TW201940242A

TW201940242A - 基板處理裝置

Info

Publication number: TW201940242A
Application number: TW108104697A
Authority: TW
Inventors: 田所真任; 榎本正志; 志村悟; 川上真一路
Original assignee: 日商東京威力科創股份有限公司
Priority date: 2018-02-16
Filing date: 2019-02-13
Publication date: 2019-10-16
Also published as: JP7117366B2; TWI804574B; WO2019159736A1; JPWO2019159736A1

Abstract

[課題] 即使為需要長曝光時間之光阻膜或膜厚大之光阻膜，亦可以獲得期待之光阻膜的圖案。
[解決手段] 基板處理裝置(1)係對基板進行包含塗佈光阻液而形成光阻膜之光阻塗佈處理的用以形成光阻圖案之一連串處理，該基板處理裝置具備控制部(200)，該控制部(200)係取得與在來自該基板處理裝置(1)之基板之搬運目的地的曝光裝置(12)中，對形成有光阻膜之基板進行的曝光處理之時間有關的資訊，以使從光阻塗佈處理至開始曝光處理為止之時間在每個基板成為一定之方式，使基板在處理站(11)之收授部(53)待機之後，將該基板搬運至光阻塗佈處理部(31)。

Description

基板處理裝置

本發明係關於對基板進行特定處理之基板處理裝置。

例如，在半導體裝置之製造工程中之光微影工程中，依序進行在晶圓上塗佈光阻液而形成光阻膜之光阻塗佈處理、將光阻膜曝光成特定之圖案的曝光處理、將被曝光之光阻膜予以顯像之顯像處理等之一連串的處理，且在晶圓上形成特定之光阻圖案。該些之一連串之處理係以處理晶圓之各種處理部或搬運晶圓之搬運機構等之基板處理裝置的塗佈顯像處理裝置，和與該塗佈顯像處理裝置連接之曝光裝置被進行。

作為上述塗佈顯像處理裝置，在設置有各種處理部之處理區塊和位於曝光裝置之間的介面區塊等，設置使晶圓待機的待機部的裝置眾所皆知(參照專利文獻1)。

再者，以往在連接上述塗佈顯像處理裝置和曝光裝置之處理系統中，為了消除曝光裝置待機的時間，即是，為了使曝光裝置全運轉，要求形成有光阻膜之晶圓不會中斷地被搬入至曝光裝置。於是，在塗佈顯像處理裝置內，對晶圓依序進行至光阻塗佈處理等之曝光處理之前為止的處理，至曝光處理之前為止的處理結束之晶圓，直至曝光處理開始，在特定位置待機，藉由調整從至曝光處理前為止之處理結束到開始曝光處理的時間，使曝光裝置全運轉。使晶圓待機之上述特定位置，在使用例如專利文獻1般之構成的情況，為介面區塊之待機部。
[先前技術文獻]
[專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2013-162111號公報

[發明所欲解決之課題]

但是，若藉由本發明者的研討，在需要長曝光時間的光阻膜，或膜厚大之光阻膜之情況，如上述般，調整塗佈顯像處理裝置中從曝光處理前的處理結束至開始曝光處理之時間的構成中，無法獲得期待的圖案之光阻膜。
專利文獻1關於此點並無開示。

本發明係鑒於上述情形而創作出，其目的在於提供即使為需要長曝光時間之光阻膜或膜厚大的光阻膜，亦可以獲得期待之光阻膜之圖案的基板處理裝置。

[用以解決課題之手段]

解決上述課題之本發明係一種基板處理裝置，其係對基板進行包含塗佈光阻液而形成光阻膜之光阻塗佈處理的用以形成光阻圖案之一連串處理，該基板處理裝置之特徵在於，具備：複數之處理部，其係進行上述一連串之處理；待機部，其係使進行上述一連串處理之前的基板暫時性地待機；和控制部，其係至少控制基板之搬運，該控制部係取得與在來自該基板處理裝置之基板之搬運目的地的曝光裝置中，對形成有上述光阻膜之基板進行的曝光處理之時間有關的資訊，以使從上述光阻塗佈處理至開始上述曝光處理為止之時間在每個基板成為一定之方式，使基板在上述待機部待機。

即使與上述曝光處理之時間有關之資訊，係上述曝光處理之結束時刻的資訊或上述曝光處理之開始時刻之資訊中之至少任一者亦可。

即使上述控制部係從進行該曝光處理之曝光裝置接收而取得與上述曝光處理之時間有關的資訊亦可。

即使上述控制部藉由根據基板之搬運履歷之預測，取得與上述曝光處理之時間有關的資訊亦可。

藉由另外觀點的本發明係一種基板處理裝置，其係對基板進行包含塗佈光阻液而形成光阻膜之光阻塗佈處理的用以形成光阻圖案之一連串處理，該基板處理裝置之特徵在於，具備：複數之處理部，其係進行一連串之處理；控制部，其係至少控制基板之搬運，該控制部係以基板在上述複數處理部之各個內部滯留之時間長度，與基板在形成有光阻膜之基板進行曝光處理之曝光裝置內滯留之時間長度相等之方式，控制基板之搬運。

即使上述控制部從該曝光裝置接收而取得與基板在上述曝光裝置內滯留的時間長度有關之資訊亦可。

即使上述控制部從在該基板處理裝置中之基板的搬運履歷，預測基板在上述曝光裝置內滯留的時間長度亦可。

即使上述控制部進一步進行在上述曝光裝置之曝光處理中之處理條件的控制，根據與在上述曝光裝置進行的曝光處理有關之資訊，預測已被進行上述曝光處理及顯像處理之上述光阻圖案之尺寸，根據預測結果，補正在上述曝光處理的曝光量亦可。

即使上述控制部進一步進行上述一連串處理包含的上述曝光處理之後的處理中的處理條件之控制，根據上述一連串處理包含的上述曝光處理之前的處理之實績，預測已被進行上述曝光處理及顯像處理之上述光阻膜之圖案的尺寸，根據預測結果，補正上述曝光處理之後的處理中的處理條件亦可。

即使上述光阻液為KrF光阻液亦可。

即使上述光阻膜之膜厚10μm以上亦可。

[發明之效果]

若藉由本發明時，即使為需要長曝光時間之光阻膜或膜厚大之光阻膜，亦可以獲得期待之光阻膜的圖案。

以下，針對本發明之實施型態，一面參照圖面一面予以說明。另外，在本說明書及圖面中，針對實質上具有相同功能構成之要素，藉由賦予相同符號，省略重複說明。

(第1實施型態)
圖1為表示本發明之第1實施型態所涉及之基板處理裝置之構成之概略的說明圖。圖2及圖3分別為示意性地表示基板處理系統之內部構成之概略的前視圖和後視圖。在本實施型態中之基板處理裝置係進行光阻塗佈處理或顯像處理之塗佈顯像處理裝置，作為需要長曝光時間之光阻膜，形成例如EUV(Extreme Ultra-Violet)微影用之光阻膜，或是，作為膜厚大之光阻膜，形成例如在3D NAND型之半導體裝置之製造使用的光阻膜等之10μm以上之膜厚之光阻膜。以下，以形成EUV微影用之光阻膜作為光阻膜為例，說明本實施型態之基板處理裝置。另外，在以下中，將EUV微影用之光阻膜稱為「EUV光阻膜」，將EUV光阻膜之形成使用的光阻液稱為「EUV光阻液」。

基板處理裝置1係如圖1所示般具有一體連接收容複數片晶圓W之卡匣C被搬入搬出的卡匣站10，和具備對晶圓W施予特定處理之複數各種處理部的處理站11，和在與處理站11鄰接之曝光裝置12之間進行晶圓W之收授的介面站13的構成。
另外，本例之曝光裝置12進行使用EUV光的曝光處理。

在卡匣站10設置有卡匣載置台20。在卡匣載置台20，設置有於對基板處理裝置1之外部搬入搬出卡匣C之時，載置卡匣C之複數卡匣載置板21。

在卡匣站10設置有在X方向延伸之搬運路22上移動自如之晶圓搬運機構23。晶圓搬運機構23在上下方向及垂直軸周圍(θ方向)也移動自如，可以在各卡匣載置板21上之卡匣C，和後述處理站11之第3區塊G3之收授部之間，搬運晶圓W。

在處理站11設置有複數例如第1～第4的4個區塊G1、G2、G3、G4。例如，在處理站11之正面側(圖1之X方向負方向側)設置第1區塊G1，在處理站11之背面側(圖1之X方向正方向側)設置有第2區塊G2。再者，在處理站11之卡匣站10側(圖2之Y方向負方向側)設置第3區塊G3，在處理站11之介面站13側(圖1之Y方向正方向側)設置有第4區塊G4。

例如，在第1區塊G1，如圖2所示般，在上下方向和水平方向排列設置複數之液處理部，例如將藉由曝光裝置12被曝光之晶圓W予以顯像之顯像處理部30、在晶圓W塗佈EUV光阻液而形成EUV光阻膜的光阻塗佈處理部31。另外，該些顯像處理部30、光阻塗佈處理部31之數量或配置可以任意選擇。

在該些顯像處理部30、光阻塗佈處理部31中，進行例如對晶圓W上塗佈特定塗佈液之旋轉塗佈。在旋轉塗佈中，從例如塗佈噴嘴對晶圓W上吐出塗佈液，同時使晶圓W旋轉，而使塗佈液擴散在晶圓W之表面，塗佈液被塗佈在晶圓W之全面。

例如，在第2區塊G2，如圖3所示般，在上下方向和水平方向排列設置進行比如晶圓W之加熱或冷卻的熱處理的熱處理部40，或為了提高光阻液和晶圓W之固定性的黏著部41。即使針對該些熱處理部40、黏著部41之數量或配置也可以任意選擇。
另外，熱處理部40係進行相對於光阻塗佈後曝光前之晶圓W的加熱處理亦即預烘烤(PAB)處理、相對於顯像處理後之晶圓W的加熱處理亦即後烘烤處理、相對於曝光後顯像前之晶圓W的加熱處理亦即曝光後烘烤(PEB)處理。

例如，在第3區塊G3，從下方依序設置有複數收授部50、51、52、53、54、55、56。再者，在第4區塊G4，從下方依序設置有複數收授部60、61、62。另外，收授部50～56、60～62可以當作使晶圓W待機之待機部而發揮功能。

如圖1所示般，在被第1區塊G1～第4區塊G4包圍之區域上形成有晶圓搬運區域D。在晶圓搬運區域D配置複數具有例如在Y方向、X方向、θ方向及上下方向移動自如之搬運臂70a的晶圓搬運機構70。晶圓搬運機構70係在晶圓搬運區域D內移動，並可以將晶圓W搬運至周圍之第1區塊G1、第2區塊G2、第3區塊G3及第4區塊G4內之特定部分。

再者，在晶圓搬運區域D，設置有在第3區塊G3和第4區塊G4之間直線性地搬運晶圓W之穿梭搬運機構80。

穿梭搬運機構80係在例如圖3之Y方向直線性地移動自如。穿梭搬運機構80係在支撐晶圓W之狀態下移動至Y方向，可以在第3區塊G3之收授部52和第4區塊G4之收授部62之間搬運晶圓W。

如圖1所示般，在第3區塊G3之X方向正方向側之旁，設置有晶圓搬運機構100。晶圓搬運機構100具有例如在X方向、θ方向及上下方向移動自如之搬運臂100a。晶圓搬運機構100係在藉由搬運臂100a支撐晶圓W之狀態下做上下移動，而可以將晶圓W搬運至第3區塊G3內之各收授部。

在介面站13設置有晶圓搬運機構110和收授部111。晶圓搬運機構110具有例如在Y方向、θ方向及上下方向移動自如之搬運臂110a。晶圓搬運機構110係藉由例如搬運臂110a支撐晶圓W，可以在第4區塊G4內之各收授部60、61、62、和曝光裝置12之間，或收授部111及曝光裝置12之間搬運晶圓W。

以上之基板處理裝置1，如圖1所示般設置有控制部200。控制部200係例如電腦，具有程式儲存部(無圖示)。在程式儲存部儲存有控制基板處理裝置1中處理晶圓W之處理的程式。再者，於程式儲存部也儲存有用以控制上述各種處理部或搬運機構等之驅動系統之動作而實現基板處理裝置1中之處理的程式。另外，上述程式為被記錄於例如電腦可讀取之硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、光磁碟(MO)、記憶卡等之電腦可讀取之記憶媒體H者，即使為自其記憶媒體被安裝於控制部200者亦可。

再者，控制部200被連接成能夠與曝光裝置12之控制部300通訊，可以從控制部300取得與曝光裝置12中之曝光處理有關的資訊。另外，曝光裝置12之控制部300係控制曝光裝置12者，從例如電腦儲存，與控制部200相同具有程式儲存部。

接著，針對使用如上述般構成之基板處理裝置1及曝光裝置12執行之晶圓處理進行說明。
首先，被搬入至基板處理裝置1之卡匣站10之卡匣C內的各晶圓W，依序被搬運至處理站11之收授部53，成為待機狀態。

接著，晶圓W被搬運至第1區塊G1之光阻塗佈處理部31。而且，藉由光阻塗佈處理部31，在晶圓W上形成EUV光阻膜。之後，晶圓W被搬運至熱處理部40。而且，藉由熱處理部40，對形成有光阻膜之晶圓W，進行PAB處理。接著，晶圓W被搬運至第4區塊G4之收授部60，成為待機狀態。

接著，晶圓W被搬運至曝光裝置12內之特定的搬入位置。在曝光裝置12中，對晶圓W，進行從上述特定搬入位置至曝光處理位置為止之搬運處理等之曝光處理前之處理之後，進行曝光處理。接著，對晶圓W，進行從曝光處理位置至特定搬出位置為止之搬運處理等之曝光處理後之處理。

之後，晶圓W從曝光裝置12之上述特定搬出位置被搬運至基板處理裝置1之熱處理部40。而且，藉由熱處理部40對晶圓W進行PEB處理。接著，晶圓W被搬運至顯像處理部30。而且，藉由顯像處理部30對晶圓W進行顯像處理。

接著，晶圓W被搬運至熱處理部40。而且，藉由熱處理部40對晶圓W進行後烘烤處理。之後，晶圓W被搬運至卡匣載置板21之卡匣C，一連串之光微影工程結束。

以上的處理在本實施型態之基板處理裝置1，還有以往基板處理裝置皆被進行。再者，在本實施型態之基板處理裝置1和以往之基板處理裝置中，雖然構造本身採用相同者，但是控制部200所致的控制不同，具體而言，晶圓W之搬運時序不同。以下，針對該點予以說明。另外，如上述般，在本實施型態之基板處理裝置1和以往的基板處理裝置中，因可以採用相同的構造，故在以下中，即使針對以往的基板處理裝置之各部，亦標示與本實施型態之基板處理裝置1之各部相同的符號進行說明。

圖4為以往之晶圓處理的時序圖。在圖中，將晶圓之中第1個被處理的晶圓設為「#1」，將第2個被處理的晶圓設為「#2」，之後依處理順序標示號碼。再者，在圖中，若晶圓W處於相同狀態時，以相同顏色表示，記載成「CPL」之部分，表示晶圓W在處理站11之收授部53內滯留之狀態，記載成「COT」之部分，表示晶圓W在光阻塗佈處理部31內滯留之狀態。再者，「PAB」表示晶圓W在PAB處理用之熱處理部40內滯留之狀態，「ICPL」表示晶圓W在第4區塊G4之收授部60滯留之狀態。再者，「曝光前」表示在曝光裝置12進行曝光處理前之處理的狀態，「曝光」表示進行曝光處理之狀態，「曝光後」表示在曝光裝置12進行曝光處理後之處理的狀態。再者，「PEB」表示晶圓W在PEB處理用之熱處理部40內滯留之狀態。除此之外的部分表示晶圓W被搬運之狀態。

如圖4所示般，在以往的晶圓處理中，為了使曝光裝置12全運轉，進行如＃2般使在曝光裝置12的曝光處理前之處理的時間增長，或如＃5般使晶圓W在第4區塊G4之收授部60滯留的時間增長，或如＃6般使從預烘烤處理用之熱處理部40搬運至上述收授部60之時間增長。因此，在以往之晶圓處理中，從光阻塗佈處理至曝光處理開始為止之時間在每個晶圓W不同。在此情況，若藉由本發明者們的研討，當使用EUV光阻膜時，無法獲得期待之光阻圖案。

作為其理由，可考慮例如下述者。圖5為表示在使用EUV光阻膜之情況的塗佈處理結束後至顯像處理結束為止之EUV光阻膜之狀態及反應之樣子的概念圖。
作為EUV光阻液，使用負型之含金屬光阻液之情況，在該膜曝光處理時被曝光之部分，EUV光阻膜F1中之金屬錯合物之配體L被加水分解。而且，藉由被加水分解之金屬錯合物進行脫水縮合，成為金屬氧化膜F2，該金屬氧化膜F2在使用顯像液J被顯像之時殘留。再者，在EUV光阻膜F1中之曝光處理時未曝光之部分在與PEB處理所致之加熱之時，與環境中之水產生反應，於顯像處理時藉由顯像液J被沖走。但是，即使不加熱，在EUV光阻膜F1之未曝光的部分與水產生反應。再者，從光阻塗佈處理至曝光處理開始之期間，在晶圓W之周圍的環境存在水分。因此，於藉由曝光處理被曝光，在顯像後，應以光阻圖案而殘留之部分，被曝露於包含水分之環境中，其結果，有成為可溶於顯像液J，於顯像後不會以光阻圖案而殘留之情形。尤其，在使用EUV光之情況，因曝光時間長度，故有從光阻塗佈處理至曝光處理開始為止之時間的晶圓W間之差變得非常大之情形，因此光阻圖案之尺寸的偏差在晶圓W間增大。

與本實施型態有關之晶圓處理係考慮到如此之問題點。

圖6為本實施型態之晶圓處理的時序圖。在圖6中，與圖5相同地進行圖示。
鑒於上述問題點，在本實施型態中，控制部200取得在曝光裝置12對第n片之晶圓W進行曝光處理之時間有關的資訊。具體而言，例如從該曝光裝置12之控制部300取得在曝光裝置12對第n片之晶圓W進行曝光處理之結束時刻的資訊。接著，控制部200係根據該取得的資訊，如圖6所示般，以從光阻塗佈處理至曝光處理開始為止之時間在每個晶圓W成為一定之方式，調整/決定使第n+1片之晶圓W在處理站11之收授部53待機之時間長度。具體而言，控制部200係根據上述曝光處理之結束時刻之資訊，算出例如從光阻塗佈處理結束至開始曝光處理為止之時間成為一定的第n+1片之晶圓W的光阻塗佈處理開始時刻，根據所算出的該開始時刻，決定來自收授部53之晶圓W之搬出時刻。而且，控制部200係於經過待機時間後，開始朝晶圓W之光阻塗佈處理部31搬運，開始與光微影有關之一連串的處理。

因此，若藉由本實施型態之晶圓處理時，因從光阻塗佈處理至開始曝光處理為止之時間無論晶圓W如何皆為一定，故可以獲得期待圖案的EVU光阻膜。

另外，在上述例中，控制部200取得在曝光裝置12中之曝光處理之結束時刻的資訊，作為與在曝光裝置12的曝光處理之時間有關的資訊。但是，與控制部200取得之上述曝光處理之時間有關的資訊，不限定於該例，若為可以決定從光阻塗佈處理至開始曝光處理為止之時間在每個晶圓W成為一定的晶圓W在收授部53之待機時間長度的資訊即可。例如，與從曝光裝置12取得之上述曝光處理之時間有關之資訊，即使在曝光裝置12的曝光處理之開始時刻之資訊及曝光處理之時間長度的資訊亦可。再者，作為與上述曝光處理之時間有關的資訊，即使從曝光裝置12取得在曝光裝置12的曝光處理開始時刻之資訊，根據該資訊和事先被記憶於未圖示之記憶部的曝光處理之時間長度的資訊，使控制部200決定上述待機時間長度亦可。

再者，控制部200即使取得在曝光裝置12的曝光處理之時間長度的資訊，使在處理站11之收授部53待機的時間長度與曝光處理之時間長度相等亦可。

在上述中雖然使用EUV光阻膜，但是，即使使用3D、NAND型半導體裝置之製造所使用的光阻膜等之10μm以上之膜厚的光阻膜亦可。

若藉由本發明者們的研討時，如上述般，在使用10μm以上膜厚大的光阻膜之情況，在圖4之以往的晶圓處理中，有無法獲得期待之光阻圖案之情形。
作為其理由，可考慮例如下述者。圖7為表示在使用膜厚大之光阻膜(以下，厚膜)之情況的塗佈處理結束後至顯像處理結束為止之厚膜之狀態及反應之樣子的概念圖。
作為厚膜，使用KrF高黏度厚膜之情況，於PAB處理時，厚膜F3中之溶劑蒸發，藉由曝光處理，在厚膜F3即是光阻膜中產生酸A，藉由PEB處理，酸A在厚膜F3中擴散，藉由顯像處理，酸A存在之部分被除去。另外，光阻膜中之溶劑於PAB處理開始前，其少量蒸發，至PAB處理結束為止，其大部分蒸發。但是，於厚膜之情況，光阻膜中之溶劑在PAB處理之後仍殘存。殘存的溶劑與時間經過蒸發。因此，厚膜之情況，當從光阻塗佈處理至曝光處理開始為止之時間具有晶圓間差時，在每個晶圓W，光阻膜中之溶劑之殘存量成為不同。再者，PEB處理時之酸的擴散長因應溶劑殘量而不同。因此，在膜厚之情況，如以往之晶圓處理般，從塗佈處理至開始曝光處理為止之時間具有晶圓間差時，在光阻膜之圖案產生晶圓間差，無法取得期待圖案之光阻膜。

對此，在本實施型態之晶圓處理中，如上述般從光阻塗佈處理至開始曝光處理為止之時間成為一定之方式，調整/決定使晶圓W在處理站11之收授部53待機之時間。因此，在PEB處理時的光阻膜中之溶劑之殘存量在晶圓W間成為相等。因此，在PEB處理時的光阻膜中之酸之擴散長在晶圓W間成為相等。依此，可以取得期待圖案之光阻膜。

(第2實施型態)
在第1實施型態中，調整/決定使晶圓W在處理站11之收授部53待機之時間長度。依此，使從光阻塗佈處理完成時刻至曝光處理開始時刻為止之時間在不同的晶圓W間成為一定。對此，在本實施型態中，在曝光處理前，基板處理裝置1之晶圓搬運機構所致的晶圓W在該基板處理裝置1內之搬運源及搬運目的地之各部內滯留的時間，和晶圓W在曝光裝置12內滯留的時間成為一樣。例如，使晶圓W在處理站11之收授部53內滯留的時間、和晶圓W在光阻塗佈處理部31內滯留的時間、和晶圓W在PAB處理用之熱處理部40內滯留的時間、晶圓W在第4區塊G4之收授部60內滯留的時間，與晶圓W在曝光裝置12內滯留的時間長度成為一樣。即使依此，亦可以使從光阻塗佈處理完成時刻至曝光處理開始時刻為止之時間，在不同的晶圓W間成為一定，可以取得期待圖案的光阻膜。
與晶圓W在曝光裝置12內滯留的時間長度有關的資訊，可以從曝光裝置12之控制部300接收而取得。

(取得滯留時間資訊之方法之其他例)
與在第2實施型態中使用的晶圓W在曝光裝置12內滯留的時間長度有關之資訊，在上述例中，設為從曝光裝置12之控制部300接收而取得。
晶圓W在曝光裝置12內滯留之時間之資訊的取得方法並不限定於此，例如即使從基板處理裝置1之晶圓搬運機構所致的晶圓W之搬運履歷，計算/預測上述滯留的時間長度亦可。具體而言，記算於虛擬運行時將晶圓W朝曝光裝置12內之特定搬入部分載置之時刻的資訊，從曝光裝置12內之特定搬出部分接取該晶圓W之時刻的資訊，和晶圓W在曝光裝置12內滯留的時間長度亦可。
另外，在第1實施型態中，雖然控制部200從曝光裝置12之控制部300取得與曝光處理之時間有關之資訊，但是即使控制部200從晶圓W之搬運履歷，計算/預測而取得與曝光處理結束時刻之資訊等之曝光處理有關之資訊亦可。

再者，在第1實施型態中與曝光處理之時間有關的資訊，或在第2實施型態中與在曝光裝置12內滯留之時間長度有關之資訊，即使根據使用者對控制部200所具備之觸控板或鍵盤等之輸入部的輸入而取得亦可。

(第1實施型態及第2實施型態之變形例)
在以上中，雖然針對在曝光裝置12之曝光處理中的曝光量無記載，但是即使根據與在曝光裝置12已進行的曝光處理有關之資訊，預測被進行曝光處理及顯像處理之光阻膜之圖案的尺寸，根據預測結果，以補正上述曝光量之方式，控制部200對曝光裝置12之控制部300輸出控制訊號亦可。與在上述曝光裝置12進行的曝光處理有關的資訊，例如係在第1實施型態中與曝光處理之時間有關的資訊，或在第2實施型態中與在曝光裝置12內滯留之時間長度有關的資訊。再者，曝光量之補正係以預測到的圖案尺寸成為目標之圖案尺寸之方式被進行。該補正係對例如每個批量進行，具體而言，以針對某批量之上述預測結果被反饋至下一個批量之曝光量之方式被進行。

(第1實施型態及第2實施型態之其他變形例)
在上述中，針對在基板處理裝置1被進行的曝光處理之後的處理之處理條件未記載，但是即使控制部200根據與在基板處理裝置1被進行之曝光處理之前之處理有關的處理實績，預測已被進行曝光處理及顯像處理之光阻膜之圖案之尺寸，根據預測結果，補正上述曝光處理之後之處理的處理條件亦可。具體而言，控制部200係根據從某晶圓W之基板處理裝置1之光阻塗佈處理至曝光處理開始為止之時間，預測從光阻圖案之尺寸之目標值的偏離量，根據預測結果，使對該晶圓W進行PEB處理時之處理條件，對該晶圓W進行顯像處理時之處理條件(顯像溫度或顯像時間)進行反饋控制亦可。若藉由本發明者們之見解時，因光阻圖案之尺寸之一例亦即線寬(CD：Critical Dimension)，可以以從光阻塗佈處理至曝光處理開始為止之時間之一次函數來表示，故能夠進行上述般之反饋控制。

以上，雖然針對本發明之實施型態予以說明，但是本發明不限定於此例。若為本業者在記載於申請專利範圍之技術性思想之範疇內應該能夠思及各種變更例或是修正例，針對該些變更例或修正例當然也屬於本發明之技術範圍。

[實施例]

圖8為表示比較例之情況之CD之面內平均的圖示，圖9為實施例之情況之CD之面內平均的圖示。在圖8及圖9中，橫軸之數值n表示第n片之晶圓，縱軸表示CD之面內平均。
在比較例中，對晶圓W進行如使用圖4說明般的以往之晶圓處理。再者，在實施例中，對晶圓W進行如使用圖6說明般的與第1實施型態有關之晶圓處理。

在比較例中，如圖8所示般，CD之面內平均在晶圓間具有偏差，當將該面內平均之標準偏差設為σ時，在比較例中之3σ為1.44nm。
對此，在實施例中，如圖9所示般，CD之面內平均在晶圓間具有偏差，當將該面內平均之標準偏差設為σ時，在實施例中之3σ為0.33nm。
因此，若藉由本發明時，可以抑制光阻圖案之尺寸之晶圓間的偏差。依此，可以取得期待尺寸之光阻圖案。

[產業上之利用可行性]

本發明係對基板進行包含塗佈光阻液而形成光阻膜之光阻塗佈處理的用以形成光阻圖案之一連串處理的技術有效用。

1‧‧‧基板處理裝置

12‧‧‧曝光裝置

23‧‧‧晶圓搬運機構

30‧‧‧顯像處理部

31‧‧‧光阻塗佈處理部

40‧‧‧熱處理部

41‧‧‧黏著部

50～56‧‧‧收授部

60～62‧‧‧收授部

70‧‧‧晶圓搬運機構

100‧‧‧晶圓搬運機構

110‧‧‧晶圓搬運機構

200‧‧‧控制部

300‧‧‧控制部

W‧‧‧晶圓

圖1為表示本發明之第1實施型態所涉及之基板處理裝置之構成之概略的說明圖。

圖2為表示本發明之第1實施型態所涉及之基板處理裝置之構成之概略的前視圖。

圖3為表示本發明之第1實施型態所涉及之基板處理裝置之構成之概略的後視圖。

圖4為以往之晶圓處理的時序圖。

圖5為表示在使用EUV微影用之光阻膜之情況的塗佈處理結束後至顯像處理結束為止之光阻膜之狀態及反應之樣子的概念圖。

圖6為第1實施型態之晶圓處理的時序圖。

圖7為表示在使用膜厚大之光阻膜之情況的塗佈處理結束後至顯像處理結束為止之光阻膜之狀態及反應之樣子的概念圖。

圖8為表示在比較例中之光阻圖案之線寬之面內平均的圖示。

圖9為表示在實施例中之光阻圖案之線寬之面內平均的圖示。

Claims

一種基板處理裝置，其係對基板進行包含塗佈光阻液而形成光阻膜之光阻塗佈處理的用以形成光阻圖案之一連串處理，該基板處理裝置之特徵在於，具備: 複數之處理部，其係進行上述一連串之處理；待機部，其係使進行上述一連串處理之前的基板暫時性地待機；和控制部，其係至少控制基板之搬運，該控制部係取得與在來自該基板處理裝置之基板之搬運目的地的曝光裝置中，對形成有上述光阻膜之基板進行的曝光處理之時間有關的資訊，以使從上述光阻塗佈處理至開始上述曝光處理為止之時間在每個基板成為一定之方式，使基板在上述待機部待機。
如請求項1所載之基板處理裝置，其中上述曝光處理之時間有關之資訊，係上述曝光處理之結束時刻的資訊或上述曝光處理之開始時刻之資訊中之至少任一者。
如請求項1或2所載之基板處理裝置，其中上述控制部係從進行該曝光處理之曝光裝置接收而取得與上述曝光處理之時間有關的資訊。
如請求項1或2所載之基板處理裝置，其中上述控制部係根據基板之搬運履歷之預測，取得與上述曝光處理之時間有關的資訊。
一種基板處理裝置，其係對基板進行包含塗佈光阻液而形成光阻膜之光阻塗佈處理的用以形成光阻圖案之一連串處理，該基板處理裝置之特徵在於，具備: 複數之處理部，其係進行一連串之處理；和控制部，其係至少控制基板之搬運，該控制部係以基板在上述複數處理部之各個內部滯留的時間長度，與基板在對形成有光阻膜之基板進行曝光處理之曝光裝置內滯留的時間長度相等之方式，控制基板之搬運。
如請求項5所載之基板處理裝置，其中上述控制部係從該曝光裝置接收而取得與基板在上述曝光裝置內滯留之時間長度有關之資訊。
如請求項5所載之基板處理裝置，其中上述控制部係從在該基板處理裝置之基板的搬運履歷，預測基板在上述曝光裝置內滯留之時間長度。
2、5至7中之任一項所載之基板處理裝置，其中上述控制部係進一步進行在上述曝光裝置之曝光處理中的處理條件之控制，根據與在上述曝光裝置進行的曝光處理有關之資訊，預測已被進行曝光處理及顯像處理之上述光阻圖案之尺寸，根據預測結果，補正在上述曝光處理的曝光量。
2、5至7中之任一項所載之基板處理裝置，其中上述控制部係進一步進行上述一連串處理包含的上述曝光處理之後的處理中的處理條件之控制，根據上述一連串處理包含的上述曝光處理之前的處理之實績，預測已被進行曝光處理及顯像處理之上述光阻膜之圖案的尺寸，根據預測結果，補正上述曝光處理之後的處理中的處理條件亦可。
2、5至7中之任一項所載之基板處理裝置，其中上述光阻液為KrF光阻液。
2、5至7中之任一項所載之基板處理裝置，其中上述光阻膜之膜厚為10μm以上。