と、ロットＡを処理するために用いられたＰＡＢ２３のうち、ロットＡの処理が速く終わるものから順に［ａ−（５−ａ）］個のＰＡＢ２３とが、ロットＢを処理するために使用される。つまりロットＢについてもａ個のＰＡＢ２３が加熱処理に用いられる。また、ＰＥＢ１２についてもこのＰＡＢ２３と同様に演算されたＰＥＢ１２のウエハ滞在サイクル数と同じ数だけのＰＥＢ１２が一つのロットを処理するように設定される。

図１３、図１４は演算されたＰＡＢ２３及びＰＥＢ１２でのウエハ滞在サイクル数、ＰＡＢ２３及びＰＥＢでのウエハの温度変更に要するサイクル数、搬送アームＥ２、Ｅ１のサイクルタイムが夫々上記のモードＭ１の実行例と同様に３、３、２２秒である場合について、設定されたＣＯＴブロックＦ２、ＤＥＶブロックＦ１における搬送スケジュール表を示している。以下表中の各サイクルについて、モードＭ１実行時との差異点を中心に簡単に説明する。なお、表中の斜線は、図９、図１０と同様に温度整定が行われているサイクルを示す。

［サイクルｎ〜ｎ＋２］
サイクルｎでＰＡＢ２３Ｄ，２３ＥにおいてロットＢの加熱温度に整定が開始され、サイクルｎ＋２で温度整定が終了する。
［サイクルｎ＋３〜ｎ＋５］
ウエハＡ１，Ａ２，Ａ３が順次ＰＡＢ２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃに搬入され、加熱処理を受ける。
［サイクルｎ＋６〜ｎ＋８］
加熱処理を終えたウエハＡ１，Ａ２，Ａ３が順次ＳＢＵ２４に搬入され、ウエハＡ４，Ａ５，Ａ６が順次ＰＡＢ２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃに搬入される。
［サイクルｎ＋９〜ｎ＋１１］
加熱処理を終えたウエハＡ４，Ａ５，Ａ６が順次ＳＢＵ２４に搬入され、ウエハＡ７，Ａ８，Ａ９が順次ＰＡＢ２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃに搬入される。

［サイクルｎ＋１２］
ウエハＡ１０がＰＡＢ２３Ａに搬入され、加熱処理を受ける。また、加熱処理を終えたウエハＡ７がＳＢＵ２４に搬入される。
［サイクルｎ＋１３］
加熱処理を終えたウエハＡ８がＰＡＢ２３Ｂから取り出され、ＰＡＢ２３Ｂで温度整定が開始され、ウエハＡ８はＳＢＵ２４に搬入される。

［サイクルｎ＋１４］
加熱処理を終えたウエハＡ９がＰＡＢ２３Ｃから取り出された後、ＰＡＢ２３ＤにウエハＢ１が搬入される。そしてウエハＡ９はＳＢＵ２４に搬入される。
［サイクルｎ＋１５］
加熱処理を終えたウエハＡ１０がＰＡＢ２３Ａから取り出された後、ＰＡＢ２３ＥにウエハＢ２が搬入される。そしてウエハＡ１０はＳＢＵ２４に搬入される。また、ＰＡＢ２３Ｂの温度整定が終了する。

［サイクルｎ＋１６〜ｎ＋１８］
ウエハＢ３、Ｂ４、Ｂ５が順次ＰＡＢ２３Ｂ、２３Ｄ、２３Ｅに搬入され、加熱処理を受ける。また、加熱処理を終えたウエハＢ１、Ｂ２が順次ＳＢＵ２４に搬入される。サイクルｎ＋１８以降のサイクルについてはサイクルｎ＋１８と略同様の搬送なので説明を省略する。

また、図１４のＤＥＶブロックＦ１における搬送スケジュールについて、図１０のモードＭ１、Ｍ２が選択された場合における搬送スケジュールとの差異点を中心に簡単に説明すると、サイクルｍ〜ｍ＋２でＰＥＢ１２Ａ〜１２ＣにウエハＡ１〜Ａ３が夫々搬入されている間にＰＥＢ１２Ｄ，１２ＥでロットＢを処理するための温度に整定が行われる。サイクルｍ＋２以降もＰＥＢ１２Ａ〜１２Ｃにはこの順で繰り返しウエハＡが搬送される。そしてサイクルｍ＋１０で、最もロットＡを処理し終わるのが早いＰＥＢ１２ＢにてウエハＡ８が搬出されると、そのウエハＡ８搬出後に温度整定が開始される。

そして、ＰＥＢ１２Ｂでの温度整定が行われているサイクルｍ＋１１、ｍ＋１２ではＰＥＢ１２Ｄ，１２ＥにウエハＢ１，Ｂ２が搬送されて加熱処理が行われる。また、サイクルｍ＋１２ではＰＥＢ１２Ｂの温度整定が終了する。そして、サイクルｍ＋１３で、そのＰＥＢ１２ＢへウエハＢ３が搬入される。

ＰＥＢ１２で加熱された各ウエハは順に後段のモジュールへと搬送され、サイクルｍ＋１８ではウエハＡ９がＣＰＬ１５Ａから搬出される。続いて、サイクルｍ＋１９でウエハＢ１がＣＰＬ１５Ａに搬入されると共にウエハＡ１０がＣＰＬ１５Ｂから搬出され、サイクルｍ＋２０でウエハＢ２がＣＰＬ１５Ｂに搬入される。

（モードＭ４）
続いてモードＭ４が選択されたときの搬送スケジュールが設定される工程についてモードＭ３が選択されたときとの差異点を中心に説明する。オペレータによりモードＭ４が選択されると、制御部５は上記のステップＴ２〜Ｔ７を実行して、ＰＡＢ及びＰＥＢでのウエハ滞在サイクル数を決定する。つまり、モードＭ３と異なり、各フローのモジュールのＭＵＴ及びＡＳＴに基づいてウエハ滞在サイクル数が決定され、以降はモードＭ３と同じようにこのウエハ滞在サイクルなどに基づいて搬送スケジュールが決定される。そして、この搬送スケジュールは、モードＭ３と同様に、決定されたＰＡＢ２３、ＰＥＢ１２でのウエハ滞在サイクル数と同じ数のＰＡＢ、ＰＥＢが夫々一つのロットの処理に使用されるように設定される。つまり、ＰＡＢの滞在サイクル数及びＰＥＢの滞在サイクル数が３、温度整定に要するサイクル数が３である場合にはモードＭ３の搬送スケジュールと同じく図１３、図１４に示すように搬送スケジュールが設定される。

上記の実施形態によれば、モードＭ１〜Ｍ４のいずれを選択した場合にも各搬送スケジュール表から明らかなように、背景技術の欄に示した従来の搬送手法に比べてＰＡＢ２３の後段に設けられたＳＢＵ２４へのロット間のウエハＷの搬入間隔及びＰＥＢ１２の後段に設けられたＣＰＬ１５へのロット間のウエハＷの搬入間隔が広がることを抑えることができる。従って露光機Ｃ４へ搬入されるウエハＷの搬入間隔及びキャリアＣへのウエハＷの搬入間隔が広がることが抑えられる。その結果としてスループットが向上する。

ところで、モードＭ２及びモードＭ４とモードＭ１及びモードＭ３との差異としては、モードＭ２、Ｍ４においては、モードＭ１、Ｍ３で使用したＣＯＴブロックＢ２及びＤＥＶブロックＢ１のモジュールのＭＵＴＣと搬送アームＥ１、Ｅ２のＡＳＴとに加えて、ＢＣＴブロックＢ３の各モジュール及び露光機Ｃ４のＭＵＴＣと、ＢＣＴブロックＢ３の搬送アームＥ３、層間搬送アームＤ１及び受け渡しアーム４２，４６のＡＳＴと、が計算され、その計算結果に基づいてＰＡＢ及びＰＥＢのウエハの滞在サイクル数が決定されている。従ってモードＭ１、Ｍ３に比べて、モードＭ２、Ｍ４はＣＯＴブロックＦ２、ＤＥＶブロックＦ１以外の各経路、即ちキャリアＣからＢＣＴブロックＢ３間での間と、ＢＣＴブロックＢ３内と、ＢＣＴブロックＢ３とＣＯＴブロックＢ２との間と、ＣＯＴブロックＢ２から露光機Ｃ４までの間と、露光機Ｃ４からＤＥＶブロックＢ１までの間と、ＤＥＶブロックＢ１からキャリアＣまでの間と、における各搬送経路中でのウエハＷの滞留を抑えることができるという利点がある。

上記の塗布、現像装置１ではレジスト膜の下層に反射防止膜を形成するためのＢＣＴブロックＢ２が設けられている例を示したが、露光処理を行う前のウエハについてそのレジスト膜の上層に反射防止膜やレジスト膜を保護する保護膜などの上層膜を形成するブロックを設けてもよい。その場合についても、ＣＯＴフローにおけるウエハの搬送サイクル数の決定は、その上層膜を形成する上層膜形成ブロックも含めて上記の例と同様にキャリアＣから露光機Ｃ４に至る各モジュールのＭＵＴＣを算出すると共にウエハの搬送に用いられる搬送アームのＡＳＴを算出することにより行われ、それ以降は既述の例と同様に行われる。

また、上記の実施形態の各例においてはＰＥＢ、ＰＡＢでのウエハ滞在サイクルが夫々３であり、またＰＡＢ及びＰＥＢの温度整定に要するサイクル数が３であるが、温度整定に要するサイクルが２サイクル以内である場合には、ウエハＢを各モジュールに搬送するサイクルを１サイクルずつ早めるように搬送スケジュールが設定される。つまりＣＯＴブロックＦ２ではウエハＢ１，Ｂ２・・・が、サイクルｎ＋１０、ｎ＋１１・・・でＣＯＴ２２に夫々搬送され、サイクルｎ＋１３、ｎ＋１４・・・でＰＡＢ２３に夫々搬送され、サイクルｎ＋１６、ｎ＋１７・・・でＳＢＵ２４に搬入される。そしてＤＥＶブロックＦ１ではウエハＢ１、Ｂ２・・・がサイクルｍ＋１０、ｍ＋１１・・・でＰＥＢ１２に夫々搬送され、サイクルｍ＋１３、ｍ＋１４・・・でＣＰＬ１３に夫々搬送され、サイクルｍ＋１５、ｍ＋１６・・・でＤＥＶ１４に夫々搬送され、サイクルｍ＋１８、ｍ＋１９・・・でＣＰＬ１５に搬入される。

また、温度整定に要するサイクル数が３以上である場合には、その温度整定に要するサイクル分だけＰＡＢ、ＰＥＢでロットＡＢ間でのウエハの搬入間隔が空くので、その温度整定に要するサイクル数−２サイクル分、これらＳＢＵ２４、ＣＰＬ１５Ａ，１５Ｂへの搬入間隔がロットＡＢ間で空くようにスケジュールが設定される。つまり温度整定に要するサイクル数が４である場合、上記の例においてＣＯＴブロックＦ２ではウエハＢ１，Ｂ２・・・が、サイクルｎ＋１２、ｎ＋１３・・・でＣＯＴ２２に夫々搬送され、サイクルｎ＋１５、ｎ＋１６・・・でＰＡＢ２３に夫々搬送され、サイクルｎ＋１８、ｎ＋１９・・・でＳＢＵ２４に搬入される。

また、上記実施形態では各モードにおいてＰＡＢ及びＰＥＢでの滞在サイクル数を両方決定するようになっているが、ＰＡＢあるいはＰＥＢでの滞在サイクル数のうちいずれか一方のみを上記の手順に従って決定して、その滞在サイクル数に従ってＣＯＴブロックあるいはＤＥＶブロックの搬送スケジュールを設定できる各モードを実行するプログラムを用意し、それらのモードについて入力手段５５から選択できるようになっていてもよい。なお、上記のモードＭ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４は特許請求の範囲で言うモードＳ１及びＳ２、Ｓ３及びＳ４、Ｓ５及びＳ６、Ｓ７及びＳ８に相当する。また本発明は半導体ウエハのみならず液晶ディスプレイ用のガラス基板（ＬＣＤ基板）といった基板を処理する塗布、現像装置にも適用できる。

本発明の塗布、現像装置の平面図である 前記塗布、現像装置の斜視図である。 前記塗布、現像装置の縦断平面図である。 前記塗布、現像装置のウエハの搬送経路の説明図である。 前記搬送経路におけるモジュールと、各モジュールにウエハを受け渡すアームとを示した表である。 塗布、現像装置の制御部の構成図である。 ＣＯＴブロックの各モジュールとそのＭＵＴと計算されたＭＵＴＣとを示す表である。 搬送スケジュールが決定されるプロセスを示すフローチャートである。 ＣＯＴブロックの前記搬送スケジュールを示す表である。 ＤＥＶブロックの前記搬送スケジュールを示す表である。 ＣＯＴフローの各モジュールとそのＭＵＴと計算されたＭＵＴＣとを示す表である。 搬送スケジュールが決定されるプロセスを示すフローチャートである。 ＣＯＴブロックの前記搬送スケジュールを示す表である。 ＤＥＶブロックの前記搬送スケジュールを示す表である。 従来の塗布、現像装置の処理ブロックの平面図である。 従来の塗布、現像装置の１ロットのＣＯＴブロックの搬送スケジュールを示す表である。 従来の塗布、現像装置の２ロットのＣＯＴブロックの搬送スケジュールを示す表である。 従来の塗布、現像装置のＤＥＶブロックの搬送スケジュールを示す表である。

符号の説明

Ｗ，Ａ，Ｂ ウエハ
Ｃ キャリア
ＣＰＬ 受け渡しモジュール
ＣＯＴ 塗布モジュール
Ｃ１ キャリアブロック
Ｃ２ 処理ブロック
Ｃ３ インターフェイスブロック
Ｃ４ 露光機
ＣＰＬ 受け渡しモジュール
ＤＥＶ 現像モジュール
Ｅ１〜Ｅ３ 搬送アーム
ＰＡＢ ＰＥＢ 加熱モジュール
ＳＢＵ バッファモジュール
ＴＲＳ 受け渡しモジュール
１ 塗布、現像装置
４２ 受け渡しアーム
４６ インターフェイスアーム
５ 制御部
５５ 入力手段

Claims (20)

1. 複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台と、このキャリア載置台上のキャリアとの間で基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含む受け渡しブロックと、
   塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
   露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
   露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
   基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次１枚ずつ搬送して１周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
   前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置において、
   Ａ．前記塗布ブロックにおけるモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、当該塗布ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
   こうして塗布ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードＳ１を実行する制御部を設けたことを特徴とする塗布、現像装置。
2. 前記制御部は、前記Ａに従って滞在サイクル数を決定して、モードＳ１を実行する代わりに、
   Ｂ．前記現像ブロックにおけるモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、当該現像ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
   こうして現像ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードＳ２を実行することを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
3. 複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台と、このキャリア載置台上のキャリアとの間で基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含む受け渡しブロックと、
   塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
   露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
   露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
   基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次１枚ずつ搬送して１周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
   前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置において、
   Ａ．露光機をモジュールとして取り扱い、
   前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、
   前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を塗布ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロック内の基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
   こうして塗布ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードＳ３を実行する制御部を設けたことを特徴とする塗布、現像装置。
4. 前記制御部は、前記Ａに従って滞在サイクル数を決定して、モードＳ３を実行する代わりに、
   Ｂ．前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、
   前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を現像ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
   こうして現像ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードＳ４を実行することを特徴とする請求項３記載の塗布、現像装置。
5. 複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台と、このキャリア載置台上のキャリアとの間で基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含む受け渡しブロックと、
   塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
   露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
   露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
   基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次１枚ずつ搬送して１周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
   前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置において、
   Ａ．前記塗布ブロックにおけるモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、当該塗布ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
   こうして塗布ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードＳ５を実行する制御部を設けたことを特徴とする塗布、現像装置。
6. 前記制御部は、前記Ａに従って滞在サイクル数を決定して、モードＳ５を実行する代わりに、
   Ｂ．前記現像ブロックにおけるモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、当該現像ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
   こうして現像ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードＳ６を実行することを特徴とする請求項５記載の塗布、現像装置。
7. 複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台と、このキャリア載置台上のキャリアとの間で基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含む受け渡しブロックと、
   塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
   露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
   露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
   基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次１枚ずつ搬送して１周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
   前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置において、
   Ａ．露光機をモジュールとして取り扱い、
   前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、
   前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を塗布ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロック内の基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
   こうして塗布ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードＳ７を実行する制御部を設けたことを特徴とする塗布、現像装置。
8. 前記制御部は、前記Ａに従って滞在サイクル数を決定して、モードＳ７を実行する代わりに、
   Ｂ．前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、
   前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を現像ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
   こうして現像ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードＳ８を実行することを特徴とする請求項７記載の塗布、現像装置。
9. 前記モードＳ１〜モードＳ８のいずれかを選択して実行する選択手段が設けられたことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
10. 塗布ブロック及び現像ブロックは互いに上下に積層され、
    受け渡し手段から受け渡された基板を塗布ブロックの受け渡し台に搬送するための補助搬送手段を備えていることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
11. 塗布ブロックとして、レジスト膜を形成するための塗布ブロックと、レジスト膜を形成する前または後に塗布膜を形成するための塗布ブロックと、が設けられ、これら塗布ブロックは互いに上下に積層されていることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
12. 複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台と、このキャリア載置台上のキャリアとの間で基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含む受け渡しブロックと、
    塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
    露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
    露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
    基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次１枚ずつ搬送して１周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
    前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
    Ａ．前記塗布ブロックにおけるモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、当該塗布ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
    こうして塗布ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードＳ１を実行する工程と、を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。
13. 前記Ａ工程及びモードＳ１を実行する工程を備える代わりに
    Ｂ．前記現像ブロックにおけるモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、当該現像ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
    こうして現像ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードＳ２を実行する工程と、を備えたことを特徴とする請求項１２記載の塗布、現像方法。
14. 複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台と、このキャリア載置台上のキャリアとの間で基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含む受け渡しブロックと、
    塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
    露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
    露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
    基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次１枚ずつ搬送して１周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
    前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
    Ａ．露光機をモジュールとして取り扱い、
    前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、
    前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を塗布ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロック内の基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
    こうして塗布ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードＳ３を実行する工程と、を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。
15. 前記Ａ工程及びモードＳ３を実行する工程を備える代わりに、
    Ｂ．前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、
    前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を現像ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
    こうして現像ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードＳ４を実行する工程と、を備えたことを特徴とする請求項１４記載の塗布、現像方法。
16. 複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台と、このキャリア載置台上のキャリアとの間で基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含む受け渡しブロックと、
    塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
    露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
    露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
    基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次１枚ずつ搬送して１周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
    前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
    Ａ．前記塗布ブロックにおけるモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、当該塗布ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
    こうして塗布ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードＳ５を実行する工程と、を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。
17. 前記Ａ工程及びモードＳ５を実行する工程を備える代わりに、
    Ｂ．前記現像ブロックにおけるモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、当該現像ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
    こうして現像ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードＳ６を実行する工程と、
    を備えたことを特徴とする請求項１６記載の塗布、現像方法。
18. 複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台と、このキャリア載置台上のキャリアとの間で基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含む受け渡しブロックと、
    塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
    露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
    露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも２個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
    基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次１枚ずつ搬送して１周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
    前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
    Ａ．露光機をモジュールとして取り扱い、
    前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、
    前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を塗布ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロック内の基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
    こうして塗布ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードＳ７を実行する工程と、を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。
19. 前記Ａ工程及びモードＳ７を実行する工程を備える代わりに、
    Ｂ．前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値（Ｔ）を求めると共に各値（Ｔ）の中の最大値（ＴＭＡＸ）を求め、
    前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより１周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値（ＴＭＡＸ）とのうちの長い方を現像ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
    こうして現像ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードＳ８を実行する工程と、を備えたことを特徴とする請求項１８記載の塗布、現像方法。
20. 処理部にて、複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台から受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、前記プログラムは、請求項１２ないし１９のいずれか一つに記載の塗布、現像方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。

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