KR101445352B1

KR101445352B1 - 도포 현상 장치, 도포 현상 방법 및 기억매체

Info

Publication number: KR101445352B1
Application number: KR1020090123056A
Authority: KR
Inventors: 토모히로 카네코; 아키라 미야타; 요키타카 하라
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2008-12-22
Filing date: 2009-12-11
Publication date: 2014-09-29
Also published as: KR20100073996A; JP2010147424A; JP4702446B2

Abstract

선발 로트의 기판에 대하여 처리가 종료된 후에 후발 로트의 기판이 가열 모듈로 반송되기 전에 당해 가열 모듈에서 정정 처리가 행해지는 도포 현상 장치에서, 그 정정에 의해 그 가열 모듈의 후단 모듈로의 기판의 반입 간격이 길어지는 것을 방지하는 것이다. 도포 블록 및 현상 블록의 각각에 대하여, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 당해 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값과, 도포 블록 및 현상 블록의 각각의 기판 반송 수단이 반송 스케줄로 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 시간으로부터 각 가열 모듈의 체재 사이클 수 혹은 그 체재 사이클 수 및 사용되는 가열 모듈의 수를 결정한다.

Description

도포 현상 장치, 도포 현상 방법 및 기억매체{COATING AND DEVELOPING APPARATUS, COATING AND DEVELOPING METHOD AND STORAGE MEDIUM}

본 발명은, 예를 들면 반도체 웨이퍼 또는 LCD 기판(액정 디스플레이용 글라스 기판) 등의 기판에 대하여 레지스트액의 도포 처리 및 노광 후의 현상 처리를 행하는 도포 현상 장치, 도포 현상 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.

반도체 제조 공정의 하나인 포토레지스트 공정에서는, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 소정의 패턴으로 노광한 후에 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고 있다. 이러한 처리는, 일반적으로 레지스트의 도포 현상을 행하는 도포 현상 장치에 노광기를 접속한 시스템을 이용하여 행해진다.

도포 현상 장치로는 복수의 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼라고 함)를 포함하는 캐리어가 반입되는 캐리어 블록과, 노광기 사이에서 웨이퍼의 전달을 행하는 인터페이스 블록과, 캐리어 블록과 인터페이스 블록 사이에 설치된 처리 블록에 의해 구성되는 것이 알려져 있다. 이러한 도포 현상 장치는 특허 문헌 1 등에 기재되어 있고, 상기 처리 블록은, 예를 들면 웨이퍼에 레지스트의 도포를 행하는 도포 모 듈(COT)을 포함하는 도포 블록과, 레지스트 도포 후의 웨이퍼로 현상액을 공급하여 현상을 행하는 현상 모듈(DEV)을 포함하는 현상 블록이 적층됨으로써 구성되어 있다. 또한, 도포 블록 및 현상 블록은 각각 도포 처리 및 현상 처리의 전후에서 가열, 온도 조절 처리를 행하는 가열 모듈 및 온도 조절 모듈과, 각 모듈 간에 웨이퍼의 반송을 행하는 반송 암을 포함하고 있다.

스루풋(throughput)의 향상을 도모하기 위하여, 도포 블록 및 현상 블록에서 도포 모듈, 현상 모듈, 가열 모듈 및 온도 조절 모듈 등의 웨이퍼에 처리를 행하는 모듈은 각각 복수 설치되어 있고, 캐리어로부터 차례로 반출된 웨이퍼는 웨이퍼가 반입되지 않고 비어 있는 처리 모듈로 반송된다. 그리고, 각 처리 모듈에서 병행하여 처리가 행해지고, 그 후 처리가 종료된 것부터 차례로 비어 있는 후단의 처리 모듈로 반출된다. 그리고, 그 후단의 처리 모듈에서도 병행하여 웨이퍼의 처리가 행해지고, 처리가 종료된 것부터 차례로 웨이퍼는 더욱 후단의 모듈로 반송된다.

단, 이러한 반송에서 웨이퍼는 캐리어로부터 반출된 순서로 후단의 모듈로 반송되고, 처리되어 캐리어로 반환되도록 제어된다. 이는, 후술하는 바와 같이, 상이한 로트가 반입된 캐리어가 반송되어 선발 로트에 이어 후발 로트를 처리하는 경우에 있어서, 그 경우에 도포 현상 처리 종료 후에 캐리어 내에 로트가 상이한 웨이퍼가 혼재하거나, 또는 후술하는 바와 같이, 각 모듈에서 정정(整定) 처리를 행했을 때에 로트 내에서 처리가 불균일해지는 등의 문제를 방지하기 위해서이다.

도 15는 도포 블록인 COT층(COT 블록)(F2)의 일례를 도시한 평면도이며, 선반 유닛(U5)에는 웨이퍼를 온도 조절하는 전달 모듈(CPL)(21A, 21B), 복수 매의 웨 이퍼를 수납할 수 있는 버퍼 모듈(SBU)(24)이 적층되어 있다. 도포부(20)에는 레지스트를 도포하는 3 대의 도포 모듈(COT)(22A ~ 22C)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U1 ~ U4)에는 웨이퍼(W)를 가열 처리(PAB 처리)하는 가열 모듈(PAB)(23A ~ 23E)이 포함되어 있다. 도면 중, E2는 중첩되도록 2 개의 웨이퍼 보지(保持)부를 구비한 반송 암이며, 상기 모듈 간을 차례로 순환 이동하여 웨이퍼를 CPL → COT → PAB → SBU의 순으로 전달하는 사이클 반송을 행하고, 이에 따라 웨이퍼가 차례로 모듈 간을 이동하게 된다. 버퍼 모듈(SBU)(24)로 반송된 웨이퍼는 도시하지 않은 반송 수단에 의해 당해 버퍼 모듈 SBU(24)로 반송된 순으로 노광기로 반입된다.

이 COT 블록(F2)에서의 반송 제어에 대하여 도 16의 반송 스케줄표를 참조하여 설명한다. 이 반송 스케줄표의 세로축은 반송 암(E2)이 그 반송로를 일주하는 사이클, 가로축은 각 웨이퍼가 반송되는 모듈을 각각 나타내고 있다. 그리고, A1 ~ A10은 동일한 로트의 웨이퍼를 나타내고 있고, 캐리어로부터 반출되는 순으로 빠른 번호가 할당되어 있다. 즉, 이 표는 소정 사이클에서 어느 웨이퍼가 어느 타이밍에 어느 모듈로 반송되는지를 나타내고 있고, 도포 현상 장치에서는 처리 예정인 모든 웨이퍼에 대하여 이러한 반송 스케줄이 처리되기 전에 미리 설정된다.

구체적으로, 일례로서 표 중의 사이클(n ＋ 8)에서의 반송 암(E2)의 동작을 설명한다. 이 사이클(n ＋ 8)에서는, 전달 모듈 CPL(21A 또는 21B)로부터 웨이퍼(A9)가 반송 암(E2)의 하나의 보지부에 의해 취출된 후, 반송 암(E2)은 COT(22C)로 이동하고, 거기서 반송 암(E2)은 다른 보지부에 의해 레지스트 도포 처리가 종료된 웨이퍼(A6)를 수취하는 한편, 상기 하나의 보지부에 의해 당해 COT(22C)로 웨 이퍼(A9)를 전달한다. 그 후, 반송 암(E2)은 PAB(23A)로 이동하고 하나의 보지부에 의해 그 PAB(23A)로부터 가열 처리가 종료된 웨이퍼(A1)를 수취하는 한편, 다른 보지부에 의해 당해 PAB(23A)로 웨이퍼(A6)를 전달한다. 그리고, 반송 암(E2)은 웨이퍼(A1)를 SBU(24)로 반송한다.

그런데, 이 도 16의 반송 스케줄은 COT층(F2)에 설치된 5 대의 PAB(23A ~ 23E)를 모두 사용하기 위하여 웨이퍼(A)를 PAB(23A ~ 23E)로 차례로 반복하여 반송하도록 설정되어 있다. 그리고, 소정 PAB(23A ~ 23E)로 웨이퍼(A)를 반송하고 또한 그 PAB(23A ~ 23E)에서 처리 완료된 웨이퍼(A)를 취출할 수 있도록 각 웨이퍼(A)는 가열 처리에 필요한 사이클 수보다 긴 PAB(23A ~ 23E)의 수와 동일한 5 사이클분이 당해 PAB(23A ~ 23E)에 체류되도록 설정되어 있다.

여기서, 반송 암(E2)이 COT층(F2)을 일주하는 사이클 타임이 20 초, PAB(23A ~ 23E)의 가열 처리 시간이 60 초인 것으로 한다. 이 경우 웨이퍼(A1 ~ A10)의 가열 처리는 3 사이클에서 종료되고, 각 웨이퍼는 처리 종료 후 40 초(2 사이클분) 대기하고 나서 버퍼 모듈 SBU(24)로 반송되게 된다. 표 중에서는 각 PAB(23A ~ 23E)에서 웨이퍼에 처리가 행해지지 않고 당해 웨이퍼가 반입되어 대기하고 있는 사이클에 대하여 다수의 점으로서 나타내고 있다.

즉, 이 표의 반송 스케줄에서는, 예를 들면 n ＋ 6 사이클째에 웨이퍼(A1)를 PAB(23A)로부터 반출할 수도 있다. 그러나, 이 (n ＋ 6) 사이클째에 COT(22A)로부터 반출되는 웨이퍼(A4)를 PAB(23D)로 반입하고 있기 때문에, 웨이퍼(A1)를 반출하여 PAB(23A)에 대하여 웨이퍼를 받아들일 상태로 해둘 필요가 없다. 따라서, 웨이 퍼(A1)는 가열 처리 후에도 PAB(23A)에 체류되어 있었다. 또한, 상기 사이클 타임이 20 초, PAB의 가열 처리 시간이 60 초인 경우에는 5 대의 PAB(23A ~ 23E) 중에서 3 개만을 사용하도록 설정하고, 이들 설정된 3 대의 PAB(23A ~ 23C)로 차례로 웨이퍼(A)를 반입하는 것도 생각할 수 있지만, 기술한 바와 같이, 스루풋을 증가시키기 위해서는 이와 같이 하는 것보다 5 대 모든 PAB(23A ~ 23E)를 이용하는 것이 상책이라고 생각되었다.

그런데, 기술한 바와 같이, 도포 현상 장치에서는 캐리어마다 상이한 로트의 웨이퍼가 수납되고, 이들 캐리어가 계속해서 장치로 반입되어 선발 로트의 웨이퍼군에 이어 후발 로트의 웨이퍼군을 처리하는 경우가 있다. 이 경우에, 각 가열 모듈에서는 선발 로트와 후발 로트를 서로 상이한 온도로 가열하기 위하여, 당해 가열 모듈에 설치된 웨이퍼를 가열하는 열판의 온도 정정(온도 변경)을 행하는 것이 필요시되는 경우가 있다. 이 열판의 온도 정정은 그 가열 모듈에서 처리되는 선발 로트의 마지막 웨이퍼가 반출된 후에 행해지고, 이 열판의 온도 정정 중에는 후발 로트를 당해 가열 모듈로 반송할 수 없다.

각 PAB(23A ~ 23E)의 온도 정정에 필요한 사이클 수(= PAB(23A ~ 23E)의 온도 정정에 필요한 시간 ÷ 반송 암(E2)의 사이클 타임)가 3 이며, 그리고 기술한 바와 같이, 선발 로트(A)인 웨이퍼(A1) ~ 웨이퍼(A10)가 장치로 반입된 후에 후발 로트(B)인 웨이퍼(B)군이 도포 현상 장치로 반입되는 경우에 설정되는 반송 스케줄표를 도 17에 나타내고 있다. 이 스케줄표에서는 가열 모듈마다 열판의 온도 변경이 행해지고 있는 사이클에 대하여 사선으로서 나타내고 있고, 표에 나타낸 바와 같이, 각 PAB(23A ~ 23E)에는 온도 변경이 종료된 다음 사이클로부터 웨이퍼(B)가 반입되도록 설정되어 있다.

그런데 기술한 바와 같이, 각 웨이퍼는 각 PAB(23A ~ 23E)에서 가열 종료 후에 2 사이클분이 불필요하게 체류된다. 이 불필요한 체류로 인해 체류가 없는 경우에 비해 각 PAB(23A ~ 23E)에서 상기 온도 변경이 행해지는 사이클이 늦어지고, 그 결과로서 웨이퍼(B)군이 PAB(23A ~ 23E)로 반입되는 사이클도 늦어진다. 이와 같이, 웨이퍼(B)군의 가열 처리가 늦어짐으로써, 표 중에 그물 패턴으로서 나타낸 바와 같이, SBU(24)에서의 웨이퍼(A)군의 마지막 웨이퍼(A10)의 반입으로부터 웨이퍼(B)군의 선두의 웨이퍼(B1)의 반입까지의 간격이 온도 변경에 필요한 사이클 수만큼 비게 된다. 이와 같이, SBU(24)로 웨이퍼가 반입되는 간격이 비면, 그 간격만큼 노광기로 웨이퍼가 반입되는 간격도 비고, 노광기가 웨이퍼에 처리를 행하지 않는 시간이 길어져, 즉 노광기의 생산성이 저하된다. 따라서 도포 현상 장치의 스루풋이 저하된다.

도포 블록의 가열 모듈(PAB)의 열판의 온도 정정을 행하는 경우에 대하여 설명했지만, 현상 블록의 가열 모듈(PEB)에서도 로트에 따라 열판의 온도를 변경하여 가열 처리(PEB 처리)를 행하는 경우가 있다. 도 18은 현상 블록에서의 로트(A), 로트(B)의 반송 스케줄표의 일례이다. 현상 블록의 반송 암(E1)은 당해 현상 블록의 모듈 간을 차례로 순환 이동하여 웨이퍼를 전달 모듈(TRS)(11A, 11B) → 가열 모듈(PEB)(12A ~ 12E) → 전달 모듈(CPL)(13A, 13B) → 현상 모듈(DEV)(14A ~ 14C) → 전달 모듈(CPL)(15A, 15B)의 순으로 전달하는 사이클 반송을 행하여, 웨이퍼가 차례로 모듈 간을 이동하게 된다. 그리고, CPL(15A 및 15B)로 반송된 웨이퍼는 그 웨이퍼가 반출된 캐리어로 반환된다.

이 예에서, 반송 암(E1)의 사이클 타임은 반송 암(E2)의 사이클 타임과 동일한 20 초이며, PEB(12A ~ 12E)의 온도 정정에 필요한 사이클은 PAB(23A ~ 23E)와 동일한 3 사이클이다. 즉, PAB(23A ~ 23E)와 마찬가지로 웨이퍼는 이 PEB(12A ~ 12E)에서 가열 종료 후에 2 사이클분이 불필요하게 체류되어 있다. 그 결과로서, PEB(12A ~ 12E)에서의 가열 처리 후에 웨이퍼를 온도 조절하는 CPL(15A, 15B)에서 웨이퍼(A9), 웨이퍼(A10)의 반입으로부터 웨이퍼(B1, B2)의 반입까지의 간격이, 표 중에 그물 패턴으로서 나타낸 바와 같이, 온도 정정에 필요한 사이클과 동일한 3 사이클분이 비어져 있다. 따라서, 이 경우에도 도포 현상 장치의 스루풋이 저하된다.

특허 문헌 1: 일본특허공개공보 2006-229183호

본 발명은 이러한 사정 하에 이루어진 것으로, 그 목적은 선발 로트의 기판에 대하여 처리가 종료된 후에 후발 로트의 기판이 가열 모듈로 반송되기 전에 당해 가열 모듈에서 정정(整定) 처리가 행해지는 도포 현상 장치에서, 그 정정에 의해 그 가열 모듈의 후단 모듈로의 기판 반입 간격이 길어지는 것을 방지하여 스루풋을 향상시킬 수 있는 도포 현상 장치, 도포 현상 방법 및 그 방법을 실행하는 프로그램을 포함하는 기억 매체를 제공하는 것에 있다.

복수 매의 기판을 수납한 캐리어가 재치되는 캐리어 재치대와 상기 캐리어 재치대 상의 캐리어와의 사이에서 기판을 전달하는 전달 수단을 포함하는 전달 블록과,

도포액을 도포하는 도포 모듈과, 도포액이 도포된 기판을 가열 처리하는 가열 모듈과, 모듈 간의 기판의 반송을 행하기 위하여 서로 독립하여 진퇴할 수 있는 적어도 2 개의 기판 보지부를 가지는 기판 반송 수단을 포함하고, 상기 도포 모듈 및 가열 모듈은 각각 복수 대 준비되는 도포 블록과,

노광기로 기판을 전달하기 위한 노광기 반입 스테이지와, 노광기로부터 기판을 수취하기 위한 노광기 반출 스테이지와, 상기 스테이지들에 대하여 기판 전달을 행하는 기판 이동 재치 기구와, 노광 후의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈과, 가열 처리된 기판으로 현상액을 공급하는 현상 모듈과, 모듈 간의 기판의 반송을 행 하기 위하여 서로 독립하여 진퇴할 수 있는 적어도 2 개의 기판 보지부를 가지는 기판 반송 수단을 포함하고 또한 상기 현상 모듈 및 가열 모듈은 각각 복수 대 준비되고 상기 도포 블록과는 독립하여 설치된 현상 블록을 구비하고,

기판이 놓여지는 개소인 모듈에 있어서, 도포 블록 및 현상 블록마다 미리 설정된 반송 스케줄에 기초하여 기판 반송 수단이 상류측의 모듈에 놓여져 있는 기판을 하류측의 모듈로 차례로 1 매씩 반송하여 일주함으로써, 앞 순서의 기판이 뒷 순서의 기판보다 하류측의 모듈에 위치하는 상태를 형성하고, 기판 반송 수단이 주회(周回)함으로써 기판이 각 모듈 간을 이동하고,

상기 가열 모듈은, 선발 로트의 기판에 대하여 처리가 종료된 후에, 후발 로트의 기판이 당해 모듈로 반송되기 전에 당해 모듈에서 정정(整定) 처리가 행해지는 도포 현상 장치에 있어서,

A. 상기 도포 블록에서의 모듈군의 각각에 대하여, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 당해 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고 또한 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)를 구하고, 당해 도포 블록의 기판 반송 수단이 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 상기 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 당해 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 당해 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 도포 블록의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하고,

도포 블록에 대하여 사용 가능한 모든 가열 모듈을 이용하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하는 모드(S1)를 실행하는 제어부를 설치한 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제어부는 상기 A에 따라 체재 사이클 수를 결정하여 모드(S1)를 실행하는 대신에,

B. 상기 현상 블록에서의 모듈군의 각각에 대해서, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 당해 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고 또한 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)을 구하고, 당해 현상 블록의 기판 반송 수단이 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 상기 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 당해 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 당해 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 현상 블록의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하고,

현상 블록에 대하여 사용 가능한 모든 가열 모듈을 이용하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하는 모드(S2)를 실행해도 좋다.

본 발명의 도포 현상 장치는, 복수 매의 기판을 수납한 캐리어가 재치되는 캐리어 재치대와 상기 캐리어 재치대 상의 캐리어와의 사이에서 기판을 전달하는 전달 수단을 포함하는 전달 블록과,

도포액을 도포하는 도포 모듈과, 도포액이 도포된 기판을 가열 처리하는 가 열 모듈과, 모듈 간의 기판의 반송을 행하기 위하여 서로 독립하여 진퇴할 수 있는 적어도 2 개의 기판 보지부를 가지는 기판 반송 수단을 포함하고, 상기 도포 모듈 및 가열 모듈은 각각 복수 대 준비되는 도포 블록과,

노광기로 기판을 전달하기 위한 노광기 반입 스테이지와, 노광기로부터 기판을 수취하기 위한 노광기 반출 스테이지와, 상기 스테이지들에 대하여 기판 전달을 행하는 기판 이동 재치 기구와,

노광 후의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈과, 가열 처리된 기판으로 현상액을 공급하는 현상 모듈과, 모듈 간의 기판의 반송을 행하기 위하여 서로 독립하여 진퇴할 수 있는 적어도 2 개의 기판 보지부를 가지는 기판 반송 수단을 포함하고 또한 상기 현상 모듈 및 가열 모듈은 각각 복수 대 준비되고 상기 도포 블록과는 독립하여 설치된 현상 블록을 구비하고,

기판이 놓여지는 개소인 모듈에 있어서, 도포 블록 및 현상 블록마다 미리 설정된 반송 스케줄에 기초하여 기판 반송 수단이 상류측의 모듈에 놓여져 있는 기판을 하류측의 모듈로 차례로 1 매씩 반송하여 일주함으로써, 앞 순서의 기판이 뒷 순서의 기판보다 하류측의 모듈에 위치하는 상태를 형성하고, 기판 반송 수단이 주회함으로써 기판이 각 모듈 간을 이동하고,

상기 가열 모듈은, 선발 로트의 기판에 대하여 처리가 종료된 후에, 후발 로트의 기판이 당해 모듈로 반송되기 전에 당해 모듈에서 정정 처리가 행해지는 도포 현상 장치에 있어서,

A. 노광기를 모듈로서 취급하고,

상기 전달 블록으로부터 노광기에 이를 때까지의 기판 경로에 설치된 모듈군의 각각에 대하여, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 당해 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고 또한 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)을 구하고,

상기 전달 블록으로부터 노광기에 이를 때까지의 기판 경로에 배치된 기판을 반송하기 위한 수단의 각각에 대하여, 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간을 구하고, 상기 구해진 최단 반송 시간 중에서 가장 긴 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 도포 블록에 포함되는 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 당해 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 당해 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 도포 블록 내의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하고,

도포 블록에 대하여 사용 가능한 모든 가열 모듈을 이용하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하는 모드(S3)를 실행하는 제어부를 설치한 것을 특징으로 한다.

상기 제어부는 상기 A에 따라 체재 사이클 수를 결정하여 모드(S3)를 실행하는 대신에,

B. 상기 노광기로부터 상기 전달 블록에 이를 때까지의 기판 경로에 설치된 모듈군의 각각에 대해서, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 당해 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고 또한 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)을 구하고,

상기 노광기로부터 상기 전달 블록에 이를 때까지의 기판 경로에 배치된 기판을 반송하기 위한 수단의 각각에 대하여, 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간을 구하고, 상기 구해진 최단 반송 시간 중에서 가장 긴 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 현상 블록에 포함되는 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 당해 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 당해 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 현상 블록의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하고,

현상 블록에 대하여 사용 가능한 모든 가열 모듈을 이용하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하는 모드(S4)를 실행해도 좋다.

A. 상기 도포 블록에서의 모듈군의 각각에 대하여, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 당해 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고 또한 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)을 구하고, 당해 도포 블록의 기판 반송 수단이 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 상기 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 당해 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 당해 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 도포 블록의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하고,

도포 블록에 대하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하고, 또한 체재 사이클 수에 기초하여 선발 로트의 기판 및 후발 로트의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈의 대수를 결정하는 모드(S5)를 실행하는 제어부를 설치한 것을 특징으로 한다.

상기 제어부는 상기 A에 따라 체재 사이클 수를 결정하여 모드(S5)를 실행하는 대신에,

현상 블록에 대하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하고, 또한 체재 사이클 수에 기초하여 선발 로트의 기판 및 후발 로트의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈의 대수를 결정하는 모드(S6)를 실행하는 것을 특징으로 해도 좋다.

기판이 놓여지는 개소인 모듈에 있어서, 도포 블록 및 현상 블록마다 미리 설정된 반송 스케줄에 기초하여 기판 반송 수단이 상류측의 모듈에 놓여져 있는 기 판을 하류측의 모듈로 차례로 1 매씩 반송하여 일주함으로써, 앞 순서의 기판이 뒷 순서의 기판보다 하류측의 모듈에 위치하는 상태를 형성하고, 기판 반송 수단이 주회함으로써 기판이 각 모듈 간을 이동하고,

A. 노광기를 모듈로서 취급하고,

상기 전달 블록으로부터 노광기에 이를 때까지의 기판 경로에 배치된 기판을 반송하기 위한 수단의 각각에 대하여, 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간을 구하고, 상기 구해진 최단 반송 시간 중에서 가장 긴 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 도포 블록에 포함되는 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 당해 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반반올림한 값을, 당해 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 도포 블록 내의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하고,

도포 블록에 대하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하고, 또한 체재 사이클 수에 기초하여 선발 로트의 기판 및 후발 로트의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈의 대수를 결정하는 모드(S7)를 실행하는 제어부를 설치한 것을 특징으로 한다.

상기 제어부는 상기 A에 따라 체재 사이클 수를 결정하여 모드(S7)를 실행하는 대신에,

현상 블록에 대하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하고, 또한 체재 사 이클 수에 기초하여 선발 로트의 기판 및 후발 로트의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈의 대수를 결정하는 모드(S8)를 실행하는 것을 특징으로 해도 좋다.

상기 도포 현상 장치에는 예를 들면 모드 S1 ~ 모드 S8 중 어느 하나를 선택하여 실행하는 선택 수단이 설치되어 있고 또한, 예를 들면 도포 블록 및 현상 블록은 서로 상하로 적층되고, 전달 수단으로부터 전달된 기판을 도포 블록의 전달대로 반송하기 위한 보조 반송 수단을 구비하고 있다. 또한, 도포 블록으로서, 레지스트막을 형성하기 위한 도포 블록과 레지스트막을 형성하기 전 또는 후에 도포막을 형성하기 위한 도포 블록이 설치되고, 상기 도포 블록들은 서로 상하로 적층되어 있어도 좋다.

본 발명의 도포 현상 방법은, 복수 매의 기판을 수납한 캐리어가 재치되는 캐리어 재치대와 상기 캐리어 재치대 상의 캐리어와의 사이에서 기판을 전달하는 전달 수단을 포함하는 전달 블록과,

노광 후의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈과, 가열 처리된 기판으로 현상액 을 공급하는 현상 모듈과, 모듈 간의 기판의 반송을 행하기 위하여 서로 독립하여 진퇴할 수 있는 적어도 2 개의 기판 보지부를 가지는 기판 반송 수단을 포함하고 또한 상기 현상 모듈 및 가열 모듈은 각각 복수 대 준비되고 상기 도포 블록과는 독립하여 설치된 현상 블록을 구비하고,

상기 가열 모듈은, 선발 로트의 기판에 대하여 처리가 종료된 후에, 후발 로트의 기판이 당해 모듈로 반송되기 전에 당해 모듈에서 정정 처리가 행해지는 도포 현상 장치를 이용한 도포 현상 방법에 있어서,

A. 상기 도포 블록에서의 모듈군의 각각에 대하여, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 당해 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고 또한 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)을 구하고, 당해 도포 블록의 기판 반송 수단이 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 상기 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 당해 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 당해 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 도포 블록의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하는 공정과,

도포 블록에 대하여 사용 가능한 모든 가열 모듈을 이용하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하는 모드(S1)를 실행하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.

상기 A 공정 및 모드(S1)를 실행하는 공정을 구비하는 대신에,

B. 상기 현상 블록에서의 모듈군의 각각에 대하여, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 당해 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고 또한 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)을 구하고, 당해 현상 블록의 기판 반송 수단이 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 상기 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 당해 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 당해 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 현상 블록의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하는 공정과,

현상 블록에 대하여 사용 가능한 모든 가열 모듈을 이용하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하는 모드(S2)를 실행하는 공정을 구비하고 있어도 좋다.

A. 노광기를 모듈로서 취급하고,

상기 전달 블록으로부터 노광기에 이를 때까지의 기판 경로에 설치된 모듈군 의 각각에 대하여, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 당해 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고 또한 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)을 구하고,

상기 전달 블록으로부터 노광기에 이를 때까지의 기판 경로에 배치된 기판을 반송하기 위한 수단의 각각에 대하여, 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간을 구하고, 상기 구해진 최단 반송 시간 중에서 가장 긴 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 도포 블록에 포함되는 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 당해 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 당해 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 도포 블록 내의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하는 공정과,

도포 블록에 대하여 사용 가능한 모든 가열 모듈을 이용하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하는 모드(S3)를 실행하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.

상기 A 공정 및 모드(S3)를 실행하는 공정을 구비하는 대신에,

상기 노광기로부터 상기 전달 블록에 이를 때까지의 기판 경로에 배치된 기 판을 반송하기 위한 수단의 각각에 대하여, 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간을 구하고, 상기 구해진 최단 반송 시간 중에서 가장 긴 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 현상 블록에 포함되는 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 당해 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 당해 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 현상 블록의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하는 공정과,

현상 블록에 대하여 사용 가능한 모든 가열 모듈을 이용하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하는 모드(S4)를 실행하는 공정을 구비하고 있어도 좋다.

A. 상기 도포 블록에서의 모듈군의 각각에 대하여, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 당해 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고 또한 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)을 구하고, 당해 도포 블록의 기판 반송 수단이 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 상기 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 당해 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 당해 가열 모 듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 도포 블록의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하는 공정과,

도포 블록에 대하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하고, 또한 체재 사이클 수에 기초하여 선발 로트의 기판 및 후발 로트의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈의 대수를 결정하는 모드(S5)를 실행하는 공정을 구비하고 있다.

상기 A 공정 및 모드(S5)를 실행하는 공정을 구비하는 대신에,

B. 상기 현상 블록에서의 모듈군의 각각에 대해서, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 당해 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고 또한 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)을 구하고, 당해 현상 블록의 기판 반송 수단이 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 상기 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 당해 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 당해 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 현상 블록의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하는 공정과,

현상 블록에 대하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하고, 또한 체재 사이클 수에 기초하여 선발 로트의 기판 및 후발 로트의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈의 대수를 결정하는 모드(S6)를 실행하는 공정을 구비하고 있어도 좋다.

A. 노광기를 모듈로서 취급하고,

도포 블록에 대하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하고, 또한 체재 사이클 수에 기초하여 선발 로트의 기판 및 후발 로트의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈의 대수를 결정하는 모드(S7)를 실행하는 공정을 구비하고 있다.

상기 A 공정 및 모드(S7)를 실행하는 공정을 구비하는 대신에,

상기 노광기로부터 상기 전달 블록에 이를 때까지의 기판 경로에 배치된 기판을 반송하기 위한 수단의 각각에 대하여, 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간을 구하고, 상기 구해진 최단 반송 시간 중에서 가장 긴 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 현상 블록에 포함되는 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 당해 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 당해 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 현상 블록의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하는 공정과,

현상 블록에 대하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하고, 또한 체재 사이클 수에 기초하여 선발 로트의 기판 및 후발 로트의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈의 대수를 결정하는 모드(S8)를 실행하는 공정을 구비하고 있다.

본 발명의 기억 매체는, 처리부에서 복수 매의 기판을 수납한 캐리어가 재치되는 캐리어 재치대로부터 수취한 기판에 도포막을 형성하고 또한 노광 후의 기판에 대한 현상을 행하는 도포 현상 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체로서, 상기 프로그램은 상술한 도포 현상 방법을 실행하도록 단계군이 조직되어 있는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 선발 로트의 기판에 대하여 처리가 종료된 후에, 후발 로트의 기판이 가열 모듈로 반송되기 전에 그 가열 모듈에서 정정 처리가 행해지는 도포 현상 장치에서, 도포 블록에 설치된 가열 모듈에서의 체재 사이클 수, 혹은 그 체재 사이클 수에 더해 사용되는 가열 모듈의 대수를 제어함으로써, 그 가열 모듈의 후단의 모듈로의 기판 반입 간격이 길어지는 것을 방지할 수 있고, 그 결과로서 기판의 노광기로의 반입 간격을 짧게 할 수 있으므로 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.

또한, 현상 블록에 설치된 가열 모듈에서의 체재 사이클 수, 혹은 그 체재 사이클 수에 더해 사용되는 가열 모듈의 대수를 제어함으로써, 그 가열 모듈의 후단의 모듈로의 반입 간격이 길어지는 것을 방지할 수 있고, 그 결과로서 캐리어로 반환되는 기판의 반입 간격을 짧게 할 수 있으므로 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.

우선, 본 발명에 따른 도포 현상 장치(1)에 노광기(C4)가 접속된 시스템에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 도 1, 도 2는 각각 상기 시스템의 평면도, 사시도이며, 도 3은 도포 현상 장치(1)의 종단 측면도이다. 이 도포 현상 장치(1)에는 캐리어(C)의 전달 블록인 캐리어 블록(C1)이 설치되어 있고, 그 재치대(41) 상에 재치된 밀폐형 캐리어(C)로부터 전달 암(42)이 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(C2)으로 전달하고, 처리 블록(C2)으로부터 전달 수단을 이루는 전달 암(42)이 처리 완료된 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(C)로 반환하도록 구성되어 있다.

상기 처리 블록(C2)은, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 이 예에서는 현상 처리를 행하기 위한 DEV 블록(DEV층)(F1), 레지스트막의 도포를 행하기 위한 COT 블록(COT층)(F2), 레지스트막의 하층에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 BCT 블록(BCT층)(F3)을 아래로부터 차례로 적층하여 구성되어 있다.

COT 블록(F2)은 배경 기술란에서 그 개략 구성을 설명한 바와 같이, 레지스트를 각각 스핀 코팅에 의해 도포하는 레지스트 도포 모듈(COT)(22A ~ 22C)을 포함한 도포부(20)와, 이들 COT(22A ~ 22C)에서 행해지는 처리의 전 처리 및 후 처리를 행하기 위한 가열 처리 모듈군을 구성하는 선반 유닛(U1 ~ U4)과, 상기 도포부(20)와 선반 유닛(U1 ~ U4) 사이에 설치되어, 이들 간에 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송 암(E2)으로 구성되어 있다. 상기 선반 유닛(U1 ~ U4)은 반송 암(E2)이 이동하는 반송 영역(R1)을 따라 배열된다. 이들 선반 유닛(U1 ~ U4)은 PAB 처리를 행하는 가열 모듈(PAB)(22A ~ 22E)을 포함하고, 이들 PAB는 반송 영역(R1)의 상하와 신장 방향을 따라 배치된다. 한편, 이 도포 현상 장치(1)에서 웨이퍼(W)가 놓여지는 개소를 모듈이라고 칭한다.

기판 반송 수단인 반송 암(E2)은 반송 영역(R1)을 따른 이동, 수직축을 중심으로 회전 가능 및 승강 가능한 기부(基部)(60)와, 그 기부에 대하여 각각 독립적으로 진퇴하고 또한 웨이퍼(W)의 이면을 보지하는 포크 형상의 2 매의 기판 보지(保持)부(61, 61)를 구비하고 있다. 이 반송 암(E2) 및 후술할 각 반송 암은 반송로를 주회(周回)하고, 각 모듈 내의 웨이퍼(W)를 차례로 바로 뒷 순서인 모듈로 이 전하여 앞 순서의 웨이퍼가 뒷 순서의 웨이퍼보다 하류측의 모듈에 위치하는 상태를 형성하는 하나의 사이클(반송 사이클)을 실행하고, 당해 사이클이 종료된 후 다음의 사이클로 이행하여 각 사이클을 차례로 실행함으로써, 후술할 경로로 순서대로 웨이퍼가 차례로 반송되어 소정의 처리가 행해지도록 되어 있다.

BCT 블록(F3)은 COT 블록(F2)과 평면에서 볼 때 동일한 레이아웃으로 구성되어 있고, COT(22A ~ 22C)에 대응되는 반사 방지막을 형성하기 위한 약액 도포 모듈(32A ~ 32C)과, 가열 모듈(PAB)(23A ~ 23E)에 대응되는 가열 모듈(HP)(33A ~ 33E)과, 반송 암(E2)에 대응되는 반송 암(E3)을 구비하고 있다.

한편, DEV 블록(F1)도 평면에서 볼 때 COT 블록(F2) 및 BCT 블록(F3)과 동일한 레이아웃으로 구성되어 있다. 하나의 DEV 블록(F1) 내에 상기 도포 모듈에 대응되는 현상 모듈(DEV)(14A ~ 14F)이 2 단으로 적층되어 있다. 또한, 가열 모듈(PAB)(23A ~ 23E)에 대응되는 노광 후 현상 전에 가열 처리(PEB 처리)를 행하는 가열 모듈(PEB)(12A ~ 12E)이 설치되어 있다. 그리고 DEV 블록(F1)에는 이들 2 단의 현상 모듈(DEV)(14A ~ 14F)과 상기 반송 암(E2)에 대응되는 반송 암(E1)이 설치되어 있다. 즉, 2 단의 현상 모듈에 대하여 반송 암(E1)이 공통화되어 있는 구성으로 되어 있다. 단, 이 실시예에서 후술할 각 모드에서는 DEV(14A ~ 14C)가 3 대만 사용된다.

또한, 처리 블록(C2)에는, 도 1 및 도 3에 도시한 바와 같이, 각 층의 반송 암(E1 ~ E3)이 액세스 가능한 위치에 선반 유닛(U5)이 설치되어 있다. 이 선반 유닛(U5)은 각 블록(F1 ~ F3)의 반송 암(E1 ~ E3) 간에 웨이퍼(W)의 전달을 행하도 록, 전달 모듈(TRS)과, 온도 조절 기능을 구비한 전달 모듈(CPL)과, 복수 매의 웨이퍼를 일시 체류시킬 수 있는 버퍼 모듈(SBU)을 구비하고 있다. 선반 유닛(U5)의 근방에는 승강 가능한 층간 반송 수단을 이루는 층간 반송 암(D1)이 설치되어, 선반 유닛(U5)에 설치된 모듈에 액세스할 수 있다. 또한, 전달 암(42)도 COT 블록(F2) 및 DEV 블록(F1)에 대응되는 높이 위치에 설치된 스테이지에 액세스할 수 있다.

또한, 처리 블록(C2)에는 반송 영역(R1)의 인터페이스 블록(C3)과 인접하는 영역에서, 도 3에 도시한 바와 같이, 반송 암(A1) 및 후술할 셔틀(45)이 액세스 가능한 위치에 선반 유닛(U6)이 설치되어 있다. 상기 선반 유닛(U6)은 선반 유닛(U5)과 마찬가지로, 전달 모듈(TRS) 및 CPL을 구비하고 있다. 도시의 편의상, 도 3에서는 선반 유닛(U5, U6)에 설치되는 동종의 모듈을 하나의 모듈로서 도시하고 있지만, 실제로 이들 모듈은 상하로 적층되어 설치되어 있다.

DEV 블록(F1) 내의 상부에는, 선반 유닛(U5)에 설치된 버퍼 모듈(SBU)(44)로부터 인터페이스 블록(C3)으로 웨이퍼(W)를 직접 반송하기 위한 전용 반송 수단인 셔틀(45)이 설치되어 있다. 또한, 인터페이스 블록(C3)에는 선반 유닛(U6)의 각 모듈과 노광기(C4) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 기판 이동 재치 기구인 인터페이스 암(46)이 설치되어 있다. 노광기(C4)는 노광 전의 웨이퍼(W)를 반입하는 반입용 스테이지(47) 및 노광 후의 웨이퍼(W)를 반출하는 반출용 스테이지(48)를 구비하고 있고, 이들 스테이지(47, 48)에 인터페이스 암(46)이 액세스한다.

이 도포 현상 장치(1)에서의 웨이퍼의 반송 경로에 대하여 도 4, 도 5를 참 조하여 설명한다. 도 4a, 4b에는 반송 경로의 개략을 화살표로 나타내고 있다. 또한, 도 5는 웨이퍼(W)가 반송되는 모듈을 좌측에서부터 우측으로 배열하여 나타낸 표이며, 이 표에서 각 모듈의 하측에는 그 모듈로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 암의 부호를 나타내고 있다. 웨이퍼(W)가 수납된 캐리어(C)가 재치부(41)에 재치되고, 캐리어(C)로부터 반출된 웨이퍼(W)는 전달 암(42)에 의해 선반 유닛(U5)의 전달 모듈(TRS)(43A 또는 43B)로 반송되고, 이어서 층간 반송 암(D1)에 의해 전달 모듈(CPL)(31A 또는 31B)로 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 반송 암(E3)에 의해 약액 도포 모듈(BCT)(32A ~ 32C) 중 어느 하나로 반송되어 거기서 약액 도포 처리되고, 그 후 가열 모듈(HP)(33A ~ 33E) 중 어느 하나로 반송되어 가열 처리되어 반사 방지막이 형성된다.

반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는 반송 암(E3) → 버퍼 모듈(SBU)(34) →층간 반송 암(D1) → 전달 모듈(CPL)(21A 또는 21B)의 순으로 반송되고, 그 후 반송 암(E2)에 의해 레지스트 도포 모듈(COT)(22A ~ 22C) 중 어느 하나로 반송된다. 이 COT(22A ~ 22C)에서 웨이퍼(W)는 레지스트 도포 처리되고, 가열 모듈(PAB)(23A ~ 23E) 중 어느 하나로 반송되어 가열 처리되어 레지스트막이 형성된다. 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 반송 암(E2)에 의해 선반 유닛(U5)의 버퍼 모듈(SBU)(24)로 반송된다.

버퍼 모듈(SBU)(24)로부터 웨이퍼(W)는 층간 반송 암(D1) → 버퍼 모듈 SBU(44) → 셔틀(45) → 인터페이스 암(46)의 순으로 반송되고, 인터페이스 암(46)에 의해 노광기(C4)로 반입된다.

노광기(C4)에서 노광 처리가 종료된 웨이퍼(W)는 인터페이스 암(46)에 의해 선반 유닛(U6)의 전달 모듈(TRS)(11A 또는 11B)에 재치되고, 반송 암(E1)에 의해 DEV 블록(F1)의 가열 모듈(PEB)(12A ~ 12E) 중 어느 하나로 반송되어 가열 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 반송 암(E1)에 의해 선반 유닛(U6)의 전달 모듈(CPL)(13A 또는 13B) → 현상 모듈(DEV)(14A ~ 14C) 중 어느 하나로 반송되어 현상 처리된 후, 반송 암(E1)에 의해 선반 유닛(U5)의 전달 모듈(CPL)(15A) 또는 CPL(15B)로 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 전달 암(42)에 의해 캐리어(C)로 반환된다.

상기한 반송 경로는 웨이퍼(W)에 처리를 행하기 위하여 반송 스케줄로서 미리 설정되어 있고, 후술하는 오퍼레이터에 의해 선택되는 모드에 의해 이 반송 스케줄에 따라, 몇 번째의 웨이퍼(W)를 어느 타이밍에 어느 번호의 모듈로 반송할지가 결정된다. 도 4a에 도시한 바와 같이, 캐리어(C)로부터 노광기(C4)까지의 반송 경로를 COT 플로우, 도 4b에 도시한 바와 같이, 노광기(C4)로부터 캐리어(C)까지의 반송 경로를 DEV 플로우라고 각각 칭한다. 또한, CPL(21A, 21B)로부터 버퍼 모듈 SBU(24)까지의 일련의 모듈은 COT 블록(F2)에 설치되어 있고, 이들 모듈 간에서의 반송이 COT 블록(F2)에서의 반송이다. 전달 모듈(TRS)(11A 또는 11B)로부터 전달 모듈 CPL(15A, 15B)까지의 일련의 모듈은 DEV 블록(F1)에 설치되어 있고, 이들 모듈 간에서의 반송이 DEV 블록(F1)에서의 반송이다.

도포 현상 장치(1)는, 예를 들면 컴퓨터로 이루어지는 제어부(5)를 구비하고 있고, 이 제어부(5)는 프로그램, 메모리, CPU 등을 포함하고 있다. 도 6은 이 제어부(5)의 구성을 도시한 것이다. 50은 버스이며, 이 버스(50)에 프로그램 저장 부(51), 연산부(52), 반송 스케줄 작성부(53) 및 기억부(54)가 접속되어 있다. 연산부(52)는 프로그램 저장부(51)로부터 선택된 프로그램의 모드에 따라 후술할 각 연산을 행하는 역할을 한다. 반송 스케줄 작성부(53)는 연산부(52)에 의해 연산된 결과에 기초하여 반송 스케줄을 작성하고, 이 반송 스케줄에 기초하여 각 모듈의 동작 및 웨이퍼를 반송하는 각 반송 수단의 동작이 제어된다.

기억부(54)에는, 각 모듈에서의 웨이퍼(W)의 처리에 필요한 프로세스 시간인 MUT와 후술할 AST를 산출하기 위하여 이용되는 암의 모듈 간에서의 이동 시간 및 각 모듈에서 암이 웨이퍼를 모듈로 반입출하기 위하여 필요한 시간이 기억되어 있다. 이 이동 시간 및 반입출에 필요한 시간은, 예를 들면 웨이퍼(W)가 연속하여 처리하는 매수 등 처리를 행하는 조건마다 기억되어 있고, 장치의 오퍼레이터가 처리를 행하기 전에 이러한 처리 조건을 입력 수단(55)으로부터 입력받고, 이 입력된 조건에 따라 기억부(54)로부터 독출된다. 또한, 기억부(54)에는 PAB(23A ~ 23E) 및 PEB(12A ~ 12E)의 열판의 온도 정정(整定)에 필요한 시간이 기억되어 있다.

프로그램 저장부(51)는 반송 스케줄을 결정하기 위한 4 개의 모드를 각각 실행하기 위한 프로그램(51A ~ 51D)을 저장하고 있고, 예를 들면 버스(50)에 접속된 키보드 등의 입력 수단(선택 수단)(55)으로부터 도포 현상 장치(1)의 오퍼레이터가 입력한 정보에 기초하여 프로그램(51A ~ 51D) 중 어느 하나가 선택되고 모드(M1) ~ 모드(M4) 중 어느 하나가 실행된다. 각 프로그램에는 후술하는 바와 같이 반송 스케줄을 설정하고, 제어부(5)로부터 도포 현상 장치(1)의 각 부로 제어 신호를 송신하여 기술한 도포 현상 처리를 진행시키도록 명령(각 단계)을 포함하고 있다. 이들 프로그램(51A ~ 51D)은 컴퓨터 기억 매체, 예를 들면 플렉서블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광 자기 디스크) 등에 저장되어 제어부(5)에 인스톨된다.

그런데, 이하의 설명에서, 일련의 도포 현상 공정에서의 웨이퍼(W)에 대하여 소정 단계에서 처리를 행하기 위하여 준비되어 있는 동종 모듈의 대수를 지정 멀티수라고 칭한다. 즉, 예를 들면 상기한 도포 현상 장치(1)에서 PAB는 23A ~ 23E의 5 대가 설치되어 있으므로 그 지정 멀티수를 5로 한다. 또한, 기술한 바와 같이 웨이퍼(W)가 연속하여 반입되는 경우에 웨이퍼(W)가 반입되고 나서 다음 웨이퍼(W)가 반입될 때까지의 시간인 모듈 사용 시간, 즉 1 매의 웨이퍼(W)에 처리를 행하기 위하여 필요한 프로세스 시간을 MUT라고 칭하고, 당해 MUT를 그 모듈의 지정 멀티수로 나눈 시간을 MUTC(모듈 사이클 사용 시간)라고 칭한다. 또한, 이 MUTC를 산출함에 있어서는 노광기(C4)에 대해서도 하나의 모듈로 간주하고, 그 노광기(C4)의 MUT는 웨이퍼(W)가 상기 반입용 스테이지(47)에 재치되고 나서 그 웨이퍼(W)가 상기 반출용 스테이지(48)로 반출될 때까지의 시간으로 한다.

그리고, 기술한 바와 같이 각 반송을 행하는 암은 웨이퍼(W)를 상류측의 모듈로부터 하류측의 모듈로 반송하기 위하여 각 반송로를 주회하고 있고, 각 암이 이와 같이 모듈군에 대하여 상류측으로부터 하류측으로 웨이퍼(W)를 전달하기 위하여 그 반송로를 일주할 때의 최단 반송 시간을 AST(암 서비스 시간)라고 칭한다. 즉, AST는 이 반송로에서 소정의 암이 웨이퍼(W)를 보지하는 보지부를 신장하지 않은 상태(대기 상태)에서부터 반송로를 일주하여 모듈로 이동하여 웨이퍼의 전달을 종료할 때까지의 최단 시간이다. 이 AST는 후술하는 바와 같이, 소정의 암이 액세 스하는 각 모듈에 대한 서비스 시간을 합계함으로써 산출되고, 이 각 모듈에 대한 서비스 시간은 당해 모듈에 대한 전단(前段)의 모듈로부터의 이동 시간과 그 당해 모듈에서 웨이퍼(W)의 반입출을 행하는 시간의 합계 시간이다. 각 암은, 예를 들면 모듈에서의 웨이퍼(W)의 처리 종료를 기다리기 위하여 정지하는 경우가 있고, 이러한 경우에 사이클 타임은 AST보다 길어진다.

또한, 하나의 캐리어로부터 반출된 복수의 동종 웨이퍼(W)의 집합을 로트(A)라고 하고, 그 로트(A)의 웨이퍼(W)를 웨이퍼(A)로 한다. 그리고, 다른 캐리어로부터 반출된 로트(A)의 후속 로트를 로트(B)라고 하고, 그 로트(B)의 웨이퍼(W)를 웨이퍼(B)라고 한다. 그리고, 제어부(5)는 각 로트(A), 로트(B)의 웨이퍼에 대하여 각각 캐리어로부터 반출되는 순으로 번호를 할당하는 것으로 한다. 이 예에서는 로트(A)는 10 매의 웨이퍼(A), 로트(B)는 5 매의 웨이퍼(B)로 구성되어 있다.

여기서, 이 도포 현상 장치(1)에 의해 실행되는 각 모드에 대하여 그 개략을 설명한다. 모드(M1)에서는 COT 블록(F2), DEV 블록(F1)에서 각각 AST와 각 모듈의 MUTC가 구해지고, 이들 AST 및 MUTC에 기초하여 PAB 및 PEB에서의 웨이퍼(A) 및 웨이퍼(B)의 체재 사이클 수가 결정된다. 로트(A) 및 로트(B)를 처리하는 PAB 모듈 및 PEB 모듈의 수는 지정 멀티수인 5로 고정되어 있다.

모드(M2)에서는, COT 플로우, DEV 플로우에서 각각 AST와 각 모듈의 MUTC가 구해지고, 이들 AST 및 MUTC에 기초하여 PAB 및 PEB에서의 웨이퍼(A) 및 웨이퍼(B)의 체재 사이클 수가 결정된다. 그리고, 모드(M1)와 마찬가지로 로트(A) 및 로트(B)를 처리하는 PAB 모듈 및 PEB 모듈의 수는 지정 멀티수인 5로 고정되어 있다.

모드(M3)에서는, 모드(M1)와 마찬가지로 COT 블록(F2), DEV 블록(F1)에서 AST와 각 모듈의 MUTC가 구해지고, 이들 AST 및 MUTC에 기초하여 PAB 및 PEB에서의 웨이퍼(A) 및 웨이퍼(B)의 체재 사이클 수가 결정되는 것 외에, 웨이퍼(A) 및 웨이퍼(B)의 가열 처리에 사용되는 PAB 및 PEB의 수는 5로 고정되지 않고, AST 및 MUTC에 기초하여 결정된다.

모드(M4)에서는, 모드(M2)와 마찬가지로 COT 플로우, DEV 플로우에서 AST와 각 모듈의 MUTC가 구해지고, 이들 AST 및 MUTC에 기초하여 PAB 및 PEB에서의 웨이퍼(A) 및 웨이퍼(B)의 체재 사이클 수가 결정되는 것 외에, 모드(M3)와 마찬가지로 웨이퍼(A) 및 웨이퍼(B)의 가열 처리에 사용되는 PAB 및 PEB의 수는 5로 고정되지 않고 AST 및 MUTC에 기초하여 결정된다.

이어서, 이 도포 현상 장치(1)에서 오퍼레이터가 각 모드를 선택했을 때에 웨이퍼(W)가 반송되는 모듈이 결정되는 프로세스에 대하여 모드(M1)부터 차례로 설명한다. 이 예에서는 제어부(5)의 기억부(54)에서 CPL(31A, 31B), BCT(32A ~ 32C), HP(33A ~ 33E), SBU(34), CPL(21A, 21B), COT(22A ~ 22C), PAB(23A ~ 23E), SBU(24), SBU(44), 셔틀(45), 노광기(C4)의 MUT가 각각 30 초, 63 초, 75 초, 0 초, 30 초, 66 초, 60 초, 0 초, 0 초, 15 초, 22 초로서 기억되고 있는 것으로 한다. 또한, 이 도포 현상 장치(1)에서는 PAB 및 PEB의 온도 정정에 필요한 시간은, 예를 들면 60 초로 설정되어 있는 것으로 한다.

(모드(M1))

COT 블록(F2)의 모듈 및 그 MUT를 도시한 도 7의 표와, 모드(M1)가 선택되었 을 때에 반송 스케줄이 설정되는 공정을 나타낸 도 8의 순서도를 참조하여 설명한다. 오퍼레이터가 입력 수단으로부터 모드(M1)를 선택하면(단계(S1)), 제어부(5)는 지정 멀티수와, 기억부(54)에 기억되어 있는 COT 블록(F2)에서의 각 모듈의 MUT로부터 다음 식(1)을 실행하여, 각 모듈에 대하여 MUTC(T)를 산출한다(단계(S2)).

MUTC = MUT ÷ 지정 멀티수…(1)

따라서, 전달 모듈(CPL)(21A, 21B)의 MUTC = 30 초 ÷ 2 = 15 초, 도포 모듈(COT)(22)의 MUTC = 66 초 ÷ 3 = 22 초, 가열 모듈(PAB)(23A ~ 23E)의 MUTC = 60 초 ÷ 5 = 12 초, 버퍼 모듈(SBU)(24)의 MUTC = 0 초 ÷ 1 = 0 초로서 연산된다.

이어서, 제어부(5)는 산출된 MUTC로부터 최대인 것을 최대 MUTC로서 결정한다(단계(S3)). 따라서, 제어부(5)는 도포 모듈(COT)(22)의 22 초를 최대 MUTC(TMAX)로서 결정한다.

이어서 제어부(5)는, 온도 정정을 행하는 가열 모듈(PAB)(23A ~ 23E)로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 암(E2)에 대한 AST를 산출한다(단계(S4)). 이 AST를 산출하는 공정에 대하여 구체적으로 설명한다. 우선, SBU(24) → CPL(21A, 21B)의 암(E2)의 이동 시간과 CPL(21A, 21B)로부터 웨이퍼(W)를 반출하는 시간이 합계되어 CPL(21A, 21B)에 대한 서비스 시간으로서 결정되고, 이어서 CPL(21A, 21B) → COT(22A ~ 22C)의 암(E2)의 이동 시간과 COT(22A ~ 22C)에서 웨이퍼(W)를 교체하는 시간이 합계되어 COT(22A ~ 22C)에 대한 서비스 시간으로서 결정된다. 그리고, COT(22A ~ 22C) → PAB(23A ~ 23E)에의 암(E2)의 이동 시간과 PAB(23A ~ 23E)에서 웨이퍼(W)를 교체하는 시간이 합계되어 PAB(23A ~ 23E)에 대한 서비스 시간으로서 결정되고, 또한 PAB(23A ~ 23E) → SBU(24)의 암(E2)의 이동 시간과 SBU(24)로 웨이퍼(W)를 반입하는 시간이 연산되어 SBU(24)의 서비스 시간으로서 결정된다.

이와 같이 반송 암(E2)이 액세스하는 각 모듈에 대한 서비스 시간이 연산되면, 이들이 합계되어 그 합계치가 반송 암(E2)의 AST로서 결정된다. 구체적으로 SBU(24) → CPL(21A, 21B), CPL(21A, 21B) → COT(22A ~ 22C), COT(22A ~ 22C) → PAB(23A ~ 23E), PAB(23A ~ 23E) → SBU(24)에서의 암(E2)의 각 이동 시간이 각각 1.0 초이며, CPL(21A, 21B)로부터의 상기 반출 시간, COT(22A ~ 22C)에서의 교체 시간, PAB(23A ~ 23E)에서의 교체 시간, SBU(24)으로의 반입 시간이 각각 1.5 초, 2.5 초, 2.5 초, 1.5 초라고 하면, CPL(21A, 21B)에 대한 서비스 시간은 1.0 ＋ 1.5 = 2.5 초, COT(22A ~ 22C)에 대한 서비스 시간은 1.0 ＋ 2.5 = 3.5 초, PAB(23A ~ 23E)에 대한 서비스 시간은 1.0 ＋ 2.5 = 3.5 초, SBU(24)에 대한 서비스 시간은 1.0 ＋ 1.5 = 2.5 초로서 결정된다. 그리고, 제어부(5)는 이들 각 모듈에 대한 서비스 시간을 합계하여 그 합계치를 AST로서 결정한다. 상기와 같이 각 반입출 시간 및 이동 시간이 설정되어 있으면, 그 AST는 2.5 ＋ 3.5 ＋ 3.5 ＋ 2.5 = 12 초가 된다.

이어서, 제어부(5)는 이 AST와 최대 MUTC를 비교하여 시간이 긴 쪽을 PAB(23A ~ 23E)의 사이클 타임, 즉 PAB(23A ~ 23E)에 액세스하는 반송 암(E2)의 사이클 타임으로서 결정한다(단계(S5)). 이 경우는 최대 MUTC가 22 초로서 AST의 12 초보다 길기 때문에, 제어부(5)는 이 22 초를 PAB의 사이클 타임으로서 결정한다.

이어서, 제어부(5)는 하기의 식(2)을 실행한다. 이 식(2)의 연산 결과에 소수점 이하의 단수(端數)가 생기는 경우에는 그 단수를 반올림하여 PAB(23A ~ 23E)에서의 웨이퍼 체재 사이클을 정수(整數)로 산출한다(단계(S6)).

가열 모듈(PAB)에서의 웨이퍼 체재 사이클 수

= 가열 모듈(PAB)의 웨이퍼의 처리 시간

÷ 가열 모듈(PAB)의 사이클 타임…(2)

여기서, PAB(23A ~ 23E)의 처리 시간은 60 초, PAB(23A ~ 23E)의 사이클 타임은 22 초이기 때문에, PAB(23A ~ 23E)에서의 웨이퍼 체재 사이클 수는 60 초 ÷ 22 초 = 2.7…≒ 3 사이클이 된다.

이어서, 제어부(5)는 COT 블록(F2)과 마찬가지로 DEV 블록(F1)의 각 모듈의 MUTC를 산출하여 그 MUTC가 가장 큰 것을 최대 MUTC로서 결정하고, 이어서 단계(S4)과 동일한 계산으로 PEB(12A ~ 12E)에 액세스하는 반송 암(E1)의 AST를 결정한다. 그 후, 상기 최대 MUTC와 상기 AST를 비교하여 큰 쪽을 PEB(12A ~ 12E)의 사이클 타임, 즉 반송 암(E1)의 사이클 타임으로서 결정한다. 이어서, 제어부(5)는 하기의 식(3)을 실행한다. 이 식(3)의 연산 결과에 단수가 생기는 경우는 그 단수를 반올림하여 PEB(12A ~ 12E)에서의 웨이퍼 체재 사이클 수를 정수로 산출한다(단계(S7)).

가열 모듈(PEB)에서의 웨이퍼 체재 사이클 수

= 가열 모듈(PEB)의 웨이퍼의 처리 시간

÷ 가열 모듈(PEB)의 사이클 타임…(3)

이 예에서는 PEB에서의 체재 사이클 수는 3으로서 연산된 것으로 한다.

또한, 제어부(5)는 하기의 식(4)을 실행하여 PAB(23A ~ 23E), PEB(12A ~ 12E)의 온도 정정에 필요한 사이클 수를 각각 결정한다. 연산 결과에 단수가 생기는 경우에는 그 단수를 반올림하여 정정에 필요한 사이클 수를 정수로 산출한다.

PAB, PEB에서의 각각의 온도 정정에 필요한 사이클 수

= PAB, PEB의 각각의 온도 정정에 필요한 시간

÷ PAB, PEB의 각각의 사이클 타임…(4)

그리고, 제어부(5)의 반송 스케줄 작성부(53)는 이 연산된 PAB(23A ~ 23E) 및 PEB(12A ~ 12E)에서의 웨이퍼 체재 사이클 수와, PAB(23A ~ 23E) 및 PEB(12A ~ 12E)에서의 온도 변경에 필요한 사이클 수와, 반송 암(E2 및 E1)의 사이클 타임에 기초하여 반송 스케줄을 설정한다(단계(S8)).

도 9, 도 10은 상기와 같이 제어부(5)에 의해 PAB(23A ~ 23E), PEB(12A ~ 12E)에서의 웨이퍼 체재 사이클 수가 각각 3, 또한 PAB(23A ~ 23E), PEB(12A ~ 12E)에서의 온도 정정에 필요한 사이클 수가 각각 3인 경우에 설정되는 COT 블록(F2), DEV 블록(F1) 각각의 반송 스케줄표를 나타내고 있고, 배경 기술란의 스케줄표와 마찬가지로 표의 세로축은 실행되는 사이클의 번호, 가로축은 모듈을 각각 나타내고 있다. 표 중의 사선은 각 PAB(23A ~ 23E) 및 PEB(12A ~ 12E)에서 열판의 온도 정정이 행해지는 사이클을 나타내고 있다.

이하에, 도 9의 표에서 COT로의 웨이퍼(A)의 반송이 개시되는 사이클 및 각 PAB에서의 온도 정정이 개시되고 나서 후발 웨이퍼(B)가 각 PAB(23A ~ 23E)로 반송 되는 사이클을 중심으로 설명한다. 이 표에서, 1 사이클의 시간은 단계(S5)에서 결정된 바와 같이 22 초이다.

［사이클(n ~ n ＋ 2)］

반송 암(E2)에 의해 웨이퍼(A1, A2, A3)가 CPL(21A) 또는 CPL(21B)로부터 COT(22A, 22B, 22C)로 차례로 반송된다.

[사이클(n ＋ 3)]

반송 암(E2)이 웨이퍼(A4)를 CPL(21A)로부터 수취하고, 그 후 COT(22A)로부터 웨이퍼(A1)를 수취한 후 COT(22A)로 웨이퍼(A4)를 전달한다. 그리고, 반송 암(E2)은 웨이퍼(A1)를 PAB(23A)로 전달한다.

［사이클(n ＋ 4, n ＋ 5)］

사이클(n ＋ 3)과 마찬가지로, 각 사이클에서 반송 암(E2)이 웨이퍼(A5, A6)를 CPL(21A 또는 21B)로부터 수취하고, 그 후 COT(22B, 22C)로부터 웨이퍼(A2, A3)를 수취한 후 COT(22B, 22C)로 웨이퍼(A5, A6)를 전달한다. 그리고, 반송 암(E2)은 웨이퍼(A2, A3)를 PAB(23B, 23C)로 전달한다.

［사이클(n ＋ 6)］

반송 암(E2)이 웨이퍼(A7)를 CPL(21A)로부터 수취하고, 그 후 COT(22A)로부터 웨이퍼(A4)를 수취한 후 COT(22A)로 웨이퍼(A7)를 전달한다. 그리고, 반송 암(E2)은 PAB(23A)로부터 가열 처리 완료된 웨이퍼(A1)를 수취한 후 웨이퍼(A4)를 PAB(23D) 전달하고, 그 후 웨이퍼(A1)를 SBU(24)로 전달한다.

［사이클(n ＋ 7)］

반송 암(E2)이 웨이퍼(A8)를 CPL(21A)로부터 수취하고, 그 후 COT(22B)로부터 웨이퍼(A5)를 수취한 후 COT(22B)로 웨이퍼(A8)를 전달한다. 그리고, 반송 암(E2)은 PAB(23B)로부터 가열 처리 완료된 웨이퍼(A2)를 수취한 후 웨이퍼(A5)를 PAB(23E)로 전달하고, 그 후 웨이퍼(A2)를 SBU(24)로 전달한다.

사이클(n ＋ 8 ~ n ＋ 10)에서는 사이클(n ＋ 6, n ＋ 7)과 대략 마찬가지로, CPL(21A, 21B), COT(22A ~ 22C), PAB(23A ~ 23E), SBU(24) 간에 반송이 행해지므로 상세한 설명을 생략한다.

［사이클(n ＋ 11)］

반송 암(E2)이 웨이퍼(B1)를 CPL(21A)로부터 수취하고, COT(22B)로 그 웨이퍼(B1)를 전달한 후 COT(22C)로부터 웨이퍼(A9)를 수취한다. 그 후, 반송 암(E2)은 PAB(23A)로부터 가열 처리 완료된 웨이퍼(A6)를 수취하고, 웨이퍼(A6)가 반출된 PAB(23A)에서는 로트(B)의 처리 온도에 대한 정정이 개시된다. 그 후 반송 암(E2)은 웨이퍼(A9)를 PAB(23D)로 전달한 후, 웨이퍼(A6)를 SBU(24)로 전달한다.

［사이클(n ＋ 12)］

반송 암(E2)이 웨이퍼(B2)를 CPL(21A 또는 21B)로부터 수취하고, 이어서 COT(22A)로부터 웨이퍼(A10)를 수취한 후 웨이퍼(B2)를 COT(22C)로 전달한다. 그 후 반송 암(E2)은 PAB(23B)로부터 가열 처리 완료된 웨이퍼(A7)를 수취하고, 웨이퍼(A7)가 반출된 PAB(23B)에서는 열판의 온도 정정이 개시된다. 그 후 반송 암(E2)은 웨이퍼(A10)를 PAB(23E)로 전달한 후, 웨이퍼(A7)를 SBU(24)로 전달한다.

［사이클(n ＋ 13)］

반송 암(E2)이 웨이퍼(B3)를 CPL(21A)로부터 수취하여 COT(22A)로 전달한다. 그 후, 반송 암(E2)은 PAB(23C)로부터 가열 처리 완료된 웨이퍼(A8)를 수취하고, 웨이퍼(A8)가 반출된 PAB(23C)에서는 온도 정정이 개시된다. 그 후 반송 암(E2)은 웨이퍼(A8)를 SBU(24)로 전달한다. 또한, PAB(23A)에서의 온도 정정이 종료된다.

［사이클(n ＋ 14)］

반송 암(E2)이 웨이퍼(B4)를 CPL(21A)로부터 수취하고, 이어서 COT(22B)로부터 웨이퍼(B1)를 수취한 후 COT(22B)로 웨이퍼(B4)를 전달한다. 그 후 반송 암(E2)은 PAB(23A)로 웨이퍼(B1)를 전달하고, 이어서 PAB(23D)로부터 가열 처리 완료된 웨이퍼(A9)를 수취하고, 웨이퍼(A9)가 반출된 PAB(23D)에서는 열판의 온도 정정이 개시된다. 그 후 반송 암(E2)은 웨이퍼(A9)를 SBU(24)로 전달한다. 또한, PAB(23B)에서의 온도 정정이 종료된다.

［사이클(n ＋ 15)］

반송 암(E2)이 웨이퍼(B5)를 CPL(21A)로부터 수취하고, 이어서 COT(22C)로부터 웨이퍼(B2)를 수취한 후 웨이퍼(B5)를 COT(22C)로 전달한다. 그 후 반송 암(E2)은 PAB(23B)로 웨이퍼(B2)를 전달하고, 이어서 PAB(23E)로부터 가열 처리 완료된 웨이퍼(A10)를 수취하고, 웨이퍼(A10)가 반출된 PAB(23E)에서는 열판의 온도 정정이 개시된다. 그 후 반송 암(E2)은 웨이퍼(A10)를 SBU(24)로 전달한다. 또한, PAB(23C)에서의 온도 정정이 종료된다.

［사이클(n ＋ 16)］

반송 암(E2)이 COT(22A)로부터 웨이퍼(B3)를 수취하고 PAB(23C)로 전달한다. 또한, PAB(23D)에서의 온도 정정이 종료된다.

［사이클(n ＋ 17)］

반송 암(E2)이 COT(22B)로부터 웨이퍼(B4)를 수취하고, 이어서 PAB(23A)로부터 가열 처리된 웨이퍼(B1)를 수취한다. 그 후 반송 암(E2)이 PAB(23D)로 웨이퍼(B4)를 반송한 후, 웨이퍼(B1)를 SBU(24)로 반송한다. 또한, PAB(23E)에서의 온도 정정이 종료된다.

(n ＋ 18) 이후의 사이클에서는 이 사이클(n ＋ 17)과 마찬가지로, 웨이퍼의 반송이 행해지므로 상세한 설명을 생략한다.

이어서 DEV 블록(F1)에서의 반송에 대하여 도 10의 스케줄표를 참조하여 설명한다. 이 DEV 블록(F1)에서는 COT 블록(F2)과 마찬가지로, 반송 스케줄표에 따라 모듈 간에서의 웨이퍼(W)의 반송 및 모듈에서의 웨이퍼(W)의 교체가 행해지므로, 여기서는 PEB(12A ~ 12E)에서 온도 정정이 행해지기 전후의 사이클을 중심으로 웨이퍼의 반송 순서를 설명한다. 표 중의 1 사이클의 시간은 단계(S7)에서 결정된 반송 암(E1)의 사이클 타임이며, 예를 들면 반송 암(E2)의 사이클 타임과 동일한 22 초이다.

［사이클(m ＋ 8)］

반송 암(E1)이 웨이퍼(A9)를 TRS(11A 또는 11B)로부터 수취하고, 그 후 PEB(12A)로부터 가열 처리 완료된 웨이퍼(A6)를 수취하고, 웨이퍼(A6)가 반출된 PEB(12A)에서는 온도 정정이 개시된다. 반송 암(E1)은 CPL(13B)로부터 웨이퍼(A4)를 수취하고 웨이퍼(A6)를 CPL(13B)로 전달한다. 그리고, DEV(14A)로부터 웨이 퍼(A1)를 수취하고 웨이퍼(A4)를 당해 DEV(14A)로 전달한다. 그 후 반송 암(E1)은 웨이퍼(A1)를 CPL(15A)로 전달한다.

사이클(m ＋ 9)은 사이클(m ＋ 8)과 마찬가지로 진행되어 PEB(12B)로부터 웨이퍼(A7)가 취출된 후 PEB(12B)에서 온도 정정이 개시된다.

［사이클(m ＋ 10)］

반송 암(E1)이 PEB(12C)로부터 가열 처리 완료된 웨이퍼(A8)를 수취하고, 웨이퍼(A8)가 반출된 PEB(12C)에서는 온도 정정이 개시된다. 반송 암(E1)은 CPL(13B)로부터 웨이퍼(A6)를 수취하고 웨이퍼(A8)를 CPL(13B)로 전달한다. 그리고, DEV(14C)로부터 웨이퍼(A3)를 수취하고 웨이퍼(A6)를 당해 DEV(14C)로 전달한다. 그 후 반송 암(E1)은 웨이퍼(A3)를 CPL(15A)로 전달한다. 또한, PEB(12A)에서 온도 정정이 종료된다.

［사이클(m ＋ 11)］

반송 암(E1)이 웨이퍼(B1)를 TRS(11A)로부터 수취하여 PEB(12A)로 전달하고, 그 후 PEB(12D)로부터 웨이퍼(A9)를 취출하면 PEB(12D)에서 온도 정정이 개시된다. 반송 암(E1)은 CPL(13A)로부터 웨이퍼(A7)를 수취하고 웨이퍼(A9)를 CPL(13A)로 전달한다. 그리고, DEV(14A)로부터 웨이퍼(A4)를 수취하고 웨이퍼(A7)를 당해 DEV(14A)로 전달한다. 그 후, 반송 암(E1)은 웨이퍼(A4)를 CPL(15B)로 전달한다. 또한, PEB(12B)에서 온도 정정이 종료된다.

이후의 사이클의 PEB에서의 온도 정정과 PEB에서의 웨이퍼의 전달에 대하여 간단하게 설명하면, 사이클(m ＋ 12)에서는 웨이퍼(B2)가 PEB(12B)로 반입되고, PEB(12E)로부터 웨이퍼(A10)가 반출되어, 당해 PEB(12E)에서 온도 정정이 개시되고 또한 PEB(12C)에서 온도 정정이 종료된다. 사이클(m ＋ 13)에서는 웨이퍼(B3)가 PEB(12C)로 반입되고 또한 PEB(12D)에서 온도 정정이 종료된다. 사이클(m ＋ 14)에서는 웨이퍼(B4)가 PEB(12D)로 반입되고 또한 PEB(12E)에서 온도 정정이 종료된다. 사이클(m ＋ 15)에서는 웨이퍼(B5)가 PEB(12E)로 반입된다.

상기와 같이, 웨이퍼(A) 및 웨이퍼(B)는 제어부(5)에 의해 할당된 순서로 도포 현상 장치(1)로 반입되고, COT 블록(F2)에서 PAB(23A, 23B, 23C, 23D, 23E)로 이 순으로 반복하여 반송된다. 그리고, 각 웨이퍼는 결정된 체재 사이클 수만큼 각 PAB(23A ~ 23E)에 체재하고, 그 후 SBU(24)로 반송되고, SBU(24)로 반송된 웨이퍼는 차례로 노광기(C4)를 향하여 반송된다. 또한, DEV 블록(F1)에서 웨이퍼(A) 및 웨이퍼(B)는 상기 순으로 PEB(12A, 12B, 12C, 12D, 12E)로 이 차례로 반복하여 반송된다. 여기서도 각 웨이퍼는 결정된 체재 사이클 수만큼 각 PEB(12A ~ 12E)에 체재하고, 후단의 각 모듈로 차례로 반송된다.

그리고, 소정 PAB(23A ~ 23E) 또는 PEB(12A ~ 12E)에서 처리된 웨이퍼(A)가 로트(A) 중에서 그 PAB(23A ~ 23E) 또는 PEB(12A ~ 12E)에서 처리되는 마지막 웨이퍼(A)가 아닌 경우에는, 그 PAB(23A ~ 23E) 또는 PEB(12A ~ 12E)로 다음의 웨이퍼(A)가 반입될 때까지 5 - 결정된 체재 사이클 수의 사이클 분의 간격이 빈다. 그리고, 소정 PAB(23A ~ 23E) 또는 PEB(12A ~ 12E)에서 처리된 웨이퍼(A)가 로트(A) 중에서 그 PAB(23A ~ 23E) 또는 PEB(12A ~ 12E)에서 처리되는 마지막 웨이퍼(A)인 경우에는, 그 웨이퍼(A)의 반출 후에 온도 정정이 행해지고 그 온도 정정에 필요한 사이클이 경과하여 온도 정정 종료된 사이클의 다음의 사이클에서 로트(B)의 웨이퍼(B)가 반입된다. 이러한 규칙을 가지고 도 9 및 도 10에 나타낸 반송 스케줄이 설정되어 있다.

그런데, 배경 기술 란에서 나타낸 도 17 및 도 18의 반송 스케줄과 비교하면, 이 모드(M1)의 실행에 따라 설정된 도 9 및 도 10의 반송 스케줄의 PAB(23A ~ 23E) 및 PEB(12A ~ 12E)에서의 온도 정정은, 당해 온도 정정에 필요한 3 사이클 중 2 사이클은 웨이퍼가 반출되고 나서 다음의 웨이퍼가 반입될 때까지의 간격을 이용하여 행하고 있는 것으로 볼 수 있다. 그리고 이와 같이 온도 정정을 행함으로써, PAB(23A ~ 23E) 및 PEB(12A ~ 12E)에서 로트(A)의 처리 후에 로트(B)의 처리 개시까지 필요한 사이클 수가 단축된다. 그 결과로서 도 9, 도 10의 표 중에 그물 패턴으로서 나타낸 바와 같이, SBU(24)에서는 (n ＋ 16) 사이클에서만, CPL(15A, 15B)에서는 (m ＋ 18, m ＋ 19) 사이클에서만 로트의 교체 시에 각각 웨이퍼가 반입되지 않는 사이클이 설정되어 있다.

(모드(M2))

이어서 모드(M2)가 선택되었을 때의 반송 스케줄이 설정되는 공정에 대하여, COT 플로우의 각 모듈과 그 각 모듈의 MUT를 나타낸 표인 도 11 및 상기 설정 공정을 나타낸 순서도인 도 12를 참조하여 모드(M1)와의 차이점을 중심으로 설명한다. 단, 설명의 편의상 COT(22A ~ 22C)의 MUT는 모드(M1)의 설명과는 달리, 63 초로서 기억부(54)에 기억되어 있는 것으로 한다.

오퍼레이터가 입력 수단(55)으로부터 모드(M2)를 선택하면(단계(T1)), 모 드(M1)와 마찬가지로 제어부(5)가 식(1)으로부터 각 모듈에 대하여 MUTC를 산출한다. 단, 모드(M1)와 달리 도 11에 나타낸 바와 같이, COT 플로우 중의 각 모듈에 대하여 이 MUTC의 계산이 행해진다(단계(T2)).

이어서, 제어부(5)는 산출한 MUTC로부터 최대의 것을 최대 MUTC로서 결정한다(단계(T3)). 도 11에 나타낸 바와 같이 이 경우, 노광기(C4)의 MUTC인 22 초(노광기(C4)의 MUT : 22 초 ÷ 노광기의 지정 멀티수 : 1)가 가장 긴 MUTC이므로 이를 최대 MUTC로서 결정한다.

그 후, 제어부(5)는 COT 플로우에서 이용되는 모든 암의 AST를 연산하여 그 중에서 가장 긴 AST를 최대 AST로서 결정한다. 구체적으로 웨이퍼(W)를 캐리어(C)로부터 노광기(C4)로 반송하기까지 사용되는 암은 전달 암(42), 층간 반송 암(D1), 반송 암(E2, E3), 인터페이스 암(46)이므로, 제어부(5)는 이들 암의 AST에 대하여 가장 긴 것을 최대 AST로서 결정한다(단계(T4)). 예를 들면, 모드(M1)와 동일한 계산 결과, 전달 암(42), 층간 반송 암(D1), 반송 암(E2, E3), 인터페이스 암(46)의 AST가 각각 10 초, 12 초, 16 초, 14 초, 10 초였다고 하면, 제어부(5)는 반송 암(A3)의 AST인 16 초를 최대 AST로서 결정한다.

그 후, 제어부(5)는 상기 최대 MUTC와 상기 최대 AST를 비교하여 큰 쪽을 PAB(23A ~ 23E)의 사이클 타임으로서 결정한다(단계(T5)). 이 경우에는 최대 MUTC가 크기 때문에, 이 최대 MUTC인 22 초를 PAB(23A ~ 23E)의 사이클 타임으로서 결정한다.

그리고, 모드(M1)와 마찬가지로 상기의 식(2)에 따라 PAB(23A ~ 23E)에서의 웨이퍼 체재 사이클 수를 연산한다(단계(T6)). 모드(M1)와 마찬가지로 식 (2)의 연산 결과에 단수가 생기는 경우에는 그 단수를 반올림하여 웨이퍼 체재 사이클 수를 정수로 산출한다. 이 경우에는, PAB(23A ~ 23E)의 MUT 60 초 ÷ 최대 MUTC 22 초 ≒ 3 사이클을 PAB(23A ~ 23E)에서의 웨이퍼 체재 사이클 수로서 결정한다.

이어서, 제어부(5)는 COT 플로우와 마찬가지로 DEV 플로우의 각 모듈의 MUTC를 산출하여 그 MUTC가 가장 큰 것을 최대 MUTC로서 결정하고, 이어서 DEV 플로우에서의 각 암의 AST를 결정한다. 구체적으로, DEV 플로우에서 이용되는 암은 도 5에 나타낸 바와 같이, 인터페이스 암(46), 반송 암(E1), 층간 반송 암(D1) 및 전달 암(42)이기 때문에, 이들에 대하여 AST가 결정된다. 그리고 제어부(5)는 이들 AST로부터 가장 긴 것을 최대 AST로서 결정한다.

그 후, DEV 플로우의 최대 MUTC와 DEV 플로우의 최대 AST를 비교하여 큰 쪽을 PEB(12A ~ 12E)의 사이클 타임으로서 결정한다. 이어서, 모드(M1)와 마찬가지로 제어부(5)는 상기의 식 (3)을 실행하고, PEB(12A ~ 12E)에서의 체재 사이클 수를 결정한다(단계(T7)). 그리고, 제어부(5)는 식 (4)을 실행하여 PAB(23A ~ 23E), PEB(12A ~ 12E)에서의 온도 변경에 필요한 사이클 수를 산출하고, 모드(M1)와 마찬가지로 연산된 PAB(23A ~ 23E) 및 PEB(12A ~ 12E)에서의 웨이퍼 체재 사이클 수와 PAB(23A ~ 23E) 및 PEB(12A ~ 12E)에서 온도 변경에 필요한 사이클 수와 반송 암(E2 및 E1)의 사이클 타임에 기초하여 반송 스케줄을 설정한다(단계(T8)). PAB 및 PEB의 체재 사이클 수가 3, PAB 및 PEB의 온도 정정에 필요한 사이클 수가 3인 경우, 모드(M1) 실행 시와 동일한 도 9 및 도 10에 나타난 반송 스케줄이 설정된 다.

(모드(M3))

이어서 모드(M3)가 선택되었을 때의 반송 스케줄이 설정되는 공정에 대하여 모드(M1)가 선택되었을 때와의 차이점을 중심으로 설명한다. 오퍼레이터에 의해 모드(M3)가 선택되면, 제어부(5)는 상기의 단계(S2 ~ S7)를 실행하여 PAB 및 PEB에서의 웨이퍼 체재 사이클 수를 결정한다.

그리고, 모드(M1)와 마찬가지로 연산된 PAB(23A ~ 23E) 및 PEB(12A ~ 12E)에서의 웨이퍼 체재 사이클 수와 PAB(23A ~ 23E) 및 PEB(12A ~ 12E)에서 온도 변경에 필요한 사이클 시간과 반송 암(E2 및 E1)의 사이클 타임에 기초하여 반송 스케줄이 결정된다. 단, 모드(M1)와 달리, 이 PAB(23A ~ 23E)의 웨이퍼 체재 사이클 수와 동일한 수만큼의 PAB(23A ~ 23E)가 하나의 로트를 처리하도록 설정된다. 즉, 결정된 PAB(23A ~ 23E)에서의 체재 사이클 수가 a라고 하면, PAB(23A ~ 23E) 중 a 개가 로트(A)를 가열 처리하기 위하여 사용된다. 또한, 로트(A)를 처리하기 위하여 사용되지 않은 (5-a) 개의 PAB(23A ~ 23E)는, 로트(A)가 가열 처리되기 위하여 PAB(23A ~ 23E)로 반입되기 전에 미리 로트(B)를 가열하는 온도로 정정된다. 그리고, 그 로트(A)를 처리하기 위하여 사용되지 않은 (5-a) 개의 PAB(23A ~ 23E)와, 로트(A)를 처리하기 위하여 이용된 PAB(23A ~ 23E) 중 로트(A)의 처리가 빨리 종료된 것부터 차례로［a-(5-a)］개의 PAB(23A ~ 23E)가 로트(B)를 처리하기 위하여 사용된다. 즉, 로트(B)에 대해서도 a 개의 PAB(23A ~ 23E)가 가열 처리에 이용된다. 또한, PEB(12A ~ 12E)에 대해서도 이 PAB(23A ~ 23E)와 마찬가지로 연산된 PEB(12A ~ 12E)의 웨이퍼 체재 사이클 수와 동일한 수만큼의 PEB(12A ~ 12E)가 하나의 로트를 처리하도록 설정된다.

도 13, 도 14는 연산된 PAB(23A ~ 23E) 및 PEB(12A ~ 12E)에서의 웨이퍼 체재 사이클 수, PAB(23A ~ 23E) 및 PEB에서의 웨이퍼의 온도 변경에 필요한 사이클 수, 반송 암(E2, E1)의 사이클 타임이 각각 상기의 모드(M1)의 실행예와 마찬가지로 3, 3, 22 초인 경우에 대하여, 설정된 COT 블록(F2), DEV 블록(F1)에서의 반송 스케줄표를 나타내고 있다. 이하 표 중의 각 사이클에 대하여 모드(M1) 실행시와의 차이점을 중심으로 간단하게 설명한다. 또한, 표 중의 사선은 도 9, 도 10과 마찬가지로 온도 정정이 행해지고 있는 사이클을 나타낸다.

［사이클(n ~ n ＋ 2)］

사이클(n)에서 PAB(23D, 23E)에 있어서 로트(B)의 가열 온도로 정정이 개시되고, 사이클(n ＋ 2)에서 온도 정정이 종료된다.

［사이클(n ＋ 3 ~ n ＋ 5)］

웨이퍼(A1, A2, A3)가 차례로 PAB(23A, 23B, 23C)로 반입되고 가열 처리된다.

［사이클(n ＋ 6 ~ n ＋ 8］］

가열 처리가 종료된 웨이퍼(A1, A2, A3)가 차례로 SBU(24)로 반입되고 웨이퍼(A4, A5, A6)가 차례로 PAB(23A, 23B, 23C)로 반입된다.

［사이클(n ＋ 9 ~ n ＋ 11)］

가열 처리가 종료된 웨이퍼(A4, A5, A6)가 차례로 SBU(24)로 반입되고 웨이 퍼(A7, A8, A9)가 차례로 PAB(23A, 23B, 23C)로 반입된다.

［사이클(n ＋ 12)］

웨이퍼(A10)가 PAB(23A)로 반입되어 가열 처리된다. 또한, 가열 처리가 종료된 웨이퍼(A7)가 SBU(24)로 반입된다.

［사이클(n ＋ 13)］

가열 처리가 종료된 웨이퍼(A8)가 PAB(23B)로부터 취출되고 PAB(23B)에서 온도 정정이 개시되고 웨이퍼(A8)는 SBU(24)로 반입된다.

［사이클(n ＋ 14)］

가열 처리가 종료된 웨이퍼(A9)가 PAB(23C)로부터 취출된 후, PAB(23D)로 웨이퍼(B1)가 반입된다. 그리고 웨이퍼(A9)는 SBU(24)로 반입된다.

［사이클 n ＋ 15］

가열 처리가 종료된 웨이퍼(A10)가 PAB(23A)로부터 취출된 후, PAB(23E)로 웨이퍼(B2)가 반입된다. 그리고 웨이퍼(A10)는 SBU(24)로 반입된다. 또한, PAB(23B)의 온도 정정이 종료된다.

［사이클(n ＋ 16 ~ n ＋ 18)］

웨이퍼(B3, B4, B5)가 차례로 PAB(23B, 23D, 23E)로 반입되어 가열 처리된다. 또한, 가열 처리가 종료된 웨이퍼(B1, B2)가 차례로 SBU(24)로 반입된다. 사이클(n ＋ 18) 이후의 사이클에 대해서는 사이클(n ＋ 18)과 대략 동일한 반송이므로 설명을 생략한다.

또한, 도 14의 DEV 블록(F1)에서의 반송 스케줄에 대하여, 도 10의 모드(M1, M2)가 선택된 경우에서의 반송 스케줄과의 차이점을 중심으로 간단하게 설명하면, 사이클(m ~ m ＋ 2)에서 PEB(12A ~ 12C)로 웨이퍼(A1 ~ A3)가 각각 반입되는 동안에 PEB(12D, 12E)에서 로트(B)를 처리하기 위한 온도로 정정이 행해진다. 사이클(m ＋ 2) 이후에도 PEB(12A ~ 12C)에는 이 순서로 반복하여 웨이퍼(A)가 반송된다. 그리고 사이클(m ＋ 10)에서 가장 빨리 로트(A)를 처리 완료하는 PEB(12B)에서 웨이퍼(A8)가 반출되면, 그 웨이퍼(A8) 반출 후에 온도 정정이 개시된다.

그리고, PEB(12B)에서의 온도 정정이 행해지고 있는 사이클(m ＋ 11, m ＋ 12)에서는 PEB(12D, 12E)로 웨이퍼(B1, B2)가 반송되어 가열 처리가 행해진다. 또한, 사이클(m ＋ 12)에서는 PEB(12B)의 온도 정정이 종료된다. 그리고, 사이클(m ＋ 13)에서 그 PEB(12B)로 웨이퍼(B3)가 반입된다.

PEB(12A ~ 12E)에서 가열된 각 웨이퍼는 차례로 후단 모듈로 반송되고 사이클(m ＋18)에서는 웨이퍼(A9)가 CPL(15A)로부터 반출된다. 이어서, 사이클(m ＋ 19)에서 웨이퍼(B1)가 CPL(15A)로 반입되고 또한 웨이퍼(A10)가 CPL(15B)로부터 반출되고 사이클(m ＋ 20)에서 웨이퍼(B2)가 CPL(15B)로 반입된다.

(모드(M4))

이어서, 모드(M4)가 선택되었을 때의 반송 스케줄이 설정되는 공정에 대하여 모드(M3)가 선택되었을 때와의 차이점을 중심으로 설명한다. 오퍼레이터에 의해 모드(M4)가 선택되면, 제어부(5)는 상기의 단계(T2 ~ T7)를 실행하여 PAB 및 PEB에서의 웨이퍼 체재 사이클 수를 결정한다. 즉, 모드(M3)와 달리 각 플로우의 모듈의 MUT 및 AST에 기초하여 웨이퍼 체재 사이클 수가 결정되고, 이후는 모드(M3)와 동 일하게 이 웨이퍼 체재 사이클 등에 기초하여 반송 스케줄이 결정된다. 그리고, 이 반송 스케줄은 모드(M3)와 마찬가지로, 결정된 PAB(23A ~ 23E), PEB(12A ~ 12E)에서의 웨이퍼 체재 사이클 수와 동일한 수의 PAB, PEB가 각각 하나의 로트의 처리에 사용되도록 설정된다. 즉, PAB의 체재 사이클 수 및 PEB의 체재 사이클 수가 3, 온도 정정에 필요한 사이클 수가 3인 경우에는, 모드(M3)의 반송 스케줄과 동일하게 도 13, 도 14에 나타낸 바와 같이 반송 스케줄이 설정된다.

상기의 실시예에 따르면, 모드(M1 ~ M4) 중 어느 하나를 선택한 경우에도 각 반송 스케줄표로부터 명백한 바와 같이, 배경 기술란에 나타낸 종래의 반송 수법에 비해 PAB(23A ~ 23E)의 후단에 설치된 SBU(24)로의 로트 간의 웨이퍼(W)의 반입 간격 및 PEB(12A ~ 12E)의 후단에 설치된 CPL(15A, 15B)로의 로트 간의 웨이퍼(W)의 반입 간격이 길어지는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 노광기(C4)로 반입되는 웨이퍼(W)의 반입 간격 및 캐리어(C)로의 웨이퍼(W)의 반입 간격이 길어지는 것이 억제된다. 그 결과로서 스루풋이 향상된다.

그런데, 모드(M2) 및 모드(M4)와 모드(M1) 및 모드(M3)와의 차이로서는, 모드(M2, M4)에서는 모드(M1, M3)에서 사용한 COT 블록(B2) 및 DEV 블록(B1)의 모듈의 MUTC와 반송 암(E1, E2)의 AST에 추가로, BCT 블록(B3)의 각 모듈 및 노광기(C4)의 MUTC와 BCT 블록(B3)의 반송 암(E3), 층간 반송 암(D1) 및 전달 암(42, 46)의 AST가 계산되고, 그 계산 결과에 기초하여 PAB 및 PEB의 웨이퍼의 체재 사이클 수가 결정되어 있다. 따라서 모드(M1, M3)에 비해 모드(M2, M4)는, COT 블록(F2), DEV 블록(F1) 이외의 각 경로, 즉 캐리어(C)로부터 BCT 블록(B3) 간에서의 사이와, BCT 블록(B3) 내와, BCT 블록(B3)과 COT 블록(B2)의 사이와, COT 블록(B2)으로부터 노광기(C4)까지의 사이와, 노광기(C4)로부터 DEV 블록(B1)까지의 사이와, DEV 블록(B1)으로부터 캐리어(C)까지의 사이에서의 각 반송 경로 중에서의 웨이퍼(W)의 체류를 억제할 수 있다고 하는 이점이 있다.

상기한 도포 현상 장치(1)에서는 레지스트막의 하층에 반사 방지막을 형성하기 위한 BCT 블록(B2)이 설치되어 있는 예를 나타냈지만, 노광 처리를 행하기 전의 웨이퍼에 대하여 그 레지스트막의 상층에 반사 방지막 또는 레지스트막을 보호하는 보호막 등의 상층막을 형성하는 블록을 설치해도 좋다. 이 경우에 대해서도, COT 플로우에서의 웨이퍼의 반송 사이클 수의 결정은 그 상층막을 형성하는 상층막 형성 블록도 포함하여 상기한 예와 마찬가지로, 캐리어(C)로부터 노광기(C4)에 이르는 각 모듈의 MUTC를 산출하고 또한 웨이퍼의 반송에 이용되는 반송 암의 AST를 산출함으로써 행해지고, 그 이후는 기술한 예와 마찬가지로 행해진다.

또한, 상기한 실시예의 각 예에서는 PEB, PAB에서의 웨이퍼 체재 사이클이 각각 3이고, 또한 PAB 및 PEB의 온도 정정에 필요한 사이클 수가 3이지만, 온도 정정에 필요한 사이클이 2 사이클 이내인 경우에는 웨이퍼(B)를 각 모듈로 반송하는 사이클을 1 사이클씩 앞당기도록 반송 스케줄이 설정된다. 즉, COT 블록(F2)에서는 웨이퍼(B1, B2…)가 사이클(n ＋ 10, n ＋ 11…)에서 COT(22A ~ 22C)로 각각 반송되고, 사이클(n ＋ 13, n ＋ 14…)에서 PAB(23A ~ 23E)로 각각 반송되고, 사이클(n ＋ 16, n ＋ 17…)에서 SBU(24)로 반입된다. 그리고 DEV 블록(F1)에서는 웨이퍼(B1, B2…)가 사이클(m ＋ 10, m ＋ 11…)에서 PEB(12A ~ 12E)로 각각 반송되고, 사이클(m ＋ 13, m ＋ 14…)에서 CPL(13A, 13B)로 각각 반송되고, 사이클(m ＋ 15, m ＋ 16…)에서 DEV(14A ~ 14C)로 각각 반송되고, 사이클(m ＋ 18, m ＋ 19…)에서 CPL(15A, 15B)로 반입된다.

또한, 온도 정정에 필요한 사이클 수가 3 이상인 경우에는, 그 온도 정정에 필요한 사이클 분만큼 PAB, PEB에서 로트(A, B) 간에서의 웨이퍼의 반입 간격이 비므로, 그 온도 정정에 필요한 사이클 수 - 2 사이클분, 이들 SBU(24), CPL(15A, 15B)로의 반입 간격이 로트(A, B) 간에 비도록 스케줄이 설정된다. 즉 온도 정정에 필요한 사이클 수가 4인 경우, 상기한 예에서 COT 블록(F2)에서는 웨이퍼(B1, B2…)가 사이클(n ＋ 12, n ＋ 13…)에서 COT(22A ~ 22C)로 각각 반송되고, 사이클(n ＋ 15, n ＋ 16…)에서 PAB(23A ~ 23E)로 각각 반송되고, 사이클(n ＋ 18, n ＋ 19…)에서 SBU(24)로 반입된다.

또한, 상기 실시예에서는 각 모드에서 PAB 및 PEB에서의 체재 사이클 수를 양방 모두 결정하도록 되어 있지만, PAB 혹은 PEB에서의 체재 사이클 수 중 어느 일방만을 상기한 순서에 따라 결정하고, 그 체재 사이클 수에 따라 COT 블록 혹은 DEV 블록의 반송 스케줄을 설정할 수 있는 각 모드를 실행하는 프로그램을 준비하여 그들 모드에 대해 입력 수단(55)으로부터 선택할 수 있도록 되어 있어도 좋다. 또한, 상기한 모드(M1, M2, M3, M4)는 특허 청구 범위에서 말하는 모드(S1 및 S2, S3 및 S4, S5 및 S6, S7 및 S8)에 상당한다. 또한 본 발명은, 반도체 웨이퍼뿐만 아니라 액정 디스플레이용의 글라스 기판(LCD 기판)이라고 하는 기판을 처리하는 도포 현상 장치에도 적용할 수 있다.

도 1은 본 발명의 도포 현상 장치의 평면도이다.

도 2는 상기 도포 현상 장치의 사시도이다.

도 3은 상기 도포 현상 장치의 종단 평면도이다.

도 4a 내지 4b는 상기 도포 현상 장치의 웨이퍼의 반송 경로의 설명도이다.

도 5는 상기 반송 경로에서의 모듈과 각 모듈로 웨이퍼를 전달하는 암을 나타낸 표이다.

도 6은 도포 현상 장치의 제어부의 구성도이다.

도 7은 COT 블록의 각 모듈과 그 MUT와 계산된 MUTC를 나타낸 표이다.

도 8은 반송 스케줄이 결정되는 프로세스를 나타낸 순서도이다.

도 9는 COT 블록의 상기 반송 스케줄을 나타낸 표이다.

도 10은 DEV 블록의 상기 반송 스케줄을 나타낸 표이다.

도 11은 COT 플로우의 각 모듈과 그 MUT와 계산된 MUTC를 나타낸 표이다.

도 12는 반송 스케줄이 결정되는 프로세스를 나타낸 순서도이다.

도 13은 COT 블록의 상기 반송 스케줄을 나타낸 표이다.

도 14는 DEV 블록의 상기 반송 스케줄을 나타낸 표이다.

도 15는 종래의 도포 현상 장치의 처리 블록의 평면도이다.

도 16은 종래의 도포 현상 장치의 1 로트의 COT 블록의 반송 스케줄을 나타낸 표이다.

도 17은 종래의 도포 현상 장치의 2 로트의 COT 블록의 반송 스케줄을 나타 낸 표이다.

도 18은 종래의 도포 현상 장치의 DEV 블록의 반송 스케줄을 나타낸 표이다.

부호의 설명

W, A, B : 웨이퍼

C : 캐리어

CPL : 전달 모듈

COT : 도포 모듈

C1 : 캐리어 블록

C2 : 처리 블록

C3 : 인터페이스 블록

C4 : 노광기

CPL : 전달 모듈

DEV : 현상 모듈

E1 ~ E3 : 반송 암

PAB, PEB : 가열 모듈

SBU : 버퍼 모듈

TRS : 전달 모듈

1 : 도포 현상 장치

42 : 전달 암

46 : 인터페이스 암

5 : 제어부

55 : 입력 수단

Claims

복수 매의 기판을 수납한 캐리어가 재치되는 캐리어 재치대와 상기 캐리어 재치대 상의 캐리어와의 사이에서 기판을 전달하는 전달 수단을 포함하는 전달 블록과,

도포액을 도포하는 도포 모듈과, 도포액이 도포된 기판을 가열 처리하는 가열 모듈과, 모듈 간의 기판의 반송을 행하기 위하여 서로 독립하여 진퇴할 수 있는 적어도 2 개의 기판 보지(保持)부를 가지는 기판 반송 수단을 포함하고, 상기 도포 모듈 및 가열 모듈은 각각 복수 대 준비되는 도포 블록과,

노광기로 기판을 전달하기 위한 노광기 반입 스테이지와, 노광기로부터 기판을 수취하기 위한 노광기 반출 스테이지와, 상기 스테이지들에 대하여 기판 전달을 행하는 기판 이동 재치 기구와,

노광 후의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈과, 가열 처리된 기판으로 현상액을 공급하는 현상 모듈과, 모듈 간의 기판의 반송을 행하기 위하여 서로 독립하여 진퇴할 수 있는 적어도 2 개의 기판 보지부를 가지는 기판 반송 수단을 포함하고, 상기 현상 모듈 및 가열 모듈은 각각 복수 대 준비되며, 상기 도포 블록과는 독립하여 설치된 현상 블록을 구비하고,

기판이 놓여지는 개소인 모듈에 있어서, 도포 블록 및 현상 블록마다 미리 설정된 반송 스케줄에 기초하여 기판 반송 수단이 상류측의 모듈에 놓여져 있는 기판을 하류측의 모듈로 차례로 1 매씩 반송하여 일주(一周)함으로써, 앞 순서의 기 판이 뒷 순서의 기판보다 하류측의 모듈에 위치하는 상태를 형성하고, 기판 반송 수단이 주회(周回)함으로써 기판이 각 모듈 간을 이동하고,

상기 가열 모듈은, 선발 로트의 기판에 대하여 처리가 종료된 후에, 후발 로트의 기판이 상기 모듈로 반송되기 전에 상기 모듈에서 정정(整定) 처리가 행해지는 도포 현상 장치에 있어서,

A. 상기 도포 블록에서의 모듈군의 각각에 대하여, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고, 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)을 구하고, 상기 도포 블록의 기판 반송 수단이 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주(一周)할 때의 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 상기 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 상기 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 상기 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 도포 블록의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하고,

도포 블록에 대하여 사용 가능한 모든 가열 모듈을 이용하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하는 모드(S1)를 실행하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 도포 현상 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 제어부는 상기 A에 따라 체재 사이클 수를 결정하여 모드(S1)를 실행하 는 대신에,

B. 상기 현상 블록에서의 모듈군의 각각에 대해서, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고, 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)을 구하고, 상기 현상 블록의 기판 반송 수단이 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 상기 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 상기 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 상기 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 현상 블록의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하고,

현상 블록에 대하여 사용 가능한 모든 가열 모듈을 이용하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하는 모드(S2)를 실행하는 것을 특징으로 하는 도포 현상 장치.
복수 매의 기판을 수납한 캐리어가 재치되는 캐리어 재치대와 상기 캐리어 재치대 상의 캐리어와의 사이에서 기판을 전달하는 전달 수단을 포함하는 전달 블록과,

도포액을 도포하는 도포 모듈과, 도포액이 도포된 기판을 가열 처리하는 가열 모듈과, 모듈 간의 기판의 반송을 행하기 위하여 서로 독립하여 진퇴할 수 있는 적어도 2 개의 기판 보지부를 가지는 기판 반송 수단을 포함하고, 상기 도포 모듈 및 가열 모듈은 각각 복수 대 준비되는 도포 블록과,

노광기로 기판을 전달하기 위한 노광기 반입 스테이지와, 노광기로부터 기판을 수취하기 위한 노광기 반출 스테이지와, 상기 스테이지들에 대하여 기판 전달을 행하는 기판 이동 재치 기구와,

노광 후의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈과, 가열 처리된 기판으로 현상액을 공급하는 현상 모듈과, 모듈 간의 기판의 반송을 행하기 위하여 서로 독립하여 진퇴할 수 있는 적어도 2 개의 기판 보지부를 가지는 기판 반송 수단을 포함하고, 상기 현상 모듈 및 가열 모듈은 각각 복수 대 준비되며, 상기 도포 블록과는 독립하여 설치된 현상 블록을 구비하고,

기판이 놓여지는 개소인 모듈에 있어서, 도포 블록 및 현상 블록마다 미리 설정된 반송 스케줄에 기초하여 기판 반송 수단이 상류측의 모듈에 놓여져 있는 기판을 하류측의 모듈로 차례로 1 매씩 반송하여 일주(一周)함으로써, 앞 순서의 기판이 뒷 순서의 기판보다 하류측의 모듈에 위치하는 상태를 형성하고, 기판 반송 수단이 주회함으로써 기판이 각 모듈 간을 이동하고,

상기 가열 모듈은, 선발 로트의 기판에 대하여 처리가 종료된 후에, 후발 로트의 기판이 상기 모듈로 반송되기 전에 상기 모듈에서 정정 처리가 행해지는 도포 현상 장치에 있어서,

A. 노광기를 모듈로서 취급하고,

상기 전달 블록으로부터 노광기에 이를 때까지의 기판 경로에 설치된 모듈군의 각각에 대하여, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고, 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)을 구하고,

상기 전달 블록으로부터 노광기에 이를 때까지의 기판 경로에 배치된 기판을 반송하기 위한 수단의 각각에 대하여, 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간을 구하고, 상기 구해진 최단 반송 시간 중에서 가장 긴 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 도포 블록에 포함되는 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 상기 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 상기 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 도포 블록 내의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하고,

도포 블록에 대하여 사용 가능한 모든 가열 모듈을 이용하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하는 모드(S3)를 실행하는 제어부를 설치한 것을 특징으로 하는 도포 현상 장치.
제 3 항에 있어서,

상기 제어부는 상기 A에 따라 체재 사이클 수를 결정하여 모드(S3)를 실행하는 대신에,

B. 상기 노광기로부터 상기 전달 블록에 이를 때까지의 기판 경로에 설치된 모듈군의 각각에 대해서, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고, 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)을 구하고,

상기 노광기로부터 상기 전달 블록에 이를 때까지의 기판 경로에 배치된 기판을 반송하기 위한 수단의 각각에 대하여, 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간을 구하고, 상기 구해진 최단 반송 시간 중에서 가장 긴 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 현상 블록에 포함되는 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 상기 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 상기 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 현상 블록의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하고,

현상 블록에 대하여 사용 가능한 모든 가열 모듈을 이용하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하는 모드(S4)를 실행하는 것을 특징으로 하는 도포 현상 장치.
복수 매의 기판을 수납한 캐리어가 재치되는 캐리어 재치대와 상기 캐리어 재치대 상의 캐리어와의 사이에서 기판을 전달하는 전달 수단을 포함하는 전달 블록과,

도포액을 도포하는 도포 모듈과, 도포액이 도포된 기판을 가열 처리하는 가열 모듈과, 모듈 간의 기판의 반송을 행하기 위하여 서로 독립하여 진퇴할 수 있는 적어도 2 개의 기판 보지부를 가지는 기판 반송 수단을 포함하고, 상기 도포 모듈 및 가열 모듈은 각각 복수 대 준비되는 도포 블록과,

노광기로 기판을 전달하기 위한 노광기 반입 스테이지와, 노광기로부터 기판을 수취하기 위한 노광기 반출 스테이지와, 상기 스테이지들에 대하여 기판 전달을 행하는 기판 이동 재치 기구와,

노광 후의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈과, 가열 처리된 기판으로 현상액을 공급하는 현상 모듈과, 모듈 간의 기판의 반송을 행하기 위하여 서로 독립하여 진퇴할 수 있는 적어도 2 개의 기판 보지부를 가지는 기판 반송 수단을 포함하고, 상기 현상 모듈 및 가열 모듈은 각각 복수 대 준비되고 상기 도포 블록과는 독립하여 설치된 현상 블록을 구비하고,

기판이 놓여지는 개소인 모듈에 있어서, 도포 블록 및 현상 블록마다 미리 설정된 반송 스케줄에 기초하여 기판 반송 수단이 상류측의 모듈에 놓여져 있는 기판을 하류측의 모듈로 차례로 1 매씩 반송하여 일주함으로써, 앞 순서의 기판이 뒷 순서의 기판보다 하류측의 모듈에 위치하는 상태를 형성하고, 기판 반송 수단이 주회함으로써 기판이 각 모듈 간을 이동하고,

상기 가열 모듈은, 선발 로트의 기판에 대하여 처리가 종료된 후에, 후발 로트의 기판이 상기 모듈로 반송되기 전에 상기 모듈에서 정정 처리가 행해지는 도포 현상 장치에 있어서,

A. 상기 도포 블록에서의 모듈군의 각각에 대하여, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고, 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)을 구하고, 상기 도포 블록의 기판 반송 수단이 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 상기 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 상기 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 상기 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 도포 블록의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하고,

도포 블록에 대하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하고, 체재 사이클 수에 기초하여 선발 로트의 기판 및 후발 로트의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈의 대수를 결정하는 모드(S5)를 실행하는 제어부를 설치한 것을 특징으로 하는 도포 현상 장치.
제 5 항에 있어서,

상기 제어부는 상기 A에 따라 체재 사이클 수를 결정하여 모드(S5)를 실행하는 대신에,

B. 상기 현상 블록에서의 모듈군의 각각에 대해서, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고, 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)을 구하고, 상기 현상 블록의 기판 반송 수단이 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 상 기 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 상기 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 상기 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 현상 블록의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하고,

현상 블록에 대하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하고, 체재 사이클 수에 기초하여 선발 로트의 기판 및 후발 로트의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈의 대수를 결정하는 모드(S6)를 실행하는 것을 특징으로 하는 도포 현상 장치.
복수매의 기판을 수납한 캐리어가 재치되는 캐리어 재치대와 상기 캐리어 재치대 상의 캐리어와의 사이에서 기판을 전달하는 전달 수단을 포함하는 전달 블록과,

도포액을 도포하는 도포 모듈과, 도포액이 도포된 기판을 가열 처리하는 가열 모듈과, 모듈 간의 기판의 반송을 행하기 위하여 서로 독립하여 진퇴할 수 있는 적어도 2 개의 기판 보지부를 가지는 기판 반송 수단을 포함하고, 상기 도포 모듈 및 가열 모듈은 각각 복수 대 준비되는 도포 블록과,

노광기로 기판을 전달하기 위한 노광기 반입 스테이지와, 노광기로부터 기판을 수취하기 위한 노광기 반출 스테이지와, 상기 스테이지들에 대하여 기판 전달을 행하는 기판 이동 재치 기구와,

노광 후의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈과, 가열 처리된 기판으로 현상액을 공급하는 현상 모듈과, 모듈 간의 기판의 반송을 행하기 위하여 서로 독립하여 진퇴할 수 있는 적어도 2 개의 기판 보지부를 가지는 기판 반송 수단을 포함하고, 상기 현상 모듈 및 가열 모듈은 각각 복수 대 준비되고 상기 도포 블록과는 독립하여 설치된 현상 블록을 구비하고,

기판이 놓여지는 개소인 모듈에 있어서, 도포 블록 및 현상 블록마다 미리 설정된 반송 스케줄에 기초하여 기판 반송 수단이 상류측의 모듈에 놓여져 있는 기판을 하류측의 모듈로 차례로 1 매씩 반송하여 일주함으로써, 앞 순서의 기판이 뒷 순서의 기판보다 하류측의 모듈에 위치하는 상태를 형성하고, 기판 반송 수단이 주회함으로써 기판이 각 모듈 간을 이동하고,

상기 가열 모듈은, 선발 로트의 기판에 대하여 처리가 종료된 후에, 후발 로트의 기판이 상기 모듈로 반송되기 전에 상기 모듈에서 정정 처리가 행해지는 도포 현상 장치에 있어서,

A. 노광기를 모듈로서 취급하고,

상기 전달 블록으로부터 노광기에 이를 때까지의 기판 경로에 설치된 모듈군의 각각에 대하여, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고, 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)을 구하고,

상기 전달 블록으로부터 노광기에 이를 때까지의 기판 경로에 배치된 기판을 반송하기 위한 수단의 각각에 대하여, 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간을 구하고, 상기 구해진 최단 반송 시간 중에서 가장 긴 최단 반송 시간과 상기 최대 값(TMAX) 중 긴 쪽을 도포 블록에 포함되는 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 상기 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 상기 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 도포 블록 내의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하고,

도포 블록에 대하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하고, 체재 사이클 수에 기초하여 선발 로트의 기판 및 후발 로트의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈의 대수를 결정하는 모드(S7)를 실행하는 제어부를 설치한 것을 특징으로 하는 도포 현상 장치.
제 7 항에 있어서,

상기 제어부는 상기 A에 따라 체재 사이클 수를 결정하여 모드(S7)를 실행하는 대신에,

B. 상기 노광기로부터 상기 전달 블록에 이를 때까지의 기판 경로에 설치된 모듈군의 각각에 대해서, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고, 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)을 구하고,

상기 노광기로부터 상기 전달 블록에 이를 때까지의 기판 경로에 배치된 기판을 반송하기 위한 수단의 각각에 대하여, 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시 간을 구하고, 상기 구해진 최단 반송 시간 중에서 가장 긴 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 현상 블록에 포함되는 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 상기 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 상기 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 현상 블록의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하고,

현상 블록에 대하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하고, 체재 사이클 수에 기초하여 선발 로트의 기판 및 후발 로트의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈의 대수를 결정하는 모드(S8)를 실행하는 것을 특징으로 하는 도포 현상 장치.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 모드(S1) ~ 모드(S8) 중 어느 하나를 선택하여 실행하는 선택 수단이 설치된 것을 특징으로 하는 도포 현상 장치.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,

도포 블록 및 현상 블록은 서로 상하로 적층되고,

전달 수단으로부터 전달된 기판을 도포 블록의 전달대로 반송하기 위한 보조 반송 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 도포 현상 장치.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,

도포 블록으로서, 레지스트막을 형성하기 위한 도포 블록과 레지스트막을 형성하기 전 또는 후에 도포막을 형성하기 위한 도포 블록이 설치되고, 상기 도포 블록들은 서로 상하로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 도포 현상 장치.
복수 매의 기판을 수납한 캐리어가 재치되는 캐리어 재치대와 상기 캐리어 재치대 상의 캐리어와의 사이에서 기판을 전달하는 전달 수단을 포함하는 전달 블록과,

도포액을 도포하는 도포 모듈과, 도포액이 도포된 기판을 가열 처리하는 가열 모듈과, 모듈 간의 기판의 반송을 행하기 위하여 서로 독립하여 진퇴할 수 있는 적어도 2 개의 기판 보지부를 가지는 기판 반송 수단을 포함하고, 상기 도포 모듈 및 가열 모듈은 각각 복수 대 준비되는 도포 블록과,

노광기로 기판을 전달하기 위한 노광기 반입 스테이지와, 노광기로부터 기판을 수취하기 위한 노광기 반출 스테이지와, 상기 스테이지들에 대하여 기판 전달을 행하는 기판 이동 재치 기구와,

노광 후의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈과, 가열 처리된 기판으로 현상액을 공급하는 현상 모듈과, 모듈 간의 기판의 반송을 행하기 위하여 서로 독립하여 진퇴할 수 있는 적어도 2 개의 기판 보지부를 가지는 기판 반송 수단을 포함하고, 상기 현상 모듈 및 가열 모듈은 각각 복수 대 준비되고 상기 도포 블록과는 독립하여 설치된 현상 블록을 구비하고,

기판이 놓여지는 개소인 모듈에 있어서, 도포 블록 및 현상 블록마다 미리 설정된 반송 스케줄에 기초하여 기판 반송 수단이 상류측의 모듈에 놓여져 있는 기판을 하류측의 모듈로 차례로 1 매씩 반송하여 일주함으로써, 앞 순서의 기판이 뒷 순서의 기판보다 하류측의 모듈에 위치하는 상태를 형성하고, 기판 반송 수단이 주회함으로써 기판이 각 모듈 간을 이동하고,

상기 가열 모듈은, 선발 로트의 기판에 대하여 처리가 종료된 후에, 후발 로트의 기판이 상기 모듈로 반송되기 전에 상기 모듈에서 정정 처리가 행해지는 도포 현상 장치를 이용한 도포 현상 방법에 있어서,

A. 상기 도포 블록에서의 모듈군의 각각에 대하여, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고, 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)을 구하고, 상기 도포 블록의 기판 반송 수단이 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 상기 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 상기 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 상기 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 도포 블록의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하는 공정과,

도포 블록에 대하여 사용 가능한 모든 가열 모듈을 이용하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하는 모드(S1)를 실행하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 도포 현상 방법.
제 12 항에 있어서,

상기 A 공정 및 모드(S1)를 실행하는 공정을 구비하는 대신에,

B. 상기 현상 블록에서의 모듈군의 각각에 대하여, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고, 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)을 구하고, 상기 현상 블록의 기판 반송 수단이 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 상기 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 상기 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 상기 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 현상 블록의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하는 공정과,

현상 블록에 대하여 사용 가능한 모든 가열 모듈을 이용하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하는 모드(S2)를 실행하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 도포 현상 방법.
복수 매의 기판을 수납한 캐리어가 재치되는 캐리어 재치대와 상기 캐리어 재치대 상의 캐리어와의 사이에서 기판을 전달하는 전달 수단을 포함하는 전달 블록과,

도포액을 도포하는 도포 모듈과, 도포액이 도포된 기판을 가열 처리하는 가열 모듈과, 모듈 간의 기판의 반송을 행하기 위하여 서로 독립하여 진퇴할 수 있는 적어도 2 개의 기판 보지부를 가지는 기판 반송 수단을 포함하고, 상기 도포 모듈 및 가열 모듈은 각각 복수 대 준비되는 도포 블록과,

노광기로 기판을 전달하기 위한 노광기 반입 스테이지와, 노광기로부터 기판을 수취하기 위한 노광기 반출 스테이지와, 상기 스테이지들에 대하여 기판 전달을 행하는 기판 이동 재치 기구와,

노광 후의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈과, 가열 처리된 기판으로 현상액을 공급하는 현상 모듈과, 모듈 간의 기판의 반송을 행하기 위하여 서로 독립하여 진퇴할 수 있는 적어도 2 개의 기판 보지부를 가지는 기판 반송 수단을 포함하고, 상기 현상 모듈 및 가열 모듈은 각각 복수 대 준비되고 상기 도포 블록과는 독립하여 설치된 현상 블록을 구비하고,

기판이 놓여지는 개소인 모듈에 있어서, 도포 블록 및 현상 블록마다 미리 설정된 반송 스케줄에 기초하여 기판 반송 수단이 상류측의 모듈에 놓여져 있는 기판을 하류측의 모듈로 차례로 1 매씩 반송하여 일주함으로써, 앞 순서의 기판이 뒷 순서의 기판보다 하류측의 모듈에 위치하는 상태를 형성하고, 기판 반송 수단이 주회함으로써 기판이 각 모듈 간을 이동하고,

상기 가열 모듈은, 선발 로트의 기판에 대하여 처리가 종료된 후에, 후발 로트의 기판이 상기 모듈로 반송되기 전에 상기 모듈에서 정정 처리가 행해지는 도포 현상 장치를 이용한 도포 현상 방법에 있어서,

A. 노광기를 모듈로서 취급하고,

상기 전달 블록으로부터 노광기에 이를 때까지의 기판 경로에 설치된 모듈군 의 각각에 대하여, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고, 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)을 구하고,

상기 전달 블록으로부터 노광기에 이를 때까지의 기판 경로에 배치된 기판을 반송하기 위한 수단의 각각에 대하여, 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간을 구하고, 상기 구해진 최단 반송 시간 중에서 가장 긴 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 도포 블록에 포함되는 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 상기 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 상기 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 도포 블록 내의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하는 공정과,

도포 블록에 대하여 사용 가능한 모든 가열 모듈을 이용하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하는 모드(S3)를 실행하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 도포 현상 방법.
제 14 항에 있어서,

상기 A 공정 및 모드(S3)를 실행하는 공정을 구비하는 대신에,

B. 상기 노광기로부터 상기 전달 블록에 이를 때까지의 기판 경로에 설치된 모듈군의 각각에 대해서, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고, 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)을 구하고,

상기 노광기로부터 상기 전달 블록에 이를 때까지의 기판 경로에 배치된 기판을 반송하기 위한 수단의 각각에 대하여, 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간을 구하고, 상기 구해진 최단 반송 시간 중에서 가장 긴 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 현상 블록에 포함되는 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 상기 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 상기 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 현상 블록의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하는 공정과,

현상 블록에 대하여 사용 가능한 모든 가열 모듈을 이용하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하는 모드(S4)를 실행하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 도포 현상 방법.
복수 매의 기판을 수납한 캐리어가 재치되는 캐리어 재치대와 상기 캐리어 재치대 상의 캐리어와의 사이에서 기판을 전달하는 전달 수단을 포함하는 전달 블록과,

도포액을 도포하는 도포 모듈과, 도포액이 도포된 기판을 가열 처리하는 가열 모듈과, 모듈 간의 기판의 반송을 행하기 위하여 서로 독립하여 진퇴할 수 있는 적어도 2 개의 기판 보지부를 가지는 기판 반송 수단을 포함하고, 상기 도포 모듈 및 가열 모듈은 각각 복수 대 준비되는 도포 블록과,

노광기로 기판을 전달하기 위한 노광기 반입 스테이지와, 노광기로부터 기판을 수취하기 위한 노광기 반출 스테이지와, 상기 스테이지들에 대하여 기판 전달을 행하는 기판 이동 재치 기구와,

노광 후의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈과, 가열 처리된 기판으로 현상액을 공급하는 현상 모듈과, 모듈 간의 기판의 반송을 행하기 위하여 서로 독립하여 진퇴할 수 있는 적어도 2 개의 기판 보지부를 가지는 기판 반송 수단을 포함하고, 상기 현상 모듈 및 가열 모듈은 각각 복수 대 준비되고 상기 도포 블록과는 독립하여 설치된 현상 블록을 구비하고,

기판이 놓여지는 개소인 모듈에 있어서, 도포 블록 및 현상 블록마다 미리 설정된 반송 스케줄에 기초하여 기판 반송 수단이 상류측의 모듈에 놓여져 있는 기판을 하류측의 모듈로 차례로 1 매씩 반송하여 일주함으로써, 앞 순서의 기판이 뒷 순서의 기판보다 하류측의 모듈에 위치하는 상태를 형성하고, 기판 반송 수단이 주회함으로써 기판이 각 모듈 간을 이동하고,

상기 가열 모듈은, 선발 로트의 기판에 대하여 처리가 종료된 후에, 후발 로트의 기판이 상기 모듈로 반송되기 전에 상기 모듈에서 정정 처리가 행해지는 도포 현상 장치를 이용한 도포 현상 방법에 있어서,

A. 상기 도포 블록에서의 모듈군의 각각에 대하여, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고, 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)을 구하고, 상기 도포 블록의 기판 반송 수단이 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 상기 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 상기 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 상기 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 도포 블록의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하는 공정과,

도포 블록에 대하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하고, 체재 사이클 수에 기초하여 선발 로트의 기판 및 후발 로트의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈의 대수를 결정하는 모드(S5)를 실행하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 도포 현상 방법.
제 16 항에 있어서,

상기 A 공정 및 모드(S5)를 실행하는 공정을 구비하는 대신에,

B. 상기 현상 블록에서의 모듈군의 각각에 대해서, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고, 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)을 구하고, 상기 현상 블록의 기판 반송 수단이 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 상기 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 상기 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 상기 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 현상 블록의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하는 공정과,

현상 블록에 대하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하고, 체재 사이클 수에 기초하여 선발 로트의 기판 및 후발 로트의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈의 대수를 결정하는 모드(S6)를 실행하는 공정

을 구비한 것을 특징으로 하는 도포 현상 방법.
복수 매의 기판을 수납한 캐리어가 재치되는 캐리어 재치대와 상기 캐리어 재치대 상의 캐리어와의 사이에서 기판을 전달하는 전달 수단을 포함하는 전달 블록과,

도포액을 도포하는 도포 모듈과, 도포액이 도포된 기판을 가열 처리하는 가열 모듈과, 모듈 간의 기판의 반송을 행하기 위하여 서로 독립하여 진퇴할 수 있는 적어도 2 개의 기판 보지부를 가지는 기판 반송 수단을 포함하고, 상기 도포 모듈 및 가열 모듈은 각각 복수 대 준비되는 도포 블록과,

노광기로 기판을 전달하기 위한 노광기 반입 스테이지와, 노광기로부터 기판을 수취하기 위한 노광기 반출 스테이지와, 상기 스테이지들에 대하여 기판 전달을 행하는 기판 이동 재치 기구와,

노광 후의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈과, 가열 처리된 기판으로 현상액을 공급하는 현상 모듈과, 모듈 간의 기판의 반송을 행하기 위하여 서로 독립하여 진퇴할 수 있는 적어도 2 개의 기판 보지부를 가지는 기판 반송 수단을 포함하고, 상기 현상 모듈 및 가열 모듈은 각각 복수 대 준비되고 상기 도포 블록과는 독립하여 설치된 현상 블록을 구비하고,

기판이 놓여지는 개소인 모듈에 있어서, 도포 블록 및 현상 블록마다 미리 설정된 반송 스케줄에 기초하여 기판 반송 수단이 상류측의 모듈에 놓여져 있는 기판을 하류측의 모듈로 차례로 1 매씩 반송하여 일주함으로써, 앞 순서의 기판이 뒷 순서의 기판보다 하류측의 모듈에 위치하는 상태를 형성하고, 기판 반송 수단이 주회함으로써 기판이 각 모듈 간을 이동하고,

상기 가열 모듈은, 선발 로트의 기판에 대하여 처리가 종료된 후에, 후발 로트의 기판이 상기 모듈로 반송되기 전에 상기 모듈에서 정정 처리가 행해지는 도포 현상 장치를 이용한 도포 현상 방법에 있어서,

A. 노광기를 모듈로서 취급하고,

상기 전달 블록으로부터 노광기에 이를 때까지의 기판 경로에 설치된 모듈군의 각각에 대하여, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고, 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)을 구하고,

상기 전달 블록으로부터 노광기에 이를 때까지의 기판 경로에 배치된 기판을 반송하기 위한 수단의 각각에 대하여, 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간을 구하고, 상기 구해진 최단 반송 시간 중에서 가장 긴 최단 반송 시간과 상기 최대 값(TMAX) 중 긴 쪽을 도포 블록에 포함되는 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 상기 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 상기 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 도포 블록 내의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하는 공정과,

도포 블록에 대하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하고, 체재 사이클 수에 기초하여 선발 로트의 기판 및 후발 로트의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈의 대수를 결정하는 모드(S7)를 실행하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 도포 현상 방법.
제 18 항에 있어서,

상기 A 공정 및 모드(S7)를 실행하는 공정을 구비하는 대신에,

B. 상기 노광기로부터 상기 전달 블록에 이를 때까지의 기판 경로에 설치된 모듈군의 각각에 대해서, 해당 모듈에서 행해지는 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 모듈이 준비되어 있는 대수로 나눈 값(T)을 구하고, 각 값(T) 중의 최대값(TMAX)을 구하고,

상기 노광기로부터 상기 전달 블록에 이를 때까지의 기판 경로에 배치된 기판을 반송하기 위한 수단의 각각에 대하여, 반송 스케줄에 설정된 모듈군에 대하여 차례로 상류측으로부터 하류측으로 기판을 전달함으로써 일주할 때의 최단 반송 시간을 구하고, 상기 구해진 최단 반송 시간 중에서 가장 긴 최단 반송 시간과 상기 최대값(TMAX) 중 긴 쪽을 현상 블록에 포함되는 가열 모듈의 사이클 타임으로 하고, 상기 가열 모듈에서의 가열 처리에 필요한 프로세스 시간을 상기 사이클 타임으로 나눈 값을 반올림한 값을, 상기 가열 모듈에 대하여 기판을 반입하고 나서 반출될 때까지 행해지는 현상 블록의 기판 반송 수단의 주회 동작의 횟수인 체재 사이클 수로서 결정하는 공정과,

현상 블록에 대하여 가열 모듈의 체재 사이클 수를 결정하고, 체재 사이클 수에 기초하여 선발 로트의 기판 및 후발 로트의 기판을 가열 처리하는 가열 모듈의 대수를 결정하는 모드(S8)를 실행하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 도포 현상 방법.
처리부에서, 복수 매의 기판을 수납한 캐리어가 재치되는 캐리어 재치대로부터 수취한 기판에 도포막을 형성하고, 노광 후의 기판에 대한 현상을 행하는 도포 현상 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체로서, 상기 프로그램은 청구항 12 내지 청구항 19 중 어느 한 항에 기재된 도포 현상 방법을 실행하도록 단계군이 조직되어 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체.